DE19916177B4 - Method for contacting the semiconductor chip and semiconductor chip with wire-shaped connecting pieces - Google Patents

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Abstract

Verfahren zum Kontaktieren nahezu waagerecht zur Oberfläche (5) eines Halbleiterchips (4) verlaufender drahtförmiger Anschlußstücke (1) mit Kontaktflächen (7) des Halbleiterchips (4), wobei die Anschlußstücke (1) vor dem Kontaktieren in einem Isolier-Deformationsbereich (2) durch mechanisches Verformen so deformiert werden, dass sich nach dem Kontaktieren des Kontaktstückes (3) auf der Kontaktfläche (7) zwischen dem Isolierdeformationsbereich (2) des drahtförmigen Anschlußstückes (1) und der Oberfläche (5) des Halbleiterchips (4) ein beabstandeter Bereich von der Kontaktierzone (8) bis über die Chipkante (6) des Halbleiterchips (4) erstreckt, dadurch gekennzeichnet, dass das drahtförmige Anschlußstück (1) zum Kontaktieren über die Oberfläche (5) des gesamten Chip (4) gespannt wird und über jeder überspannten Chipkante (6) einen Isolier-Deformationsbereich (2) aufweist.method for contacting almost horizontally to the surface (5) of a semiconductor chip (4) extending wire-shaped Connecting pieces (1) with contact surfaces (7) of the semiconductor chip (4), wherein the connecting pieces (1) before contacting in an insulating deformation region (2) by mechanical deformation be deformed so that after contacting the contact piece (3) on the contact surface (7) between the Isolierdeformationsbereich (2) of the wire-shaped connecting piece (1) and the surface (5) of the semiconductor chip (4) a spaced area from the contacting zone (8) to about the chip edge (6) of the semiconductor chip (4) extends, characterized that the wire-shaped Connecting piece (1) for Contact via the surface (5) of the entire chip (4) is stretched and over each spanned chip edge (6) one Insulating deformation region (2).

Figure 00000001
Figure 00000001

Description

Die Erfindung betrifft ein Halbleiterchip mit drahtförmigen Anschlußstücken, die nahezu waagerecht zur Oberfläche eines Halbleiterchips verlaufen und mit Kontaktflächen des Halbleiterchips elektrisch leitend verbunden sind und ein Verfahren zum Kontaktieren derartiger Chips.The The invention relates to a semiconductor chip with wire-shaped connecting pieces, the almost horizontal to the surface of a semiconductor chip and with contact surfaces of the Semiconductor chips are electrically connected and a method for contacting such chips.

Die Erfindung findet vorzugsweise Anwendung bei der Herstellung extrem dünner kontaktloser Transponder wie Chipkarten, Etiketten, Transportgutkennzeichen oder -kennzeichner und dergleichen.The Invention preferably finds application in the production extremely thinner contactless transponders such as chip cards, labels, transport license plates or identifiers and the like.

Sie ist (ebenfalls) geeignet zur Herstellung von Anschlußpins für den Chip zur weiteren einfachen Kontaktierung mit weiteren Schaltungsteilen, z.B. einer Antenne und zur direkten Kontaktierung von Antennen, beispielsweise zur Kontaktierung von Drahtantennen an dem Chip, wobei die Antenne die Form einer Spule oder eines Dipols aufweisen kann.she is (also) suitable for making terminal pins for the chip for further easy contacting with other circuit parts, e.g. an antenna and for direct contacting of antennas, for example for contacting wire antennas on the chip, wherein the antenna may have the form of a coil or a dipole.

Im Stand der Technik ist es nach der sogenannten beam-lead-Technik bekannt, bereits auf einem Halbleiterwafer flache Anschlußstücke zu erzeugen, die über die Fläche des künftigen Halbleiterchips hinausragen.in the The state of the art is according to the so-called beam-lead technique known to produce flat connectors already on a semiconductor wafer, the above the area of the future Protrude semiconductor chips.

Nachteilig sind hierbei ein hoher Halbleiterflächenverbrauch, da die jeweilige über die Chipkante stehende Anschlußlänge einen entsprechenden Abstand von Chip zu Chip auf dem Wafer erfordert, hohe Herstellungskosten und eine sehr begrenzte Anschlußlänge.adversely Here are a high semiconductor area consumption, since the respective on the Chip edge standing connection length one corresponding chip-to-chip distance on the wafer requires high Production costs and a very limited connection length.

Ferner ist es nach US 4 000 842 und US 5 046 657 bekannt, Kupferleiter in Form von flachen veredelten Anschlüssen mittels Thermokompression auf die Anschlußhügel eines Halbleiterchip zu bonden. Es entstehen flache waagerecht zur Halbleiteroberfläche verlaufende Anschlußstücke Nachteilig sind hierbei neben den hohen Kosten für die Kontakthügelerzeugung auf dem Chip die hohen Kosten für die Erzeugung der Kupferleiteranschlußstruktur und die sich ergebende Anordnung des Anschlusses über der Halbleiteroberfläche.It is also after U.S. 4,000,842 and US 5 046 657 It is known to bond copper conductors in the form of flat finished connections by means of thermocompression onto the terminal bumps of a semiconductor chip. This results in flat horizontally extending to the semiconductor surface connectors Unfavorable here in addition to the high cost of the contact mound generation on the chip, the high cost of generating the copper conductor connection structure and the resulting arrangement of the terminal over the semiconductor surface.

In US 4 842 662 ist das sogenannte Tape-Automated-Bonding-Verfahren beschrieben, wobei ein dünnes Metallband so strukturiert wird, dass schmale Anschlußzungen direkt auf die Chipkontaktflächen ragen und dort mittels spezieller Bondverfahren zu befestigen sind.In US 4,842,662 the so-called tape-automated bonding method is described, wherein a thin metal strip is structured such that narrow connection tabs project directly onto the chip contact surfaces and are to be fastened there by means of special bonding methods.

Als nachteilig erweisen sich hierbei die Kosten zur Herstellung eines strukturierten Metallbandes, die Einschränkungen in der Länge der Anschlußstücken sowie das erforderliche Wegbiegen des Metallbandes von der Halbleiteroberfläche zur Vermeidung von Kurzschlüssen zwischen Chipkante und Metallband.When detrimental to this prove the cost of producing a textured metal band, the limitations in the length of the Fittings as well the necessary bending away of the metal strip from the semiconductor surface to avoid of short circuits between chip edge and metal strip.

Nach DE 26 58 532 A1 ist ein Zwischenträger zur Halterung und Kontaktierung eines Halbleiterkörpers bekannt, bei dem Kontaktfinger angebracht sind, die erhabene Bereiche zur Kontaktierung des Kontaktfingers mit dem Halbleiterkörper aufweisen.To DE 26 58 532 A1 an intermediate carrier for holding and contacting a semiconductor body is known in which contact fingers are mounted, which have raised areas for contacting the contact finger with the semiconductor body.

Aus EP 0 849 794 A1 ist ein Leadframe mit Kontaktanschlüssen bekannt, bei denen ein isolierender Bereich durch mechanisches Verformen des Anschlußstücks erzeugt wurde.Out EP 0 849 794 A1 For example, a leadframe with contact terminals is known in which an insulating region has been created by mechanically deforming the fitting.

Ferner ist aus EP 0 265 927 A2 ein Verfahren zur Befestigung von Drahtanschlüssen mittels Bondverfahren bekannt, bei dem beabstandete Drahtanschlüsse durch Deformation des Drahtes erzeugt werden.Furthermore, it is off EP 0 265 927 A2 a method of attaching wire terminals by bonding method is known in which spaced wire connections are generated by deformation of the wire.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen Halbleiterchip und ein Verfahren der eingangs genannten Art anzugeben, bei dem die Anschlußstücke eine hohe mechanische Festigkeit aufweisen und nahezu ebenengleich von der Halbleiteroberfläche wegführen.Of the Invention is based on the object, a semiconductor chip and a Specify method of the type mentioned, in which the connecting pieces a have high mechanical strength and almost even of the semiconductor surface lead away.

Die Aufgabe wird erfindungsgemäß mit den kennzeichnenden Merkmalen der Patentansprüche 1 und 8 gelöst.The Object is according to the invention with the characterizing Features of the claims 1 and 8 solved.

Vorteilhafte Weiterbildungen sind in den Unteransprüchen angegeben.advantageous Further developments are specified in the subclaims.

Die Erfindung zeichnet sich durch eine Reihe von Vorteilen aus.The Invention is characterized by a number of advantages.

Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren werden drahtförmige Anschlußstücken im Bereich vor der künftigen Kontaktstelle flach gepreßt und danach die Kontaktierung auf der Chipkontaktstelle, den sogenannten Pads, ausgeführt. Damit wird es möglich, einen extrem flach vom Chip wegführenden drahtförmigen Anschluß hoher Festigkeit zu erzeugen, der im Bereich der Chipkante aufgrund seines durch die Deformation erzeugten Abstandes von elektrisch leitenden Elementen einen Kurzschluß mit der Chipkante verhindert.at the method according to the invention become wiry Fittings in the Area before the future Contact point pressed flat and then the contact on the chip pad, the so-called Pads, executed. This will make it possible to get one extremely flat away from the chip wire-like Connection high To produce strength in the area of the chip edge due to its caused by the deformation distance of electrically conductive Elements with a short circuit the chip edge prevented.

Es ergibt sich eine sehr einfache und kostengünstige Herstellung der Verbindung. Vorteilhaft ist dabei, dass die Kontaktierung mittels Thermokompression erfolgen kann, wobei eine Ultraschall-Unterstützung möglich ist. Es lassen sich einfache und sichere, in der Halbleitertechnik bekannte Verfahren anwenden. Als Kontaktdraht kann vorteilhaft Kupfer verwendet werden. Das ist besonders vorteilhaft, da Kupfer sich gut deformieren läßt und gleichzeitig einen sehr guten elektrischen Leitwert bei genügend hoher Festigkeit aufweist.This results in a very simple and inexpensive production of the connection. It is advantageous that the contacting can be done by means of thermocompression, wherein an ultrasound support is possible. Simple and safe methods known in semiconductor technology can be used. As a contact wire can be used advantageously copper. This is particularly advantageous since Copper can be well deformed and at the same time has a very good electrical conductance at sufficiently high strength.

Es ist auch möglich Kontaktdrähte aus Kupfer, deren Oberfläche z.B. mit Gold oder Silber veredelt sind, zu verwenden.It is possible, too contact wires made of copper, whose surface e.g. are finished with gold or silver.

Die erfindungsgemäße Anordnung gewährleistet sichere Thermokompressionsbedingungen und günstige Weiterverarbeitungsmöglichkeiten.The inventive arrangement guaranteed safe thermocompression conditions and favorable processing options.

Zur Verbesserung der Thermokompressionsbedingungen ist es vorteilhaft, die Chipkontaktstelle mit einer chemisch abgeschiedenen Palladiumschicht oder anderen chemisch abgeschiedenen Schichten wie Kupfer/Gold usw. zu versehen.to Improving the thermocompression conditions it is advantageous the chip pad with a chemically deposited palladium layer or other chemically deposited layers such as copper / gold, etc. to provide.

Eine weitere Verbesserung der Thermokompressionsbondbedingungen kann dadurch erreicht werden, dass die Chipkontaktfläche zusätzlich zum Palladium mit einer dünnen Gold- oder Silberschicht (0,1...20 μm) versehen wird.A further improvement of the thermocompression bonding conditions can be achieved in that the chip contact surface in addition to the palladium with a thin Gold or silver layer (0.1 ... 20 microns) is provided.

Die Erfindung wird im Folgenden anhand eines Ausführungsbeispiels näher erläutert.The Invention will be explained in more detail below with reference to an embodiment.

In den zugehörigen Zeichnungen zeigen:In the associated Drawings show:

1 das drahtförmige Anschlußstück vor dem Kontaktieren in Seitenansicht, 1 the wire-shaped connector before contacting in side view,

2 das auf dem Halbleiterchip kontaktierte drahtförmige Anschlußstück in Seitenansicht, 2 the wire-shaped connecting piece contacted on the semiconductor chip in side view,

3 das auf dem Halbleiterchip kontaktierte drahtförmige Anschlußstück in Draufsicht, 3 the wire-shaped connecting piece contacted on the semiconductor chip in plan view,

4 ein drahtförmiges Anschlußstück, das zusätzlich mit angeformtem Distanzdeformationsbereich 12 versehen ist und 4 a wire-shaped connector, which in addition with molded spacer deformation area 12 is provided and

5 ein Chip, das mit dem in 4 dargestellten Anschlußstück verbunden ist. 5 a chip with the in 4 is shown connecting piece connected.

Im erläuterten Beispiel soll als Anschlußstück 1 ein Anschlußdraht aus Reinstkupfer kontaktiert werden. Der Durchmesser des in 1 gezeigten Anschlußdrahtes 1 beträgt in diesem Beispiel 70 μm. Der Anschlußdraht 1 ist mit einer galvanischen aufgebrachten Goldschicht der Dicke von (0,5...3) μm ummantelt. Durch Pressen mit einem Werkzeug wurde der Isolier-Deformationsbereich 2 erzeugt, der exzentrisch am Anschlußdraht 1 angeformt ist. Die Dicke des Isolier-Deformationsbereiches 2 beträgt im Beispiel 25 μm und die Länge 300 μm. Dem Isolier-Deformationsbereich 2 schließt sich ein nichtdeformierter Abschnitt des Anschlußdrahtes 1, das Kontaktstück 3, an. Das Kontaktstück 3 weist einen Durchmesser von 70 μm und die Länge 90 μm auf.In the illustrated example is intended as a connector 1 a lead wire made of pure copper can be contacted. The diameter of the in 1 shown connecting wire 1 is in this example 70 microns. The connecting wire 1 is coated with a galvanically applied gold layer of the thickness of (0.5 ... 3) microns. By pressing with a tool, the insulating deformation area became 2 generated, the eccentric to the lead wire 1 is formed. The thickness of the insulation deformation area 2 in the example is 25 microns and the length 300 microns. The insulation deformation area 2 closes a non-deformed portion of the lead wire 1 , the contact piece 3 , at. The contact piece 3 has a diameter of 70 microns and the length 90 microns.

2 zeigt das mittels Thermokompressionsverfahren auf die Chipkontaktfläche 7 kontaktierte Kontaktstück 3, den sich waagerecht anschließenden Isolier-Deformationsbereich 2 und den folgenden Anschlußdraht 1. 2 shows this by means of thermocompression on the chip contact surface 7 contacted contact piece 3 , the horizontally adjoining insulating deformation area 2 and the following lead wire 1 ,

Das Kontaktstück 3 wurde beim Kontaktieren so deformiert, dass es flächig mit der Chipkontaktfläche 7 in der Kontaktierzone 8 verbunden ist. Durch die Kontaktstückdeformation 9 beim Kontaktieren verbreiterte sich das Kontaktstück 3 parallel zur Chipoberfläche 5 und seine Dicke reduzierte sich im Beispiel auf 40...50 μm. Der sich dem kontaktierten Kontaktstück 3 anschließende Isolier-Deformationsbereich 2 befindet sich nun in einem Abstand von 15...20 μm über der Chipoberfläche 5 und geht in einem waagerechten Abstand von 150 μm von der Chipkante 6 in den nichtdeformierten Anschlußdraht 1 über. Die Achse 10 des Anschlußdrahtes 1 verläuft nahezu ebenengleich mit der Chipoberfläche 5. Die Anschlußdrähte 1 eines kontaktierten Halbleiterchips 4 können nun auf gewünschte Anschlußlänge gekürzt werden und der Chip 4 kann als vorkontaktiertes Modul in die weitere elektronische Schaltung eingesetzt werden oder die Anschlußdrähte 1 sind gleichzeitig spulenartige oder dipolartige Antennen.The contact piece 3 was deformed on contacting so that it is flat with the chip contact surface 7 in the contact zone 8th connected is. Through the contact piece deformation 9 when contacting the contact widened 3 parallel to the chip surface 5 and its thickness was reduced in the example to 40 ... 50 microns. The contact piece contacted 3 subsequent insulation deformation area 2 is now located at a distance of 15 ... 20 μm above the chip surface 5 and goes at a horizontal distance of 150 microns from the chip edge 6 in the undeformed lead wire 1 above. The axis 10 of the connecting wire 1 runs almost even with the chip surface 5 , The connecting wires 1 a contacted semiconductor chip 4 can now be shortened to the desired connection length and the chip 4 can be used as vorkontaktiertes module in the other electronic circuit or the connecting wires 1 are simultaneously coil-like or dipole-like antennas.

In 3 ist der Ausschnitt eines vorkontaktierten Moduls in der Draufsicht dargestellt. Der Isolier-Deformationsbereich 2 überquert im dargestellten Beispiel den Randbereich des Halbleiterchip 1 und die Chipkante 6 mit einer Breite von 160 μm.In 3 the section of a pre-contacted module is shown in plan view. The insulation deformation area 2 crosses in the illustrated example, the edge region of the semiconductor chip 1 and the chip edge 6 with a width of 160 μm.

Durch nachträgliches Vergießen des Chips 4 und des kontaktierten Anschlußdrahtes 1 mit Isolier-Deformationsbereich 2 und Kontaktstücken 3 mittels elektrisch isolierenden, härtbaren Gießharzen ergeben sich optimale Verbundfestigkeiten zwischen Isolier-Deformationsbereich 2 und Halbleiterchip 4. Kurzschlüsse zwischen Halbleiterchipkante 6 und Isolier-Deformationsbereich 2 können dabei nicht auftreten. Der Anschlußdraht 1 führt bei relativ dickem Querschnitt nahezu in der Ebene der Chipoberfläche 5 vom Halbleiterchip 4 weg.By subsequent potting of the chip 4 and the contacted lead wire 1 with insulating deformation area 2 and contact pieces 3 By means of electrically insulating, hardenable casting resins, optimum bond strengths result between the insulation deformation area 2 and semiconductor chip 4 , Short circuits between semiconductor chip edge 6 and insulation deformation area 2 can not occur. The connecting wire 1 leads at relatively thick cross section almost in the plane of the chip surface 5 from the semiconductor chip 4 path.

Der in 4 dargestellte Draht 1 ist mit den künftig über beiden Chipkanten 6 liegenden Isolierdeformationsbereichen 2 und über dem Chip 4 zusätzlich mit exzentrisch angeformten Distanzdeformationsbereichen 12 versehen. Der Distanzdeformationsbereich 12 weist mehrfach Isolierdeformationsbereiche (2) auf. Die Dicke des Distanzdeformationsbereiches 12 beträgt 50 μm und entspricht damit der Dicke des Kontaktstückes 3 im kontaktierten Zustand. Beim Kontaktieren wird das Kontaktstück 3 soweit deformiert, bis das Schweißwerkzeug den Draht 1 des Distanzdeformationsbereiches 12 ebenfalls gegen die Chipoberfläche 5 presst und die nun über eine größere Drahtlänge verteilte Presskraft des Schweißwerkzeuges nicht ausreicht, das Kontaktstück 3 weiter als beabsichtigt zu deformieren.The in 4 illustrated wire 1 is with the future over both chip edges 6 lying Isolierdeformationsbereichen 2 and over the chip 4 additionally with eccentrically formed distance deformation areas 12 Mistake. The distance deformation area 12 has multiple insulation deformation regions ( 2 ) on. The thickness of the distance deformation area 12 is 50 microns and thus corresponds to the thickness of the contact piece 3 in the contacted state. When contacting the contact piece 3 deformed until the welding tool the wire 1 the distance deformation range 12 also ge gene the chip surface 5 presses and now distributed over a greater wire length pressing force of the welding tool is not sufficient, the contact piece 3 further than intended to deform.

Die im Distanzdeformationsbereich 12 eingeprägten Isolierdeformationsbereiche 2 sind über möglichen Chipkontaktflächen 7, die als Testkontakt dienen, angebracht und die Isolierdeformationsbereiche 2 erleichtern die Verteilung eventuell auf die Chipoberfläche 5 aufgebrachter Schutzlacke, Gießharze, Kleber usw.The in the distance deformation area 12 embossed insulating deformation areas 2 are about possible chip pads 7 which serve as a test contact, mounted and insulating deformation areas 2 may facilitate the distribution to the chip surface 5 applied protective coatings, casting resins, adhesives, etc.

Eine Anordnung, bei der dieser Anschlussdraht 1 mit dem Chip 4 verbunden ist, ist in 5 dargestellt.An arrangement in which this lead wire 1 with the chip 4 connected is in 5 shown.

11
drahtförmiges Anschlußstückwire-shaped connector
22
Isolier-DeformationsbereichInsulating deformation area
33
Kontaktstückcontact piece
44
HalbleiterchipSemiconductor chip
55
Oberfläche des HalbleiterchipSurface of the Semiconductor chip
66
Chipkantechip edge
77
Chipkontaktfläche Chip contact surface
88th
Kontaktierzonecontacting zone
99
KontaktstückdeformationContact piece deformation
1010
Achse des Anschlußdrahtesaxis of the connecting wire
1111
Unterseite der Deformationsbereichebottom the deformation areas
1212
DistanzdeformationsbereichDistance deformation area

Claims (9)

Verfahren zum Kontaktieren nahezu waagerecht zur Oberfläche (5) eines Halbleiterchips (4) verlaufender drahtförmiger Anschlußstücke (1) mit Kontaktflächen (7) des Halbleiterchips (4), wobei die Anschlußstücke (1) vor dem Kontaktieren in einem Isolier-Deformationsbereich (2) durch mechanisches Verformen so deformiert werden, dass sich nach dem Kontaktieren des Kontaktstückes (3) auf der Kontaktfläche (7) zwischen dem Isolierdeformationsbereich (2) des drahtförmigen Anschlußstückes (1) und der Oberfläche (5) des Halbleiterchips (4) ein beabstandeter Bereich von der Kontaktierzone (8) bis über die Chipkante (6) des Halbleiterchips (4) erstreckt, dadurch gekennzeichnet, dass das drahtförmige Anschlußstück (1) zum Kontaktieren über die Oberfläche (5) des gesamten Chip (4) gespannt wird und über jeder überspannten Chipkante (6) einen Isolier-Deformationsbereich (2) aufweist.Method for contacting almost horizontally to the surface ( 5 ) of a semiconductor chip ( 4 ) running wire-shaped connecting pieces ( 1 ) with contact surfaces ( 7 ) of the semiconductor chip ( 4 ), wherein the connecting pieces ( 1 ) before contacting in an insulating deformation area ( 2 ) are deformed by mechanical deformation so that after contacting the contact piece ( 3 ) on the contact surface ( 7 ) between the insulation deformation area ( 2 ) of the wire-shaped connecting piece ( 1 ) and the surface ( 5 ) of the semiconductor chip ( 4 ) a spaced area from the contacting zone ( 8th ) to beyond the chip edge ( 6 ) of the semiconductor chip ( 4 ), characterized in that the wire-shaped connecting piece ( 1 ) for contacting over the surface ( 5 ) of the entire chip ( 4 ) and over each over-stretched chip edge ( 6 ) an insulating deformation area ( 2 ) having. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das über den Chip (4) gespannte drahtförmige Anschlußstück (1) zusätzlich über der Chipoberfläche (5) mit exzentrisch eingeprägten Distanzdeformationsbereichen (12) versehen wird, wobei die Unterseite (11) des Distanzdeformationsbereiches (12) zur Chipoberfläche (5) zeigt.A method according to claim 1, characterized in that the over the chip ( 4 ) tensioned wire-shaped fitting ( 1 ) additionally over the chip surface ( 5 ) with eccentrically embossed distance deformation regions ( 12 ), the underside ( 11 ) of the distance deformation area ( 12 ) to the chip surface ( 5 ) shows. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass im Distanzdeformationsbereich (12) Isolierdeformationsbereiche (2) angeordnet sind.Method according to claim 2, characterized in that in the distance deformation area ( 12 ) Insulating deformation areas ( 2 ) are arranged. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass das Anschlußstück (1) aus duktilem Material besteht.Method according to at least one of claims 1 to 3, characterized in that the connecting piece ( 1 ) consists of ductile material. Verfahren nach mindestens einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Anschlußstück (1) mit einer duktilen Edelmetallschicht überzogen ist.Method according to at least one of the preceding claims, characterized in that the connecting piece ( 1 ) is coated with a ductile noble metal layer. Verfahren nach mindestens einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Kontaktstück (3) mittels Thermokompression auf der Kontaktfläche (7) kontaktiert wird.Method according to at least one of the preceding claims, characterized in that the contact piece ( 3 ) by thermocompression on the contact surface ( 7 ) is contacted. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Thermokompression mit Ultraschallverfahren unterstützt wird.Method according to Claim 6, characterized thermocompression is supported by ultrasound. Halbleiterchip mit drahtförmigen Anschlußstücken (1), die nahezu waagerecht zur Oberfläche (5) eines Halbleiterchips (4) verlaufen und mit Kontaktflächen (7) des Halbleiterchips (4) elektrisch leitend verbunden sind, wobei die Anschlußstücke (1) einen Isolier-Deformationsbereich (2) aufweisen, der einen Abstand zwischen der Oberseite (5) des Halbleiterchips (4) und den drahtförmigen Anschlußstücken (1) bildet und der sich über den Bereich von der Kontaktierzone (8) bis über die Chipkante (6) des Halbleiterchips (4) erstreckt, dadurch gekennzeichnet, dass das drahtförmige Anschlußstück (1) über die Oberfläche (5) des gesamten Chip (4) gespannt ist und über jeder überspannten Chipkante (6) einen Isolier-Deformationsbereich (2) aufweist.Semiconductor chip with wire-shaped connectors ( 1 ), which is almost horizontal to the surface ( 5 ) of a semiconductor chip ( 4 ) and with contact surfaces ( 7 ) of the semiconductor chip ( 4 ) are electrically conductively connected, wherein the connecting pieces ( 1 ) an insulating deformation area ( 2 ), which is a distance between the top ( 5 ) of the semiconductor chip ( 4 ) and the wire-shaped connecting pieces ( 1 ) and extending over the region of the contacting zone ( 8th ) to beyond the chip edge ( 6 ) of the semiconductor chip ( 4 ), characterized in that the wire-shaped connecting piece ( 1 ) over the surface ( 5 ) of the entire chip ( 4 ) is stretched over each spanned chip edge ( 6 ) an insulating deformation area ( 2 ) having. Halbleiterchip nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass der Halbleiterchip (4) mindestens in der Umgebung der Isolier-Deformationsbereiche (2) des kontaktierten drahtförmigen Anschlußstückes (1) mit einem Verguß versehen ist.Semiconductor chip according to claim 8, characterized in that the semiconductor chip ( 4 ) at least in the vicinity of the insulating deformation areas ( 2 ) of the contacted wire-shaped connecting piece ( 1 ) is provided with a potting.
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