DE20020394U1 - Vorrichtung zur thermischen Behandlung einer Fotolackschicht auf einem Schaltungssubstrat, insbesondere Halbleiterwafer - Google Patents

Vorrichtung zur thermischen Behandlung einer Fotolackschicht auf einem Schaltungssubstrat, insbesondere Halbleiterwafer

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Claims (13)

1. Vorrichtung zur thermischen Behandlung zum Trocknen oder Hartbacken einer Fotolackschicht auf einem Schaltungs­ substrat, insbesondere Halbleiterwafer, gekennzeichnet durch eine über der Oberfläche des Halbleiterwafers angeordne­ te und auf diese ausgerichtete Strahlungsquelle für elektromagnetische Strahlung, die einen Wirkanteil im Bereich des nahen Infrarot, insbesondere im Wellenlän­ genbereich zwischen 0,8 µm und 1,5 µm, hat.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Strahlungsquelle eine mit erhöhter Betriebstempera­ tur betriebene Halogenlampe aufweist.
3. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Strahlungsquelle einen im wesentlichen parabolischen Reflektor zur Erzeugung einer im wesentlichen den gesam­ ten Halbleiterwafer erfassenden Strahlungszone mit kons­ tanter Strahlungsdichte aufweist.
4. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Strahlungsquelle einen im wesentlichen den Quer­ schnitt eines Ellipsenabschnittes aufweisenden Reflektor zur Erzeugung einer im wesentlichen rechteckigen Strah­ lungszone mit einer Breite hat, die insbesondere kleiner als der Durchmesser des Halbleiterwafers hat, und eine Bewegungseinrichtung zur abtastenden Bewegung der Strah­ lungsquelle über den Halbleiterwafer vorgesehen ist.
5. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, gekennzeichnet durch eine Gasstromerzeugungseinrichtung zur Erzeugung eines, insbesondere im wesentlichen parallel, zur Oberfläche des . Halbleiterwafers und damit zur Fotolackschicht gerichte­ ten, Trockengasstromes.
6. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, gekennzeichnet durch ein zwischen der Strahlungsquelle und der Oberfläche des Halbleiterwafers angeordnetes UV-Filter zur im wesentli­ chen vollständigen Ausfilterung von UV-Anteilen der elektromagnetischen Strahlung.
7. Vorrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß das UV-Filter eine mit einem UV-Absorber gefüllte oder beschichtete Glasplatte aufweist.
8. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, gekennzeichnet durch ein Filter zur Abschwächung von außerhalb des UV-Berei­ ches liegenden Anteilen der elektromagnetischen Strah­ lung der Strahlungsquelle.
9. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 5 oder 8, gekennzeichnet durch einen zusätzlichen, auf die Oberfläche des Halbleiterwa­ fers ausgerichteten UV-Strahler, insbesondere eine Quarzlampe.
10. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 9, gekennzeichnet durch eine Bestrahlungssteuereinrichtung, die insbesondere ei­ ne Verschlußeinrichtung aufweist, zur Realisierung der kurzzeitigen Einwirkung der elektromagnetischen Strah­ lung auf die Fotolackschicht mit vorgegebenen, insbeson­ dere konstanten, Bestrahlungsparametern, speziell einer vorgegebenen spektralen Zusammensetzung und Leistungs­ dichte der Strahlung.
11. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 10, gekennzeichnet durch mindestens eine Meßeinrichtung zur Erfassung mindestens einer physikalischen Größe der Fotolackschicht, insbe­ sondere deren Temperatur und/oder Feuchtegehalt und/oder Reflexionsvermögen und/oder Brechungsindex, gemessen und das Meßergebnis zur Steuerung der Bestrahlung ausgewer­ tet und genutzt wird.
12. Vorrichtung nach Anspruch 10 und 11, dadurch gekennzeichnet, daß die Bestrahlungssteuereinrichtung mindestens einen Steu­ ereingang aufweist, über den sie mindestens mittelbar mit einer Meßeinrichtung verbunden ist und ein Meßsignal oder Auswertungsergebnis empfängt derart, daß aufgrund des Meßsignals oder Auswertungsergebnisses eine Einstel­ lung der Bestrahlungsparameter erfolgt.
13. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 10 bis 12, gekennzeichnet durch eine Regeleinrichtung zur Durchführung der Bestrahlung in einem geschlossenen Regelkreis.
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