DE19954853A1 - Unterseitenemittierender Oberflächenemissionslaser mit Vertikalresonator (VCSEL) - Google Patents
Unterseitenemittierender Oberflächenemissionslaser mit Vertikalresonator (VCSEL)Info
- Publication number
- DE19954853A1 DE19954853A1 DE19954853A DE19954853A DE19954853A1 DE 19954853 A1 DE19954853 A1 DE 19954853A1 DE 19954853 A DE19954853 A DE 19954853A DE 19954853 A DE19954853 A DE 19954853A DE 19954853 A1 DE19954853 A1 DE 19954853A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- laser
- surface emission
- light
- ohmic contact
- mirrors
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
- H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
- H01S5/18386—Details of the emission surface for influencing the near- or far-field, e.g. a grating on the surface
- H01S5/18394—Apertures, e.g. defined by the shape of the upper electrode
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/0206—Substrates, e.g. growth, shape, material, removal or bonding
- H01S5/0207—Substrates having a special shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
- H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
- H01S5/0425—Electrodes, e.g. characterised by the structure
- H01S5/04252—Electrodes, e.g. characterised by the structure characterised by the material
- H01S5/04253—Electrodes, e.g. characterised by the structure characterised by the material having specific optical properties, e.g. transparent electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
Ein unterseitenemittierender Oberflächenemissionslaser mit Vertikalresonator, bei dem das emittierte Licht ohne Behinderung überwacht werden kann. Es sind keine zusätzlichen Befestigungen, wie beispielsweise ein Sockel, erforderlich, um eine Ausgabe zu beobachten, wobei in herkömmlichen Anordnungen Befestigungen erforderlich sind.
Description
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur
Überwachung der Lichtausgabe von einem
Oberflächenemissionslaser mit Vertikalresonator. Insbesondere
bezieht sich die vorliegende Erfindung auf ein Verfahren zur
Überwachung der Lichtemission von einem
Oberflächenemissionslaser mit Vertikalresonator ohne
Beeinträchtigung der Lichtausgabe von dem
Oberflächenemissionslaser mit Vertikalresonator.
Früher wurde, wenn der Oberflächenemissionslaser mit
Vertikalresonator auf einem Sockel befestigt war, Licht, das
von der Oberseitenlinse des Oberflächenemissionslasers mit
Vertikalresonator zurück in den Sockel reflektiert wurde, mit
einer Si-Photodiode überwacht, auf der der
Oberflächenemissionslaser-Chip mit Vertikalresonator befestigt
war. Gegenwärtig ist im Stand der Technik kein Verfahren zur
Überwachung des Lichts von einem Oberflächenemissionslaser-
Chip mit Vertikalresonator, der nicht auf einem Sockel
befestigt ist, bekannt. Die Verwendung eines Sockels ist in
existierenden Systemen erforderlich, um eine Lichtemission zu
überwachen.
In vielen Anwendungen ist es wünschenswert, sicher zu wissen,
daß der Oberflächenemissionslaser mit Vertikalresonator in der
Tat Licht emittiert, wenn Strom durch ihn angesteuert wird.
Das Problem besteht darin, dieses Licht ohne zu große Störung
des Lichtstrahls zu überwachen und dies auf eine
erschwingliche Weise durchzuführen, die kein komplexes Gehäuse
erfordert.
Erfindungsgemäß wird die Aufgabe durch die Merkmale der
nebengeordneten Ansprüche gelöst, die Unteransprüche zeigen
weitere vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung.
Die vorliegende Erfindung erzeugt eine Methodik zur
Überwachung der Lichtemission von einem
Oberflächenemissionslaser mit Vertikalresonator ohne auf
irgendeine Weise das Ausgabelicht zu blockieren und/oder zu
stören. Sie beseitigt auch die Notwendigkeit einer Befestigung
des Oberflächenemissionslaser-Chips mit Vertikalresonator in
einem Sockel, gerade um ihr Ausgabelicht zu überwachen.
Ein Aspekt der vorliegenden Erfindung besteht darin, einen
Oberflächenemissionslaser auszubilden, mit:
einer Vielzahl von voneinander beabstandeten Spiegeln, einem Lichtverstärkungsbereich zwischen den Spiegeln, einem Substrat und
einem photonendurchlässigen Ohm'schen Kontakt zum Durchlassen von Lichtenergie dadurch, wodurch eine Lichtemission durch den Oberflächenemissionslaser überwacht werden kann.
einer Vielzahl von voneinander beabstandeten Spiegeln, einem Lichtverstärkungsbereich zwischen den Spiegeln, einem Substrat und
einem photonendurchlässigen Ohm'schen Kontakt zum Durchlassen von Lichtenergie dadurch, wodurch eine Lichtemission durch den Oberflächenemissionslaser überwacht werden kann.
Ein weiterer Aspekt eines Ausführungsbeispiels der
vorliegenden Erfindung besteht darin, ein Verfahren zur
Überwachung einer Lichtemission von einem
Oberflächenemissionslaser auszubilden, wobei der Laser
eine Vielzahl von voneinander beabstandeten Spiegeln,
einen Lichtverstärkungsbereich zwischen den Spiegeln,
ein Substrat und
einen photonendurchlässigen Ohm'schen Kontakt enthält,
mit den Schritten
in Berührung Bringen des Lasers mit einer Energiequelle, um Licht zu erzeugen, und
Überwachen von emittiertem Licht, das durch den durchlässigen Ohm'schen Kontakt übertragen wird.
eine Vielzahl von voneinander beabstandeten Spiegeln,
einen Lichtverstärkungsbereich zwischen den Spiegeln,
ein Substrat und
einen photonendurchlässigen Ohm'schen Kontakt enthält,
mit den Schritten
in Berührung Bringen des Lasers mit einer Energiequelle, um Licht zu erzeugen, und
Überwachen von emittiertem Licht, das durch den durchlässigen Ohm'schen Kontakt übertragen wird.
Nachdem nun die Erfindung allgemein beschrieben wurde, wird
nun Bezug auf die Zeichnung genommen, die bevorzugte
Ausführungsbeispiele veranschaulicht.
Es zeigen:
Fig. 1 eine schematische Darstellung der herkömmlichen
Anordnung zur Überwachung einer Lichtausgabe,
Fig. 2 eine schematische Darstellung eines Standard-
Oberflächenemissionslasers mit Vertikalresonator, die
den Verlust von Licht an das Substrat zeigt, und
Fig. 3 eine schematische Darstellung eines
Ausführungsbeispiels der vorliegenden Erfindung.
Ähnliche in der Zeichnung verwendete Elemente bezeichnen
ähnliche Elemente.
Bezugnehmend auf die Zeichnung zeigt Fig. 1 eine herkömmliche
Anordnung, die im allgemeinen durch eine Bezugszahl 10
bezeichnet ist, zur Überwachung von durch einen
Oberflächenemissionslaser mit Vertikalresonator (VCSEL) 14
emittierendem Licht 12. Das von der Oberseitenlinse 16
reflektierte Licht 12 fällt auf eine Photodiode 18. In diesem
Ausführungsbeispiel ist das Licht nur durch die Photodiode 18
erfaßbar und als derartiges ist die Anordnung wie vorstehend
diskutiert beschränkt.
In Fig. 2 ist ein Standard-Oberflächenemissionslaser mit
Vertikalresonator veranschaulicht, mit einem Ohm'schen Kontakt
20, einem Substrat 22 und reflektierenden Spiegeln, wobei der
Spiegel mit hoher Reflektivität durch eine Bezugszahl 24 und
der mit niedriger Reflektivität durch einen Bezugszahl 26
bezeichnet ist.
Wie bei Oberflächenemissionslasern mit Vertikalresonator
bekannt, reflektiert einer der zwei Spiegel weniger vom darauf
einfallenden Licht aus dem Verstärkungsbereich (und läßt mehr
durch). Das durch den weniger reflektierenden Spiegel
durchgelassene Licht ist das vom Oberflächenemissionslaser mit
Vertikalresonator emittierte Licht. Das Licht ist in Fig. 1
durch den durch eine Bezugszahl 28 angezeigten Pfeil gezeigt.
In dem gezeigtem oberseitenemittierenden Standard-
Oberflächenemissionslaser mit Vertikalresonator geht durch
einen Pfeil 30 bezeichnetes Licht verloren, wenn es in das
Substrat 22 unter dem unteren Spiegel 24 (mit hoher
Reflektivität) emittiert wird, wenn es keine Wellenlänge ist,
für die das Substrat durchlässig ist. In einem
unterseitenemittierenden Oberflächenemissionslaser mit
Vertikalresonator, der in Fig. 3 gezeigt ist, in dem das
durch den weniger reflektierenden Spiegel 26 emittierte Licht
ein Loch 32' in dem Substrat passiert, hält jedoch nichts das
Licht 28 auf, das durch den Spiegel mit hoher Reflektivität 24
durchgelassen wird, außer der Ohm'sche Kontakt 34, der auf der
anderen Seite dieses Spiegels angeordnet ist. Durch Ausbildung
einer Öffnung 32 in dem Ohm'schen Kontakt 34 ist es möglich,
das Licht zu extrahieren und es mit einer (nicht gezeigten)
Diode zu überwachen, auf der der Oberflächenemissionslaser mit
Vertikalresonator angeordnet werden kann.
Allgemein gesagt, eine photonendurchlässiger Kontakt ist
einer, der eine Lichtemission durch ihn durch eine Öffnung
erlaubt oder der aus einem transparenten bzw. durchlässigen
Material hergestellt ist. Weiterhin kann der Kontakt
ausreichend dünn gemacht werden, um ein Passieren von Licht zu
erlauben, oder der Kontakt kann eine Kombination dieser
Merkmale enthalten.
Gemäß einem weiteren Gesichtspunkt der Erfindung kann dasselbe
für irgendeinen unterseitenemittierenden
Oberflächenemissionslaser mit Vertikalresonator verwendet
werden, einschließlich derer mit Wellenlängen, für die das
Substrat durchlässsig ist. Wo das Substrat durchlässig ist,
wurde keine Öffnung durch das Substrat gemacht, um eine
Extraktion von primärem Licht (d. h. nicht dem
Überwachungslicht) aus der Oberflächenemissionslaserstruktur
mit Vertikalresonator zu erlauben. Für derartige
Oberflächenemissionslaser mit Vertikalresonator erlaubt der
Entwurf des Standard-Oberflächenemissionslasers mit
Vertikalresonator eine Extraktion des Überwachungslichts durch
das Substrat, was eine Unterseitenemission des primären Lichts
unnötig macht. Zur Extraktion des Überwachungslichts durch den
Ohm'schen Kontakt (für sowohl Standard- als auch
Unterseitenemittierende Oberflächenemissionslaser mit
Vertikalresonator) ist es nicht erforderlich, eine Öffnung in
den Kontakt zu machen. Anstelle dessen kann der Kontakt aus
einem photonendurchlässigen Material hergestellt werden
(beispielsweise aus Indiumzinnoxid (ITO), aber nicht darauf
beschränkt), oder der Kontakt kann ausreichend dünn gemacht
werden, um ein Passieren des Lichts dadurch zu erlauben. In
dieser Hinsicht kann der Kontakt eine Dicke zwischen 1 nm
(Nanometer) und 100 nm besitzen.
Zusammenfassend betrifft die vorliegende Erfindung einen
unterseitenemittierenden Oberflächenemissionslaser mit
Vertikalresonator, bei dem das emittierte Licht ohne
Behinderung überwacht werden kann. Es sind keine zusätzlichen
Befestigungen, wie beispielsweise ein Sockel, erforderlich, um
eine Ausgabe zu beobachten, wobei in herkömmlichen Anordnungen
Befestigungen erforderlich sind.
Obwohl vorstehend Ausführungsbeispiele der Erfindung
beschrieben wurden, ist sie nicht darauf beschränkt, und es
wird für den Fachmann offensichtlich sein, daß zahlreiche
Modifikationen einen Teil der vorliegenden Erfindung bilden,
soweit sie nicht vom Schutzumfang der beanspruchten und
beschriebenen Erfindung abweichen.
Claims (17)
1. Oberflächenemissionslaser mit:
einer Vielzahl von voneinander beabstandeten Spiegeln (24, 26),
einem Lichtverstärkungsbereich zwischen den Spiegeln (24, 26),
einem Substrat (22) und
einem photonendurchlässigen Ohm'schen Kontakt (34) zum Durchlassen von Lichtenergie, wodurch eine Lichtemission durch den Oberflächenemissionslaser überwacht werden kann.
einer Vielzahl von voneinander beabstandeten Spiegeln (24, 26),
einem Lichtverstärkungsbereich zwischen den Spiegeln (24, 26),
einem Substrat (22) und
einem photonendurchlässigen Ohm'schen Kontakt (34) zum Durchlassen von Lichtenergie, wodurch eine Lichtemission durch den Oberflächenemissionslaser überwacht werden kann.
2. Laser nach Anspruch 1, wobei
der photonendurchlässige Ohm'sche Kontakt (34) auf dem
Substrat (22) angeordnet ist.
3. Laser nach Anspruch 1, wobei
der photonendurchlässige Ohm'sche Kontakt (34) auf einer
epitaktischen Seite des Lasers angeordnet ist.
4. Laser nach Anspruch 1, wobei
der Oberflächenemissionslaser ein oberseitenemittierender
Oberflächenemissionslaser mit Vertikalresonator ist.
5. Laser nach Anspruch 1, wobei
der Oberflächenemissionslaser ein unterseitenemittierender
Oberflächenemissionslaser mit Vertikalresonator ist.
6. Laser nach Anspruch 1, wobei
der durchlässige Ohm'sche Kontakt (34) einen Kontakt frei
von Öffnungen umfaßt.
7. Laser nach Anspruch 1, wobei
der Ohm'sche Kontakt (34) eine Dicke zwischen lnm und 100
nm besitzt.
8. Laser nach Anspruch 1, wobei
der Ohm'sche Kontakt (34) Indiumzinnoxid (ITO) umfaßt.
9. Laser nach Anspruch 1, wobei
die Spiegel (24, 26) eine äquivalente Reflektivität
besitzen.
10. Laser nach Anspruch 1, wobei
die Spiegel (24, 26) eine umgekehrte Reflektivität
besitzen.
11. Verfahren zur Überwachung einer Lichtemission von einem
Oberflächenemissionslaser, wobei der Laser
eine Vielzahl von voneinander beabstandeten Spiegeln (24, 26),
einen Lichtverstärkungsbereich zwischen den Spiegeln (24, 26),
ein Substrat (22) und
einen photonendurchlässigen Ohm'schen Kontakt (34) enthält,
mit den Schritten
in Berührung Bringen des Lasers mit einer Energiequelle zum Erzeugen von Licht und
Überwachen von durch den durchlässigen Ohm'schen Kontakt (34) durchgelassenem emittiertem Licht (28).
eine Vielzahl von voneinander beabstandeten Spiegeln (24, 26),
einen Lichtverstärkungsbereich zwischen den Spiegeln (24, 26),
ein Substrat (22) und
einen photonendurchlässigen Ohm'schen Kontakt (34) enthält,
mit den Schritten
in Berührung Bringen des Lasers mit einer Energiequelle zum Erzeugen von Licht und
Überwachen von durch den durchlässigen Ohm'schen Kontakt (34) durchgelassenem emittiertem Licht (28).
12. Verfahren nach Anspruch 11, wobei
der Laser ein unterseitenemittierender
Oberflächenemissionslaser mit Vertikalresonator ist.
13. Verfahren nach Anspruch 12, weiterhin mit dem Schritt
Ausbilden von Spiegeln (24, 26) mit äquivalenter
Reflektivität.
14. Verfahren nach Anspruch 12, wobei
der Ohm'sche Kontakt (34) Indiumzinnoxid (ITO) umfaßt.
15. Verfahren nach Anspruch 11, weiterhin mit dem Schritt
Ausbilden von Spiegeln (24, 26) mit umgekehrter
Reflektivität.
16. Verfahren nach Anspruch 11, wobei
der photonendurchlässige Kontakt (34) auf dem Substrat (22)
angeordnet ist.
17. Verfahren nach Anspruch 11, wobei
der photonendurchlässige Kontakt (34) auf einer
epitaktischen Seite des unterseitenemittierenden
Oberflächenemissionslasers mit Vertikalresonator angeordnet
ist.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GB9901985A GB2346258A (en) | 1999-01-30 | 1999-01-30 | Monitoring the light output of surface emitting lasers |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE19954853A1 true DE19954853A1 (de) | 2000-08-31 |
Family
ID=10846729
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19954853A Withdrawn DE19954853A1 (de) | 1999-01-30 | 1999-11-15 | Unterseitenemittierender Oberflächenemissionslaser mit Vertikalresonator (VCSEL) |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6879611B1 (de) |
CA (1) | CA2290261A1 (de) |
DE (1) | DE19954853A1 (de) |
FR (1) | FR2789237A1 (de) |
GB (1) | GB2346258A (de) |
SE (1) | SE9904242L (de) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10048443B4 (de) * | 2000-09-29 | 2007-09-06 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Oberflächenemittierender Halbleiter-Laser (VCSEL) mit erhöhter Strahlungsausbeute |
US7031363B2 (en) * | 2003-10-29 | 2006-04-18 | Finisar Corporation | Long wavelength VCSEL device processing |
FR2879759B1 (fr) * | 2004-12-21 | 2007-10-12 | Intexys Sa | Dispositif optoelectronique et procede de fabrication dudit dispositif |
US8687664B2 (en) * | 2006-03-08 | 2014-04-01 | Agere Systems Llc | Laser assembly with integrated photodiode |
WO2014105029A1 (en) * | 2012-12-27 | 2014-07-03 | Empire Technology Development, Llc | Modulation of vertical cavity laser (vcsel) for enhanced range of multi-modal fiber communication |
US9105807B2 (en) | 2013-04-22 | 2015-08-11 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Semiconductor optical emitting device with grooved substrate providing multiple angled light emission paths |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5115441A (en) * | 1991-01-03 | 1992-05-19 | At&T Bell Laboratories | Vertical cavity surface emmitting lasers with transparent electrodes |
DE19646015A1 (de) * | 1995-11-30 | 1997-06-05 | Hewlett Packard Co | Oberflächen-emittierender Vertikalhohlraumlaser mit transparentem Substrat, hergestellt durch Halbleiter-Waferbonden |
DE19723677A1 (de) * | 1997-06-05 | 1998-12-10 | Siemens Ag | Optoelektronisches Halbleiterbauelement |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5160492A (en) * | 1989-04-24 | 1992-11-03 | Hewlett-Packard Company | Buried isolation using ion implantation and subsequent epitaxial growth |
US5136603A (en) * | 1991-04-29 | 1992-08-04 | At&T Bell Laboratories | Self-monitoring semiconductor laser device |
JP3407893B2 (ja) * | 1991-05-27 | 2003-05-19 | パイオニア株式会社 | 半導体レーザ制御装置 |
US5283447A (en) * | 1992-01-21 | 1994-02-01 | Bandgap Technology Corporation | Integration of transistors with vertical cavity surface emitting lasers |
US5317587A (en) * | 1992-08-06 | 1994-05-31 | Motorola, Inc. | VCSEL with separate control of current distribution and optical mode |
DE4340093A1 (de) | 1993-11-24 | 1995-06-01 | Cognis Bio Umwelt | Verfahren zur vereinfachten Trennung von Mehrstoffgemischen wenigstens anteilig organischen Ursprungs |
US5606572A (en) * | 1994-03-24 | 1997-02-25 | Vixel Corporation | Integration of laser with photodiode for feedback control |
US5491712A (en) * | 1994-10-31 | 1996-02-13 | Lin; Hong | Integration of surface emitting laser and photodiode for monitoring power output of surface emitting laser |
GB2295269A (en) * | 1994-11-14 | 1996-05-22 | Sharp Kk | Resonant cavity laser having oxide spacer region |
JPH08316580A (ja) * | 1995-05-18 | 1996-11-29 | Fujitsu Ltd | 電界吸収型光変調器の駆動回路及び該光変調器を備えた光送信機 |
KR0185950B1 (ko) * | 1996-04-25 | 1999-04-15 | 김광호 | 레이저다이오드의 광출력모니터링패케지 |
US5751757A (en) * | 1996-07-01 | 1998-05-12 | Motorola, Inc. | VCSEL with integrated MSM photodetector |
-
1999
- 1999-01-30 GB GB9901985A patent/GB2346258A/en not_active Withdrawn
- 1999-11-12 US US09/438,955 patent/US6879611B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-11-15 DE DE19954853A patent/DE19954853A1/de not_active Withdrawn
- 1999-11-19 FR FR9914571A patent/FR2789237A1/fr not_active Withdrawn
- 1999-11-24 SE SE9904242A patent/SE9904242L/xx not_active Application Discontinuation
- 1999-11-24 CA CA002290261A patent/CA2290261A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5115441A (en) * | 1991-01-03 | 1992-05-19 | At&T Bell Laboratories | Vertical cavity surface emmitting lasers with transparent electrodes |
DE19646015A1 (de) * | 1995-11-30 | 1997-06-05 | Hewlett Packard Co | Oberflächen-emittierender Vertikalhohlraumlaser mit transparentem Substrat, hergestellt durch Halbleiter-Waferbonden |
DE19723677A1 (de) * | 1997-06-05 | 1998-12-10 | Siemens Ag | Optoelektronisches Halbleiterbauelement |
Non-Patent Citations (3)
Title |
---|
CHUA, C.L. u.a.: Indium Tin Oxide Transparent Electrodes for Broad-Area Top-Emitting Vertical- Cavity Lasers Fabricated Using a Single Litho- graphy Step. In: IEEE Photon.Techn. Letters, Vol. 9, No. 5, 1997, S. 551-553 * |
JP 10-200200 A, Abstract * |
MICHALZIK, R., EBELING, K.J.: Vertikallaserdioden-zukunftsträchtige Bauelemente für die optische Verbindungstechnik. In: Laser und Optoelektronik, Vol. 30, No. 3, 1998, S. 78-85 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB2346258A (en) | 2000-08-02 |
GB9901985D0 (en) | 1999-03-17 |
SE9904242D0 (sv) | 1999-11-24 |
SE9904242L (sv) | 2000-07-31 |
FR2789237A1 (fr) | 2000-08-04 |
US6879611B1 (en) | 2005-04-12 |
CA2290261A1 (en) | 2000-07-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE102005016052B4 (de) | Selbstüberwachende Licht emittierende Vorrichtung | |
DE10213611A1 (de) | Ausbildung eines optischen Elements auf der Oberfläche einer Licht emittierenden Anordnung zur verbesserten Lichtextraktion | |
EP1965244A2 (de) | Optische Anordnung und optisches Verfahren | |
DE19911717A1 (de) | Monolithisches elektrolumineszierendes Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung | |
WO2012113603A1 (de) | Beleuchtungsvorrichtung | |
DE102005012921A1 (de) | Halbleiterlichtemittiervorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung | |
DE19621124A1 (de) | Optoelektronischer Wandler und dessen Herstellungsverfahren | |
DE102007062050A1 (de) | Halbleiterlaser und Verfahren zum Herstellen des Halbleiterlasers | |
WO2008106915A2 (de) | Anordnung mit einem halbleiterchip und einer lichtleiterschicht | |
EP1299911A1 (de) | Strahlungsemittierender halbleiterchip | |
WO2020233873A1 (de) | Beleuchtungsanordnung, lichtführungsanordnung und verfahren | |
DE10291889B4 (de) | Halbleiterchip für die Optoelektronik | |
DE19954853A1 (de) | Unterseitenemittierender Oberflächenemissionslaser mit Vertikalresonator (VCSEL) | |
DE69533352T2 (de) | Optoelektronische halbleitervorrichtung mit laser und photodiode | |
EP3523572B1 (de) | Lichtumlenkvorrichtung, verfahren zur herstellung einer lichtumlenkvorrichtung und beleuchtungsvorrichtung | |
DE4313487C2 (de) | Anordnung zur Verbindung mindestens eines lichtaussendenden Elementes mit mindestens einem lichtempfangenden Element | |
EP0603549A1 (de) | Anordnung zur Verbindung mindestens eines lichtaussendenden Elementes mit mindestens einem lichtempfangenden Element | |
DE112019003660B4 (de) | Optoelektronisches bauelement und anzeigevorrichtung | |
DE60201464T2 (de) | Halbleiterlaser | |
DE2757869A1 (de) | In felder aufgeteilte anzeigeeinrichtung mit lichtaussendenden dioden | |
DE102017107821A1 (de) | Anordnung mit wenigstens zwei laserdioden und diffraktivem element | |
WO2014173720A1 (de) | Optoelektronisches bauelement | |
DE112018004397T5 (de) | Optisches Modul | |
DE102016119739A1 (de) | Optoelektronisches Bauelement | |
EP0045437B1 (de) | Ein- und Auskoppelvorrichtung zum Ein- und Auskoppeln von Lichtleistung in/aus einem optischen Wellenleiter, der aus Wellenleiterkern und -mantel besteht, und Verfahren zur Herstellung dieser Ein- und Auskoppelvorrichtung |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
8130 | Withdrawal |