DE19728846A1 - Frequenzverdopplung in Laserresonatoren - Google Patents

Frequenzverdopplung in Laserresonatoren

Info

Publication number
DE19728846A1
DE19728846A1 DE1997128846 DE19728846A DE19728846A1 DE 19728846 A1 DE19728846 A1 DE 19728846A1 DE 1997128846 DE1997128846 DE 1997128846 DE 19728846 A DE19728846 A DE 19728846A DE 19728846 A1 DE19728846 A1 DE 19728846A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
frequency doubling
fundamental wave
crystal
wave resonator
arrangement
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
DE1997128846
Other languages
English (en)
Inventor
Konrad Dr Altmann
Frank Dr Heine
Thorsteinn Halldorsson
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Daimlerchrysler Ag 70567 Stuttgart De Micro Syst
Original Assignee
Daimler Benz AG
Micro Systems Design Dr Altmann GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Daimler Benz AG, Micro Systems Design Dr Altmann GmbH filed Critical Daimler Benz AG
Priority to DE1997128846 priority Critical patent/DE19728846A1/de
Priority to PCT/DE1998/001857 priority patent/WO1999003177A1/de
Priority to EP98941274A priority patent/EP0995241A1/de
Priority to CN 98806589 priority patent/CN1261471A/zh
Publication of DE19728846A1 publication Critical patent/DE19728846A1/de
Ceased legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/10Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
    • H01S3/106Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling devices placed within the cavity
    • H01S3/108Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling devices placed within the cavity using non-linear optical devices, e.g. exhibiting Brillouin or Raman scattering
    • H01S3/109Frequency multiplication, e.g. harmonic generation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/05Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
    • H01S3/08Construction or shape of optical resonators or components thereof
    • H01S3/08018Mode suppression
    • H01S3/08022Longitudinal modes
    • H01S3/08031Single-mode emission
    • H01S3/08036Single-mode emission using intracavity dispersive, polarising or birefringent elements

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Lasers (AREA)

Description

Um die technischen Vorteile diodengepumpter Festkörperlaser, wie kompakter und robuster Aufbau, geringer Energieverbrauch, Wegfall der Wasserkühlung usw. auch im sichtbaren Spektralbereich nutzen zu können, bedarf es i. a. einer Frequenzverdopplung (SHG), da die Grundwellenlänge des genannten Lasertyps meist im infraroten Spektralbereich liegt. Zur technischen Realisierung der SHG bei Dauerstrichlasern wurden in der Vergangenheit eine Reihe von Verfahren vorgeschlagen. Sie können in erster Linie danach unterschieden werden, ob sich der SHG-Kristall außerhalb oder innerhalb des Grundwellenresonators befindet. Da im ersten Fall der SHG- Kristall, um eine ausreichende Effizienz zu erreichen, in eine eigene Cavity gebracht werden muß, deren optische Länge aktiv sehr genau relativ zum Grundwellenlaser stabilisiert werden muß, ist dieses Verfahren mit einem relativ großen technischen Aufwand verbunden. Einfacher zu realisieren ist das zweite Verfahren, bei dem der Grundwellenmode innerhalb des Resonators in den SHG-Kristall fokussiert werden kann. Nachteil dieser sogenannten Intracavity-SHG ist, daß die Leistungsauskopplung durch die SHG zu einem zeitlich wechselnden Anschwingen unterschiedlicher axialer Grundwellenmoden führt, deren Wechselwirkung den Laser destabilisiert. Dies hat erhebliche Schwankungen der Intensität der harmonischen Welle zur Folge (bekannt als sog. "green problem"). Um diese Schwankungen zu vermeiden, wurde vorgeschlagen (US Patent Nr. 5,446,749), den Grundwellenresonator sehr lang (ca. 1 m) zu machen, um durch Interferenz einer sehr großen Zahl axialer Moden die Intensitätsschwankungen statistisch zu glätten. Derartig lange Resonatoren können jedoch nicht in miniaturisierten Konfigurationen benutzt werden. Eine weitere Möglichkeit, die genannten Intensitätsschwankungen zu vermeiden, besteht darin, in den Grundwellenresonator ein Fabry-Perot-Etalon einzubringen, und auf diese Weise zu erzwingen, daß nur ein axialer Mode anschwingt. Durch diese Maßnahme werden jedoch zusätzliche Verluste verursacht.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, eine miniaturisierbare Konfiguration zu realisieren, bei der die genannten Nachteile vermieden werden. Wie von den Anmeldern gezeigt werden konnte, läßt sich dies in überraschend einfacher und effektiver Weise dadurch erreichen, daß der SHG-Kristall selbst als Etalon ausgebildet ist und somit gleichzeitig die Funktionen der Modenselektion und der Frequenzverdopplung übernimmt. Ein weiterer wesentlicher Vorteil dieser Anordnung besteht darin, daß innerhalb des Etalons eine Intensitätsüberhöhung vorliegt, was wegen der quadratischen Abhängigkeit der Intensität der Harmonischen von der Intensität der Grundwelle eine Erhöhung der Verdopplungseffizienz zur Folge hat und somit den Einsatz relativ kurzer SHG-Kristalle erlaubt.
Fig. 1 zeigt ein Schemabild des vorgeschlagenen Resonatoraufbaus mit Pumpstrahl, Laserkristall für die Grundwellenlänge 1, SHG-Kristall 4, Ein- und Auskoppelspiegel (2 und 3).
Der Grundgedanke der Erfindung wird im folgenden anhand des in Fig. 1 skizzierten Ausführungsbeispiels beschrieben. Ein Kristallstab 1 aus laseraktivem Material (z. B. Nd:YAG, Nd:YLF, Nd:YALO, Nd:YVO4) wird von links durch den Einkoppelspiegel 2 frontal gepumpt. Letzterer bildet mit dem Spiegel 3 den Grundwellenresonator. Zwischen Kristallstab 1 und Spiegel 3 befindet sich ein SHG-Kristall 4 aus nichtlinearem Material (z. B. KTP, LBO, LiJO3), dessen Endflächen planparallel geschliffen sind und deren Abstand einem Vielfachen der Grundwellenlänge entspricht, so daß dieser Kristall gleichzeitig als Modenselektor dient. Die Krümmungsradien der Spiegel 2 und 3 werden so gewählt, daß der Grundmode in den SHG- Kristall fokussiert wird, um dort eine möglichst hohe Intensität zu erreichen. Der Einkoppelspiegel 2 ist für die Pumpwellenlänge antireflektierend (AR) und für Grundwellenlänge (ω) und deren Harmonische (2ω) hochreflektierend (HR) beschichtet. Der Spiegel 3, der gleichzeitig zum Auskoppeln der Harmonischen benutzt wird, ist für ω HR und für 2ω AR beschichtet. Die Endflächen des Kristallstabes 1 sind sowohl für ω als auch für 2ω AR beschichtet. Die beiden Endflächen des SHG-Kristalls sind für 2ω AR beschichtet, für ω liegt die Reflektivität dieser Flächen zwischen 5 und 90% und wird in Abhängigkeit von den übrigen Parametern so abgestimmt, daß nur die durch den Abstand der Flächen selektierte Wellenlänge im Grundwellenresonator anschwingt. Da die Grundwelle innerhalb der Endflächen des Etalons hin- und herreflektiert wird, entsteht im Etalon eine Überhöhung der Intensität der Grundwelle, die z. B. bei einer Reflektivität dieser Flächen von 50% typischerweise einem Faktor 4 entspricht. Da, wie bereits erwähnt, die Intensität der Harmonischen proportional zum Quadrat der Intensität der Grundwelle ist, entspricht dies einer Vergrößerung der Verdopplungseffizienz um einen Faktor 16. Die Länge das SHG-Kristalls kann also um einen Faktor 16 kleiner gewählt werden als bei gewöhnlicher Interacavity-Verdopplung. Letzteres macht es möglich, den Abstand der Endflächen des SHG-Kristalls so klein zu wählen, daß über den freien Spektralbereich des Etalons und dem bei endgepumpten Lasern auftretenden spektralen Lochbrennen eine ausreichende Modenselektion gewährleistet ist. Bei einem Verstärkerkristall aus Nd:YAG von 5 cm Länge ergibt sich aus diesen Anforderungen typischerweise eine Länge von 0.5 mm für den SHG- Kristall. Da kurze SHG-Kristalle mit höherer optischer Qualität und geringerem Aufwand hergestellt werden können, werden dadurch gleichzeitig die Effizienz und die Strahlqualität der Frequenzverdopplung gesteigert als auch die Produktionskosten gesenkt. Ein weiterer Vorteil kurzer SHG- Kristalle besteht darin, daß Phasenanpassungsprobleme und der sog. Walk- off-Effekt reduziert werden. Um zu gewährleisten, daß die am Spiegel 2 reflektierte harmonische Welle in Phase mit der unmittelbar aus dem SHG- Kristall nach rechts laufenden Welle ist, wird der Abstand zwischen letzterem und Spiegel 2 entsprechend eingestellt.
Das anhand von Fig. 1 beschriebene Ausführungsbeispiel stellt sozusagen die einfachste Variante der Anordnung dar. Natürlich können hier noch zusätzliche Umlenkspiegel zur besseren Fokussierung des Grundwellenmodes eingefügt werden. Außerdem kann die Anordnung zur Erzeugung der Grundwelle verändert werden und z. B. durch die in der deutschen Patentanmeldung 195 41 020.3 beschriebene Anordnung mit mehrfacher Fokussierung des Pumpstrahls ersetzt werden.

Claims (3)

1. Anordnung zur Frequenzverdopplung in einem Laser mit Hilfe eines in den Grundwellenresonator eingebrachten nichtlinearen Kristalls, dadurch gekennzeichnet, daß letzterer als Fabry-Perot-Etalon ausgebildet ist, und somit zusätzlich zur Frequenzverdopplung gleichzeitig eine Selektion der axialen Moden des Grundwellenresonator bewirkt.
2. Anordnung zur Frequenzverdopplung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Dicke des Etalons und dessen freier Spektralbereich so abgestimmt werden, daß nur ein axialer Mode des Grundwellenresonators anschwingt und somit Intensitätsschwankungen der harmonischen Welle vermieden werden.
3. Anordnung zur Frequenzverdopplung nach Anspruch 1 und/oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Reflektivität der Endflächen des SHG- Kristalls so gewählt wird, daß innerhalb dieses Kristalls eine Überhöhung der Intensität des Grundmodes erfolgt, so daß dadurch die Effizienz der Frequenzverdopplung gesteigert wird und die Benutzung relativ kurzer hochwertiger nichtlinearer Kristalle ermöglicht wird.
DE1997128846 1997-07-05 1997-07-05 Frequenzverdopplung in Laserresonatoren Ceased DE19728846A1 (de)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE1997128846 DE19728846A1 (de) 1997-07-05 1997-07-05 Frequenzverdopplung in Laserresonatoren
PCT/DE1998/001857 WO1999003177A1 (de) 1997-07-05 1998-07-03 Frequenzverdopplung in laserresonatoren
EP98941274A EP0995241A1 (de) 1997-07-05 1998-07-03 Frequenzverdopplung in laserresonatoren
CN 98806589 CN1261471A (zh) 1997-07-05 1998-07-03 激光谐振器中的频率倍增装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE1997128846 DE19728846A1 (de) 1997-07-05 1997-07-05 Frequenzverdopplung in Laserresonatoren

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE19728846A1 true DE19728846A1 (de) 1999-01-07

Family

ID=7834820

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE1997128846 Ceased DE19728846A1 (de) 1997-07-05 1997-07-05 Frequenzverdopplung in Laserresonatoren

Country Status (4)

Country Link
EP (1) EP0995241A1 (de)
CN (1) CN1261471A (de)
DE (1) DE19728846A1 (de)
WO (1) WO1999003177A1 (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10900149B2 (en) 2014-09-30 2021-01-26 Nike, Inc. Article incorporating a lenticular knit structure

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10063977A1 (de) * 2000-12-14 2002-07-25 Eckhard Zanger Optischer resonanter Frequenzwandler

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5278851A (en) * 1992-02-04 1994-01-11 Fuji Photo Film Co., Ltd. Solid-state laser
US5381427A (en) * 1990-10-11 1995-01-10 Adlas Gmbh & Co. Kg Single mode laser
US5446749A (en) * 1994-02-04 1995-08-29 Spectra-Physics Lasers Inc. Diode pumped, multi axial mode, intracavity doubled laser
US5502738A (en) * 1992-10-16 1996-03-26 Fuji Photo Film Co., Ltd. Polarization control element and solid-state laser system
US5506860A (en) * 1993-11-18 1996-04-09 Fuji Photo Film Co., Ltd. Etalon and single-longitudinal-mode laser using the same
US5627849A (en) * 1996-03-01 1997-05-06 Baer; Thomas M. Low amplitude noise, intracavity doubled laser
DE19541020A1 (de) * 1995-11-03 1997-05-07 Daimler Benz Ag Laserverstärkersystem

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5063566A (en) * 1990-04-30 1991-11-05 Amoco Corporation Internally-doubled, composite-cavity microlaser
US5511085A (en) * 1994-09-02 1996-04-23 Light Solutions Corporation Passively stabilized intracavity doubling laser

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5381427A (en) * 1990-10-11 1995-01-10 Adlas Gmbh & Co. Kg Single mode laser
US5278851A (en) * 1992-02-04 1994-01-11 Fuji Photo Film Co., Ltd. Solid-state laser
US5502738A (en) * 1992-10-16 1996-03-26 Fuji Photo Film Co., Ltd. Polarization control element and solid-state laser system
US5506860A (en) * 1993-11-18 1996-04-09 Fuji Photo Film Co., Ltd. Etalon and single-longitudinal-mode laser using the same
US5446749A (en) * 1994-02-04 1995-08-29 Spectra-Physics Lasers Inc. Diode pumped, multi axial mode, intracavity doubled laser
DE19541020A1 (de) * 1995-11-03 1997-05-07 Daimler Benz Ag Laserverstärkersystem
US5627849A (en) * 1996-03-01 1997-05-06 Baer; Thomas M. Low amplitude noise, intracavity doubled laser

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10900149B2 (en) 2014-09-30 2021-01-26 Nike, Inc. Article incorporating a lenticular knit structure
US11142853B2 (en) 2014-09-30 2021-10-12 Nike, Inc. Article incorporating a lenticular knit structure

Also Published As

Publication number Publication date
WO1999003177A1 (de) 1999-01-21
CN1261471A (zh) 2000-07-26
EP0995241A1 (de) 2000-04-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP1181753B1 (de) Passiv modengekoppelter femtosekundenlaser
DE69300520T2 (de) Hochleistungslaser mit faseroptischer zuleitung.
DE69502279T2 (de) Miniaturisierter, selbst-gütegeschalteter frequenzverdoppelter laser
DE69424552T2 (de) Tiefblauer mikrolaser
DE69331453T2 (de) Vorrichtung zur Erzeugung von Laserstrahlen
DE60318564T2 (de) Erzeugung der vierten harmonischen im resonator unter verwendung unbeschichteter brewster-oberflächen
DE19955599B4 (de) Laser mit Wellenlängenumwandlung und Bearbeitungsvorrichtung mit einem solchen Laser
DE68918666T2 (de) Optisch gepumpter Festkörperlaser.
DE10003244B4 (de) Laservorrichtung mit Gütemodulation und Laserbearbeitungsvorrichtung
AT522108A1 (de) Passiv gütegeschalteter Festkörperlaser
EP0977328B1 (de) Rauscharmer frequenzvervielfachter Laser mit Strahlseparator
DE60309313T2 (de) Festkörperlaser, gepumpt von einer Laserdiode mit einem konvergenten Bündel
DE19512984C2 (de) Abstimmbarer optischer parametrischer Oszillator
DE69716160T2 (de) Laser mit einem einzigen Resonator für Pumplaser-Medium und optischen parametrischen Oszillator
DE102010018035A1 (de) Parametrischer Oszillator und Verfahren zum Erzeugen ultrakurzer Pulse
WO2001022541A1 (de) Diodengepumpter laser mit interner frequenzverdopplung
DE69529939T2 (de) Laservorrichtung
DE19728846A1 (de) Frequenzverdopplung in Laserresonatoren
DE602004005355T2 (de) Laserdiodengepumptes monolithisches halbleiter-laserbauelement und verfahren zur anwendung des bauelements
AT500694B1 (de) Einrichtung zum erzeugen kohärenter strahlung
DE19960765C2 (de) Hochrepetierlicher Femtosekundenlaser
DE10052461A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Erzeugen von Laserlicht
DE19610371C2 (de) Diodengepumpte Festkörperlaser
DE19923005B4 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Frequenzkonversion von Laserstrahlung
DE4101521C2 (de) Verfahren zur Wellenlängenselektion bei Einfrequenz-Mikrokristall-Lasern

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8127 New person/name/address of the applicant

Owner name: DAIMLERCHRYSLER AG, 70567 STUTTGART, DE MICRO SYST

8131 Rejection