DE19653322C2 - Mikromechanischer Schalter - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft einen mikromechanischen Schalter mit den Merkmalen des Oberbegriffs des Anspruchs 1.

Derartige, durch Halbleitertechnik hergestellte mikromechani­ sche Schalter können bei Bedarf direkt über Kraft- oder Druckeinwirkung betätigt werden und haben gegenüber herkömm­ lichen, feinwerktechnisch hergestellten Schaltern den Vorteil einer erhöhten Bauteilequalität durch Partikelfreiheit und gegebenenfalls hermetische Kapselung der Schaltorgane.

Ein mikromechanischer Schalter der eingangs genannten Art ist in dem Artikel "Silicon-based micromechanical switches for industrial applications", Autor: Henry V. Allen in: Proceed­ ings of the IEEE Micro Robots and Teleoperators Workshop; An Investigation of Micromechanical Structures, Actuators and Sensors (Cat. No. 87TH0204-8); New York, NY, USA: IEEE, (1987), S. 8/1-3 beschrieben. Nachteilig an diesem bekannten Mikro­ schalter ist seine begrenzte Miniaturisierbarkeit aufgrund des relativ dicken Rahmens, mit dem die Siliziummembran ein­ stückig gebildet ist. Nachteilig ist ferner, daß eine Mehr­ zahl von Kontakten an der Innenseite der Membran vorgesehen sind, die mit einer Kontaktstruktur auf der gegenüberlie­ genden Glassubstratseite zusammenwirken und mit einer ent­ sprechenden Anzahl von Zuleitungen verbunden sind. Da diese Kontakte bewegliche Kontakte des Schalters sind, müssen ihre Zuleitungen ausreichend flexibel sein, um im Einsatz des Schalters die erforderliche Zuverlässigkeit bereitzustellen. Aufgrund dieser flexiblen Zuleitungen und der bei ihrer Aus­ legung erforderlichen Sorgfalt ist die Herstellung eines Schalters dieser Art aufwendig.

Ein weiterer mikromechanischer Schalter ist aus dem Artikel "A treshold pressure switch utilizing plastic deformation of silicon", Autoren: M. A. Huff; A. D. Nikolich; M. A. Schmidt in: TRANSDUCERS '91. 1991 International Conference on Solid-State Sensors and Actuators; Digest of Technical papers (Cat. No. 91CH2817-5) New York, NY, USA: IEEE, (1991), S. 177-180 bekannt. Bei diesem mikromechanischen Schalter ist der herme­ tisch dichte Kontaktraum einerseits durch eine domförmig ge­ wölbte Siliziummembran und andererseits durch ein Silizium- Substrat festgelegt. Primär nachteilig bei diesem bekannten Mikroschalter ist, daß das Siliziummaterial der Membran und des Substrats selbst den beweglichen und den festen Kontakt des Schalters bildet, so daß dieser Schalter einen ungünstig hohen und schlecht reproduzierbaren Kontaktwiderstand auf­ weist.

Beide der vorstehend zum Stand der Technik abgehandelten Mi­ kroschalter sind nicht mit der Herausführung der Kontaktzu­ leitungen aus dem hermetisch dichten Kontaktraum befaßt, die in erster Linie hinsichtlich der Abdichtung des Kontaktraums problematisch ist.

Aus DE 40 16 122 A1 ist darüber hinaus eine Schaltertastatur bekannt, bei welcher die Tasten über hohlkegelstumpfförmige Federelemente getragen sind. Hierbei ist auf der innenliegen­ den Seite der Taste eine Kontaktbrücke vorgesehen, die mit zwei feststehenden Kontakten auf einer Platte in Kontakt ge­ langen kann. Das Tastenmaterial besteht aus Silikon.

Aus DE 40 20 472 A1 ist ein Flächenschalter bekannt, bei wel­ chem zwei einander gegenüberliegende, leitende Schichten durch eine Vielzahl von Abstandshaltern getrennt sind, um eine sichere Schaltfunktion zu gewährleisten.

Das Dokument DE 90 12 407 U1 beschreibt ein Druckschaltele­ ment, das zwei im Abstand angeordnete Trägermaterialschichten aus Glas aufweist. Diese sind einseitig elektrisch leitend beschichtet.

Schließlich ist aus DE 195 16 250 C1 die Verwendung einer Silizium-Membran bei mikromechanischen Drucksensoren bekannt. Die Silizium-Membran bildet zusammen mit angrenzenden Glas­ schichten unter Einschluß hermetisch dichter Räume das Kern­ stück des Drucksensors. Die Verwendung einer Silizium-Membran zu Schaltzwecken, d. h. als Träger von zumindest einem Kon­ takt, geht aus diesem Dokument nicht hervor, weil die Silizi­ um-Membran innerhalb des Drucksensors frei von jeder Kontakt­ funktion ist und lediglich als druckempfindliches Element zum Einsatz kommt.

Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, einen mikromechanischen Schalter der im Oberbegriff des Anspruchs 1 genannten Art zu schaffen, der bei kleinstmöglicher Bauart kostengünstig herstellbar und zuverlässig betreibbar ist. Außerdem betrifft die Erfindung ein kostengünstiges und zu­ verlässig durchführbares Verfahren zur Herstellung eines der­ artigen Mikroschalters.

Gelöst wird diese Aufgabe hinsichtlich des mikromechanischen Schalters durch die kennzeichnenden Merkmale des Anspruchs 1 und hinsichtlich des Verfahrens durch die Merkmale des An­ spruchs 23. Vorteilhafte Verwendungsformen des erfindungsge­ mäßen mikromechanischen Schalters sind in den Ansprüchen 21 und 22 genannt.

Da erfindungsgemäß der an der Siliziummembran vorgesehene be­ wegliche Kontakt als Brückenkontakt gebildet ist, der mit zwei feststehenden Kontakten auf dem Glassubstrat zusammen­ wirkt, erübrigt sich für diesen beweglichen Kontakt eine stö­ rungsanfällige Zuleitung, weshalb sich der erfindungsgemäße mikromechanische Schalter durch eine hohe Zuverlässigkeit und einfache Herstellbarkeit auszeichnet.

Vorteilhafterweise ist die Kontaktbrücke über eine isolie­ rende Zwischenschicht, z. B. aus Siliziumoxid (SiO₂), mit der Innenseite der Siliziummembran verbunden. Dabei handelt es sich zum einen um eine Isolationsmaßnahme, wenn das leitende Siliziummaterial der Membran in Kontakt mit dem Durchfüh­ rungsbereich der Kontaktzuleitungen steht und andererseits dient diese Zwischenschicht zur Unterdrückung von Diffusions­ effekten zwischen dem beweglichen Brückenkontakt und dem Ma­ terial der Siliziummembran, welche Diffusionseffekte die Langzeitstabilität des mikromechanischen Schalters beein­ trächtigen würden. Mit anderen Worten bildet die isolierende Zwischenschicht im zuletzt genannten Fall eine Diffusions­ sperre. Alternativ oder begleitend kann eine Isolationsmaß­ nahme auch im Durchführungsbereich der Kontaktzuleitungen, ebenfalls vor allem in Gestalt von Siliziumoxid (SiO₂), be­ reitgestellt werden.

Zur Erzielung eines Schnappeffekts zur definierten Kontakt­ gabe ist vorteilhafterweise vorgesehen, daß die Siliziummem­ bran im wesentlichen Dom- bzw. Kappenform aufweist. Alterna­ tiv oder begleitend hierzu kann die Siliziummembran mit einer Schicht versehen sein, die eine definierte Eigenspannung auf­ weist. Als Material für diese Schicht eignet sich beispiels­ weise Siliziumoxid (SiO₂).

Die Siliziummembran kann zur Festlegung des hermetisch dich­ ten Kontaktraums in unterschiedlicher Weise mit dem Substrat verbunden sein. Vorteilhafterweise ist die Siliziummembran demnach randseitig über einen Distanzteil mit dem Substrat verbunden. Dieses Distanzteil kann einstückig mit der Sili­ ziummembran als Siliziumrahmen gebildet sein, der stehen­ bleibt, wenn in eine Siliziumplatte eine Kavität eingesenkt wird, um die Membran des Schalters zu bilden. Im Fall, daß die Siliziummembran über ein Distanzteil mit dem Substrat verbunden ist, bestimmt dieses Distanzteil im wesentlichen den Schalthub der Siliziummembran.

Während gemäß den vorstehend erläuterten Maßnahmen der Kon­ taktraum im wesentlichen durch die Kavität in einer Silizium­ platte festgelegt ist, kann begleitend oder alternativ hierzu das Substrat im der Siliziummembran gegenüberliegenden Bereich eine Austiefung aufweisen, auf deren Grund die zwei getrennten feststehenden Kontakte angeordnet sind, und die im wesentlichen, gegebenenfalls zusammen mit dem Distanzteil den Schalthub der Siliziummembran bestimmt.

Sowohl aus herstellungstechnischen Gründen wie auch zugunsten einer dichten Durchführung der Kontaktzuleitungen bzw. Her­ ausführung dieser Leitungen aus dem Kontaktraum sind die Kon­ taktzuleitungen in Streifen- bzw. Bandform gebildet. Trotz dünner Ausbildung der streifen- bzw. bahnförmigen Kontaktzu­ leitungen sind diese Bauteile Ursache für einen Spalt im Durchführungsbereich. Gemäß einer besonders vorteilhaften Weiterbildung der Erfindung sind die Kontaktzuleitungsbahnen deshalb bevorzugt eingetieft durch den Verbindungsbereich zwischen der Siliziummembran bzw. deren Distanzteil mit dem Substrat verlegt, wobei die Einsenkungstiefe der Dicke der entsprechenden Leiterbahn entspricht, so daß im Durchfüh­ rungsbereich planare Oberflächen und dadurch ein dauerhaft dichter Kontaktraum sichergestellt sind. Diese Eintiefung kann wahlweise im Anbindungsbereich der Substratplatte mit der Siliziummembran bzw. deren Distanzteil oder in dem Distanzteil gebildet sein. Bevorzugt erfolgt die Eintiefung auf demjenigen Bauteil, auf welche die Kontaktzuleitung durch Abscheiden gebildet wird, nämlich auf dem Substrat.

Grundsätzlich kann die Herausführung der Kontaktzuleitungen aus dem Kontaktraum mit vorteilhafter Wirkung für die Abdich­ tung des Kontaktraums auch durch das Substrat hindurch erfol­ gen. Diese Lösung erfordert jedoch einen höheren technischen Aufwand als die Durchführung der Kontaktzuleitungen zwischen den den Kontaktraum festlegenden Bauteilen des mikromechani­ schen Schalters.

Wenn es zur Erhöhung der Leistungsfähigkeit des mikromechani­ schen Schalters erwünscht ist, Metalle für die Kontakte zu verwenden, die bei Anwesenheit von Luft für geringe Spannun­ gen wenig oder nicht geeignet sind, wie beispielsweise Alumi­ nium, Kupfer oder Wolfram, ist vorteilhafterweise vorgesehen, den Kontaktraum mit einem geeigneten Schutzgas zu füllen, beispielsweise mit Argon oder einem Stickstoff-Wasserstoff- Gemisch.

Ein weiterer Vorteil planarer Oberflächen auch im Bereich der Kontaktleitungszuführung besteht in einer spannungsarmen Auf­ lage der Siliziummembran bzw. ihres Distanzteils auf dem Glassubstrat.

Vorteilhafterweise besteht das Substrat aus einem anodisch bondbaren Glas oder aus, gegebenenfalls mit geeigneten Beschichtungen versehenem, Silizium.

Das bevorzugte Verfahren zur Herstellung des erfindungsgemä­ ßen mikromechanischen Schalters sieht eine Gewinnung der Siliziummembran durch Abdünnen, vor allem durch Ätzen, Schleifen oder chemomechanisches Polieren einer Silizium­ platte vor. Diese Siliziumplatte kann vorteilhafterweise un­ ter Bildung einer Kavität bzw. Ausnehmung abgedünnt werden, die zusammen mit einem Seitenflächenbereich des Substrats den Kontaktraum festlegt. Während bei dieser Vorgehensweise ein einstückiger umlaufender Rand bzw. ein Distanzteil einstückig mit der Siliziummembran gebildet wird, kann als Distanzteil für die Siliziummembran auch z. B. eine Glasschicht auf das Substrat aufgesputtert werden. Eine derartige aufgesputterte Glasschicht hat außerdem den Vorteil, daß im Bereich der Durchführung der Kontaktzuleitungen keine weiteren Isolier­ maßnahmen erforderlich sind, da die Glasschicht ein sehr guter Isolator ist. Gemäß einem besonders vorteilhaften Aspekt des erfindungsgemäßen Verfahrens werden die Kontaktzu­ leitungen in Eintiefungen, bevorzugt auf der Substratplatte im Verbindungsbereich zwischen dieser und der Siliziummembran bzw. deren Distanzteils abgeschieden, wodurch die Herstellung vereinfacht wird und das Fügen zwischen den den Kontaktraum festlegenden Bauteilen mit höherer Toleranz erfolgen kann. Die Kontakte bzw. deren Zuleitungen werden bevorzugt durch Sputtern, Aufdampfen oder galvanisches Abscheiden auf den entsprechenden Bauteilen, der Siliziummembran bzw. dem Glas­ substrat aufgebracht. Die Kontakte und Zuleitungen können aus verschiedenen leitfähigen Materialien bestehen, z. B. reinen Metallen, Halbleitern oder Metall-Halbleiterverbindungen oder Kombinationen dieser Werkstoffe.

Nachfolgend wird die Erfindung anhand der Zeichnung beispiel­ haft näher erläutert; es zeigen:

Fig. 1 schematisch im Querschnitt eine bevorzugte Ausfüh­ rungsform des erfindungsgemäßen mikromechanischen Schalters,

Fig. 2 schematisch eine bevorzugte Verwendung des erfindungs­ gemäßen mechanischen Schalters als Drucksensor und

Fig. 3 schematisch eine bevorzugte Verwendung des erfindungs­ gemäßen mikromechanischen Schalters bei mechanischer Betäti­ gung, beispielsweise in einem Relais.

In Fig. 1 ist ein mikromechanischer Schalter 1 gezeigt, der aus einem Substrat 2, z. B. aus anodisch bondbarem Glas mit einer Innenseite 2a und einer Siliziumplatte 3 mit einer Oberseite 3a und einer Unterseite 3b besteht, in die unter Belassung einer Membran 4 und einem die Membran 4 randseitig umschließenden Distanzteil 5 eine Kavität mit einem Kavitäts­ grund 3c eingesenkt ist. Die Einsenkung der Kavität in die Unterseite 3b bzw. die Abdünnung der Siliziumplatte 3 auf ihre Oberseite 3a erfolgt bevorzugt durch Ätzen, Schleifen oder chemomechanisches Polieren. Das Distanzteil 5 ist durch Bondieren fest mit der Innenseite 2a des Substrats unter Bil­ dung eines Kontaktraums 6 verbunden. Auf den gegenüberliegen­ den Seiten 2a des Substrats 1 und 3c der Siliziummembran 4 sind die Kontakte des mikromechanischen Schalters angeordnet. Auf der Oberseite 2a des Substrats 1 sind zwei band- bzw. streifenförmige feststehende Kontakte durch Sputtern, Auf­ dampfen oder in galvanischer Weise getrennt voneinander auf­ gebracht, die zur Zusammenwirkung mit einer ebenfalls band­ förmigen Kontaktbrücke bestimmt sind, die auf der Innenseite 3c der Membran 4 in derselben Weise aufgebracht ist wie die Kontakte 7, 8. Zwischen der Kontaktbrücke 9 und dem elek­ trisch leitfähigen Material der Siliziummembran 4 ist eine elektrisch isolierende Zwischenschicht, vorzugsweise aus Siliziumdioxid angeordnet, die außerdem eine Diffusionssperre zwischen dem Material der Kontaktbrücke 9 und dem Silizium­ material der Membran 4 bildet.

Während an die Kontaktbrücke 4 erfindungsgemäß keine Kontakt­ zuleitung angeschlossen ist, sind die feststehenden Kontakte aus dem Kontaktraum herausgeführt bzw. an diese Kontakte 7, 8 sind Kontaktzuleitungen 10 bzw. 11 angeschlossen, die eben­ falls in Bahn- bzw. Streifenform aus einem geeigneten Mate­ rial bestehen. Zumindest im Durchführungsbereich zwischen dem Plattenrand bzw. dem Distanzteil 5 und der Glasplatte 2 sind die Zuleitungen 10, 11 in Einsenkungen eingebettet, deren Tiefe der Dicke dieser Zuleitungen entspricht, so daß in dem für die Abdichtung kritischen Durchführungsbereich trotz Anwesenheit der Kontaktzuleitungen plane Oberflächen vorlie­ gen, wodurch das Fügen der den Kontaktraum 6 festlegenden Bauteile mit hoher Toleranz erfolgen kann.

Bei der in Fig. 1 gezeigten Ausführungsform hat die Silizium­ membran 4 im wesentlichen eine plane bzw. ebene Form. Um mit einer derartigen ebenen Membran einen Schnappeffekt zur defi­ nierten Kontaktgabe erzielen zu können, ist sie vorteilhaf­ terweise mit einem Material beschichtet, das eine definierte Eigenspannung bereitstellt. Als Material hierfür eignet sich Siliziumdioxid, das beispielsweise auf geeignete Bereiche der Außenseite 3a der Membran 4 aufgetragen sein kann.

Fig. 2 zeigt einen Drucksensor unter Verwendung des vorste­ hend anhand von Fig. 1 erläuterten mikromechanischen Schal­ ters. Der Drucksensor 20 besteht aus einem Gehäuse 21, in dem der mikromechanische Schalter 1 auf einer gehäusefesten Un­ terlage 22 derart positioniert ist, daß dessen Siliziummem­ bran 4 als druckempfindliches Element, z. B. in axialer Ver­ längerung eines rohrförmigen Gehäuseansatzes 23 zu liegen kommt, der am Außenende eine Öffnung 24 aufweist, durch die Druck angelegt bzw. ein Druckfluid in das Gehäuse 21 einge­ speist wird, wobei jedoch auch andere Anordnungen zur Druck­ einleitung möglich sind. Wenn der angelegte Druck p einen vorbestimmten Schwellenwert übersteigt, wird die Siliziummem­ bran 4 in ihre Kontaktgabestellung, gegebenenfalls unter Nut­ zung eines Schnappeffekts verformt, wodurch der Kontakt zu den feststehenden Kontakten 7, 8 des mikromechanischen Schal­ ters über die membranseitige Kontaktbrücke 9 hergestellt und ein Sensorausgangssignal erzeugt wird, das die Überschreitung des vorgegebenen Druckschwellenwerts anzeigt.

In Fig. 3 ist schematisch die mechanische Betätigung des mi­ kromechanischen Schalters von Fig. 1 dargestellt, wie sie beispielsweise durch den Antrieb eines Relais erfolgen kann, der ein stiftförmiges Betätigungsorgan 25 mit verrundetem Vorderende aufweist, das im wesentlichen senkrecht über der Siliziummembran bzw. der Kontaktbrücke 9 angeordnet ist, um bei Beaufschlagung mit einer Kraft F (siehe Pfeil in Fig. 3) die Membran 4 und damit die Kontaktbrücke 9 kontaktauslösend zu betätigen.

Claims (27)

1. Mikromechanischer Schalter mit einem Kontaktraum (6), der zwischen einem Substrat (2) und einer Silizium-Membran (4) gebildet ist, mit elektrischen Kontakten (7, 8, 9), die auf einander gegenüberliegenden Innenseiten (2a, 3c) des Substrats (2) und der Membran (4) vorgesehen sind, und mit Kontaktzulei­ tungen (10, 11), die aus dem Kontaktraum (6) herausgeführt sind, dadurch gekennzeichnet, daß auf der Innenseite (2a) der Silizium-Membran (4) eine Kontaktbrücke (9) für zwei getrennte feststehende, mit den Kontaktzuleitungen (10, 11) verbundene Kontakte (7, 8) auf dem Substrat (2) vorgesehen ist, und daß eine Isolationseinrich­ tung vorgesehen ist, durch welche ein Kurzschluß der Kontakt­ zuleitungen (10, 11) über die Silizium-Membran (4) des Schalters verhindert ist.

2. Mikromechanischer Schalter nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Kontaktraum (6) hermetisch dicht ist.

3. Mikromechanischer Schalter nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat (2) aus Boro­ silikatglas besteht.

4. Mikromechanischer Schalter nach Anspruch 1, 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontaktbrücke (9) über eine isolierende Zwischenschicht, vor allem aus Sili­ ziumdioxid mit der Innenseite der Siliziummembran (4) verbunden ist.

5. Mikromechanischer Schalter nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontaktzuleitun­ gen (10, 11) im Bereich ihrer Durchführung zwischen dem Glassubstrat (2) und der Siliziummembran (4) bzw. einer elektrisch leitenden Membran-Anbindungsstruktur eine Isolierschicht, vor allem aus Siliziumdioxid aufweisen.

6. Mikromechanischer Schalter nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontakte (7, 8, 9) streifen- bzw. bahnförmig, vor allem aus Metall oder aus Metall-Halbleiterverbindungen gebildet sind.

7. Mikromechanischer Schalter nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Siliziummembran (4) zur Erzielung eines Schnappeffekts im wesentlichen Dom- bzw. Kappenform aufweist.

8. Mikromechanischer Schalter nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Siliziummembran (4) zur Erzielung eines Schnappeffekts mit einer eine definierte Eigenspannung aufweisenden Schicht, bei­ spielsweise Siliziumoxid beschichtet ist.

9. Mikromechanischer Schalter nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Siliziummembran (4) randseitig über ein Distanzteil (5) mit dem Substrat (2) verbunden ist.

10. Mikromechanischer Schalter nach Anspruch 9, dadurch ge­ kennzeichnet, daß das Distanzteil (5) ein einstückig mit der Siliziummembran (4) gebildeter Siliziumrahmen ist.

11. Mikromechanischer Schalter nach Anspruch 9 oder 10, da­ durch gekennzeichnet, daß die Dicke des Distanzteils (5) im wesentlichen den Schalthub der Siliziummembran (4) bestimmt.

12. Mikromechanischer Schalter nach Anspruch 9 oder 10, da­ durch gekennzeichnet, daß das Substrat (2) im der Sili­ ziummembran (4) gegenüberliegenden Bereich eine Austie­ fung aufweist, auf deren Grund die zwei getrennten feststehenden Kontakte (7, 8) angeordnet sind, und die im wesentlichen, ggf. zusammen mit dem Distanzteil (5) den Schalthub der Siliziummembran (4) bestimmt.

13. Mikromechanischer Schalter nach einem der Ansprüche 1 bis 12, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontaktzulei­ tungen (10, 11) Streifen- bzw. Bahnform aufweisen.

14. Mikromechanischer Schalter nach einem der Ansprüche 1 bis 13, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontaktzulei­ tungen (10, 11) bzw. die Kontakte (7, 8, 9) aus Metall oder aus Metall-Halbleiterverbindungen bestehen.

15. Mikromechanischer Schalter nach einem der Ansprüche 1 bis 13, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontaktzulei­ tungen (10, 11) bzw. die Kontakte (7, 8, 9) aus dotier­ tem Silizium bestehen.

16. Mikromechanischer Schalter nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, daß die auf der Siliziummembran (4) vorgesehene Kontaktbrücke (9) aus dotiertem Silizium von der Siliziummembran (4) durch einen p/n-Übergang elektrisch isoliert ist.

17. Mikromechanischer Schalter nach einem der Ansprüche 13 bis 16, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontaktzulei­ tungen (10, 11) über ihrer Dicke entsprechende Eintie­ fungen zumindest im Verbindungsbereich der Siliziummem­ bran (4) bzw. dem Distanzteil (5) mit dem Substrat (2) aus dem Kontaktraum (6) herausgeführt sind.

18. Mikromechanischer Schalter nach einem der Ansprüche 1 bis 17, dadurch gekennzeichnet, daß der Kontaktraum (6) mit einem Schutzgas, vor allem mit Argon oder einem Stickstoff-Wasserstoffgemisch gefüllt ist.

19. Mikromechanischer Schalter nach Anspruch 9 oder 10, da­ durch gekennzeichnet, daß das Substrat (2) aus einem anodisch bondbaren Glas besteht.

20. Mikromechanischer Schalter nach Anspruch 9 oder 10, da­ durch gekennzeichnet, daß das Substrat (2) aus Silizium besteht.

21. Sensor, insbesondere Drucksensor auf Grundlage des mi­ kromechanischen Schalters (1) nach einem der Ansprüche 1 bis 20, dessen Siliziummembran (4) als druckempfind­ liches Element dient.

22. Relais auf Grundlage des mikromechanischen Schalters (1) nach einem der Ansprüche 1 bis 20, dessen Silizium­ membran (4) durch einen Relaisantrieb betätigbar ist.

23. Verfahren zur Herstellung des mikromechanischen Schal­ ters (1) nach einem der Ansprüche 1 bis 20, dadurch ge­ kennzeichnet, daß die Siliziummembran (4) durch Abdün­ nen, vor allem durch Ätzen, Schleifen oder chemomecha­ nisches Polieren einer Siliziumplatte, bzw. einem -wa­ fer (3) gewonnen wird.

24. Verfahren nach Anspruch 23, dadurch gekennzeichnet, daß die Siliziumplatte (3) unter Bildung einer Kavität bzw. Ausnehmung und der Membran (4) abgedünnt wird, die zu­ sammen mit der innenliegenden Seitenfläche des Substrats (2) den Kontaktraum (6) festlegt.

25. Verfahren nach Anspruch 23 oder 24, dadurch gekenn­ zeichnet, daß als Distanzteil für die Siliziummembran (4) eine Glasschicht auf diese bzw. das Substrat (2) aufgesputtert wird.

26. Verfahren nach Anspruch 23, 24 oder 25, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die Kontakte (7, 8, 9) und die Kontaktzu­ leitungen (10, 11) durch Sputtern, Aufdampfen oder gal­ vanisch auf die Siliziummembran (4) bzw. das Substrat (2) aufgebracht werden.

27. Verfahren nach einem der Ansprüche 23 bis 26, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontaktzuleitungen (10, 11) in den Eintiefungen im Verbindungsbereich der Siliziummem­ bran (4) bzw. deren Distanzteil (5) mit einer den Ein­ tiefungen entsprechenden Dicke gebildet werden.