DE202006005237U1

DE202006005237U1 - Device for breaking of semiconductor disks or wafers has breaking wedge, tilted and aligned opposite to section of semiconductor disk for single semiconductor disk that is pre scratched in initial area of reference break line

Info

Publication number: DE202006005237U1
Application number: DE200620005237
Authority: DE
Original assignee: DYNTEST TECHNOLOGIES GmbH
Current assignee: Asys Automatisierungssysteme GmbH
Priority date: 2006-03-31
Filing date: 2006-03-31
Publication date: 2006-11-23
Anticipated expiration: 2016-04-01

Abstract

The device has breaking wedge (3) which is tilted in such a way that it is aligned opposite to the section of semiconductor disk (1) for a single semiconductor disk that is pre-scratched in the initial area of the reference break line. Pressure exertion takes place exclusively on sides of the breaking wedge in the initial area of the reference break line which is pre-treated by breaking.

Description

Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zum Brechen von Halbleiterscheiben bzw. Wafern nach den Merkmalen des Oberbegriffs des Anspruchs 1.The The invention relates to a device for breaking semiconductor wafers or wafers according to the features of the preamble of claim 1.

Als Wafer (engl. "Scheibe") wird in der Halbleiterindustrie und Mikroelektronik eine kreisrunde, wenige 100 μm dicke Scheibe bezeichnet, auf der elektronische Bauelemente, vor allem integrierte Schaltkreise (IC, "Chip") oder mikromechanische Bauelemente durch verschiedene technische Verfahren hergestellt werden.When Wafer (English: "disk") is used in the semiconductor industry and microelectronics a circular, a few 100 microns thick disc called on the electronic components, especially integrated circuits (IC, "chip") or micromechanical components produced by various technical processes.

Diese Scheibe besteht in den meisten Fällen aus monokristallinem Silizium, es werden aber auch andere Materialien wie Siliziumcarbid, Gallium-Arsenid und Indium-Phosphid verwendet. In der Mikrosystemtechnik werden auch Glaswafer mit einer Dicke im 1-mm-Bereich verwendet.These Disk is made in most cases monocrystalline silicon, but there are also other materials such as silicon carbide, gallium arsenide and indium phosphide. In microsystem technology, glass wafers with a thickness in the 1 mm range used.

Die Scheiben werden in verschiedenen Durchmessern gefertigt. Die zur Zeit hauptsächlich verwendeten Waferdurchmesser unterscheiden sich je nach Halbleiterwerkstoff und vorgesehenem Verwendungszweck und liegen für Silizium z. B. bei 150 mm, 200 mm, 300 mm und künftig auch bei 450 mm, für Gallium-Arsenid bei 2 Zoll, 3 Zoll, 100 mm, 125 mm oder 150 mm. Je größer der Wafer, desto mehr integrierte Schaltkreise, auch Chips genannt, können darauf untergebracht werden. Da bei größeren Wafern der geometrische Verschnitt kleiner wird, können die integrierten Schaltkreise kostengünstiger produziert werden.The Discs are made in different diameters. The to Time mainly used Wafer diameters differ depending on the semiconductor material and intended use and are for silicon z. At 150 mm, 200 mm, 300 mm and future also at 450 mm, for Gallium arsenide at 2 inches, 3 inches, 100 mm, 125 mm or 150 mm. The bigger the Wafer, the more integrated circuits, also called chips, can on it be housed. As with larger wafers the geometric waste becomes smaller, the integrated circuits can cost-effective to be produced.

Für die meisten Anwendungen müssen die Oberflächen der Wafer optisch spiegelnd poliert sein. Hinsichtlich der Ebenheit der Wafer, der Perfektion der Politur und der Reinheit der Oberfläche gelten extreme Forderungen. So sind beispielsweise nur Unebenheiten von wenigen nm über die gesamte Waferfläche zulässig.For the most Applications need the surfaces the wafer should be optically mirror-polished. Regarding the flatness the wafer, the perfection of polish and the purity of the surface apply extreme demands. For example, only bumps of a few nm above the entire wafer surface allowed.

Da für die Verarbeitung der Wafer die exakte Position in der bearbeitenden Maschine wichtig ist, werden die Wafer mit sogenannten Flats gekennzeichnet. Dabei wird mit Hilfe eines primären und eventuell einem sekundären Flat angezeigt, welche Winkelorientierung vorliegt und welche Kristallorientierung die Oberfläche hat. In neuerer Zeit werden an Stelle der Flats Kerben, so genannte Notches, eingesetzt. Sie bieten den Vorteil der besseren Positionierung und verursachen vor allem weniger Verschnitt.There for the Processing the wafer the exact position in the processing Machine is important, the wafers are marked with so-called flats. This is done with the help of a primary and possibly a secondary one Flat displayed, which angle orientation is present and which crystal orientation the surface Has. In recent times, instead of flats notches, so-called Notches, used. They offer the advantage of better positioning and above all cause less waste.

Um die einzelnen Schaltkreise voneinander zu trennen, werden die Halbleiterscheiben mit Hilfe bereits bekannter Verfahren und Vorrichtungen zunächst in einzelnen Streifen unterteilt. Dabei werden die jeweiligen Trennlinien vorab mittels eines Diamantstichels an der Oberseite der Halbleiterscheibe durch eingeritzte Kerben entsprechend markiert. Bei der beispielsweise aus der aus EP 0 740 598 B1 bekannten Vorrichtung drückt anschließend ein Impulsstab an der insoweit vorbereiteten Sollbruchlinie von der Unterseite gegen die Halbleiterscheibe, deren Oberseite sich an einem Amboss abstützt. Da bei der bekannten Vorrichtung Impulsstab und Amboss direkt übereinander angeordnet sind, muss der seitens des Impulsstabes ausgeübte Druck einerseits ausreichend groß sein, um gegen den Druck des Ambosses einen kontrollierten Trennvorgang auszulösen. Andererseits darf der Druck nicht zu gering sein, weil sonst die Gefahr besteht, dass keine ausreichende und vollständige Trennung erreicht werden kann. Es bedarf deshalb einer hohen Präzision hinsichtlich des Anpressdruckes, um eine möglichst geringe Trennfehlerquote zu gewährleisten.In order to separate the individual circuits, the semiconductor wafers are first subdivided into individual strips with the aid of already known methods and devices. In this case, the respective dividing lines are marked in advance by means of a diamond stylus on the upper side of the semiconductor wafer by notched notches accordingly. For example, from the EP 0 740 598 B1 known device then presses a pulse bar on the so far prepared predetermined breaking line from the bottom against the semiconductor wafer, the top is supported on an anvil. Since in the known device impulse rod and anvil are arranged directly above one another, the pressure exerted by the impulse rod pressure on the one hand must be sufficiently large on the one hand to trigger a controlled separation process against the pressure of the anvil. On the other hand, the pressure must not be too low, because otherwise there is a danger that sufficient and complete separation can not be achieved. It therefore requires a high precision in terms of contact pressure in order to ensure the lowest possible separation error rate.

Insbesondere bei Halbleiterscheiben auf Gallium-Arsenid-Basis, die im Prinzip einen vergleichsweise kleineren Durchmesser aufweisen, wird gelegentlich darauf verzichtet, die Oberfläche jeweils über die gesamte Länge der Sollbruchlinie anzuritzen. Üblicherweise wird dann nur ein kleinerer Abschnitt, vorzugsweise nur ein relativ kurzer Anfangsbereich einer Sollbruchlinie durch eine Einritzung markiert.Especially in the case of semiconductor wafers based on gallium arsenide, which in principle have a comparatively smaller diameter is occasionally on it omitted, the surface each over the entire length to attack the break line. Usually Then only a smaller portion, preferably only a relative short beginning of a fracture line marked by a scoring.

Der vorliegenden Erfindung liegt deshalb die Aufgabe zugrunde, eine Vorrichtung der eingangs genannten Art so zu verbessern, dass auch für Halbleiterscheiben, deren Sollbruchstellen nur in einem kurzen Anfangsbereich durch eine vorab durchgeführte Einritzung markiert sind, eine einfache und sichere Trennung bei gleichzeitig möglichst geringer Fehlerquote erzielt werden kann.Of the The present invention is therefore based on the object, a Device of the type mentioned above to improve so that for semiconductor wafers, whose predetermined breaking points only in a short initial range an advance performed Scratch marks are marked, a simple and safe separation at as possible as possible low error rate can be achieved.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch eine Vorrichtung mit den Merkmalen des Anspruchs 1 gelöst. Erfindungsgemäß ist vorgesehen, dass für lediglich im Anfangsbereich einer Sollbruchlinie vorgeritzte Halbleiterscheiben der Brechkeil gegenüber der Ebene der Halbleiterscheibe derart geneigt ausgerichtet ist, dass eine Druckausübung seitens des Brechkeils ausschließlich in dem durch die Ritzung vorbehandelten Anfangsbereich der Sollbruchlinie erfolgt.These The object is achieved by a Device solved with the features of claim 1. According to the invention, it is provided that for only Pre-scored in the initial region of a predetermined breaking line semiconductor wafers the Brechkeil opposite the Level of the semiconductor wafer is oriented inclined so that a pressure exercise on the part of the crushing wedge exclusively in the pretreated by the scribe Initial range of the predetermined breaking line takes place.

Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den Merkmalen der Unteransprüche.advantageous Developments of the invention will become apparent from the features of Dependent claims.

Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung wird im Folgenden an Hand der Zeichnungen näher beschrieben.One embodiment The invention will be described in more detail below with reference to the drawings.

1. zeigt den prinzipiellen Aufbau einer erfindungsgemäß ausgebildeten Vorrichtung zur Aufteilung einer Halbleiterscheibe in einzelne Teilbereiche. Zur lösbaren Befestigung der kreisförmigen Halbleiterscheibe 1 dient eine ringförmige Halterung 2, an der die auf einer flexiblen Unterlage befestigte Halbleiterscheibe 1 an den Randbereichen fixiert wird. Vorzugsweise geschieht dies dadurch, dass über mehrere Ansaugdüsen ein Unterdruck erzeugt wird. Zur Trennung der Halbleiterscheibe 1 entlang einer Sollbruchlinie, die vorab durch eine an der Oberseite eingeritzte Kerbe markiert ist, dient ein fluchtend zur Sollbruchlinie ausgerichteter Brechkeil 3, der gegen die Unterseite der Halblei terscheibe 1 drückt. Für Halbleiterscheiben, deren Sollbruchlinien aus Kostengründen nur einem relativ kurzen Anfangsbereich und damit nicht in voller Länge durch eine Anritzung vorbehandelt sind, was insbesondere bei Halbleiterscheiben mit kleinerem Durchmesser in Betracht kommt, ist der Brechkeil gegenüber der Ebene der Halbleiterscheibe derart geneigt ausgerichtet, dass eine Druckausübung seitens des Brechkeils ausschließlich in dem durch die Ritzung vorbehandelten Anfangsbereich der Sollbruchlinie erfolgt. Der Neigungswinkel des Brechkeils liegt in vorteilhafter im Bereich kleiner 5 Grad und ist in Anpassung an die jeweiligen Materialstärken der zu bearbeitenden Halbleiterscheiben vorzugsweise innerhalb des vorgegebenen Bereichs variabel und stufenlos einstellbar. In einer vorteilhaften Weiterbildung der Erfindung ist der Brechkeil derart steuerbar, dass in einer ersten Phase zunächst nur ein Aufbrechen und erst in einer zweiten Phase die vollständige Durchtrennung der Sollbruchlinie erfolgt. 1 , shows the basic structure of an inventively designed device for dividing a semiconductor wafer into individual subregions. For releasable attachment of the circular Semiconductor wafer 1 serves an annular holder 2 , to which the wafer mounted on a flexible base 1 is fixed at the edge areas. This is preferably done by generating a negative pressure over a plurality of suction nozzles. For separation of the semiconductor wafer 1 along a predetermined breaking line, which is marked in advance by a notched on the top notch, serves a flush with the predetermined breaking line aligned Brechkeil 3 which is against the underside of the semiconductor wafer 1 suppressed. For semiconductor wafers whose rupture lines for cost reasons only a relatively short initial area and thus are not pretreated in full length by a scribe, which is particularly suitable for semiconductor wafers with smaller diameter, the refractive index with respect to the plane of the wafer is oriented inclined so that a pressure takes place on the part of the crushing wedge exclusively in the pretreated by scratching the initial region of the predetermined breaking line. The inclination angle of the crushing wedge is advantageously in the range of less than 5 degrees and, in adaptation to the respective material thicknesses of the semiconductor wafers to be processed, is preferably variably and steplessly adjustable within the predetermined range. In an advantageous development of the invention, the breaker wedge is controllable in such a way that in a first phase only a break-up and only in a second phase the complete severing of the predetermined breaking line takes place.

11: HalbleiterscheibeSemiconductor wafer
22: Halterungbracket
33: Brechkeilbreaking wedge

Claims

Apparatus for breaking semiconductor wafers or wafers on the upper side of the semiconductor wafer by a scored marking and each extending along a straight line breaking lines, using a crushing wedge aligned on the underside of the semiconductor wafer to the respective predetermined breaking line and at least one counter-holder, which is located on the top of the Semiconductor disc is supported and at the moment of pressing against the underside of the semiconductor wafer breaking counter-pressure triggers, characterized in that for only in the initial region of a predetermined breaking line pre-scored semiconductor wafers ( 1 ) the crushing wedge ( 3 ) is inclined relative to the plane of the semiconductor wafer so that a pressure exerted by the crushing wedge ( 3 ) takes place exclusively in the pretreated by scratching the beginning of the predetermined breaking line.

Apparatus according to claim 1, characterized in that the angle of inclination of the crushing wedge ( 3 ) is in the range of less than 5 degrees.

Apparatus according to claim 1 or 2, characterized in that the angle of inclination of the crushing wedge ( 3 ) is variably and continuously adjustable within the predetermined range.

Device according to one of the preceding claims, characterized in that the crushing wedge ( 3 ) is controllable such that in a first phase, a break-up and in a second phase, a complete separation of the target separation line.