DE19838439C1 - Dünnfilmphotodiode und Verfahren zur Herstellung - Google Patents

Abstract

Die Erfindung betrifft Dünnfilmphotodioden und ein Verfahren zur Herstellung. DOLLAR A Bei dem Verfahren wird ein erstes Substrat, das auf einer ersten Seite eine Photodiode aufweist, bereitgestellt. Das erste Substrat wird mit einem zweiten Substrat verbunden, wobei die erste Seite zum zweiten Substrat gerichtet ist. Das erste Substrat wird dann von einer zweiten, der ersten gegenüberliegenden Seite, bis auf eine Dicke von wenigen Mikrometern gedünnt. Anschließend wird eine die zu detektierende Strahlung reflektierende Schicht oder Schichtfolge auf die zweite Seite des ersten Substrates aufgebracht. Schließlich werden das erste Substrat auf ein drittes Substrat aufgebracht und das zweite Substrat entfernt. DOLLAR A Durch die erfindungsgemäße reflektierende Schicht an der Unterseite der Photodiode wird die Strahlung umgelenkt und durchdringt erneut die optisch aktive Schicht der Photodiode, so daß der Wirkungsgrad von Dünnfilmphotodioden stark erhöht wird.

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstel­ lung einer Dünnfilmphotodiode mit hohem Wirkungsgrad.

Es gibt derzeit viele technische Systeme, bei denen optische Signale erfaßt und zur Weiterverarbei­ tung in elektrische Signale umgewandelt werden müssen. Beispiele hierfür sind die Anwendungsfelder (magneto- )optische Datenspeicherung, wie bei CD-, DVD- oder MO- Laufwerken, die optische Datenübertragung über Glas­ fasernetzwerke, sowie die Bereiche Bildverarbeitung, Mustererkennung und optische Spektroskopie. Zur Detek­ tion der elektromagnetischen Strahlung werden bei diesen Systemen in der Regel Halbleiter-Photodioden als Photodetektoren verwendet, die je nach Anforderung als Einzeldiode, Diodenzeile oder Diodenarray angeordnet werden. Im Bereich der Bildverarbeitung kommen hierbei insbesondere zeilenweise oder flächig angeordnete De­ tektoren zum Einsatz.

Als Grundmaterial zur Herstellung von Photodioden wird ein Halbleitersubstrat, beispielsweise aus Silizium, Germanium, III-V- oder IV-VI-Verbindungen, verwendet. Beispiele für III-V-Halbleiter sind GaAs, GaP, InP, InAs, InSb, GaInAs oder InGaAsP, für IV-VI- Halbleiter PbSe, PbTe.

Die einfallende elektromagnetische Strahlung wird im Halbleitersubstrat absorbiert und erzeugt Ladungs­ träger, die schließlich einen Photostrom hervorrufen. Die Größe des Stromflusses hängt von der Beleuchtungs­ stärke der zu erfassenden Strahlung ab. Der detektier­ bare Wellenlängenbereich wird durch das verwendete Halbleiter-Grundmaterial bestimmt. Dieser liegt im Fall von Silizium bei ca. 200 nm bis 1100 nm, während er bei Germanium ca. 200 nm bis 1700 nm umfaßt.

Zwischen den beiden Elektroden der Photodiode wird eine Raumladungszone erzeugt, in deren elektrischem Feld die Trennung der generierten Ladungsträger er­ folgt. Um einen hohen Wirkungsgrad der Photodiode zu erhalten, muß gewährleistet werden, daß ein möglichst großer Teil der Strahlung in die Diode eingekoppelt und weitgehend innerhalb der Raumladungszone absorbiert wird. Außerhalb der Raumladungszone erzeugte Ladungs­ träger rekombinieren überwiegend und tragen nicht zum Photostrom bei. Die Rekombinationsrate wird durch Stö­ rungen des Kristallgitters und Defekte, die auch durch Verunreinigungen hervorgerufen werden können, erhöht und ist insbesondere im Bereich der Oberfläche sehr hoch.

Die Strahlungseinkopplung in die Photodiode wird durch die Brechungsindizes des Halbleitermaterials, der Deckschicht über der Photodiode und der Umgebung be­ stimmt. Bei monochromatischer Strahlung treten außerdem Interferenzeffekte durch Reflexionen an Grenzflächen auf, die die Transmission beeinflussen. Durch geeignete Wahl der Deckschichten über der Photodiode können eine optische Vergütung realisiert und die Strahlungsein­ kopplung für eine Wellenlänge oder einen Wellenlängen­ bereich optimiert werden.

Die Intensität der einfallenden Strahlung nimmt gemäß dem Absorptionsgesetz exponentiell mit zunehmen­ der Eindringtiefe ab. Die Absorption und damit die Ein­ dringtiefe werden durch den Absorptionskoeffizienten bestimmt, der hauptsächlich vom Halbleitermaterial und dessen Dotierung, sowie von der Wellenlänge der Strah­ lung abhängt. Die Absorption steigt in der Regel mit sinkender Wellenlänge und zunehmender Dotierung an. Ebenso bewirken Kristallstörungen, wie sie in poly­ kristallinem oder amorphem Material in starkem Maß vor­ liegen, ein Ansteigen der Strahlungsabsorption.

Die Weite der Raumladungszone hängt bei gegebener elektrischer Spannung im Wesentlichen von der Dotierung des Halbleiters ab und nimmt mit sinkendem Dotierungs­ niveau zu. Häufig werden daher sog. pin-Photodioden verwendet, die eine intrinsische Halbleiterschicht ent­ halten, die sehr niedrig dotiert ist. Damit können Raumladungszonen mit einer Ausdehnung von mehreren Mikrometern erzeugt werden.

Lag in der Vergangenheit der Schwerpunkt der Ent­ wicklung bei der Fertigung von Einzelphotodioden, so macht die zunehmende Nachfrage nach Gesamtsystemlösun­ gen die Herstellung von integrierten Systemen erforder­ lich, bei denen Detektoren mit der dazugehörenden Aus­ werteelektronik, die Verstärkungs-, Logik- oder Spei­ cherelemente enthalten kann, integriert werden.

Neben der monolithischen Integration, bei der De­ tektoren und Elektronik nebeneinander auf einem Substrat erzeugt werden, gewinnt mittlerweile die ver­ tikale Integration (siehe z. B. Y. Akasaka, Proc IEEE 74 (1986) 1703) bzw. die Herstellung von Dünnfilmelementen für Anwendungen, die mit dem Begriff "Smart Label" um­ schrieben werden, eine immer größere Bedeutung. Hierbei spielen auch die Kosten eine Rolle, da die monoli­ thische Integration zum einen die Entwicklung von spe­ ziellen Fertigungsprozessen erfordert und insgesamt höhere Fertigungskosten verursacht. Zum anderen sind Photodioden im Vergleich zur Auswerteelektronik ver­ hältnismäßig einfache Elemente, die in der Regel eine große Fläche beanspruchen. Bei der Integration fallen damit für die Photodioden wesentlich höhere Flächen­ kosten an, als bei der Fertigung im Rahmen eines ein­ fachen Photodiodenprozesses. Für die genannten Anwen­ dungsgebiete ist es erforderlich, Photodioden in dünnen Halbleiterfilmen mit Dicken von wenigen Mikrometern herzustellen.

Eine Problematik bei der vertikalen Integration ist die Herstellung von elektrischen Verbindungen zwi­ schen den einzelnen Ebenen. Es sind jedoch Verfahren zur Herstellung von dreidimensionalen Schaltungsanord­ nungen bekannt, mit denen nach dem Aufbringen der Ebene elektrische Verbindungen hergestellt werden können (siehe z. B. US-A-5563084). Voraussetzung dafür ist jedoch in der Regel, daß die einzelnen Ebenen möglichst dünn sind, typischerweise wenige Mikrometer. Die Dicke wird dabei überwiegend durch die Verdrahtungsebenen (Mehrlagenmetallisierung) bestimmt, das Silizium­ substrat wird in der Regel bis auf Restdicken von bis zu 0,5 µm gedünnt.

Andererseits beträgt die Eindringtiefe der Strah­ lung in Silizium bei einer Wellenlänge von 800 nm ca. 10 µm, während sie bei einer Wellenlänge von 500 nm, was einer Strahlung im blaugrünen Spektralbereich ent­ spricht, nur noch ca. 1 µm groß ist. Dies bedeutet, daß in Dünnfilmphotodioden, besonders bei längerwelliger Strahlung, nur noch ein geringer Teil der einfallenden Strahlung absorbiert und in elektrische Signale umge­ setzt wird.

Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zur Herstellung von Dünnfilmphotodioden anzugeben, die gerade bei längerwelliger Strahlung noch einen hohen Wirkungsgrad aufweisen.

Die Aufgabe wird mit dem Verfahren nach Anspruch 1 gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen des Verfahrens sind Gegenstand der Unteransprüche.

Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren werden zu­ nächst ein oder mehrere Photodioden auf bekannte Weise vorzugsweise in einem Standard-Halbleitersubstrat her­ gestellt, wobei in der Regel ein reiner Photodioden­ prozeß verwendet wird. Anschließend wird ein Träger­ substrat mit der Vorderseite des Halbleitersubstrats verbunden, die die Photodioden aufweist. Hierbei ist keine Justage erforderlich. Es genügt vielmehr eine grobe Ausrichtung der beiden Substrate. Nun wird das Halbleitersubstrat von der Rückseite her auf die gefor­ derte Restdicke des Halbleiterbereiches von einigen Mikrometern gedünnt. Anschließend wird die Rückseite mit einer oder mehreren Schichten versehen, die die zu detektierende Strahlung reflektieren, vorzugsweise mit einem Reflexionsgrad von mindestens 50%. Diese Schichten können Metalle (z. B. Al, Cu, Mo, Ta, Ti, W), Metallverbindungen (z. B. AlSi, AlSiCu, MoSi₂, TaSi₂, TiSi₂, PtSi, WSi₂) oder dielektrische Schichten wie Oxid oder Nitrid sein, die eine Totalreflexion der zu detektierenden Strahlung an der Grenzfläche zwischen dem Halbleiterbereich und diesen Schichten bewirken.

Vorzugsweise wird vor dem Aufbringen der reflek­ tierenden Schichten die Oberfläche des Halbleiter- Substrates aufgerauht oder angeätzt (z. B. mit KOH), um eine diffuse Reflexion oder eine Änderung des Refle­ xionswinkels an dieser Fläche zu erzielen.

Wird die Photodiode so ausgelegt, daß sich die Raumladungszone über die gesamte Schichtdicke er­ streckt, so tragen die in der gesamten Schichtdicke (optisch aktive Schicht) generierten Ladungsträger zum Photostrom bei. Infolge der Absorption nimmt die Strah­ lungsintensität exponentiell mit zunehmender Tiefe ab. Bei einer geringen Absorption würde jedoch ein Großteil der Strahlung die optisch aktive Schicht der Photodiode durchdringen und nicht zum Photostrom beitragen. Durch die erfindungsgemäße reflektierende Schicht an der Un­ terseite der Photodiode wird die Strahlung umgelenkt, durchdringt erneut die optisch aktive Schicht der Photodiode und erzeugt wiederum Ladungsträger. Bei senkrechtem Einfall des Lichtes wird damit mindestens eine Verdopplung der optisch wirksamen Tiefe erreicht. Durch die oben genannte Behandlung bzw. Strukturierung der Rückseite wird zusätzlich eine Richtungsänderung der Strahlung erreicht, so daß sich die Weglänge noch­ mals vergrößert. Darüber hinaus tritt auch an der Ober­ fläche der Photodiode beim Übergang vom optisch dichte­ ren Halbleitermaterial in die Deckschichten, die in der Regel aus Oxid, Nitrid oder organischen Schichten, wie Polyimid, bestehen, eine Totalreflexion auf, so daß ins­ gesamt der Wirkungsgrad von Dünnfilmphotodioden stark erhöht wird. Die erfindungsgemäße Rückseitenverspiege­ lung muß zur Erhöhung des Wirkungsgrades natürlich nicht unbedingt strukturiert werden.

Nach dem Aufbringen der reflektierenden Schicht bzw. Schichten wird die Photodiode auf ein weiteres Substrat aufgebracht. Nach dem Entfernen des Träger­ substrates werden schließlich die elektrischen Verbin­ dungen hergestellt.

Die Rückseitenverspiegelung gewährleistet außer­ dem, daß die einfallende Strahlung nicht in darunter­ liegende Schichten einer vertikalen Integrierten Schal­ tung eindringt und die Eigenschaften der Schaltung be­ einflußt. Eindringende Strahlung würde Ladungsträger erzeugen, die innerhalb einer Schaltung elektrische Ströme hervorrufen, die z. B. als unerwünschte Leck­ ströme die Funktion des Bausteins stören können.

In einer vorteilhaften Ausführungsform wird die Rückseitenverspiegelung mit elektrisch leitenden Schichten realisiert und dient dadurch gleichzeitig als elektromagnetische Abschirmung, so daß ein Übersprechen zwischen den Ebenen verhindert wird.

Durch das erfindungsgemäße Verfahren können Dünn­ film-Photodetektoren geringer Dicke mit hohem Quanten­ wirkungsgrad hergestellt werden, die sich gut für eine vertikale Integration eignen.

Im folgenden wird die Erfindung anhand der Figuren und eines Ausführungsbeispiels näher erläutert. Hierbei zeigen

Fig. 1 ein Ausgangssubstrat mit einer auf übliche Weise hergestellten Photodiode;

Fig. 2 das gedünnte Ausgangssubstrat mit dem verbun­ denen Trägersubstrat auf der Vorderseite;

Fig. 3 das Trägersubstrat mit dem gedünnten Ausgangs­ substrat nach Herstellung der Rückseitenver­ spiegelung;

Fig. 3a das Trägersubstrat mit dem gedünnten Ausgangs­ substrat mit einer Rückseitenstreuschicht nach Herstellung der Rückseitenverspiegelung;

Fig. 3b das Trägersubstrat mit dem gedünnten Ausgangs­ substrat mit lateralen Reflektoren nach Her­ stellung der Rückseitenverspiegelung; und

Fig. 4 ein Bauelementsubstrat mit vertikal integrier­ ten Dünnfilm-Photodioden gemäß der vorliegen­ den Erfindung.

Das folgende Ausführungsbeispiel beschreibt die Herstellung einer Dünnfilm-Photodiode.

In einem Ausgangssubstrat 1, beispielsweise aus monokristallinem Silizium, wird eine Photodiode 8 gemäß einem Standardverfahren der Halbleitertechnologie her­ gestellt. Solche Standardverfahren sind z. B. aus D. Widmann et al., Technologie hochintegrierter Schaltun­ gen, Springer-Verlag, Berlin 1996, bekannt.

Die Diode besteht aus einem pn-Übergang von der hochdotierten Elektrode 3 zum Substrat 1. Die Elektrode 3 ist dabei von entgegengesetzter Polarität wie das Substrat, d. h. bei einem n-leitenden Substrat p-do­ tiert. Das dotierte Gebiet 3 wird durch Ionenimplanta­ tion oder Diffusion erzeugt, wobei anschließend eine Temperung zum Eintreiben und/oder Aktivieren der Do­ tierstoffe folgen kann. Die Isolationsschicht 2, die in der Regel aus Oxid besteht, kann dabei als Maskierung dienen. Alternativ ist selbstverständlich auch die Ver­ wendung von Photolack zur Maskierung möglich.

Vor der Realisierung der elektrischen Anschlüsse wird eine Isolationsschicht 4 aufgebracht oder erzeugt, die aus undotiertem oder dotiertem Oxid, wie FSG, PSG, BSG oder BPSG, aus Nitrid oder einem Schichtsystem der genannten Materialien bestehen kann. Neben der Isola­ tion gewährleistet diese Schicht auch einen Schutz der Photodiode. Anschließend wird die Metallisierung 5 her­ gestellt und eine Passivierungsschicht 6, die bei­ spielsweise aus Oxid und Nitrid besteht, abgeschieden. Das Ergebnis ist in Fig. 1 dargestellt.

Als Verdrahtung kann auch eine Mehrlagenmetalli­ sierung zum Einsatz kommen. Die Deckschichten über der Photodiode können zur Optimierung der Strahlungsein­ kopplung in die Photodiode auch teilweise oder voll­ ständig entfernt, bzw. modifiziert werden.

Für eine vertikale Integration muß das Substrat 1 auf eine Restdicke von wenigen Mikrometern, vorzugs­ weise auf ≦ 5 µm, gedünnt werden. Dazu wird ein Träger­ substrat 10, das eventuell mit einer Abdeckschicht 11, aus beispielsweise Oxid, versehen ist, auf das erste Substrat 1 aufgebracht, wie in Fig. 2 gezeigt. Als Trä­ gersubstrat sind neben mono- oder polykristallinen Siliziumsubstraten auch andere Materialien verwendbar, die zu Halbleiterprozessen kompatibel sind, wie z. B. Quarz- oder Glassubstrate. Um eine gute Verbindung zu erreichen, wird dabei vorzugsweise die Oberfläche des Substrates 1 vorher planarisiert.

Die Planarisierung kann mit verschiedenen Verfah­ ren durchgeführt werden. Dabei wird zuerst eine Isola­ tionsschicht 7, wie z. B. Spin-on-Glas oder ein CVD-Oxid aufgebracht. Die maximal mögliche Temperatur wird durch das zulässige Temperaturbudget, in der Regel durch die bei der Metallisierung verwendeten Materialien vorgege­ ben und liegt typischerweise im Bereich von 400°C. An­ schließend wird die Oberfläche eingeebnet, was durch Rückätzen, mechanisches und/oder chemomechanisches Schleifen erfolgt. Nun wird auf die Oberfläche des Substrates 1 oder des Trägersubstrates 10 ganzflächig eine Haftschicht 12 aus einem organischen Material, wie Polyimid oder Photolack, aufgebracht. Diese Haftschicht 12 mit einer Dicke von typischerweise 1-2 µm bewirkt außerdem eine Planarisierung der Oberfläche. Auf die Haftschicht 12 wird schließlich das Trägersubstrat 10 aufgeklebt. Das Trägersubstrat 10 wird als Hand­ lingsubstrat für die weiteren Prozeßschritte verwendet und schützt die Oberfläche des Substrates 1 bei der weiteren Bearbeitung.

Danach wird das Substrat 1, das die Photodioden enthält, durch Ätzen und/oder Schleifen von der Rück­ seite her gedünnt, bis die Dicke des Substrates 1 nur noch wenige Mikrometer beträgt.

Dieser Dünnungsprozeß kann dadurch vereinfacht werden, daß als Ausgangsmaterial für das Substrat 1 SOI-Material verwendet wird, welches eine vergrabene Oxidschicht enthält. Dies hat den Vorteil, daß der Dün­ nungsprozeß so ausgelegt werden kann, daß diese vergra­ bene Oxidschicht als Ätzstopp dient. Aufgrund der großen Selektivität der Ätzprozesse wird damit eine hohe Homogenität der Dicke des gedünnten Substrates 1 erreicht. Die Enddicke des Substrates 1 wird dabei durch die Dicke der Substratschicht oberhalb des ver­ grabenen Oxides, das danach entfernt werden kann, be­ stimmt.

Eine weitere Alternative stellt die Verwendung einer hochdotierten Schicht als Ätzbarriere dar. In diesem Fall wäre die vergrabene Oxidschicht beim SOI- Material im Substrat 1 durch ein hochdotiertes Gebiet ersetzt. Durch den Einsatz von Ätzverfahren, deren Ätz­ raten stark dotierungsabhängig sind, wird schließlich erreicht, daß die Dünnung des Substrates 1 selbständig an dieser hochdotierten Schicht stoppt.

Nun wird die Rückseite des Substrates 1 gemäß Fig. 3 mit einer Schicht oder einem Schichtsystem 13 verse­ hen, das die zu detektierende Strahlung reflektiert. Diese Schichten können dabei Metalle (z. B. Al, Cu, Mo, Ta, Ti, W), Metallverbindungen (z. B. AlSi, AlSiCu, MoSi₂, TaSi₂, TiSi₂, PtSi, WSi₂) oder dielektrische Schichten wie Oxid oder Nitrid sein, die eine Total­ reflexion der zu detektierenden Strahlung an der Grenz­ fläche zwischen den Schichten und dem Substrat bewir­ ken. Durch elektrisch leitende Schichten kann außerdem ein Rückseitenkontakt zur Verfügung gestellt werden.

Vorzugsweise wird vor dem Aufbringen der reflek­ tierenden Schichten die Oberfläche des Halbleiter- Substrates aufgerauht oder angeätzt, um eine diffuse Reflexion oder eine Änderung des Reflexionswinkels zu erzielen. Dieses Aufrauhen kann mechanisch und/oder chemisch erfolgen. Bei einer chemischen Behandlung kom­ men dabei Defektätzen oder Ätzen, deren Ätzrate von der Kristallorientierung abhängt, wie die KOH-Ätze, zur An­ wendung. Alternativ oder zusätzlich können auch mit Hilfe einer Rückseitenlithographie, die hierzu keine Justierung erfordert, in Verbindung mit auf die Kri­ stallorientierung sensitiven Ätzverfahren Schrägen bzw. Gräben 14 erzeugt werden. Durch diese Schrägen 14 werden mit der Rückseitenverspiegelung 13 die Richtung des reflektierten Lichtes geändert und damit Vielfach­ reflexionen im Substrat 1 hervorgerufen (vgl. Fig. 3a). Durch diese Maßnahme werden die optisch wirksame Substratdicke vervielfacht und der Wirkungsgrad der Photodiode stark erhöht. Für den Fall, daß die Schrägen 14 den später folgenden Verbindungsprozeß der vertika­ len Integration stören, kann die Rückseite nach dem Er­ zeugen der Rückseitenverspiegelung 13 mit einem der be­ reits erwähnten Verfahren planarisiert werden.

Durch die Reflexionen kann jedoch auch eine Stö­ rung von benachbarten Elementen verursacht werden. Um dies zu verhindern, können zusätzlich Reflektoren 15 im Substrat 1 erzeugt werden, die das gedünnte Substrat 1 vorzugsweise durchdringen und damit einige Mikrometer tief sind (vgl. Fig. 3b). Die Reflektoren 15 können aus dielektrischen Schichten wie Oxid oder Nitrid bestehen. Weiterhin sind Schichtsysteme aus den genannten dielek­ trischen Schichten, polykristallinem Halbleitermate­ rial, Metallen oder Metallverbindungen möglich. Bei elektrisch leitfähigen Schichten ist dabei in der Regel eine seitliche Isolation zum Substrat 1 erforderlich, die durch dielektrische Schichten sichergestellt wird.

Ein Bauelementsubstrat 20, welches elektronische Bauelemente 21 enthalten kann, wird als Grundsubstrat für die vertikale Integration verwendet. Nach Planari­ sierung der Oberfläche des Substrates 20 mit einem der bereits erwähnten Verfahren wird eine Haftschicht 22 aus z. B. Polyimid oder Photolack auf das Substrat 20 oder auf die Rückseite des Substrates 1 aufgebracht. Anschließend wird das Substrat 1, welches die Photo­ dioden enthält, justiert mit dem Bauelementsubstrat verbunden. Danach werden das Trägersubstrat 10, die Ab­ deckschicht 11 und die Haftschicht 12 entfernt. Das re­ sultierende System ist in Fig. 4 dargestellt.

Das Trägersubstrat 10 und die Abdeckschicht 11 können durch Abätzen oder Abschleifen, die Haftschicht 12 mit einem Sauerstoffplasma oder einem Lösungsmittel abgetragen werden. Die Abdeckschicht 11 kann dabei als Stoppschicht für das Entfernen des Trägersubstrates 10 dienen.

Die Schichten 4, 6 und 7 stellen gleichzeitig die Deckschichten über der Photodiode dar. Im Zuge einer Optimierung der Strahlungseinkopplung in die Photodiode kann bei Bedarf eine Modifikation dieser Schichten über den Photodioden durchgeführt werden. Dies kann durch ein lokales Dünnen, Entfernen und/oder Abschneiden er­ folgen.

Die elektrische Verbindung zwischen den Photo­ dioden und den Bauelementen 21 kann beim Aufbringen des Substrates 1 oder nach Entfernung des Trägersubstrates 10 mit einem bekannten Verfahren hergestellt werden.

Claims (9)

1. Verfahren zur Herstellung von Dünnfilmphotodioden, mit folgenden Schritten:

• 1. Bereitstellen eines ersten Substrates (1) mit einer Photodiode auf einer ersten Seite;
• 2. Verbinden des ersten Substrates mit einem zweiten Substrat (10), wobei die erste Seite zum zweiten Substrat gerichtet ist;
• 3. Dünnen des ersten Substrates von einer zwei­ ten, der ersten gegenüberliegenden Seite bis auf eine Dicke von wenigen Mikrometern;
• 4. Aufbringen einer die zu detektierende Strah­ lung reflektierende Schicht oder Schichtfolge (13) auf die zweite Seite des ersten Substrates;
• 5. Aufbringen des ersten Substrates auf ein drittes Substrat (20), wobei die reflektierende Schicht oder Schichtfolge zum dritten Substrat ge­ richtet ist; und
• 6. Entfernen des zweiten Substrates.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als erstes Substrat (1) ein Substrat aus Halb­ leitermaterial bereitgestellt wird, in dem die Photodiode aus unterschiedlich dotierten Bereichen gebildet ist.

3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die reflektierende Schicht oder Schichtfolge (13) auf der dem ersten Substrat (1) zugewandten Seite strukturiert wird.

4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Strukturierung durch Aufrauhen oder An­ ätzen der zweiten Seite des ersten Substrates (1) vor dem Aufbringen der reflektierenden Schicht oder Schichtfolge (13) erfolgt.

5. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Strukturierung durch Ätzen von Gräben (14) auf der zweiten Seite des ersten Substrates (1) vor dem Aufbringen der reflektierenden Schicht oder Schichtfolge (13) erfolgt.

6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß für die reflektierende Schicht oder Schicht­ folge (13) elektrisch leitendes Material verwendet wird.

7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß das Dünnen des ersten Substrates (1) bis auf eine Dicke von maximal 5 Mikrometer erfolgt.

8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß als drittes Substrat (20) ein Substrat mit elektronischen Bauelementen (21) und/oder Metalli­ sierungsebenen eingesetzt wird.

9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß auf dem ersten Substrat (1) mehrere Photo­ dioden gebildet sind, wobei zwischen den Photo­ dioden Gräben erzeugt und mit einem Material (15) zur Reflexion der zu detektierenden Strahlung ge­ füllt werden.