DE2032630A1 - Differenzverstärker - Google Patents

Description

Pfflr. 4211.

dJo/RV. u. -/ALTHER

Anmc.'wr: Γ V,^i_:L|?S-.rίΠΞ LAJiPcN

/-we: PHF- 4211
Anmeldung vom ι 3Qc Juni 1970

Differenzverstärker.

Die Erfindung betrifft einen DifferensverstSrker ait tv·! Transistorpaaren, wobei die Basiselektroden de« ersten Traneistorpaares ait den Eingangskleaaen und die Emitterelektroden derselben ait den Basiselektroden des «weiten Transistorpaaree -verbunden sind» dessen Emitterelektroden miteinander und über eine Stromquelle alt einer Klemme der Speisequelle und dessen Kollektorelektroden Ober eine Impedans mit der anderen Klemme der Speisequelle verbunden sind» Ober velohe Iapedansen die Ausgangsspannung entnoamen vird·

Bei SifferensverstSrkern mit nur swel Sehiohttransistoren ist die Singangsiapedans normalerweise verhlltnismlssig gering, da sum Ersielen eines hinreiohend hohen Auegangesignals die Buhestromeinstellung der Transistoren hooh sein muss» so dass auoh der Basisstrom der Traneis· toren hooh sein wird· Um einen höheren Verstärkungsfaktor und eine hShere

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Eingangeimpedanz zu erzielen, wird meist eine Kombination von zwei Transistorpaaren verwendet. Dabei enthSlt der Differenzverstärker somit zwei Stufen« die* je einen Eingangs- und einen Auegangetransistor enthalten, die im linearen Virkbereieh eingestellt sind, wobei die Eingangstransistoren lediglich den Baeisstrom der Ausgangetransistoren liefern sollen und der Basiestrom der Eingtsngetransistoren entsprechend niedrig sein kann, wodurch eine höhere Eingangeimpedanz erzielt wird·

Der Erfindung beschäftigt sich mit dem Problem, dass bei eir jc solchen Schaltungsanordnung der Unterschied zwischen dan StromverstSrkungsfaktoren der zwei Ausgangstransistoren eine grosse Rolle spielt, da dieser Unterschied trotz der modernen Herstellungsverfahren 10 bis 20 % betragen kann und ausserdem temperatur- und zeitabhängig ist. Dieser Unterschied Sussert sich in den KollektorstrSluen der Eingangstransistoren. Infolgedessen sind die Baeis-Eaitterapannungen der Eingangstransistoren bei gleichem Kollektovstrom der Ausgangatranaistoren und bei Abwesenheit einea Eingangssignale voneinander verschieden. Dieser Unterschied zwischen den Basie-Emitterspannungen der beiden Eingangstransistoren bestimmt, gemeinsam mit einem etwaigen, geringen Unterschied zwischen den Basis-Emitterspannungen der Ausgangstransistoren, die Unsymmetrie des Differenzverstärker die als die Spannung betrachtet werden soll, die den Eingangsklemmen des Differenzverstärkers zugeführt werden muss, um eine Ausgangsspannung Null zu erzielen. Bei einem Differenzverstärker mit nur zwei Transistoren kommt nur letzterer Beitrag in Frage. Infolge des vorerwthnten, verhaltnismlssig groaatn Unterschiede zwischen den Stromverstlxkungsfaktoren der Ausgangetransistoren ist die Unsymmetrie deo boaohriebenen Zweistufenverstarkers, nachfolgend Darlington Differenzverstärker genannt, um einen Faktor 10 bis 20 grosser als die Unsymmetrie eines

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Differenzverstärker mit nur zwei Transistoren. Der Gewinn an Eingangsimpedanz und Verstärkungsfaktor geht eonit auf Kosten einer höheren Un-Symmetrie.

Die Erfindung bezweckt, diese Unsymmetrie des Darlington Differenzverstärker stark herabzusetzen.

Die Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, dass die Kollektorelektrode jedes der Transistoren des ersten Traneistorpaares über eine Impedanz eit einem Punkt konstanten Potentials verbunden ist und dass die Spannung fiber dieser Impedanz der Basis eines Hüokkoppeltraneistors zugeführt wird, dessen Emitterelektrode mit der des Rückkoppeltransistors der gegenüber liegenden Stufe des Differenzverstärker und über eine Stromquelle mit einer Klemme der Speisequelle verbunden ist, während die Kollektorelektrode jedes dieser HOckkoppeltransistoren in der Weise unmittelbar oder über eine Umkehrstufe mit der Emitterelektrode eines der Transistoren des ersten Transistorepaares verbunden ist, dass die Signalspannung an dem Basis-Emitterübergang der Transistoren des ersten Transistorpaares beträchtlich verringert wird. Die Rückkopplung ist derart, dass die Eingangstransistoren praktisch keinen Signalstrom zu liefern brauchen, welcher Signalstrom hingegen grSsstenteile über die Rückkoppelβtrecke den Ausgangstransistoren zugeführt wird· Infolgedessen steht über dem Basis-Emit terübergang der Eingangstransistoren praktisch keine Signaisspannung» Nahezu das vollständige Signal tritt an dem Baeis-Emitterübergang der Ausgangstransistoren auf, wodurch die KollektorstrSme dieser Transistoren kein· Abweichungen infolge des Stroaversttrkungsfaktorunterschiede dieser Ausgangstransistoren aufweisen.

Die erwünschte Rückkopplung wird daduroh erhalten, dass der Kollektor jedes der Eingangetransistoren über eine Impedanz mit eines

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Punkt konstanten Potentials verbunden und die Spannung über dieser Impedanz der Basis einee zusätzlichen Transistors zugeführt wird. Ale Impedanz wird vorzugsweise wegen der Einfachheit der Integration die Reihenschaltung einer Anzahl von Dioden gewählt werden. Der zusätzliche Transistor kann den gleichen oder den entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp haben wie die Transistoren des Differenzverstärker. Der Emitter dieses Transistors ist mit dem des zusätzlichen Transistors der gegenüber liegen· den Stufe des Differenzverstärkers und fiber eine Stromquelle mit einer der Klemmen der Speisequelle verbunden» welche Klemme je naoh dem Leitfähigkeitstyp des zusätzlichen Transistors gewählt wird. Der Kollektor des zusätzlichen Transistors ist unmittelbar oder über eine Umkehrstufe (inverter) derart mit der Basis eines der Ausgangstransistoren verbunden, dass der Signalstrom mit dem richtigen Vorzeichen diesem Ausgangstransistor zugeführt wird.

Venn z.B. die Transistoren des Differenzverstärkers vom npn-Typ sind, nimmt bei einer positiven Eingangsspannung der Kollektorstrom des betreffenden Eingangstransistors zu. Der Spannungeabfall über die Kollektorimpedanz nimmt dann auch zu» so dass die Basis des zusätzlichen Transistors ein niedrigeres Potential führt. Wenn dieser Transistor des pnp-Type ist, nimmt der Kollektorstrom dieses Traneistore zu. Diese Zunahme des Kollektorstrome des zusätzlichen Transistors hängt selbstverständlich von der GrSsse der Kollektorimpedanz des Eingangstransistors und von der Gleichstromeineteilung dee zusätzlichen Transistors ab. Dieser Kollektorstrom des zusätzlichen Transistors wird zum Emitterstrom dee Eingängetransistors addiert, und die Summe bestimmt den Basisstrom des zugehörenden Ausgangstransistors. Werden sowohl die Kollektorimpedanz des Eingangstransiβtors als auch die Gleichetroaeinstellung des atuoätz-

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tail·

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»ι

lichen Transistors hinreichend gross gewählt, so hat eine geringe Änderung

Il

des Kollektorstrome des Eingangstransistore eine grosse Änderung des KoI-lektorstroms des zusätzlichen Transistors und somit auch eine grosse Änderung des Basisstroms des zugehörenden Auegangstransistors zur Folge. Die Signal Spannung tritt daher größtenteils über dem Basis-Emitterübergang des Ausgangstransistors auf. Naturgeiäss muss bei dieser Schaltungsanordnung» bei der der zusätzliche Transistor in bezug auf die Transistoren des Differenzverstärker den entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps hat und der Kollektor dieses Transistors unmittelbar mit der Basis des zugehSrenden Ausgangstransistore verbunden ist, die Ruhestromeinstellung des zusStaliehen Transistors geringer sein als der Basisgleiohstrom des Ausgangstransistors·

Als zusätzlicher Transistor kann auoh ein npn-Transistor gewählt werden· Bei einer positiven Eingangsspannung nimmt dann der Kollektorstrom dieses Transistors ab. Wird der Kollektor dieses Transistors unmittelbar mit der Basis des zugehörenden Ausgangetransistors verbunden, so Wird der Emitterstrom des Eingängetransistors un den Kollektorstrom des zusätzlichen Transistors verringert. Da letzterer den Signalstrom mit negatives Vorzeichen enthält, enthält der Basisstrom des Ausgangstransistors den Signalstrom wieder mit positiven Vorzeichen. Bei dieeer Anordnung muss der Eingangstransistor zusätzlich den Gleichstrom für den zusätzlichen Transistor liefern. Der Eingangsgleiohstrom ist dann grosser als ia ersten Falle. Ausserdem ist es notwendig, in die Verbindung zwischen den Kollektor des Eingangstransistors und der Basis des zusätzlichen npn-Transistors eine Zenerdiode aufzunehmen, um den erwünschten Potentialunterschied zwisohen diesen Elektroden zu gewährleisten.

In beiden Fällen ist es auoh möglich, den Kollektor des

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zusRtzlichen Transistors nicht mit der Basis dea zugehörenden Ausgangatrnnsistore sondern über eine allgemein bekannte Umkehrstufe (inverter) mit der Basis des Ausgangstransistors der gegenüber liegenden Stufe des Differenzverstärker zu verbinden. Die Wirkungsweise dieser Anordnungen ist im übrigen gleich der der vorerwähnten Schaltungen»

Die Erfindung wird an Hand der Figuren näher erläutert. Es zeigent

Fig. 1 den bekannten Darlington Differ -^sverstirker,

Fig. 2 eine erste Ausführungsform der Schaltungsanordnung nach der Erfindung,

Fig. .3 die Unterdrückung der Fehlerepannungen als Funktion einiger Parameter,

Fig. 4 eine zweite und Fig. 5 eine dritte Ausführungsform der Schaltungsanordnung nach der Erfindulge

Der Differenzverstärker naefe Fig. 1 enthält zwei Stufen mit den Eingangsschishttransistoreä? 1 und 2 «ad den Ausgangsschiehttransistoren 3 und 4. Die Emitterelektrode» der Transistoren 3 und 4 sind miteinander und über eine Stromquelle 21 mit einer Klemme der Speieequelle verbunden, während ihre Kollektorelektroden, die ausaerdem die Ausgangsklemmen u bilden, über Impedanzen R mit der anderen Klemme der Speisequelle verbunden sind, mit weloher Klemme ausserdem die Kollektorelektroden der Transistoren 1 und 2 verbunden sind. Die Eingangsklemmen i werden durch die Basiselektroden der Transistoren 1 und 2 gebildet.

In dem Zustand, in dem die Koliefetorströme der Transistoren 3 und 4 einander gleich sind und die Spannung ewiaofa®» des AuBgnngsklsmmen u Null ist, sind die Basis-Emitterspannungen dieser Transistoren einander nahezu gleich. Wenn der Stromverstärkungsfaktor des Transistors

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3 höher als der dee Traneistors 4 ist, ist der Kollektorstrom des Transistors 1 niedriger als der des Traneistors 2, so dass auch die Basis-Emitter· spannung dee Traneistors 1 kleiner als die dee Transistors 2 ist. Um bei Abwesenheit eines Eingangssignals den beschriebenen Zustand zu erzielen, muss eine zusätzliche Spannung zwischen den Eingangsklemmen« die sogenannte Unsymmetriespannung, angelegt werden, die gleich dem Unterschied zwischen den Basis-Emitterspannungen ist·

In dem Zustand, in dem kein Signal dem Eingang zugeführt wird (Klemmen i durchverbunden), sind die Ströme der Transistoren 3» 4 und 1, 2 ungleich und zwar in dem Masse, ale in diesem Beispiel der Kollektorstrom des Transistors 3 höher ist als der des Transistors 4» während der Kollektorstrom des Transistors 1 niedriger ist als der des Transistors 2* Im Verhältnis sind die Abweichungen einander gleich mit entgegengesetzten Vorzeichen und auch gleich der HSIfte der relativen Abweichung der Stromverefcärkungsfaktoren. Diese Eigenschaften der Schaltungsanordnung sind auf die Bedingung zurückzuführen, dass bei Abwesenheit jedes Eingangseignale die Unterschiede zwischen den Basis-Emitterspannungen der Transistoren 3t 4 bzw. 1, 2 in absolutem Masse einander gleich mit entgegengesetzten Vorseichen sein müssen. .

Der Differenzverstärker nach Fig» 2 enthält drei Transistorpaare dee gleichen Leitfähigkeitstyps d.h. die Eingangstransistoren und 2, die Ausgangstransistoren 3 und 4 und die zusätzlichen Transistoren 5 und 6. Die Eingangsspannung wird zwischen den Basiselektroden der Eingangstransistoren 1 und 2 zugeführt und der Emitter dee Transistors 1 bzw. 2 ist mit der Basis dee Ausgangstransistors 3 bzw. 4 und mit dem Kollektor des zusätzlichen Transistors 5 bzw. 6 verbunden. Der Kollektor jedes der Eingangstraneistoren 1 und 2 ist über eine Anzahl von Dioden

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in der Durchlassrichtung mit einer Klemme der Speisequelle und über eine in der Sperrichtung geschaltete Zenerdiode mit der Basis des zusätzlichen Transistors 5» 6 verbunden· Dabei dienen die Zenerdioden lediglich dazu, den erforderlichen Potentialunterschied zwischen dem Kollektor des betreffenden Eingangstransistors und der Basis de· zugehBrenden Rückkoppeln traneistore zu gewährleisten, wobei noch bemerkt werden soll, dass die Zenerdioden ohne weiteres durch die Reiheneohaltung einer Anzahl von Dioden ersetzt werden können.

Zur Erläuterung der Wirkungsweise der Schaltungsanordnung wird nachstehend der Ausgangsstrom errechnet.

Es sei angenommen, dass die Ruhestromeinstellung der Aus» gangstransistoren I und die der zusätzlichen Transistoren Io ist. Der

StromverstSrkungsfaktor der Ausgangetransistoren 3 bzw. 4 wird gleich

ß P

fcsv· angenommen, wobei β der erwünschte StromverstXrkungs-

faktor u. d 6 ein°9rsaohe der Abweichung abhängiger Faktor ist. Der Stroaverstärkungsfaktor der zusätzlichen Transistoren 5 bzw» 6 seil ' bzw.

¹ -,wobei η β der erwünschte Wert und £ ein von Ursache der Abweichung abhSngiger Faktor ist. Bei Integration werden Transistoren mit gleichen

StromverstXrkungsfaktoren bevorzugt, so dass dann η - 1 ist. Der Basis

kT der Eingangs transistoren 1 bzw. 2 wird eine Eingangs spannung von +Δ —

kT
bzw. -Δ—- zugeführt. Die Anzahl von Dioden im Kollektorkreis jedes der

Eingangstransistoren sei p.

Da die Eingangsspannung symmetrisch angelegt ist, wird der Kollektorstrom des Transistors 3 durch I(1 + x) und der des Transistors durch I(1 - x) angegeben. Die Basis-Emitterspannung de· Transistor· 3

kT
wird somit um x— erhöht, und da zwischen der Basis de· Transistors 1

kT · und dem Emitter des Transistors 3 die Signal spannung +Δ-— vorhanden

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sein muss, wird die Basis-Emitterspannung des Transistors 1 um (Δ - x) »=· erhöht. Der Basisetrom des Transistors 3 ist gleich £•(1 + x) (i -£) * S"(1 + x -<S) und der Emitterstrom des Transistors 1 ist gleich ("s + Io) (1 + Δ - χ), was gleich der Summe dee Basisstroms des Transistors 3 und des Kollektorstroms des Rückkoppeltransistors 5 sein muss, der auf Io(i - y) gestellt wird. Als erste Gleichung findet man

SOBiti

(|+. Io) (1 +A- χ.) - |(1 + χ -5) + Iod - y) (D

Die Basisspannung des Transistors 5 wird durch den Spannungeabfall über die Dioden im Kollektorkreis des Transistors 1 bestimmt· Der diese Dioden durchmessende Strom ist gleich der Summe des Kollektorstrom· des Transistors 1 und des Basisstroms des Transistors 5. Die rela-

tive Änderung dieses Stroms durch die Dioden vervielfacht durch die Anzahl von Dioden ergibt die absolute Spannungsänderung über diesen Dioden,

kT
die gleich y —, der Basis β pannungs änderung des Transistors 5 sein muss»

Als zweit· Gleichung findet man also:

Die Kombination der Gleichungen (i) und (2) ergibt den nachfolgenden Aus druck für xt

χ - Δ

8 + ^{1 11 | |}

nft 8 + 1

- P ■-. ^p «it · -

■ . s + ι np

FOr ·1η·η nicht *u grose gewühlten Wert von p, einen niedrig gewthlten Vtr* für ■ und einen hohen Stromverettrkungefaktor β kann dafür gesohrie

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ben werden»

Γ « + sljU. j Ί

* - ^Δ<¹- nß · + 1 ί ♦ ί S - Γ ρ

[ ρ + 2β + 1 | ρ + 2s + 1 ' nß(s ♦ 1)(ρ + 2β+ 1)

Durch passende Wahl der Veränderlichen a, ρ, η und ß kann erreicht werden, dass der Fehlerspannungen Einfluss der Unsymmetrie- Faktoren £und £ stark unterdrückt werden« In diesem Falle ist χ praktisch gleich Δ · Nahezu die ganze Signalspannung tritt somit über dem Basis-Emit terübergang des Ausgangstransistors auf· Der Eingangsglelchström hat zugenommen, da der Eingangstransistor auch den Ruhesirom für den Rückkoppeltransistor liefern muss. Der Eingangsdifferentialwiderstand ist jedoch auch höher, da der Eingangstransistor praktisch keinen Signalstrom zu liefern braucht·

In Fig. 3 ist für zwei Werte von s die Beziehung zwischen χ und den Faktoren S und 6 als Funktion einer Anzahl von Dioden im Kollektorkreis der Eingangstraneistoren angegeben, wobei angenommen wird, dass alle Transistoren einen Wert ß - 200 aufweisen. Auseerdem ist in Fig. 3A einen Wert Δ -0 und£> 0 angenommen und in Fig· 3ΒΔ- 0 und 5- 0. Aus den Kennlinien ergibt sich, dass die Unterdrückung des Fehlerepannungen Einfluss dar Unsyemetrie-Faktoren bei einar beschränkten Anzahl von Dioden sohon sehr gut ist·

Fig. 4 zeigt einen Differenzverstärker, bei dam dia Transistoren 1, 2, 3 und 4 von npn-Typ und dia Rückkoppeltransistoren 5 und 6 von pnp-Typ sind. Die Emitter dieser Transistoren aind in dieses Falle über eine Stromquelle alt der Pluakleaaa dar Spaisequelle verbunden. Der Kollaktor daa Transistors 5 1·* wiadar alt dar Basis des Traneistor· 3 und dar Kollaktor de· Transistors 6 alt dar Basis da· Tr«mai»tor· 4 varbunden. Dar Kollaktor da· Eingangatransistors 1 biw. 2 ist wiadar alt dar BmI* des Transistors 5 bzw. 6 verbunden, wobal Jedooh keine Zenerdiode

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erforderlich ist. Der Emitterstrom der Eingangstransistören 1 und 2 vird dabei um den Kollektorstrom der Transistoren 5 und 6 erhöht» Ferner ist* die Wirkungsweise dieser Schaltung praktisch gleich der nach Fig· 2. Die Bedingungen zum Erzielen einer guten Unterdrückung der Fehlerspannung sind jedoch verschieden. Aus der Figur zeigt sich, dass die Ruhestroiaeinstellung des Rückkoppeltransistors geringer sein muss als der Basisgleichstrom der Ausgangstransistoren, also s. >1. Der Eingangsgleichstron des Differenzverstärker ist geringer als bei der Schaltung nach Fig. 2', da die Transistoren 5 und 6 einen Teil des Basisgleichstroms der Ausgangstransistoren liefern» Die Eingangeimpedanz der Schaltung nach Fig» 4 kann somit höher sein ale die der Schaltung nach Fig» 2, wobei diese Inpedena jedoch noch -von dem Wert von s abhangig ist» Die Schaltung nach Fig. 4 hat den Nachteil, dass die Einstellung des Ruhestroms der Rttokkoppeltransistoren 5 und 6 kritischer ist als bei der Schaltung nach Fig· 2 und dass die grösstmögliche.Unterdrückung der Fahlerspannungen geringer ist.

fig· 5 zeigt einen Differenzvera »u.,-t?s_s bei dem die Transistoren 5 und 6 auch von pnp-Typs sind« bei dem aber die Kollektorelektroderi nicht unmittelbar mit den Basiselektroden der Ausgangstransistoren 3 und 4 verbunden sind} der Kollektor von 5 ist über eine an sich bekannte Umkehrstufe mit der Basis des Transistors 4 und der Kollektor des Transiß«

tors 6 über eine gleiche Umkehrstufe mit der Basis des Transistors 3 ver-■

• . i bunden. Die Umkehrstufe beeinflusst nicht den Stromwert, aber kehrt die j

Stroarichtuhg um. Ale Umkehrstufe ist z.B. die durch die Blöcke I. und I₉ angegebene Schaltung anwendbar. Diese Schaltung enthalt drei Transiatoren des gleichen LeitfShigkeitstype, wobei die Kollektor-Emitter- '' strecken des ersten und des zweiten Transistors von dem gleichen Strom durchflossen werden. Der zweite Transietor ist als Diode geschaltet und

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seine Basis ist mit der des dritten Transistors verbunden. Die Emitter des zweiten und des dritten Transistors sind mit einer der Speiseklemmen verbunden_t während der Kollektor des dritten Transistors mit der Basis des ersten verbunden ist. Die Eingangs- bzw. Ausgangsklemme wird durch den Kollektor de« dritten bzw. des ersten Transistors gebildet. Ein Strom durch den Kollektor des dritten Transistors wird in dem Kollektorstrom des ersten Transistors reproduziert. In dieser Anordnung nach Fig* 5 iet die Wirkungsweise wieder genau gleich der nach Fig» 2.

Es ist selbstverständlich auch möglich, bei der Schaltung nach Fig· 2 den Kollektor jedes der zusätzlichen Traneistoren mittels einer Umkehrstufe mit der Basis des Ausgangstransistors der gegenüberliegenden Stufe des Differenzverstärker zu verbinden. Die Dioden in den Kollektorkreisen der Eingangetransistoren können ohne weiteres durch Widerstände ersetzt werden, ohne dass die Wirkungsweise der Schaltung in irgendeiner Weise geändert wird· Bei Integrierung ist ee jedoch nützlich, Dioden zu verwenden·

Es ist auch möglich, in den Kollektorkreisen der Eingangs-

φ transistoren statt Dioden Widerständen zu verwenden, die nicht mit einer Klemme der Speisequelle sondern nit einem Abgriff des Ausgangewiderstands in der gegenüber liegenden Stufe des Differenzverstärker verbunden werden Durch passende Wahl eines richtigen Verhältnisses zwischen dem Kollektorwiderstand der Eingangstransistoren und dem Widerstand zwischen dem Abgriff des Auegangewiderstand· und der Speisequelle kann sichergestellt werden, dass praktisch nur ein dem Stromverstärkungsfaktorunterschied der Ausgangstransistoren proportionales Signal und nicht eine Signalspannung rückgekoppelt wird·

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Claims (1)

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   P A I E M Ϊ A H S P H U C H Ei

   Differenzverstärker mit zwei Transistorpaaren, wobei die Basiselektroden des ersten Paares mit den Eingangsklemmen verbunden sind, während dessen Emitterelektroden mit den Basiselektroden des zweiten Transistorpaares verbunden sind, dessen Emitterelektroden miteinander und über eine Stromquelle mit einer Klemme der Speisequelle verbunden sind und dessen Kollektorelektroden über Impedanzen mit der anderen Klemme der Speisequelle verbunden sind, Ober welche Impedanzen die Ausgangsspannung entnommen wird, dadurch gekennzeichnet, dass die Kollektorelektrode jedes der Transistoren des ersten Transistorpaares über eine Impedanz (P) mit einem Punkt konstanten Potentials verbunden ist, dass die Spannung über dieser Impedanz der Basis eines Rückkoppeltransistors (5 bzw» 6) zugeführt wird, dessen Emitterelektrode mit der des RttckkoppeltransistorB(6 bzw. 5) der gegenüber liegenden Stufe des DifferenzverstSrkers und über eine Stromquelle (2Jb) mit einer Klemme der Speisequelle verbunden ist, und dass die Kollektorelektrode jedes dieser Rückkoppeltransistoren (5i6) unmittelbar oder über eine Umkehrstufe mit der Emitterelektrode eines der Transistoren (1,2) des ersten Transistorpaares verbunden ist, derart, dass die Signalspannung über dem Basie-Eaitterübergang der Transistoren des ersten Transistorpaares (1,2) erheblieh herabgesetzt wird» 2· Differenzverstärker nach Anspruch 1 dadurch gekennzeichnet, dass alle Transistoren (1...6) von gleichen Leitfähigkeitstype sind und dass der Kollektor jedes der Rückkoppeltraneistoren (5 bzw· 6) unmittelbar mit dem Emitter desjenigen Eingangstranaiβtor· (1 bzw, 2) verbunden ist, mit dessen Kollektor seine Basis verbunden ist.(Fig.2) 3. Differeniverstlrker nach Anspruch 1 dadurch gekennzeichnet, dass die Rflokkoppeltransistoren (5 bzw. 6) den entgegengesetzten Leit-

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   fShigkeitstyps haben wie die Transistoren der sw©i Transistorpaare (I...4) und dass der Kollektor jedes der Rßckkoppeltransistoren (5 bzw.6) über eine Umkehrstufe (inverter) (I₁ bzw. I₂) mit dem Emitter des Eingangetransistors (2 bzw. 1) der gegenüber liegenden Stufe des Differenzverstärker verbunden ist. (Fig· 5)

   4» Differenzverstärker n&oh Anspruch i dadurch gekennzeichnet ^ dass die ROckkoppeltransistoren (5 bzw» 6) &@n entgegengesetzten LeitfShigkeitstyp haben wie die Transistoren der zwei Transistorpaare (1...4) und dass der Kollektor jedes der filckkoppeltransi8to.r«n (5 bgw_o 6} unmitisibar mit dem Emitter desjenigen Eingangstransistors (t bsw_o 2) verbunden ist, mit dessen Kollektor seine Basis verbunden ist» (Fig„ 4) 5· ■ Differenzverstärker aaoh Anspruch 1 dadurch gekennzeichnet! dass alle Transistoren den gleichen LeitfShigkeitstyp haben und dass der Kollektor jedes der Rückkoppsltransisto^Qa (5 bs%?_e G) über eine Umkehrstufe mit dem Emitter des Eingasgstrsmsist©» in d©r gegenüber liegenden Stufe des Differenzverstärker ^esfe'oiiden ist₀ 6· Differenzverstirker nach @1e@b der vorhergehenden Ansprüche dadurch gekennzeichnet, dass er in Fora einer integrierten Schaltung ausgebildet ist·

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