DE2048189A1 - Photo emissive diode - in group iii-v compound substrate with transparent metal or semiconductor window - Google Patents
Photo emissive diode - in group iii-v compound substrate with transparent metal or semiconductor windowInfo
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Abstract
Description
Lichtaussendende Halbleiterdiode Die Erfindung betrifft eine lichtaussehende Halbleiterdiode mit zwei entgegengesetzt dotierten, mit Kontakten versehenen Zonen in einem AIIIBVHalbleitereinkristall. Light-Emitting Semiconductor Diode The invention relates to a light-looking Semiconductor diode with two oppositely doped zones provided with contacts in an AIIIBV semiconductor single crystal.
Lichtaussendende Halbleiterdioden, beispielsweise Lumineszenzdioden, mit zwei entgegengesetzt dotierten Zonen in einem AIIIBV-Halbleitereinkristall, beispielsweise aus Galliumarßonid, GaA51.xPx oder anderen ternären Verbindungen, sind bereits bekannt.Light-emitting semiconductor diodes, for example luminescence diodes, with two oppositely doped zones in an AIIIBV semiconductor single crystal, for example from gallium arsonide, GaA51.xPx or other ternary compounds, are already known.
Die Funktion von lichtaussendenden Halbleiterdioden wird durch die beim Betrieb entstehende Temperaturerhöhung begrenzt zumal sich beispielsweise bei Galliumarsenid- Lumineszenzdioden die schädliche Einwirkung der umgebenden Atmosphäre mit steigender Temperatur noch erhöht.The function of light-emitting semiconductor diodes is through the The temperature increase that occurs during operation is limited, for example, at Gallium arsenide luminescence diodes the harmful effects of the surrounding atmosphere increased with increasing temperature.
Bisher wurde die Galliumarseflidoberfläche mit einer Oberfläche aus Siliciumdioxid oder Siliciumnitrid überzogen, um eine ähnliche Planartechnik durchführen zu kunden wie bei bekannten Silicium-Halbleiterbauelement. Der Schutz der Oberfläche ist Jedoch nicht vollkomsen. Außerdem ist auf diese Weise bei Leuchtdioden ein Anschluß eines hochbrechenden optischen Mediums wirkungslos und damit sind diese Dioden für optoelektronische Koppelelemente praktisch nicht brauchbar.So far, the gallium arse flid surface has been made with a surface Silicon dioxide or silicon nitride coated to perform a similar planar technique to customers as with well-known silicon semiconductor component. The protection of the surface However, it is not perfect. In addition, in this way there is a connection in the case of light-emitting diodes of a high refractive optical medium and therefore these diodes are ineffective for optoelectronic coupling elements practically unusable.
Wegen der gering zu haltenden Absorption des am pn-Uber gang einer lichtausstrahlenden Halbleiterdiode erzeugten Lichtes soll die vom Licht zu durchdringende Diodenzone relativ hochohmig sein. Hochohmige Oberflächen sind Jedoch immer sehr emptindlich. Beispielsweise übt Jede Art von auf dieser Oberfläche vorhandenen Ladungsträgern eine sehr starke nachteilige fiefenwlrkung auf die Halbleiterdiode aus.Because of the low absorption of the at the pn junction a light emitting semiconductor diode generated Light should be the from Light to penetrate diode zone be relatively high resistance. High resistance surfaces However, they are always very sensitive. For example, any kind of exercises on this surface existing charge carriers have a very strong adverse effect on the semiconductor diode the end.
Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, die im Vorstehenden diskutierten Nachteile zu vermeiden und eine lichtaussendende Halbleiterdiode anzugeben, bei der die Alterung verhindert wird.The invention is therefore based on the object in the above to avoid the disadvantages discussed and to specify a light-emitting semiconductor diode, which prevents aging.
Bei einer lichtaussendenden Halbleiterdiode der eingangs genannten Art ist gemäß der Erfindung zur Lösung der vorstehenden Aufgabe vorgesehen1 daß zumindest auf der die Lichtaustrittsoberfläche der Diode bildenden Zone zur Stabilisierung eine dünne lichtdurchlässige Metallschicht oder eine dünne niederohmige Halbleiterschicht vorgesehen ist, die den gleichen Leitfähigkeitstyp aufweist wie das Halbleitermaterial der die Lichtaustrittsoberfläche bildenden Zone.In the case of a light-emitting semiconductor diode of the type mentioned at the beginning Art is provided according to the invention to solve the above problem that at least on the zone forming the light exit surface of the diode for stabilization a thin transparent metal layer or a thin, low-resistance semiconductor layer is provided which has the same conductivity type as the semiconductor material the zone forming the light exit surface.
Durch die Erfindung wird erreicht, daß die Oberfläche einer lichtaussendenden Halbleiterdiode, beispielsweise aus Gallilmarsenid, das wegen der gering zu haltenden Absorption des vom pn-Übergang emittierten Bichtea relativ hochohmig ist, in einer dünnen Oberflächenschicht durch Diffusion oder ILetallbedampfung niederohmig gefacht und dadurch die Oberfläche stabilisiert wird. Zugleich wird ein Getter gegen werschiedene, die Oberfläche und das Volumen beeinflussende Elemente geschaffen, die die Alterung der lichtaussendenden Halbleiterdiode hervorrufen.The invention achieves that the surface of a light emitting Semiconductor diode, for example made of gallil marsenide, which has to be kept low because of the Absorption of the Bichtea emitted by the pn junction is relatively high resistance, in one thin surface layer by diffusion or metal vapor deposition with low resistance and thereby the surface is stabilized. At the same time, a getter is used against different, the surface and the volume influencing elements created that the aging the light-emitting semiconductor diode.
Wie bereits erwähnt, kann die dünne niederohmige Halbleiterschicht eine in die die Lichtaustrittsoberfläche bildende Zone der Diode eindiffundierte Schicht sein, die beispielsweise durch Binditfusisn von Selen oder Tellur herstellbar ist.As already mentioned, the thin, low-resistance semiconductor layer one in which the light exit surface forms Zone of the diode be diffused layer, for example by binding of selenium or Tellurium can be produced.
Statt der dllnnen niederohmigen Halbleiterschicht kann auch eine silane lichtdurchlässige Ietallschicht auf die die Lichtaustrittsoberfläche bildende Zone der Diode aufgedampft sein. Diese dflnne Metallschicht besteht vorzugsweise aus Zinn, Gold oder Silber und hat zweckmäßig eine Dicke von ungefähr einer halben Wellenlänge des ton der Diode emittierten Lichtes.Instead of the thin, low-resistance semiconductor layer, a silane can also be used light-permeable metal layer on the zone forming the light exit surface the diode may be vapor deposited. This thin metal layer is preferably made of Tin, gold or silver and is expediently about half a wavelength thick the tone of the light emitted by the diode.
Weitere Merkmale und Einzelheiten der Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung eines bevorzugten Ausführungsbeispiels an Hand der Figur.Further features and details of the invention emerge from the following description of a preferred embodiment with reference to the figure.
Die in der Figur schematisch im Schnitt dargestellte lichtaussendende Halbleiterdiode besteht aus einer einen lichtaussendenden pn-Übergang bildenden p-Zone 2 und einer n-Zone 1. Zur Verhinderung der Absorptionsverluste wird ein A111B-Halbleiteriaterial verwendet, dessen effektiver Bandabstand größer ist, als der Energie des am pn-Übergang entstandenen Lumineszenzlichtes entspricht. Diese Energie wird durch den effektiven Bandabstand in der p-Zone bestimmt und das Licht dringt durch die n-Zone 1 der Diode nach außen. Auf der die Lichtaustrittsoberfläche der die Diode bildenden Zone, in diesem Ausftlhrungsbeispiel also der n-Zone 1 der Diode, ist zur Stabilisierung dieser Diodenoberfläche eine dilnne lichtdurchlässige niederohmige Halbleiterschicht aufgebracht, die den gleichen Leitfähigkeitstyp aufweist wie das Material der die Lichtaustrittsoberfläche bildenden Zone. In diesemAusführungsbeispiel ist die dünne niederohmige Halbleiterschicht daher eine eindiffundierte n+-Schicht, die durch Eindiffusion von beispielsweise Selen oder Tellur erzeugbar und in der Figur mit dem Bezugszeichen 3 versehen ist. Sowohl die dUnne niederohmige Halbleiterschicht 3 als auch die p-Zone 2 der Diode ist mit Metallkontakten zum Anlegen einer Spannung in Flußrichtung versehen. Da das im pn-Übergang der Halbleiterdiode erzeugte Licht durch die n-Zone 1 und die n+-Schicht 3 nach außen gelangt, ist der auf die niederohmige Halbleiterschicht 3 aufgebrachte Metallkontakt am Rand der die Lichtaustrittsoberfläche der n-Zone 1 bedeckenden n+-Schicht 3 vorgesehen und ist entweder ein Punktkontakt oder ein Ringkontakt, der beispielsweise aus Zinn, Gold oder Silber besteht. Da durch die p-Zone 2 der Diode kein Licht nach außen gelangt, ist die Oberfläche dieser Zone mit einem Metallkontakt 4 versehen, der die Oberfläche der p-Zone 2 ganzflächig bedeckt. Dieser Flächenkontakt 4 ist beispielsweise eine vergoldete Grundplatte, die gleichzeitig zur Abführung der beim Betrieb der Diode entstehenden Wärme dient.The light emitting device shown schematically in section in the figure Semiconductor diode consists of a light-emitting pn junction forming p-zone 2 and an n-zone 1. An A111B semiconductor material is used to prevent absorption losses is used, the effective band gap of which is greater than the energy of the pn junction resulting luminescent light corresponds. This energy is effective through the Band gap is determined in the p-zone and the light penetrates through the n-zone 1 of the diode outward. On which the light exit surface of the zone forming the diode, in In this exemplary embodiment, the n-zone 1 of the diode is used for stabilization this diode surface is a thin, light-permeable, low-resistance semiconductor layer applied, which has the same conductivity type as the material of the Zone forming the light exit surface. In this embodiment, the thin low-resistance semiconductor layer therefore a diffused n + layer, which through Diffusion of for example Selenium or tellurium can be produced and is provided with the reference number 3 in the figure. Both the thin, low-resistance Semiconductor layer 3 as well as the p-zone 2 of the diode is provided with metal contacts Apply a voltage in the direction of flow. Since that in the pn junction of the semiconductor diode generated light passes through the n-zone 1 and the n + -layer 3 to the outside, is the on the low-resistance semiconductor layer 3 applied metal contact at the edge of the the light exit surface of the n-zone 1 covering n + -layer 3 is provided and is either a point contact or a ring contact, for example made of tin, Gold or silver. Since there is no light to the outside through the p-zone 2 of the diode reaches, the surface of this zone is provided with a metal contact 4, the the entire surface of the p-zone 2 is covered. This surface contact 4 is for example a gold-plated base plate, which is also used to discharge the when operating the The heat generated by the diode is used.
Wie bereits erwähnt, kann statt der eindiffundierten niederohmigen Schicht 3 eine dünne lichtdurchlässige Metallschicht verwendet werden, die auf die die Lichtaustrittsoberfläche der Diode bildende Zone aufgedampft wird und vorzugsweise aus Zinn, Gold oder Silber besteht.As already mentioned, instead of the diffused low resistance Layer 3 a thin translucent metal layer used on the the light exit surface of the diode forming zone is vapor deposited and preferably made of tin, gold or silver.
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| FR2371780A1 (en) * | 1976-11-22 | 1978-06-16 | Mitsubishi Monsanto Chem | ELECTROLUMINESCENT ELEMENT AND ITS MANUFACTURING PROCESS |
| DE3043581A1 (en) * | 1980-11-19 | 1982-06-03 | Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt | Semiconductor devices, esp. opto-electronic components - where metal layer with high work function forms enhancement zone in semiconductor, esp. for laser diodes or Leds |
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Non-Patent Citations (1)
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|---|
| "Phys.Rev." 137(1965) A 1583-A1590 * |
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| FR2371780A1 (en) * | 1976-11-22 | 1978-06-16 | Mitsubishi Monsanto Chem | ELECTROLUMINESCENT ELEMENT AND ITS MANUFACTURING PROCESS |
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| DE2048189C2 (en) | 1984-07-05 |
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