DE19832970A1 - Integrierte elektronische Schaltung und Verfahren zum Versehen einer integrierten elektronischen Schaltung mit Anschlüssen - Google Patents
Integrierte elektronische Schaltung und Verfahren zum Versehen einer integrierten elektronischen Schaltung mit AnschlüssenInfo
- Publication number
- DE19832970A1 DE19832970A1 DE19832970A DE19832970A DE19832970A1 DE 19832970 A1 DE19832970 A1 DE 19832970A1 DE 19832970 A DE19832970 A DE 19832970A DE 19832970 A DE19832970 A DE 19832970A DE 19832970 A1 DE19832970 A1 DE 19832970A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- layer
- electronic circuit
- integrated electronic
- elements
- circuit according
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Ceased
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/492—Bases or plates or solder therefor
- H01L23/4922—Bases or plates or solder therefor having a heterogeneous or anisotropic structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L24/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
- H05K3/4611—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards
- H05K3/4614—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards the electrical connections between the circuit boards being made during lamination
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/13001—Core members of the bump connector
- H01L2224/13099—Material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01047—Silver [Ag]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01058—Cerium [Ce]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01068—Erbium [Er]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01082—Lead [Pb]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/1901—Structure
- H01L2924/1904—Component type
- H01L2924/19043—Component type being a resistor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/35—Mechanical effects
- H01L2924/351—Thermal stress
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/01—Dielectrics
- H05K2201/0104—Properties and characteristics in general
- H05K2201/0133—Elastomeric or compliant polymer
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/09—Shape and layout
- H05K2201/09209—Shape and layout details of conductors
- H05K2201/095—Conductive through-holes or vias
- H05K2201/09609—Via grid, i.e. two-dimensional array of vias or holes in a single plane
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
- H05K2201/10227—Other objects, e.g. metallic pieces
- H05K2201/10378—Interposers
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/02—Details related to mechanical or acoustic processing, e.g. drilling, punching, cutting, using ultrasound
- H05K2203/0221—Perforating
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/321—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by conductive adhesives
- H05K3/323—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by conductive adhesives by applying an anisotropic conductive adhesive layer over an array of pads
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K3/4038—Through-connections; Vertical interconnect access [VIA] connections
- H05K3/4053—Through-connections; Vertical interconnect access [VIA] connections by thick-film techniques
- H05K3/4069—Through-connections; Vertical interconnect access [VIA] connections by thick-film techniques for via connections in organic insulating substrates
Abstract
Die Erfindung betrifft eine integrierte elektronische Schaltung mit Anschlußelementen zu ihrer elektrischen Verbindung. Erfindungsgemäß zeichnet sich die Schaltung dadurch aus, daß sich zwischen wenigstens einem Teil der Anschlußelemente (80) und Funktionselementen der Schaltung eine Schicht (50) befindet und daß die Schicht (50) eine anisotrope elektrische Leitfähigkeit aufweist, die senkrecht zu der Schicht (50) höher ist als innerhalb der Schicht (50). DOLLAR A Die Erfindung betrifft ferner ein Verfahren zum Herstellen der integrierten elektronischen Schaltung.
Description
Die Erfindung betrifft eine integrierte elektronische Schal
tung mit Anschlußelementen zu ihrer elektrischen Verbindung
und ein Verfahren zum Versehen einer integrierten elektroni
schen Schaltung mit Anschlußelementen.
Bei dem Verbinden einer integrierten elektronischen Schaltung
mit äußeren Leiterbahnen, insbesondere Leiterbahnen, die sich
auf einer Leiterplatte befinden, besteht das Problem, daß
thermische Belastungen aufgrund von unterschiedlichen thermi
schen Ausdehnungskoeffizienten der integrierten elektroni
schen Schaltung einerseits und der Leiterplatte andererseits
zu einer Zerstörung von Leiterbahnen führen. Zur Lösung die
ses Problems ist bekannt, zwischen der integrierten elektro
nischen Schaltung und einer sie tragenden Leiterplatte wenig
stens eine Scheibe aus Silikon-Kautschuk anzuordnen. Eine
derartige Lösung ist jedoch verhältnismäßig aufwendig.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, die Nachteile des
Standes der Technik zu vermeiden. Insbesondere soll eine in
tegrierte elektronische Schaltung geschaffen werden, die auf
eine möglichst einfache Weise mit Leiterbahnen verbunden wer
den kann. Diese Verbindung soll gegenüber thermischen und me
chanischen Belastungen möglichst stabil sowie gegen Um
welteinflüsse geschützt sein.
Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe dadurch gelöst, daß eine
gattungsgemäße integrierte elektronische Schaltung so ausge
staltet wird, daß sich zwischen wenigstens einem Teil der An
schlußelemente und Funktionselementen der Schaltung eine
Schicht befindet und daß die Schicht eine anisotrope elektri
sche Leitfähigkeit aufweist, die senkrecht zu der Schicht hö
her ist als innerhalb der Schicht.
Die Erfindung sieht vor, wenigstens einen Flächenbereich ei
ner integrierten elektronischen Schaltung mit einer Schicht
zu versehen, die in einer ausgewählten Richtung eine höhere
Leitfähigkeit aufweist als in anderen Richtungen. In der aus
gewählten Richtung werden die Funktionselemente und die An
schlußelemente elektrisch miteinander verbunden. In den ande
ren Richtungen wirkt die Schicht als Isolator. Außerdem
schützt die Schicht die integrierte elektronische Schaltung.
Der Begriff Schicht ist in seiner allgemeinsten Bedeutung ge
meint. Er umfaßt flächig ausgebildete Materialbereiche, die
eine für eine mechanische und elektrische Isolation ausrei
chende Dicke aufweisen.
Eine besonders zweckmäßige Ausführungsform der integrierten
elektronischen Schaltung zeichnet sich dadurch aus, daß die
Schicht aus einem Material mit einer geringen elektrischen
Leitfähigkeit besteht, daß die Schicht mit Kapillarlöchern
versehen ist und daß wenigstens ein Teil der Kapillarlöcher
mit einem die Funktionselemente mit den Anschlußelementen
elektrisch verbindenden, leitfähigen Material gefüllt ist.
Das leitfähige Material verbindet Kontakte in einer die elek
tronische Schaltung definierenden Ebene mit weiteren Kontak
ten, das heißt mit Anschlußelementen, die sich in einer ande
ren Ebene befinden. Zwischen der Ebene der integrierten elek
tronischen Schaltung und der anderen Ebene befindet sich die
mit Kapillarlöchern versehene Schicht.
Unter Kapillarlöchern werden Löcher verstanden, in denen ein
Kapillareffekt, das heißt ein Ansteigen einer Flüssigkeit,
auftreten kann.
Der Schutz vor mechanischen und thermischen Belastungen läßt
sich noch dadurch vergrößern, daß die Schicht aus einem ver
formbaren Material, insbesondere einem verformbaren Polymer,
besteht.
Je nach dem beabsichtigten Einsatzgebiet ist es zweckmäßig,
daß es sich hierbei um eine elastische oder eine plastische
Verformbarkeit handelt.
Die mit einem leitfähigen Material gefüllten Kapillarlöcher
bilden elektrische Leiter mit einem geringen spezifischen Wi
derstand, so daß die Dicke der Schicht in einem weiten Be
reich frei gewählt werden kann. Es ist jedoch produk
tionstechnisch besonders einfach, die integrierte elektroni
sche Schaltung so herzustellen, daß die Dicke der Schicht
etwa 1 µm bis 300 µm beträgt.
Bei den konventionellen integrierten elektronischen Schaltun
gen, wie beispielsweise CMOS-Schaltungen, ist es zweckmäßig,
daß senkrecht zu einer Ebene der integrierten elektronischen
Schaltung Leiterbahnen geschaffen werden, die Durchmesser in
einem Bereich von 100 nm bis 5 µm aufweisen. Bei derartigen
Leiterbahnen handelt es sich vorzugsweise um Zuleitungen zu
Funktionselementen der integrierten elektronischen Schaltung.
Es ist jedoch gleichfalls zweckmäßig, auch andere, dickere
Leitungen, wie sie beispielsweise für eine Stromzuführung
eingesetzt werden, durch die Schicht hindurch zu leiten.
Je nach Einsatzgebiet, gewünschter Querschnittsfläche der
senkrechten Leiterbahn sowie des Durchmessers der Kapillarlö
cher umfaßt eine Leiterbahn ein mit leitfähigem Material ge
fülltes Kapillarloch oder mehrere mit leitfähigem Material
gefüllte Kapillarlöcher.
Insbesondere für den bevorzugten Fall, daß die Leiterbahnen
parallele und benachbarte Kapillarlöcher umfassen, kann der
Durchmesser der Kapillarlöcher unabhängig von der gewünschten
Querschnittsfläche der Leiterbahn gewählt werden.
Produktionstechnisch ist es besonders zweckmäßig, Kapillarlö
cher mit Durchmessern zwischen 1 nm bis 300 µm herzustellen.
Kapillarlöcher mit Durchmessern im Nanometer-Bereich weisen
den Vorteil auf, daß sie sich auch für den Einsatz in hochin
tegrierten, Quanteneffekte ausnutzenden Schaltungen eignen.
Bei den konventionellen Schaltungen, wie beispielsweise
CMOS-Schaltungen, ist es zweckmäßig, Kapillarlöcher mit Durchmes
sern zwischen 5 µm und 250 µm einzusetzen.
Eine im wesentlichen gleichmäßige Verteilung der Kapillarlö
cher innerhalb der Schicht hat den Vorteil, daß Herstel
lungstoleranzen - beispielsweise bei der Längenposition der
Löcher - ausgeglichen werden können. Ferner hat dies den Vor
teil, daß eine größtmögliche Freiheit bei der Positionierung
der vertikalen Leiterbahnen besteht.
Für eine weitere Erhöhung der Flexibilität der Einsatzmög
lichkeiten ist es besonders vorteilhaft, daß die Kapillarlö
cher so angeordnet sind, daß der Abstand zweier benachbarter
Kapillarlöcher im wesentlichen gleich dem Durchmesser der Ka
pillarlöcher ist.
Die Erfindung sieht ferner vor, ein Verfahren zum Versehen
einer integrierten elektronischen Schaltung mit Anschlüssen
so durchzuführen, daß ein für die Aufnahme von Funktionsele
menten der integrierten elektronischen Schaltung bestimmter
Bereich der integrierten elektronischen Schaltung mit einer
Schicht versehen wird und daß vor einer Verbindung der Funk
tionselemente mit den Anschlüssen Kapillarlöcher in der
Schicht erzeugt werden.
Gemäß einer ersten bevorzugten Ausführungsform geschieht dies
dadurch, daß die Kapillarlöcher erzeugt werden, bevor die
Schicht mit dem Bereich verbunden wird.
Es ist jedoch auch möglich, das Verfahren so durchzuführen,
daß die Kapillarlöcher erzeugt werden, nachdem die Schicht
mit dem Bereich verbunden wurde.
Weitere Vorteile, Besonderheiten und zweckmäßige Weiterbil
dungen der Erfindung ergeben sich aus den Unteransprüchen so
wie der nachfolgenden Darstellung eines bevorzugten Ausfüh
rungsbeispiels anhand der Zeichnung.
Die Zeichnung zeigt einen Querschnitt durch eine integrierte
elektronische Schaltung 10, die auf einer Leiterplatte 20
aufgebracht ist.
Zwischen der integrierten elektronischen Schaltung 10 und der
Leiterplatte 20 befindet sich eine Kapillarlöcher 30, 40 auf
weisende Schicht 50 aus einem isolierenden, vorzugsweise ver
formbaren, Material.
Auf einer Hauptfläche, die der Leiterplatte 20 zugewandt ist,
weist die integrierte elektronische Schaltung 10 Kontakte 60,
70 auf. Die Zeichnung zeigt eine besonders einfach herstell
bare Ausführungsform, bei der alle Kapillarlöcher 30, 40 mit
einem flüssigen, elektrisch leitfähigen Material, beispiels
weise einem Silberleitlack, gefüllt sind. Hierdurch wird die
Verformbarkeit der Schicht etwas verringert, bleibt jedoch
grundsätzlich bestehen. Alternativ ist es möglich, daß im we
sentlichen nur unterhalb der Kontakte 60, 70 die Kapillarlö
cher 40 mit dem leitfähigen Material gefüllt sind. Diese Va
riante hat den Vorteil, daß die Schicht 50 ähnlich verformbar
ist wie ein nicht gefülltes Material.
Die Leiterplatte 20 ist auf ihrer Hauptfläche, die der inte
grierten elektronischen Schaltung 10 abgewandt ist, mit An
schlußelementen 80 versehen, wobei die Anschlußelemente bei
spielsweise durch Lötpunkte gebildet sind.
Diese Schaltung kann vorzugsweise auf die im folgenden be
schriebene Weise hergestellt werden:
Für die elektrische Funktion der elektronischen Schaltung 10 maßgebliche Teile sowie die Kontakte 60, 70 werden erzeugt. Unabhängig davon werden die Kapillarlöcher 30, 40 der Schicht 50 mit dem flüssigen, elektrisch leitfähigen Material ge füllt.
Für die elektrische Funktion der elektronischen Schaltung 10 maßgebliche Teile sowie die Kontakte 60, 70 werden erzeugt. Unabhängig davon werden die Kapillarlöcher 30, 40 der Schicht 50 mit dem flüssigen, elektrisch leitfähigen Material ge füllt.
Danach wird die integrierte elektronische Schaltung 10 auf
der Hauptfläche, auf der sich die Kontakte 60, 70 befinden,
mit der Schicht 50 in Kontakt gebracht.
Anschließend wird die der integrierten elektronischen Schal
tung 10 abgewandte Hauptfläche der Schicht 50 mit der Leiter
platte 20 verbunden. Anschließend wird die Hauptfläche der
Leiterplatte 20, die der Schicht 50 abgewandt ist, mit den
Anschlußelementen 80 verbunden.
Claims (12)
1. Integrierte elektronische Schaltung mit Anschlußelementen
zu ihrer elektrischen Verbindung,
dadurch gekennzeichnet, daß sich zwi
schen wenigstens einem Teil der Anschlußelemente (80) und
Funktionselementen der Schaltung eine Schicht (50) befindet
und daß die Schicht (50) eine anisotrope elektrische Leitfä
higkeit aufweist, die senkrecht zu der Schicht (50) höher ist
als innerhalb der Schicht (50).
2. Integrierte elektronische Schaltung nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß die
Schicht (50) aus einem Material mit einer geringen elektri
schen Leitfähigkeit besteht, daß die Schicht (50) mit Kapil
larlöchern (30, 40) versehen ist und daß wenigstens ein Teil
der Kapillarlöcher (40) mit einem die Funktionselemente mit
den Anschlußelementen (80) elektrisch verbindenden, leitfähi
gen Material gefüllt ist.
3. Integrierte elektronische Schaltung nach einem der Ansprü
che 1 oder 2,
dadurch gekennzeichnet, daß die
Schicht (50) aus einem verformbaren Material besteht.
4. Integrierte elektronische Schaltung nach Anspruch 3,
dadurch gekennzeichnet, daß die
Schicht (50) aus einem elastisch verformbaren Material be
steht.
5. Integrierte elektronische Schaltung nach Anspruch 3,
dadurch gekennzeichnet, daß die
Schicht (50) aus einem plastisch verformbaren Material be
steht.
6. Integrierte elektronische Schaltung nach einem der Ansprü
che 1 bis 5,
dadurch gekennzeichnet, daß die Dicke
der Schicht (50) 1 µm bis 300 µm beträgt.
7. Integrierte elektronische Schaltung nach einem der Ansprü
che 2 bis 6,
dadurch gekennzeichnet, daß die Ka
pillarlöcher (30, 40) einen Durchmesser zwischen 1 nm bis 300 µm
aufweisen.
8. Integrierte elektronische Schaltung nach Anspruch 7,
dadurch gekennzeichnet, daß der
Durchmesser der Kapillarlöcher (30, 40) 5 µm bis 250 µm be
trägt.
9. Integrierte elektronische Schaltung nach einem der Ansprü
che 1 bis 7,
dadurch gekennzeichnet, daß die Ka
pillarlöcher (30, 40) im wesentlichen gleichmäßig auf der
Schicht (50) verteilt sind.
10. Integrierte elektronische Schaltung nach einem der An
sprüche 1 bis 8,
dadurch gekennzeichnet, daß die Ka
pillarlöcher (30, 40) so angeordnet sind, daß der Abstand
zweier benachbarter Kapillarlöcher (30, 40) im wesentlichen
gleich dem Durchmesser der Kapillarlöcher (30, 40) ist.
11. Verfahren zum Versehen einer integrierten elektronischen
Schaltung mit Anschlußelementen (80),
dadurch gekennzeichnet, daß ein für
die Aufnahme von Funktionselementen der integrierten elektro
nischen Schaltung bestimmter Bereich der integrierten elek
tronischen Schaltung mit einer Schicht (50) versehen wird und
daß vor einer Verbindung der Funktionselemente mit den An
schlußelementen (80) Kapillarlöcher (30, 40) in der Schicht
(50) erzeugt werden.
12. Verfahren nach Anspruch 11,
dadurch gekennzeichnet, daß die Ka
pillarlöcher (30, 40) erzeugt werden, bevor die Schicht (50)
mit der Schaltung (10) verbunden wird.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19832970A DE19832970A1 (de) | 1998-07-22 | 1998-07-22 | Integrierte elektronische Schaltung und Verfahren zum Versehen einer integrierten elektronischen Schaltung mit Anschlüssen |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19832970A DE19832970A1 (de) | 1998-07-22 | 1998-07-22 | Integrierte elektronische Schaltung und Verfahren zum Versehen einer integrierten elektronischen Schaltung mit Anschlüssen |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE19832970A1 true DE19832970A1 (de) | 1999-11-04 |
Family
ID=7874919
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19832970A Ceased DE19832970A1 (de) | 1998-07-22 | 1998-07-22 | Integrierte elektronische Schaltung und Verfahren zum Versehen einer integrierten elektronischen Schaltung mit Anschlüssen |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE19832970A1 (de) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10018638A1 (de) * | 1999-12-31 | 2001-07-19 | Chen I Ming | Kompakthalbleiterbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung |
WO2005031860A2 (en) * | 2003-07-07 | 2005-04-07 | Gelcore Llc | Electronic devices and methods for making same using nanotube regions to assist in thermal heat-sinking |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0213774A1 (de) * | 1985-08-05 | 1987-03-11 | Raychem Limited | Anisotrop elektrisch leitfähiger Gegenstand |
EP0245179A2 (de) * | 1986-05-07 | 1987-11-11 | Digital Equipment Corporation | Lösbares Montierungssystem für Halbleiter auf einem leitenden Substrat |
-
1998
- 1998-07-22 DE DE19832970A patent/DE19832970A1/de not_active Ceased
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0213774A1 (de) * | 1985-08-05 | 1987-03-11 | Raychem Limited | Anisotrop elektrisch leitfähiger Gegenstand |
EP0245179A2 (de) * | 1986-05-07 | 1987-11-11 | Digital Equipment Corporation | Lösbares Montierungssystem für Halbleiter auf einem leitenden Substrat |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Process for making a self-aligned removable VLSI Connector, In: IBM TDB Vol. 30, No. 9, Feb. 1988, pp. 353-4 * |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10018638A1 (de) * | 1999-12-31 | 2001-07-19 | Chen I Ming | Kompakthalbleiterbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung |
WO2005031860A2 (en) * | 2003-07-07 | 2005-04-07 | Gelcore Llc | Electronic devices and methods for making same using nanotube regions to assist in thermal heat-sinking |
WO2005031860A3 (en) * | 2003-07-07 | 2005-12-01 | Gelcore Llc | Electronic devices and methods for making same using nanotube regions to assist in thermal heat-sinking |
JP2007531243A (ja) * | 2003-07-07 | 2007-11-01 | ゲルコアー リミテッド ライアビリティ カンパニー | ナノチューブ領域を用いて熱ヒートシンク作用を補助する電子デバイス及びその製造方法 |
JP4754483B2 (ja) * | 2003-07-07 | 2011-08-24 | ルミネイション リミテッド ライアビリティ カンパニー | ナノチューブ領域を用いて熱ヒートシンク作用を補助する電子デバイス及びその製造方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE4021871C2 (de) | Hochintegriertes elektronisches Bauteil | |
WO2000079589A1 (de) | Elektronisches bauelement mit flexiblen kontaktierungsstellen und verfahren zum herstellen eines derartigen bauelements | |
EP2198484B1 (de) | Elektrische schaltanordnung mit einem mid-schaltungsträger und einer damit verbundenen verbindungsschnittstelle | |
WO2015104072A9 (de) | Leiterplatte, schaltung und verfahren zur herstellung einer schaltung | |
EP1105942B1 (de) | Kontaktiervorrichtung, insbesondere zum ankontaktieren von elektrischen bauelementen und schaltungsträgern, sowie verfahren zu deren herstellung | |
EP2408279B1 (de) | Verbiegbare Metallkernleiterplatte | |
DE102016110847B4 (de) | Leitungsintegrierter Schalter und Verfahren zum Herstellen eines leitungsintegrierten Schalters | |
EP0630176A1 (de) | Elektrische Baugruppe | |
DE19757938B4 (de) | Isolationskamm für Multikontaktstecker | |
DE19832970A1 (de) | Integrierte elektronische Schaltung und Verfahren zum Versehen einer integrierten elektronischen Schaltung mit Anschlüssen | |
DE10108168C1 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Multiwire-Leiterplatte | |
DE102004005361B4 (de) | Verfahren zur Herstellung von metallischen Leitbahnen und Kontaktflächen auf elektronischen Bauelementen | |
EP0892999B1 (de) | Elektrisches schalt- und steuergerät | |
DE10059808A1 (de) | Verfahren zur Verbindung einer integrierten Schaltung und einer flexiblen Schaltung | |
EP2880716A1 (de) | Belastungsminimierende elektrische durchkontaktierung | |
DE60209712T2 (de) | Gedruckte leiterplatte | |
EP1282191A2 (de) | Elektrische Schaltung mit streifenf-rmigen Leitern | |
DE2214163A1 (de) | Elektrische schaltungsanordnung | |
DE102022207767B3 (de) | Leistungsmodul und Verfahren zur Herstellung des Leistungsmoduls | |
DE102019132852B4 (de) | Verfahren zum Herstellen eines Leiterstrukturelements und Leiterstrukturelement | |
DE202004006434U1 (de) | Schaltungsanordnung mit einer Leiterplatte und einem Leitungsgitter | |
DE10137618A1 (de) | Schutzvorrichtung für Baugruppen | |
EP3189242A1 (de) | Wälzlager mit einer elektrischen schaltung sowie herstellungsverfahren einer elektrischen schaltung für ein wälzlager | |
EP1047291A1 (de) | Lötbrücke | |
DE10144323A1 (de) | Elektrische Schaltungseinheit, insbesondere Leistungsmodul, und Verfahren zur deren Herstellung |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OAV | Applicant agreed to the publication of the unexamined application as to paragraph 31 lit. 2 z1 | ||
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
8131 | Rejection |