DE19818511A1 - Verfahren zum Verbinden einer Glasfaser mit einem otpischen Chip - Google Patents
Verfahren zum Verbinden einer Glasfaser mit einem otpischen ChipInfo
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Abstract
Bei einem Verfahren zum Verbinden wenigstens einer Glasfaser, die einen Fasermantel und einen Faserkern als Wellenleiter aufweist, mit wenigstens einer Wellenleiteranordnung auf einem optischen Chip, der eine Wellenleiteranordnung mit in eine oder mehrere Schicht(en) eingebettete Wellenleiterbahn auf einem Substrat aufweist, die bis zum Rand des Chips geführt sind, wird eine Glasfaser an die Wellenleiteranordnung herangeführt, so daß der Faserkern der Glasfaser an einer Stoßstelle der Wellenleiterbahn der Wellenleiteranordnung auf dem Chip gegenüberliegt. Die Wellenleiteranordnung wird über den Rand des Substrats hinaus in Abhängigkeit von der Ableitung von Wärmeenergie von der Stoßstelle in den Chip derart verlängert, daß die Wärmeableitung den Schmelzvorgang nicht beeinflußt. An der Stoßstelle wird Wärmeenergie derart zugeführt, daß das Material der Wellenleiteranordnung mit dem Material der Glasfaser gleichmäßig verschmolzen wird, um die Wellenleiterbahn an den Faserkern anzukoppeln.
Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Verbinden wenigstens
einer Glasfaser, die einen Fasermantel und einen Faserkern
als Wellenleiter aufweist, mit wenigstens einer Wellenleiter
anordnung auf einem optischen Chip, wobei die Wellenleiteran
ordnung eine in eine oder mehrere Schichten eingebettete Wel
lenleiterbahn(en) auf einem Substrat aufweist, die bis zu ei
nem Rand oder mehreren Rändern des Chips geführt sind.
Wenn in optischen Geräten oder Modulen optische Chips einge
setzt werden, müssen die Wellenleiter dieser Chips an Glasfa
sern bzw. dem Faserkern der Glasfasern angekoppelt werden.
Bei dieser Verbindung kommt es sowohl auf eine mechanische
Stabilität als auch auf eine dämpfungsarme Kopplung zwischen
den Wellenleitern auf dem Chip und in der Glasfaser an. Dies
trifft insbesondere auf die Ankopplung von Glasfasern an
planare Chips, das heißt optische Komponenten und Schaltun
gen, die in einer Planartechnik aus Glas-, Keramik- oder
Halbleitermaterial hergestellt sind, zu. Die genauen Anforde
rungen für derartige Verbindungen bzw. Ankopplungen umfassen
somit optische, mechanische und klimatische Kriterien, die in
den Bellcore-Spezifikationen GR1208 Core (performance) und
GR1221 Core (reliability) für passive optische Komponenten
festgelegt sind.
Bisher hat man versucht, die vorstehend genannten Kriterien
dadurch zu erfüllen, daß man die Glasfasern an den Chip mit
Hilfe eines Kunststoffklebers angeklebt hat. Dazu werden die
Glasfasern abgebrochen, so daß sich eine Bruchfläche von mög
lichst genau 90° gegenüber der Längsausdehnung der Glasfaser
ergibt. Die Leiterbahnen werden an den Rändern der Chipober
fläche abgebrochen, so daß sich ebenfalls eine Bruchfläche
von möglichst genau 90° ergibt. Daraufhin werden die Glasfa
sern und die Wellenleiterbahnen aufeinander justiert und auf
optimalen Abstand von wenigen um gebracht. Bei diesem Vorgang
sind die Fasern in einer geeigneten Halterung fixiert. Als
nächstes wird ein Klebstoff, beispielsweise ein thermisch-
oder UV-aushärtender Kleber oder ein Zweikomponentenkleber,
zwischen die Fasern und die Chipendfläche angebracht und an
schließend ausgehärtet. Die Faserhalterung wird in einem Vor
gang mitverklebt, um die mechanische Festigkeit der Verbin
dung zu verbessern.
Ein Nachteil dieses Verfahrens besteht darin, daß an den Kle
ber hohe Anforderungen gestellt werden müssen, um eine gute
Haftung des Klebers auf den verwendeten Materialien, eine An
passung der Ausdehnungskoeffizienten der verschiedenen Mate
rialien, eine gute optische Transparenz, das heißt ein mög
lichst dämpfungsfreier Übergang von den optischen Signalen
von der Glasfaser in die Wellenleiterbahnen und umgekehrt,
und eine Langzeitstabilität bei den geforderten klimatischen
Bedingungen erfüllt sein müssen, wobei letztere insbesondere
bei Kunststoffen problematisch sind.
Demgegenüber liegt der Erfindung die Aufgabe zugrunde, ein
Verfahren der eingangs genannten Art derart weiterzubilden,
daß eine Verbindung bzw. Ankopplung zwischen einer Glasfaser
und einem optischen Chip hergestellt werden kann, wobei die
erforderliche mechanische Festigkeit und eine geringe Dämp
fung an der Stoßstelle zwischen Glasfaser und Chip gewährlei
stet sein sollen.
Zur Lösung dieser Aufgabe ist das erfindungsgemäße Verfahren
dadurch gekennzeichnet, daß an der Stoßstelle Wärmeenergie
derart zugeführt wird, daß das Material der Wellenleiteran
ordnung mit dem Material der Glasfaser gleichmäßig verschmol
zen wird, um die Wellenleiterbahn an den Faserkern anzukop
peln. Durch dieses Verfahren wird in vorteilhafter Weise eine
mechanisch feste und optisch dämpfungsarme Verbindung zwi
schen der Glasfaser und der Wellenleiterbahn auf dem Chip
hergestellt.
Ein weiterer Vorteil des erfindungsgemäßen Verfahrens besteht
darin, daß keine Fremdmaterialien wie Kunststoff, beispiels
weise Epoxydharz, zwischen dem Faserkern der Glasfaser und
der Wellenleiterbahn der Wellenleiteranordnung auf dem Chip
vorhanden ist. Durch die direkte Verschmelzung von Glas zu
Glas werden daher eine Reihe von Problemen umgangen, die bei
der oben erwähnten Klebetechnik vorhanden sind.
Nach einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung
wird die Wellenleiteranordnung über den Rand des Substrats
hinaus in Abhängigkeit von der Ableitung von Wärmeenergie von
der Stoßstelle in den Chip derart verlängert, daß die Wärme
ableitung den Schmelzvorgang nicht beeinflußt. Dadurch, daß
die Wellenleiteranordnung über den Rand des Substrates hinaus
verlängert wird, kann in vorteilhafter Weise sichergestellt
werden, daß bei der Verschmelzung des Endes der Glasfaser mit
der Wellenleiteranordnung auf dem Chip die Wärmeableitung in
das Substrat des Chips der Schmelzvorgang nicht beeinträch
tigt wird. Mit anderen Worten wird die Länge, um die die Wel
lenleiteranordnung über den Rand des Chips hinaus verlängert
wird, in Abhängigkeit von der Ableitung von Wärmeenergie von
der Stoßstelle in den Chip derart gewählt, daß die Wärmeab
leitung den Schmelzvorgang nicht beeinträchtigt. Ferner wird
durch die Verlängerung der Wellenleiteranordnung sicherge
stellt, daß der Chip durch den Schmelzvorgang nicht beschä
digt wird.
Nach einer vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung werden
die Glasfasern einzeln mit den Wellenleiteranordnungen auf
dem Chip gekoppelt. Damit kann man der Tatsache Rechnung tra
gen, daß die Materialien der Wellenleiteranordnungen auf dem
Chip möglicherweise unterschiedlich sind oder die Materialien
der Glasfasern, die angekoppelt werden sollen, unterschied
lich ausfallen. Ferner kann der Tatsache Rechnung getragen
werden, daß die geometrischen Abmessungen der Glasfasern, die
angekoppelt werden sollen, unterschiedlich sein können.
Nach einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung
werden die Glasfasern in Gruppen an die Wellenleiteranordnung
auf dem Chip angekoppelt, was eine rationellere Fertigungs
weise mit sich bringt. In diesem Fall, wenn eine für die Ju
stage verwendete Halterung mit verschmolzen wird, wird die
mechanische Festigkeit erhöht der Verbindung.
Nach einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung
wird die Wärmeenergie durch Laserstrahlen zugeführt. Bekannt
lich kann die Wärmeenergie durch Laserstrahlen kurzzeitig, in
bezug auf die Energie wohldefiniert und in bezug auf den Ort
der Wärmezufuhr genau zugeführt werden. Mit diesen Eigen
schaften der Laserstrahlen lassen sich Beschädigungen des
Chips beim Aufschmelzen der Verbindung zwischen Glasfaser und
Wellenleiteranordnung vermeiden, und die Stelle, an der der
Schmelzvorgang stattfindet, kann genau definiert werden.
Nach einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung
werden die Laserstrahlen von wenigstens zwei gegenüberliegen
den Seiten auf die Stoßstelle gerichtet, um eine gleichmäßige
Verschmelzung der Glasfaser mit der Wellenleiteranordnung auf
dem Chip zu gewährleisten. Gerade bei Laserstrahlen besteht
ansonsten die Gefahr, daß die Verschmelzung nicht gleichmäßig
über der gesamten Stoßstelle erfolgt.
Nach einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung
wird die Wärmeenergie durch einen an der Stoßstelle erzeugten
Lichtbogen zugeführt. Da der Lichtbogen die gesamte Stoß
stelle überstreicht, wird hier eine besonders gleichmäßige
Verschmelzung zwischen dem Ende der Glasfaser und der Wellen
leiteranordnung auf dem Chip erreicht. Auch bei Lichtbogenan
ordnungen kann die Energie, die über den Lichtbogen zugeführt
wird, hinreichend gut gesteuert werden, um einerseits für
eine gute Verschmelzung zu sorgen und andererseits eine Be
schädigung des Chips durch Wärmeableitung zu vermeiden. Auch
die Genauigkeit bei der Lichtbogen-Verschmelzungstechnik ist
ausreichend für die Herstellung von Verbindungen zwischen
Glasfasern und Wellenleiteranordnungen, deren Wellenleiter
bahnen Breiten- und Höhenabmessungen im Mikrometerbereich ha
ben.
Da bei dem erfindungsgemäßen Verfahren an der Stoßstelle Wär
meenergie zu der Stoßstelle gleichmäßig zugeführt wird, er
gibt sich weiterhin der Vorteil, daß eine gleichmäßige Ver
schmelzung des Endes der Glasfaser mit der Wellenleiteranord
nung erfolgt. Würde die Wärmeenergie nur einseitig zugeführt,
so würde die Stoßstelle nur auf der Seite befriedigend ver
schmolzen werden, auf der die Wärmeenergie zugeführt wird,
während auf der anderen Seite der Stoßstelle undefinierte Be
dingungen bei der Verschmelzung vorherrschen könnten.
Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nun anhand der bei
liegenden Zeichnungen beschrieben. Es zeigen:
Fig. 1 einen Chip und eine Glasfaser vor dem Verschmelzungs
vorgang;
Fig. 2 einen Chip und eine Glasfaser nach dem Verschmel
zungsvorgang; und
Fig. 3 eine perspektivische Ansicht eines Chips mit einer
Wellenleiteranordnung, wie er bei dem erfindungsgemä
ßen Verfahren eingesetzt wird.
In Fig. 1 sind ein Substrat 2 und eine darauf ausgebildete
Wellenleiteranordnung 4 sowie eine Glasfaser 6 schematisch im
Schnitt darstellt. Das Substrat 2 und die Wellenleiteranord
nung 4 sind Bestandteil eines planaren Chips, das heißt einer
optischen Komponente oder Schaltung, die in Planartechnik auf
Glas-, Keramik- oder Halbleitermaterial als Substrat 2 herge
stellt ist. Die Glasfaser 6 hat einen Fasermantel 8 und einen
Faserkern 10, der den Wellenleiter der Glasfaser 6 darstellt.
Die Wellenleiteranordnung 4 hat eine Wellenleiterbahn 12, an
die die Glasfaser 6 mit ihrem Faserkern 10 angekoppelt werden
soll. Die Wellenleiterbahn 12 besteht aus Glas und hat einen
Modenfelddurchmesser, der an den des Faserkerns 10 angepaßt
ist, die beispielsweise als Singlemodenfaser ausgebildet ist.
Die Wellenleiterbahn 12 der Wellenleiteranordnung 4 ist zwi
schen einer Basisschicht 14 und einer Deckschicht 16 einge
bettet, die ebenfalls aus Glas bestehen.
Zur Durchführung des Verfahrens, wird, wie aus Fig. 1 zu er
sehen ist, eine Glasfaser 6 an die Wellenleiteranordnung 4
herangeführt, so daß der Faserkern 10 der Glasfaser 6 einer
Stoßstelle der Wellenleiterbahn 12 des Chips gegenüberliegt.
Bei Heranführen der Glasfaser 6 an die Wellenleiteranordnung
4 wird eine Justage der Wellenleiterbahn 12 auf den Faserkern
10, das heißt eine Glasfaser-Chip-Justage, durchgeführt. Die
Justage kann aktiv unter Berücksichtigung der optischen
Transmission oder passiv durchgeführt werden. Derartige Ju
stageverfahren sind aus der Ankopplung von Glasfasern unter
einander bekannt.
Wenn der Chip mit der Wellenleiteranordnung 4 und die Glasfa
ser 6 in der beschriebenen Weise positioniert sind, wird ein
Lichtbogen 20 zwischen zwei Elektroden 22, 24 gezündet, der
Wärmeenergie von zwei Seiten, das heißt von oben und unten in
der in Fig. 1 gewählten Darstellung, der Stoßstelle zugeführt
wird, so daß das Material der Wellenleiteranordnung 4 mit dem
Material der Glasfaser 6 verschmolzen wird, um die Wellenlei
terbahn 12 an den Faserkern 10 anzukoppeln.
Das Ergebnis des Ankopplungs- und Verbindungsverfahrens ist
in Fig. 2 gezeigt. Wie dargestellt ist, geht der Faserkern 10
ohne Unterbrechung in die Wellenleiterbahn 12 über, so daß
eine optimale optische Kopplung erzielt wird. Das Glasmate
rial des Fasermantels 8 verschmilzt mit dem Glasmaterial der
Schichten 14, 16, so daß auch hier eine gute mechanische Fe
stigkeit erzielt wird. Andererseits liegt der Lichtbogen 20
genügend weit von dem Substrat 2 des Chips entfernt, so daß
eine eventuelle Ableitung von Wärmeenergie von der Stoßstelle
in das Substrat 2 des Chips den Schmelzvorgang nicht beein
trächtigt.
Die Länge, um die die Wellenleiteranordnung 4 über den Rand
des Chips bzw. das Substrat 2 hinaus verlängert werden
sollte, um den vorgenannten Effekt zu erzielen, kann experi
mentell bestimmt werden, indem man die Qualität der Ankopp
lung sowohl nach optischen als auch mechanischen Kriterien
für verschiedene Längen, um die die Wellenleiteranordnung
über das Substrat 2 vorsteht, unter Berücksichtigung von Be
schädigungen des Chips in Beziehung setzt. Bei zu geringer
Länge werden häufiger Beschädigungen an dem Chip und Asymme
trien bei der Verschmelzung der Glasfaser mit der Wellenlei
teranordnung auftreten. Ab einer gewissen Länge werden keine
Verbesserungen der optischen Ankopplung mehr feststellbar
sein, jedoch die Gefahr besteht, daß mit zunehmender Länge
die mechanische Festigkeit der Anordnung in dem optischen Mo
dul beeinträchtigt wird. Man wird daher die kürzeste Länge
wählen, bei der die mechanischen und optischen Eigenschaften
der Ankopplung den Anforderungen entsprechen.
Die vorstehende Beschreibung bezieht sich auf die Ankopplung
einer Glasfaser 6 an eine Wellenleiteranordnung 4 auf einem
Chip. Es können jedoch auch Glasfasern an Gruppen von Wellen
leiteranordnungen auf dem Chip angekoppelt werden. Wenn die
Glasfasern 6 in Gruppen angekoppelt bzw. angeschmolzen wer
den, erfolgt auch die Justage der Faser in Gruppen.
Ein Chip mit einem Substrat 2 und einer Vielzahl von Wellen
leiteranordnungen 12, 12', 12'' usw. ist in Fig. 3 dargestel
lt. Selbstverständlich ist die Zahl der Wellenleiterbahnen
nicht auf drei beschränkt. In einem derartigen Fall können
alle Wellenleiterbahnen 12, 12', 12'' usw. in einem Vorgang
mit einer entsprechenden Zahl von Glasfasern 6 verbunden bzw.
gekoppelt werden. Dabei werden dann die Glasfasern in einer
Haltevorrichtung (nicht gezeigt) gehalten, die bei dem Ver
binden der Glasfasern mit der Wellenleiteranordnung ebenfalls
mit angeschmolzen wird, um die mechanische Stabilität der
Verbindung zu verbessern.
Die in Fig. 1 gezeigte Anordnung zur Durchführung des Verfah
rens verwendet Elektroden 22 und 24 zur Erzeugung eines
Lichtbogens, wobei die Elektroden auf gegenüberliegenden Sei
ten der Stoßstelle angeordnet sind, so daß der Lichtbogen die
gesamte Stoßstelle erfaßt und eine gleichmäßige Verschmelzung
der Faser mit der Wellenleiteranordnung stattfindet. Anstelle
der Elektroden 22, 24 können auch Laserstrahlquellen einge
setzt werden, die über entsprechende Laserstrahlen die Wärme
energie an die Stoßstelle zuführen. Die Laserstrahlen können
von gegenüberliegenden Seiten her auf die Stoßstelle gerich
tet werden. Bei der Ankopplung von einzelnen Fasern an ein
zelne Wellenleiterbahnen könnten auch mehr als zwei am Umfang
um die Stoßstelle herum angeordnete Laserquellen verwendet
werden, um die Gleichmäßigkeit bei der Verschmelzung der
Stoßstelle zu erhöhen.
Claims (9)
1. Verfahren zum Verbinden wenigstens einer Glasfaser, die
einen Fasermantel und einen Faserkern als Wellenleiter
aufweist, mit wenigstens einer Wellenleiteranordnung auf
einem optischen Chip, der eine Wellenleiteranordnung mit in
eine oder mehrere Schicht(en) eingebettete Wellenleiterbahn
auf einem Substrat aufweist, die bis zum Rand des Chips
geführt sind, wobei eine Glasfaser an die Wellenleiter
anordnung herangeführt wird, so daß der Faserkern der
Glasfaser an einer Stoßstelle der Wellenleiterbahn der
Wellenleiteranordnung auf dem Chip gegenüberliegt,
dadurch gekennzeichnet,
daß an der Stoßstelle Wärmeenergie derart zugeführt wird, daß
das Material der Wellenleiteranordnung mit dem Material der
Glasfaser gleichmäßig verschmolzen wird, um die
Wellenleiterbahn an den Faserkern anzukoppeln.
2. Verfahren nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Wellenleiteranordnung über den Rand des Substrats
hinaus in Abhängigkeit von der Ableitung von Wärmeenergie von
der Stoßstelle in den Chip derart verlängert wird, daß die
Wärmeableitung den Schmelzvorgang nicht beeinflußt.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Glasfasern einzeln mit der Wellenleiteranordnung auf
dem Chip gekoppelt werden.
4. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Glasfasern in Gruppen an die Wellenleiteranordnung
auf dem Chip angekoppelt werden.
5. Verfahren nach Anspruch 4,
dadurch gekennzeichnet,
daß eine für die Justage verwendete Halterung mitverschmolzen
wird.
6. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Wärmeenergie durch Laserstrahlen zugeführt wird.
7. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Laserstrahlen von gegenüberliegenden Seiten auf die
Stoßstelle gerichtet werden.
8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Wärmeenergie durch einen an der Stoßstelle erzeugten
Lichtbogen zugeführt wird.
9. Verfahren nach Anspruch 7,
dadurch gekennzeichnet,
daß Elektroden zur Erzeugung des Lichtbogens auf gegenüber
liegenden Seiten der Stoßstelle angeordnet werden, wobei der
Lichtbogen die gesamte Stoßstelle erfaßt.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE1998118511 DE19818511A1 (de) | 1998-04-24 | 1998-04-24 | Verfahren zum Verbinden einer Glasfaser mit einem otpischen Chip |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE1998118511 DE19818511A1 (de) | 1998-04-24 | 1998-04-24 | Verfahren zum Verbinden einer Glasfaser mit einem otpischen Chip |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE19818511A1 true DE19818511A1 (de) | 1999-10-28 |
Family
ID=7865763
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE1998118511 Withdrawn DE19818511A1 (de) | 1998-04-24 | 1998-04-24 | Verfahren zum Verbinden einer Glasfaser mit einem otpischen Chip |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE19818511A1 (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103630973A (zh) * | 2013-12-17 | 2014-03-12 | 哈尔滨理工大学 | 液芯光纤与石英光纤耦合装置的制作方法 |
-
1998
- 1998-04-24 DE DE1998118511 patent/DE19818511A1/de not_active Withdrawn
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103630973A (zh) * | 2013-12-17 | 2014-03-12 | 哈尔滨理工大学 | 液芯光纤与石英光纤耦合装置的制作方法 |
CN103630973B (zh) * | 2013-12-17 | 2015-08-05 | 哈尔滨理工大学 | 液芯光纤与石英光纤耦合装置的制作方法 |
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Legal Events
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