DE202010011443U1 - Beleuchtungsmodul mit guter Farbwiedergabeeigenschaft - Google Patents
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- 238000009877 rendering Methods 0.000 title claims abstract description 24
- 238000005286 illumination Methods 0.000 title claims description 9
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 35
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 31
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 claims 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000012858 packaging process Methods 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
Beleuchtungsmodul mit der Eigenschaft einer hohen Farbwiedergabe umfassend:
ein Substrat,
eine Mehrzahl von ersten Leuchtdiodenchips, die auf dem Substrat angeordnet und leitend mit dem Substrat verbunden sind;
eine Mehrzahl von zweiten Leuchtdiodenchips, die auf dem Substrat angeordnet und leitend mit dem Substrat verbunden sind und
eine Wellenlängenwandlungsschicht, welche die ersten Leuchtdiodenchips und die zweiten Leuchtdiodenchips abdichtet bzw. verpackt;
wobei die ersten Leuchtdiodenchips und die zweiten Leuchtdiodenchips in einem Zahlenverhältnis von 2:1 angeordnet sind, das von den ersten Leuchtdiodenchips und den zweiten Leuchtdiodenchips abgestrahlte Licht mit Licht vermischt wird, das von der Wellenlängenwandlungsschicht abgestrahlt wird, nachdem die Wellenlängenwandlungsschicht durch die Leuchtdiodenchips angeregt wird, um ein warmes Weißlicht mit der Eigenschaft einer hohen Farbwiedergabe auszubilden.
ein Substrat,
eine Mehrzahl von ersten Leuchtdiodenchips, die auf dem Substrat angeordnet und leitend mit dem Substrat verbunden sind;
eine Mehrzahl von zweiten Leuchtdiodenchips, die auf dem Substrat angeordnet und leitend mit dem Substrat verbunden sind und
eine Wellenlängenwandlungsschicht, welche die ersten Leuchtdiodenchips und die zweiten Leuchtdiodenchips abdichtet bzw. verpackt;
wobei die ersten Leuchtdiodenchips und die zweiten Leuchtdiodenchips in einem Zahlenverhältnis von 2:1 angeordnet sind, das von den ersten Leuchtdiodenchips und den zweiten Leuchtdiodenchips abgestrahlte Licht mit Licht vermischt wird, das von der Wellenlängenwandlungsschicht abgestrahlt wird, nachdem die Wellenlängenwandlungsschicht durch die Leuchtdiodenchips angeregt wird, um ein warmes Weißlicht mit der Eigenschaft einer hohen Farbwiedergabe auszubilden.
Description
- Hintergrund der Erfindung
- Gebiet der Erfindung
- Die vorliegende Erfindung betrifft ein Beleuchtungsmodul und betrifft insbesondere ein Beleuchtungsmodul, das als Lichtquelle Leuchtdioden (LED) verwendet, mit der Eigenschaft einer guten Farbwiedergabe-Kennzahl.
- Beschreibung des Standes der Technik
- Eine Leuchtdiode (LED) ist eine Art von Halbleitereinrichtung, welche die Eigenschaft eines Halbleitermaterials mit direkter Bandlücke ausnutzt, um elektrische Energie mit hohem Wirkungsgrad in Lichtenergie umzuwandeln, und hat den Vorteil einer langen Lebensdauer, einer hohen Stabilität und eines geringen Stromverbrauchs. Eine LED wird vorwiegend für Anwendungen bei Markierungslampen, Verkehrsschildern und im weiteren Sinne bei Schildern im frühen Stadium eingesetzt und die Anwendungen erstrecken sich nun auf das Gebiet der Beleuchtung, weil Weißlicht-LEDs erfolgreich entwickelt worden sind.
- Die herkömmliche Weißlicht-LED besteht aus einem Blaulicht-LED-Chip und gelbem Phosphor, wobei die Blaulicht-Komponente einen überwiegenden Teil des Weißlichtspektrums einnimmt. Die Farbtemperatur ist hoch (etwa 6000 K). Die Rotlicht-Komponente bei diesem Weißlicht ist nicht ausreichend und die Farbwiedergabeeigenschaft der Weißlicht-LED ist schlecht. Außerdem neigt ein Epoxidharz während der Ausgabe des Epoxidharzes dazu, über die Seitenwand des Substrats hinaus zu fließen, sodass die Gleichmäßigkeit des gemischten Lichts beeinträchtigt wird.
- Um das Problem einer schlechten Farbwiedergabeeigenschaft der Weißlicht-LED zu lösen, werden roter Phosphor oder grüner Phosphor in dem Verpackungsprozess der Weißlicht-LED hinzugefügt, um so die Farbtemperatur zu reduzieren und die Farbwiedergabeeigenschaft zu verbessern. Es ist jedoch schwierig, die Gleichmäßigkeit des Phosphors zu kontrollieren und somit ist die Eigenschaft der so ausgebildeten Weißlicht-LED noch nicht ideal.
- Außerdem ist eine Rotlicht-LED innerhalb einer zweiten Linse gemeinsam mit der Weißlicht-LED angeordnet, um so ein Weißlicht-Beleuchtungsmodul mittels einer Sekundäroptik zu erzielen. Bei der tatsächlichen Anwendung emittiert das Weißlicht-Beleuchtungsmodul nicht nur warmes Licht sondern auch rotes Licht, welches das menschliche Auge ohne weiteres wahrnehmen kann.
- Außerdem wird sich die zweite Linse aufgrund von externen Kräften sehr wahrscheinlich ablösen; folglich kann die zweite Linse den LED-Chip nicht schützen. Wenn das Weißlicht-Beleuchtungsmodul über einen langen Zeitraum verwendet wird, führt die von der LED erzeugte Wärme zu einer Wärmeausdehnung und dies wird dazu führen, dass die zweite Linse sich ablöst, was so die Beleuchtungsintensität des Beleuchtungsmoduls reduziert.
- Zusammenfassung der Erfindung
- Folglich ist die vorliegende Erfindung auf ein Beleuchtungsmodul mit der Eigenschaft einer hohen Farbwiedergabe gerichtet, insbesondere auf ein Beleuchtungsmodul, das warmes Weißlicht abstrahlen kann.
- Diese Aufgabe wird gelöst durch ein Beleuchtungsmodul nach Anspruch 1. Weitere vorteilhafte Ausführungsformen sind Gegenstand der abhängigen Ansprüche.
- Deshalb stellt die vorliegende Erfindung ein Beleuchtungsmodul mit der Eigenschaft einer hohen Farbwiedergabe bereit. Das Beleuchtungsmodul umfasst ein Substrat, eine Mehrzahl von ersten Leuchtdiodenchips, eine Mehrzahl von zweiten Leuchtdiodenchips und eine Wellenlängenwandlungsschicht. Die ersten Leuchtdiodenchips sind auf dem Substrat angeordnet und leitend mit dem Substrat verbunden. Die zweiten Leuchtdiodenchips sind auf dem Substrat angeordnet und leitend mit dem Substrat und den ersten Leuchtdiodenchips verbunden. Die Wellenlängenwandlungsschicht dichtet die ersten Leuchtdiodenchips und die zweiten Leuchtdiodenchips ab.
- Insbesondere sind die ersten Leuchtdiodenchips und die zweiten Leuchtdiodenchips in einem Zahlenverhältnis von 2:1 angeordnet, wobei das von den ersten Leuchtdiodenchips abgestrahlte Licht und das von den zweiten Leuchtdiodenchips abgestrahlte Licht mit Licht vermischt wird, das von der Wellenlängenwandlungsschicht abgestrahlt wird, nachdem die Wellenlängenwandlungsschicht durch die Leuchtdiodenchips angeregt wird, um warmes Weißlicht mit der Eigenschaft einer hohen Farbwiedergabe zu erzeugen.
- Das Beleuchtungsmodul mit der Eigenschaft einer hohen Farbwiedergabe gemäß der vorliegenden Erfindung vermischt das Licht der Leuchtdiodenchips mit verschiedenen Farben und die Wellenlängenwandlungsschicht sorgt für eine Lichtquelle mit einer niedrigen Farbtemperatur und der Eigenschaft einer guten Farbwiedergabe. Das erfindungsgemäße Beleuchtungsmodul bietet einen einfachen Herstellungsprozess und im Vergleich zu einem herkömmlichen Beleuchtungsmodul geringe Kosten.
- Kurze Beschreibung der Zeichnungen
- Die Merkmale der Erfindung, von denen davon ausgegangen wird, dass diese neu sind, werden insbesondere in den beigefügten Schutzansprüchen dargelegt. Die Erfindung ihrerseits kann jedoch am besten durch Bezugnahme auf die nachfolgende ausführliche Beschreibung der Erfindung verstanden werden, welche ein Ausführungsbeispiel gemäß der Erfindung im Zusammenhang mit den beigefügten Zeichnungen beschreibt, worin:
-
1 eine Draufsicht auf das Beleuchtungsmodul gemäß der vorliegenden Erfindung mit der Eigenschaft einer hohen Farbwiedergabe ist; -
2 eine Schnittansicht des erfindungsgemäßen Beleuchtungsmoduls mit der Eigenschaft einer hohen Farbwiedergabe ist; -
3 eine vergrößerte Teilansicht der in der2 gezeigten Grabenstruktur ist; und -
4 eine weitere Draufsicht auf das erfindungsgemäße Beleuchtungsmodul mit der Eigenschaft einer hohen Farbwiedergabe ist. - Ausführliche Beschreibung der Erfindung
- Die vorliegende Erfindung wird nachfolgend ausführlich anhand der beigefügten Zeichnungen beschrieben. Es sei darauf hingewiesen, dass gleiche Elemente mit denselben Bezugszeichen in der gesamten Offenbarung bezeichnet sind.
- Die
1 und die2 zeigen eine Draufsicht und eine Schnittansicht des erfindungsgemäßen Beleuchtungsmoduls mit der Eigenschaft einer hohen Farbwiedergabe. Das Beleuchtungsmodul umfasst ein Substrat10 , eine Mehrzahl von ersten Leuchtdiodenchips20 , eine Mehrzahl von zweiten Leuchtdiodenchips30 und eine Wellenlängenwandlungsschicht40 . - Das Substrat
10 umfasst außerdem eine Grabenstruktur12 . Die Grabenstruktur12 ist vorgesehen, um eine Insel14 einzuschließen. Bei diesem Ausführungsbeispiel ist die Grabenstruktur12 kreisförmig auf dem Substrat10 ausgebildet. Die Grabenstruktur12 wird durch einen Ätzprozess, einen galvanischen Abscheidungsprozess oder durch einen spanabhebenden Prozess bereitgestellt. Die Stärke des Substrats10 liegt zwischen 0,1 mm und 0,5 mm und die Tiefe der Grabenstruktur12 zwischen 0,03 mm und 0,1 mm. Die3 ist eine vergrößerte Teilansicht der in der2 gezeigten Grabenstruktur. Eine innere Seitenwand122 der Grabenstruktur12 und die Oberseite102 des Substrats10 schließen einen Neigungswinkel θ ein und der Neigungswinkel θ beträgt etwa 90 Grad. - Bezugnehmend auf die
1 und2 erstreckt sich der elektrische Verbinder16 durch das Substrat10 hindurch und ist auf der Insel14 vorgesehen. Der elektrische Verbinder16 wird durch einen Isolationsschicht18 abgedeckt bzw. verpackt, sodass der elektrische Verbinder16 elektrisch mit bzw. gegen das Substrat10 isoliert ist. Die ersten Leuchtdiodenchips20 sind auf der Insel14 angeordnet und leitend mit dem Substrat10 (nicht gezeigt) verbunden. Insbesondere liegt die spektrale Emission von jedem ersten Leuchtdiodenchip20 in dem Wellenlängenbereich von 455 nm bis 465 nm, was der Wellenlänge von blauem Licht entspricht. - Die zweiten Leuchtdiodenchips
30 sind auf der Insel14 vorgesehen. Die zweiten Leuchtdiodenchips20 sind leitend mit dem Substrat10 und der ersten Leuchtdiode20 (nicht gezeigt) verbunden. Die spektrale Emission von jedem zweiten Leuchtdiodenchip30 liegt in dem Wellenlängenbereich von 620 nm bis 625 nm, was der Wellenlänge von rotem Licht entspricht. - Das Zahlenverhältnis der ersten Leuchtdiodenchips
20 relativ zu den zweiten Leuchtdiodenchips30 beträgt 2:1. Somit kann das Beleuchtungsmodul eine bessere Farbwiedergabeeigenschaft bereitstellen, wobei die Farbwiedergabe-Kennzahl zumindest 90 beträgt. - Außerdem sind die ersten Leuchtdiodenchips und die zweiten Leuchtdiodenchips
30 auf dem Substrat10 axialsymmetrisch angeordnet. Die zweiten Leuchtdiodenchips30 sind auf die Mitte der Insel14 zentriert. Die ersten Leuchtdiodenchips20 umgeben die zweiten Leuchtdiodenchips30 . Insbesondere ist die Anordnung zwischen jedem zweiten Leuchtdiodenchip30 konzentrierter als bei der Anordnung zwischen jedem ersten Leuchtdiodenchip20 . Die Anordnung ermöglicht eine gute Vermischung des Lichts, das von den ersten Leuchtdiodenchips und den zweiten Leuchtdiodenchips30 abgestrahlt wird, und verbessert die Gleichförmigkeit des Lichts, das das Beleuchtungsmodul abstrahlt. - Die Wellenlängenwandlungsschicht
40 umfasst fotolumineszierenden Phosphor, der blaues Licht, das von den ersten Leuchtdiodenchips20 abgestrahlt wird, in Licht wandelt, das eine längere Wellenlänge aufweist. Die Wellenlängenwandlungsschicht40 ist auf dem Substrat10 punktförmig dargestellt, sodass die Wellenlängenwandlungsschicht40 die ersten Leuchtdiodenchips20 und die zweiten Leuchtdiodenchips30 bedeckt. Die Wellenlängenwandlungsschicht40 bildet eine sphärisch konvexe Emissionsoberfläche aus. Der Bereich bzw. die Fläche, die von der Wellenlängenwandlungsschicht40 bedeckt wird, ist kleiner als diejenige der Grabenstruktur12 . Außerdem bedeckt die Wellenlängenwandlungsschicht40 die Insel14 . Eine Oberflächenspannungskraft der Wellenlängenwandlungsschicht40 kann verhindern, dass die Wellenlängenwandlungsschicht40 aus der Insel14 und aus der Grabenstruktur12 herausfließt. Deshalb kann die Wellenlängenwandlungssicht40 auf der Oberfläche der Insel14 zurückgehalten werden und kann diese die Leuchtdiodenchips20 und30 bedecken. Das Problem eines ungleichmäßigen Lichts, das durch eine unvollständige Bedeckung der Leuchtdiodenchips20 und30 hervorgerufen wird, kann durch die Wellenlängenwandlungsschicht40 beseitigt werden. Bei der Wellenlängenwandlungsschicht40 kann es sich um eine transparente Oberfläche oder eine transluzierende bzw. durchscheinende Oberfläche handeln. - Weil die Wellenlängenwandlungsschicht
40 durch die Insel14 beschränkt ist, kann die Wellenlängenwandlungsschicht40 außerdem die erste Leuchtdiode20 und die zweite Leuchtdiode30 vollständig bedecken. Sämtliches von den Leuchtdiodenchips20 ,30 abgestrahlte Licht durchquert die Wellenlängenwandlungsschicht40 , sodass das Problem einer Ungleichmäßigkeit des von der Leuchtdiode abgestrahlten Lichts reduziert ist. Der Diffusionswinkel der sphärisch konvexen Abstrahlungsoberfläche, die von dem Licht durchquert wird, liegt zwischen 160 und 170 Grad, was den Wirkungsgrad einer Lichtauskopplung stark erhöht. - Bei einer tatsächlichen Beleuchtungsanwendung wird Weißlicht durch Vermischen des blauen Lichts mit dem Licht erzeugt, das von der Wellenlängenwandlungsschicht
40 abgestrahlt wird, wenn diese von den ersten Leuchtdiodenchips20 angeregt wird. Die zweiten Leuchtdiodenchips30 können die Wellenlängenwandlungsschicht40 nicht anregen, jedoch kann sich das von den zweiten Leuchtdiodenchips30 abgestrahlte rote Licht mit dem Weißlicht vermischen, um ein Weißlicht mit einer niedrigeren Farbtemperatur zu erzeugen. - Die Oberfläche der Insel
14 kann durch Sandstrahlen behandelt werden, um eine ungleichmäßige bzw. raue Oberfläche auszubilden, um die Adhäsionskraft der Wellenlängenwandlungsschicht40 zu erhöhen. Außerdem weist die Insel14 Zeichen oder ein Symbol auf, die bzw. das durch Ätzen, einen galvanischen Abscheidungsprozess oder durch einen spanabhebenden Prozess hergestellt werden. - Es wird nun Bezug genommen auf die
4 , bei der es sich um eine Draufsicht auf ein erfindungsgemäßes Beleuchtungsmodul mit der Eigenschaft einer hohen Farbwiedergabe handelt. Die Grabenstruktur12 hat eine elliptische Form oder eine Doppelring-Form und wird durch Erodieren, Ätzen oder durch einen spanabhebenden Prozess ausgebildet um zu verhindern, dass die Wellenlängenwandlungsschicht40 in einem Verpackungsprozess daraus ausläuft. - Zusammenfassend vermischt das erfindungsgemäße Beleuchtungsmodul mit der Eigenschaft einer hohen Farbwiedergabe das Licht der Leuchtdiodenchips mit unterschiedlicher Farbe und die Wellenlängenwandlungsschicht stellt eine Lichtquelle mit einer niedrigen Farbtemperatur und der Eigenschaft einer hohen Farbwiedergabe bereit. Die Beleuchtungseinrichtung mit der Eigenschaft einer hohen Farbwiedergabe gemäß der vorliegenden Erfindung bietet einen einfachen Herstellungsprozess und niedrige Kosten im Vergleich zu einem Beleuchtungsmodul mit Phosphor von verschiedenen Farben oder im Vergleich zu dem Beleuchtungsmodul, welches das Licht mittels einer zweiten optischen Linse modifiziert. Die Grabenstruktur, die auf dem Substrat angeordnet ist, kann das Problem eines Herauslaufens der Wellenlängenwandlungsschicht wirkungsvoll lösen.
- Wenngleich die vorliegende Erfindung anhand der vorgenannten bevorzugten Ausführungsbeispiele beschrieben worden ist, sei darauf hingewiesen, dass die Erfindung im Detail nicht darauf beschränkt ist. Zahlreiche äquivalente Abwandlungen und Modifikationen werden dem Fachmann auf diesem Gebiet im Hinblick auf die technische Lehre der vorliegenden Erfindung ersichtlich sein. Somit sollen sämtliche Abwandlungen und äquivalente Modifikationen von dem Schutzbereich der Erfindung, wie dieser in den beigefügten Schutzansprüchen festgelegt ist, mit abgedeckt sein.
Claims (9)
- Beleuchtungsmodul mit der Eigenschaft einer hohen Farbwiedergabe umfassend: ein Substrat, eine Mehrzahl von ersten Leuchtdiodenchips, die auf dem Substrat angeordnet und leitend mit dem Substrat verbunden sind; eine Mehrzahl von zweiten Leuchtdiodenchips, die auf dem Substrat angeordnet und leitend mit dem Substrat verbunden sind und eine Wellenlängenwandlungsschicht, welche die ersten Leuchtdiodenchips und die zweiten Leuchtdiodenchips abdichtet bzw. verpackt; wobei die ersten Leuchtdiodenchips und die zweiten Leuchtdiodenchips in einem Zahlenverhältnis von 2:1 angeordnet sind, das von den ersten Leuchtdiodenchips und den zweiten Leuchtdiodenchips abgestrahlte Licht mit Licht vermischt wird, das von der Wellenlängenwandlungsschicht abgestrahlt wird, nachdem die Wellenlängenwandlungsschicht durch die Leuchtdiodenchips angeregt wird, um ein warmes Weißlicht mit der Eigenschaft einer hohen Farbwiedergabe auszubilden.
- Beleuchtungsmodul nach Anspruch 1, weiterhin umfassend eine Grabenstruktur, die auf dem Substrat angeordnet ist, wobei eine innere Seitenwand der Grabenstruktur in Bezug zu einer Oberseite des Substrats einen Neigungswinkel einschließt.
- Beleuchtungsmodul nach Anspruch 1 oder 2, wobei der Bereich bzw. die Fläche der Wellenlängenwandlungsschicht kleiner als diejenige der Grabstruktur.
- Beleuchtungsmodul nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die ersten Leuchtdiodenchips und die zweiten Leuchtdiodenchips auf dem Substrat axialsymmetrisch angeordnet sind.
- Beleuchtungsmodul nach Anspruch 4, wobei die ersten Leuchtdiodenchips um die zweiten Leuchtdiodenchips herum angeordnet sind.
- Beleuchtungsmodul nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Wellenlängenwandlungsschicht die ersten Leuchtdiodenchips und die zweiten Leuchtdiodenchips abdichtet bzw. verpackt und eine sphärisch-konvexe Emissionsoberfläche ausbildet.
- Beleuchtungsmodul nach Anspruch 6, wobei der Zerstreuwinkel der sphärisch-konvexen Emissionsoberläche im Bereich zwischen 160 bis 170 Grad liegt.
- Beleuchtungsmodul nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Farbwiedergabe-Kennzahl des Beleuchtungsmoduls zumindest 90 beträgt.
- Beleuchtungsmodul nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Wellenlängenwandlungsschicht einen fotolumineszierenden Phosphor umfasst.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE202010011443U DE202010011443U1 (de) | 2010-08-16 | 2010-08-16 | Beleuchtungsmodul mit guter Farbwiedergabeeigenschaft |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE202010011443U DE202010011443U1 (de) | 2010-08-16 | 2010-08-16 | Beleuchtungsmodul mit guter Farbwiedergabeeigenschaft |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE202010011443U1 true DE202010011443U1 (de) | 2010-11-04 |
Family
ID=43049789
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE202010011443U Expired - Lifetime DE202010011443U1 (de) | 2010-08-16 | 2010-08-16 | Beleuchtungsmodul mit guter Farbwiedergabeeigenschaft |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE202010011443U1 (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102013217055A1 (de) * | 2013-05-17 | 2014-11-20 | Tridonic Jennersdorf Gmbh | Weisslicht-LED-Modul zur Objektbeleuchtung |
-
2010
- 2010-08-16 DE DE202010011443U patent/DE202010011443U1/de not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102013217055A1 (de) * | 2013-05-17 | 2014-11-20 | Tridonic Jennersdorf Gmbh | Weisslicht-LED-Modul zur Objektbeleuchtung |
DE102013217055B4 (de) | 2013-05-17 | 2022-08-25 | Tridonic Gmbh & Co Kg | Weisslicht-LED-Modul zur Objektbeleuchtung |
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DE102016100723B4 (de) | Optoelektronisches Bauelement |
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Date | Code | Title | Description |
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R207 | Utility model specification |
Effective date: 20101209 |
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R081 | Change of applicant/patentee |
Owner name: HIGH POWER LIGHTING CORP., TW Free format text: FORMER OWNER: HIGH POWERLIGHTNING CORP., TU CHENG CITY, TW Effective date: 20101125 |
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R150 | Utility model maintained after payment of first maintenance fee after three years | ||
R150 | Utility model maintained after payment of first maintenance fee after three years |
Effective date: 20130910 |
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R151 | Utility model maintained after payment of second maintenance fee after six years | ||
R152 | Utility model maintained after payment of third maintenance fee after eight years | ||
R071 | Expiry of right |