DE2006211A1 - Monostable multivibrator circuit with large pulse width variation - Google Patents

Monostable multivibrator circuit with large pulse width variation

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DE2006211A1
DE2006211A1 DE19702006211 DE2006211A DE2006211A1 DE 2006211 A1 DE2006211 A1 DE 2006211A1 DE 19702006211 DE19702006211 DE 19702006211 DE 2006211 A DE2006211 A DE 2006211A DE 2006211 A1 DE2006211 A1 DE 2006211A1
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DE19702006211
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Anne Hendrik Emmasingel Eindhoven Bruinsma (Niederlande)
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N.V. Phi lips'Gloeilampenfabrieken, Eindhoven (Niederlande)
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K3/00Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
    • H03K3/02Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
    • H03K3/26Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback
    • H03K3/28Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback
    • H03K3/281Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback using at least two transistors so coupled that the input of one is derived from the output of another, e.g. multivibrator
    • H03K3/284Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback using at least two transistors so coupled that the input of one is derived from the output of another, e.g. multivibrator monostable

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  • Power Engineering (AREA)
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Description

PHN. 3863.PHN. 3863.

Dr. Herbert Sefc.l. Wij/RV.Dr. Herbert Sefc.l. Wij / RV. PateataawahPateataawah M. Y. Philips' GloeilaaipenfabriekeoM. Y. Philips' Gloeilaaipenfabriekeo

ΑΙλΝο,^ PHU- 3863 Anmeldung vom, -|Q. Febr. 1970ΑΙλΝο, ^ PHU- 3863 Registration from, - | Q. Feb 1970

Mono8tablle Multivibratorschaltung mit groeeer Impulsbreitenvariation.Mono-table multivibrator circuit with large pulse width variation.

Sie Erfindung bezieht sich auf eine monostabile Multivibrator echaltung mit grosser Impulsbreitenvariation, welche Schaltung mit einem in einen Ladekreis geschalteten Kondensator versehen ist, der in Reihe mit einem Widerstand zwischen einer Klemme einer Speisequelle und einer Basiselektrode eines Transistors geschaltet ist, wKhrend dazwischen eine galvanische Verbindung vorgesehen ist, von welchem Transistor ein Emitter-Kollektorkreis zwischen der genannten Klemme und einer zweiten Speisequellenklemme liegt, weloher Kondensator in einen Entladekreis aufgenommen ist, dadurch, dass der genannte Widerstand in einer Reihenschaltung mit einem Kollektor-Emitterkreis eines «weiten Transittor· zwischen den genannten Speisequellenklemmen gesohaltet ist, von welchem zweiten Transistor zur Erhaltung eines synohronen in Gegen-The invention relates to a monostable multivibrator circuit with a large pulse width variation, which circuit with a capacitor connected in a charging circuit is provided, which is connected in series with a resistor between a terminal of a supply source and a base electrode of a transistor is connected, while a galvanic connection is provided therebetween, of which transistor an emitter-collector circuit between said terminal and a second supply source terminal, which capacitor is included in a discharge circuit, in that said resistor in a series circuit with a collector-emitter circuit of a «wide Transit gate is held between the named supply source terminals, of which second transistor for the preservation of a synhronic in opposition

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phase Schaltens mit den ersten Transistor eine Basiselektrode mit der Kollektorelektrode des ersten Traneistors gekoppelt ist, wobei zur (Verwirklichung der groseen) Impulsbreitenvariation der Entladekreis mit einem dritten Transistor versehen ist, der auf ähnliche Weise wie der zweite schaltet und an eine Elektrode desselben ein einstellbarer Widerstand angeschlossen ist.phase switching with the first transistor a base electrode with the Collector electrode of the first transistor transistor is coupled, wherein for (Realization of the large) pulse width variation of the discharge circle is provided with a third transistor, which switches in a similar manner to the second, and an adjustable transistor connected to one electrode of the same Resistor is connected.

Multivibratorschaltungen sind u.a. aus einem Artikel von G.Müller ι "Kippstufen mit extrem variabler Schaltzeit1' aus "Internationale Elektronische Rundschau" Juli 1967, Nr. 7, Seiten 173 - 176 bekannt. Insbesondere ist auf Seite 174 in Fig. 2 eine monostabile Multivibratorschaltung mit einem grossen Impulsbreitenvariation dargestellt. Der Einstellbare Widerstand, mit dem die Impulsbreite des von der MuI-tivibratorschaltung erzeugten Signale einstellbar ist, liegt zwischen der Emitterelektrode des dritten Transistors und einer Anzapfung eines an die Speisequellenklemnen angeschlossenen Spannungsteilers· Von dem dritten Transistor ist der Kollektor-Basiskreis dem Kondensator parallelgeschaltet, welcher Kreis einen Teil des Entladekreises bildet. Eine Eingangs- bzw. Ausgangsklemme der Sohaltung ist mit der Basis- bzw. Kollektorelektrode des ersten Transietore verbunden· Im stabilen Zustand der monostabilen Multivibratorschaltung iat der dritte Transistor ebenso wie der zweite gesperrt, wlhrend der erste leitend ist· Ein der Eingangsklemme der Schaltung zugefUhrter Triggerimpuls bringt die Sohaltung in den unstabilen Zustand, in dem der erste Transistor gesperrt 1st, während die zwei anderen leitend sind. Es stellt eioh heraus, dass der einstellbare Widerstand, der zum grossten Teil die Entladung des Kondensators und daduroh die Dauer des unstabilen Zustand es bestimmt, nur im unstabilen Zustand Strom fuhrt. Bevor derMultivibrator circuits are known, inter alia, from an article by G.Müller ι "flip-flops with extremely variable switching time 1 'from" Internationale Elektronische Rundschau "July 1967, No. 7, pages 173-176. In particular, on page 174 in FIG. 2, a monostable multivibrator circuit is known The adjustable resistor, with which the pulse width of the signal generated by the multivibrator circuit can be adjusted, is located between the emitter electrode of the third transistor and a tap of a voltage divider connected to the supply source terminals. The base circuit is connected in parallel to the capacitor, which circuit forms part of the discharge circuit. An input or output terminal of the holding circuit is connected to the base or collector electrode of the first transit gate · When the monostable multivibrator circuit is stable, the third transistor and the second are blocked, w While the first transistor is conductive. A trigger pulse applied to the input terminal of the circuit brings the hold into the unstable state in which the first transistor is blocked while the other two are conductive. It turns out that the adjustable resistor, which for the most part determines the discharge of the capacitor and therefore the duration of the unstable state, only carries current in the unstable state. Before the

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Triggerimpuls auftritt, ist nämlich der einstellbare Widerstand über den dritten Transistor ausgeschaltet. Dies ergibt, dass der einstellbare Widerstand den Eingangswiderstand der Schaltung nicht beeinflussen kann, so dass es möglich ist, den Widerstand innerhalb sehr weiter Grenzen einzustellen» Würde nämlich der einstellbare Widerstand einen Teil des Ladekreises bilden, so hätte ein eingestellter kleinerer Wert einen kleineren Eingangswiderstand der Multivibratorschaltung zur Folge. FUr sehr kleine Werte derselben hätte dann die Triggerempfindlichkeit der Schaltung wesentlich abgenommen.Trigger pulse occurs, namely the adjustable resistance is above turned off the third transistor. This means that the adjustable resistor does not affect the input resistance of the circuit can, so that it is possible to adjust the resistance within very wide limits »The adjustable resistance would be one Form part of the charging circuit, a set lower value would result in a lower input resistance of the multivibrator circuit. The trigger sensitivity would then be for very small values of the same the circuit decreased significantly.

Die Trennung zwischen dem nicht variablen Ladekreis im stabilen Zustand und der zwischen sehr weiten Grenzen einstellbaren Entladung des Kondensators in unstabilen Zustand ergibt eine grosse Impulsbrei tenveriation.The separation between the non-variable charging circuit in the stable state and the discharge, which can be set between very wide limits of the capacitor in an unstable state results in a large pulse width tenveriation.

Die Erfindung bezweckt, eine verbesserte monostabile Multivibratorschaltung rait grosser Impulsbreitenvariation zu schaffen, bei der der unstabile Zustand auf eine extrem kleine Dauer eingestellt werden kann. Die erfindungsgemlsse monoetabile Multivibratorschaltung weist dazu das Kenneeichen auf, dass vom dritten Transistor eine Emitterelektrode mit der Basiselektrode des ersten Transistors desselben Leitungstype verbunden sit, während eine Basiselektrode des dritten Transistors mit einer eine Bezügespannung führenden Klemme verbunden ist, zwischen welcher Klemme und der Emitterelektrode des ersten Transistors ein Schwellenelement liegt, das eine Schwellenspannung hat, die der Surcme der BaBis-Emitterschwellenspannungen des ersten und des dritten Transistors nahezu i'nt-srricht.The invention aims to provide an improved monostable multivibrator circuit rait to create large pulse width variations which set the unstable state to an extremely short duration can be. The monostable multivibrator circuit according to the invention has the characteristic that the third transistor has an emitter electrode connected to the base electrode of the first transistor of the same line type, while a base electrode of the third Transistor connected to a terminal carrying a reference voltage is between which terminal and the emitter electrode of the first transistor there is a threshold element which has a threshold voltage, that of the surcme of the BaBis emitter threshold voltages of the first and the third transistor almost i'nt-srricht.

Ein A Ji.!'■'!'■■ unfsbeispiel der Erfindung ist in der Zeichnung ,;Mi7'Mrti'1 1 I iiri'! v/i-! :.. f öl,-widen nHher he schrie hen.An A Ji.! '■'! '■■ Unfsbeispiel the invention is in the drawing,; Mi7'Mrti'1 1 I iiri'! v / i-! : .. f oil, -widen closer he screamed.

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In der Figur sind mit 1,2 und 5 ein erster* ein zweiter bzw. ein dritter Transistor bezeichnet. Die Transistoren 1, 2 und 3 sind als pnp-Transistoren dargestellt, es könnten jedoch auch npn-Transistoren sein. Von den Transistoren 1 und 2 sind die Emitterelektroden miteinander verbunden. Eine Kollektorelektrode des Transistors 2 ist über einen Kondensator 4 und einen Widerstand 5 mit einer Basiselektrode des Transistors 1 bzw, einer Klemme -V verbunden. Vom Kondensator 4 ist eine an die Basiselektrode des Transistors 1 angeschlossene Klemme nit einem positiven, und die andere Klemme cdi einem negativen Zeichen angedeutet. Die Zufuhr von Ladung mit einer bestimmten PclaritSt zur üleisharti^ angedeuteten Klemme des Kondensators 4 wird als Aufladen bezeichnet. Die Abfuhr wird βίε Entladen angedeutet. Die Klemme -V bildet einen Teil einer nicht dargestellten Speisequelle, deren andere Klemme als an Messe liegend vorausgesetzt wird. Die verbundenen Enitterelektroden der Transistoren 1 und 2 liegen zur Erhaltung einer Vorspannung Über eine Parallelschaltung eines Widerstandes 6 und eines Kondensators 7 an Masse. Die Basin- unr] Knilektorelektrode des Transistors 1 ist iHicr einen Widerstand fibzw. 9 ^i t der Klemme -V1 verbunden. Die Kollektorelektrode des Transistors 1 ist an eine Parallelschaltung eines Widerstandes 10 und eines Kondensators 11 angeschlos· sen, welche Parallelschaltung Über einen Widerstand 12 mit Masse verbunden ist. Die Widersth'nle 10 uni> 1Γ lüden einen Spannungsteiler, von dem eine Anzapfung an eine Basiselektrode des Transietore 2 angeschlossen ist,In the figure, 1, 2 and 5 denote a first *, a second and a third transistor, respectively. The transistors 1, 2 and 3 are shown as pnp transistors, but they could also be npn transistors. The emitter electrodes of the transistors 1 and 2 are connected to one another. A collector electrode of the transistor 2 is connected via a capacitor 4 and a resistor 5 to a base electrode of the transistor 1 or a terminal -V. One terminal of the capacitor 4 connected to the base electrode of the transistor 1 is indicated by a positive sign and the other terminal cdi is indicated by a negative sign. The supply of charge with a certain PclaritSt to the üleisharti ^ indicated terminal of the capacitor 4 is referred to as charging. The discharge is indicated βίε discharging. The terminal -V forms part of a supply source (not shown), the other terminal of which is assumed to be at the fair. The connected emitter electrodes of the transistors 1 and 2 are connected to ground via a parallel connection of a resistor 6 and a capacitor 7 in order to maintain a bias voltage. The basin and knilektor electrode of the transistor 1 is iHicr a resistor fibzw. 9 ^ connected to terminal -V 1. The collector electrode of the transistor 1 is connected to a parallel circuit of a resistor 10 and a capacitor 11, which parallel circuit is connected to ground via a resistor 12. The resistors 10 uni> 1Γ charge a voltage divider from which a tap is connected to a base electrode of the transit gate 2,

Die Basiselektrode des Transistors 1 ist mit der Emitterelektrode des Translators 3 verbunden, dessen Kollektorelektrode an die Klemme -V i^lrgt ist. Die Basiselektrode dee Transistors 3 istThe base electrode of the transistor 1 is connected to the emitter electrode of the translator 3, the collector electrode of which is connected the terminal -V i ^ lrgt. The base electrode of the transistor 3 is

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an eine Seite des einstellbaren Widerstandes 13 angeschlossen, dessen andere Seite an die Klemme 14 gelegt ist. Die Klemme 14 ist über eine Zener-Diode 15 nit der Klemme -V verbunden. Zugleich ist die Klemme 14 an die Kathode der Diode 1b gelegt, deren Anode an den Verbindungspunkt der Emitterelektroden der Transistoren 1 und 2, den Widerstand 6 und den Kondensator 7 angeschlossen ist. Die Zener-Diode 15 erteilt der Klemme 14 eine Bezugsspannung, die mit -V-. bezeichnet irt. Die Diode 16 ist als Schwellenel^iuent nit einer Sohwellenspannung von 2VTlT.. wirksam. Bei den Transistoren 1 und 3 sind durch V^- die Basis-Emittorschwellenspannungen angegeben. Die Diode 16 kann als einfache Diode, sowie als zwei in Reihe geschaltete Dioden ausgebildet sein. Die Ausführung ist von der Art der Transistoren 1 und J abhängig, die beispielsweise vom Silizium- oder Gernaniumtyp sind, und von der Art der Diode 16 abhHngig. Nur eine Siliziumdiode OA 202 ist beispielsweise bei zwei SiliziumtranBistoren verwendbar.connected to one side of the adjustable resistor 13, the other side of which is connected to the terminal 14. Terminal 14 is connected to terminal -V via a Zener diode 15. At the same time, the terminal 14 is connected to the cathode of the diode 1b, the anode of which is connected to the junction of the emitter electrodes of the transistors 1 and 2, the resistor 6 and the capacitor 7. The Zener diode 15 gives the terminal 14 a reference voltage, which with -V-. means irt. The diode 16 is effective as a threshold element with a threshold voltage of 2V TIT. In the case of transistors 1 and 3, V ^ - indicates the base-emitter threshold voltages. The diode 16 can be designed as a simple diode or as two diodes connected in series. The design depends on the type of transistors 1 and J, which are of the silicon or Gernanium type, for example, and on the type of diode 16. Only one silicon diode OA 202 can be used, for example, with two silicon transistor transistors.

Die MuitiviDratfrschaltung ist mit einer Eingangsklemme 17 versehen, die Ober einen Kondensator 18 mit dem Verbindungspunkt der Basiselektrode des Transistors 1 und der Emitterelektrode des Transistors 3 verbunden ist. Bei der Eingangsklemme 17 ist ein Signal 19 negativer Reohteckimpulse angegeben· Unter dem Einfluss der rechteckigen Triggerimpulse im Signal 19 tritt an einer beispielsweise mit der Kollektorelektrode des Transistors 1 verbundenen Ausgangsklemme 20 der Sohaltung das dabei dargestellte Signal 21 auf. Das Signal 21 weist mit ausgezogenen und gestrichelten Linien dargestellte Impulse auf, dl· zwischen den durch punktierte Linien angegeben Pegeln -V. und 0 (Massenpotential) auftreten.The MuitiviDratfr circuit is with an input terminal 17 which is connected via a capacitor 18 to the junction of the base electrode of the transistor 1 and the emitter electrode of the transistor 3. There is a signal 19 at input terminal 17 negative Reohteckimpulse specified · Under the influence of the rectangular trigger impulses in signal 19 occurs at one example with output terminal 20 connected to the collector electrode of transistor 1 the so holding the signal 21 shown here. The signal 21 has pulses shown with solid and dashed lines on, dl · between the levels -V indicated by dotted lines. and 0 (mass potential) occur.

Zur JErI Bu te rung der Wirkungsweise der Sohaltung 1st einFor the JERI assessment of the mode of operation of the so-called attitude

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Signal 22 dargestellt, das an der Basiselektrode des Transistors 1 und der Emitterelektrode des Transistors 2 auftritt. Im Signal 22 ist ein Pegel -V^ + VfiE angegeben. In den als Punktion der Zeit dargestellten Signalen 19, 21 und 22 sind die in negativer Richtung verlaufenden Teile dargestellt. Zur Anwendung des Multivibrators beim Fernsehen können die im Signal 19 dargestellten Impulse die Zeilen- oder Teilbildsynchronimpulse darstellen.Signal 22 is shown, which occurs at the base electrode of transistor 1 and the emitter electrode of transistor 2. A level -V ^ + V fiE is indicated in the signal 22. In the signals 19, 21 and 22 shown as punctures of time, the parts running in the negative direction are shown. To use the multivibrator in television, the pulses shown in signal 19 can represent the line or field sync pulses.

Zur ErlButerune der Wirkungsweise der monostabilen Multivibratorschaltung wird vom stabilen Zustand ausgegangen. Im Signal ist durch t ein Zeitpunkt im stabilen Zustand angedeutet. Im Zeitpunkt t. ist der Transistor 1 leitend. Dadurch hat die Basiselektrode des Transistors 1 eine Spannung -V_ + V „ (Signal 22), da der Emitter-To explain the mode of operation of the monostable multivibrator circuit, the stable state is assumed. In the signal a point in time in the stable state is indicated by t. At time t. the transistor 1 is conductive. This gives the base electrode of the transistor 1 a voltage -V_ + V "(signal 22), since the emitter

H Da H There

elektrode eine Spannung -Vn + 2 Vnr, aufgeprägt ist. Dies hat zur Folge.electrode a voltage -V n + 2 V nr , is impressed. As a consequence.

A X)CjA X) Cj

dass der Transistor 3 gesperrt ist, da die über den einstellbaren Widerstand 13 mit der Basiselektrode verbundene Klemme I4 die Spannungthat the transistor 3 is blocked, because the adjustable via the Resistor 13 connected to the base electrode terminal I4 the voltage

-VD führt. Der Transistor 2 ist ebenfalls gesperrt, weil unter dem π -V D leads. The transistor 2 is also blocked because under the π

Einfluss der Spannungsteilung an den Widerständen 10 und 12 die Spannung an der Basiselektrode desselben weniger negativ ist als die mit Hilfe des Widerstandes 6 und des Kondensators 7 der Emitterelektrode aufgeprägte Vorspannung (Signal 21). Der Umstand, dass der Transistor 1 leitend ist, hat zur Folge, dass Ober den Emitter-Basiskreis desselben der mit dem + Zeichen angegebenen Klemme des Kondensators 4 eine positive Ladung zugeführt wird. Der Kondensator 4 ist auf diese Weise in einem Ladekreis gesohaltet, der u.a. den Widerstand *> und den Basis-Emitterkreis des Traneittore 1 enthElt. Der Widerstand 8 bildet eine galvanische Verbindung zwischen der Basiselektrode des Transistors 1 und der Klemme -V., welohe Verbindung auoh auf andere Weise ausgebildet sein kann, beispielsweise durch Transistoren.Influence of the voltage division at the resistors 10 and 12, the voltage at the base electrode of the same is less negative than that with Bias voltage impressed on the emitter electrode with the aid of the resistor 6 and the capacitor 7 (signal 21). The fact that the transistor 1 is conductive, has the consequence that over the emitter base circle of the same of the terminal of the capacitor 4 indicated with the + sign a positive charge is applied. In this way, the capacitor 4 is contained in a charging circuit which, among other things, has the resistance *> and the base-emitter circuit of the Traneittore 1 contains. The resistor 8 forms a Galvanic connection between the base electrode of the transistor 1 and the terminal -V., which connection also formed in a different way can be, for example by transistors.

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Kurz nach dem Zeitpunkt t1 tritt im Signal 19 ein in negativer Richtung verlaufender Sprung eines Triggerimpulses auf. Der Kondensator 18 bildet mit dem Basis-Emitterkreis des leitenden Transistors 1 und den Widerständen 5 und 8 einen Differentiator! in dem der Kondensator 4 als Kurzschluss auftritt. Dies hat zur Folge, dass im Signal 22 ein kurzer niedergehender Impuls erscheint. Der stabile Zustand der Schaltung wird dadurch nicht beeinflusst, so dass im SignalShortly after time t 1 , a jump in a trigger pulse occurs in signal 19, running in the negative direction. The capacitor 18 forms a differentiator with the base-emitter circuit of the conductive transistor 1 and the resistors 5 and 8! in which the capacitor 4 occurs as a short circuit. As a result, a short falling pulse appears in signal 22. The stable state of the circuit is not affected by this, so that in the signal

IlIl

21 keine Anderune auftritt.21 no change occurs.

Im Zeitpunkt t tritt im Signal 19 der in positiver Richtung verlaufende Sprung des Triggerimpulses auf. In erster Instanz wird der Kondensator 18 den positiv gerichteten Sprung auf die Basiselektrode des Transistors 1 und die Emitterelektrode des Transistors übertragen. Der Transistor 1 bzw. 3 wird dadurch die Neigung aufweisen, zu Sperren bzw. in den leitenden Zustand zu geraten. Der abnehmende Kollektorstrom des Transistors 1 hat einen kleineren SpannungsabfallAt the time t occurs in the signal 19 in the positive direction running jump of the trigger pulse. In the first instance, the capacitor 18 will make the positive jump to the base electrode of the transistor 1 and the emitter electrode of the transistor. The transistor 1 or 3 will therefore have the tendency to lock or to get into the conductive state. The decreasing collector current of transistor 1 has a smaller voltage drop

am Widerstand 9 zur Folge. Die in negativer Richtung gehende Änderung tritt über den Kondensator 11 an der Basiselektrode 2 plStzlifh auf, so dass dieser leitend wird. Der sich daraus ergebende Spannungsabfall am Widerstand 5 macht über den Kondensator 4 die Spannung an der Basiselektrode des Transistors 1 weniger negativ. Es stellt sich heraus, dass mit den von den Kondensatoren 18 und 4 übertragenen positiv gerichteten Sprüngen ein Schneeballeffekt erhalten wird. Die Transistoren 1 und 2 kippen sprungsweiee vom einen in den anderen Betriebszustand, d.h., die Transistoren 1 und 2 schalten synchron in Gegenphase. Im Signal 21 gelangt dieser Effekt dadurch zum Ausdruck, dass im Zeitpunkt t„ der Signalwert mit einem Sprung auf etwa -V1 abnimmt. Der Unterschied mit dem Wert -V wird durch die opannungsteilung an denat the resistor 9 result. The change going in the negative direction occurs via the capacitor 11 on the base electrode 2 plStzlifh, so that it becomes conductive. The resulting voltage drop across the resistor 5 makes the voltage across the capacitor 4 at the base electrode of the transistor 1 less negative. It turns out that with the positive-going jumps transmitted by the capacitors 18 and 4, a snowball effect is obtained. The transistors 1 and 2 toggle abruptly from one to the other operating state, that is, the transistors 1 and 2 switch synchronously in antiphase. This effect is expressed in signal 21 by the fact that at time t "the signal value decreases with a jump to approximately -V 1. The difference with the value -V is determined by the voltage division on the

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Widerständen 9, 10 und 12 verursacht.Resistors 9, 10 and 12 caused.

FQr den Traneistor 3 glitt dass dieser unter dem Einfluss des positiv gerichteten Sprunges im Triggerinpuls im Signal 19 sofort in den leitenden Zustand geraten will. Denn Jede kleine Änderung in der positiven Richtung der Spannung an der Emitterelektrode dee Transistors 3 gegenüber dem Pegel -VR + V_ im Signal 22 kann den Transistor 3 in den leitenden Zustand bringen. Dabei tritt an der Emitterelektrode des Transistors 3 der positiv gerichtete Sprung auf, der durch Umschaltung der Transistoren 1 und 2 verursacht wird. Das Ergebnis ist, dass im Zeitpunkt t„ der Transistor 3 sofort in den leitenden Zustand gerät. Der Kondensator 4 wird dadurch in einen Entladekreis geschaltet, der in einer Reihenschaltung die Transistoren 2 und 3 enthält. Im Entladekreis (4, 3, 2) kann mit Hilfe des einstellbaren Widerstandes 13 der Entladestrom des Kondensators 4 eingestellt werden.For the transistor 3 slipped that this wants to go immediately into the conductive state under the influence of the positive-directed jump in the trigger pulse in signal 19. Because every small change in the positive direction of the voltage at the emitter electrode of the transistor 3 compared to the level -V R + V_ in the signal 22 can bring the transistor 3 into the conductive state. In this case, the positively directed jump occurs at the emitter electrode of transistor 3, which is caused by switching over transistors 1 and 2. The result is that at the point in time t ", the transistor 3 immediately switches to the conductive state. The capacitor 4 is thereby switched into a discharge circuit which contains the transistors 2 and 3 in a series connection. In the discharge circuit (4, 3, 2), the discharge current of the capacitor 4 can be adjusted with the aid of the adjustable resistor 13.

Ist der Widerstand 13 auf nahezu Null eingestellt, so kann sich der Kondensator 4 sehr schnell entladen. In beispielsweise dem Zeitpunkt t_ im Signal 22 kann die Spannung an der durch das + Zeichen angegebenen Klemme des Kondensators 4 auf den Wert -V_ + V _ abgenommen haben. Dies hat zur Folge, dass der Transistor 3 dann sofort sperren will, wobei der Transistor 1 gleich in den leitenden Zustand geraten will. Dadurch, dass der Transietor 1 leitend ist, wird der Transistor 2 ebenfalls sperren» Das Umschalten in entgegengesetzten Sinne der Transistoren 1 und 2 ergibt im Signal 21 den im Zeitpunkt t- dargestell ten Sprung.If the resistor 13 is set to almost zero, the capacitor 4 can discharge very quickly. For example, in the Time t_ in signal 22 can be the voltage at the indicated by the + sign The specified terminal of the capacitor 4 is removed to the value -V_ + V _ to have. This has the consequence that the transistor 3 then block immediately wants, the transistor 1 wants to get into the conductive state immediately. Because the transit gate 1 is conductive, the transistor becomes 2 also lock »Switching in the opposite sense of the Transistors 1 and 2 result in the signal 21 at the time t-shown th jump.

Der Zeitunterschied zwischen den Zeitpunkten t_ und t, kann sehr klein femacht werden. Dies ist dadurch erreicht, dass die Reihenschaltung der Emitter-Basiskreise der Transistoren 1 und 2 der DiodeThe time difference between the times t_ and t, can become very small. This is achieved by the series connection of the emitter-base circuits of the transistors 1 and 2 of the diode

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16 mit der Schwellenspannung 2V-- parallelgeschaltet und das Ganze an die Klemme 14 mit einer Bezugsspannung -VL angeschlossen wird. Es stellt sioh heraus, dass zur Trennung des Ladekreises mit dem Transistor 1 und des Entladekreises mit dem Transistor 3t die Transistoren 1 und 3 desselben Leitungstyps sein müssen.16 with the threshold voltage 2V-- connected in parallel and the whole thing on terminal 14 is connected to a reference voltage -VL. It It turns out that to separate the charging circuit with the transistor 1 and the discharging circuit with the transistor 3t, the transistors 1 and 3 must be of the same line type.

Für einen grösseren Wert des einstellbaren Widerstandes 13 wird die Entladung des Kondensators 4 eine längere Zeitdauer beanspruchen. Zur Erläuterung ist das Ergebnis durch gestrichelte Linien in den Signalen 22 und 21 dargestellt, wobei das Umschalten in einem Zeitpunkt t. stattfindet.For a larger value of the adjustable resistance 13 the discharge of the capacitor 4 will take a longer period of time. For explanation, the result is shown in dashed lines shown in the signals 22 and 21, the switching in one Time t. takes place.

FQr keine Werte des Widerstandes 13 erfolgt die Entladung des Kondensators 4 zum grSssten Teil über den Entladekreis (4» 3t 2). FQr grSssere Wert« des Widerstandes 15 spielt zugleich die Entladung über einen Entladekreis mit den WideretEnden 5 und θ eine Rolle· Eine grosse gut einstellbare Impulsbreitenvariation im Signal 21 lSsst sich dadurch erhalten, dass der Widerstand 15 gemäse einer logarithmischen Funktion geregelt wird. Dadurch ist erreicht, dass für eine sehr grosse bzw. sehr kleine Impulsdauer im Signal 21 der Entladekreis (4t β, 5) bzw.(4, 3, 2) zum grSssten Teil die Entladung des Kondensators 4 bestimmt. Im zwischenliegenden Gebiet findet ein fliessend verlaufender Übergang statt*For no values of the resistor 13, the discharge of the capacitor 4 takes place for the most part via the discharge circuit (4 >> 3t 2). For the larger value of the resistor 15, the discharge takes place at the same time via a discharge circuit with resistors 5 and θ a roller · one large, easily adjustable pulse width variation in signal 21 can be achieved obtained in that the resistance 15 according to a logarithmic Function is regulated. This means that for a very large or very small pulse duration in signal 21, the discharge circuit (4t β, 5) or (4, 3, 2) largely determines the discharge of the capacitor 4. In the area in between there is a flowing one Transition instead of *

Der Anschluss des einstellbaren Widerstandes 13 an die Basiselektrode des Transistors 10 bietet den Vorteil, dass der Einfluss der Einstellung im Emitter-Kollektorkreis des Transistors 3 zum Ausdruok gelangt* SelbstverstXndlioh könnte der Widerstand 15 auoh !wischen der Kollektorelektrode und der Klemme -V. angeordnet werden. Cs durfte einleuchten, dass die Elemente der Multivibrator-The connection of the adjustable resistor 13 to the Base electrode of transistor 10 has the advantage that the influence of the setting in the emitter-collector circuit of transistor 3 for Expression comes * Of course, the resistance could be 15 auoh ! wipe the collector electrode and terminal -V. to be ordered. Cs made it clear that the elements of the multivibrator

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-10- PHN. 3863.-10- PHN. 3863.

schaltung nach der Erfindung zum grossten Teil in einem Halbleiterkörper integrierbar sind. An die integrierte Schaltung kSnnen die Kondensatoren 4» 7* 11 und 18 und der einstellbare Widerstand 13 angeschlossen werden.circuit according to the invention can be integrated for the most part in a semiconductor body. The capacitors 4, 7 * 11 and 18 and the adjustable resistor 13 can be connected to the integrated circuit.

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Claims (1)

-11- PHN. 3863.-11- PHN. 3863. PATENTANSPRÜCHE«PATENT CLAIMS « My Monostabile Multivibratorschaltung mit grosser Impulebr ei tenvariation, welche Schaltung mit einem in einen Ladekreis geschalteten Kondensator versehen ist, wozu der Kondensator in Reihe mit einem Widerstand zwischen einer Klemme einer Speisequelle und einer Basiselektrode eines Transistors geschaltet ist, während dazwischen eine galvanische Verbindung vorgesehen ist, von welchem Transistor ein Emitter-Kollektorkreis zwischen der genannten Klemme und einer zweiten Speisequellenklemme geschaltet ist, welcher Kondensator in einen Entladekreis aufgenommen ist, dadurch, dass der genannte Widerstand in einer Reihenschaltung mit einem Kollektor-Emitterkreis eines zweiten Transistors zwischen den genannten Speisequellenklemmen geschaltet ist, von welchem zweiten Transistor zur Erhaltung eines synchronen in Gegenphase Schaltens mit den ersten Transistor die Basiselektrode mit der Kollektorelektrode des ersten Transistors gekoppelt ist, wobei zur Verwirklichung der grossen Impulsbreitenvariation der Entladekreis mit einem dritten Transistor ausgebildet ist, der auf ähnliche Weise wie der zweite schaltet und wobei an eine Elektrode desselben ein einstellbarer Widerstand angeschlossen ist, dadurch gekennzeichnet, dass vom dritten Transistor die Emitterelektrode mit der Basiselektrode des ersten Transistors desselben Leitungstyps verbunden ist, während die Basiselektrode des dritten Transistors mit einer eine Bezugsspannung führenden Klemme verbunden ist, zwischen welcher Klemme und der Emitterelektrode des ersten Transistors ein Schwellenelement geschaltet ist, das eine Schwellenspannung hat, die der Summe der Basis-Emitterschwellenspannungen des ersten und des dritten Transistors nahezu entspricht. 2, Monoiitabile Multivibratorschaltung nach Anspruch 1, dadurchMy monostable multivibrator circuit with large pulse width variation, which circuit is provided with a capacitor connected in a charging circuit, including the capacitor in series with a Resistance between a terminal of a supply source and a base electrode of a transistor is connected, while a galvanic connection is provided in between, of which transistor a Emitter-collector circuit is connected between said terminal and a second supply source terminal, which capacitor is in a discharge circuit is added, characterized in that said resistor is connected in series with a collector-emitter circuit of a second Transistor is connected between said supply source terminals, of which second transistor to maintain a synchronous in antiphase Switching with the first transistor, the base electrode is coupled to the collector electrode of the first transistor, in order to realize of the large pulse width variation, the discharge circuit is formed with a third transistor, which is similar to the second switches and an adjustable resistor is connected to one electrode thereof, characterized in that from third transistor, the emitter electrode is connected to the base electrode of the first transistor of the same conductivity type, while the Base electrode of the third transistor is connected to a terminal carrying a reference voltage, between which terminal and the emitter electrode of the first transistor, a threshold element is connected which has a threshold voltage which is the sum of the base-emitter threshold voltages of the first and the third transistor almost corresponds. 2, mono-stable multivibrator circuit according to claim 1, characterized 009838/1917009838/1917 -12- PHN. 3863.-12- PHN. 3863. gekennzeichnet, dass das Schwellenelement aus mindestens einer Diode besteht, deren Stromrichtung der des ersten und des dritten Transistors parallel verlSuft.characterized in that the threshold element consists of at least one diode exists, the current direction of which runs parallel to that of the first and third transistor. 3» Monostabile Multivibratorschaltnng nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass der einstellbare Widerstand zwischen der die Bezugsspannung führenden Klemme und der Basiselektrode des weiterei Transistors liegt.3 »Monostable multivibrator circuit according to claim 1 or 2, characterized in that the adjustable resistance between the the terminal carrying the reference voltage and the base electrode of the otheri Transistor lies. 4» Monostabile Multivibratorschaltung Nach Anspruch 3» dadurch gekennzeichnet, dass der einstellbare Widerstand gemSss einer logarithmischen Funktion regelbar ist.4 »Monostable multivibrator circuit According to claim 3» thereby characterized in that the adjustable resistance can be regulated according to a logarithmic function. 5. Monostabile Multivibratorschaltung nach einem der vorstehenden AnsprUche, dadurch gekennzeichnet, dass der Triggereingang Ober einen Kondensator an die Basiselektrode des kippstufen Transietors und die Emitterelektrode des weiteren Transistors angeschlossen ist.5. Monostable multivibrator circuit according to one of the preceding claims, characterized in that the trigger input A capacitor is connected to the base electrode of the flip-flop transistor and the emitter electrode of the further transistor. 6, Monostabile Multivibratorschaltung nach einem der vorstehenden Ansprüche· dadurch gekennzeichnet, dass die Elemente der Schaltung zum grössten Teil in einem Halbleiterkörper integriert sind·6, monostable multivibrator circuit according to one of the preceding claims · characterized in that the elements of Circuit are largely integrated in a semiconductor body 009838/1917009838/1917
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