DE2116784A1 - Program-controlled step memory device - Google Patents

Program-controlled step memory device

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DE2116784A1
DE2116784A1 DE19712116784 DE2116784A DE2116784A1 DE 2116784 A1 DE2116784 A1 DE 2116784A1 DE 19712116784 DE19712116784 DE 19712116784 DE 2116784 A DE2116784 A DE 2116784A DE 2116784 A1 DE2116784 A1 DE 2116784A1
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LANNIONNAIS ELECTRONIQUE
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Description

F 4801 JB. APR.F 4801 JB. APR.

SOCIETE LAMIOMAISE D'ELECTRONIQÜE Route de Perros-Guireö -22- LAMION (Prankreich)SOCIETE LAMIOMAISE D'ELECTRONIQÜE Route de Perros-Guireö -22- LAMION (France)

undand

COMPAGNIE INDUSTRIELLE DES TELECOMMUNICATIONSCOMPAGNIE INDUSTRIELLE DES TELECOMMUNICATIONS

CIT-ALCAIEL
12, rue de la Baume -75- PARIS (8). Prankreich
CIT-ALCAIEL
12, rue de la Baume -75- PARIS (8). France

PROGRAMMGESTEUERTE SCHRITTSPEICHER-VORRICHTUNGPROGRAM CONTROLLED STEP MEMORY DEVICE

Die Erfindung betrifft erweiterungsfähige oder nicht erweiterungsfähige, verschleifte oder nicht verschleifte Schrittspeicher, die aus einem Träger bestehen, in dem, gesteuert durch einen oder mehrere Vorschubzeitgeber, eine Binärinformation umläuft. Die Information setzt sich aus Wörtern zusammen, die von einer bestimmten Anzahl von Binärzeichen gebildet werden, von welchen jedes den Wert 0 oder 1 annehmen kann; das Wort ist die Informationseinheit. Wenn die ein Wort bildenden Binärzeichen in einem einzigen Kanal eines Speichers zeitlich aufeinanderfolgen, handelt es sich um ein in Reihe umlaufendes Wort °, wenn dagegen die ein Wort bildenden Binärzeichen jeweils gleichzeitig in einem besonderen KanalThe invention relates to expandable or non-expandable, looped or non-looped step memories, which consist of a carrier in which, controlled by one or more feed timers, binary information circulates. The information is composed of words that are formed by a certain number of binary characters, each of which can have the value 0 or 1; the word is the unit of information. If the binary characters forming a word follow one another in time in a single channel of a memory, then it is a question of a word circulating in series , if, on the other hand, the binary characters forming a word are each simultaneously in a special channel

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11.1 S 78 411.1 p 78 4

des Speichers auftreten, handelt es sich um ein parallel umlaufendes Wort. Ein Speicher heisst demnach Speicher mit Reihen- bzw· Parallelaufbau je nachdem, ob die Wörter in Reihe oder parallel umlaufen. Im ersten Fall besteht er aus einem einzigen Kanal;, im zweiten Fall besteht er aus soviel Kanälen wie das Wort bildende Binärzeichen vorhanden sind.of the memory occur, it is a parallel circulating Word. A memory is therefore called a memory with a series or parallel structure, depending on whether the words are in In a row or in parallel. In the first case it consists of a single channel; in the second case it consists of so much Channels such as binary characters forming the word are present.

Im folgenden wird die Gesamtheit der ein Wort bildenden Binär ζ eichen Elementarspe icher genannt, ohne Rücksicht auf den verwendeten Speichertyp, also unabhängig davon, ob esIn the following, the totality of the binary ζ oak elements forming a word is called elementary memories, regardless of the type of storage used, regardless of whether it is

sich um einen Heihen- oder einem Parallelspeieher handelt· daraus ergibt sich, dass die Kapazität eines Speichers durch die Anzahl H der Wörter, die er aufzunehmen vermag, bestimmt wird, wobei Jedes Wort aus k Binllrzeichen besteht.it is a Heihen- or a Parallelspeieher This means that the capacity of a memory is determined by the number H of words that it can hold where each word consists of k binary characters.

Wenn die Periode des Zeitgebers t ist, beträgt die Umlauf zeit in einem Kanal Tp = ITt, sofern es sich um einen Parallelspeich.er und Ts = Hkt, sofern es sich um einen Eeihenspeicher handelt, wobei beide Speicher die gleiche Kapazität K haben."When the period of the timer is t, the is Circulation time in a channel Tp = ITt, provided it is a Parallel storage and Ts = Hkt, provided that it is a series storage acts, where both memories have the same capacity K. "

In vielen Anwendungsfallera, insbesondere wenn der Speicher versehleift ist und einen ständigen Umlaufspeicher bildet, ist die Umlaufzeit konstant.In many applications, especially when the Memory is messed up and a permanent circulating memory the period of revolution is constant.

Wenn die Zeitgeberperiode t bei beiden Speichertypen derselben Kapazität N dieselbe ist, so ist Ts = kTp, weil die gesamten Nk Binürzeichen des Reihenspeichers hintereinander umlaufen1 müssen, damit ein Binärzeichen den Speicher durch-If the timer period t is the same for both memory types of the same capacity N, then Ts = kTp, because the entire Nk binary characters of the serial memory must circulate one after the other 1 for a binary character to pass through the memory.

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BAD ORIGINALBATH ORIGINAL

laufen kannj es ergibt sich daraus, dass die Parallelspeicher bei gleicher Zeitgeberperiode bekanntlich schneller arbeiten als die Reihenspeieher und dass zur Erzielung einer mit derjenigen eines Parallelspeichers vergleichbaren oder gleichen Umlauf zeit die Zeitgeberzeit eines Reihenspeichers viel kUrzer ist als diejenige eines Parallelspeichers j dies bedeutet gleichzeitig, dass die Zeitgeberfrequenz eines Reihenspeichers viel grosser ist als diejenige eines Parallelspeichers, Insbesondere wenn die Kapazität der Speicher dieselbe, d.h. N, ist, ist die Zeitgeberfrequenz eines Reihenspeichers mit derselben Umlauf zeit T wie derjenigen eines entsprechenden Parallelspeichers k-mal grosser als die für den Parallelspeicher notwendige Zeitgeberfrequenz.can run j it results from the fact that the parallel storage with the same timer period is known to work faster than the row speakers and that to achieve one with that of a parallel memory, the timer time of a series memory is comparable or the same in circulation is shorter than that of a parallel storage j this means at the same time that the timer frequency of a series memory is much higher than that of a parallel memory, In particular if the capacity of the memories is the same, i.e. N, is the timer frequency of a serial memory having the same round trip time T as that of a corresponding one Parallel storage k times larger than that for parallel storage necessary timer frequency.

Tt> TsTt> Ts

Die Gesamtheit der Ή -— oder ΪΓ = ■ Zeitgeberimpulse eines Zyklus T bilden ein Zeitintervall, in dem die Impulse von 1 bis S" numeriert werden können. Ebenso können die Zeitabstände zwischen zwei Zeitgeber impulsen innerhalb des betreffenden Zeitintervalls numeriert werden, so dass eine Information zeitlich durch das Signal ihres Auftretens am Kanaleingang (oder -ausgang) festgelegt werden kann, wobei dieses Signal die Informationsadresse darstellt, dies ist wichtig für das Einschreiben und das Lesen einer Information. Die Adressierungskapazität eines Speichers ist gleich der Kapazität 'S dieses Speichers. Bei einem Parallelspeicher ist diese Kapazität gleich der Anzahl von Signalen t im Zeitintervall T9 während bei einem Reihenspeicher die KapazitätThe totality of the Ή - - or ΪΓ = ■ timer pulses of a cycle T form a time interval in which the pulses can be numbered from 1 to S ". Likewise, the time intervals between two timer pulses within the relevant time interval can be numbered so that information can be determined in time by the signal of its occurrence at the channel input (or output), this signal representing the information address, this is important for writing and reading information. The addressing capacity of a memory is equal to the capacity 'S of this memory In a parallel memory, this capacity is equal to the number of signals t in the time interval T 9, while in a series memory the capacity

./. 109844/1597 ./. 109844/1597

gleich der Anzahl von Signalen t/k des Zeitintervalls T istj der Wert t bzw. t/k bestimmt, je nachdeniji ob es sich um einen Parallel- oder einen Reihenspeicher handelt, die Kanalanzahl im Zeitintervall T7 wobei diese Anzahl der Kanäle gleich der Wortanzahl N ist.equal to the number of signals t / k of the time interval T, the value t or t / k is determined, depending on whether it is a parallel or a series memory, the number of channels in the time interval T 7 , this number of channels being equal to the number of words N is.

Bei der Verwendung eines Speichers ist gewöhnlich die Anzahl der einzuspeichernden Wörter kleiner als die Kapazität des Zeitintervalls ü), was beispielsweise zu einer Einschränkung des Betriebs wahrend einer bestimmten Zeit führen kann.When using a memory, this is usually the Number of words to be stored is less than the capacity of the time interval ü), which, for example, leads to a restriction operation during a certain period of time.

Eine Lösung besteht in der Herstellung eines JImla,ufspeichers, bei dem die Kapazität während eines Zeitintervalls T gleich Ii ist« Dies erfordert groese kosten für- die Ausrüstung bei teilweiser Ausnutzung, da die volle Kapazität nur nach und nach'mit steigendem Bedarf erreicht wird«One solution is to create a JImla, buffer, in which the capacity during a time interval T Equal to Ii is «This requires great costs for the equipment with partial utilization, as full capacity is only reached gradually as demand increases «

• . Der erfindungsgemässe: Speicher seichnet sich dadurch aus, dass er nur eine Speicherkapazität η hat, dass die Verteilung de.r Impulse eines den Speicherverschub steuernden Zeitgebere der Verteilung der Wörter im Zeitintervall T entspricht und dass in der Impulsfolge -des Zeitgebers nur die Impulse oder Impulsgruppen verwendet werden, die der gleiohen Ordnung wie die Wörter angehören. . t •. The memory according to the invention is characterized in that it has only one storage capacity η, that the distribution of the pulses of a timer controlling the storage shift corresponds to the distribution of the words in the time interval T and that in the pulse sequence of the timer only the pulses or groups of pulses which belong to the same order as the words are used. . t

Nach einem anderen erfindungsgemäeseji Merkmal umfasst das Vorschubsystem dee Speichers einen oder mehrere Vorschub-. % ; zeitgeber, und zwar erfolgt die Beeinflussung eines öder ' . a mehrerer ßich regelmäßig wiederholender ZeitgebersignaleAccording to another inventive feature, the feed system of the memory comprises one or more feed systems. % ; timer, namely the influence of a dreary '. a number of regularly repeating timer signals

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durch einen Rechteckimpuls, der die Verteilung der Wörter im Zeitintervall T wiedergibt, ■by a square pulse that reproduces the distribution of the words in the time interval T, ■

Nach einem anderen Merkmal wird die Stellung der Informationen im Zeitintervall T bei einem nicht verschleiften Speicher zeitlich durch die Änderung des Rechteckimpulses verändert.Another characteristic is the position of the Information in the time interval T with a not looped Memory changed over time by changing the square pulse.

Nach einem anderen Merkmal kann ein Speicher für η Wörter bis auf N Wörter erweitert werden, und zwar stufenweise oder nicht, indem die nötige Speicheranzahl hinzugefügt wird und gleichzeitig die Rechteckimpulse geändert werden.According to another feature, a memory for η words can be expanded up to N words, in stages or not, by adding the required number of memories and changing the square-wave pulses at the same time.

Nach einem anderen Merkmal werden alle Signale wahrend eines Zeitintervalles T an eine Verteilersehaltung angelegt, die mit einer die Rechteckimpulse abgebenden Vorrichtung über beliebig änderbare elektrische Leitungen oder Brücken verbunden ist, so dass an die Vorrichtung nur die den Wörtern im Zeitintervall T entsprechenden Signale Übertragen werden·According to another characteristic, all signals are perpetual of a time interval T applied to a distribution line, with a device that emits the square-wave pulses any changeable electrical lines or bridges connected so that only the signals corresponding to the words in the time interval T are transmitted to the device

Die Merkmale des erfindungsgemässen Speichers werden im folgenden an Hand eines Ausführungsbeispiels und von Zeichnungen besehrieben sThe features of the memory according to the invention are described below using an exemplary embodiment and FIG Describe drawings s

- Fig. 1 stellt einen Umlaufspeicher, beispielsweise einen Parallelspeieher, dar, der bis auf eine Kapazität N erweitert werden kann;- Fig. 1 shows a circulating memory, for example a parallel storage unit, which except for a capacity N can be expanded;

- Pig. 2 ist das Zeitdiagraiam des Speichers nach Fig. Ii- Pig. 2 is the time diagram of the store behind Fig. II

1ÖS844/15S"? 1ÖS844 / 15S "?

' 2118784 ' 2118784

- Fig, 3 veranschaulicht einen Pufferspeicher; ί- >■ Figure 3 illustrates a buffer memory; ί- > ■

- Fig« 4 ist das Zeitdiagraram des Speichers nach- Fig. 4 is the timing diagram of the memory according to

Fig. 3. - :-Fig. 3. - : -

^. In lüg. 1 ist der n-Sqhritt-ITmlauf speicher rait 1 bezeichnet?^. In lie 1 is the n-step ITmlauf memory rait 1 designated?

2 ist ein Verteiler mit Bf dureh si bis sN gekennzeichneten Ausgängen;, 3 ist ein ODES-Satt®*1. axt äen Ausgängen des Verteilers entsprechenden Eingingen el Ms eEf 4 ist ein IMD-Gatter mit einem Eingang füx· di@ Signale eines Zeitgebers H und- einem lisgaiig fllr die: awjaiem. Clatter 3 austretende In*- W formation K,- die aus Sem Gatter.4: austretenden Signale Hx 2 is a distributor with outputs marked Bf through si to sN ;, 3 is an ODES-Satt® * 1 . ax to the inputs corresponding to the outputs of the distributor el Ms eE f 4 is an IMD gate with an input for x · di @ signals of a timer H and a lisgaiig for the : awjaiem. Clatter 3 exiting In * - W formation K, - the from Sem Gatter.4 : exiting signals H x

werden an. den- Speicher t. .abgelegte,"Der-.Verteiler 2 und das Gatter 3-sind iilogr-sia@. b0stiiffis#e "ünaslLt iron Verbindungen D, beispielsweise BI9 S2 ^ B9S D10P 3323* miteinander verbunden ι der Vertei-tw esiffiiigt Si^ialß" vom Sei%eber H und Zeit<-will be on. the memory t. . Filed, "The-.Distributor 2 and the gate 3-are iilogr-sia @. b0stiiffis # e" ünaslLt iron connections D, for example BI 9 S2 ^ B9 S D10 P 3323 * connected to each other ι the Vertei-tw esiffiiigt Si ^ ialß "from the character about H and time <-

Sj3R:i3kPonisati§3i.®t*0iisie S.« EI21 Järessenzähl.er 5 ' öle il.i.gnal,i3- stes faitgiil?er3 H wjid ixe Zeitintenrall-Lsatisu-Ssi^siaie-Sf #- i#% #4u Eoiapayato.s*f der |3©i ASj3R: i3kPonisati§3i.®t * 0iisie S. «EI21 Järessenzähler.er 5 'oils il.i.gnal, i3- stes faitgiil? Er3 H wjid ixe Zeitintenrall-Lsatisu-Ssi ^ siaie-Sf # - i #% # 4u Eoiapayato.s * f der | 3 © i A

das miiim&si^W «ag: .&## iö0^gl# S iss Wsm$m^^ww das miiim & si ^ W «ag:. &## iö0 ^ gl # S iss Wsm $ m ^^ ww

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'bad original'bad original

dem UND-Gatter 9 empfangt; 12 ist ein UND-Gatter, das Informationen von der Umkehrschaltung 11 und vom Ausgang 17 des Speichers 1 empfangt; 13 ist ein ODER-Gatter, dessen Eingätige mit den UND-Gattern 10 und. 12 verbunden sind, wobei der Ausgang 18 des ÖDER-Gatters mit dem Speicher 1 verbunden istJ 14 ist ein UND-Gatter, das einerseits Signale vom Ausgang 8 des Adressenkomparators 6 und andererseits Lesebefehle L sowie Rechteckimpulse K empfangt; 15 ist ein UND-Gatter, das Informationen vom Ausgang 17 des Speichers 1 und vom Ausgang des UND-Gatters 14 empfangt%■ 19 ist der Ausgang des Gatters 15» der die im Speicher 1 gelesenen Informationen abgibt. . . . ^ .-.;■,..;-:■-■■ ..-;.the AND gate 9 receives; 12 is an AND gate which receives information from the inverter 11 and from the output 17 of the memory 1; 13 is an OR gate whose inputs are connected to AND gates 10 and. 12 are connected, the output 18 of the ÖDER gate being connected to the memory 1 J 14 is an AND gate which receives signals from the output 8 of the address comparator 6 on the one hand and read commands L and square-wave pulses K on the other; 15 is an AND gate, the information from the output 17 of the memory 1 and% receives from the output of the AND gate 14 19 is the output of gate 15 outputs "of the read information in the memory. 1 . . . ^ .- .; ■, ..; -: ■ - ■■ ..- ;.

Der Speicher nach Fig. 1 -a^lii^e't'^oilgenderiisä^s^i):: Aiii Jnf^ig des^eitinte^vajis t stellt ein Zeitintervall-The memory according to Fig. 1 -a ^ lii ^ e't '^ oilgenderiisä ^ s ^ i) :: Aiii Jnf ^ ig des ^ eitinte ^ vajis t represents a time interval-

S de» Adrösäfiiiallhler 5 auf die erste Verteiler 2 auf den ersten Schritt ein, derS de »Adrösäfiiiallhler 5 on the first Distributor 2 on the first step, the

Zeitintervalls Φ entspricht? gesteuert durch 'i H, tastet der Zahiier 5 die verschiedenen Adrjss^eh $b?^ii§Lhrend ein Signal nacheinander an jedem derTime interval Φ corresponds to? controlled by 'i H, the counter 5 scans the different Adrjss ^ eh $ b ? ^ ii§ While a signal is given to each of the

g sN des Verteilers 2 auftritt; die Verbindungen ,W, DlÖ, D23 zwischen dem Verteiler 2 und dem ODER-g sN of the distributor 2 occurs; the connections , W, DlÖ, D23 between distributor 2 and the OR

Gä^erf3 ermöglichen die Abgabe eines Rechteckimpulses K, derGä ^ he f 3 allow the delivery of a square pulse K, the

4 angelegt wird, das ebenfalls die Signale4 is applied, which also the signals

H empfangt und Zeitgebersignale wahrend derH receives and timer signals during the

K abgibt j dies sind die Signale H des Vö3?söhub?!eitgebers des Speichers 1 ·. Andererseits empfangt derK outputs j these are the signals H des Vö3? Söhub?! Editor of the memory 1 ·. On the other hand, he receives

■ ■"■■■ ■■'■·■ r -■ ■ ■ - · ./.■ ■ "■■■ ■■ '■ · ■ r - ■ ■ ■ - · ./.

109844/1597109844/1597

BAD ORlOiNAL ,BAD ORlOiNAL,

21T6784**"21T6784 ** "

dent Adressenzähler 5 zugeordnete Komp.ara^toK..6-.über'-,A eine .. , Wortadresser und gibt über "8, ^wenn A und·.die Information ;7» ,,;, identisch sind,; einen Befehl entweder ZUm1Iesen...ader zum Einschreiben eines Wortes-· in den Speicher, t ab. Wenn es -,^ieh um; ,. das; Einschreiben eines Wortes· handelt, empfängt das.-.UND.-.. . Gatter 9, ( das. die Ausgangsinfo.rmation des Komparatoxs β eampf ängir, ebenfalls: einen: Einsahreibbefehl. Über E: und gibt; diesen an. das Uin>-Gatte-r 10 weiter,, das. ebenfalls über- 1rS die einzu-sehreibenden. WSrter* empfängt, und es. überträgt· diese Vforter an .das ODER—Gatter ΐ3? das- sie über5 seinen Ausgang s.uf' den Speicher 1 weitergibt. Dieser Speicher empfängt die Signale H: des Vorsefetbzeitgebers, wobei die über tS ankommenden. Wörter nur dann eingeschrieben werden, wenn im Vorschubzeitgeber ein Rechteckimpuls auftritt, der zeitlich einer oder mehreren Adressen entspricht. In dem in der Fig. 1 gegebenen Beispiel und unter der Voraussetzung, dass das Zeitintervall T 24 Signale t enthält, die jeweils einem Wort eines Parallelspeichers zugeordnet sind, entsprechen die Verbindungen D1, $ D2, D9, D18, D23 einer Kapazität η = 5 des Speichers 1.the address counter 5 assigned comp.ara ^ toK..6-.about '-, A a .., word address r and gives via "8, ^ if A and · .the information ; 7» ,, ; , are identical ,; a command either to read 1 ... or to write a word- · into the memory, t . ... Gate 9, ( that. The output info.rmation of the comparator β eampf ängir, also: a: Einahreibbefehl. Via E : and specifies; this. .. 1RS receives the einzu-sehreibenden WSrter *, and transmits this · Vforter to .the OR gate ΐ3 they DAS 5 its output s.uf 'memory 1 passes this memory receives the signals H:. of Vorsefetbzeitgebers The words arriving via tS are only written in if a square pulse occurs in the feed timer which corresponds to one or more addresses in time. In the example given in FIG Assuming that the time interval T contains 24 signals t which are each assigned to a word of a parallel memory, the connections D1, $ D2, D9, D18, D23 correspond to a capacity η = 5 of the memory 1.

Die im Speicher 1 enthaltenen Informationen laufen demnach, gesteuert vom Vorschubzeitgeber, vom Eingang 18 zum Ausgang 17; jede am Ausgang 17 auftretende Information wird an das UND-Gatter 12 angelegt. Wenn kein Einschreibbefehl über E am UND-Gatter 9 ankommt, empfängt das UND-Gatter 12 von der Umkehrschaltung 11 einen Einschreibbefehl, so dass die aus dem Speicher 1 stammende und an das UND-Gatter 12 angelegteThe information contained in the memory 1 therefore run, controlled by the feed timer, from the input 18 to the Output 17; Any information occurring at the output 17 is applied to the AND gate 12. If no enroll command over E arrives at the AND gate 9, the AND gate 12 receives a write command from the inverter 11, so that the the memory 1 originating and applied to the AND gate 12

1098UM5971098UM597

• 211Β78Λ• 211Β78Λ

Information auf das ÖDER-Gatter 13 weitergegeben rand über den Ausgang 18 des ODEB-Sairbers 13 in den Speicher 1 -eingesclaarieben wird, "Wenn dagegen ein JEinschreibbef 6hl über E am IMD-Gaürfce:r 9 ankommt, überträgt Mases den Befehl an >das OT3-Gairfcer 1O3 so dass =die übear 16 ankommende Infoxmation auf das ODEE-Gatter 13 weitergegeben aond lifoer den Ausgang 16 des ODEK-Gatters den %>eieher 11 eimge,3©hrieben wird? dabei spexrt das I3BD—Information is passed on to the ÖDER gate 13 rand via the output 18 of the ODEB-Sairber 13 into memory 1, "If, on the other hand, a JEinschreibbef 6hl arrives via E at the IMD-Gaürce: r 9, Mases transmits the command to> das OT3-Gairfcer 1O 3 so that = the information arriving over 16 is passed on to the ODEE gate 13 aond lifoer the output 16 of the ODEK gate the%> rather 11, 3 © is written?

12a so .dass 'die ;aais dem Ausgang 17 des Speicners 1 scannend© Informaition ni©1ai; wieder in diesen elngescirrielben wir>ä| im Speidiei· 1 liat im en"tspreclienäen Augeialblicli: des VorscnulbzeitgeberiS pin Iiifiormationsweelisel stattgefunden»12 a so .that 'the; aais scanning the output 17 of the memory 1 © Informaition ni © 1ai; again in this long-cycle life we> ä | im Speidiei · 1 liat im en "tspreclienänen Augenialblicli: the pre-blooming time given in pin Iiifiormationsweelisel took place»

Wenn das OTB-0atter 14 über seinen Eingang Ii einen Lesebefehl empfängt, gibt es diesen auf das UM)-Gatter 15j und die aus dem Speicher 1 austretende Information wird auf den Ausgang 19 des "UND-Gatters 15 gegeben. Die Kapazität η des Speichers 1 kann also ganz oder teilweise ausgenutzt werden, wobei die Wörter beliebig im Zeitintervall T verteilt werden können; wenn die Verteilung der Wörter im Zeitintervall sich ändert, wird durch "Änderung der Verbindungen D zwischen den Vorrichtungen 2 und"3 eine 'Änderung des Vorschubzeitgebers bewirkt, so dass Rechteckimpulse erzielt werden, die die Verteilung der Wörter im Zeitintervall T wiedergeben.If the OTB-0atter 14 has a Receives read command, there is this on the UM) gate 15j and the information emerging from the memory 1 is applied to the output 19 of the "AND gate 15. The capacity η of the memory 1 can therefore be fully or partially used, the words being distributed in the time interval T as desired can be; if the distribution of words in the time interval changes, "changing the connections D between the devices 2 and" 3 becomes a change in the advance timer causes, so that square-wave pulses are obtained which reflect the distribution of the words in the time interval T.

Wenn die Speicherkapazität erhöht werden soll, genügt es, den vorhandenen Speicher um eine bestimmte Anzahl an Binärzeichen zu erweitern, so dass die Kapazität von η auf n1 zunimmt, und die Verbindungen D zwischen den VorrichtungenIf the storage capacity needs to be increased, that's enough it is to expand the available memory by a certain number of binary characters, so that the capacity from η to n1 increases, and the connections D between the devices

./. 10 9844/1597./. 10 9844/1597

2 und 3 !herzustellen, wobei die Zalil dieser Verbindungen höchstens gleich ill sein darf.2 and 3 !, the number of these compounds may be at most equal to ill.

Die Fig. 2 stellt das Zeitdiagramm des Speichers nach Fig. 1 dar. In dieser Fig. kennzeichnet S die Synchronisationssignale in Abhängigkeit von der Zeit, wobei das Zeitintervall T der Abstand zwischen zwei Signalen ist, H bezeichnet die Signale des Zeitgebers,· bei denen es sich im in der Fig, veranschaulichten Beispiel um 24 Signale während des Zeitintervalls T handelt. D1, D2, D9, D18 sind in Abhängigkeit )| von der Zeit die den entsprechenden Verbindungen zugeordneten Rechteckimpulse des Verteilers 2 nach Fig. IjK stellt in Abhängigkeit, von der Zeit das Ausgangs signal des ODER-GattersFig. 2 shows the time diagram of the memory of FIG. 1. In this Fig. S denotes the synchronization signals in function of time, wherein the time interval T is the distance between two signals, H denotes the signals of the timer, · in which In the example illustrated in the figure, there are 24 signals during the time interval T. D1, D2, D9, D18 are dependent) | of the time associated with the corresponding connections square pulses of the distributor 2 according to FIG. IjK is a function of the time, the output signal of the OR gate

3 nach Fig. 1 dar, wobei dieses Signal der Summe der Rechteckimpulse D1, D2, DS, D18, D23 entspricht.; Hx kennzeichnet in. Abhängigkeit von der Zeit die Zeitgebersignale, die durch das UND-Gatter 4 nach Fig. 1 abgegeben werden, wobei es sich bei3 according to FIG. 1, this signal corresponding to the sum of the square-wave pulses D1, D2, DS, D18, D23 .; As a function of the time, H x denotes the timer signals which are output by the AND gate 4 according to FIG

den Signalen H um diejenigen des Zeitgebers H während des Auftretens des Impulses K handelt; H und K bezeichnen die . beiden Eingangssignale des UND-Gatters in Fig. 1.the signals H to those of the timer H during the Occurrence of the pulse K acts; H and K denote the. two input signals of the AND gate in FIG. 1.

Die Fig. 3 veranschaulicht einen !Pufferspeicher, beispielsweise einen Serienspeicher, mit einer Kapazität n, die geringer als N ist. In dieser Fig. ist 20 beispielsweise ein Verteiler wie derjenige nach Fig. 1; si, s2, s3...sN sind die N Ausgänge dieses Verteilers, der bei S Zeitintervall-Synchronisationssignale und bei H Zeitgebersignale empfängt; 21 ist ein ODER-Gatter mit mehreren Eingängen und einem an3 illustrates a buffer memory, for example a serial memory, with a capacity n which is less than N. For example, in this figure, 20 is a distributor like that of Figure 1; si, s2, s3 ... sN are the N outputs of this distributor, the time interval synchronization signals at S and at H receives timing signals; 21 is an OR gate with multiple inputs and one on

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■ 2118784■ 2118784

einem Speicher 25 liegenden Ausgang 23;' 22 ist ein GDER-Gatter mit mehreren Eingängen und einem an dem Speicher 25 liegenden. " Ausgang 24; L8, L11, L15, L22 sind Verbindungen zwischen. den Eingängen des Gatters 21 und den entsprechenden Ausgängen s8, s11jBi 5, s22 des Verteilers 20? L3, 19, 114,-L19 sind Verbindungen zwischen den Eingängen des Gatters 22 und den entsprechenden Ausgängen s3, s9, s14, si 9 des Verteilers 20; K ist ein Ausgang des Speichers 25, der an einem UND-Gatter 26 liegt, welches ebenfalls an einem Eingang die Signale des Zeitgebers H empfängtj H ist das Ausgangssignal des Gatters 26, das an einem Pufferspeicher 27 liegt, welcher gleichfalls bei E die einzuspeichernden Informationen empfängt.; 28 ist ein Ausgang des Pufferspeichers, wobei dieser Ausgang ein Reihenausgang ist.a memory 25 lying output 23; ' 22 is a GDER gate with several inputs and one lying on the memory 25. " Output 24; L8, L11, L15, L22 are connections between. the Inputs of the gate 21 and the corresponding outputs s8, s11jBi 5, s22 of the distributor 20? L3, 19, 114, -L19 are Connections between the inputs of the gate 22 and the corresponding outputs s3, s9, s14, si 9 of the distributor 20; K is an output of the memory 25, which is connected to an AND gate 26, which also has the signals of the Timer H receivesj H is the output of the gate 26, which is located on a buffer memory 27, which also receives the information to be stored at E .; 28 is an output of the buffer memory, this output being a row output.

Der Speieher nach der Fig. 3 arbeitet folgendermassenv Der Verteiler 20 empfängt bei S Zeitintervall-Synchronisationssignale und bei H Zeitgebersignale ^ bestimmte Zeitgebersignale werden auf die ODER-Gatter 21 und 22 weitergegeben, d.h., die Zeitgebersignale der Ordnung 8, 11, 15, 22 im Zeitintervall 1 werden auf das Gatter 21 gegeben, während die Signale der Ordnung 3, 9, 14, 19 auf das Gatter 22 gegeben werden. Das in den Verteiler 20 gelangende Signal der Ordnung 3 wird auf das ODER-Gatter 22 gegeben und über den Ausgang 24 dieses Gatters auf den Speicher 25 gegeben, wo es so lange eingespeichert bleibt, bis ein L'öschbefehl erfolgt; das in-den Verteiler 20 gelangende Signal der Ordnung 8 wird auf das ODER-Gatter 21 und über3 works as follows: The distributor 20 receives time interval synchronization signals at S and timer signals ^ certain timer signals are passed on to the OR gates 21 and 22, that is, the timer signals of the order 8, 11, 15, 22 im Time interval 1 are given to gate 21, while the signals of the order 3, 9, 14, 19 are given to gate 22. The signal of order 3 reaching distributor 20 is sent to OR gate 22 and sent via output 24 of this gate to memory 25, where it remains stored until a delete command is issued; the signal of order 8 reaching the distributor 20 is sent to the OR gate 21 and via

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dessen Ausgang 23 auf den Speicher 25 weitergegeben und bildet den L'oschbefehl' für den Speicher 25, der so frei wird und ein ■Signal aus dem ODER-Gatter 22 einspeichern kann.whose output 23 is passed on to the memory 25 and forms the L'oschbefehl 'for the memory 25, which is so free and a ■ Signal from the OR gate 22 can store.

■ Der Speicher 25 speichert den dem Impuls der Ordnung 9 entsprechenden Befehl ein, wobei das Löschen durch den Impuls der Ordnung 11 erfolgt" der Speicher speichert dann den dem Impuls der Ordnung 14 entsprechenden Befehl ein, wobei der Ii'dschbefehl durch den Impuls der Ordnung 15 gegeben wird? ^ anschliessend speichert der Speicher den dem Impuls 1-9 entsprechenden Befehl ein, wobei der Löschbefehl durch den Impuls 22 gegeben wird. Der Speicher 25 gibt dann über seinen Ausgang K Rechteckimpulse ab, deren Dauer unterschiedlich ist? die Rechteckimpulse im Beispiel der Fig. 3 haben eine jeweils dem Abstand zwischen den Zeitgeberimpulsen 3 und 8, 9 und 11, 14 und 15, 19 und 22 entsprechende Dauer. Das UND-Gatter 26 empfängt einerseits die aus dem Speicher 25 stammenden Rechteckimpulse K und andererseits die Impx^lse des Zeitgebers H und gibt am Ausgang während der Dauer der Rechteckimpulse K ψ Zeitgeberimpulse ab, welche die Impulse H des Vorschubzeit-. gebers des Pufferspeichers 27 bilden. Dieser Speicher empfängt bei E einzuspeichernde Informationen, die während der den 'abgegebenen Rechteckimpulsen K entsprechenden unterschied'-lichen Zeiten des Zeitintervalls T vorliegen. Die Information E wird im Pufferspeicher 27, gesteuert durch die Signale des Vorschubzeitgebers, eingespeichert; die im Pufferspeicher 27 eingespeicherte- Information wird dann, gesteuert durch dieseThe memory 25 stores the instruction corresponding to the impulse of the 9th order, the erasure being carried out by the impulse of the 11th order 15 is given? ^ Then the memory stores the command corresponding to the pulse 1-9, the erase command being given by the pulse 22. The memory 25 then emits square-wave pulses via its output K, the duration of which is different? The square-wave pulses in the example 3 each have a duration corresponding to the interval between the timer pulses 3 and 8, 9 and 11, 14 and 15, 19 and 22. The AND gate 26 receives on the one hand the square-wave pulses K coming from the memory 25 and on the other hand the pulses ^ lse the timer H and outputs at the output for the duration of the square-wave pulses K ψ timer pulses, which form the pulses H of the feed timer of the buffer memory 27 the. This memory receives information to be stored at E which is present during the different times of the time interval T corresponding to the “emitted square pulses K”. The information E is stored in the buffer memory 27, controlled by the signals of the feed timer; the information stored in the buffer memory 27 is then controlled by this

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BAD ORIGINALBATH ORIGINAL

ψ, >sr^ ψ, > sr ^

Signale, vom Eingang E zum Ausgang 28 übertragen, wobei die Umlaufzeit, d.h. die Einspeicherungszeit» gleich der Dauer des Zeitintervalls T ist. Der Pufferspeicher hat eine Kapazität n, aber die Änderung der Verbindungen L zwischen dem Verteiler 20 und den ODER-Gattern 21 und 22 ermöglicht die zeitliche Verschiebung der Informationen» Es ist gleichfalls möglich, die Kapazität des Pufferspeichers 27 auf eine Kapazität n1 zu erhöhen, die niedriger als die Hochstkapaz'itat N ist, welche dem Zeitintervall T entspricht, und zusätzliche Verbindungen L zwischen dem Verteiler 20 und den ODER-Gattern 21 und 22 herzustellen. Die Kapazität kann bis auf den Wert N erhöht werden.Signals, transmitted from input E to output 28, with the cycle time, i.e. the storage time »equal to the duration of the time interval T. The buffer memory has a capacity n, but the change in the connections L between the distributor 20 and the OR gates 21 and 22 allow the information to be shifted in time »It is also possible to the capacity of the buffer memory 27 to a capacity n1 to increase, which is lower than the maximum capacity N, which corresponds to the time interval T, and additional connections L between the distributor 20 and the OR gates 21 and 22 to manufacture. The capacity can be increased up to the value N.

Die Fig. 4 stellt das Zeitdiagramm des Pufferspeichers nach Fig. 3 dar. In dieser Fig. 4 kennzeichnet S die Synchronisationssignale in Abhängigkeit von der Zeit, wobei der Abstand zwischen zwei Signalen das Zeitintervall T ist. H stellt die Signale des Zeitgebers dar, d.h.,in dieser Fig. liegen 24 Signale in der Zeit T vor. L3, L8, 19, LI1, L14, L15, L19, L22 veranschaulichen in Abhängigkeit von der Zeit die den entsprechenden Verbindungen mit den ODER-.Gattern 21 und zugeordneten Rechteckimpulse des Verteilers 20 .nach Fig. 23 lind 24 stellen jeweils die Rechteckimpulse an den Ausgängen 23 -und 24 der ODER-Gatter 21 und 22 dar. K ist der vom Speicher 25 nach Fig. 3 abgegebene Rechteckimpuls. Hx bezeichnet die Vorschubzeitgebersignale, die vom UND-Gatter der Fig. 3 abgegeben werden. Diese Signale steuern die4 shows the timing diagram of the buffer memory according to FIG. 3. In this FIG. 4, S denotes the synchronization signals as a function of time, the interval between two signals being the time interval T. H represents the signals of the timer, ie there are 24 signals in time T in this figure. L3, L8, 19, LI1, L14, L15, L19, L22 illustrate, depending on the time, the corresponding connections with the OR gates 21 and associated square-wave pulses of the distributor 20. According to FIGS. 23 and 24, the square-wave pulses each apply the outputs 23 and 24 of the OR gates 21 and 22. K is the square-wave pulse emitted by the memory 25 according to FIG. H x denotes the advance timer signals which are output from the AND gate of FIG. These signals control the

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Einspeicherung der Informationen E und deren Umlauf im Pufferspeicher 27. .Storage of the information E and its circulation in Buffer storage 27..

Die Erfindung wird im allgemeinen "bei jeder Vorrichtung angewandt, deren Informationen in Form von während eines Zeitintervalls T kodierten Impulsen vorliegen, d.h., deren Arbeitsweise nach der Pulscodemodulation erfolgt, wie insbesondere bei PCM-Fernsprechanlagen. Die Vorrichtung nach Fig. 1 ermöglicht die Verwendung erweiterungsfähiger Speicher , fc zur Herstellung eines Zentralspeichers, der alle Adressen in einer Verbindungsschaltung zusammenfast, während die Vorrichtung nach Fig. 3 die Herstellung eines Pufferspeichers mit einem Zugang an den eine Verbindungsschaltung bildenden Kommutatoren ermöglicht.The invention is generally applied "to any device whose information is in the form of pulses encoded during a time interval T, ie whose mode of operation is based on pulse code modulation, such as in particular in PCM telephone systems. The device according to FIG. 1 enables the use of expandable devices Memory, fc, for the production of a central memory which summarizes all addresses in a connection circuit, while the device according to FIG. 3 enables the production of a buffer memory with access to the commutators forming a connection circuit.

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Claims (9)

PATENTAirSPRÜCHEPATENTAir CLAIMS A-A- Programmgesteuerte Schrittspeicher-Vorrichtung zur Einspeicherung von Informationen oder Wortern in eine Pulscodemodulationsanlage, bei der in einem Zeitintervall T zwischen zwei Impulsen N Wörter aus k Binärzeichen enthaltenProgram-controlled step memory device for storing information or words in a Pulse code modulation system in which in a time interval T contain N words of k binary characters between two pulses sein können, von denen nur η Wörter verwendet werden, dadurch gekennzeichnet, dass sie einen Speicher M (27) mit einer weniger als Ή oder gleich N betragenden ITutzkapazität η und einen oder mehrere Vorschubzeitgeber des Speichers aufweist, die jeweils Impulse entsprechend einer bestimmten zeitlichen Verteilung im "Zeitintervall T aufgrund von Signalen eines oder mehrerer Zeitgeber mit konstanter Periode abgeben. can be, of which only η words are used, characterized in that it has a memory M (27) with a useful capacity η less than Ή or equal to N and one or more advance timers of the memory, each of which has pulses corresponding to a certain temporal distribution in the "time interval T based on signals from one or more timers with a constant period. 2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass ein Vorschubzeitgeber, der Impulse Hx abgibt, einen Impulsformer aufweist, der aufgrund der Zeitgeberimpulse Rechteckimpulse von unterschiedlicher oder nicht unterschiedlicher Dauer abgibt, und zwar entsprechend einer gegebenen regelbaren Verteilung, und mit einem UND-Gatter (4,26) ausgerüstet ist, das während der Dauer der an dieses angelegten Rechteckimpulse K die Impulse des Zeitgebers H abgibt.2. Apparatus according to claim 1, characterized in that a feed timer which emits pulses H x has a pulse shaper which emits square-wave pulses of different or not different duration on the basis of the timer pulses, according to a given controllable distribution, and with an AND- Gate (4,26) is equipped, which emits the pulses of the timer H during the duration of the square-wave pulses K applied to it. 3. Vorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass der Impulsformer aus einer3. Apparatus according to claim 2, characterized in that the pulse shaper consists of a 10984ΛΜ59710984-597 Verteilerschaltung (2) besteht, die an eine Schaltung (3) zur Erzeugung der Rechteckimpulse Über- beliebig veränderliche .elektrische Verbindungen..oder Brücken (D1...D2-3) angeschlossen ist, wobei alle Impulse des Zeitintervalls T auf die Verteilerschaltung gegeben werden, die über die elektrischen Verbindungen nur die Impulse des Zeitintervalls T überträgt, welche den Wörtern im Zeitintervall entsprechen.Distribution circuit (2) exists, which is connected to a circuit (3) for generating the square-wave pulses. Any variable. Electrical connections ... or bridges (D1 ... D2-3), with all pulses of the time interval T being given to the distribution circuit which only transmits the pulses of the time interval T which correspond to the words in the time interval via the electrical connections. 4. Vorrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet* dass der Speicher M (27) mit einer Kapazität von η Wörtern bis auf N Wörter stufenweise oder nicht stufenweise erweitert werden kann, indem die erforderliche Anzahl von Binärzeichen hinzugefügt wird und gleichzeitig die Rechteckimpulse verändert werden.4. Apparatus according to claim 3, characterized marked * that the memory M (27) with a capacity of η words to N words in stages or can not be gradually expanded by adding the required Number of binary characters is added and at the same time the square pulses are changed. 5. Vorrichtung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass der Impulsformer einen Verteiler (20), zwei ODER-Gatter (21,22) und einen Speicher m (25) aufweist, wobei der Verteiler (20) Έ Ausgänge (St...SN) hat, die bestimmte impulse eines Zeitgebers (H) auf ein erstes ÖDER-Gatter (21) und bestimmte Impulse des Zeitgebers (H) auf ein zweites ODER-Gatter (22) geben, ein aus dem ersten Gatter austretender Impuls im Speicher m (25) eingespeichert wird und ein aus dem zweiten Gatter austretender Impuls das Löschen des Speichers m (25) vornimmt, welcher ein^ Becfcteckimp^ *5. The device according to claim 4, characterized in that the pulse shaper has a distributor (20), two OR gates (21,22) and a memory m (25), the distributor (20) Έ outputs (St ... SN) has certain pulses from a timer (H) to a first ÖDER gate (21) and certain pulses from the timer (H) to a second OR gate (22), a pulse emerging from the first gate in the memory m (25) is stored and a pulse emerging from the second gate erases the memory m (25), which generates a ^ Becfcteckimp ^ * le'ii ^eiT^g^ äüsgetrettnen ' ^:-.-.V-ile'ii ^ eiT ^ g ^ äüsgetrettnen '^: -.-. V-i Impulses abgibti :\= : V;";;': - ' ' y: . >: /V- ; - ' ; ;-; :.Pulse abgibti: \ =: V; ";;':-' 'y:>: / V, -';. ;;:. 109844/1597109844/1597 6. Vorrichtung nach Anspruch 3, dadurch, gekennzeichnet, dass der Impulsformer einen Verteiler (2) und ein ODER-Gatter (3) aufweist, wobei der Verteiler N Ausgänge S1...SÜT) hat, die bestimmte Impulse eines Zeitgebers (H) auf das ODER-Gatter (3) geben, welches jeweils den vom Verteiler (2) übertragenen Impulsen des . Zeitgebers (H) entsprechende Rechteckimpulse (K) abgibt.6. Apparatus according to claim 3, characterized in that characterized in that the pulse shaper has a distributor (2) and an OR gate (3), the Distributor N outputs S1 ... SÜT) that has certain impulses give a timer (H) to the OR gate (3), which in each case the pulses transmitted by the distributor (2). The timer (H) emits corresponding square-wave pulses (K). 7. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass ihr Speicher M (27) bis auf eine Kapazität N erweiterungsfähig ist, wobei die Anzahl der Impulse Hx eines Vorschubzeitgebers und ihre zeitliche Verteilung in Abhängigkeit von der neuen Kapazität des Speichers M (27) verändert werden.7. The device according to claim 1, characterized in that its memory M (27) can be expanded up to a capacity N, the number of pulses H x of a feed timer and their temporal distribution depending on the new capacity of the memory M (27) to be changed. 8. Vorrichtung nach den Ansprüchen 5 und 7, dadurch gekennzeichnet, dass bei einem Vorschubzeitgeber die zeitliche Verteilung der Impulse des Zeitgebers (H) durch veränderliche elektrische Verbindungen zwischen bestimmten Ausgängen der IT Ausgänge eines Verteilers und bestimmten Eingängen der ODER-Gatter (21,22) gewährleistet ist.8. Device according to claims 5 and 7, characterized in that in one Advance timer the temporal distribution of the pulses of the timer (H) through variable electrical connections between certain outlets of the IT outlets of a distributor and certain inputs of the OR gates (21,22) is guaranteed. 9. Vorrichtung nach den Ansprüchen 6 und 7, dadurch gekennzeichnet, dass bei einem Zeitgeber die zeitliche Verteilung der Impulse des Zeitgebers (H) durch veränderliche elektrische Verbindungen zwischen bestimmten Ausgängen der IT Ausgänge eines Verteilers und bestimmten Eingängen eines ODER-Gatters (3) gewährleistet ist.9. Device according to claims 6 and 7, characterized in that in the case of a timer, the temporal distribution of the pulses of the timer (H) is ensured by variable electrical connections between certain outputs of the IT outputs of a distributor and certain inputs of an OR gate (3) is. 109844/1597109844/1597
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