DE19652423A1 - Silicon-germanium hetero bipolar transistor - Google Patents

Silicon-germanium hetero bipolar transistor

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DE19652423A1 DE19652423A DE19652423A DE19652423A1 DE 19652423 A1 DE19652423 A1 DE 19652423A1 DE 19652423 A DE19652423 A DE 19652423A DE 19652423 A DE19652423 A DE 19652423A DE 19652423 A1 DE19652423 A1 DE 19652423A1
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Abstract

In a silicon-germanium hetero bipolar transistor (HBT) having a silicon collector layer, a doped silicon-germanium base layer and a silicon emitter layer, the novelty is that an additional electrically inactive material, preferably a group Va element (especially carbon), is incorporated at 10<18>-10<21> cm<-3> concentration in at least one of the above layers, causing a lattice change of less than 5\*10<-3>. Also claimed is a process for producing the individual epitaxial layers for the above HBT, in which the additional electrically inactive material is supplied during production of the individual layers and in which the base layer is simultaneously doped with impurity (preferably boron) atoms. Preferably, epitaxial layer formation is carried out by CVD or MBE.

Description

Die Erfindung bezieht sich auf einen Silizium-Germanium-Heterobipolartransistor und ein Verfahren zur Herstellung der epitaktischen Einzelschichten von einem Silizium-Germanium- Heterobipolartransistor.The invention relates to a silicon germanium heterobipolar transistor and a Process for producing the epitaxial single layers of a silicon germanium Heterobipolar transistor.

Neben der Verwendung von Galliumarsenid zur Herstellung von Höchstfrequenztransistoren finden auch Silizium-Germanium-Heterobipolartransisoren in hochfrequenten Bereichen infolge der geringeren Herstellungskosten zunehmend Anwendung. Solche Transistoren bestehen meist aus einer Schichtenfolge Silizium-Kollektorschicht, p-dotierte Silizium-Germanium-Basisschicht und Emitterschicht.In addition to using gallium arsenide to manufacture high frequency transistors find silicon-germanium heterobipolar transistors in high-frequency areas as a result the lower manufacturing costs increasingly use. Such transistors usually exist from a layer sequence of silicon collector layer, p-doped silicon germanium base layer and emitter layer.

Die deutsche Offenlegungsschrift DE 43 01 333 A1 beschreibt ein Verfahren zur Herstellung integrierter Silizium-Germanium-Heterobipolartransistoren, bei dem eine Kollektorschicht, eine Basisschicht, eine Emitterschicht und eine Emitteranschlußschicht mittels eines einzigen unterbrechungsfreien Prozesses abgeschieden und gleichzeitig dotiert werden. Dieses Verfahren zur Herstellung hochfrequenztauglicher Transistoren hat den Nachteil, daß eine weitere Erhöhung der Dotierung der Basis mit Fremdatomen eine bei entsprechender Temperatur stattfindende Dotandenausdiffusion, d. h. eine Verbreiterung des Basisgebiets zur Folge hätte. Eine Dotandenausdiffusion hat einerseits eine nichtkonstante Transistorfertigung und andererseits eine Verringerung der Kollektor- und Emitterströme zur Folge. Somit ist eine Verbesserung der Hochfrequenzeigenschaften von Transistoren auf diesem Wege nicht möglich.German laid-open specification DE 43 01 333 A1 describes a method for the production Integrated silicon germanium heterobipolar transistors, in which one collector layer, one Base layer, an emitter layer and an emitter connection layer by means of a single uninterrupted process are deposited and doped at the same time. This method for the production of high-frequency transistors has the disadvantage that another Increase the doping of the base with foreign atoms at a suitable temperature dopant diffusion taking place, d. H. would result in a widening of the base area. On the one hand, dopant diffusion has a non-constant transistor production and  on the other hand, a reduction in the collector and emitter currents. So is one It is not possible to improve the high-frequency properties of transistors in this way.

Die japanische Patentanmeldung JP 5 102 177 beinhaltet einen Silizium-Germanium- Heterobipolartransistor, dessen Basis mit 5% Kohlenstoff zur Kompensation der durch Germanium eingebrachten mechanischen Spannungen versetzt ist. Solche hohen Kohlenstoffkonzentrationen führen jedoch zu einer starken lokalen Gitterdeformation, die unter anderem die HF-Tauglichkeit der Transistoren einschränkt.Japanese patent application JP 5 102 177 contains a silicon germanium Heterobipolar transistor, the base of which is compensated for by 5% carbon Germanium introduced mechanical stress is offset. Such high However, carbon concentrations lead to strong local lattice deformation, which is below inter alia limits the HF suitability of the transistors.

In der Patentschrift US 5,378,901 ist ein Siliziumkarbidtransistor offenbart, bei dem als Basis-, Kollektor- und Emittermaterial Siliziumkarbid verwendet wird. Die hohen Herstellungs­ temperaturen verhindern die Integration in hochfrequenztaugliche Schaltungen.US Pat. No. 5,378,901 discloses a silicon carbide transistor in which the base, Collector and emitter material silicon carbide is used. The high manufacturing temperatures prevent integration in circuits suitable for high frequencies.

Aufgabe der Erfindung ist es, einen Silizium-Germanium-Heterobipolartransistor vorzuschlagen, bei dem die Ausdiffusion des Dotanden des Basisgebiets um mehr als 50% gegenüber herkömmlichen Silizium-Germanium-Heterobipolartransistoren reduziert wird. Weiterhin ist es Aufgabe der Erfindung, an sich bekannte Verfahren zur Herstellung der epitaktischen Einzelschichten für einen solchen Silizium-Germanium-Heterobipolartransistor mit einer Silizium-Kollektorschicht, einer dotierten Silizium-Germanium-Basisschicht und einer Silizium- Emitterschicht so auszugestalten, daß die üblichen Beschränkungen und hohen Anforderungen für nachfolgende Prozesse verringert werden. Dies betrifft insbesondere die Implantationsdosis und die Temperatur-Zeit-Belastung der epitaktischen Schicht. Derart hergestellte Silizium- Germanium-Heterobipolartransistoren besitzen eine erhöhte Transitfrequenz, eine erhöhte maximale Schwingfrequenz und/oder ein verringertes Rauschmaß je nach Anforderungen und Einsatzzweck. The object of the invention is to propose a silicon germanium heterobipolar transistor, in which the diffusion of the dopant of the base region by more than 50% conventional silicon germanium heterobipolar transistors is reduced. Furthermore it is Object of the invention, known methods for producing the epitaxial Single layers for such a silicon germanium heterobipolar transistor with one Silicon collector layer, a doped silicon germanium base layer and a silicon To design the emitter layer so that the usual restrictions and high requirements be reduced for subsequent processes. This applies in particular to the implantation dose and the temperature-time load on the epitaxial layer. Silicon manufactured in this way Germanium heterobipolar transistors have an increased transit frequency, an increased maximum vibration frequency and / or a reduced noise figure depending on requirements and Intended use.  

Diese Aufgabenstellung wird erfindungsgemäß durch die nachfolgende Erfindungsdarlegung gelöst.This task is accomplished according to the invention by the following explanation of the invention solved.

Auf eine reine Siliziumoberfläche findet eine einkristalline Abscheidung entsprechend dem gewünschten Transistorprofil statt. Der erfindungsgemäße Silizium-Germanium- Heterobipolartransistor enthält in mindestens einer der drei Einzelschichten des Transistors, nämlich der Emitterschicht oder der Basisschicht oder der Kollektorschicht, in einer Konzentration zwischen 1018 cm⁻3 und 1021 cm⁻3 ein zusätzliches, elektrisch nicht aktives Material, vorzugsweise ein Element der vierten Hauptgruppe. Hergestellt wird die Halbleiteranordnung von Silizium-Germanium-Heterobipolartransistoren mittels Epitaxie­ verfahren, z. B. durch Gasphasenepitaxie oder Molekularstrahlepitaxie. Durch die der Epitaxie nachfolgenden technologischen Verfahrensschritte kommt es zu Defekten, z. B. Zwischengitter­ atomen im Halbleiterkristall, die eine Diffusion von Gitterfremdatomen, z. B. Dotanden, begünstigen. Ein wie bereits ausgeführtes, in die Epitaxieschicht eingebrachtes, elektrisch nicht aktives Material bindet diese Defekte und verringert die Diffusion des Dotanden. Die durch das Einbringen eines elektrisch nicht aktiven Materials, vorzugsweise Kohlenstoff, hervorgerufene Gitteränderung ist dabei kleiner als 5.10⁻3. Die Ausdiffusion des Dotanden verringert sich, was eine Verbreiterung des Basisgebiets einschränkt. Damit lassen sich hochfrequenztaugliche Transistoren auf zwei Wegen herstellen: Die Dotierungsdosis des Basisgebiets wird erhöht und/oder die Basisbreite wird verringert. In jedem der möglichen Fälle erhöht sich die Konzentration des Dotanden im Basisgebiet des Transistors auf einen Wert zwischen 5.1019 cm⁻3 und 1021 cm⁻3 bei Verwendung von Bor als Dotand. Damit verringert sich der Innenwiderstand der Basis. Ausgangspunkt für erfindungsgemäßes Verfahren ist die übliche Herstellung eines vorbehandelten Silizium-Substrats. Das Verfahren ist durch folgende Verfahrensschritte gekennzeichnet: Zuerst wird Silizium zur Herstellung der Kollektorschicht aufgedampft. Anschließend wird beim weiteren Siliziumaufdampfen zusätzlich Germanium eingebracht und mittels Gitterfremdatomen dotiert. Als Dotand findet vorzugsweise Bor Verwendung. Durch diesen Verfahrensschritt wird die Basis hergestellt. Nach dem Abschalten des Zuflusses von Germanium und dem Dotierstoff wird die Emitterschicht durch weiteres Aufdampfen von Silizium hergestellt. A single-crystal deposition takes place on a pure silicon surface in accordance with the desired transistor profile. The silicon-germanium heterobipolar transistor according to the invention contains an additional, electrically inactive material in at least one of the three individual layers of the transistor, namely the emitter layer or the base layer or the collector layer, in a concentration between 10 18 cm -3 and 10 21 cm -3 . preferably an element of the fourth main group. The semiconductor arrangement of silicon-germanium heterobipolar transistors is manufactured by means of epitaxy, e.g. B. by gas phase epitaxy or molecular beam epitaxy. The technological process steps following the epitaxy lead to defects, e.g. B. interstitial atoms in the semiconductor crystal, the diffusion of lattice atoms, z. B. dopants favor. An electrically inactive material introduced into the epitaxial layer, as already explained, binds these defects and reduces the diffusion of the dopant. The lattice change caused by the introduction of an electrically inactive material, preferably carbon, is less than 5.10 -3 . The diffusion of the dopant is reduced, which limits the broadening of the base area. High-frequency transistors can thus be manufactured in two ways: the doping dose of the base region is increased and / or the base width is reduced. In each of the possible cases, the concentration of the dopant in the base region of the transistor increases to a value between 5.10 19 cm -3 and 10 21 cm -3 when using boron as the dopant. This reduces the base's internal resistance. The starting point for the method according to the invention is the usual production of a pretreated silicon substrate. The process is characterized by the following process steps: First, silicon is vapor-deposited to produce the collector layer. Germanium is then introduced during the further silicon vapor deposition and doped by means of lattice foreign atoms. Boron is preferably used as the dopant. The base is produced by this process step. After the flow of germanium and the dopant has been switched off, the emitter layer is produced by further vapor deposition of silicon.

Während mindestens einem der bisher aufgeführten Verfahrensschritte wird ein elektrisch nicht aktives Material, vorzugsweise Kohlenstoff in einer Konzentration zwischen 1018 cm⁻3 und 1021 cm⁻3 während der Herstellung der epitaktischen Schicht hinzugefügt, wobei die dadurch eingebrachte Gitteränderung kleiner als 5.10⁻3 infolge der geringen Konzentration des elektrisch nicht aktiven Materials ist. Geringe zusätzliche Gitterverspannung bedeutet keine zusätzliche Quelle von möglichen Gitterdefekten. Zur Herstellung der epitaktischen Schicht finden CVD-Ver­ fahren oder MBE-Verfahren Anwendung. Nach der Epitaxie findet die übliche Weiterprozessierung bis zur Herstellung des endgültigen erfindungsgemäßen Silizium- Germanium-Heterobipolartransistors statt.During at least one of the process steps listed hitherto, an electrically inactive material, preferably carbon, is added in a concentration between 10 18 cm -3 and 10 21 cm -3 during the production of the epitaxial layer, the resulting change in lattice being less than 5.10 -3 as a result the low concentration of the electrically inactive material. Low additional grid tension means no additional source of possible grid defects. CVD processes or MBE processes are used to produce the epitaxial layer. After the epitaxy, the usual further processing takes place until the production of the final silicon germanium heterobipolar transistor according to the invention.

Die Merkmale der Erfindung gehen außer aus den Ansprüchen auch aus der Beschreibung und den Zeichnungen hervor, wobei die einzelnen Merkmale jeweils für sich allein oder zu mehreren in Form von Unterkombinationen schutzfähige Ausführungen darstellen, für die hier Schutz beansprucht wird. Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung ist in den Zeichnungen dargestellt und wird im folgenden näher erläutert. In den Zeichnungen zeigen:The features of the invention go beyond the claims also from the description and the drawings, the individual features each individually or in groups represent protective versions in the form of sub-combinations, for which protection here is claimed. An embodiment of the invention is shown in the drawings and is explained in more detail below. The drawings show:

Fig. 1 schematischer Schichtaufbau eines Silizium-Germanium- Heterobipolartransistors, Fig. 1 shows a schematic layer structure of a silicon-germanium heterojunction bipolar transistor,

Fig. 2 Stufen des Verfahrens zur Herstellung der epitaktischen Einzelschichten für einen Silizium-Germanium-Heterobipolartransistor, Fig. 2 steps of the process for producing the epitaxial individual layers for a silicon-germanium heterobipolar,

Fig. 3 schematischer Schnitt durch einen Silizium-Germanium- Heterobipolartransistor. Fig. 3 shows a schematic section through a silicon germanium heterobipolar transistor.

In Fig. 1 ist der Schichtaufbau eines erfindungsgemäßen Silizium-Germanium- Heterobipolartransistors, bestehend aus einem dotierten Silizium-Substrat 1, einer undotierten Silizium-Kohlenstoff-Kollektorschicht 2, einer dotierten Silizium-Germanium-Kohlenstoff- Basisschicht 3 und einer undotierten Silizium-Kohlenstoff-Emitterschicht 4, dargestellt. Der gesamte Schichtaufbau des Transistors inklusive Dotierung des Basisgebiets mit Bor wird mittels Molekularstrahlepitaxie hergestellt. In Fig. 1, the layer structure is a silicon-germanium inventive heterojunction bipolar transistor, consisting of a doped silicon substrate 1, an undoped silicon-carbon-collector layer 2, a doped silicon-germanium-carbon base layer 3 and an undoped silicon-carbon Emitter layer 4 shown. The entire layer structure of the transistor, including the doping of the base region with boron, is produced by means of molecular beam epitaxy.

Gleichzeitig wird bei der Epitaxie - in diesem Ausführungsbeispiel - während der Herstellung aller drei Einzelschichten, der Kollektorschicht, der Basisschicht und der Emitterschicht, Kohlenstoff in einer Konzentration zwischen 1018 cm⁻3 und 1021 cm⁻3 zugegeben. Dies entspricht einer Kohlenstoffkonzentration zwischen 0,0015% und 1,5%. Dadurch wird eine mögliche Bordiffusion signifikant verringert, so daß die Dotandenausdiffusionsgebiete 5 im Vergleich zu herkömmlichen Transistoren dieses Typs verkleinert werden. Durch erfindungsgemäße Einfügung von Kohlenstoff verringert sich die Diffusionslänge von Bor um mehr als 50% gegenüber der Diffusionslänge, die ohne Hinzufügung von Kohlenstoff auftritt. Es kommt zur Ausbildung eines sehr steilen Borprofiles. Die dadurch verringerte Basisweite hat eine geringere Basislaufzeit zur Folge. Dies ist gleichbedeutend mit einer Erhöhung der Transitfrequenz und der Erhöhung der maximalen Schwingfrequenz bzw. einem verringerten Rauschmaß des erfindungsgemäßen Transistors.At the same time, in epitaxy - in this embodiment - during the production of all three individual layers, the collector layer, the base layer and the emitter layer, carbon is added in a concentration between 10 18 cm -3 and 10 21 cm -3 . This corresponds to a carbon concentration between 0.0015% and 1.5%. This significantly reduces possible on-board diffusion, so that the dopant out-diffusion regions 5 are reduced in comparison to conventional transistors of this type. By inserting carbon according to the invention, the diffusion length of boron is reduced by more than 50% compared to the diffusion length that occurs without the addition of carbon. A very steep boron profile is formed. The resulting reduced base width results in a shorter base term. This is equivalent to an increase in the transit frequency and an increase in the maximum oscillation frequency or a reduced noise figure of the transistor according to the invention.

Eine weitere Verbesserung der Hochfrequenztauglichkeit erfindungsgemäßen Silizium- Germanium-Heterobipolartransistors wird durch Erhöhung der Borkonzentration zwischen 5.1019 cm⁻3 und 1021 cm⁻3 in der Basisschicht 3 erreicht.A further improvement in the high-frequency suitability of the silicon-germanium heterobipolar transistor according to the invention is achieved by increasing the boron concentration between 5.10 19 cm -3 and 10 21 cm -3 in the base layer 3 .

Zur Herstellung eines solchen Silizium-Germanium-Heterobipolartransistors werden folgende in Fig. 2 dargestellte Verfahrensschritte durchgeführt: Vor dem erfindungsgemäßen Teil des Verfahrens wird ein vorbehandeltes Silizium-Substrat in einem Verfahrensschritt A0 üblicherweise hergestellt. Daran schließen sich die Schritte
A Siliziumaufdampfen zur Herstellung der Kollektorschicht,
B Siliziumaufdampfen und zusätzliches Einbringen von Germanium und Dotanden zur Herstellung der Basisschicht und
C Abschalten von Germanium und Dotierstoff und Siliziumaufdampfen zur Herstellung der Emitterschicht
an, wobei während mindestens einem der Verfahrensschritte A bis C Kohlenstoff in einer Konzentration zwischen 1018 cm⁻3 und 1021 cm⁻3 eingebaut wird und die dadurch eingebrachte Gitteränderung kleiner als 5.10⁻3 ist. To produce such a silicon germanium heterobipolar transistor, the following process steps shown in FIG. 2 are carried out: Before the part of the process according to the invention, a pretreated silicon substrate is usually produced in a process step A 0 . This is followed by the steps
A silicon vapor deposition to produce the collector layer,
B silicon vapor deposition and additional introduction of germanium and dopants to produce the base layer and
C Switch off germanium and dopant and silicon vapor deposition to produce the emitter layer
on, during at least one of process steps A to C carbon being incorporated in a concentration between 10 18 cm -3 and 10 21 cm -3 and the resulting change in lattice is less than 5.10 -3 .

Nach der Epitaxie findet eine übliche Weiterprozessierung D statt bis zur Herstellung eines erfindungsgemäßen Silizium-Germanium-Heterobipolartransistors.After the epitaxy, a normal further processing D takes place until one is produced silicon-germanium heterobipolar transistor according to the invention.

Fig. 3 zeigt einen schematischen Schnitt durch einen derart hergestellten Silizium-Germanium- Heterobipolartransistor. Auf einem hochdotierten Substrat 31 aus Silizium sind durch Epitaxie der undotierte Silizium-Kohlenstoff-Kollektor 32, der undotierte Silizium-Kohlenstoff-Emitter 33 und die mit Bor in einer Konzentration zwischen 5.1019 cm⁻3 und 1021 cm⁻3 dotierte Basis 34 aus Silizium, Germanium und Kohlenstoff aufgewachsen. Weiterhin beinhaltet die Figur die entsprechenden Kontaktgebiete 35 sowie ein Implantgebiet 36. Die Konzentration des Kohlenstoffs in der epitaktischen Schicht beträgt zwischen 1018 cm⁻3 und 1021 cm⁻3. FIG. 3 shows a schematic section through a silicon germanium heterobipolar transistor produced in this way. The undoped silicon-carbon collector 32 , the undoped silicon-carbon emitter 33 and the base 34 doped with boron in a concentration between 5.10 19 cm -3 and 10 21 cm -3 are formed by epitaxy on a highly doped substrate 31 made of silicon Silicon, germanium and carbon grew up. The figure also includes the corresponding contact areas 35 and an implant area 36 . The concentration of carbon in the epitaxial layer is between 10 18 cm -3 and 10 21 cm -3 .

In der vorliegenden Erfindung wurde anhand eines konkreten Ausführungsbeispiels ein Silizium- Germanium-Heterobipolartransistor sowie ein Verfahren zur Herstellung der epitaktischen Einzelschichten eines solchen Transistors erläutert. Es sei aber vermerkt, daß die vorliegende Erfindung nicht auf die Einzelheiten der Beschreibung im Ausführungsbeispiel eingeschränkt ist, da im Rahmen der Patentansprüche Änderungen und Abwandlungen beansprucht werden.In the present invention, a silicon Germanium heterobipolar transistor and a method for producing the epitaxial Individual layers of such a transistor explained. However, it should be noted that the present Invention is not limited to the details of the description in the exemplary embodiment, since changes and modifications are claimed within the scope of the claims.

Claims (11)

1. Silizium-Germanium-Heterobipolartransistor mit einer Silizium-Kollektorschicht, einer dotierten Silizium-Germanium-Basisschicht und einer Silizium-Emitterschicht, dadurch gekennzeichnet, daß ein zusätzliches, elektrisch nicht aktives Material, vorzugsweise ein Element der vierten Hauptgruppe, in mindestens einer der drei Einzelschichten des Transistors, nämlich der Emitterschicht und/oder der Basisschicht und/oder der Kollektorschicht, in einer Konzentration zwischen 1018 cm⁻3 und 1021 cm⁻3 eingebaut ist und die dadurch eingebrachte Gitteränderung kleiner 5.10⁻3 ist.1. silicon germanium heterobipolar transistor with a silicon collector layer, a doped silicon germanium base layer and a silicon emitter layer, characterized in that an additional, electrically non-active material, preferably an element of the fourth main group, in at least one of the three Individual layers of the transistor, namely the emitter layer and / or the base layer and / or the collector layer, are installed in a concentration between 10 18 cm -3 and 10 21 cm -3 and the resulting change in lattice is less than 5.10 -3 . 2. Silizium-Germanium-Heterobipolartransistor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als elektrisch nicht aktives Material Kohlenstoff Verwendung findet.2. silicon germanium heterobipolar transistor according to claim 1, characterized in that that carbon is used as an electrically inactive material. 3. Silizium-Germanium-Heterobipolartransistor nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Basisschicht mit Bor dotiert ist und bei einer Konzentration des Dotanden im Basisgebiet zwischen 5.1019 cm⁻3 und 1021 cm⁻3 in der Epitaxieschicht eine Kohlenstoffkonzentration zwischen 1018 cm⁻3 und 1021 cm⁻3 vorliegt und dabei die Defektdichte des Transistors kleiner als 104 cm⁻2 beträgt. 3. silicon germanium heterobipolar transistor according to claim 1 or 2, characterized in that the base layer is doped with boron and at a concentration of the dopant in the base region between 5.10 19 cm⁻ 3 and 10 21 cm⁻ 3 in the epitaxial layer a carbon concentration between 10 18 cm⁻ 3 and 10 21 cm⁻ 3 and the defect density of the transistor is less than 10 4 cm⁻ 2 . 4. Verfahren zur Herstellung der epitaktischen Einzelschichten für einen im Anspruch 1 gekennzeichneten Silizium-Germanium-Heterobipolartransistor mit einer Silizium- Kollektorschicht, einer dotierten Silizium-Germanium-Basisschicht und einer Silizium- Emitterschicht, dadurch gekennzeichnet, daß während der Herstellung von Einzelschichten, nämlich Emitterschicht (4), Basisschicht (3) und Kollektorschicht (2), in mindestens eine dieser Schichten ein zusätzliches, elektrisch nicht aktives Material, vorzugsweise ein Element der vierten Hauptgruppe, in einer Konzentration zwischen 1018 cm⁻3 und 1021 cm⁻3 beigefügt wird und gleichzeitig die Basisschicht mittels Fremdatomen dotiert wird, wobei die dadurch eingebrachte Gitteränderung kleiner 5.10⁻3 ist.4. A method for producing the epitaxial individual layers for a silicon-germanium heterobipolar transistor characterized in claim 1 with a silicon collector layer, a doped silicon-germanium base layer and a silicon emitter layer, characterized in that during the production of individual layers, namely the emitter layer ( 4 ), base layer ( 3 ) and collector layer ( 2 ), in at least one of these layers an additional, electrically non-active material, preferably an element of the fourth main group, is added in a concentration between 10 18 cm⁻ 3 and 10 21 cm beig 3 is the same and the base layer is doped by means of impurity atoms, said grating characterized introduced change is smaller 5.10⁻. 3 5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß bei einem Verfahrens­ schritt (A), nämlich Siliziumaufdampfen zur Herstellung der Kollektorschicht, Kohlenstoff in einer Konzentration zwischen 1018 cm⁻3 und 1021 cm⁻3 eingebaut wird.5. The method according to claim 4, characterized in that in one process step (A), namely silicon vapor deposition for producing the collector layer, carbon is installed in a concentration between 10 18 cm⁻ 3 and 10 21 cm⁻ 3 . 6. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß bei einem Verfahrens­ schritt (B), nämlich Siliziumaufdampfen und zusätzliches Einbringen von Germanium und Dotanden zur Herstellung der Basisschicht, Kohlenstoff in einer Konzentration zwischen 1018 cm⁻3 und 1021 cm⁻3 eingebaut wird.6. The method according to claim 4, characterized in that in a process step (B), namely silicon vapor deposition and additional introduction of germanium and dopants for the production of the base layer, carbon in a concentration between 10 18 cm⁻ 3 and 10 21 cm⁻ 3 installed becomes. 7. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß bei einem Verfahrens­ schritt (C), nämlich Abschalten von Germanium und Dotierstoff und Siliziumaufdampfen zur Herstellung der Emitterschicht, Kohlenstoff in einer Konzentration zwischen 1018 cm⁻3 und 1021 cm⁻3 eingebaut wird, wobei die dadurch eingebrachte Gitteränderung kleiner 5.10⁻3 ist. 7. The method according to claim 4, characterized in that in a process step (C), namely switching off germanium and dopant and silicon vapor deposition for producing the emitter layer, carbon is installed in a concentration between 10 18 cm⁻ 3 and 10 21 cm⁻ 3 , whereby the resulting grid change is less than 5.10⁻ 3 . 8. Verfahren nach einem der Ansprüche 5 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß Kohlenstoff in einer Konzentration zwischen 1018 cm⁻3 und 1021 cm⁻3 bei den Verfahrensschritten (A) und (B) oder den Verfahrensschritten (A) und (C) oder den Verfahrensschritten (B) und (C) oder den Verfahrensschritten (A) und (B) und (C) eingebaut wird.8. The method according to any one of claims 5 to 7, characterized in that carbon in a concentration between 10 18 cm⁻ 3 and 10 21 cm⁻ 3 in process steps (A) and (B) or process steps (A) and (C ) or process steps (B) and (C) or process steps (A) and (B) and (C). 9. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 4 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß bei der Herstellung der Basisschicht (3) als Dotand Bor in einer Konzentration zwischen 5.1019 cm⁻3 und 1021 cm⁻3 Verwendung findet.9. The method according to one or more of claims 4 to 8, characterized in that in the production of the base layer ( 3 ) as dopant boron in a concentration between 5.10 19 cm⁻ 3 and 10 21 cm⁻ 3 is used. 10. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 4 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Herstellung der epitaktischen Schicht im CVD-Verfahren durchgeführt wird.10. The method according to one or more of claims 4 to 9, characterized in that the production of the epitaxial layer is carried out in the CVD process. 11. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 4 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Herstellung der epitaktischen Schicht im MBE-Verfahren durchgeführt wird.11. The method according to one or more of claims 4 to 9, characterized in that that the production of the epitaxial layer in the MBE process is carried out.
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