Belagfreie Flächenelektrode für eine pn-Elektrolumineszenzlichtquelle
Die pn-Lumineszens, auch als Lossew-Effekt bekannt, ist bekanntlich eine Elektrolumineszenzerscheinung.
Sie entsteht in gewissen Halbleitern als Rekombinationsstrahlung, wenn durch geringe
Gleichspannungen Ladungsträger über die pn-Grenzschichten in die Nachbarzonen injiziert
werden.Coating-free surface electrode for a pn electroluminescent light source
The pn-luminescence, also known as the Lossew effect, is known to be an electroluminescence phenomenon.
It arises in certain semiconductors as recombination radiation, if by low radiation
DC voltages charge carriers are injected into the neighboring zones via the pn boundary layers
will.
Wie auch bei anderen Elektrolumineszenzlichtquellen (z. B. Destriau-Effekt
in Leuchtstoffen) besteht hierbei das Problem, daß mindestens eine Seite der Leuchtschicht
(Vorderseite, dem Betrachter zugewandt) mit einer lichtdurchlässigen Elektrode versehen
werden muß.As with other electroluminescent light sources (e.g. Destriau effect
in phosphors) there is the problem that at least one side of the luminous layer
Provided (front side, facing the viewer) with a translucent electrode
must become.
Es ist bekannt, hierzu die entsprechende Leuchtstoffseite im Hochvakuum
mit einem dünnen Metallbelag zu bedampfen. Selbst wenn dieser Belag so dünn ist,
daß er gerade noch den Strom leitet, hat er den Nachteil, daß er einen erheblichen
Teil des Lichtes durch Reflexion und Absorption am Austritt hindert. Die Lichtausbeute
wird verschlechtert. Das ist gerade bei der geringen Leuchtdichte der Lumineszenzstralung
unerwünscht. Außerdem erfordert dieses Verfahren einen Arbeitsgang im Hochvakuum,
der wegen seiner Empfindlichkeit und Aufwendigkeit gern gemieden wird.It is known to do this on the corresponding phosphor side in a high vacuum
to be vaporized with a thin metal coating. Even if this topping is so thin
the disadvantage that he still conducts the electricity is that he has a considerable amount of electricity
Prevents part of the light from exiting through reflection and absorption. The light output
will worsen. That is precisely with the low luminance of the luminescence radiation
undesirable. In addition, this process requires an operation in a high vacuum,
which is often avoided because of its sensitivity and complexity.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine belagfreie Flächenelektrode
aufzuzeigen, bei der diese Nachteile nicht auftreten. Die Erfindung besteht bei
einer belagfreien Flächenelektrode für eine pn-Elektrolumineszenzlichtquelle darin,
daß sie auf mindestens einer Oberfläche der Leuchtschicht durch Anhäufung von Rekombinationszentren
an dieser Fläche über die ganze Fläche oder bereichsweise derart niederohmiger ausgebildet
ist als die tiefer liegende Schicht, daß eine Kontaktierung am Rande ausreicht,
damit sich eine nahezu homogene Feldverteilung über die Leuchtschicht einstellt.The invention is based on the object of a coating-free surface electrode
to show where these disadvantages do not occur. The invention consists in
a coating-free surface electrode for a pn electroluminescent light source in it,
that they are deposited on at least one surface of the luminescent layer by the accumulation of recombination centers
formed on this surface over the entire surface or in some areas with such a low resistance
is than the deeper layer that contact at the edge is sufficient,
so that an almost homogeneous field distribution is established over the luminous layer.
Zur Kontaktierung reicht beispielsweise ein rahmenförmiger Kontaktierungsbelag
aus, der nur am Rande umläuft. Die Kontaktierung am Rande kann durch Auftragen von
Leitlack oder Leitsilber erfolgen. Diese Art der Kontaktierung, d. h. die Verwendung
eines nur am Rande befindlichen Kontaktierungsbelages in Verbindung mit dem Einbringen
von Störstellen, ist ganz allgemein von Bedeutung.A frame-shaped contact covering is sufficient for contacting, for example
that only runs around the edge. The contact at the edge can be achieved by applying
Conductive lacquer or conductive silver. This type of contact, d. H. the usage
a contact covering located only on the edge in connection with the introduction
of imperfections is of general importance.
Es ist bereits eine Elektrode als Flächenkontakt für ein Selenphotöelement
bekannt, die durch Eindiffundieren von Zinn in eine Glasoberfläche hergestellt wird.
Da das Zinn vor dem Eindiffundieren auf die Glasoberfläche aufgedampft wird, ergibt
sich bei der bekannten Anordnung jedoch keine belagfreie Elektrode, da der Aufdampffilm
auf der gesamten Glasoberfläche verbleibt. Neben der Elektrode auf der Vorderseite
kann auch die rückseitige Flächenelektrode bei einer Anordnung nach der Erfindung
bis auf einen schmalen Rahmen entfallen, wenn in die Vorder- und Rückseite der Leuchtschicht
ein Gradient der Rekombinationszentrendichte eingebaut wird, der auf der Schicht
senkrecht steht und in Richtung der Oberflächen so ansteigt, daß sich niederohmige
Oberflächen ergeben, die Zwischenschicht aber hochohmiger ist. Die gewünschte Dichte
der Rekombinationszentren kann durch nachträgliches Einlegieren oder Eindiffundieren
geeigneter Fremdatome erzielt werden oder durch Umdotieren der Schmelze während
des Kristallziehvorganges bzw. durch Änderung der Partialdrücke während des Kristallwachstums
oder durch (epitaktisches) Aufwachsen einer entsprechend dotierten Schicht.It is already an electrode as a surface contact for a selenium photo element
known, which is produced by diffusing tin into a glass surface.
Since the tin is evaporated onto the glass surface before diffusing, results
In the known arrangement, however, there is no coating-free electrode, since the vapor deposition film
remains on the entire glass surface. Next to the electrode on the front
can also be the rear surface electrode in an arrangement according to the invention
except for a narrow frame, if in the front and back of the luminescent layer
a gradient of the recombination center density is incorporated which is applied to the layer
is perpendicular and increases in the direction of the surfaces so that low resistance
Surfaces result, but the intermediate layer has a higher resistance. The desired density
the recombination centers can be created by subsequent alloying or diffusion
suitable foreign atoms can be achieved or by redoping the melt during
the crystal pulling process or by changing the partial pressures during crystal growth
or by (epitaxial) growth of a correspondingly doped layer.
Sind leuchtende Ziffern, Zeichen usw. gewünscht, so kann man der dotierten
Schicht eine entsprechende Form geben.If you want luminous digits, characters, etc., you can use the endowed
Give the layer an appropriate shape.
Die Kontaktierung am Rand kann durch Auftragen von Leitlack oder Leitsilber
erfolgen.The contact at the edge can be done by applying conductive lacquer or conductive silver
take place.