DE19829716A1 - Arrangement for measuring temperature distribution in areas and spaces inside integrated circuits: comprises sensors close to heat sources and closely linked temperature signal evaluation circuit - Google Patents

Arrangement for measuring temperature distribution in areas and spaces inside integrated circuits: comprises sensors close to heat sources and closely linked temperature signal evaluation circuit

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Abstract

The arrangement comprises a temperature sensor, which may be a depletion-layer free sensor, e.g. on a silicon or diamond base, or is based on a pn junction silicon sensor, for each component. Each sensor is connected to a processing device (6). The sensors are as near to the heat sources as possible, and the evaluating circuit arrangement is closely linked.

Description

Die Erfindung betrifft eine Anordnung entsprechend dem Oberbegriff des Anspruchs 1.The invention relates to an arrangement according to the preamble of claim 1.

Erläuterung der verwendeten Begriffe:
elektronisches Bauelement, Bauelement: z. B. Transistor, Diode, Widerstand etc. Schaltung: elektronische Schaltung, bestehend aus der Zusammenschaltung mehrerer elektronischer Bauelemente.Explanation of the terms used:
electronic component, component: z. B. transistor, diode, resistor etc. Circuit: electronic circuit, consisting of the interconnection of several electronic components.

Um elektronische Bauelemente/Schaltungen vor Überhitzung zu schützen oder deren temperaturabhängigen Arbeitspunkt zu stabilisieren, werden Temperatursensoren in der Nähe des oder der Bauelemente/Schaltungen oder auf den Bauelementen/Schaltungen angeordnet, um deren Betriebstemperatur zu überwachen. Aus den Signalen der Temperatursensoren werden Informationen gewonnen, mit deren Hilfe, durch geeignete Einrichtungen zur Verarbeitung der Signale, die elektronischen Bauelemente durch Abschaltung vor der thermischen Zerstörung geschützt werden können, oder eine Nachregelung/Steuerung in den Arbeitspunkt erfolgen kann.To protect electronic components / circuits against overheating or their To stabilize the temperature-dependent working point, temperature sensors are nearby the one or more components / circuits or arranged on the components / circuits, to monitor their operating temperature. From the signals from the temperature sensors information is obtained with the help of suitable facilities for Processing of the signals, the electronic components by switching off before thermal destruction can be protected, or readjustment / control in the Working point can take place.

Weiterhin werden Temperatursensoren in der Nähe von oder auf elektronischen Bauelementen/Schaltungen angeordnet, um deren thermisches Verhalten mit Hilfe von geeigneten Einrichtungen zur Verarbeitung der Signale der Temperatursensoren, im Betrieb zu untersuchen.Furthermore, temperature sensors are located near or on electronic Components / circuits arranged to their thermal behavior with the help of suitable devices for processing the signals of the temperature sensors, in operation to investigate.

Es ist bekannt, Temperatursensoren als Einzelbauelemente, einzeln oder zu mehreren, direkt auf den zu überwachenden Bauelementen/Schaltungen anzuordnen oder in deren unmittelbarer Nähe. Dabei entsteht zwischen der wärmeproduzierenden Zone des elektronischen Bauelements und der temperaturempfindlichen Zone des Temperatursensors ein Temperaturgradient, der nicht genau zu bestimmen ist. Dadurch läßt sich die Temperatur der wärmeproduzierenden Zone nur sehr ungenau bestimmen.It is known to directly use temperature sensors as individual components, individually or in groups to be arranged on the components / circuits to be monitored or in their in close proximity to. This creates between the heat producing zone electronic component and the temperature-sensitive zone of the temperature sensor a temperature gradient that cannot be determined exactly. This allows the temperature of the heat-producing zone is very inaccurate.

Da die Wärmediffusion, wie sie beispielsweise durch eine Temperaturerhöhung des elektronischen Bauelements bewirkt wird, Zeit benötigt, um als Temperaturerhöhung von dem Temperatursensor erfaßt zu werden, ist eine hohe zeitliche Auflösung der Messungen mit der o.g. Anordnung nicht erreichbar, da die Diffusionszeit mit wachsendem Abstand zwischen Wärmequelle und Temperatursensor zunimmt. Auf eine bevorstehende thermische Zerstörung des Bauelementes oder eine nicht akzeptable Arbeitspunkteinstellung kann somit nicht schnell genug reagiert werden.Since the heat diffusion, as for example by increasing the temperature of the electronic component is caused to take time to rise as a result of the temperature Temperature sensor to be detected is a high temporal resolution of the measurements with the o.g. The arrangement cannot be reached because the diffusion time increases with the distance between Heat source and temperature sensor increases. An impending thermal destruction of the component or an unacceptable operating point setting can not be done quickly be reacted enough.

Bei der Temperaturüberwachung einer integrierten Schaltung (z. B. Halbleiter IC) die aus mehreren elektronische Bauelementen oder Schaltungen als Wärmequellen besteht oder einer Anordnung von mehreren elektronischen Bauelementen oder Schaltungen, die in einem gemeinsamen Gehäuse untergebracht sind (z. B. Plastic-DIP-Gehäuse), und die unabhängig voneinander geregelt, gesteuert oder überwacht werden müssen, ergibt sich bei der Verwendung von Temperatursensoren als Einzelbauelemente zusätzlich das Problem einer eingeschränkten örtlichen Auflösung, da aufgrund der Größe der einzelnen Temperatursensoren nicht jeder zu überwachenden Wärmequelle mindestens ein oder mehrere Temperatursensoren zugeordnet werden können.When monitoring the temperature of an integrated circuit (e.g. semiconductor IC), the off several electronic components or circuits as heat sources or one Arrangement of several electronic components or circuits in one common housing (e.g. plastic DIP housing), and the independent must be regulated, controlled or monitored from one another  Using temperature sensors as individual components additionally the problem of limited local resolution because of the size of each Temperature sensors do not include at least one or more of each heat source to be monitored Temperature sensors can be assigned.

Eine ortsaufgelöste Temperaturerfassung, bei der jeder Wärmequelle mindestens ein Temperatursensor zugeordnet ist, ist so in vielen Fällen unmöglich.A spatially resolved temperature measurement, in which each heat source has at least one Temperature sensor is assigned, so it is impossible in many cases.

Aufgabe der Erfindung ist es, eine Anordnung der Temperatursensoren möglichst nahe bei den wärmeproduzierenden Zonen der elektronischen Bauelemente/Schaltungen zu schaffen und deren Signale (der Temperatursensoren) mit Hilfe einer geeigneten Einrichtung zu verarbeiten um eine Steuerung/Regelung der elektronischen Bauelemente zu ermöglichen oder nur eine Temperaturverteilung mit Hilfe einer geeigneten Einrichtung zu erfassen.The object of the invention is to arrange the temperature sensors as close as possible to to create the heat-producing zones of the electronic components / circuits and their signals (of the temperature sensors) with the aid of a suitable device process to enable control of the electronic components or only to record a temperature distribution with the help of a suitable device.

Dabei soll der Temperaturgradient zwischen der Wärmequelle und den Temperatursensoren möglichst klein gehalten werden, eine hohe zeitliche Auflösung der Temperaturmessungen mit Hilfe einer geeigneten Einrichtung sowie eine hohe Ortsauflösung der Temperaturmessungen erreicht werden.The temperature gradient between the heat source and the temperature sensors should be kept as small as possible, a high temporal resolution of the temperature measurements with the help of a suitable device and a high spatial resolution of the Temperature measurements can be achieved.

Diese Aufgabe wird durch eine Anordnung mit den Merkmalen des Anspruchs 1 gelöst.This object is achieved by an arrangement with the features of claim 1.

Durch die Integration von mehreren Temperatursensoren zu einem einzelnen Bauelement läßt sich eine hohe Packungsdichte und damit eine hohe Ortsauflösung erreichen.By integrating multiple temperature sensors into a single component achieve a high packing density and thus a high spatial resolution.

Durch die Integration von mehreren Temperatursensoren zusammen mit den zu messenden elektronischen Bauelementen/Schaltungen zu einem einzigen Bauelement läßt sich eine hohe Ortsauflösung, ein kleiner Temperaturgradient, sowie eine hohe zeitliche Auflösung der Temperaturmessungen erreichen.By integrating several temperature sensors together with those to be measured electronic components / circuits to a single component can be high Spatial resolution, a small temperature gradient, and a high temporal resolution of the Reach temperature measurements.

Durch die Integration von mehreren Temperatursensoren zusammen mit den zu messenden elektronischen Bauelementen/Schaltungen und einer geeigneten Einrichtung zur Verarbeitung der Signale der Temperatursensoren und zur Steuerung/Regelung der gemessenen elektronischen Bauelemente/Schaltungen zu einem einzigen Bauelement läßt sich eine hohe Ortsauflösung, ein kleiner Temperaturgradient, eine hohe zeitliche Auflösung der Temperaturmessungen sowie eine sehr kompakte Bauweise der gesamten Anordnung erreichen.By integrating several temperature sensors together with those to be measured electronic components / circuits and a suitable device for processing the signals from the temperature sensors and to control / regulate the measured electronic components / circuits to a single component can be high Spatial resolution, a small temperature gradient, a high temporal resolution of the Temperature measurements and a very compact design of the entire arrangement to reach.

Durch die Integration von mehreren Temperatursensoren zu einem einzelnen Bauelement und der Montage der integrierten Temperatursensoren zusammen mit den zu messenden elektronischen Bauelementen in ein Gehäuse (z. B. Plastic-DIP-Gehäuse o. ä.) läßt sich eine hohe Ortsauflösung, ein kleiner Temperaturgradient, eine hohe zeitliche Auflösung der Temperaturmessungen sowie eine sehr kompakte Bauweise der gesamten Anordnung erreichen.By integrating multiple temperature sensors into a single component and the assembly of the integrated temperature sensors together with the ones to be measured electronic components in a housing (e.g. plastic DIP housing or the like) can be high spatial resolution, a small temperature gradient, a high temporal resolution of the Temperature measurements and a very compact design of the entire arrangement to reach.

Durch die Integration von mehreren Temperatursensoren zusammen mit einer geeigneten Einrichtung zur Verarbeitung der Signale der Temperatursensoren und zur Steuerung/Regelung der gemessenen elektronischen Bauelemente zu einem einzigen Bauelement und der Montage dieser Anordnung zusammen mit den zu messenden elektronischen Bauelementen in ein Gehäuse (z. B. Plastic-DIP-Gehäuse o. ä.) läßt sich eine hohe Ortsauflösung, ein kleiner Temperaturgradient, eine hohe zeitliche Auflösung der Temperaturmessungen sowie eine sehr kompakte Bauweise der gesamten Anordnung erreichen. By integrating several temperature sensors together with a suitable one Device for processing the signals of the temperature sensors and for Control of the measured electronic components into one Component and the assembly of this arrangement together with those to be measured electronic components in a housing (e.g. plastic DIP housing or the like) can be high spatial resolution, a small temperature gradient, a high temporal resolution of the Temperature measurements and a very compact design of the entire arrangement to reach.  

Weiterhin ist eine Beeinflussung der Funktion der gesamten integrierten Anordnung durch Störungen gemäß den Richtlinien und Gesetzen zur elektromagnetischen Verträglichkeit aufgrund der kompakten Bauweise geringer als bei einer räumlich ausgedehnten Anordnung.Furthermore, the function of the entire integrated arrangement is influenced by Faults in accordance with the guidelines and laws on electromagnetic compatibility due to the compact design less than a spatially extended arrangement.

Ebenso sind die von der gesamten integrierten Anordnung erzeugten Störungen geringer.The disturbances generated by the entire integrated arrangement are also lower.

Die gesamte integrierte Anordnung läßt sich gegenüber Störungen leichter Abschirmen als eine ausgedehnte Anordnung.The entire integrated arrangement is easier to shield than interference an extensive arrangement.

Der Energieverbrauch der gesamten integrierten Anordnung ist geringer als bei einer ausgedehnten Anordnung, da durch kürzere Leitungen die Energieverluste durch zusätzliche Wärmeabgabe geringer sind.The energy consumption of the entire integrated arrangement is lower than that of one extensive arrangement, since the energy losses through additional lines due to shorter lines Heat emission are lower.

Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Zeichnungen dargestellt und werden im folgenden näher beschrieben.Embodiments of the invention are shown in the drawings and are in following described in more detail.

Es zeigenShow it

Abb. 1a eine perspektivische Ansicht einer Anordnung von Temperatursensoren nebeneinander, die unterhalb der Wärmequellen (elektronische Bauelemente/Schaltungen) angeordnet sind, Fig. 1a is a perspective view of an arrangement of temperature sensors side by side, which are arranged below the heat sources (electronic components / circuits),

Abb. 1b eine perspektivische Ansicht einer Anordnung von Temperatursensoren, die jeweils neben den Wärmequellen (elektronische Bauelemente/Schaltungen) angeordnet sind, Fig. 1B is a perspective view of an arrangement of temperature sensors, which are each arranged adjacent to the heat sources (electronic components / circuits)

Abb. 2a eine perspektivische Ansicht einer Anordnung von Temperatursensoren, die jeweils neben den Wärmequellen (elektronische Bauelemente/Schaltungen) in zwei Reihen hintereinander angeordnet sind, Fig. 2a is a perspective view of an arrangement of temperature sensors, which are arranged next to the heat sources (electronic components / circuits) in two rows one behind the other,

Abb. 2b eine perspektivische Ansicht einer Anordnung von Temperatursensoren, die jeweils neben den Wärmequellen (elektronische Bauelemente/Schaltungen) in zwei Reihen übereinander angeordnet sind, Fig. 2b is a perspective view of an arrangement of temperature sensors, which are each arranged adjacent to the heat sources (electronic components / circuits) in two rows one above the other,

Abb. 3 eine perspektivische Ansicht einer Anordnung von Temperatursensoren, die jeweils neben den Wärmequellen (elektronische Bauelemente/Schaltungen) in zwei Reihen hintereinander und in zwei Schichten übereinander angeordnet sind, Fig. 3 is a perspective view of an assembly of temperature sensors (circuits electronic components /) are arranged in two rows behind each other and in each case two layers one next to the heat sources,

Abb. 4 eine perspektivische Ansicht einer Anordnung von Temperatursensoren, die jeweils neben den Wärmequellen (elektronische Bauelemente/Schaltungen) angeordnet sind mit einer Einrichtung zur Verarbeitung der Sensorsignale, einer Einrichtung zur Auswertung der Sensormeßgröße(n) und einer Einrichtung zur Steuerung/Regelung der Wärmequellen (elektronische Bauelemente/Schaltungen). Fig. 4 is a perspective view of an arrangement of temperature sensors, which are each arranged next to the heat sources (electronic components / circuits) with a device for processing the sensor signals, a device for evaluating the sensor measurement variable (s) and a device for controlling / regulating the heat sources (electronic components / circuits).

Die Einrichtung zur Verarbeitung der Sensorsignale, die Einrichtung zur Auswertung der Sensormeßgröße(n) und die Einrichtung zur Steuerung/Regelung der Wärmequellen (elektronische Bauelemente) in Abb. 4 sind in den Abb. 1a, 1b, 2a, 2b und 3 entsprechend zu ergänzen. Diese Einrichtungen wurden dort aus Gründen der Übersichtlichkeit nicht mit eingezeichnet.The device for processing the sensor signals, the device for evaluating the sensor measurement variable (s) and the device for controlling / regulating the heat sources (electronic components) in Fig. 4 are to be supplemented accordingly in Figs. 1a, 1b, 2a, 2b and 3 . For the sake of clarity, these facilities were not included.

In den folgenden Beispielbeschreibungen kann es sich bei den Wärmequellen 2 sowohl um elektronische Bauelemente als auch um elektronische Schaltungen handeln.In the following example descriptions, the heat sources 2 can be both electronic components and electronic circuits.

Bei den Temperatursensoren kann es sich beispielsweise um sperrschichtfreie Temperatursensoren (z. B. auf Silizium- oder Diamantbasis) oder um Silizium-Tempe­ ratursensoren auf der Basis von pn-Übergängen handeln. Die Größe dieser Temperatursensoren soll im Bereich der Größe eines zu überwachenden elektronischen Bauelements liegen oder kleiner sein als dieses. Durch die Implantation von Bor-Ionen in Diamantsubstrat lassen sich z. B. Temperatursensoren herstellen, deren aktive Zone etwa 200 µm × 5 µm groß ist.The temperature sensors can be junction-free, for example Temperature sensors (e.g. based on silicon or diamond) or around silicon tempe act on the basis of pn junctions. The size of this Temperature sensors should be in the range of the size of an electronic to be monitored Component are or be smaller than this. By implanting boron ions in Diamond substrate can e.g. B. produce temperature sensors, the active zone about Is 200 µm × 5 µm.

Der Begriff Substratmaterial in den folgenden Beschreibungen ist entsprechend zu verstehen. Also z. B. Diamant als Substratmaterial oder Silizium als Substratmaterial.The term substrate material in the following descriptions should be understood accordingly. So z. B. diamond as substrate material or silicon as substrate material.

Eine Einrichtung zur Verarbeitung der Sensorsignale kann z. B. eine elektronische Schaltung sein, die die Temperatursensoren sequentiell oder parallel mit einem Meßwiderstand zu einem Spannungsteiler verbindet, den Spannungsabfall über den Meßwiderstand in eine digitale Größe umwandelt (Analog-Digital-Wandler) und diese digitale Größe an die Einrichtung zur Auswertung der Sensormeßgröße(n) übermittelt.A device for processing the sensor signals can, for. B. an electronic circuit be, the temperature sensors sequentially or in parallel with a measuring resistor to one  Voltage divider connects the voltage drop across the measuring resistor into a digital Size converts (analog-to-digital converter) and this digital size to the device for Evaluation of the sensor measurement variable (s) transmitted.

Eine Einrichtung zur Auswertung der Sensormeßgröße(n) kann z. B. eine programmgesteuerte Digitalschaltung sein (z. B. ASIC: Application-oriented Special Integrated Circuit), die aus den Sensormeßgröße(n) Regel- oder Steuergrößen berechnet, die zur Steuerung/Regelung der überwachten elektronischen Bauelemente oder Schaltungen benötigt werden und diese an eine Einrichtung zur Steuerung/Regelung der elektronischen Bauelemente/Schaltungen übermittelt.A device for evaluating the sensor measurement variable (s) can, for. B. a program-controlled Be digital circuit (e.g. ASIC: Application-oriented Special Integrated Circuit), which from the Sensor measurement variable (s) calculates control variables that are used to control / regulate the monitored electronic components or circuits are required and these to a Device for the control / regulation of the electronic components / circuits transmitted.

Eine Einrichtung zur Steuerung/Regelung der elektronischen Bauelemente/Schaltungen kann z. B. eine elektronische Schaltung sein, die die von der Einrichtung zur Auswertung der Sensormeßgröße(n) übermittelten Steuer- oder Regelgrößen in analoge Signale zur Steuerung/Regelung der überwachten elektronischen Bauelemente oder Schaltungen umwandelt und die überwachten elektronischen Bauelemente oder Schaltungen mit diesen analogen Signalen steuert/regelt.A device for controlling / regulating the electronic components / circuits can e.g. B. be an electronic circuit, which by the device for evaluating the Sensor measured variable (s) transmitted control or regulating variables in analog signals for Control of the monitored electronic components or circuits converts and the monitored electronic components or circuits with them controls / regulates analog signals.

Die Einrichtung zur Verarbeitung der Sensorsignale, die Einrichtung zur Auswertung der Sensormeßgröße(n) und die Einrichtung zur Steuerung/Regelung der elektronischen Bauelemente/Schaltungen können z. B. jeweils getrennt oder zu mehreren zusammen zu einer elektronischen Schaltung (IC: Integrated Circuit) integriert werden.The device for processing the sensor signals, the device for evaluating the Sensor measurement variable (s) and the device for controlling / regulating the electronic Components / circuits can e.g. B. each separately or together to form one electronic circuit (IC: Integrated Circuit) can be integrated.

Bei der Anordnung zum Messen von verteilten Temperaturen I gemäß Abb. 1a sind die Temperatursensoren 1 unterhalb der Zwischenräume zwischen den Wärmequellen 2 angeordnet. Somit ist jeder Wärmequelle 2 mehr als ein Temperatursensor 1 zugeordnet. Die Temperatursensoren 1 sind in ein Substratmaterial 3 integriert, die Wärmequellen 2 sind in ein Substratmaterial 4 integriert oder auf einem Bauelementeträger 4 montiert. Substratmaterial 3 und Substratmaterial 4 oder Bauelementeträger 4 sind durch Schweißung, Klebung oder Lötung 5 miteinander verbunden. Substratmaterial 3 und Substratmaterial 4 können dabei auch aus dem gleichen Material bestehen. Die Anordnung (1)-(5) in Abb. 1a kann mit einer Einrichtung zur Verarbeitung der Sensorsignale 6 aus Abb. 4, einer Einrichtung zur Auswertung der Sensormeßgröße(n) 8 aus Abb. 4 und einer Einrichtung zur Steuerung/Regelung der Wärmequellen 10 aus Abb. 4 oder auch nur mit einer oder mehreren Einrichtungen 6, 8, 10, in ein einzelnes Gehäuse (z. B. Ceramic-DIP- oder PGA-Gehäuse) montiert oder vergossen werden, wodurch ein einzelnes integriertes Bauelement entsteht.In the arrangement for measuring distributed temperatures I according to Fig. 1a, the temperature sensors 1 are arranged below the spaces between the heat sources 2 . Each heat source 2 is thus assigned more than one temperature sensor 1 . The temperature sensors 1 are integrated in a substrate material 3 , the heat sources 2 are integrated in a substrate material 4 or mounted on a component carrier 4 . Substrate material 3 and substrate material 4 or component carrier 4 are connected to one another by welding, adhesive bonding or soldering 5 . Substrate material 3 and substrate material 4 can also consist of the same material. The arrangement (1) - (5) in Fig. 1a can with a device for processing the sensor signals 6 from Fig. 4, a device for evaluating the sensor measurement variable (s) 8 from Fig. 4 and a device for controlling / regulating the heat sources 10 from Fig. 4 or only with one or more devices 6 , 8 , 10 , can be mounted or cast in a single housing (e.g. ceramic DIP or PGA housing), resulting in a single integrated component.

Bei der Anordnung zum Messen von verteilten Temperaturen I gemäß Abb. 1b sind die Temperatursensoren I zwischen den Wärmequellen 2 angeordnet. Somit ist jeder Wärmequelle 2 mehr als ein Temperatursensor I zugeordnet. Die Temperatursensoren I und die Wärmequellen 2 sind in ein Substratmaterial 3 integriert. Die Anordnung (1)-(3) in Abb. 1b kann mit einer Einrichtung zur Verarbeitung der Sensorsignale 6 aus Abb. 4, einer Einrichtung zur Auswertung der Sensormeßgröße(n) 8 aus Abb. 4 und einer Einrichtung zur Steuerung/Regelung der Wärmequellen 10 aus Abb. 4 oder auch nur mit einer oder mehreren Einrichtungen 6, 8, 10, in ein einzelnes Gehäuse (z. B. Ceramic-DIP- oder PGA-Gehäuse) montiert oder vergossen werden, wodurch ein einzelnes integriertes Bauelement entsteht.In the arrangement for measuring distributed temperatures I according to Fig. 1b, the temperature sensors I are arranged between the heat sources 2 . Each heat source 2 is thus assigned more than one temperature sensor I. The temperature sensors I and the heat sources 2 are integrated in a substrate material 3 . The arrangement (1) - (3) in Fig. 1b can be equipped with a device for processing the sensor signals 6 from Fig. 4, a device for evaluating the sensor measurement variable (s) 8 from Fig. 4 and a device for controlling / regulating the heat sources 10 from Fig. 4 or only with one or more devices 6 , 8 , 10 , can be mounted or cast in a single housing (e.g. ceramic DIP or PGA housing), resulting in a single integrated component.

Bei der Anordnung zum Messen von verteilten Temperaturen I gemäß Abb. 2a sind die Temperatursensoren 1 zwischen den Wärmequellen 2 angeordnet. Es befinden sich zwei Reihen von Temperatursensoren 1 und Wärmequellen 2 hintereinander. Somit ist jeder Wärmequelle 2 mehr als ein Temperatursensor 1 zugeordnet. Die Temperatursensoren I und die Wärmequellen 2 sind in ein Substratmaterial 3 integriert. Die Anordnung 1-3 in Abb. 2a kann mit einer Einrichtung zur Verarbeitung der Sensorsignale 6 aus Abb. 4, einer Einrichtung zur Auswertung der Sensormeßgröße(n) 8 aus Abb. 4 und einer Einrichtung zur Steuerung/Regelung der Wärmequellen 10 aus Abb. 4 oder auch nur mit einer oder mehreren Einrichtungen 6, 8, 10, in ein einzelnes Gehäuse (z. B. Ceramic-DIP- oder PGA-Gehäuse) montiert oder vergossen werden, wodurch ein einzelnes integriertes Bauelement entsteht.In the arrangement for measuring distributed temperatures I according to Fig. 2a, the temperature sensors 1 are arranged between the heat sources 2 . There are two rows of temperature sensors 1 and heat sources 2 in a row. Each heat source 2 is thus assigned more than one temperature sensor 1 . The temperature sensors I and the heat sources 2 are integrated in a substrate material 3 . The arrangement 1-3 in Fig. 2a can be equipped with a device for processing the sensor signals 6 from Fig. 4, a device for evaluating the sensor measurement variable (s) 8 from Fig. 4 and a device for controlling / regulating the heat sources 10 from Fig. 4 or only with one or more devices 6 , 8 , 10 , can be mounted or encapsulated in a single housing (e.g. ceramic DIP or PGA housing), resulting in a single integrated component.

Bei der Anordnung zum Messen von verteilten Temperaturen I gemäß Abb. 2b sind die Temperatursensoren I zwischen den Wärmequellen 2 angeordnet. Es befinden sich zwei Reihen von Temperatursensoren I und Wärmequellen 2 übereinander. Somit ist jeder Wärmequelle 2 mehr als ein Temperatursensor I zugeordnet. Die Temperatursensoren I und die Wärmequellen 2 der unteren Reihe sind in ein Substratmaterial 3 integriert. Die Temperatursensoren I und die Wärmequellen 2 der oberen Reihe sind in ein Substratmaterial 4 integriert. Substratmaterial 3 und Substratmaterial 4 sind durch Schweißung, Klebung oder Lötung 5 miteinander verbunden. Substratmaterial 3 und Substratmaterial 4 können dabei auch aus dem gleichen Material bestehen. Die Anordnung (1)-(5) in Abb. 2b kann mit einer Einrichtung zur Verarbeitung der Sensorsignale 6 aus Abb. 4, einer Einrichtung zur Auswertung der Sensormeßgröße(n) 8 aus Abb. 4 und einer Einrichtung zur Steuerung/Regelung der Wärmequellen 10 aus Abb. 4 oder auch nur mit einer oder mehreren Einrichtungen 6, 8, 10, in ein einzelnes Gehäuse (z. B. Ceramic-DIP- oder PGA-Gehäuse) montiert oder vergossen werden, wodurch ein einzelnes integriertes Bauelement entsteht.In the arrangement for measuring distributed temperatures I according to Fig. 2b, the temperature sensors I are arranged between the heat sources 2 . There are two rows of temperature sensors I and heat sources 2 one above the other. Each heat source 2 is thus assigned more than one temperature sensor I. The temperature sensors I and the heat sources 2 of the lower row are integrated in a substrate material 3 . The temperature sensors I and the heat sources 2 of the upper row are integrated in a substrate material 4 . Substrate material 3 and substrate material 4 are connected to one another by welding, gluing or soldering 5 . Substrate material 3 and substrate material 4 can also consist of the same material. The arrangement (1) - (5) in Fig. 2b can be equipped with a device for processing the sensor signals 6 from Fig. 4, a device for evaluating the sensor measurement variable (s) 8 from Fig. 4 and a device for controlling / regulating the heat sources 10 from Fig. 4 or only with one or more devices 6 , 8 , 10 , can be mounted or cast in a single housing (e.g. ceramic DIP or PGA housing), resulting in a single integrated component.

Bei der Anordnung zum Messen von verteilten Temperaturen I gemäß Abb. 3 sind die Temperatursensoren I zwischen den Wärmequellen 2 angeordnet. Es befinden sich zwei Reihen von Temperatursensoren I und Wärmequellen 2 hintereinander. Somit ist jeder Wärmequelle 2 mehr als ein Temperatursensor I zugeordnet. Die Temperatursensoren I und die Wärmequellen 2 der unteren Lage sind in ein Substratmaterial 3 integriert. Die Temperatursensoren I und die Wärmequellen 2 der oberen Lage sind in ein Substratmaterial 4 integriert. Substratmaterial 3 und Substratmaterial 4 sind durch Schweißung, Klebung oder Lötung 5 miteinander verbunden. Substratmaterial 3 und Substratmaterial 4 können dabei auch aus dem gleichen Material bestehen. Die Anordnung (1)-(5) in Abb. 3 kann mit einer Einrichtung zur Verarbeitung der Sensorsignale 6 aus Abb. 4, einer Einrichtung zur Auswertung der Sensormeßgröße(n) 8 aus Abb. 4 und einer Einrichtung zur Steuerung/Regelung der Wärmequellen 10 aus Abb. 4 oder auch nur mit einer oder mehreren Einrichtungen 6, 8, 10, in ein einzelnes Gehäuse (z. B. Ceramic-DIP- oder PGA-Gehäuse) montiert oder vergossen werden, wodurch ein einzelnes integriertes Bauelement entsteht.In the arrangement for measuring distributed temperatures I according to FIG. 3, the temperature sensors I are arranged between the heat sources 2 . There are two rows of temperature sensors I and heat sources 2 in a row. Each heat source 2 is thus assigned more than one temperature sensor I. The temperature sensors I and the heat sources 2 of the lower layer are integrated in a substrate material 3 . The temperature sensors I and the heat sources 2 of the upper layer are integrated in a substrate material 4 . Substrate material 3 and substrate material 4 are connected to one another by welding, gluing or soldering 5 . Substrate material 3 and substrate material 4 can also consist of the same material. The arrangement (1) - (5) in Fig. 3 can with a device for processing the sensor signals 6 from Fig. 4, a device for evaluating the sensor measurement variable (s) 8 from Fig. 4 and a device for controlling / regulating the heat sources 10 from Fig. 4 or only with one or more devices 6 , 8 , 10 , can be mounted or cast in a single housing (e.g. ceramic DIP or PGA housing), resulting in a single integrated component.

Die Anordnung zum Messen von verteilten Temperaturen I gemäß Abb. 4 entspricht der Anordnung der Temperatursensoren 1 und der Anordnung der Wärmequellen 2 in Abb. 1b. Stellvertretend für alle anderen, in den Abb. 1a, 1b, 2a, 2b und 3 gezeigten Anordnungen, sind hier die Einrichtung zur Verarbeitung der Sensorsignale 6, die Einrichtung zur Auswertung der Sensormeßgröße(n) 8 und die Einrichtung zur Steuerung/Regelung der Wärmequellen 10, sowie alle Verbindungsleitungen 7, 9, 11, 12 mit eingezeichnet. Bei den Leitungen 11 kann es sich um eine oder mehrere Leitungen zum Anschluß der Temperatursensoren I handeln. Bei den Leitungen 12 kann es sich um eine oder mehrere Leitungen zum Anschluß der Wärmequellen 2 handeln. Bei den Leitungen 7 und 9 kann es sich ebenfalls um eine oder mehrere Leitungen handeln.The arrangement for measuring distributed temperatures I according to Fig. 4 corresponds to the arrangement of the temperature sensors 1 and the arrangement of the heat sources 2 in Fig. 1b. Representative of all other arrangements shown in Figs. 1a, 1b, 2a, 2b and 3, here are the device for processing the sensor signals 6 , the device for evaluating the sensor measurement variable (s) 8 and the device for controlling / regulating the heat sources 10 , as well as all connecting lines 7 , 9 , 11 , 12 also shown. The lines 11 can be one or more lines for connecting the temperature sensors I. The lines 12 can be one or more lines for connecting the heat sources 2 . Lines 7 and 9 can also be one or more lines.

Die Einrichtungen 6, 8 und 10 können zusammen mit den Temperatursensoren I und den Wärmequellen 2, sowie den Verbindungsleitungen 7, 9, 11, 12 in einem Substratmaterial 3 integriert sein, oder aber nur Teile davon. Die nicht in dem Substratmaterial 3 untergebrachten Teile können in einem eigenen Substratmaterial oder Bauelementeträger zusammen mit oder getrennt von den anderen Teilen in einem Gehäuse (z. B. Ceramic-DIP- oder PGA-Gehäuse) oder in mehreren Gehäusen (z. B. Ceramic-DIP- oder PGA-Gehäuse) untergebracht werden.The devices 6 , 8 and 10 can be integrated together with the temperature sensors I and the heat sources 2 , as well as the connecting lines 7 , 9 , 11 , 12 in a substrate material 3 , or only parts thereof. The parts which are not accommodated in the substrate material 3 can be in a separate substrate material or component carrier together with or separately from the other parts in one housing (for example ceramic DIP or PGA housing) or in several housings (for example ceramic -DIP or PGA housing).

Claims (20)

1. Anordnung zur Erfassung und Messung von flächigen und räumlichen Temperaturverteilungen, wie sie (die Temperaturverteilungen) durch die Anordnung und den Betrieb von elektronischen Bauelementen (wie z. B. Transistoren, Dioden, Widerständen etc.) und/oder elektronischen Schaltungen (bestehend aus Zusammenschaltungen von elektronischen Bauelementen), in einem Substratmaterial (wie z. B. Silizium, Gallium-Arsenid oder Diamant) und/oder auf einem Bauelementeträger (wie z. B. einer Keramikplatte) entstehen, dadurch gekennzeichnet, daß jedem elektronischen Bauelement (Wärmequelle 2) und/oder jeder elektronischen Schaltung (Wärmequelle 2) mindestens ein Temperatursensor (I) (z. B. sperrschichtfreier Temperatursensor auf Silizium- oder Diamantbasis oder Silizium-Temperatursensor auf der Basis eines pn-Übergangs) in größtmöglicher Nähe zugeordnet ist und jeder Temperatursensor mit einer Einrichtung zur Verarbeitung der Sensorsignale (6) (wie z. B. einer elektronischen Schaltung, die die temperaturabhängigen Signale eines Temperatursensors in ein andere Signale umwandelt), verbunden ist.1. Arrangement for the detection and measurement of flat and spatial temperature distributions as they (the temperature distributions) by the arrangement and operation of electronic components (such as transistors, diodes, resistors etc.) and / or electronic circuits (consisting of Interconnections of electronic components), in a substrate material (such as silicon, gallium arsenide or diamond) and / or on a component carrier (such as a ceramic plate), characterized in that each electronic component (heat source 2 ) and / or each electronic circuit (heat source 2 ) at least one temperature sensor (I) (e.g. junction-free temperature sensor based on silicon or diamond or silicon temperature sensor based on a pn junction) is assigned as close as possible and each temperature sensor with a device for processing the sensor signals ( 6 ) (such as an electronic switch which converts the temperature-dependent signals from a temperature sensor into another signal). 2. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Temperatursensoren (1) neben den Wärmequellen (2) angeordnet sind.2. Arrangement according to claim 1, characterized in that the temperature sensors ( 1 ) are arranged next to the heat sources ( 2 ). 3. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Temperatursensoren (1) unter den Wärmequellen (2) angeordnet sind.3. Arrangement according to claim 1, characterized in that the temperature sensors ( 1 ) are arranged under the heat sources ( 2 ). 4. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Temperatursensoren (1) über den Wärmequellen (2) angeordnet sind.4. Arrangement according to claim 1, characterized in that the temperature sensors ( 1 ) above the heat sources ( 2 ) are arranged. 5. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Temperatursensoren (1) zwischen den Wärmequellen (2) angeordnet sind.5. Arrangement according to claim 1, characterized in that the temperature sensors ( 1 ) between the heat sources ( 2 ) are arranged. 6. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Temperatursensoren (1) in einer beliebigen Kombination der Ansprüche 2, 3, 4, 5 zu den Wärmequellen (2) angeordnet sind.6. Arrangement according to claim 1, characterized in that the temperature sensors ( 1 ) are arranged in any combination of claims 2, 3, 4, 5 to the heat sources ( 2 ). 7. Anordnung nach Anspruch 1 und einem der Ansprüche 2 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die gesamte Anordnung in einem Gehäuse (z. B. Plastic-DIP, Ceramic-DIP oder PGA-Gehäuse o. ä.) untergebracht ist.7. Arrangement according to claim 1 and one of claims 2 to 6, characterized in that that the entire arrangement in one housing (e.g. Plastic-DIP, Ceramic-DIP or PGA housing or the like) is housed. 8. Anordnung nach Anspruch 1 und einem der Ansprüche 2 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die gesamte Anordnung zu einem Bauteil integriert ist, d. h. alle Elemente der Anordnung in ein Substratmaterial wie z. B. Silizium, Gallium-Arsenid oder Diamant integriert sind.8. Arrangement according to claim 1 and one of claims 2 to 6, characterized in that the entire arrangement is integrated into one component, d. H. all elements of the arrangement in a substrate material such as e.g. B. silicon, gallium arsenide or diamond are integrated. 9. Anordnung nach Anspruch 1 und einem der Ansprüche 2 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Temperatursensoren (I) in ein Substratmaterial wie z. B. Silizium, Gallium-Arsenid oder Diamant integriert sind und die Wärmequellen (2) in ein eigenes Substratmaterial wie z. B. Silizium, Gallium-Arsenid oder Diamant integriert sind und beide Substratmaterialien in geeigneter Weise, wie z. B. Klebung, Lötung oder Schweißung (5) miteinander verbunden sind.9. Arrangement according to claim 1 and one of claims 2 to 6, characterized in that the temperature sensors (I) in a substrate material such as. B. silicon, gallium arsenide or diamond are integrated and the heat sources ( 2 ) in its own substrate material such. As silicon, gallium arsenide or diamond are integrated and both substrate materials in a suitable manner, such as. B. bonding, soldering or welding ( 5 ) are interconnected. 10. Anordnung nach Anspruch 1 und einem der Ansprüche 2 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Temperatursensoren (I) in ein Substratmaterial wie z. B. Silizium, Gallium-Arsenid oder Diamant integriert sind und die Wärmequellen (2) auf einem Bauelementeträger wie z. B. einer Keramikplatte angeordnet sind und das Substratmaterial und der Bauelementeträger in geeigneter Weise, wie z. B. Klebung, Lötung oder Schweißung (5) miteinander verbunden sind.10. The arrangement according to claim 1 and one of claims 2 to 6, characterized in that the temperature sensors (I) in a substrate material such as. B. silicon, gallium arsenide or diamond are integrated and the heat sources ( 2 ) on a component carrier such. B. a ceramic plate and the substrate material and the component carrier in a suitable manner, such as. B. bonding, soldering or welding ( 5 ) are interconnected. 11. Anordnung nach Anspruch 1 und einem der Ansprüche 2 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die gesamte Anordnung mit einer Einrichtung zur Auswertung der Sensormeßgröße(n) (8) wie z. B. einer elektronischen Schaltung zur Berechnung der Temperaturen oder zur Erzeugung von Signalen die der Regelung/Steuerung der überwachten Wärmequellen (2) dienen, kombiniert ist.11. The arrangement according to claim 1 and one of claims 2 to 6, characterized in that the entire arrangement with a device for evaluating the sensor measurement variable (s) ( 8 ) such. B. an electronic circuit for calculating the temperatures or for generating signals which serve to regulate / control the monitored heat sources ( 2 ) is combined. 12. Anordnung nach Anspruch 1 und 11 und einem der Ansprüche 2 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die gesamte Anordnung in einem Gehäuse (z. B. Plastic-DIP, Ceramic-DIP- oder PGA-Gehäuse o. ä.) untergebracht ist.12. Arrangement according to claim 1 and 11 and one of claims 2 to 6, characterized characterized in that the entire arrangement in a housing (z. B. Plastic-DIP, Ceramic-DIP or PGA housing or the like) is housed. 13. Anordnung nach Anspruch 1 und 11 und einem der Ansprüche 2 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die gesamte Anordnung zu einem Bauteil integriert ist, d. h. alle Elemente der Anordnung in ein Substratmaterial wie z. B. Silizium, Gallium-Arsenid oder Diamant integriert sind.13. Arrangement according to claim 1 and 11 and one of claims 2 to 6, characterized characterized in that the entire arrangement is integrated into one component, d. H. all elements the arrangement in a substrate material such. As silicon, gallium arsenide or diamond are integrated. 14. Anordnung nach Anspruch 1 und 11 und einem der Ansprüche 2 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Temperatursensoren (1) in ein Substratmaterial wie z. B. Silizium, Gallium-Arsenid oder Diamant integriert sind und die Wärmequellen (2) in ein eigenes Substratmaterial wie z. B. Silizium, Gallium-Arsenid oder Diamant integriert sind und beide Substratmaterialien in geeigneter Weise, wie z. B. Klebung, Lötung oder Schweißung (5) miteinander verbunden sind.14. Arrangement according to claim 1 and 11 and one of claims 2 to 6, characterized in that the temperature sensors ( 1 ) in a substrate material such as. B. silicon, gallium arsenide or diamond are integrated and the heat sources ( 2 ) in its own substrate material such. As silicon, gallium arsenide or diamond are integrated and both substrate materials in a suitable manner, such as. B. bonding, soldering or welding ( 5 ) are interconnected. 15. Anordnung nach Anspruch 1 und 11 und einem der Ansprüche 2 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Temperatursensoren (I) in ein Substratmaterial wie z. B. Silizium, Gallium-Arsenid oder Diamant integriert sind und die Wärmequellen (2) auf einem Bauelementeträger wie z. B. einer Keramikplatte angeordnet sind und das Substratmaterial und der Bauelementeträger in geeigneter Weise, wie z. B. Klebung, Lötung oder Schweißung (5) miteinander verbunden sind.15. Arrangement according to claim 1 and 11 and one of claims 2 to 6, characterized in that the temperature sensors (I) in a substrate material such as. B. silicon, gallium arsenide or diamond are integrated and the heat sources ( 2 ) on a component carrier such. B. a ceramic plate and the substrate material and the component carrier in a suitable manner, such as. B. bonding, soldering or welding ( 5 ) are interconnected. 16. Anordnung nach Anspruch 1 und 11 und einem der Ansprüche 2 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die gesamte Anordnung zusammen mit einer Einrichtung zur Steuerung/Regelung der Wärmequellen (10), wie z. B. einer elektronischen Schaltung, die Signale zur Steuerung/Regelung der überwachten Wärmequellen (2) erzeugt, kombiniert ist.16. The arrangement according to claim 1 and 11 and one of claims 2 to 6, characterized in that the entire arrangement together with a device for controlling / regulating the heat sources ( 10 ), such as. B. an electronic circuit that generates signals for controlling the regulated heat sources ( 2 ) is combined. 17. Anordnung nach Anspruch 1 und 16 und einem der Ansprüche 2 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die gesamte Anordnung in einem Gehäuse (z. B. Plastic-DIP, Ceramic-DIP- oder PGA-Gehäuse o. ä.) untergebracht ist.17. The arrangement according to claim 1 and 16 and one of claims 2 to 6, characterized characterized in that the entire arrangement in one housing (e.g. plastic DIP, Ceramic DIP or PGA housing or the like) is housed. 18. Anordnung nach Anspruch 1 und 16 und einem der Ansprüche 2 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die gesamte Anordnung zu einem Bauteil integriert ist, d. h. alle Elemente der Anordnung in ein Substratmaterial wie z. B. Silizium, Gallium-Arsenid oder Diamant integriert sind.18. Arrangement according to claim 1 and 16 and one of claims 2 to 6, characterized characterized in that the entire arrangement is integrated into one component, d. H. all elements the arrangement in a substrate material such. As silicon, gallium arsenide or diamond are integrated. 19. Anordnung nach Anspruch 1 und 16 und einem der Ansprüche 2 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Temperatursensoren (I) in ein Substratmaterial wie z. B. Silizium, Gallium-Arsenid oder Diamant integriert sind und die Wärmequellen (2) in ein eigenes Substratmaterial wie z. B. Silizium, Gallium-Arsenid oder Diamant integriert sind und beide Substratmaterialien in geeigneter Weise, wie z. B. Klebung, Lötung oder Schweißung (5) miteinander verbunden sind.19. The arrangement according to claim 1 and 16 and one of claims 2 to 6, characterized in that the temperature sensors (I) in a substrate material such as. B. silicon, gallium arsenide or diamond are integrated and the heat sources ( 2 ) in its own substrate material such. As silicon, gallium arsenide or diamond are integrated and both substrate materials in a suitable manner, such as. B. bonding, soldering or welding ( 5 ) are interconnected. 20. Anordnung nach Anspruch 1 und 16 und einem der Ansprüche 2 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Temperatursensoren (I) in ein Substratmaterial wie z. B. Silizium, Gallium-Arsenid oder Diamant integriert sind und die Wärmequellen (2) auf einem Bauelementeträger wie z. B. einer Keramikplatte angeordnet sind und das Substratmaterial und der. Bauelementeträger in geeigneter Weise, wie z. B. Klebung, Lötung oder Schweißung (5) miteinander verbunden sind.20. The arrangement according to claim 1 and 16 and one of claims 2 to 6, characterized in that the temperature sensors (I) in a substrate material such as. B. silicon, gallium arsenide or diamond are integrated and the heat sources ( 2 ) on a component carrier such. B. a ceramic plate and the substrate material and the. Component carrier in a suitable manner, such as. B. bonding, soldering or welding ( 5 ) are interconnected.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10103991C1 (en) * 2001-01-30 2002-06-06 Infineon Technologies Ag Temperature detection method for semiconductor component uses evaluation of replacement voltage of memory cell transistor
WO2003069377A2 (en) * 2002-02-12 2003-08-21 Massachusetts Institute Of Technology Method and apparatus for characterization of devices and circuits
CN107631809A (en) * 2017-10-16 2018-01-26 山东省科学院海洋仪器仪表研究所 A kind of complete deep temperature sensor in sea based on diamond thin and preparation method thereof

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4123870C2 (en) * 1991-07-18 1993-09-23 Elli 86405 Meitingen De Tutsch
US5281026A (en) * 1992-03-20 1994-01-25 Cray Research, Inc. Printed circuit board with cooling monitoring system
DE4418207C1 (en) * 1994-05-25 1995-06-22 Siemens Ag Thermal sensor or actuator in semiconductor material

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4123870C2 (en) * 1991-07-18 1993-09-23 Elli 86405 Meitingen De Tutsch
US5281026A (en) * 1992-03-20 1994-01-25 Cray Research, Inc. Printed circuit board with cooling monitoring system
DE4418207C1 (en) * 1994-05-25 1995-06-22 Siemens Ag Thermal sensor or actuator in semiconductor material

Non-Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
07146188 A *
ERFURTH,Michael: Leiterplattenprüfung mit Wärmebildern. In: Elektronik, 1978, H.10, S.69-72 *
JP Patents Abstracts of Japan: 63-292028 A.,P-846,March 24,1989,Vol.13,No.120 *
Thermografie entlarvt die Hot Spots. In: productronic 1/2, 1987, S.40,42,43 *
UHLMANN,R., RINK,E.: Thermoelementsonde für Temperaturmessungen an Multichipbausteinen. In: Feingerätetechnik, 26.Jg., H.7, 1977, S.305-307 *

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10103991C1 (en) * 2001-01-30 2002-06-06 Infineon Technologies Ag Temperature detection method for semiconductor component uses evaluation of replacement voltage of memory cell transistor
WO2003069377A2 (en) * 2002-02-12 2003-08-21 Massachusetts Institute Of Technology Method and apparatus for characterization of devices and circuits
WO2003069377A3 (en) * 2002-02-12 2004-07-01 Massachusetts Inst Technology Method and apparatus for characterization of devices and circuits
US6921195B2 (en) 2002-02-12 2005-07-26 Massachusetts Institute Of Technology Method and apparatus for characterization of devices and circuits
US7249881B2 (en) 2002-02-12 2007-07-31 Massachusetts Institute Of Technology Method and apparatus for characterization of devices and circuits
CN107631809A (en) * 2017-10-16 2018-01-26 山东省科学院海洋仪器仪表研究所 A kind of complete deep temperature sensor in sea based on diamond thin and preparation method thereof

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