DE19648999C2 - Device for cleaning, coating and / or activating plastic surfaces - Google Patents

Device for cleaning, coating and / or activating plastic surfaces

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Description

Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur Reinigung, Beschichtung und/oder Aktivierung von Kunststoffoberflächen mittels Hochdruckplasma nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1.The invention relates to a device for cleaning, coating and / or Activation of plastic surfaces using high pressure plasma according to the generic term of claim 1.

Gattungsgemäße Vorrichtungen und Verfahren werden beispielsweise eingesetzt, um Oberflächen zu reinigen, zu beschichten oder, insbesondere Kunststoffoberflächen, zu aktivieren. Entsprechende Vorrichtungen und Verfahren beschreiben die Zeit­ schriftenartikel "Pulsed barrier discharges for thin film production at atmospheric pressure"', von U. Reitz, J. G. H. Salge und R. Schwarz, veröffentlicht in Surface and Coatings Technology, 59 (1993) 144-147 und "Atmospheric pressure gas discharges for surface treatment'" von K. Pochner, W. Neff und R. Lebert, erschienen in Surface & Coatings Technology, 74-75 (1995), 394-398. Insbesondere im letztgenannten Artikel wird eine Vorrichtung zur Erzeugung von Gasentladungen zum Zwecke der Oberflächenbehandlung beschrieben, welche bei Atmosphärendruck arbeitet, wobei Atmosphärendruck als Hochdruck bezeichnet wird, da die herkömmlichen Plasmaentladungen (Niederdruckplasmen) in Vakuumkammern bei sehr geringem Druck stattfinden. Für den industriellen Einsatz hat das bei Atmosphärendruck betriebene Hochdruckplasma den Vorteil, daß die zu behandelnden Oberflächen nicht von der Fertigungsstraße genommen, in die Vakuumkammer gebracht und nach der Behandlung wieder in den Fertigungsprozeß zurückgegeben werden müssen. Vielmehr kann die Hochdruckbehandlung im kontinuierlichen Verlauf des Fertigungsprozesses stattfinden.Generic devices and methods are used, for example, to Clean, coat or, in particular, plastic surfaces activate. Corresponding devices and methods describe the time Journal article "Pulsed barrier discharges for thin film production at atmospheric pressure ", by U. Reitz, J.G. H. Salge and R. Schwarz, published in Surface and Coatings Technology, 59 (1993) 144-147 and "Atmospheric pressure gas discharges for surface treatment '"by K. Pochner, W. Neff and R. Lebert, published in Surface & Coatings Technology, 74-75 (1995), 394-398. Especially in the latter article is a device for generating gas discharges for the purpose of Surface treatment described, which works at atmospheric pressure, wherein Atmospheric pressure is referred to as high pressure since the conventional ones Plasma discharges (low pressure plasmas) in vacuum chambers at very low pressure occur. For industrial use, this has been operated at atmospheric pressure High pressure plasma has the advantage that the surfaces to be treated are not affected by the Production line taken, placed in the vacuum chamber and after treatment must be returned to the manufacturing process. Rather, the High pressure treatment take place in the continuous course of the manufacturing process.

Die DE 34 26 410 A1 beschreibt einen Schweißbrenner für das Plasma-MIG-Schweißen, in welchem eine abschmelzende Drahtelektrode geführt ist, an der ein zum Werkstück reichender MIG-Lichtbogen ansetzt. Das Plasma hat hier allerdings nur die Funktion eines Schutzgases, welches den Lichtbogen einhüllt, um Zutritt von Sauerstoff zum Schmelzbad zu verhindern. Darüberhinaus ist diese Vorrichtung nicht gattungsgemäß, da der Schweißvorgang werkstückzerstörend ist und ein Schweißgerät nicht zur Behandlung von Kunststoffoberflächen, insbesondere zu deren Reinigung, Beschichtung und Aktivierung geeignet ist.DE 34 26 410 A1 describes a welding torch for plasma MIG welding, in which a melting wire electrode is guided, one to the workpiece reaching MIG arc. However, the plasma only has the function here  a protective gas that envelops the arc to prevent oxygen from entering Prevent melt pool. In addition, this device is not generic because the welding process is destructive to the workpiece and a welding machine is not used Treatment of plastic surfaces, especially for cleaning, coating and activation is suitable.

Die weiter oben genannten bekannten Vorrichtungen weisen jedoch den Nachteil auf, daß die zu behandelnde Oberfläche durch den räumlichen Bereich geführt werden muß, in dem das Plasma erzeugt wird. Je nach Gestaltung der Vorrichtung bildet die zu behandelnde Oberfläche sogar eine Elektrode der Plasmaerzeugungsvorrichtung. Die Behandlung von Oberflächen, welche nicht in die Vorrichtung eingebaut oder durch sie geführt werden können, beispielsweise große, räumlich geformte Metallteile, ist in diesen Vorrichtungen nicht möglich.However, the known devices mentioned above have the disadvantage that that the surface to be treated must be led through the spatial area, in which the plasma is generated. Depending on the design of the device that forms treating surface even an electrode of the plasma generating device. The Treatment of surfaces that are not built into or through the device can be guided, for example large, spatially shaped metal parts, is in these Devices not possible.

Es besteht daher die Aufgabe, eine Vorrichtung zur Reinigung, Beschichtung und/oder Aktivierung von Kunststoffoberflächen mittels Hochdruckplasma so weiterzubilden, daß auch die Behandlung von großen und unförmigen Oberflächen möglich ist.There is therefore the task of a device for cleaning, coating and / or Activation of plastic surfaces using high pressure plasma so that The treatment of large and misshapen surfaces is also possible.

Gelöst wird diese Aufgabe mit den kennzeichnenden Merkmalen des Anspruches 1. Vorteilhafte Ausgestaltungen sind den Unteransprüchen entnehmbar.This object is achieved with the characterizing features of claim 1. Advantageous refinements can be found in the subclaims.

Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung wird im folgenden unter Bezugnahme auf die Zeichnung näher erläutert, welche einen Querschnitt durch eine erfindungsgemäße Vorrichtung zeigt.An embodiment of the invention is described below with reference to the Drawing explained in more detail, which shows a cross section through an inventive Device shows.

Die Vorrichtung weist im wesentlichen ein zylindrisches Gehäuse 7 mit einem hinteren Ende 8 und einem vorderen Ende 9 auf. Entlang seiner Außenseite 19 ist dieses Gehäuse 7 mit peripher verlaufenden Kühlrippen 20 versehen. Das Gehäuse 7 besteht aus einem leitenden Material wie Metall, vorzugsweise Stahl oder ein Leichtmetall. The device essentially has a cylindrical housing 7 with a rear end 8 and a front end 9 . Along its outer side 19 , this housing 7 is provided with cooling fins 20 running peripherally. The housing 7 consists of a conductive material such as metal, preferably steel or a light metal.

Im Bereich seines vorderen Endes 9 verjüngt sich das zylindrische Gehäuse 7 und weist im Bereich seiner Zylinderachse 10 eine als Gasauslaß 6 dienende Öffnung auf. Diese Öffnung wird durch einen Stutzen 30 gebildet, an den auch ein Schlauch aufgesteckt werden kann. Im Bereich seines hinteren Endes 8 trägt das Gehäuse 7 einen Flansch 22, welcher Kanäle und Zuführungen aufweist, die weiter unten beschrieben werden.In the area of its front end 9 , the cylindrical housing 7 tapers and in the area of its cylinder axis 10 has an opening serving as a gas outlet 6 . This opening is formed by a nozzle 30 , to which a hose can also be attached. In the area of its rear end 8 , the housing 7 carries a flange 22 , which has channels and feeds, which are described further below.

Im Inneren des Gehäuses 7 befindet sich ein zur Achse 10 axialsymmetrisch angeordnetes, einseitig im Bereich des Gasauslasses 6 geschlossenes Keramikrohr 11. Der Außendurchmesser dieses Keramikrohrs 11 ist so gewählt, daß sich zur Innenseite 15 des Gehäuses 7 ein Ringspalt ergibt, der im folgenden als Plasmaerzeugungsbereich 2 bezeichnet wird. Die Innenseite des Keramikrohrs 11 ist mit Hilfe eines Leitsilberauftrags leitfähig beschichtet und bildet eine Elektrode 3 einer Plasmaerzeugungsvorrichtung. Die andere Elektrode 4 wird durch das elektrisch leitende Gehäuse 7 selbst gebildet. Zwischen der als Innenbeschichtung ausgebildeten Elektrode 3 und der durch das Gehäuse 7 gebildeten Elektrode 4 befindet sich also das Keramikrohr 11 und der ringspaltförmige Plasmaerzeugungsbereich 2.In the interior of the housing 7 there is a ceramic tube 11 which is arranged axially symmetrically to the axis 10 and is closed on one side in the region of the gas outlet 6 . The outer diameter of this ceramic tube 11 is selected so that there is an annular gap to the inside 15 of the housing 7 , which is referred to below as the plasma generation region 2 . The inside of the ceramic tube 11 is coated with a conductive silver coating and forms an electrode 3 of a plasma generating device. The other electrode 4 is formed by the electrically conductive housing 7 itself. The ceramic tube 11 and the annular-gap-shaped plasma generation region 2 are therefore located between the electrode 3, which is designed as an inner coating, and the electrode 4 , which is formed by the housing 7 .

Im Inneren des Keramikrohrs 11 befindet sich ein weiteres Rohr 16, welches ebenfalls axialsymmetrisch zur Zylinderachse 10 angeordnet, jedoch beidseitig offen ist. Dieses weiteres Rohr 16 ist mit Hilfe einer sich gegen das geschlossene Ende 18 des Keramikrohrs 11 abstützenden Feder 21 im Bereich des vorderen Endes 9 des Gehäuses 7 innerhalb des Keramikrohrs 11 mit Abstand fixiert, so daß sich auch zwischen der Außenseite des weiteren Rohrs 16 und der leitfähig beschichteten Innenseite des Keramikrohrs 11 ein Ringspalt 17 befindet. Die Feder 21 ist beispielsweise drei- oder vierflügelig ausgebildet und ermöglicht in jedem Fall einen ungehinderten Gasdurchtritt vom Innenraum des weiteren Rohrs 16 in den Ringspalt 17.In the interior of the ceramic tube 11 there is another tube 16 , which is also arranged axially symmetrically to the cylinder axis 10 , but is open on both sides. This further tube 16 is fixed with the aid of a spring 21 which is supported against the closed end 18 of the ceramic tube 11 in the region of the front end 9 of the housing 7 within the ceramic tube 11 , so that there is also between the outside of the further tube 16 and the there is an annular gap 17 on the inside of the ceramic tube 11 with a conductive coating. The spring 21 is, for example, of three or four wings and in any case enables unimpeded gas passage from the interior of the further tube 16 into the annular gap 17 .

Die Feder 21 verbindet auch eine innerhalb des weiteren Rohrs 16 axialsymmetrisch angeordnete Hochspannungzuführung 13 mit der die eine Elektrode 3 bildenden elektrisch leitfähigen Beschichtung, wodurch dieser ein Wechselstrom zugeführt werden kann. Dagegen ist das die andere Elektrode 4 bildende Gehäuse 7 geerdet, so daß es mit der Hand berührt werden kann.The spring 21 also connects a high-voltage supply 13 , which is arranged axially symmetrically within the further tube 16, to the electrically conductive coating forming the electrode 3 , as a result of which an alternating current can be supplied to it. In contrast, the housing 7 forming the other electrode 4 is grounded so that it can be touched by hand.

Der Flansch 22 am hinteren Ende 8 des zylindrischen Gehäuses 7 dient im wesentlichen der Zuführung von Gas und Hochspannung sowie zur Erdung und zur Führung des Gasflusses durch die verschiedenen Spalte innerhalb des Gehäuses 7. Der zylindrische Flansch 22 ist mit Schrauben 23, welche in den Außenbereich des zylindrischen Gehäuses 7 eingereifen, hieran befestigt. In seiner Mitte weist der Flansch 22 ein Isolierstück 24 auf, durch welches die Hochspannungselektrode 13 axial in das Gehäuse 7 geführt wird. Ferner weist der Flansch 22 einen Gaseinlaß 1 auf, der von einem äußeren Anschlußstück über einen Kanal 26 bis in den Innenbereich des weiteren Rohres 16 führt, die hintere Seite des weiteren Rohres 16 dichtet mit einem Dichtsteg 27 des Flansches 22 ab.The flange 22 at the rear end 8 of the cylindrical housing 7 essentially serves for the supply of gas and high voltage as well as for grounding and for guiding the gas flow through the various gaps within the housing 7 . The cylindrical flange 22 is fastened to it by screws 23 which engage in the outer region of the cylindrical housing 7 . In the middle, the flange 22 has an insulating piece 24 , through which the high-voltage electrode 13 is guided axially into the housing 7 . Furthermore, the flange 22 has a gas inlet 1 , which leads from an outer connection piece via a channel 26 into the inner region of the further tube 16 , the rear side of the further tube 16 seals with a sealing web 27 of the flange 22 .

Weiterhin weist der Flansch 22 an seiner dem Gehäuse 7 zugewandten Seite eine ringförmige Nut 28 auf, deren Durchmesser so bemessen ist, daß sie den Ringspalt 17 zwischen weiterem Rohr 16 und Keramikrohr 11 mit dem Ringspalt des Plasmaerzeugungsbereiches 2 zwischen Keramikrohr 11 und Gehäuseinnenseite 15 abdichtend verbindet.Furthermore, the flange 22 on its side facing the housing 7 has an annular groove 28 , the diameter of which is dimensioned such that it connects the annular gap 17 between the further tube 16 and the ceramic tube 11 with the annular gap of the plasma generation region 2 between the ceramic tube 11 and the inside 15 of the housing .

Die Vorrichtung arbeitet wie folgt.The device works as follows.

Zunächst wird der Gaseinlaß 1 über einen Schlauch mit einer geeigneten Gasquelle verbunden, wobei die zur Plasmabehandlung bekannten Gase eingesetzt werden können. Falls die Oberfläche nicht nur gereinigt, sondern beschichtet werden soll, können diesen Gasen Zusätze wie Silan beigegeben werden. Daneben wird die Hochspannungszuführung 13 mit einer Hochspannungsquelle verbunden und das Gehäuse 7, vorzugsweise ebenfalls über den Flansch 22, geerdet. Die Vorrichtung ist somit betriebsbereit. First, the gas inlet 1 is connected via a hose to a suitable gas source, it being possible to use the gases known for plasma treatment. If the surface is not just to be cleaned but to be coated, additives such as silane can be added to these gases. In addition, the high-voltage supply 13 is connected to a high-voltage source and the housing 7 , preferably also via the flange 22 , is grounded. The device is thus ready for operation.

Zum Betrieb der Vorrichtung wird der Gaseinlaß 1 mit dem gewählten Gas beaufschlagt und zwischen die Hochspannungszuführung 13 und das Gehäuse 7 eine hochfrequente Hochspannung angelegt. Die zu wählende Spannung und Frequenz hängen von der Art des Gases, der Geometrie der Anordnung, der Art der Oberflächenbehandlung und weiteren Faktoren ab und können vom Fachmann frei gewählt werden. Typisch sind Spannungen zwischen 5 bis 30 kV und Frequenzen zwischen 0,5 und 50 kHz.To operate the device, the gas inlet 1 is acted upon by the selected gas and a high-frequency high voltage is applied between the high-voltage supply 13 and the housing 7 . The voltage and frequency to be selected depend on the type of gas, the geometry of the arrangement, the type of surface treatment and other factors and can be chosen freely by a person skilled in the art. Voltages between 5 and 30 kV and frequencies between 0.5 and 50 kHz are typical.

Das Gas gelangt vom Gaseinlaß 1 in das Innere des weiteres Rohrs 16, durchströmt dieses weitere Rohr 16 bis zur Feder 21, tritt in den Bereich zwischen Feder 21 und geschlossenem Ende des Keramikrohrs 11 und wieder nach unten in den Ringspalt 17 zwischen Keramikrohr 11 und weiterem Rohr 16. Das Gas gelangt dann wieder zum Flansch 22 in dessen Ringnut 28 und wird abermals, diesmal nach oben, umgelenkt in den den Plasmaerzeugungsbereich 2 bildenden Ringspalt zwischen Außenseite des Keramikrohrs 11 und Innenseite des Gehäuses 7. Nach Durchströmung dieses Plasmaerzeugungsbereichs gelangt das Gas in den Bereich des Gasauslasses 6 und verläßt dort die Vorrichtung in den Behandlungsbereich 5, wo sich die zu behandelnden Gegenstände befinden.The gas passes from the gas inlet 1 into the interior of the further tube 16 , flows through this further tube 16 to the spring 21 , enters the area between the spring 21 and the closed end of the ceramic tube 11 and down again into the annular gap 17 between the ceramic tube 11 and further Tube 16 . The gas then returns to the flange 22 in its annular groove 28 and is deflected again, this time upwards, into the annular gap forming the plasma generation area 2 between the outside of the ceramic tube 11 and the inside of the housing 7 . After flowing through this plasma generation area, the gas reaches the area of the gas outlet 6 and leaves the device in the treatment area 5 , where the objects to be treated are located.

Da die leitfähige Beschichtung des Keramikrohrs 11 auf gleichem elektrischem Potential liegt wie die Hochspannungszuführung 13, bleibt das Gas sowohl innerhalb des weiteren Rohrs 16 als auch im Ringspalt 17 elektrisch unbeeinflußt. Die Umleitung des Gases durch das weitere Rohr 16 und den Ringspalt 17 erfolgt im wesentlichen zum Zwecke der Innenkühlung der Vorrichtung. Das Arbeitsgas wirkt somit gleichzeitig als Kühlgas, wodurch man sich eine weitere Innenkühlung ersparen kann.Since the conductive coating of the ceramic tube 11 is at the same electrical potential as the high-voltage supply 13 , the gas remains electrically unaffected both within the further tube 16 and in the annular gap 17 . The gas is diverted through the further pipe 16 and the annular gap 17 essentially for the purpose of internal cooling of the device. The working gas thus acts as a cooling gas at the same time, which saves further internal cooling.

Erst im Plasmaerzeugungsbereich 2 befindet sich das Gas zwischen den Elektroden 3, gebildet durch die leitfähige Beschichtung des Keramikrohrs 11 und 4, gebildet durch das Gehäuse 7, und wird durch die angelegte hochfrequente Hochspannung teilweise ionisiert, also in den zur Oberflächenbehandlung erwünschten Plasmazustand versetzt. Beim Betrieb der Vorrichtung ist die Durchströmungsgeschwindigkeit so hoch zu wählen, daß der Plasmazustand auch nach Austritt des Plasmagases durch den Gasauslaß 6 erhalten bleibt.Only in the plasma generation area 2 is the gas between the electrodes 3 , formed by the conductive coating of the ceramic tube 11 and 4 , formed by the housing 7 , and is partially ionized by the high-frequency high voltage applied, that is to say put in the plasma state desired for surface treatment. When the device is in operation, the flow rate is to be chosen so high that the plasma state is maintained even after the plasma gas has escaped through the gas outlet 6 .

Die zu behandelnde Oberfläche wird in den Behandlungsbereich 5 außerhalb der Vorrichtung 7 gebracht. Dies kann entweder durch Bewegung der Oberfläche oder durch Bewegung der Vorrichtung erfolgen. Beispielsweise kann die Vorrichtung entlang einer Fertigungsstraße angebracht werden, wobei die zu behandelnden Oberflächen so an der Vorrichtung vorbeigeführt werden, daß sie sich im Behandlungsbereich 5 des austretenden Plasmagases befinden. Alternativ hierzu kann die Vorrichtung in die Hand genommen werden und feststehende Oberflächen können damit plasmabehandelt werden. Der sehr kleine Gasauslaß 6 ermöglicht eine punktgenaue Behandlung von Oberflächen. Jedoch kann dieser Gasauslaß 6 bei größerer Gesamtdimensionierung der Vorrichtung auch so groß werden, daß größere Oberflächenbereiche gleichzeitig behandelt werden können.The surface to be treated is brought into the treatment area 5 outside the device 7 . This can be done either by moving the surface or by moving the device. For example, the device can be attached along a production line, the surfaces to be treated being guided past the device such that they are located in the treatment area 5 of the emerging plasma gas. Alternatively, the device can be picked up and fixed surfaces can be plasma treated. The very small gas outlet 6 enables precise treatment of surfaces. However, with larger overall dimensions of the device, this gas outlet 6 can also become so large that larger surface areas can be treated at the same time.

Weitere Anwendungsmöglichkeiten der Vorrichtung liegen beispielsweise im Laborbereich bei der Untersuchung und Modifizierung von Oberflächen.Other possible uses of the device are in Laboratory area for the examination and modification of surfaces.

Claims (5)

1. Vorrichtung zur Reinigung, Beschichtung und/oder Aktivierung von Kunststoffoberflächen mittels Hochdruckplasma, mit einem Gehäuse (7), an dessen einem Ende (8) sich ein Gaseinlaß (1) und an dessen anderem Ende (9) sich ein Gasauslaß (6) befindet, einem dazwischen liegenden Plasmaerzeugungsbereich (2) mit mindestens zwei mit einer hochfrequenten Hochspannung beaufschlagten Elektroden (3, 4), zwischen denen das Plasma erzeugt wird, und einem Behandlungsbereich (5), dadurch gekennzeichnet, daß das Gehäuse (7) handhabbar ausgebildet ist und der Behandlungsbereich (5) räumlich getrennt vom Plasmaerzeugungsbereich (2) nach dem Gasauslaß (6) außerhalb des Gehäuses (7) angeordnet ist.1. Device for cleaning, coating and / or activating plastic surfaces by means of high-pressure plasma, with a housing ( 7 ), at one end ( 8 ) of which there is a gas inlet ( 1 ) and at the other end ( 9 ) of which there is a gas outlet ( 6 ) is located, an intermediate plasma generation area ( 2 ) with at least two electrodes ( 3 , 4 ) with a high-frequency high voltage, between which the plasma is generated, and a treatment area ( 5 ), characterized in that the housing ( 7 ) is designed to be manageable and the treatment area ( 5 ) is spatially separated from the plasma generation area ( 2 ) after the gas outlet ( 6 ) outside the housing ( 7 ). 2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Gehäuse (7) im wesentlichen zylindrisch ausgebildet ist und in seinem Inneren mindestens ein axialsymmetrisch angeordnetes, einseitig im Bereich des Gasauslasses (6) geschlossenes Keramikrohr (11) aufweist, welches an seiner Innenseite (12) zur Bildung der einen Elektrode (3) mindestens teilweise elektrisch leitfähig beschichtet ist und in elektrischem Kontakt mit einer im wesentlichen axial verlaufenden Hochspannungszuführung (13) steht, wobei die andere, geerdete Elektrode (4) durch das Gehäuse (7) gebildet wird, wodurch sich der Plasmaerzeugungsbereich (2) zwischen der Außenseite (14) des Keramikrohrs (11) und der Innenseite (15) des Gehäuses (7) befindet.2. Device according to claim 1, characterized in that the housing ( 7 ) is substantially cylindrical and has in its interior at least one axially symmetrically arranged, one-sided in the region of the gas outlet ( 6 ) closed ceramic tube ( 11 ) which on its inside ( 12 ) to form one electrode ( 3 ) is at least partially coated in an electrically conductive manner and is in electrical contact with an essentially axially extending high-voltage lead ( 13 ), the other, grounded electrode ( 4 ) being formed by the housing ( 7 ), whereby the plasma generation area ( 2 ) is located between the outside ( 14 ) of the ceramic tube ( 11 ) and the inside ( 15 ) of the housing ( 7 ). 3. Vorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß innerhalb des Keramikrohrs (11) ein weiteres Rohr (16) aus nichtleitendem Material unter Bildung eines Ringspalts (17) angeordnet ist, welches im Bereich des geschlossenen Endes (18) des Keramikrohrs (11) offen ist und somit das Innere dieses weiteren Rohrs (16) mit dem Ringspalt (17) in Verbindung steht, und der Ringspalt (17) an der dem Behandlungsbereich (5) abgewandten Seite (8) des Gehäuses (7) in Verbindung mit dem den Plasmaerzeugungsbereich (2) bildenden Spalt zwischen Keramikrohr (11) und Gehäuse (7) steht.3. Apparatus according to claim 2, characterized in that a further tube ( 16 ) made of non-conductive material is arranged within the ceramic tube ( 11 ) to form an annular gap ( 17 ) which in the region of the closed end ( 18 ) of the ceramic tube ( 11 ) is open and thus the interior of this further tube ( 16 ) is connected to the annular gap ( 17 ), and the annular gap ( 17 ) on the side ( 8 ) of the housing ( 7 ) facing away from the treatment area ( 5 ) in connection with the Plasma generating area ( 2 ) forming gap between the ceramic tube ( 11 ) and housing ( 7 ). 4. Vorrichtung nach einem der voranstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das Gehäuse (7) an seiner Außenseite (19) Kühlrippen (20) aufweist.4. Device according to one of the preceding claims, characterized in that the housing ( 7 ) on its outside ( 19 ) has cooling fins ( 20 ). 5. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 3 oder 4, dadurch gekennzeichnet, daß das weitere Rohr (16) innerhalb des Keramikrohrs (11) an der dem Behandlungsbereich (5) zugewandten Seite (21) fixiert ist.5. Device according to one of claims 3 or 4, characterized in that the further tube ( 16 ) within the ceramic tube ( 11 ) on the treatment area ( 5 ) facing side ( 21 ) is fixed.
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DE202008013560U1 (en) 2008-10-15 2010-03-04 Raantec Verpachtungen Gmbh & Co. Kg Apparatus for generating a plasma jet

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