SU449516A3 - Photosensitive material - Google Patents
Photosensitive materialInfo
- Publication number
- SU449516A3 SU449516A3 SU1661656A SU1661656A SU449516A3 SU 449516 A3 SU449516 A3 SU 449516A3 SU 1661656 A SU1661656 A SU 1661656A SU 1661656 A SU1661656 A SU 1661656A SU 449516 A3 SU449516 A3 SU 449516A3
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- layer
- photosensitive
- charge
- electrically conductive
- photosensitive material
- Prior art date
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/14—Inert intermediate or cover layers for charge-receiving layers
- G03G5/142—Inert intermediate layers
- G03G5/144—Inert intermediate layers comprising inorganic material
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/024—Photoelectret layers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/043—Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/14—Inert intermediate or cover layers for charge-receiving layers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/14—Inert intermediate or cover layers for charge-receiving layers
- G03G5/147—Cover layers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Description
1one
Изобретение относитс к фоточувствительному материалу, предназначенному дл эл ектрофотографи и.This invention relates to a photosensitive material intended for electrical photographs and.
Известен фоточувствительный материал дл электрсфотографии, содержащий высокоизол ционный прозрачный слой с посто нно внутренней пол ризацией и электропровод щий слой, св занные как одно целое.A photosensitive material for electrophotography is known, comprising a high-insulating transparent layer with a permanently internal polarization and an electrically conductive layer, connected as one piece.
Дл повышени эффективности образовани скрытого изображени и обеспечени высокой разрешающей способности обычно увеличивают толшину фоточувстви- тельного сло .In order to increase the efficiency of latent image formation and to provide high resolution, the thickness of the photosensitive layer is usually increased.
Однако при высокой скорости цикла имеет место усталость, или гистерезис, обусловленный по влением остаточного зар да, вызывающего понижение способности фоточувствительного материала к образованию скрытого изображени .However, at a high cycle speed, fatigue, or hysteresis, is caused by the appearance of a residual charge, which causes a decrease in the photosensitive material’s ability to form a latent image.
Цель изобретени , .- устранение эффекта остаточного зар да - достигаетс тем, что между фоточувствительным и электропровод щим сло ми расположен слой с низким удельным сопротивлением, состав которого близок к составу фоточувстви- JThe purpose of the invention, the elimination of the effect of residual charge, is achieved by the fact that between the photosensitive and electrically conductive layers there is a layer with low resistivity, the composition of which is close to the composition of photosensitivity J
тельного сло со стороны электропровод щего сло .body layer from the side of the electrically conductive layer.
Обычно между слоем с низким удельным сопротивлением и электропровод щим слоем ввод т слой из чистого металла или располагают второй изол ционный слой.Usually a pure metal layer is introduced between the low resistivity layer and the electrically conductive layer, or a second insulating layer is placed.
Кроме того, слой из чистого металла и второй изол ционный слой можно поместить между фоточувствительным и электропровод щим сло ми.In addition, a pure metal layer and a second insulating layer can be placed between the photosensitive and electrically conductive layers.
На фиг.1 а-в изображена схема распределени зар дов в фоточувствительпом материале, содержащем фоточувствительный слой с посто нной внутренней пол ризацией; на фиг.2 - фоточувствительный и электропровод щий слои, наход щиес в омическом контакте; на фиг. 3 и фиг. 4 - предлагаемый фоточувствительный материал; на фиг. 5 - схема аппарата дл вакуумного осаждени паров гфи из1ютовлении фоточувствительного материа.г|а.Figure 1a-b depicts the distribution of charges in a photosensitive material containing a photosensitive layer with constant internal polarization; Fig. 2 illustrates the photosensitive and electrically conductive layers in ohmic contact; in fig. 3 and FIG. 4 - the proposed photosensitive material; in fig. 5 is a diagram of an apparatus for vacuum deposition of vapors from a gif to inspecting a photosensitive material.
Фоточувствительный содержит прозрачный высокоизол ционный слой 1, фоточувствительный слой 2 и электропрово- д щий слой 3, составл ющие единое целое. ,The photosensitive layer contains a transparent, high insulating layer 1, a photosensitive layer 2, and an electrically conducting layer 3, which are integral. ,
Фоточувствительный слой содержит фотопроводник ЗеТв , имеющий проводимость р - типа и множество уровней захвата зар дов. На фиг. l а показано распределение зар дов после равно|14ерной зар дки поверхности апо 1 отрицательнымThe photosensitive layer contains a ZeTv photoconductor that has p-type conductivity and many levels of charge capture. FIG. l and shows the distribution of charges after equal to | 14nogo charge of the surface apo 1 negative
зар дом, который вызывает миграцию носи телей зар дов и создает тем самым внут«раннюю пол ризацию. Поскольку фотопроводник имеет проводимость р - типа, носители положительных зар дов в свободном состо нии под действием отрицательного зар да, нанесенного на изол ционный слой, мигрируют сквозь фоточувствительный слой и улавливаютс на границе раздела между фоточувствительным и изол ционным , сло ми. Знак плюс обозначает задержанные зар ды. На втором этапе нанос т положительный зар д на поверхность изол ционного сло 1 одновременно с экспонированием изображени на слой 2the charge that causes the migration of charge carriers and thereby creates intra polarization. Since the photoconductor has p-type conductivity, carriers of positive charges in a free state under the action of a negative charge deposited on an insulating layer migrate through the photosensitive layer and are trapped at the interface between the photosensitive and insulating layers. The plus sign denotes delayed charges. At the second stage, a positive charge is applied to the surface of the insulating layer 1 simultaneously with the exposure of the image to the layer 2
через изол ционный слой. На левой и прав половине фиг.16 показаны участки, соотвествующие , светлым и темным участкам экспонированного изображени соответственно . На светлых участках под вли нием положительного зар да, вновь нанесенного на изол ционный слой, носители положительных зар дов мигрируют через фоточупС1-вптельнын слой и создают распре- деление зар дов, показанное на левой половине фиг. 16. Па темных участках зар д, задержа |)гый на границе раздела, ос1-аетс неизменным, так как миграци зар дов в фоах) чувствительном слое отсутствует. На второй стадии процесса зар д нанос г таким образом, чтобы поверхностный потенциал изол ционного сло CTiMi рав1гомерным. Нанесение поло- ЖIiтeJlы( зар да на изол ционный слой О1рй11ич11ваетс темными участками и тем самым создаетс распределение зар /1ов, показанное на правой половинеthrough the insulation layer. The left and right half of FIG. 16 shows the areas corresponding to the light and dark areas of the exposed image, respectively. In the light areas, under the influence of a positive charge, again deposited on the insulating layer, the carriers of positive charges migrate through the photo-C1S-intermittent layer and create a charge distribution, shown in the left half of FIG. 16. In the dark areas, the charge, the delay at the interface, is unchanged, since there is no charge migration in the sensitive layer. In the second stage of the process, the charge is deposited in such a way that the surface potential of the insulation layer CTiMi is uniform. Application of the polarization (of the charge on the insulation layer O1r111111 dark areas and thereby creates a distribution of the charge / 1ov, shown on the right half
II
фи1 16, при котором плотность положительного зар да отличаетс от плотности зар да па светлых участках, показанных 1на левой половине фиг. 16. Задержанный зар д (плюс) вновь возбуждаетс , когда скрытое изображение равномерно облучают светом, например светом электролампы или лампы дневного света, дл образовани новых свободных носителей зар дов. Таким образом, измен ют распределение зар дов на участках, соответствующих темным участкам изображени , как показано на фигуре 1в.phi 16, in which the positive charge density differs from the charge density in the light areas shown by 1 in the left half of fig. 16. A delayed charge (plus) is re-energized when the latent image is uniformly irradiated with light, such as light from a light bulb or fluorescent light, to form new free charge carriers. Thus, the charge distribution in the areas corresponding to the dark areas of the image is changed, as shown in Figure 1c.
По оквнчании распределени зар дов, показанного на 4)иг- 1в, скрытое изображение , образованное на второй стадии, имеет различные плотности положительного зар да на разных участках, собтветч. ствующих экспонированному изображению, и может быть про влено любым пригодным способом. Про вленное порошковое изображение может быть перенесено на регистрируюший материал, например на бумагу. , фоточувствительный материал возврашают в исходное состо ние дл следуюшего цикла работы, стира оставшеес скрытое изобраи ение и удал достаток про вител .According to the distribution of the charges shown in 4) ig-1b, the latent image formed in the second stage has different densities of positive charge in different areas, in particular. exposed image, and can be displayed in any suitable way. The resulting powder image can be transferred to a recording material, such as paper. The photosensitive material is returned to its original state for the next cycle of operation, erasing the remaining latent image and removing the wealth of the reader.
До тех нор дока фоточувствительный и электропровод щий слои наход тс в двух , стороннем контакте, носители зар дов, мигрирующие в направлении электропроiвод щего сло в процессе второй и последующих стадий, задерживаютс на участках фоточувствительного сло р дом с электропровод щим слоем (фиг.2) и не могут освободитьс вследствие С41льного поглощени света примен емым фоточувствительны материалом, создава чем самым остаточный зар д, который Buabieae-j- rncTejieanc и не нозвол ег полностью разделить зар ды в последующих циклах работы. 3i|4)eKT гистерезиса аккумулируе-1с в- соответстй 1И с числом циклов, ограничива тем самым срок службы фоточувствительниго материала .Until the photosensitive and electrically conductive layers are in two, side contact, charge carriers migrating in the direction of the electrically conductive layer during the second and subsequent stages are delayed in areas of the photosensitive layer adjacent to the electrically conductive layer (Fig. 2) and can not be released due to C41 absorption of light by the photosensitive material used, creating less than the residual charge that Buabieae-j-rncTejieanc and not completely allow him to separate the charges in subsequent cycles of operation. 3i | 4) eKT hysteresis accumulator-1c in accordance with the number of cycles, thereby limiting the service life of the photosensitive material.
Там, где eждy фоточувствительным и эпектропровод ии1м сло ми расположен второй изол ционный слой, эффект гистер&зиса особенно значителен вследствие блокировки зар дов вторым изол ционным слоем.Where the photosensitive and the electrical conductor and the first layers are located in the second insulating layer, the effect of hister & ng is especially significant due to the blocking of charges by the second insulating layer.
При использовании предлагаемого фоточувствительного материала (фиг.З) между слоем 4 с низким удельным сопротивление и слоем 3 не будет дискретной границы раздела. В модифицированном фоточувствительном материале (фиг.4) второй изол ционный слой 5 расположен между слоем 4 и слоем 3. В известном фоточувствительном материале, в котором слой 2 жестко св зан со слоем 3, трудно с:оздать двухсторонний омический контакт между ними. Поэтому на- поверхности раздела имеет место вление блокировки зар дов, вызывающее нежела1ельный гистерезис. When using the proposed photosensitive material (fig.Z) between the layer 4 with low specific resistance and the layer 3 will not be a discrete interface. In the modified photosensitive material (FIG. 4), the second insulating layer 5 is located between layer 4 and layer 3. In the known photosensitive material in which layer 2 is rigidly connected to layer 3, it is difficult to: create two-sided ohmic contact between them. Therefore, a charge blocking phenomenon occurs at the interface, causing an unintended hysteresis.
Применение сло 4 с низки-м удельным сопротивлением, который не задерживает или почти не задерживает носителей зар дов, например сло из сплава $еТб с болыиим содержанием Те, не нреп тствуеч миграции носителей зар дов в этом слое. Носители зар дов, мигрирующие в направлении электропровод щего сло , легко достигают сло с низким удельным сопротивлением и накапливаютс в нем в виде свободных зар дов. Таким образом устран етс возможность создани гистерезиса что позвол ет многократно использовать предлагаемый фоточувствительный материа при высокой скорости цикла. Электропровод щий слой изготовл ют из металла или из любого материала, имеющего относительно низкое сопротивле ние, например из тонкой металлической фольги, электропровод щей бумаги и электропровод щего стекла. Дл изготовлени фоточувствительного сло и сло с низким удельным сопротивлением могут примен тьс различные материалы. Например, дл изготовлени фоточувствительного сло из ЗвТв можно примен ть смеси с различным содержанием §6 и Те. Дл этого пары чистого Те или смеси Те и §е, содержащей незначительное количество 3®, осажд ют на поверхность электропровод щего сло , на слой Те нанос т слой из сплавов Те и 5е с меньщим содержанием Те и на этот слой нанос т слой, состо щий из одного Se или из Se с весьма малым содержанием Те. В этом случае между электропровод щим ,и фоточувствительным сло ми образуетс слой, в котором содержание фоточувствительного материала с посто нной внутренней пол ризацией постепенно измен етс . Слой Те или слой обогащенный Те, смежный с электропрово д щим слоем, исключает неполный омический контакт с электропровод щим слоем, а следовательно, и задержк,у носи- телей зар дов. В слое из Se или SeTe могут быть диффузно распределены медь или алюминий. В модифицированном фоточувствитель ном материале (фиг.4), содержащем изол ционные слои или слои 1 и 5, блоки рующие токи расположенные по обеим сторонам сло 2, слой 4 с низким удельным сопротивлением полностью исключает возникновение потока носителей зар$щов между слоем 2 и слоем 3. Фуикциго второго изол ционного сло может также, выполн ть металлический электрод с окисным покрытием. Слой с низким удельным сопротивлением может быть получен посредством вакуумного осаждени . Пример. В бункер 6 аппарата, изображенного на фиг.5, засьшают сплав SeTe, qoдepжaший 16 мол.% Те, в бункер 7 - сплав SeTe, содержащий 4О мол.% Те, и в лодочку 8 - чистый Те, использу все компоненты в виде порошка. В верхней части аппарата располагают тонкую алюминиевую подложку 9 толщиной 1 мм, покрытую пленкой из поликарбонатной смолы толщиной 2-4 мк, и под ней заслонку 1О. После вакуумировани аппарата лодочку 8 нагревают дл нанесени Те, на подложку 9. После нанесени сло Те толщиной Змк лодочку 11 нагревают до 4ОО-5ОООС и из бункера 6 заполн ют сплавом SeTe, содержащим 16 мол.% Те, чтобы на слой Те нанести слой, содержащий сплав SeTe. Нанесение Те продолжают до получени сло толщиной 5 мк, после чего - продолжают наносить только слой из сплава SeTe, пока толщина нанесенного сло не достигнет 5О мк. После этого температуру лодочки ; 12 повьпиают до и в нее загружают из бункера 7 сплаа SeTe, содержащий 4О мол.% Те, чтобы наносить этот сплав вместе с сплавом SeTe, содержащим 16 мол.% Те. Когда толщина нанесенного сло , содержащего оба сплава SeTe, достигнет 1 мк, процесс нанесени слоев прекращают и покрытую алюминиевую подложку 9 удал ют из аппарата. Затем сверху сло из сплава SeTe образуют изол ционный слой из поликарбонатной смолы толщиной Ю мк и получают фоточувствительный материал, изображенный на фиг.4. Слой из поликарбонатной смолы на алюминиевой подложке можно не наносить. В этом случае получают фоточувств11телыи.1Й материал, изображенный на фнг.З. П р и м е р 2. Порошок CdS, содержащий 1О мол.% меди и хлор в качестве соактиватора, обжигают при вОО°С в течение/vl час, добавл ют 10 моль меди и небольшое количество серы, снова обжигают при 6ОО°С: в течение 15 мин в атмосфере азота без добав.1они сопктиватора и получают порошок CdS : С U , имеющий множество уровней захвата зар дов. Путем обжига CdS , содержащего 10 мол.% меди в качестве активатора и хлор в качестве соактиватора, при 6ОО°С в TOieHHO-vl час 11риг-о-(авл ют тонко измельченный порошок CdS: Си с размером частиц 3 мк, который обладает низким удельным сопротивлением. Кажды сплав CdS -Си диспергируют в органи чёском растворителе, содержащем 7 вес. вИнилацетата. Раствор CdS: Сц ктиви - i рованного 10 мол.% меди, сначала нанос т на алюминиевую подложку. Затем одновременно распыл ют оба раствора. Через сопло, с помощью которого распыл ли раствор CdS : Си , активированного 10 мол.% меди, после посте пенного дросселировани распыл ют толь один раствор CdS : Си , активированно -5 10 мол.% меди. Обща толщина светопровод щего сло 8О мк. Толщина верх- него сло с посто нной внутренней пол ризацией -и толщина нижнего сло с низким удельным сопротивлением составл ет 1О мк (дл каждого). На светопроврд щий слой сверху нано с т изол ционный слой и получают фоточувствительный материал. Активировать Cd можно не только медью, но. и золотом, марганцовистым серебром и т.п. Температура и врем обжига завис т от свойств светопрово- д щего материала и активатора. Изготовленные фоточувствительные материалы можно повторно примен ть в электрофотографии без эффекта гистерези Любые известные фоточувствительные материалы, обнаруживающие посто нную внутреннюю пол ризацию, могут быть использованы дл изготовлени фоточу&ствительных материалов. Дл этой цели пригодны CdS, CdSe, 8е, SeTe, ZnSe, ZnS, ZnCdlS,ZtiO, PbO и другие сульфиды металлов, окиси мета лов антрацен, антрахинон и другие ррганические соединени . Слой с низким удельным сопротивлением может быть образован из материалов с низким удель ным сопротивлением, полученных при модифицировании светопровод щих мат&риалов с посто нной внутренней пол ризацией активаторами, или из материалов С низким удельным сопротивлени1ём, не про вл ющих посто нства внутренней пол ризации и не задерживающих роситёли зар дов. Лучще примен ть материал с низким удельным сопротивлением, который вл етс полупроводником и в котором больща часть носителей имеет ту же пол рность, что и в материале с посто нной внутренней пол ризацией. Кроме того, Могут быть использованы любые прозрачные высокоизол ционнБге материалы, такие, как полиэфиры, эпоксиды, полиэтилен, полиуретаны или поликарбонаты. Предмет изобретени 1.Фоточувствительный материл дл электрофотографии, содержащий прозрачный : высокоизол ционный слой, фоточувствительный слой с посто нной внутренней пол ризацией и электропровод щий слой, св занные как одно целое, отличающийс тем, что, с целью устранени эффекта оста точного зар да, между фоточувствитель- ным и электропровод щим сло ми расположен слой с низким удельным сопротивлением, состав которого близок к составу фоточув- ствителыюго сло со стороны электропровод щего сло . 2.Материал по п. 1, о т ли ч а ю щ и и с тем, что между слоем с низким удельным сопротивлением и электропровод щим слоем введен слой из чистого металла. 3.Материал по п. 1, о т л и ч а ю щ и и с тем, что между слоем с низким удельным сопротивлением и электропровод щим слоем расположен второй изол ционный слой. 4. Материал поп.1, отличающийс тем, что между фото чувствительным и электропровод щим с/ю ми расположен слой из чистого металла и второй изол ционный слой.The use of layer 4 with low specific resistivity, which does not detain or almost does not detain charge carriers, for example, a layer of an alloy of $ eTb with a large content of Te, not disturbing the migration of charge carriers in this layer. Charge carriers that migrate in the direction of an electrically conductive layer easily reach a layer with a low resistivity and accumulate in it in the form of free charges. Thus, the possibility of creating a hysteresis is eliminated, which makes it possible to reuse the proposed photosensitive material at a high cycle rate. The electrically conductive layer is made of metal or of any material having a relatively low resistance, such as thin metal foil, electrically conductive paper, and electrically conductive glass. Different materials can be used to make the photosensitive layer and the low resistivity layer. For example, blends with different content of §6 and Te can be used to make a photosensitive layer of CTVV. For this, a pair of pure Te or a mixture of Te and Sec, containing a small amount of 3®, is deposited on the surface of the electrically conductive layer, a layer of Te and 5e alloys with a lower Te content is deposited on the Te layer, and a layer consisting of one from Se or from Se with a very small content of Te. In this case, a layer is formed between the electrically conductive and photosensitive layers, in which the content of the photosensitive material with constant internal polarization gradually changes. The Te layer or the layer enriched by Te, adjacent to the electrically conductive layer, eliminates incomplete ohmic contact with the electrically conductive layer, and hence the delay, in charge carriers. Copper or aluminum can be diffusely distributed in a layer of Se or SeTe. In the modified photosensitive material (Fig. 4) containing insulating layers or layers 1 and 5, blocking currents located on both sides of layer 2, layer 4 with low resistivity completely eliminates the flow of charge carriers between layer 2 and layer 3. The fuiccigo of the second insulating layer can also perform a metal electrode with an oxide coating. A low resistivity layer can be obtained by vacuum deposition. Example. In the bunker 6 of the apparatus depicted in FIG. 5, the SeTe alloy weighing 16 mol.% Te is suspended, in the bunker 7 is SeTe alloy containing 4O mol% Te, and in the boat 8 is pure Te using all the components in powder form. . In the upper part of the apparatus have a thin aluminum substrate 9 with a thickness of 1 mm, covered with a film of polycarbonate resin with a thickness of 2-4 microns, and a flap 1O under it. After evacuating the apparatus, the boat 8 is heated to apply Te onto the substrate 9. After applying the Te layer with a thickness of 3mc, the boat 11 is heated to 4OO-5OOOC and from the hopper 6 is filled with SeTe alloy containing 16 mol.% Te to apply a layer on the Te, containing alloy SeTe. The application of Te is continued until a layer thickness of 5 microns is obtained, after which only the layer of SeTe alloy is applied until the thickness of the applied layer reaches 5O micron. After that, the temperature of the boat; 12 are poured before and loaded into it from the bunker 7 of the SeTe alloy containing 4O mol% Te in order to apply this alloy together with the SeTe alloy containing 16 mol% Te. When the thickness of the deposited layer containing both SeTe alloys reaches 1 micron, the deposition process is stopped and the coated aluminum substrate 9 is removed from the apparatus. Then, on top of the SeTe alloy layer, they form an insulating layer of polycarbonate resin with a thickness of 10 microns and a photosensitive material is obtained, which is shown in Fig. 4. A layer of polycarbonate resin on the aluminum substrate can not be applied. In this case, get a photo sensation of the bodies and. The material depicted in the FNG. EXAMPLE 2 A CdS powder containing 1O mol% of copper and chlorine as a co-activator is calcined at BOO ° C for 1 vl hour, 10 mol of copper and a small amount of sulfur are added, again calcined at 6OO ° C : for 15 minutes in a nitrogen atmosphere without the addition of an oddity inhibitor, a CdS: C U powder having many levels of charge capture is obtained. By roasting CdS containing 10 mol.% Of copper as an activator and chlorine as a co-activator, at 6OO ° С in TOieHHO-vl hour 11rig-o- (finely ground CdS: Cu powder with a particle size of 3 microns, which has a low resistivity. Each CdS-Ci alloy is dispersed in an organic solvent containing 7% by weight of vinilacetate. A solution of CdS: Cctivi-i 10% by weight copper is first applied to the aluminum substrate. Then both solutions are sprayed. Through a nozzle which sprayed a solution of CdS: Cu activated with 10 mol% I and, after gradual throttling, only one CdS: Cu solution is activated, 5-10 mol% of copper is activated. The total thickness of the light-conducting layer is 8 O microns, the thickness of the upper layer with constant internal polarization, and the thickness of the lower layer with low the resistivity is 1O microns (for each). On the light-conducting layer on top of the nano-ins insulation layer, a photosensitive material is obtained. Cd can be activated not only by copper, but. and gold, manganese silver, etc. The temperature and calcination time depend on the properties of the light guide material and the activator. Fabricated photosensitive materials can be reused in electrophotography without hysteresis. Any known photosensitive materials that exhibit a constant internal polarization can be used to make photocell materials. CdS, CdSe, 8e, SeTe, ZnSe, ZnS, ZnCdlS, ZtiO, PbO and other metal sulfides, anthracene, anthraquinone and other organic compounds are suitable for this purpose. A layer with a low resistivity can be formed from materials with a low resistivity, obtained by modifying the light-conducting mat & rials with constant internal polarization with activators, or from materials With a low resistivity that do not exhibit constant internal polarization and non-retarding charges. It is better to use a low resistivity material, which is a semiconductor and in which most carriers have the same polarity as in a material with constant internal polarization. In addition, any transparent high-insulating materials can be used, such as polyesters, epoxides, polyethylene, polyurethanes or polycarbonates. The subject matter of the invention is 1. A photosensitive electrophotographic material containing a transparent one: a high insulating layer, a photosensitive layer with a constant internal polarization, and an electrically conductive layer, connected as one unit, characterized in that, in order to eliminate the effect of the remaining charge, A photosensitive and electrically conductive layer is a layer with low resistivity, the composition of which is close to the composition of the photosensitive layer on the side of the electrically conductive layer. 2. Material according to claim 1, that is, with the fact that a layer of pure metal is introduced between the layer with low resistivity and the electrically conductive layer. 3. The material according to claim 1, wherein the second insulating layer is disposed between the low resistivity layer and the electrically conductive layer. 4. Material pop.1, characterized in that between the photo sensitive and electrically conductive s / m there is a layer of pure metal and a second insulating layer.
WW
I -H + ч- -I- -ь + 1 J L/г. laI -H + h- -I- + 1 J L / g. la
illill
+ -b +.+ -b +.
-H- Ч- +1 -H-4- -H- H- +1 -H-4-
1-21-2
+1 +1
Фиг,. 16FIG. sixteen
Фиг. lSFIG. lS
-l - 2 U-4 -l - 2 U-4
V 777777/777 -JV 777777/777 -J
иг дplay
-f + ч- ,-f + h-,
+ Q ++ Q +
(fuz. 2(fuz. 2
Н7H7
I-JI-j
fPvz.fPvz.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP45045787A JPS4910257B1 (en) | 1970-05-29 | 1970-05-29 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU449516A3 true SU449516A3 (en) | 1974-11-05 |
Family
ID=12728978
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU1661656A SU449516A3 (en) | 1970-05-29 | 1971-05-28 | Photosensitive material |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US3795515A (en) |
JP (1) | JPS4910257B1 (en) |
BE (1) | BE767862A (en) |
CA (1) | CA968607A (en) |
FR (1) | FR2093872A5 (en) |
GB (1) | GB1360272A (en) |
NL (1) | NL150923B (en) |
SU (1) | SU449516A3 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2596193C1 (en) * | 2012-08-30 | 2016-08-27 | Кэнон Кабусики Кайся | Electrophotographic photosensitive element, process cartridge and electrophotographic device |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2452934A1 (en) * | 1973-12-07 | 1975-06-12 | Xerox Corp | XEROGRAPHIC ELEMENT |
US4045327A (en) * | 1974-08-28 | 1977-08-30 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Electrophoretic matrix panel |
US4524116A (en) * | 1982-05-18 | 1985-06-18 | Comtech Research Unit Limited | Electrophotographic contact printing and master therefore |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2901348A (en) * | 1953-03-17 | 1959-08-25 | Haloid Xerox Inc | Radiation sensitive photoconductive member |
US2803541A (en) * | 1953-05-29 | 1957-08-20 | Haloid Co | Xerographic plate |
US2809294A (en) * | 1954-12-23 | 1957-10-08 | Haloid Co | Xeroradiographic plates or elements |
US3170790A (en) * | 1959-01-08 | 1965-02-23 | Xerox Corp | Red sensitive xerographic plate and process therefor |
US3174855A (en) * | 1961-02-23 | 1965-03-23 | Xerox Corp | Method for a production of a xerographic plate |
US3172828A (en) * | 1961-05-29 | 1965-03-09 | Radiation-responsive element | |
US3355289A (en) * | 1962-05-02 | 1967-11-28 | Xerox Corp | Cyclical xerographic process utilizing a selenium-tellurium xerographic plate |
US3268331A (en) * | 1962-05-24 | 1966-08-23 | Itek Corp | Persistent internal polarization systems |
US3457070A (en) * | 1964-07-25 | 1969-07-22 | Matsuragawa Electric Co Ltd | Electrophotography |
US3536483A (en) * | 1964-10-20 | 1970-10-27 | Katsuragawa Denki Kk | Method of making electrographs wherein the resultant electrostatic image is not effected by further light exposure |
GB1193348A (en) * | 1966-10-03 | 1970-05-28 | Rank Xerox Ltd | Xerographic Process and Apparatus |
JPS4827699B1 (en) * | 1968-06-27 | 1973-08-24 | ||
JPS5241377B2 (en) * | 1972-05-24 | 1977-10-18 |
-
1970
- 1970-05-29 JP JP45045787A patent/JPS4910257B1/ja active Pending
-
1971
- 1971-05-27 NL NL717107317A patent/NL150923B/en not_active IP Right Cessation
- 1971-05-28 FR FR7119531A patent/FR2093872A5/fr not_active Expired
- 1971-05-28 SU SU1661656A patent/SU449516A3/en active
- 1971-05-28 BE BE767862A patent/BE767862A/en not_active IP Right Cessation
- 1971-05-28 US US00147927A patent/US3795515A/en not_active Expired - Lifetime
- 1971-05-28 CA CA114,194A patent/CA968607A/en not_active Expired
- 1971-06-01 GB GB1830271*[A patent/GB1360272A/en not_active Expired
-
1973
- 1973-10-03 US US403120A patent/US3894870A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2596193C1 (en) * | 2012-08-30 | 2016-08-27 | Кэнон Кабусики Кайся | Electrophotographic photosensitive element, process cartridge and electrophotographic device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE2126549A1 (en) | 1971-12-09 |
GB1360272A (en) | 1974-07-17 |
DE2126549B2 (en) | 1975-02-27 |
FR2093872A5 (en) | 1972-01-28 |
NL7107317A (en) | 1971-12-01 |
NL150923B (en) | 1976-09-15 |
CA968607A (en) | 1975-06-03 |
BE767862A (en) | 1971-10-18 |
JPS4910257B1 (en) | 1974-03-09 |
US3795515A (en) | 1974-03-05 |
US3894870A (en) | 1975-07-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US3041166A (en) | Xerographic plate and method | |
US5238607A (en) | Photoconductive polymer compositions and their use | |
US2803541A (en) | Xerographic plate | |
US3704121A (en) | Electrophotographic reproduction process using a dual layered photoreceptor | |
DE2712556A1 (en) | RECORDING METHOD AND DEVICE | |
US3787208A (en) | Xerographic imaging member having photoconductive material in inter-locking continuous paths | |
US3379527A (en) | Photoconductive insulators comprising activated sulfides, selenides, and sulfoselenides of cadmium | |
US4071363A (en) | Method of making composite xerographic photoreceptor with injecting contact layer for a photoconductive layer | |
SU449516A3 (en) | Photosensitive material | |
US3312547A (en) | Xerographic plate and processes of making and using same | |
US3243293A (en) | Plate for electrostatic electro-photography | |
US3708291A (en) | Photosensitive elements for use in electrophotography and method of manufacturing same | |
US4197119A (en) | Electrophotographic process | |
US4010031A (en) | Electrophotographic system | |
US3867143A (en) | Electrophotographic photosensitive material | |
US4088485A (en) | Graded bandgap xerographic plate | |
US3849129A (en) | ELECTROPHOTOGRAPHIC ELEMENT CONTAINING Se-Te ALLOY LAYERS | |
US3990894A (en) | Method of preparing photosensitive element for use in electrophotography | |
JPS61103156A (en) | Electrophotographic sensitive body | |
DE2160792C3 (en) | Gas discharge indicator and memory field | |
JPS58121045A (en) | Electrophotographic receptor | |
US4221855A (en) | Electrophotographic plate produced by firing glass binder containing inorganic photoconductor and high melting point inorganic additive in non-reducing atmosphere | |
US3598485A (en) | Electrode configuration for ac electrophotography | |
US3853553A (en) | Method for image transfer using persistent internal polarization | |
US3700436A (en) | Electrode configuration for electrophotography |