DE19959299A1

DE19959299A1 - Treatment device for silicon wafers

Info

Publication number: DE19959299A1
Application number: DE19959299A
Authority: DE
Inventors: Frank Werfel; Juergen Seeberger
Original assignee: Decker & Co KG Geb GmbH
Current assignee: Decker & Co KG Geb GmbH
Priority date: 1999-04-27
Filing date: 1999-12-09
Publication date: 2000-11-02
Also published as: DE10006228A1; DE50003903D1

Abstract

The invention relates to a device (1) for treating objects, especially silicon wafers (2), with a medium (3). The device comprises a container (4) for receiving said medium (3), a support device (5), which can rotate, which is at least partially situated in the container (4) and which receives the objects to be treated, and a rotary-driven shaft. Said shaft is mounted in at least one bearing (13, 14) and is connected to the support device (5), said bearing (13, 14) having a first bearing part (22) that is connected to the shaft and second bearing part (22) that is adjacent to the first bearing part and contains a supraconductive material. The first bearing part (22) is kept at a distance from the second bearing part (24) by magnetic forces.

Description

Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur Behandlung von Gegenständen, insbesondere von Silizium-Scheiben.The invention relates to a device for treating objects, especially silicon wafers.

Die enorme Steigerung der Halbleiterproduktion stellt immer von neuem eine Herausforderung an die einzelnen Prozeßschritte dar. Die Entwicklung zeigt sich besonders deutlich an der Leistungsfähigkeit von Speicherchips und den erzielten Linienbreiten, die vor 25 Jahren noch bei 12 µm lagen und heute mit der angestrebten 0,18 µm-Technologie die Miniaturisierung fast um den Faktor 10 erhöht haben. Diese von der Miniaturisierung vorge gebenen Forderungen haben dazu geführt, daß die in der Halbleitertechnik verwendeten Geräte einen sehr hohen Standard haben.The enormous increase in semiconductor production always poses anew a challenge to the individual process steps. The development is particularly evident in the performance of memory chips and the line widths that were 25 µm 25 years ago and today miniaturization with the desired 0.18 µm technology almost increased by a factor of 10. This featured by the miniaturization Given requirements have led to that in semiconductor technology used devices have a very high standard.

Während die Fabrikationsschritte der Lithographie durch vergrößerte nu merische Aperturen, kürzere Lichtwellenlängen und durch verbesserte Lacktechnik immer perfekter gestaltet wurden, sind die Vorprozesse der Reinigung, des Ätzens und der Trockenschritte weit weniger grundsätzli chen technologischen Verbesserungen in den letzten Jahren unterzogen worden. Der Grund dafür ist vor allem in den sehr konservativen, stark fragmentierten naßchemischen oder gasförmigen Behandlungsschritten zu suchen.During the manufacturing steps of the lithography by enlarged nu merical apertures, shorter light wavelengths and through improved Lacquer technology has always been made more perfect, are the preliminary processes of Cleaning, etching and drying steps are far less fundamental technological advances in recent years been. The reason for this is especially strong in the very conservative fragmented wet chemical or gaseous treatment steps search.

Grundlegend für die bisherige Technik sind die Schritte der Reinigung, der Ätzung und der Trocknung. Dies geschieht durch Tauchverfahren in chemi schen Bädern durch direkte oder indirekte Reinigung in schallerregten oder in mit Gasen beladenen Flüssigkeiten. Die Vorprozesse zur Ätzung und Reinigung von Kontaminationen oder sub-Mikrometer-Partikeln auf den Silizium-Scheiben, den sogenannten Wafern, sind besonders kritisch, da die fehlerhaften Bereiche weiter verarbeitet werden und letztendlich multi plikativ die Ausbeute an funktionstüchtigen Bauelementen verringern.The steps of cleaning are fundamental to the previous technology Etching and drying. This is done by immersion in chemi baths by direct or indirect cleaning in sound-excited or in liquids loaded with gases. The preliminary processes for etching and Cleaning contaminants or sub-micron particles on the Silicon wafers are particularly critical because the defective areas are processed further and ultimately multi drastically reduce the yield of functional components.

In der Praxis entstehen über 50% des Ausbeuteverlustes der Produktion von integrierten Schaltungen durch Mikro-Kontamination auf den Silizium- Scheiben. Damit beeinflußt die Waferbehandlung in den Vorprozessen ganz wesentlich die Leistungsfähigkeit der Halbleiterschaltkreise, die Pro duktivität in der Herstellung und die Reproduzierbarkeit und Verläßlichkeit der Bauelemente.In practice, more than 50% of the loss in production is generated of integrated circuits through micro-contamination on the silicon Slices. This affects the wafer treatment in the pre-processes the performance of the semiconductor circuits, the Pro Productivity in manufacturing and reproducibility and reliability of the components.

Aufgrund der Wechselwirkungsprozesse mit den Silizium-Oberflächen un terscheidet man zwei Klassen in der Waferbehandlung: Das naßchemische Ätzen und das naßchemische Reinigen. Beide Prozesse werden sowohl in der Scheibenherstellung als Rohmaterial, als in der Weiterbehandlung durch den Chiphersteller angewendet.Due to the interaction processes with the silicon surfaces un A distinction is made between two classes in wafer treatment: the wet chemical Etching and wet chemical cleaning. Both processes are both in disc production as raw material, as in further processing applied by the chip maker.

Die naßchemische Behandlung erfolgt üblicherweise in Tauchbädern oder in Chemikaliensprühanlagen, wobei hier höchste Anforderungen sowohl an die Reinheit der Chemikalien, als auch an die Resistenz und Reinheit der eingesetzten Werkstoffe, wie Polytetrafluoräthylen (= PTFE) oder Po lyvinylidenfluoride (= PVDF), gestellt werden und eine absolute Partikel vermeidung höchste Priorität genießt.The wet chemical treatment is usually carried out in immersion baths or in chemical spraying systems, where the highest demands are placed on the purity of the chemicals, as well as the resistance and purity of the used materials, such as polytetrafluoroethylene (= PTFE) or Po lyvinylidene fluoride (= PVDF), and an absolute particle avoidance is a top priority.

In der Tauchtechnik werden die Wafer in Paketen zu mehreren Scheiben senkrecht in die Bäder mit den Chemikalien oder Spülmitteln eingetaucht. Durch Umwälzpumpen wird eine gerichtete Strömung von unten nach oben erzeugt. In dipping technology, the wafers are packaged into several slices immersed vertically in the baths with the chemicals or detergents. Circulation pumps create a directional flow from bottom to top generated.

Beim Ätzprozeß soll eine möglichst gleichmäßige Ätzhomogenität auf der Scheibenoberfläche erreicht werden. Wegen der Abriebprodukte in den notwendigen Antriebsteilen wird bisher auf eine Drehung der Silizium- Scheiben als Kompromiß verzichtet. Das Problem des Abriebs von beweg ten Teilen, vor allem als Funktion der Zeit, hat bei vielen Prozessen der Halbleitertechnik inzwischen ein so starkes Gewicht, daß auf die Drehung in weiten Bereichen der Vorprozesse verzichtet wird.In the etching process, the most uniform possible etching homogeneity on the Disk surface can be reached. Because of the abrasion products in the necessary drive parts has so far been based on a rotation of the silicon Discs waived as a compromise. The problem of abrasion from moving parts, especially as a function of time, has in many processes the Semiconductor technology has become so heavy that rotation is avoided in many areas of the preliminary processes.

Mehr noch steigen die Anforderungen an die Oberflächenqualität der Wa fer bei jedem neuen Schritt der Miniaturisierung oder des Einsatzes neuer Maschinen und Werkzeuge im Fabrikationsprozeß. Neue Verfahren der Oberflächenphysik, wie der Beschuß der Oberfläche mit unterkühlten oder gefrorenen Gaskristallen ("Schnee"), sollen die gewünschte Reinheit erzeu gen. Nachfolgende Spülprozesse mit deionisierten Wasser gehören auch heute noch zu den Standard-Reinigungsschritten.The requirements for the surface quality of the wa increase even more with every new step of miniaturization or the use of new ones Machines and tools in the manufacturing process. New procedures of Surface physics, such as bombarding the surface with supercooled or frozen gas crystals ("snow") are said to produce the desired purity Subsequent rinsing processes with deionized water also belong to the standard cleaning steps today.

Hochspezifische Ultraschall-Technologien werden eingesetzt, um über ge steuerte Kavitationsmechanismen beim Entstehen und Zerplatzen von Gas blasen die Effektivität der Flüssigkeitsreinigung gerade in den feinen Mi krostrukturen von 0,18 bis 0,25 µm weiter zu verbessern.Highly specific ultrasound technologies are used to ensure ge controlled cavitation mechanisms during the formation and bursting of gas blow the effectiveness of liquid cleaning especially in the fine Mi to further improve crostructures from 0.18 to 0.25 µm.

Trotz der immer wieder aufkommenden Diskussion über die baldige Ablö sung der naßchemischen Prozesse durch trocken ablaufende Verfahren, bleibt die Naßchemie vermutlich noch für längere Zeit der Schlüssel für die Waferbehandlung in den Vorstufen. Despite the ever-recurring discussion about the early replacement solution of wet chemical processes through dry processes, wet chemistry will probably remain the key for them for a long time to come Wafer treatment in the preliminary stages.

Ein Wunsch für die bisherigen Technologien ist die Drehung der Silizium- Scheiben, praktiziert allerdings bisher nur in den partikelunkritischen Pro zessen (spin etching, spin drying). Die technische Auslegung ist hier so gestaltet, daß die Silizium-Scheiben in einen Kunststoffkorb, einen soge nannten Wafer-Carrier, eingesetzt werden. An einer der gegenüberliegen den Außenseiten ist axial ein Zahnrad oder eine Mitnehmerrolle ange bracht. Beim Einsetzen des Korbes in den Behälter greift eine Antriebs- Einheit in das Zahnrad und dreht den Korb im Bad. Die Drehzahlen werden mit 1-60 min^-1 klein gehalten.A desire for the previous technologies is the rotation of the silicon wafers, but so far only practiced in the non-particle-critical processes (spin etching, spin drying). The technical design is designed so that the silicon wafers are inserted into a plastic basket, a so-called wafer carrier. On one of the opposite sides is axially a gear or a driving roller is introduced. When the basket is inserted into the container, a drive unit grips the gear and rotates the basket in the bathroom. The speeds are kept low at 1-60 min ^-1 .

Der Korb kann auch durch einen Käfig ersetzt werden, wobei die Silizium- Scheiben in drei oder vier geschlitzten Stäben gehalten werden. Die Stäbe können durch ein Getriebe einzeln oder als Gruppe gedreht werden und nehmen dabei die Scheiben bei der Drehung mit. Der Vorteil der Stabhalte rung ist die geringe Abschattung der Scheiben.The basket can also be replaced with a cage, the silicon Slices are held in three or four slotted rods. The bars can be rotated by a gear individually or as a group and take the disks with them when they rotate. The advantage of stick holding is the slight shading of the panes.

Bei allen bisher verwendeten Drehvorrichtungen für die Silizium-Scheiben in den verschiedenen Behandlungsschritten verursachen die verwendeten Teile, Zahnräder, Gleit- oder Rollenlager, einen starken Partikelabrieb. Aus diesen Gründen wird auf eine Drehung der Scheiben in konventioneller Art und Weise von den Halbleiterherstellern in kritischen Bereichen verzichtet, auch wenn damit Einbußen in der Homogenität der Behandlungsschritte hingenommen werden müssen.In all the turning devices used so far for the silicon disks used in the various treatment steps Parts, gears, slide or roller bearings, strong particle abrasion. Out For these reasons, the discs are rotated in a conventional manner and way dispensed by the semiconductor manufacturers in critical areas, even if this reduces the homogeneity of the treatment steps have to be accepted.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Vorrichtung zur Behand lung von Gegenständen bereitzustellen, bei der eine gleichmäßige Behand lung der Gegenstände bei gleichzeitiger höchster Reinheit gewährleistet ist. The invention has for its object a device for treatment To provide items with an even treatment the objects is guaranteed while maintaining the highest level of purity.

Die Aufgabe wird durch die Merkmale der Ansprüche 1 und 13 gelöst. Der Kern der Erfindung besteht darin, eine drehantreibbare Träger-Einrichtung berührungslos in supraleitenden Magnet-Lagern zu lagern. Die hierdurch erzielten Vorteile sind zahlreich. Die Lagerposition ist selbststabilisierend. Die Reibungsverluste, besonders bei hohen Drehzahlen sind sehr gering. Bis auf die Kühlung der Supraleiter ist kein Regelsystem der Lager erfor derlich, wodurch die Zuverlässigkeit erhöht wird. Die Welle und die ortsfe sten Lager-Teile können vakuumdicht voneinander abgedichtet werden, wodurch ein Eindringen des gegebenenfalls hochaggressiven Mediums in den ortsfesten Lager-Teil vermieden wird. Die Lagerung weist besondere Eigenschaften bei der Dämpfung von unerwünschten Schwingungen auf, die keiner eigenen Regelung bedürfen. Das Lager besitzt eine hohe Un wuchtunempfindlichkeit. Es ist wartungsfrei und besitzt eine hohe Lebens dauer.The object is solved by the features of claims 1 and 13. The The essence of the invention is a rotatably drivable carrier device Can be stored contact-free in superconducting magnetic bearings. The hereby The advantages achieved are numerous. The storage position is self-stabilizing. The friction losses, especially at high speeds, are very low. Except for the cooling of the superconductors, no control system for the bearings is required derlich, whereby the reliability is increased. The wave and the local Most bearing parts can be sealed from each other in a vacuum-tight manner, whereby penetration of the possibly highly aggressive medium into the fixed bearing part is avoided. The storage has special Properties when damping unwanted vibrations, that do not need their own regulation. The camp has a high Un immunity to balance. It is maintenance free and has a high life duration.

Der Vorteil der Vorrichtung gemäß Anspruch 2 besteht darin, daß die Welle einfach aus dem ortsfesten, zweiten Lager-Teil gehoben und ausge tauscht werden kann.The advantage of the device according to claim 2 is that the Simply lift the shaft out of the stationary, second bearing part and pull it out can be exchanged.

Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung ergeben sich aus den Unteransprüchen.Further advantageous embodiments of the invention result from the Subclaims.

Zusätzliche Merkmale und Vorteile der Erfindung ergeben sich aus der Be schreibung von sechs Ausführungsbeispielen anhand der Zeichnung. Es zeigen:Additional features and advantages of the invention result from the Be writing of six embodiments with reference to the drawing. It demonstrate:

Fig. 1 eine schematische perspektivische Ansicht der Erfindung gemäß ei ner ersten Ausführungsform, Fig. 1 is a schematic perspective view of the invention according ei ner first embodiment,

Fig. 2 eine Draufsicht auf die Erfindung gemäß der ersten Ausführungs form, Fig. 2 is a plan view of the invention according to the first form of execution,

Fig. 3 eine Schnittdarstellung gemäß der Schnittlinie III-III in Fig. 2, Fig. 3 is a sectional view according to the section line III-III in Fig. 2,

Fig. 4 eine Schnittdarstellung gemäß der Schnittlinie IV-IV in Fig. 2, Fig. 4 is a sectional view according to the section line IV-IV in Fig. 2,

Fig. 5 eine Teilansicht der Erfindung gemäß einer zweiten Ausführungs form, Fig 5 form. A partial view of the invention according to a second embodiment,

Fig. 6 eine Teilquerschnittsdarstellung der Erfindung gemäß einer dritten Ausführungsform, Fig. 6 is a partial cross-sectional view of the invention according to a third embodiment,

Fig. 7 eine Querschnittsdarstellung der Erfindung gemäß einer vierten Aus führungsform, Fig. 7 is a cross sectional view of the invention according to a fourth guide die off,

Fig. 8 eine Querschnittsdarstellung der Erfindung gemäß einer fünften Ausführungsform und Fig. 8 is a cross sectional view of the invention according to a fifth embodiment, and

Fig. 9 eine Querschnittsdarstellung der Erfindung gemäß einer sechsten Ausführungsform. Fig. 9 is a cross sectional view of the invention according to a sixth embodiment.

Eine erste Ausführungsform der Erfindung wird im folgenden unter Bezugs nahme auf die Fig. 1 bis 4 beschrieben. Eine Vorrichtung 1 dient der naß chemischen und gasförmigen Behandlung von Gegenständen, insbesondere von Silizium-Scheiben 2, die auch als Wafer bezeichnet werden, mit einem Medium 3. Die Vorrichtung 1 weist einen mit dem Medium 3 gefüllten oder zu füllenden Behälter 4 auf, in dem eine Träger-Einrichtung 5 zur Aufnahme der Silizium-Scheiben 2 drehbar angeordnet ist. Die Träger- Einrichtung 5 ist in zwei an den Stirnseiten 6, 7 des Behälters 4 angeord neten Lagerblöcken 8, 9 gelagert. Hierzu sind an den gegenüberliegenden Seiten der Träger-Einrichtung 5 konzentrisch zu einer im wesentlichen ho rizontal verlaufenden Drehachse 10 ein Wellen-Stumpf 11 und ein Wellen- Antriebs-Stumpf 12 vorgesehen, welche zusammen eine Welle bilden. Der Wellen-Stumpf 11 und der Wellen-Antriebs-Stumpf 12 sind in in den La gerblöcken 8 bzw. 9 vorgesehenen Lagern 13 bzw. 14 magnetisch gelagert. In dem Lagerblock 9 ist ferner eine Antriebs-Einheit 15 zum Drehantrieb der Welle vorgesehen.A first embodiment of the invention will be described below with reference to FIGS . 1 to 4. A device 1 is used for the wet chemical and gaseous treatment of objects, in particular silicon wafers 2 , which are also referred to as wafers, with a medium 3 . The device 1 has a container 4 filled or to be filled with the medium 3 , in which a carrier device 5 for receiving the silicon wafers 2 is rotatably arranged. The carrier device 5 is mounted in two on the end faces 6 , 7 of the container 4 angeord Neten bearing blocks 8 , 9 . For this purpose, a shaft stump 11 and a shaft drive stub 12 are provided on the opposite sides of the carrier device 5 concentrically with an essentially ho horizontal axis of rotation 10 , which together form a shaft. The shaft stump 11 and the shaft drive stump 12 are magnetically supported in the bearing blocks 13 and 14 provided in the bearing blocks 8 and 9 , respectively. A drive unit 15 for rotating the shaft is also provided in the bearing block 9 .

Der Behälter 4 entspricht den zur Behandlung von Silizium-Scheiben 2 bekannten Behältern und ist aus einem hochkorrosionsbeständigen Kunst stoff gefertigt. Die Behälter 4 können in Form eines Beckens zur Flüssig keitsbehandlung oder einer Kammer zur Gas- oder Sprühbehandlung aus gebildet sein. Zusätzlich ist der Behälter 4 auf seiner Innenseite mit einem Behälter-Überzug 16 aus einem säureresistenten und chemisch möglichst inerten Material, insbesondere PTFE oder PVDF versehen. Als Medium 3 werden in Abhängigkeit von dem Bearbeitungsschritt, dem die Silizium- Scheiben 2 unterworfen werden sollen, verschiedene flüssige oder gasför mige Substanzen verwendet.The container 4 corresponds to the known for the treatment of silicon wafers 2 and is made of a highly corrosion-resistant plastic. The container 4 can be formed in the form of a basin for liquid treatment or a chamber for gas or spray treatment. In addition, the inside of the container 4 is provided with a container covering 16 made of an acid-resistant and chemically inert material, in particular PTFE or PVDF. Depending on the processing step to which the silicon wafers 2 are to be subjected, various liquid or gaseous substances are used as the medium 3 .

Die Träger-Einrichtung 5 weist jeweils stirnseitig konzentrisch zur Dreh achse 10 angeordnete, zueinander parallele Träger-Scheiben 17, 18 auf, welche entlang ihres Umfangs über parallel zur Drehachse 10 verlaufende Träger-Stäbe 19 verbunden sind. Die Träger-Stäbe 19 weisen Schlitze 20 auf, in die die Silizium-Scheiben 2 eingreifen und somit gehalten werden. The support means 5 has a respective end face concentrically to the axis of rotation 10 arranged mutually parallel carrier disks 17, 18 which are connected along its circumference via extending parallel to the axis of rotation 10 support rods 19th The carrier rods 19 have slots 20 in which the silicon wafers 2 engage and are thus held.

Es sind mindestens drei Träger-Stäbe 19 vorgesehen. Es können jedoch auch zusätzlich weitere Träger-Stäbe 19 vorgesehen sein. Zur Bestückung der Träger-Einrichtung 5 mit Silizium-Scheiben 2 können ein oder mehrere Träger-Stäbe 19 entfernt werden. Die in der Träger-Einrichtung 5 fixierten Silizium-Scheiben 2 sind konzentrisch zur Drehachse 10 und parallel zu einander angeordnet. Hierdurch wird bei einer Drehung der Träger- Einrichtung 5 um die Drehachse 10 in dem Medium 3 sichergestellt, daß die Oberflächen der Silizium-Scheiben 2 möglichst gleichmäßig dem Me dium 3 ausgesetzt werden und so keine Inhomogenitäten oder Fehlstellen entstehen. Es können auch andere bekannte, unter anderem eingangs be schriebene Träger-Einrichtungen verwendet werden. Die Lagerblöcke 8, 9 sind gegenüber einem Maschinen-Boden 21 abgestützt. Die Lager 13 und 14, die im wesentlichen gleich ausgebildet sind, weisen ein konzentrisch zur Drehachse 10 auf dem Wellen-Stumpf 11 bzw. dem Wellen-Antriebs- Stumpf 12 vorgesehenes erstes Lager-Teil 22 auf. In den Lagerblöcken 8 und 9 sind die ersten Lager-Teile 22 teilweise, insbesondere zu 50%, um gebende, durch einen Lager-Spalt 23 voneinander getrennte zweite Lager- Teile 24 vorgesehen. Der Lager-Spalt 23 weist typischerweise eine Breite von 0,5 bis 10 mm auf.At least three support rods 19 are provided. However, additional support rods 19 can also be provided. One or more support rods 19 can be removed to equip the support device 5 with silicon wafers 2 . The silicon wafers 2 fixed in the carrier device 5 are arranged concentrically to the axis of rotation 10 and parallel to one another. Hereby is ensured device 5 upon rotation of the carrier about the rotational axis 10 in the fluid 3 that the surfaces of the silicon wafers 2 uniformly exposed to the Me dium 3 as possible and so no inhomogeneities or defects occur. It is also possible to use other known carrier devices, including those described at the beginning. The bearing blocks 8 , 9 are supported against a machine base 21 . The bearings 13 and 14 , which are of essentially the same design, have a first bearing part 22 provided concentrically with the axis of rotation 10 on the shaft stump 11 and the shaft drive stump 12 . In the bearing blocks 8 and 9 , the first bearing parts 22 are partially, in particular 50%, provided second bearing parts 24 which are separated from one another by a bearing gap 23 . The bearing gap 23 typically has a width of 0.5 to 10 mm.

Das erste Lager-Teil 22 weist den Wellen-Antriebs-Stumpf 12 konzentrisch umgebende, mit diesem verbundene, entlang der Drehachse 10 benachbart angeordnete, permanente Ringmagnete 25 auf, wobei jeweils einander be nachbart angeordnete Ringmagnete 25 entweder ein anziehende (entgegen gesetzte magnetische Polung) oder eine abstoßende Kraft (gleiche Pole) oder eine Kombination aufweisen, so daß entlang der Drehachse 10 bei spielsweise eine Abfolge entsteht S, N; N, S; S, N; N, S; . . ., wobei N für den magnetischen Nordpol und S für den magnetischen Südpol steht. Die Ringmagnete 25 sind aus SmCo, Sm₂Co₁₇ oder NdFeB hergestellt. Letzte res erreicht die höchsten Energiedichten und einen Remanenzwert von 1,4 Tesla. Es können jedoch auch andere Materialien verwendet werden, die als Permanentmagnete einen großen Magnetfluß besitzen. Zwischen den Ringmagneten 25 sind Ringscheiben 26 mit großer Permeabilität vorgese hen, so daß der magnetische Fluß im Lager-Spalt 23 im wesentlichen senk recht zur Drehachse 10 verläuft. Die Ringscheiben 26 weisen typischerwei se eine Dicke von 1 bis 2 mm auf. Das erste Lager-Teil 22 ist zum Schutz gegen das im Lager-Spalt 23 befindliche Medium 3 mit einem Schutz- Überzug 27 versehen, der aus demselben Material hergestellt ist, wie der Behälter-Überzug 16. Die Ringmagnete 25, die Ringscheiben 26 sowie die Stumpfe 11, 12 kommen somit mit dem Medium 3 nicht in Berührung.The first bearing part 22 has the shaft drive stub 12 concentrically surrounding, connected to it, connected along the axis of rotation 10, arranged next to it, permanent ring magnets 25 , ring magnets 25 being arranged next to one another either having an attractive (opposite magnetic polarity) or have a repulsive force (same poles) or a combination, so that along the axis of rotation 10, for example, a sequence arises S, N; N, S; S, N; N, S; , , ., where N stands for the magnetic north pole and S for the magnetic south pole. The ring magnets 25 are made of SmCo, Sm ₂ Co ₁₇ or NdFeB. The last res reaches the highest energy densities and a remanence value of 1.4 Tesla. However, other materials can also be used which have a large magnetic flux as permanent magnets. Between the ring magnet 25 are annular discs 26 vorgese with large permeability, so that the magnetic flux in the bearing gap runs hen 23 is substantially perpendicular to the rotation axis rather 10th The washers 26 typically have a thickness of 1 to 2 mm. The first bearing part 22 is provided with a protective cover 27 , which is made of the same material as the container cover 16 , to protect against the medium 3 located in the bearing gap 23 . The ring magnets 25 , the ring disks 26 and the stumps 11 , 12 thus do not come into contact with the medium 3 .

Die zweiten Lager-Teile 24 weisen jeweils eine aus einem supraleitenden Material gebildete, nach oben offene, parallel zur Drehachse 10 verlaufen de Lager-Halbschale 28 auf, welche zur Aufrechterhaltung des supraleiten den Zustands von einem Kühl-Mantel 28a umgeben ist, welcher mit einer Kühl-Einrichtung 29 über eine Wärme-Abführ-Leitung 30 verbunden ist. Bei dem supraleitenden Material handelt es sich um einen schmelztextu rierten Hochtemperatursupraleiter der Zusammensetzung ReBa₂Cu₃O_x, wo bei Re = Sm, Nd, Y ist. Die Herstellung schmelztexturierter Hochtempera tursupraleiter ist in Werfel, Flögel - Delor, Wippich, "YBaCuO Large Scale Melt Texturing in a Temperature Gradiant", Inst. Phys. Conf. Ser. No. 158, S. 821 ff., 1997 beschrieben, auf das hiermit verwiesen wird. Die kritische Stromdichte ist größer als 30 kA/cm². Die Korngrößen und Korngrenzen erzeugen im Material besondere Hysterese- und Dämpfungseigenschaften. Die Hochtemperatursupraleiter-Materialien weisen Kristalle mit einer radi al ähnlichen Textur und eine Sprungtemperatur von bis zu 92 Kelvin (entspr. -181°C) auf, so daß die Supraleiter-Materialien auch durch flüssi gen Stickstoff unterhalb der Sprungtemperatur gehalten werden können. Es können auch andere Supraleiter-Materialien verwendet werden.The second bearing parts 24 each have a formed from a superconducting material, open at the top, parallel to the axis of rotation 10 de bearing half-shell 28 , which is to maintain the superconducting the condition of a cooling jacket 28 a, which is surrounded with a cooling device 29 is connected via a heat dissipation line 30 . The superconducting material is a melt-textured high-temperature superconductor of the composition ReBa ₂ Cu ₃ O _x , where Re = Sm, Nd, Y. The manufacture of melt-textured high-temperature superconductors is in Werfel, Flögel-Delor, Wippich, "YBaCuO Large Scale Melt Texturing in a Temperature Gradiant", Inst. Phys. Conf. Ser. No. 158, pp. 821 ff., 1997, to which reference is hereby made. The critical current density is greater than 30 kA / cm ² . The grain sizes and grain boundaries create special hysteresis and damping properties in the material. The high-temperature superconductor materials have crystals with a radi al-like texture and a transition temperature of up to 92 Kelvin (equivalent to -181 ° C), so that the superconductor materials can also be kept below the transition temperature by liquid nitrogen. Other superconductor materials can also be used.

Die Kühl-Einrichtung 29 weist einen geschlossenen Kryostaten auf, der nach dem Stirlingprinzip arbeitet. Es ist auch möglich, Kältemaschinen vorzusehen, die nach dem Gifford-McMahon- oder dem Pulse-Tube- Verfahren arbeiten. Die Wärme-Abführ-Leitung 30 und der Kühl-Mantel 28a bestehen aus einem sehr gut wärmeleitenden Material, insbesondere Kupfer. Die Lager-Halbschale 28, der Kühl-Mantel 28a und die Wärme- Abführ-Leitung 30 sind durch einen Zwischen-Raum 31 getrennt von ei nem in dem Lagerblock 8 bzw. 9 eingebetteten Zwischen-Gehäuse 32 um geben. Zur Erhöhung der Isolation der Lager-Halbschale 28 gegenüber der Umgebung ist der Zwischen-Raum 31 evakuiert. Der Gas-Restdruck im Zwischen-Raum 31 ist kleiner als 10^-2 Pascal. Zur Absorption von Rest gasmolekülen sind in dem Kühl-Mantel 28a Aktivkohle-Zellen 33 vorgese hen, die durch die Absorption von Gasmolekülen beim Abkühlen die Qua lität des Vakuums erhöhen. Das zweite Lager-Teil 24 und insbesondere die Lager-Halbschale 28 weisen einen U-förmigen Querschnitt mit einer Ver tiefung 34 auf, die das erste Lager-Teil 22 aufnimmt. Zumindest im Bereich der Vertiefung 34 weist das Zwischen-Gehäuse 32 einen Schutz-Überzug 35 auf, der aus demselben Material besteht, wie der Schutz-Überzug 27. Zur präzisen Aufrechterhaltung der Form des Lager-Spalts 23 sowie des einen Teil des Zwischen-Raums 31 bildenden Vakuum-Spalts 36 zwischen Schutz-Überzug 35 und Lager-Halbschale 28 ist das Zwischen-Gehäuse 32 in diesem Bereich mit einer Stützschicht 37 versehen, welche aus einem glasfaserverstärkten oder kohlefaserverstärkten Kunststoff besteht. Durch diese Anordnung ist es möglich, im Bereich des Lagerspalts über eine Strecke von wenigen Millimetern eine Isolation für einen Temperaturgra dienten von 250 Kelvin und mehr aufrechtzuerhalten, so daß zum einen die supraleitende Lager-Halbschale 28 unterhalb der Sprungtemperatur gehal ten wird und zum anderen das Medium 3 im Lager-Spalt 23 nicht einfriert.The cooling device 29 has a closed cryostat that works according to the Stirling principle. It is also possible to provide chillers that operate according to the Gifford-McMahon or the Pulse-Tube method. The heat dissipation line 30 and the cooling jacket 28 a consist of a very good heat-conducting material, in particular copper. The bearing half-shell 28 , the cooling jacket 28 a and the heat dissipation line 30 are separated by an intermediate space 31 from egg nem embedded in the bearing block 8 and 9 intermediate housing 32 to give. The intermediate space 31 is evacuated to increase the insulation of the bearing half-shell 28 from the surroundings. The residual gas pressure in the intermediate space 31 is less than 10 ^-2 Pascal. For the absorption of residual gas molecules 28 a activated carbon cells 33 are provided in the cooling jacket, which increase the quality of the vacuum by the absorption of gas molecules when cooling. The second bearing part 24 and in particular the bearing half-shell 28 have a U-shaped cross section with a recess 34 which receives the first bearing part 22 . At least in the area of the recess 34 , the intermediate housing 32 has a protective cover 35 which is made of the same material as the protective cover 27 . In order to maintain the shape of the bearing gap 23 as well as the vacuum gap 36 between the protective covering 35 and the bearing half-shell 28 forming part of the intermediate space 31 , the intermediate housing 32 is provided with a support layer 37 in this area consists of a glass fiber reinforced or carbon fiber reinforced plastic. This arrangement makes it possible to maintain insulation for a temperature gradient of 250 Kelvin and more in the area of the bearing gap over a distance of a few millimeters, so that on the one hand the superconducting bearing half-shell 28 is kept below the crack temperature and on the other hand that Medium 3 in the storage gap 23 does not freeze.

Die benachbart zum Lager 14 angeordnete Antriebs-Einheit 15 weist einen in einem Stator-Block 38 angeordneten Stator 39 sowie einen mit dem Wellen-Antriebs-Stumpf 12 einteilig ausgebildeten Rotor 40 auf. Der Stator 39 weist einen im Querschnitt kreissektorförmigen nach oben offenen Spulen-Kern 41 mit radial zur Drehachse 10 nach innen vorstehenden Spulen-Zapfen 42, die einteilig mit dem Spulen-Kern 41 ausgebildet sind, auf. Die Spulen-Zapfen 42 sind von Antriebs-Spulen 43 mit Anschlüssen 44 derart umwickelt, daß die durch die Antriebs-Spulen 43 erzeugten Ma gnetfelder im wesentlichen radial zur Drehachse 10 verlaufen. Die An schlüsse 44 sind in bekannter Weise mit einer Stromversorgungs-/Steuer- Einrichtung verbunden. Der Rotor 40 weist einen den Stumpf 12 konzen trisch umgebenden Rotor-Mantel 45 auf, in den permanente Stab-Magnete 46 mit abwechselnder Polung eingesetzt sind, so daß entlang des Umfangs eine Polungsfolge N, S, N, S, . . . entsteht. Die durch die permanenten Stab- Magnete 46 erzeugten Magnetfelder verlaufen im wesentlichen radial zur Drehachse 10. Als Material für die Stab-Magneten 46 kann dasselbe Mate rial wie für die Ringmagneten 25 gewählt werden. Der Rotor 40 kann einen Kurzschlußläufer tragen. Die elektrische Ansteuerung der einander benach barten Antriebs-Spulen 43 erfolgt in zeitlicher Abfolge in der Weise, daß das durch eine Antriebs-Spule 43 erzeugte Magnetfeld den Rotor 40 in ei ner Dreh-Richtung 47 abstößt und gleichzeitig das durch die in Dreh- Richtung 47 nachgeordnete Antriebs-Spule 43 erzeugte Magnetfeld den Rotor 40 anzieht. Auf diese Weise wird ein Drehmoment auf den Rotor 40 übertragen. Dieses Prinzip ist von normalen Drehstrom-Motoren bekannt. Alternativ kann auch ein anderer Drehstrom-Antrieb verwendet werden, mit der Besonderheit, daß die Antriebsspule einseitig offen ist, so daß der Wellen-Antriebs-Stumpf 12 nach oben herausgenommen werden kann.The drive unit 15 arranged adjacent to the bearing 14 has a stator 39 arranged in a stator block 38 and a rotor 40 formed in one piece with the shaft drive stump 12 . The stator 39 has a coil core 41 which is open at the top in the shape of a sector of a circle, with coil pins 42 which project radially inwards to the axis of rotation 10 and which are formed in one piece with the coil core 41 . The coil pin 42 are wrapped by drive coils 43 with connections 44 such that the magnetic fields generated by the drive coils 43 extend essentially radially to the axis of rotation 10 . The connections 44 are connected in a known manner to a power supply / control device. The rotor 40 has a stump 12 concentrically surrounding rotor jacket 45 , in the permanent bar magnets 46 are used with alternating polarity, so that a polarity sequence N, S, N, S, along the circumference. , , arises. The magnetic fields generated by the permanent bar magnets 46 run essentially radially to the axis of rotation 10 . As the material for the bar magnets 46 , the same material can be chosen as for the ring magnets 25 . The rotor 40 can carry a squirrel-cage rotor. The electrical control of the mutually neigh disclosed drive coils 43 takes place in chronological order in such a way that the magnetic field generated by a drive coil 43 repels the rotor 40 in a direction of rotation 47 and at the same time by the in the direction of rotation 47 Subordinate drive coil 43 generated magnetic field attracts the rotor 40 . In this way, torque is transmitted to the rotor 40 . This principle is known from normal three-phase motors. Alternatively, another three-phase drive can also be used, with the special feature that the drive coil is open on one side, so that the shaft drive stump 12 can be removed upwards.

Im folgenden wird die Funktionsweise der Vorrichtung 1 beim Betrieb und insbesondere die Funktionsweise der Lager 13 und 14 beschrieben. An fänglich befindet sich die Einheit aus Träger-Einrichtung 5 sowie Wellen- Stumpf 11 und Wellen-Antriebs-Stumpf 12 von einem Roboterarm (nicht gezeigt) gehalten außerhalb des Behälters 4 und der zweiten Lager-Teile 24. In dieser Position wird die Träger-Einrichtung 5 mit Silizium-Scheiben 2 bestückt, indem ein oder mehrere Stäbe 19 entfernt, die Silizium- Scheiben 2 eingesetzt und anschließend die Silizium-Scheiben 2 durch Schließen der Träger-Stäbe 19 arretiert werden. Nun wird die Einheit aus Träger-Einrichtung 5 sowie Wellen-Stumpf 11 und Wellen-Antriebs- Stumpf 12 durch den Roboterarm in die in Fig. 2 gezeigte Position gehoben und mechanisch in einer sogenannten Einfrier-Position gehalten. Anschlie ßend werden die Lager-Halbschalen 28 auf eine Temperatur unterhalb der Sprungtemperatur des supraleitenden Materials abgekühlt. Danach wird die Träger-Einrichtung 5 durch den Roboterarm freigegeben und "schwebt" getrennt durch einen Lager-Spalt 23 in den zweiten Lager-Teilen 24. Dies ist die Folge einer diamagnetischen Wechselwirkung, daß unter dem Ein fluß eines äußeren Magnetfelds in der supraleitenden Lager-Halbschale 28 charakteristische Ströme angeworfen werden, die einen genau entgegenge richteten Magnetfluß erzeugen. Da die angeworfenen Ströme im wesentli chen widerstandslos kontinuierlich fließen und selber wiederum ein ge genläufiges Magnetfeld erzeugen, welches das Magnetfeld der Ringma gnete 25 abstößt, arbeitet das System im wesentlichen leistungslos. Auf diese Weise stoßen sich das erste Lager-Teil 22 und das zweite Lager-Teil 24 voneinander ab. Veränderungen der Position erzeugen rücktreibende magnetische Kräfte. Durch die Anordnung mehrerer Ringmagnete 25 ent lang der Drehachse 10 ist die Welle mit einer Steifigkeit sowohl axial als auch radial bezüglich der Drehachse 10 gelagert. Die Lager 13, 14 besitzen eine axiale und radiale Lagersteifigkeit von jeweils mehr als 80 N/mm, ins besondere von über 200 N/mm. Verschiebungen in axialer oder radialer Richtung erzeugen durch die Fixierung des Magnetflusses im Supraleiter, dem sogenannten Pinningeffekt, Gegenkräfte mit der Tendenz zur Rück stellung des ersten Lager-Teils 22 in die Ausgangslage, was als Schlüssel- Schloß-Prinzip bezeichnet wird. Dies erklärt die hohe Lagersteifigkeit und automatische Zentrierung des ersten Lager-Teils 22 relativ zum zweiten Lager-Teil 24. Die Lager 13, 14 dämpfen Schwingungen der Welle in ei nem Frequenzbereich von 0,1 Hz bis 1 kHz. Die Lagerung erlaubt Dreh zahlen von bis zu 10 000 min^-1. Das Gewicht der gelagerten Einheit kann 20 kg und mehr betragen. Durch die berührungslose Lagerung unterliegen die Lager 13, 14 keinem Verschleiß. Die Lager 13, 14 besitzen eine intrinsi sche Dämpfungscharakteristik, da geringe Änderungen des Magnetflusses etwa in der radialen Magnetisierung der Ringmagnete 25 im supraleitenden Material Wirbelströme und Bewegungen des Vortexgitters erzeugen. Die entstehenden Energien werden im Supraleiter freigesetzt und dämpfen so mit Oszillationen der Welle. Die Lager 13, 14 funktionieren passiv, d. h. ohne elektronische Regelung, und sind damit ausfallsicher und wartungs frei. In einer weiteren Methode zum Entfernen der Einheit aus Träger- Einrichtung 5 sowie Stümpfen 11, 12 wird die Kühl-Einrichtung 29 der Lager-Halbschalen 28 kurzzeitig deaktiviert, nachdem diese Einheit durch einen Roboterarm erfaßt worden ist. Die Temperatur der Lager-Halbscha len 28 steigt in die Nähe der Sprungtemperatur. Damit einher geht eine Re duktion der magnetischen Kräfte, ohne daß der Schwebezustand der Einheit beeinträchtigt wird, welche jetzt leichter aus den zweiten Lager-Teilen 24 herausgehoben werden kann, um die bearbeiteten Silizium-Scheiben 2 zu entfernen. Der besondere praktische Wert liegt in der einfachen Entfernung und Wiedereinsetzung der Trägereinrichtung 5 in die Lager-Teile 24. Hier zu bedarf es keiner Schalt- oder Regelfunktionen im Lagerbereich.The operation of the device 1 during operation and in particular the operation of the bearings 13 and 14 are described below. At the beginning, the unit consisting of carrier device 5 and shaft stump 11 and shaft drive stump 12 is held by a robot arm (not shown) outside the container 4 and the second bearing parts 24 . In this position, the carrier device 5 is equipped with silicon wafers 2 by removing one or more rods 19 , inserting the silicon wafers 2 and then locking the silicon wafers 2 by closing the carrier rods 19 . Now the unit consisting of carrier device 5 and shaft stump 11 and shaft drive stump 12 is lifted into the position shown in FIG. 2 by the robot arm and mechanically held in a so-called freezing position. The bearing half-shells 28 are then cooled to a temperature below the transition temperature of the superconducting material. The carrier device 5 is then released by the robot arm and “floats” separated by a bearing gap 23 in the second bearing parts 24 . This is the result of a diamagnetic interaction that under the flow of an external magnetic field in the superconducting bearing half-shell 28 characteristic currents are thrown, which produce a magnetic flux directed in the opposite direction. Since the applied currents essentially flow continuously without resistance and in turn generate a ge opposing magnetic field which repels the magnetic field of the ring magnet 25 , the system operates essentially without power. In this way, the first bearing part 22 and the second bearing part 24 repel each other. Changes in position generate magnetic forces that drive back. By arranging a plurality of ring magnets 25 ent along the axis of rotation 10 , the shaft is mounted with a rigidity both axially and radially with respect to the axis of rotation 10 . The bearings 13 , 14 have an axial and radial bearing rigidity of more than 80 N / mm, in particular of more than 200 N / mm. Displacements in the axial or radial direction generate counter-forces with the tendency to return the first bearing part 22 to the starting position by fixing the magnetic flux in the superconductor, the so-called pinning effect, which is referred to as the key and lock principle. This explains the high bearing rigidity and automatic centering of the first bearing part 22 relative to the second bearing part 24 . The bearings 13 , 14 dampen vibrations of the shaft in a frequency range from 0.1 Hz to 1 kHz. The storage allows speeds of up to 10,000 min ^-1 . The weight of the stored unit can be 20 kg and more. Due to the contactless mounting, the bearings 13 , 14 are not subject to wear. The bearings 13 , 14 have an intrinsic damping characteristic, since slight changes in the magnetic flux, for example in the radial magnetization of the ring magnets 25 in the superconducting material, produce eddy currents and movements of the vortex grating. The resulting energies are released in the superconductor and dampen with oscillations of the wave. The bearings 13 , 14 function passively, ie without electronic control, and are therefore fail-safe and maintenance-free. In a further method for removing the unit from the carrier device 5 and dies 11 , 12 , the cooling device 29 of the bearing half-shells 28 is deactivated briefly after this unit has been detected by a robot arm. The temperature of the half-bearings 28 rises close to the crack temperature. This goes hand in hand with a reduction of the magnetic forces without affecting the floating state of the unit, which can now be more easily lifted out of the second bearing parts 24 in order to remove the processed silicon wafers 2 . The particular practical value lies in the simple removal and reinstallation of the carrier device 5 in the bearing parts 24 . No switching or control functions are required in the storage area.

Durch die berührungs- und reibungsfrei arbeitenden Lager 13, 14 wird die sonst durch Lagerabrieb entstehende Zahl von Fremdpartikeln im Medium 3, welche die Qualität der Silizium-Scheiben 2 beeinträchtigen, stark redu ziert. Somit kann für die Silizium-Scheiben 2 eine rotierende Behandlung durchgeführt werden, welche den Vorteil einer hohen Homogenität der ab laufenden flüssigen, festen oder gasförmigen Prozesse auf der Oberfläche der Silizium-Scheiben 2 besitzt. Ein weiterer Vorteil der Drehung der Sili zium-Scheiben 2 liegt in der Vermeidung von Bläschenhaftung auf der Oberfläche, welche sonst dazu führt, daß die flüssigen oder gasförmigen Medien an dieser Stelle die Oberfläche nicht angreifen können und Fehl stellen entstehen.The contact-free and friction-free bearings 13 , 14 greatly reduce the number of foreign particles in the medium 3 , which otherwise result from bearing abrasion, and which impair the quality of the silicon wafers 2 . A rotating treatment can thus be carried out for the silicon wafers 2 , which has the advantage of a high degree of homogeneity of the liquid, solid or gaseous processes running on the surface of the silicon wafers 2 . Another advantage of the rotation of the silicon disks 2 is the avoidance of bubble adhesion on the surface, which otherwise leads to the liquid or gaseous media at this point not being able to attack the surface and causing defects.

Im folgenden wird unter Bezugnahme auf Fig. 5 eine zweite Ausführungs form der Erfindung beschrieben. Identische Teile werden mit denselben Bezugszeichen wie in der ersten Ausführungsform versehen; verschiedene, jedoch funktionell gleichartige Teile werden mit denselben Bezugszeichen mit einem hochgesetzten Strich versehen. Ansonsten wird auf die Be schreibung zum ersten Ausführungsbeispiel verwiesen. Die zweite Ausführungsform unterscheidet sich von der ersten Ausführungform lediglich durch den Aufbau der Antriebs-Einheit 15'. Am in Fig. 5 rechten Ende des Wellen-Antriebs-Stumpfes 12' ist eine senkrecht zur Drehachse 10 verlau fende Hysterese-Scheibe 48 aus einem Material mit einer ausgeprägten Hy sterese-Kurve vorgesehen. Benachbart hierzu ist eine über eine Stütze 49 gegenüber dem Maschinen-Boden 21 abgestützte, konzentrisch zur Dreh achse 10 verlaufende, als Spulen-Ring 50 ausgebildete Spulen-Einheit mit Drehstromwicklung vorgesehen. Der Spulen-Ring 50 weist einen Ring- Kern 51 auf, welcher an verschiedenen, gleichmäßig über den Ring-Kern 51 verteilten Positionen mit Antriebs-Spulen 43' umwickelt ist. Zum Schutz vor dem Medium 3 sind Ring-Kern 51 und Antriebs-Spulen 43' mit einem Schutz-Überzug 52 versehen, welcher aus demselben Material gefertigt ist, wie der Schutz-Überzug 27. Selbiges gilt für den Stumpf 12' und die Schei be 48. Die Funktionsweise eines derartigen Antriebs ist bekannt. Beim Ummagnetisieren von hysteretischem Eisen tritt zwischen erregender ma gnetischer Feldstärke und magnetischer Induktion eine Phasenverschiebung auf. Diese hängt mit der geometrischen Form der Hysterese-Schleife zu sammen und hängt darüber hinaus von der Amplitude der Wechselerregung ab. Dieses Prinzip macht sich der Hysterese-Antrieb gemäß Fig. 5 zunutze. Die Hysterese-Scheibe 48 ist als massive Scheibe ausgebildet und läßt sich gut ummanteln. Es ist auch möglich, die Hysterese-Scheibe 48 als Rohr auszubilden. Im Anlauf verhält sich der Hysterese-Antrieb wie ein Asyn chronmotor; ist die Nenndrehzahl erreicht, ergibt sich ein Synchronlauf. Der Vorteil dieses Antriebs besteht vor allem darin, daß keine Stab-Mag neten 46 benötigt werden und ein Synchronantrieb aufgebaut werden kann.A second embodiment of the invention will be described below with reference to FIG. 5. Identical parts are given the same reference numerals as in the first embodiment; Different, but functionally similar parts are provided with the same reference symbols with a prime. Otherwise, reference is made to the description of the first embodiment. The second embodiment differs from the first embodiment only in the construction of the drive unit 15 '. At the right in Fig. 5 end of the shaft drive stub 12 'a perpendicular to the axis of rotation 10 duri fende hysteresis disk 48 is provided made of a material with a pronounced Hy steresis curve. Adjacent to this is a support 49 with respect to the machine base 21 , which is concentric with the axis of rotation 10 and is designed as a coil ring 50 and is provided with a three-phase winding coil unit. The coil ring 50 has a ring core 51 , which is wrapped with drive coils 43 ′ at various positions evenly distributed over the ring core 51 . To protect against the medium 3 , the ring core 51 and drive coils 43 ′ are provided with a protective cover 52 , which is made of the same material as the protective cover 27 . The same applies to the stump 12 'and the disc 48 . The operation of such a drive is known. When re-magnetizing hysteretic iron, a phase shift occurs between exciting magnetic field strength and magnetic induction. This depends on the geometric shape of the hysteresis loop and also depends on the amplitude of the alternating excitation. The hysteresis drive according to FIG. 5 makes use of this principle. The hysteresis disc 48 is designed as a solid disc and can be encased well. It is also possible to design the hysteresis disk 48 as a tube. When starting up, the hysteresis drive behaves like an asynchronous chronomotor; once the nominal speed has been reached, synchronous operation results. The main advantage of this drive is that no rod mag nets 46 are required and a synchronous drive can be built.

Im folgenden wird unter Bezugnahme auf Fig. 6 eine dritte Ausführungs form der Erfindung beschrieben. Identische Teile erhalten dieselben Be zugszeichen wie in der ersten Ausführungsform; verschiedene, jedoch funktionell gleichwertige Teile erhalten dieselben Bezugszeichen mit zwei hochgesetzten Strichen. Ansonsten wird auf die Beschreibung des ersten Ausführungsbeispiels verwiesen. Der zentrale Unterschied der dritten Aus führungsform gegenüber der ersten Ausführungsform besteht darin, daß die Drehachse 10 nicht horizontal, sondern vertikal verläuft. In dem Lager block 8" ist das zweite Lagerteil 24" vorgesehen, welches wie das Lager- Teil 24 der ersten Ausführungsform aufgebaut ist. Der einzige Unterschied besteht darin, daß anstelle einer Lager-Halbschale 28 eine Lager-Scheibe 53 aus einem supraleitenden Material vorgesehen ist. Oberhalb dieser ist der Behälter 4" angeordnet, in dem die Träger-Einrichtung 5" mit vertikal verlaufender Drehachse 10 angeordnet ist. Am in Fig. 6 unteren Ende der Träger-Einrichtung 5" ist das erste Lager-Teil 22" vorgesehen, welches konzentrisch zueinander verlaufende, parallel zu der Drehachse 10 magne tisierte Ringmagnete 25" aufweist. Es können mehr als zwei konzentrische Ringmagnete 25" vorgesehen sein. Die Magnetisierung jeweils benachbar ter Ringmagnete 25" ist abwechselnd. Zwischen den Ringmagneten 25" können zusätzlich Ringscheiben 26" mit geringer Permeabilität vorgesehen sein. Das Lager 13" weist sowohl axiale als auch radiale Lagersteifigkeit auf. Zum Antrieb der Träger-Einrichtung 5" ist an dem in Fig. 6 nicht dar gestellten oberen Ende der Träger-Einrichtung 5" eine Antriebs-Einheit 15' vorgesehen, wie sie in der zweiten Ausführungsform beschrieben ist. Zum Entfernen der Träger-Einheit 5" aus dem Behälter 4" wird der Spulen-Ring 50 quer zur Drehachse 10 verschwenkt, so daß die Träger-Einrichtung 5" nach oben aus dem Behälter 4" gezogen werden kann.A third embodiment of the invention will be described below with reference to FIG. 6. Identical parts are given the same reference numerals as in the first embodiment; Different, but functionally equivalent parts are given the same reference numerals with two prime lines. Otherwise, reference is made to the description of the first exemplary embodiment. The central difference from the third imple mentation form over the first embodiment is that the axis of rotation 10 is not horizontal, but vertical. In the bearing block 8 ", the second bearing part 24 " is provided, which is constructed like the bearing part 24 of the first embodiment. The only difference is that instead of a bearing half-shell 28, a bearing disc 53 made of a superconducting material is provided. Above this, the container 4 "is arranged, in which the carrier device 5 " with the vertically extending axis of rotation 10 is arranged. The first bearing part 22 "is provided at the lower end of the carrier device 5 " in FIG. 6 and has ring magnets 25 "which are concentric to one another and magnetized parallel to the axis of rotation 10. More than two concentric ring magnets 25 " can be provided his. The magnetization of each adjacent ring magnet 25 "is alternating. Between the ring magnets 25 ", additional ring disks 26 "with low permeability can be provided. The bearing 13 " has both axial and radial bearing rigidity. For driving the carrier arrangement 5 'is placed on the not shown in FIG. 6 represent the upper end of the support arrangement 5' a drive unit 15 'is provided, as described in the second embodiment. To remove the carrier unit 5 "from the container 4 ", the coil ring 50 is pivoted transversely to the axis of rotation 10 , so that the carrier device 5 "can be pulled up out of the container 4 ".

Es ist auch möglich, den Achsstumpf 11' zu verlängern und eine andere Antriebs-Einheit, wie z. B. in der ersten Ausführungsform, vorzusehen. Damit kann die Träger-Einrichtung 5" nach oben offen gehalten werden und erlaubt eine stirnseitige Beladung mit einem separaten Carrier-Käfig, z. B. aus zwei Halbschalen. Die Halbschalen besitzen geschlitzte, axiale Stäbe, in die die Silizium-Scheiben 2 eingefügt sind. Die beiden Halbscha len werden aufeinander gepreßt, axial in die Träger-Einrichtung 5' von oben hineingeschoben und in axialen Führungen fixiert.It is also possible to extend the stub axle 11 'and another drive unit, such as. B. in the first embodiment. The carrier device 5 ″ can thus be kept open at the top and allows front loading with a separate carrier cage, for example consisting of two half-shells. The half-shells have slotted, axial rods into which the silicon wafers 2 are inserted The two half-shells are pressed against one another, pushed axially into the carrier device 5 'from above and fixed in axial guides.

Die Lager 13, 14 der ersten Ausführungsform und das Lager 13" der dritten Ausführungsform können selbstverständlich miteinander kombiniert wer den. Auf diese Weise kann die Lagersteifigkeit in radialer und axialer Richtung erhöht werden und die Drehachse einen Winkel zwischen 0 und 90° gegenüber der Horizontalen, d. h. eine beliebige Position zwischen einer horizontalen Anordnung und einer vertikalen Anordnung, einnehmen.The bearings 13 , 14 of the first embodiment and the bearing 13 "of the third embodiment can of course be combined with one another. In this way, the bearing stiffness can be increased in the radial and axial directions and the axis of rotation at an angle between 0 and 90 ° with respect to the horizontal, ie take any position between a horizontal arrangement and a vertical arrangement.

Im folgenden wird unter Bezugnahme auf Fig. 7 eine vierte Ausführungs form der Erfindung beschrieben. Identische Teile erhalten dieselben Be zugszeichen wie in der ersten Ausführungsform, auf deren Beschreibung hiermit verwiesen wird. Konstruktiv unterschiedliche, jedoch funktionell gleichartige Teile erhalten dieselben Bezugszeichen mit drei hochgesetzten Strichen. Die Vorrichtung 1''' weist einen Lagerblock 9''' auf, in dem kon zentrisch zu einer Drehachse 10''' ein ringzylindrisches Lager-Teil 24''' und eine ringzylindrische Antriebs-Einheit 15''' vorgesehen sind. Beide umge ben einen als Sackloch ausgebildeten, ringzylindrischen Lager-Raum 54, in dem der Wellen-Antriebs-Stumpf 12''' mittig angeordnet ist. Die Drehachse 10''' ist gegenüber der Horizontalen um einen Winkel α geneigt, für den gilt: 0° < α < 90° und insbesondere 5° < α < 30° und höchst vorteilhafter weise α = 15°. Die Träger-Einrichtung 5''' weist einen parallel zur Dreh achse 10''' von außen einschiebbaren Hilfs-Träger-Korb 60 auf, der die Sili zium-Scheiben 2 aufnimmt. Der Korb 60 kann endseitig in die Träger- Einrichtung 5''' eingeschoben bzw. aus dieser herausgenommen werden. A fourth embodiment of the invention will be described below with reference to FIG. 7. Identical parts are given the same reference numerals as in the first embodiment, the description of which is hereby incorporated by reference. Structurally different, but functionally similar parts are given the same reference numerals with three prime lines. The device 1 '''has a bearing block 9 ''' in which an annular cylindrical bearing part 24 '''and an annular cylindrical drive unit 15 ''' are provided in the center of an axis of rotation 10 '''. Both vice ben a ring-cylindrical bearing space 54 formed as a blind hole, in which the shaft drive stump 12 '''is arranged centrally. The axis of rotation 10 '''is inclined relative to the horizontal by an angle α, for which the following applies: 0 ° <α <90 ° and in particular 5 ° <α <30 ° and most advantageously α = 15 °. The carrier device 5 '''has a parallel to the axis of rotation 10 ''' from the outside insertable auxiliary carrier basket 60 which receives the silicon disks 2 . The basket 60 can be pushed into or removed from the carrier device 5 '''at the end.

Die Träger-Einrichtung 5''' ist konzentrisch zur Drehachse 10''' angeordnet und mit dem Wellen-Antriebs-Stumpf 12''' verbunden. An dem dem Wel len-Antriebs-Stumpf 12''' abgewandten Ende der Träger-Einrichtung 5''' ist umfangsseitig das Lager-Teil 22''' vorgesehen. Das Lager-Teil 22''' weist entlang des Umfangs benachbart zueinander angeordnete Permanentma gnete 55 mit radialer Ausrichtung auf. In Fig. 7 unterhalb des Lager-Teils 22''' ist der Lagerblock 8''' mit dem Lager-Teil 24''' vorgesehen. Das Lager- Teil 24''' ist kreissegmentförmig ausgebildet und umgibt das Lager-Teil 22''' teilweise. Durch das Lager 13''' wird die Träger-Einrichtung 5''' in vertikaler Richtung abgestützt und quer dazu stabilisiert. Der Behälter 4''' weist eine über ein Scharnier 56 mit dem Lagerblock 8''' verbundene vertikale Seiten wand 57 und eine mit dem oberen Ende des Lagerblocks 9''' über ein Scharnier 58 verbundene Seitenwand 59 auf. Die Seitenwände 57 und 59 sind nach außen verschwenkbar.The carrier device 5 '''is arranged concentrically to the axis of rotation 10 ''' and connected to the shaft drive stub 12 '''. At the Wel len-drive stump 12 '''facing away from the end of the support device 5 ''', the bearing part 22 '''is provided on the circumferential side. The bearing part 22 '''has circumferentially arranged permanent magnets 55 with radial alignment. In Fig. 7 below the bearing part 22 ''', the bearing block 8 ''' is provided with the bearing part 24 '''. The bearing part 24 '''is designed in the form of a segment of a circle and partially surrounds the bearing part 22 '''. The bearing device 5 '''is supported in the vertical direction by the bearing 13 ''' and stabilized transversely thereto. The container 4 '''has a vertical side wall 57 connected to the bearing block 8 ''' via a hinge 56 and a side wall 59 connected to the upper end of the bearing block 9 '''via a hinge 58 . The side walls 57 and 59 can be pivoted outwards.

Im folgenden wird der Betrieb der Vorrichtung 1''' genauer beschrieben. Zum Einsetzen der Träger-Einrichtung 5''' werden die Seitenwände 57 und 59 aufgeklappt, wodurch der Lager-Raum 54 zugänglich wird. Der Wellen- Antriebs-Stumpf 12''' wird leicht gegenüber der Horizontalen geneigt in den Lager-Raum 54 eingeführt. Anschließend wird das supraleitende Lager-Teil 24''' abgekühlt, bis dieses supraleitend wird. Aufgrund des oben beschrie benen Mechanismusses ist die Träger-Einrichtung 5''' nun reibungslos gela gert. Zur Abstützung der Träger-Einrichtung 5''' wird auch das Lager-Teil 24''' des Lagers 13''' unter die Sprungtemperatur abgekühlt. Vorteilhaft an dieser Anordnung ist die Möglichkeit der frontseitigen Beschickung der Träger-Einrichtung 5'''. Die gesamte Träger-Einrichtung 5''' einschließlich des Korbs 60 kann aus der Vorrichtung 1 entlang der Drehachse 10''' ent nommen werden und einer gründlichen Reinigung zugeführt werden. The operation of the device 1 '''is described in more detail below. To insert the carrier device 5 ''', the side walls 57 and 59 are opened, which makes the storage space 54 accessible. The shaft drive stump 12 '''is inserted into the storage space 54 at a slight inclination to the horizontal. The superconducting bearing part 24 '''is then cooled until it becomes superconducting. Due to the mechanism described above, the carrier device 5 '''is now stored smoothly. To support the carrier device 5 ''', the bearing part 24 ''' of the bearing 13 '''is also cooled below the transition temperature. An advantage of this arrangement is the possibility of loading the carrier device 5 '''from the front. The entire carrier device 5 '''including the basket 60 can be removed from the device 1 along the axis of rotation 10 ''' and can be subjected to thorough cleaning.

Im folgenden wird unter Bezugnahme auf Fig. 8 eine fünfte Ausführungs form der Erfindung beschrieben. Identische Teile erhalten dieselben Be zugszeichen wie in der ersten Ausführungsform, auf deren Beschreibung hiermit verwiesen wird. Konstruktiv unterschiedliche, jedoch funktionell gleichartige Teile erhalten dieselben Bezugszeichen mit vier hochgesetzten Strichen. Der wesentliche Unterschied der Vorrichtung 1"" gegenüber der Vorrichtung 1 besteht darin, daß die Träger-Einrichtung 5"" nicht an ihren beiden axialen Enden gelagert ist, sondern lediglich auf einer Seite. Hierfür sind benachbart zu der Träger-Einrichtung 5"" in dem Lager-Block 9"" je weils zueinander benachbart das Lager 13"", die Antriebs-Einheit 15"" und das Lager 14"" vorgesehen. Die zweiten Lager-Teile 24"" sowie der Stator 39"" umgeben den Wellen-Antriebs-Stumpf 12"" ringzylindrisch. Der Be hälter 4"" weist eine über ein Scharnier 56"" verbundene und verschwenk bare vertikale Seitenwand 57"" auf. Die Drehachse 10"" ist gegenüber der Horizontalen um einen Winkel α von ungefähr 15° geneigt.A fifth embodiment of the invention will now be described with reference to FIG. 8. Identical parts are given the same reference numerals as in the first embodiment, the description of which is hereby incorporated by reference. Structurally different, but functionally similar parts are given the same reference numerals with four prime lines. The essential difference between the device 1 "" and the device 1 is that the carrier device 5 "" is not supported at its two axial ends, but only on one side. For this purpose, the bearing 13 "", the drive unit 15 "" and the bearing 14 "" are provided adjacent to the carrier device 5 "" in the bearing block 9 "" because they are adjacent to each other. The second bearing parts 24 "" and the stator 39 "" surround the shaft drive stump 12 "" in a ring-cylindrical manner. Be the container 4 "" has a hinge 56 "" connected and pivotable vertical side wall 57 "". The axis of rotation 10 "" is inclined relative to the horizontal by an angle α of approximately 15 °.

Beim Betrieb der Vorrichtung 1"" kann die mit Silizium-Scheiben 2 be schickte Träger-Einrichtung 5"" in dem Behälter 5"" um die Drehachse 10"" gedreht werden. Der Vorteil der Ausführungsform besteht darin, daß die Silizium-Scheiben entlang der Drehachse 10"" entnommen werden können. Darüber hinaus kann die Einheit aus Träger-Einrichtung 5"" und Wellen- Antriebs-Stumpf 12"" ebenfalls entlang der Drehachse 10"" zu Reinigungs- oder Reparaturzwecken entnommen werden. Eine separate Abstützung wie durch das Lager 13''' in der vierten Ausführungsform ist nicht erforderlich.During operation of the device 1 "", the carrier device 5 "" sent with silicon wafers 2 "" in the container 5 "" can be rotated about the axis of rotation 10 "". The advantage of the embodiment is that the silicon wafers can be removed along the axis of rotation 10 "". In addition, the unit comprising the carrier device 5 "" and the shaft drive stump 12 "" can also be removed along the axis of rotation 10 "" for cleaning or repair purposes. A separate support as by the bearing 13 '''in the fourth embodiment is not required.

Im folgenden wird unter Bezugnahme auf Fig. 9 eine sechste Ausführungs form der Erfindung beschrieben. Identische Teile erhalten dieselben Be zugszeichen wie bei der fünften, in Fig. 8 dargestellten Ausführungsform, auf deren Beschreibung hiermit verwiesen wird. Konstruktiv unterschiedli che, jedoch funktionell gleichartige Teile erhalten dieselben Bezugszeichen mit fünf hochgesetzten Strichen. Der Aufbau der Lagerteile 24"" sowie der Antriebseinheit 15"" entspricht dem Aufbau gemäß der fünften Ausfüh rungsform. Selbiges gilt für den Aufbau des Rotors 40 mit der Ausnahme, daß dieser von einem resistenten zylinderförmigen Mantel 61 aus Kunst stoff umgeben ist. Im Unterschied zur fünften Ausführungsform ist die An ordnung des Rotors 40 derart gewählt, daß die Drehachse 10''''' vertikal verläuft. Der Lagerblock 9''''' weist an seinem unteren Ende eine Ablauf- Öffnung 62 auf, die mit dem Ringraum zwischen dem Mantel 61 und den Lager-Teilen 24"" bzw. der Antriebs-Einheit 15"" verbunden ist. Die mit dem Rotor 40 verbundene Träger-Scheibe 18''''' verläuft im wesentlichen horizontal und dient mit ihrer Oberseite als Auflage für eine Silizium- Scheibe 2. Der Behälter 4''''', der als Deckel 63 ausgebildet ist, ist seitlich und oberhalb der Silizium-Scheibe 2 angeordnet. Es ist selbstverständlich möglich, die Vorrichtung 1''''' auch ohne den Behälter 4''''' zu betreiben. Im Deckel 63 ist mittig eine Zuführ-Leitung 64 angeordnet, die in dem vom Deckel 63 begrenzten Raum eine Düse 65 aufweist. Seitlich unterhalb der Silizium-Scheibe 2 weist der Deckel 63 einen Deckelrand 66 mit einer Ab führ-Leitung 67 auf.A sixth embodiment of the invention will now be described with reference to FIG. 9. Identical parts are given the same reference numerals as in the fifth embodiment shown in FIG. 8, to the description of which reference is hereby made. Structurally different, but functionally similar parts have the same reference numerals with five prime lines. The structure of the bearing parts 24 "" and the drive unit 15 "" corresponds to the structure according to the fifth embodiment. The same applies to the structure of the rotor 40 with the exception that this is surrounded by a resistant cylindrical shell 61 made of plastic. In contrast to the fifth embodiment, the order of the rotor 40 is chosen such that the axis of rotation 10 '''''runs vertically. The bearing block 9 '''''has at its lower end an outlet opening 62 which is connected to the annular space between the casing 61 and the bearing parts 24 "" or the drive unit 15 "". The carrier wafer 18 '''''connected to the rotor 40 runs essentially horizontally and serves with its upper side as a support for a silicon wafer 2 . The container 4 ''''', which is designed as a lid 63 , is arranged on the side and above the silicon wafer 2 . It is of course possible to operate the device 1 '''''without the container 4 '''''. In the cover 63, a feed line 64 is centrally disposed, which has a nozzle 65 within the area bounded by the cover 63 space. Laterally below the silicon wafer 2 , the lid 63 has a lid edge 66 with a lead line 67 from.

Im folgenden wird die Funktionsweise der Vorrichtung 1''''' gemäß der sechsten Ausführungsform beschrieben. Die Träger-Scheibe 18''''' ist wie bei der fünften Ausführungsform reibungsfrei drehantreibbar gelagert. Zum Auftragen von Fotolack auf die Silizium-Scheibe 2 wird ein Tropfen Foto lack durch die Düse 5 mittig auf die rotierende Silizium-Scheibe 2 aufge bracht. In Folge der Zentrifugalkräfte verteilt sich der Fotolack schnell, dünn und homogen auf der Oberfläche der Silizium-Scheibe 2. Überschüs siger Lack wird durch die Abführ-Leitung 67 und die Ablauf-Öffnung 62 abgeführt. Die Vorrichtung 1''''' kann darüber hinaus für die in den voraus gehenden Ausführungsformen beschriebenen Ätz- und Reinigungsprozesse verwendet werden. Darüber hinaus kann die Silizium-Scheibe 2 in der Vor richtung 1''''' trocken zentrifugiert werden.The operation of the device 1 '''''according to the sixth embodiment is described below. As in the fifth embodiment, the carrier disk 18 '''''is mounted in a rotationally drivable manner. To apply photoresist to the silicon wafer 2 , a drop of photo lacquer is brought up through the nozzle 5 in the center of the rotating silicon wafer 2 . As a result of the centrifugal forces, the photoresist is distributed quickly, thinly and homogeneously on the surface of the silicon wafer 2 . Excess paint is discharged through the discharge line 67 and the drain opening 62 . The device 1 '''''can also be used for the etching and cleaning processes described in the previous embodiments. In addition, the silicon wafer 2 can be centrifuged dry in the direction 1 ''''.

Ferner kann die Vorrichtung 1''''' zur Prüfung der Fehlerfreiheit der Kristall- und Oberflächenstruktur der Silizium-Scheibe 2 verwendet werden. Durch die Art der Lagerung des Rotors 40 ist es möglich, die Silizium-Scheibe 2 sehr schnell auf sehr hohe Drehzahlen, wie sie eingangs beschrieben sind, zu beschleunigen. Haarrisse und andere Fehlstellen in der Kristallstruktur der Silizium-Scheibe 2 wachsen bei entsprechend hohen Zentrifugalkräften und können so einfach ermittelt werden. Gegebenenfalls führen diese Fehl stellen sogar zum Bruch der Scheibe 2. Die Vorrichtung 1''''' kann somit auch ohne den Einsatz eines Behandlungs-Mediums 3 zur Qualitätskon trolle verwendet werden. Diese Form der Qualitätskontrolle ist auch mit den Vorrichtungen gemäß der ersten bis fünften Ausführungsform möglich.Furthermore, the device 1 '''''can be used to check that the crystal and surface structure of the silicon wafer 2 are free from defects. The type of bearing of the rotor 40 makes it possible to accelerate the silicon wafer 2 very quickly to very high speeds, as described at the beginning. Hairline cracks and other imperfections in the crystal structure of the silicon wafer 2 grow at correspondingly high centrifugal forces and can thus be determined easily. If necessary, these defects even break the pane 2 . The device 1 '''''can thus be used for quality control even without the use of a treatment medium 3 . This form of quality control is also possible with the devices according to the first to fifth embodiments.

Claims

1. Device ( 1 ; 1 '; 1 "; 1 '''; 1 "") for treating objects, in particular silicon wafers ( 2 ), with a medium ( 3 ), comprehensive

a) a container ( 4 ; 4 "; 4 '''; 4 "") for receiving the medium ( 3 ),
b) an at least partially in the container ( 4 ; 4 "; 4 '''; 4 "") arranged, rotatable carrier device ( 5 ; 5 "; 5 "'; 5 "") for receiving the to be treated Objects and
c) one in at least one bearing ( 13 , 14 ; 13 "; 13 ''', 14 '''; 13 "", 14 ""), with the carrier device ( 5 ; 5 "; 5 '''; 5 "") connected, drivable shaft,
d) wherein the at least one bearing ( 13 , 14 ; 13 "; 13 ''', 14 '''; 13 "", 14 ""),
- a) a first bearing part ( 22 ; 22 "; 22 ''') connected to the shaft and
- b) has a second bearing part ( 24 ; 24 "; 24 ""; 24 ""), which is adjacent to the first bearing part ( 22 ; 22 "; 22 "") and contains a superconducting material,
- c) wherein the first bearing part ( 22 ; 22 "; 22 "") is held apart from the second bearing part ( 24 ; 24 "; 24 ""; 24 "") by magnetic forces.

2. Device ( 1 ) according to claim 1, characterized in that the second bearing part ( 24 ) has a bearing half-shell ( 28 ) made of a su-conductive material.

3. Device ( 1 ) according to claim 1 or 2, characterized in that the first bearing part ( 22 ) has permanent ring magnets ( 25 ).

4. The device ( 1 ) according to claim 3, characterized in that each adjacent ring magnet ( 25 ) have an opposite magnetic cal polarity.

5. The device ( 1 ") according to claim 1, characterized in that the second bearing part ( 24 ") has a flat bearing disc ( 53 ) made of a superconducting material.

6. The device ( 1 ") according to claim 5, characterized in that the first bearing part ( 22 ") arranged concentrically to one another by permanent ring magnets ( 25 ").

7. The device ( 1 ; 1 '; 1 "; 1 '''; 1 "") according to one of the preceding claims, characterized in that a drive unit ( 15 ; 15 '; 15 '''; 15 "" ) is provided for driving the shaft.

8. The device ( 1 ; 1 "; 1 '''; 1 "") according to claim 7, characterized in that the drive unit ( 15 ; 15 '''; 15 "") a coil at least partially surrounding the shaft Core ( 41 ).

9. The device ( 1 ') according to claim 7, characterized in that the drive unit ( 15 ') a hysteresis disk ( 48 ) connected to the shaft and a stationary coil unit for generating one with the hysteresis disk ( 48 ) for driving the shaft interacting magnetic field.

10. The device ( 1 ; 1 '; 1 "; 1 '''; 1 "") according to one of the preceding claims, characterized in that the first bearing part ( 22 ; 22 "; 22 ''') and / or the second bearing part ( 24 ; 24 "; 24 '''; 24 "") and / or the container ( 4 ; 4 "; 4 '''; 4 "") and / or the shaft with one opposite Medium ( 3 ) resistant coating ( 16 , 27 , 35 ; 52 ; 27 ", 35 ") are provided.

11. The device ( 1 ; 1 '; 1 "; 1 '''; 1 "") according to one of the preceding claims, characterized in that the first bearing part ( 22 ; 22 "; 22 ''') from the second bearing part ( 24 ; 24 "; 24 '''; 24 "") can be pulled out.

12. The device ( 1 ; 1 '; 1 "; 1 '''; 1 "") according to one of the preceding claims, characterized in that the shaft with the horizontal len includes a freely selectable angle α, for which: 0 ° ≦ α ≦ 90 °, in particular 5 ° ≦ α ≦ 30 ° and most advantageously α ≈ 15 °.

13. Device ( 1 ''''') for treating objects, in particular silicon wafers ( 2 ), comprising

a) an at least partially in a container ( 4 ''''') arranged, rotatable support device ( 5 ''''') for receiving the objects to be treated and
b) a shaft which can be driven in rotation and is connected to the carrier device ( 5 ''''') and is mounted in at least one bearing ( 13 "", 14 ""),
c) the at least one bearing ( 13 "", 14 "")
- a) a first bearing part ( 22 ) connected to the shaft and
- b) a second bearing part ( 24 "") assigned to the first bearing part ( 22 ) and containing a superconducting material,
- c) wherein the first bearing part ( 22 ) relative to the second bearing part ( 24 "") is kept spaced by magnetic forces.

14. The device ( 1 ''''') according to claim 13, characterized in that the shaft extends substantially vertically and the carrier device ( 5 ''''') is a substantially horizontally extending carrier disc ( 18 ''''') having.

15. The device ( 1 ''''') according to claim 14, characterized in that the carrier disc ( 18 ''''') serves as a support for an object to be treated.