DE19819590C1 - Power MOSFET for high conductivity transistor switch - Google Patents
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Abstract
Description
Die vorliegende Erfindung betrifft einen MOS-Leistungstran sistor mit einem Halbleiterkörper des einen Leitungstyps, mindestens einem in eine erste Oberfläche des Halbleiterkör pers eingebetteten wannenförmigen Gebiet des anderen, zum ei nen Leitungstyp entgegengesetzten Leitungstyps, einer in dem wannenförmigen Gebiet vorgesehenen Sourcezone des einen Lei tungstyps, einer die Sourcezone und das wannenförmige Gebiet kontaktierenden Metallisierung und einer auf einer zweiten, zur ersten Oberfläche gegenüberliegenden Oberfläche des Halb leiterkörpers vorgesehenen Drain-Metallisierung.The present invention relates to a MOS power train sistor with a semiconductor body of one conductivity type, at least one in a first surface of the semiconductor body pers embedded trough-shaped area of the other, to the egg opposite type of line, one in which trough-shaped area provided source zone of a lei type, one the source zone and the trough-shaped area contacting metallization and one on a second, to the first surface opposite surface of the half conductor body provided drain metallization.
Aus US 3 141 119 ist ein hochleitender Transistorschalter be kannt, dessen Kollektorzone mit einer einen Schottky-Kontakt bildenden Metallschicht versehen ist, die nach einem Ein schalten des Halbleiterschalters Minoritätsladungsträger in die Kollektorzone injiziert, um mit relativ kleinen Steuer strömen Schaltoperationen an demgegenüber großen Strömen vor nehmen zu können. Ist die Barriere eines solchen Schottky- Kontaktes ausreichend groß, so kann beispielsweise eine ent sprechende Injektion von Löchern in eine n-leitende Drainzone eines MOS-Leistungstransistors vorgenommen werden (vgl. hier zu S. M. Sze, "Physics of Semiconductor Devices", Seiten 364 bis 393 und US 5 262 668).From US 3 141 119 is a highly conductive transistor switch be knows, the collector zone with a Schottky contact forming metal layer is provided, which after an switch the semiconductor switch minority charge carrier in the collector zone injected to with relatively small tax switch operations on the other hand flow against large currents to be able to take. Is the barrier of such a Schottky Contact large enough, for example, ent speaking injection of holes in an n-type drain zone of a MOS power transistor (see here on S. M. Sze, "Physics of Semiconductor Devices", pages 364 to 393 and US 5,262,668).
Die Verwendung von Schottky-Kontakten für Gleichrichterzwecke ist an sich seit langem bekannt (vgl. beispielsweise US 4 641 174, 5 241 195, 5 612 567). Ebenso ist es üblich, Schottky-Kontakte zusammen mit MOS-Transistoren in den ver schiedensten Gestaltungen einzusetzen (vgl. US 5 365 102, So lid-State Electronics, Vol. 32, Nr. 4, Seiten 317-322, 1989 und IEEE Transactions an Electron Devices, Vol. Ed-33, Nr. 12, Dezember 1986, Seiten 1940 bis 1947).The use of Schottky contacts for rectifying purposes has long been known per se (cf. for example US 4,641,174, 5,241,195, 5,612,567). It is also common Schottky contacts together with MOS transistors in the ver to use a wide variety of designs (see US 5 365 102, So lid-State Electronics, Vol. 32, No. 4, pages 317-322, 1989 and IEEE Transactions on Electron Devices, Vol. Ed-33, No. 12, December 1986, pages 1940 to 1947).
Weiterhin ist aus US 4 754 310 eine Halbleiter-Leistungs vorrichtung bekannt, bei der eine Mehrzahl von Schichten in einem Halbleiterkörper zwischen einem Gate-Sourcebereich ei nerseits und einem Drainbereich andererseits aus Halbleiter zonen abwechselnd entgegengesetzten Leitungstyps besteht, um dort die Dotierungskonzentration wesentlich anzuheben, so daß der Einschaltwiderstand dieser Vorrichtung vermindert wird.Furthermore, from US 4,754,310 is a semiconductor power device known in which a plurality of layers in a semiconductor body between a gate source region ei on the one hand and a drain area on the other hand made of semiconductors zones of alternating opposite conduction types exists in order there to increase the doping concentration significantly, so that the on-resistance of this device is reduced.
Schließlich ist aus DE 196 04 044 A ein durch Feldeffekt steuerbares Halbleiterbauelement bekannt, bei dem in einer Drainzone des einen Leitungstyps eine Vielzahl floatender do tierter Bereiche des anderen Leitungstyps vorgesehen ist, wo bei die Dotierungskonzentrationen dieser floatenden Bereiche und des die Bereiche umgebenden Gebietes der Drainzone im we sentlichen gleich zueinander sind. Damit soll erreicht wer den, daß das durch Feldeffekt steuerbare Halbleiterbauelement trotz einer hohen Sperrspannung einen niedrigen Durchlaßwi derstand bereitstellt.Finally, from DE 196 04 044 A is a field effect controllable semiconductor device is known, in which in a Drain zone of one line type a multitude of floating do tated areas of the other line type is provided where at the doping concentrations of these floating areas and the surrounding area of the drain zone in the we are substantially the same as each other. This is to achieve who that the controllable by field effect semiconductor device despite a high reverse voltage, a low pass wi the state provides.
Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung, einen MOS-Lei stungstransistor zu schaffen, bei dem ohne weiteres eine aus reichende Injektion von Minoritätsladungsträgern in die Drainzone sichergestellt ist, um so für einen niedrigen Durchlaßwiderstand bei hoher Sperrspannung zu sorgen.It is an object of the present invention to provide a MOS Lei to create a transistor with which one is off sufficient injection of minority carriers into the Drain zone is ensured, so for a low On resistance to ensure high reverse voltage.
Diese Aufgabe wird bei einem MOS-Leistungstransistor der ein gangs genannten Art erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß (a) die Drain-Metallisierung mit dem Halbleiterkörper einen Schottky-Kontakt mit einstellbarer Barrierenhöhe bildet, und (b) im Halbleiterkörper mindestens ein Bereich des zweiten Leitungstyps vorgesehen ist. This task is the one with a MOS power transistor The type mentioned above is solved according to the invention in that (a) the drain metallization with the semiconductor body Schottky contact with adjustable barrier height forms, and (b) at least one region of the second in the semiconductor body Line type is provided.
Mit der vorliegenden Erfindung werden somit erstmals ver schiedene, an sich bekannte Maßnahmen in besonders vorteil hafter und synergetischer Weise gemeinsam angewandt: im Drain- bzw. Anodenbereich wird ein Schottky-Kontakt vorgese hen, dessen Barriere groß genug eingestellt ist, damit eine ausreichend hohe Ladungsträgerinjektion in die Drainzone er folgen kann. Parasitäre npnp-Thyristorstrukturen werden hier durch in vorteilhafter Weise vermieden, da der Schottky- Kontakt ein diffundiertes bzw. implantiertes Gebiet ersetzt.With the present invention are thus ver different measures known per se are particularly advantageous applied more jointly and synergistically: in A Schottky contact is provided in the drain or anode area hen, the barrier is set large enough for one sufficiently high charge carrier injection into the drain zone can follow. Parasitic npnp thyristor structures are here avoided in an advantageous manner because the Schottky Contact replaced a diffused or implanted area.
Eine Modulation eines n-Kanal-MOS-Leistungstransistors durch die Minoritätsladungsträger ist ohne größere Probleme mög lich, da durch Einstellung der Barrierenhöhe des Schottky- Kontaktes die Modulationsgröße nahezu beliebig einstellbar ist, was bis zu dem Grenzfall eines diffundierten pn- Überganges bei IGBT's (Bipolartransistor mit isoliertem Gate) führt. Die Barrierenhöhe läßt sich nämlich durch entsprechen de Oberflächenterme ohne weiteres beeinflussen, wie bei spielsweise durch:Modulation of an n-channel MOS power transistor by the minority charge carrier is possible without major problems Lich, because by adjusting the barrier height of the Schottky Contact the modulation size can be adjusted almost arbitrarily is what up to the limit of a diffused pn- Transition in IGBTs (bipolar transistor with insulated gate) leads. The barrier height can be matched by de affect surface terms easily, as with for example by:
- a) eine Beschichtung der Oberfläche mit Aluminium oder ande ren hierfür üblichen Metallen, wie Pd, Pt, Ti, Cr oder V,a) coating the surface with aluminum or other ren common metals for this purpose, such as Pd, Pt, Ti, Cr or V,
- b) Implantation von Fremdatomen, die nicht dotierend wirken, aber Grenzflächenterme erzeugen, wie beispielsweise Ar,b) implantation of foreign atoms that do not have a doping effect, but generate interface terms, such as Ar,
- c) Implantation von Aluminium, Gallium, Indium oder Bor in geringen Dosen (unter einigen 1012 cm-2; bei p-Kanal-MOS- Leistungstransistoren Implantation von P, As, Sb usw.),c) implantation of aluminum, gallium, indium or boron in small doses (below a few 10 12 cm -2 ; with p-channel MOS power transistors, implantation of P, As, Sb etc.),
- d) Implantation von Ionen, die beispielsweise bei einem n- leitenden Halbleiterkörper n-dotierend wirken und bei speziell niedrigen Dosen unter einigen 1012 cm-2 die Bar riere erniedrigen, da hier die Bildung von Grenzflächen termen überwiegt, und d) implantation of ions which, for example in an n-conducting semiconductor body, have an n-doping effect and lower the barrier at particularly low doses below a few 10 12 cm -2 , since here the formation of interface terms predominates, and
- e) gleichzeitige Implantation von n- und p-dotierenden Io nen.e) simultaneous implantation of n- and p-doping Io nen.
Es sei angemerkt, daß die Maßnahme (c) bei höheren Dosen über 1013 cm-2 zu einem üblichen IGBT führt.It should be noted that measure (c) leads to a common IGBT at higher doses over 10 13 cm -2 .
Während sich die obigen Erläuterungen auf die Einstellung der Barrierenhöhe des Schottky-Kontaktes als einem ersten Ge sichtspunkt der vorliegenden Erfindung beziehen, ist bei die ser von besonderer Bedeutung, daß im Halbleiterkörper des ei nen Leitungstyps mindestens ein Bereich des zweiten Leitung styps vorgesehen ist. Dieser Bereich des zweiten Leitungstyps kann so gestaltet sein, wie dies in der US 4 754 310 oder in der DE 196 04 044 A beschrieben ist: im Halbleiterkörper sind abwechselnd n- und p-dotierte Gebiete zwischen dem Schottky- Kontakt und dem wannenförmigen Gebiet vorgesehen (US 4 754 310), oder der Halbleiterkörper enthält eine Vielzahl von floatenden Gebieten des zweiten Leitungstyps (DE 196 04 044 A).While the above explanations refer to the setting of the Barrier height of the Schottky contact as a first Ge point of view of the present invention is at ser of particular importance that in the semiconductor body of the egg NEN line type at least a portion of the second line styps is provided. This area of the second line type can be designed as described in US 4,754,310 or in DE 196 04 044 A describes: are in the semiconductor body alternating n- and p-doped regions between the Schottky Contact and the trough-shaped area provided (US 4,754 310), or the semiconductor body contains a multiplicity of floating areas of the second conduction type (DE 196 04 044 A).
Bei den abwechselnd n- und p-dotierten Gebieten kann zusätz lich zu der Leitfähigkeitserhöhung in der Drainzone durch die Dotierungserhöhung noch die einstellbare Minoritätsladungs trägerinjektion ausgenutzt werden.In the alternating n- and p-doped areas, additional Lich to the increase in conductivity in the drain zone by the Increase in doping still the adjustable minority charge carrier injection can be used.
Bei den floatenden Gebieten wird erreicht, daß bereits eine sehr geringe Injektion an Löchern ausreichend ist, um beim Einschalten des Transistors die notwendige Ladung zu liefern. Ist diese Injektion sehr gering, so entsteht im Durchlaßbe trieb praktisch ein MOS-Leistungstransistor mit einer ver schwindenden Speicherladung, der allerdings einen kleinen Schwellenwert durch den Schottky-Kontakt in seiner Durchlaß charakteristik aufweist. In the floating areas it is achieved that already very small injection of holes is sufficient to Turning on the transistor to deliver the necessary charge. If this injection is very small, it is created in the passage practically drove a MOS power transistor with a ver dwindling storage charge, but a small one Threshold through the Schottky contact in its passageway has characteristic.
Der mindestens eine Bereich des zweiten Leitungstyps im Halb leiterkörper bewirkt also, daß bereits eine relativ geringe Injektion von Minoritätsladungsträgern aus dem Schottky-Kon takt ausreichend ist, um die notwendige Ladung in der Drain zone für einen niedrigen Einschaltwiderstand bei hoher Sperr spannung zu liefern.The at least one area of the second conduction type in the half Conductor body therefore causes a relatively small Injection of minority charge carriers from the Schottky-Kon is sufficient to charge the necessary charge in the drain zone for low on-resistance with high blocking to deliver tension.
Für den abschließenden Kontakt zur Drainzone können Aluminium oder andere geeignete Metalle, wie beispielsweise Pd, Pt, Ti, Ni, Cr, V usw. verwendet werden. Außerdem können darüber noch weitere Metallschichten angeordnet werden, die beispielsweise die Lötfähigkeit auf der Drainseite sicherstellen.Aluminum can be used for the final contact to the drain zone or other suitable metals, such as Pd, Pt, Ti, Ni, Cr, V, etc. can be used. You can also use it further metal layers can be arranged, for example ensure the solderability on the drain side.
In bevorzugter Weise ist der eine Leitungstyp der n-Leitungs typ und der andere Leitungstyp der p-Leitungstyp, so daß der Bereich des anderen bzw. zweiten Leitungstyps p-dotiert ist und die Vielzahl von floatenden Gebieten damit ebenfalls p- dotiert sind. Insgesamt wird damit ein n-Kanal-Leistungs transistor erhalten.The one line type is preferably the n line type and the other line type is the p-line type, so that the Area of the other or second conductivity type is p-doped and the large number of floating areas are endowed. Overall, this is an n-channel performance transistor received.
Selbstverständlich ist die Erfindung aber auch auf einen p- Kanal-Leistungstransistor anwendbar. In diesem Fall ist die Drainzone p-dotiert, während die floatenden Gebiete n-dotiert sind. Diese floatenden Gebiete werden dann durch Elektronen emission vom Schottky-Drainkontakt beim Einschalten des Lei stungstransistors umgeladen.Of course, the invention is also applicable to a p- Channel power transistor applicable. In this case it is Drain zone p-doped, while the floating areas n-doped are. These floating areas are then replaced by electrons emission from the Schottky drain contact when switching on the Lei transistors reloaded.
Nachfolgend wird die Erfindung anhand der Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen:The invention will be described in more detail below with reference to the drawings explained. Show it:
Fig. 1 ein Schnittbild durch ein erstes Ausführungs beispiel der Erfindung mit abwechselnd n- und p-dotierten vertikalen Gebieten im Halblei terkörper, und Fig. 1 is a sectional view through a first embodiment of the invention with alternating n- and p-doped vertical regions in the semiconductor body, and
Fig. 2 ein Schnittbild durch ein zweites Ausfüh rungsbeispiel der vorliegenden Erfindung mit p-dotierten kugelförmigen floatenden Gebieten in einem n-leitenden Halbleiterkörper. Fig. 2 is a sectional view through a second exemplary embodiment of the present invention with p-doped spherical floating regions in an n-type semiconductor body.
Fig. 1 zeigt ein erstes Ausführungsbeispiel der Erfindung, bei dem in einem n-leitenden Silizium-Halbleiterkörper 1 p- leitende Wannen 2 eingebracht sind, in denen hochdotierte n- leitende Sourcezonen 3 vorgesehen sind, die beispielsweise mit Arsen dotiert sind. Die p-leitenden Wannen 2 können bei spielsweise mit Bor dotiert sein. Figs. 1 shows a first embodiment of the invention in which conductive n-in a silicon semiconductor body 1, p-type wells 2 is introduced in which n-type source zones 3 highly doped are provided, which are doped, for example with arsenic. The p-type wells 2 can be doped with boron, for example.
Die p-leitenden Wannen 2 und die Sourcezonen 3 sind mit einer Metallisierung 4 kontaktiert, die beispielsweise aus Alumini um bestehen kann. Diese Metallisierung 4 befindet sich außer halb der Kontakte mit den Sourcezonen 3 bzw. den p-leitenden Wannen 2 auf einer beispielsweise aus Siliziumdioxid und/oder Siliziumnitrid bestehenden Isolierschicht 5, in die im Be reich zwischen den p-leitenden Wannen 2 Gateelektroden 6 aus dotiertem polykristallinen Silizium eingebettet sind.The p-type wells 2 and the source zones 3 are contacted with a metallization 4 , which can be made of aluminum, for example. This metallization 4 is located outside of the contacts with the source zones 3 and the p-type wells 2 on an insulating layer 5 , for example made of silicon dioxide and / or silicon nitride, into which 2 gate electrodes 6 are doped in the area between the p-type wells polycrystalline silicon are embedded.
Auf der zu der Metallisierung 4 gegenüberliegenden Oberseite des Halbleiterkörpers 1 ist eine Metallisierung 7 angebracht, an der eine Drain-Source-Spannung UDS anliegt. Die Metalli sierung 4 ist gegebenenfalls mit Massepotential beaufschlagt.A metallization 7 , to which a drain-source voltage U DS is applied, is attached to the upper side of the semiconductor body 1 opposite the metallization 4 . The metallization 4 is optionally applied to ground potential.
Außerdem sind im Halbleiterkörper 1 p-leitende Gebiete 8 im wesentlichen im Bereich unterhalb der p-leitenden Wannen 2 vorgesehen, die sich vertikal von den p-leitenden Wannen 2 bis zu der Metallisierung 7 erstrecken.In addition, p-type regions 8 are provided in the semiconductor body 1 essentially in the region below the p-type troughs 2 , which extend vertically from the p-type troughs 2 to the metallization 7 .
Die Metallisierung 7 bildet einen Schottky-Kontakt mit dem Halbleiterkörper 1 bzw. den p-leitenden Wannen 8 und besteht beispielsweise aus hierfür geeigneten Metallen, wie Pd, Pt, Ti, Cr, V, Ni usw. Gegebenenfalls können zur Einstellung der Barrierenhöhe des Schottky-Kontaktes noch Oberflächenterme im Halbleiterkörper 1 bzw. den in p-leitenden Gebieten 8 vorhan den sein, wie beispielsweise Bor, das in geringen Dosen unter einigen 1012 cm-2 implantiert ist.The metallization 7 forms a Schottky contact with the semiconductor body 1 or the p-type wells 8 and consists, for example, of metals suitable for this purpose, such as Pd, Pt, Ti, Cr, V, Ni etc. If necessary, the Schottky can be used to adjust the barrier height -Contact still surface terms in the semiconductor body 1 or in the p-type regions 8 be present, such as boron, which is implanted in small doses below a few 10 12 cm -2 .
Nach Anlegen einer positiven Spannung UDS an die Metallisie rung 7 und eines Massepotentials an die Metallisierung 4 wer den durch die Barriere 9 des Schottky-Kontaktes zwischen der Metallisierung 7 und dem Halbleiterkörper 1 bzw. den p-lei tenden Gebieten 8 Minoritätsladungsträger (positive Löcher) aus der Metallisierung 7 in den Halbleiterkörper 1 bzw. in die p-leitenden Gebiete 8 injiziert, wie dies durch einen Pfeil 10 angedeutet ist. Damit wird die Leitfähigkeit in der Drainzone des Transistors erhöht, so daß sich insgesamt ein niedriger Einschaltwiderstand ergibt.After applying a positive voltage U DS to the metallization 7 and a ground potential tion to the metallization 4 who the by the barrier 9 of the Schottky contact between the metallization 7 and the semiconductor body 1 and the p-lei Tenden areas 8 minority carriers (positive holes ) injected from the metallization 7 into the semiconductor body 1 or into the p-type regions 8 , as is indicated by an arrow 10 . This increases the conductivity in the drain zone of the transistor, so that the overall on-resistance is low.
Fig. 2 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel der Erfindung, bei dem aber anstelle der vertikalen p-leitenden Gebiete 8 floatende, beispielsweise kugelförmige, p-leitende Gebiete 18 im Halbleiterkörper 1 vorgesehen sind. Durch die Löcherinjek tion (vgl. die Pfeil 10) aus der Metallisierung 7 werden aus reichend positive Ladungsträger geliefert, um die notwendige Ladung für die floatende Gebiete 18 im Drainbereich zu erhal ten. Durch Einstellung der Höhe der Barriere 9 läßt sich das Ausmaß dieser Injektion festlegen. Ist die Injektion sehr ge ring, entsteht im Durchlaßbetrieb praktisch ein MOS-Transi stor mit sehr kleiner Speicherladung, wobei ein kleiner Schwellenwert durch den Schottky-Kontakt zwischen der Metal lisierung 7 und dem Halbleiterkörper 1 in der Durchlaßcharak teristik vorliegt. Figs. 2 shows another embodiment of the invention, floating but in which p-type instead of the vertical zones 8, for example spherical, p-type regions 18 in the semiconductor body 1 is provided. Through the hole injection (see arrow 10 ) from the metallization 7 , sufficient positive charge carriers are supplied in order to obtain the necessary charge for the floating regions 18 in the drain region. By adjusting the height of the barrier 9 , the extent of this injection can be obtained establish. If the injection is very ge ring, practically a MOS transistor with a very small storage charge arises in the forward mode, a small threshold value being present due to the Schottky contact between the metalization 7 and the semiconductor body 1 in the forward characteristic.
Bei beiden Ausführungsbeispielen kann durch Einstellung der Barrierenhöhe des Schottky-Kontaktes die Modulationshöhe des Transistors praktisch beliebig eingestellt werden, was bis zu dem Grenzfall eines diffundierten pn-Überganges anstelle des Schottky-Kontaktes und damit zu einem IGBT führt.In both embodiments, by setting the Barrier height of the Schottky contact is the modulation height of the Transistors can be set practically whatever, up to the limit of a diffused pn junction instead of Schottky contact and thus leads to an IGBT.
Während in den Ausführungsbeispielen der Fig. 1 und 2 das Ge biet 8 bzw. die Gebiete 18 p-leitend sind und der Transistor insgesamt ein n-Kanal-Transistor ist, läßt sich die Erfindung in gleicher Weise auch auf einen p-Kanal-Leistungstransistor anwenden. In diesem Fall ist der Halbleiterkörper 1 p-do tiert, während die Gebiete 8 bzw. die Gebiete 18 n-dotiert sind und durch Elektronenemission von der Metallisierung 7 beim Einschalten des Transistors umgeladen werden. While in the exemplary embodiments in FIGS. 1 and 2, the region 8 or regions 18 are p-type and the transistor as a whole is an n-channel transistor, the invention can be applied in the same way to a p-channel power transistor apply. In this case, the semiconductor body 1 is p-doped, while the regions 8 and regions 18 are n-doped and are reloaded by electron emission from the metallization 7 when the transistor is switched on.
11
Halbleiterkörper
Semiconductor body
22nd
wannenförmiges Gebiet
trough-shaped area
33rd
Sourcezone
Source zone
44th
Metalisierung
Metalization
55
Isolierschicht
Insulating layer
66
Gateelektrode
Gate electrode
77
Drain-Metallisierung
Drain metallization
88th
Bereich des zweiten Leitungstyps
Range of the second line type
99
Barriere
barrier
1010th
Pfeil für Minoritätsladungsträger
Arrow for minority carriers
1818th
p-leitende Gebiete
p-type areas
Claims (5)
- 1. einem Halbleiterkörper (1) des einen Leitungstyps,
- 2. mindestens einem in eine erste Oberfläche des Halblei terkörpers (1) eingebetteten wannenförmigen Gebiet (2) des anderen, zum einen Leitungstyp entgegengesetzten Leitungstyps,
- 3. einer in dem wannenförmigen Gebiet (2) vorgesehenen Sourcezone (3) des einen Leitungstyps,
- 4. einer die Sourcezone (3) und das wannenförmige Gebiet (2) kontaktierenden Metallisierung (4) und
- 5. einer auf einer zweiten, zur ersten Oberfläche gegen überliegenden Oberfläche des Halbleiterkörpers (1) vor gesehenen Drain-Metallisierung (7),
- 1. die Drain-Metallisierung (7) mit dem Halbleiterkörper (1) einen Schottky-Kontakt mit einstellbarer Barrieren höhe bildet, und
- 2. im Halbleiterkörper (1) mindestens ein Bereich (8; 18) des anderen Leitungstyps vorgesehen ist.
- 1. a semiconductor body ( 1 ) of one conductivity type,
- 2. at least one trough-shaped region ( 2 ) of the other embedded in a first surface of the semiconductor body ( 1 ), on the one hand a conduction type of opposite conduction type,
- 3. a source zone ( 3 ) of one conduction type provided in the trough-shaped region ( 2 ),
- 4. one of the source zone ( 3 ) and the trough-shaped region ( 2 ) contacting metallization ( 4 ) and
- 5. a drain metallization ( 7 ) seen on a second surface of the semiconductor body ( 1 ) opposite the first surface,
- 1. the drain metallization ( 7 ) with the semiconductor body ( 1 ) forms a Schottky contact with adjustable barriers height, and
- 2. at least one area ( 8 ; 18 ) of the other conductivity type is provided in the semiconductor body ( 1 ).
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