DE19641875C2 - High frequency circuit device - Google Patents

High frequency circuit device

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DE19641875C2 DE1996141875 DE19641875A DE19641875C2 DE 19641875 C2 DE19641875 C2 DE 19641875C2 DE 1996141875 DE1996141875 DE 1996141875 DE 19641875 A DE19641875 A DE 19641875A DE 19641875 C2 DE19641875 C2 DE 19641875C2
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Germany
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frequency
wire
frequency circuit
wires
substrate
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Yoshihiro Notani
Takayuki Katoh
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Mitsubishi Electric Corp
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Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Hoch­ frequenzschaltung bzw. auf ein Hochfrequenzschaltungsbaue­ lement, wobei Bestandteile bzw. Komponenten des Bauelements mit Drähten verbunden sind.The present invention relates to a high frequency switching or on a high-frequency circuit construction lement, being components of the component are connected with wires.

Fig. 25 und 26 zeigen eine Querschnittsansicht bzw. eine Draufsicht, welche ein Hochfrequenzschaltungsbauele­ ment nach dem Stand der Technik veranschaulichen, bei wel­ chem zwei Hochfrequenzhalbleiterchips 61a und 61b durch Chipbonden auf ein Basissubstrat 20 aufgebracht sind und mit einem Draht 2 zum Übertragen eines Hochfrequenzsignals miteinander verbunden sind (hiernach als Hochfrequenzsi­ gnaldraht bezeichnet). Die Hochfrequenzhalbleiterchips 61a und 61b sind Komponenten der Hochfrequenzschaltung, wobei jeder Halbleiterchip ein Halbleitersubstrat 7, eine IC- Struktur 5 (IC: integrated circuit), Bondinseln 4, auf wel­ che der Hochfrequenzsignaldraht 2 gebondet ist (hiernach als Hochfrequenzsignalbondinseln bezeichnet) und eine Hoch­ frequenzsignalübertragungsleitung 6 aufweist. Die IC-Struk­ tur 5 enthält FET's, Widerstände, Kondensatoren und andere Elemente entsprechend der Bestimmung des Bauelements. Die Dielektrizitätskonstante und die Dicke des Halbleiter­ substrats 7 und die Breite der Hochfrequenzsignalübertra­ gungsleitung 6 sind derart gewählt, daß die Signalübertra­ gungsleitung 6 eine gewünschte Impendanzcharakteristik auf­ weist. Der Hochfrequenzsignaldraht 2 ist auf die Hochfre­ quenzsignalinseln 4 der Halbleiterchips 61a und 61b an ge­ genüberliegenden Enden gebondet, wodurch Hochfrequenzsigna­ le über den Draht 2 zwischen den Halbleiterchips 61a und 61b übertragen werden. Die Halbleiterchips 61a und 61b sind an dem Basissubstrat 20 unter Verwendung eines Bondmittels 3 wie eines Lötmittels befestigt. Das Basissubstrat 20 ist ein Basismetall eines Trägers oder eines Gehäuses bzw. Bau­ steins. FIGS. 25 and 26 show a cross-sectional view and a plan view ment a Hochfrequenzschaltungsbauele illustrate the prior art, in wel chem two high-frequency semiconductor chip 61 a and 61 b by die bonding onto a base substrate 20 are coated with a wire 2 for transmitting a High-frequency signal are interconnected (hereinafter referred to as high-frequency signal wire). The high-frequency semiconductor chips 61 a and 61 b are components of the high-frequency circuit, each semiconductor chip being a semiconductor substrate 7 , an IC structure 5 (IC: integrated circuit), bonding pads 4 , to which the high-frequency signal wire 2 is bonded (hereinafter referred to as high-frequency signal bonding pads) and one Has high frequency signal transmission line 6 . The IC structure 5 contains FET's, resistors, capacitors and other elements in accordance with the determination of the component. The dielectric constant and the thickness of the semiconductor substrate 7 and the width of the Hochfrequenzsignalübertra supply line 6 are selected such that the Signalübertra supply line 6 has a desired Impendanzcharakteristik on. The high-frequency signal wire 2 is quenzsignalinseln the Hochfre 4 of the semiconductor chip 61 a and 61 b bonded to ge genüberliegenden ends thereby Hochfrequenzsigna le over the wire 2 between the semiconductor chip 61 a and b are transmitted 61st The semiconductor chips 61 a and 61 b are attached to the base substrate 20 using a bonding agent 3 such as a solder. The base substrate 20 is a base metal of a carrier or a housing or building block.

Fig. 27 zeigt eine Draufsicht, welche ein Hochfrequenz­ schaltungsbauelement veranschaulicht, bei welchem Hochfre­ quenzhalbleiterchips wie jene, welche bezüglich der Fig. 25 und 26 beschrieben werden, auf einem Baustein angebracht sind. In Fig. 27 bezeichnen dieselben Bezugszeichen wie die in Fig. 25 und 26 dargestellten dieselben oder entspre­ chende Teile. Bezugszeichen 70 bezeichnet einen Baustein, welcher ein Basissubstrat 20, einen unteren Keramikrahmen 21, der auf dem Basissubstrat 20 angeordnet ist, und einen oberen Keramikrahmen 22 aufweist, der auf dem unteren Kera­ mikrahmen 21 angeordnet ist. Das Basissubstrat ist aus ei­ ner Metallplatte oder einer Keramikplatte gefertigt, welche eine Oberfläche aufweist, die mit einer Metallschicht um­ mantelt ist. Obwohl üblicherweise ein Deckel zum hermeti­ schen Versiegeln des Bausteins auf den oberen Keramikrahmen 22 gebondet ist, ist dieser in der Figur weggelassen. Si­ gnalübertragungsleitungen 9 zum Übertragen von Hochfre­ quenzsignalen zwischen dem Inneren und dem Äußeren des obe­ ren Keramikrahmens 22, d. h. zwischen der Innenseite und der Außenseite des Bausteins 70, sind auf der Oberfläche des unteren Keramikrahmens 21 angeordnet und verlaufen unter dem oberen Keramikrahmen 22. Ein Teil der Signalübertra­ gungsleitung 9 innerhalb des oberen Keramikrahmens 22 kann als Bondinsel verwendet werden. Die Dielektrizitätskon­ stante und Dicke des unteren Keramikrahmens 21 und die Breite der Signalübertragungsleitung 9 sind derart gewählt, daß die Signalübertragungsleitung 9 eine gewünschte Impe­ danzcharakteristik zum Übertragen von Hochfrequenzsignalen besitzt. Auf das Basissubstrat 20 sind zwei Hochfrequenz­ halbleiterchips 61a und 61b und eine Hochfrequenzsi­ gnalübertragungsdurchgangsleitung 68 mit einem Lot gebon­ det. Die Durchgangsleitung 68 enthält ein Aluminiumkera­ miksubstrat und eine Hochfrequenzsignalübertragungsleitung 6, welche auf dem Substrat durch Elektroplattieren bzw. Galvanisieren eines Metalls gebildet wird. Die Dielektrizi­ tätskonstante und Dicke des Aluminumkeramiksubstrats und die Breite der Signalübertragungsleitung 6 sind derart ge­ wählt, daß die Durchgangsleitung 68 eine gewünschte Impe­ danzcharakteristik zum Übertragen von Hochfrequenzsignalen besitzt. Fig. 27 shows a plan view illustrating a high-frequency circuit device in which high-frequency semiconductor chips such as those described with reference to Figs. 25 and 26 are mounted on a chip. In Fig. 27, the same reference numerals as those shown in Figs. 25 and 26 denote the same or corresponding parts. Reference numeral 70 denotes a block, which is a base substrate 20, a lower ceramic frame 21 is disposed on the base substrate 20, and an upper ceramic frame 22 on the lower mikrahmen Kera 21 is arranged. The base substrate is made of a metal plate or a ceramic plate which has a surface which is coated with a metal layer. Although a lid for hermetically sealing the chip is usually bonded to the upper ceramic frame 22 , it is omitted in the figure. Signal transmission lines 9 for transmitting high-frequency signals between the inside and the outside of the upper ceramic frame 22 , ie between the inside and the outside of the block 70 , are arranged on the surface of the lower ceramic frame 21 and extend under the upper ceramic frame 22 . Part of the signal transmission line 9 within the upper ceramic frame 22 can be used as a bond island. The Dielektrizitätskon constant and thickness of the lower ceramic frame 21 and the width of the signal transmission line 9 are chosen such that the signal transmission line 9 has a desired impedance characteristic for transmitting high-frequency signals. On the base substrate 20 , two high-frequency semiconductor chips 61 a and 61 b and a high-frequency signal transmission passage line 68 are bonded with a solder. The through line 68 includes an aluminum ceramic substrate and a high frequency signal transmission line 6 which is formed on the substrate by electroplating or electroplating a metal. The dielectric constant and thickness of the aluminum ceramic substrate and the width of the signal transmission line 6 are selected such that the through line 68 has a desired impedance characteristic for transmitting high-frequency signals.

Um bei dem in Fig. 27 dargestellten Hochfrequenzschal­ tungsbauelement einen Hochleistungsausgang zu realisieren, sind die Hochfrequenzhalbleiterchips 61a und 61b in Reihe miteinander verbunden, und die Durchgangsleitung 68 ist mit dem Hochfrequenzhalbleiterchip 61a verbunden, um die Länge der Hochfrequenzhalbleiterchips 61a und 61b einzustellen, welche in Reihe mit dem inneren Raum des Bausteins verbun­ den sind. Des weiteren sind elektrische Verbindungen zwi­ schen den Halbleiterchips 61a und 61b, zwischen dem Chip 61a und der Durchgangsleitung 68, zwischen der Durchgangs­ leitung 68 und dem Baustein 70 und zwischen dem Chip 61b und dem Baustein 70 durch die Hochfrequenzsignaldrähte 2 gebildet. In Fig. 27 sind zur Vereinfachung lediglich die Hochfrequenzsignaldrähte 2, welche die Signalübertragungs­ leitungen verbinden, dargestellt, und Bonddrähte zum Ver­ binden von Vorspannungsanschlüssen sind weggelassen. Obwohl die Durchgangsleitung 68 zum Einstellen der Länge verwendet wird, kann sie des weiteren als Eingabe/Ausgabe-Impedanzan­ passungsschaltung verwendet werden.In order to realize a high-performance output in the high-frequency circuit component shown in FIG. 27, the high-frequency semiconductor chips 61 a and 61 b are connected to one another in series, and the through line 68 is connected to the high-frequency semiconductor chip 61 a by the length of the high-frequency semiconductor chips 61 a and 61 b adjust which are connected in series with the inner space of the block. Furthermore, electrical connections between the semiconductor chips 61 a and 61 b, between the chip 61 a and the through line 68 , between the through line 68 and the module 70 and between the chip 61 b and the module 70 are formed by the high-frequency signal wires 2 . In Fig. 27, only the high-frequency signal wires 2 connecting the signal transmission lines are shown for simplicity, and bonding wires for connecting bias terminals are omitted. Furthermore, although the through line 68 is used to adjust the length, it can be used as an input / output impedance matching circuit.

Bei diesem Hochfrequenzschaltungsbauelement wird ein Hochfrequenzsignal über die Signalübertragungsleitung 9 auf dem Baustein 70, den Hochfrequenzsignaldraht 2, die Durch­ gangsleitung 68, den Hochfrequenzsignaldraht 2, die Si­ gnalübertragungsleitung 6 auf dem Halbleiterchip 61a, den Hochfrequenzsignaldraht 2, die Signalübertragungsleitung 6 auf dem Halbleiterchip 61b, den Hochfrequenzsignaldraht 2 und die Signalübertragungsleitung 9 auf dem Baustein 70 übertragen. Die charakteristischen Impedanzen der Si­ gnalübertragungsleitungen 9 auf dem Baustein, der Durch­ gangsleitung 68 und der Signalübertragungsleitungen 6 auf den Halbleiterchips 61a und 61b kann wie oben beschrieben gesteuert werden, und die Impedanzen werden gewöhnlich auf 50 Ohm gesetzt. Da die charakteristische Impedanz des Hoch­ frequenzsignaldrahts 2 nicht gesteuert werden kann, tritt jedoch eine Impedanzfehlanpassung bei dem Draht 2 auf, was zu einem Reflektionsverlust des Hochfrequenzsignals führt. Fig. 28 zeigt die Dämpfung eines durch einen Au-Draht über­ tragenen Signals, welcher einen Durchmesser von 25 µm be­ sitzt und zwei 4 mm lange Durchgangsleitungen verbindet, welche 75 bis 100 µm voneinander entfernt befindlich sind. Die Dämpfung wird zwischen gegenüberliegenden Enden der Durchgangsleitungen gemessen, wobei die Enden nicht mit dem Au-Draht verbunden sind. Wie aus Fig. 28 zu sehen ist, überschreitet die Dämpfung des Hochfrequenzsignal 10 dB we­ gen der Impedanzfehlanpassung des Au-Drahts.In this high-frequency circuit component, a high frequency signal through the signal transmission line 9 on the module 70, the high-frequency signal wire 2, the gnalübertragungsleitung through line 68, the high-frequency signal wire 2, the Si 6 on the semiconductor chip 61a, the high-frequency signal wire 2, the signal transmission line 6 on the semiconductor chip 61 b , transmit the high-frequency signal wire 2 and the signal transmission line 9 on the module 70 . The characteristic impedances of the signal transmission lines 9 on the device, the through line 68 and the signal transmission lines 6 on the semiconductor chips 61 a and 61 b can be controlled as described above, and the impedances are usually set to 50 ohms. Since the characteristic impedance of the high frequency can not be controlled signal wire 2, however, there arises an impedance mismatch at the wire 2, resulting in a reflection loss of the high frequency signal. Fig. 28 shows the attenuation of a signal transmitted by an Au wire, which has a diameter of 25 µm and connects two 4 mm long through lines, which are located 75 to 100 µm apart. The attenuation is measured between opposite ends of the through lines, the ends not being connected to the Au wire. As can be seen from Fig. 28, the attenuation of the high frequency signal exceeds 10 dB due to the impedance mismatch of the Au wire.

Da bei dem in Fig. 27 dargestellten Hochfrequenzschal­ tungsbauelement nach dem Stand der Technik der Hochfre­ quenzsignaldraht 2 eine Impedanzfehlanpassung hervorruft, ist es als Ergebnis nicht möglich, den Hochfrequenzhalblei­ terchip optimal zu betreiben. Since in the high-frequency circuit component shown in FIG. 27 according to the prior art, the high-frequency signal wire 2 causes an impedance mismatch, it is not possible as a result to operate the high-frequency semiconductor chip optimally.

Aus der EP 0 563 969 A2 ist es bekannt, ein Band mit parallel zum entsprechenden Hochfrequenzübertragungsdraht beidseitig angeordneten Drähten, die Massepotential aufwei­ sen, zur Hochfrequenzübertragung zwischen Hochfrequenzbau­ elementen einzusetzen.From EP 0 563 969 A2 it is known to use a tape parallel to the corresponding radio frequency transmission wire wires arranged on both sides, which have ground potential sen, for high-frequency transmission between high-frequency construction use elements.

Des weiteren ist es aus der EP 0 396 152 A1 bekannt, eine Hochfrequenzsignalübertragungsleitung durch beidsei­ tige Masseanordnungen hinsichtlich der Impedanz zu optimie­ ren.Furthermore, it is known from EP 0 396 152 A1 a high frequency signal transmission line by both term ground arrangements to optimize the impedance ren.

Schließlich ist in der DE 195 33 291 A1 beschrieben, ein gegossenes Harz zur Wahrung der Hochfrequenzcharakteri­ stik einzusetzen.Finally, DE 195 33 291 A1 describes a cast resin to preserve the high frequency characteristics use stik.

Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein Hochfre­ quenzbauelement zu schaffen, bei welchem keine Dämpfung eines Hochfrequenzsignals infolge einer Impedanzfehlanpas­ sung an einem Draht zur Übertragung des Hochfrequenzsignals auftritt.The object of the present invention is a Hochfre to create a quenzelement, in which no damping of a high frequency signal due to an impedance mismatch solution on a wire for transmission of the high-frequency signal occurs.

Die Lösung der Aufgabe erfolgt durch die Merkmale der nebengeordneten unabhängigen Ansprüche 1 und 3. The task is solved by the features of independent independent claims 1 and 3.  

Entsprechend dem Prinzip der vorliegenden Er­ findung ist ein Hochfrequenzschaltungsbauelement geschaffen mit: einer Mehrzahl von Hochfrequenzschaltungselementen, welche voneinander getrennt sind, wobei jedes Element eine erste Bondinsel und zweite Bondinseln enthält, welche an gegenüberliegenden Seiten der ersten Bondinsel und getrennt davon angeordnet sind, wobei die zweiten Bondinseln auf dem Massepotential festgelegt sind; einem ersten Draht zum Übertragen eines Hochfrequenzsignals, wobei der erste Draht die ersten Bondinseln von zwei benachbarten Hochfrequenz­ schaltungselementen verbindet; und zwei zweiten Drähten, welche die zweiten Bondinseln der benachbarten Hochfre­ quenzschaltungselemente verbinden, wobei die zweiten Drähte parallel zu dem ersten Draht angeordnet sind. Bei dieser Struktur stellen der erste Draht zur Übertragung eines Hochfrequenzsignals und die zweiten Drähte, welche auf das Massepotential festgelegt sind, eine Hochfrequenzsi­ gnalübertragungsleitung eines pseudoplanparallelen Typs be­ reit, und die charakteristische Impedanz dieser Signalüber­ tragungsleitung kann bezüglich der charakteristischen Impe­ danz der Hochfrequenzschaltungselemente durch geeignete Wahl des Intervalls zwischen den Drähten angepaßt werden. Daher wird eine unerwünschte Dämpfung eines Hochfrequenzsi­ gnals infolge einer Impedanzfehlanpassung zwischen dem er­ sten Draht und den Hochfrequenzschaltungselementen vermie­ den.According to the principle of the present Er a high-frequency circuit component is created with: a plurality of high-frequency circuit elements, which are separate from each other, with each element having a contains first bond island and second bond island, which on opposite sides of the first bond island and separated of which are arranged, the second bond pads on the Ground potential are set; a first line to  Transmitting a high frequency signal, the first wire the first bond islands of two neighboring radio frequencies connects circuit elements; and two second wires, which the second bond islands of the neighboring Hochfre connect sequence circuit elements, the second wires are arranged parallel to the first wire. At this Make the first wire to transfer a structure Radio frequency signal and the second wires, which on the Ground potential are set, a high-frequency si Signal transmission line of a pseudoplan-parallel type be rides, and the characteristic impedance of this signal management can regarding the characteristic Impe danz of the high-frequency circuit elements by suitable Choice of the interval between the wires can be adjusted. Therefore, undesirable attenuation of a high frequency si gnals due to an impedance mismatch between the he most wire and the high-frequency circuit elements missing the.

Entsprechend einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Er­ findung enthält das Hochfrequenzschaltungsbauelement des weiteren: ein Substrat mit einer Oberfläche, auf welcher die Hochfrequenzschaltungselemente angeordnet sind, wobei wenigstens ein Teil der Oberfläche des Substrats direkt un­ ter dem ersten Draht und den zweiten Drähten auf dem Masse­ potential festgelegt sind; und eine dielektrische Schicht, welche zwischen dem Substrat und den ersten und zweiten Drähten angeordnet ist. Bei dieser Struktur bilden der er­ ste Draht zum Übertragen eines Hochfrequenzsignals, die zweiten Drähte, welche auf das Massepotential festgelegt sind, das Substrat, welches auf das Massepotential festge­ legt ist und die dielektrische Schicht eine Hochfrequenzsi­ gnalübertragungsleitung eines pseudoplanparallelen Typs, und die charakteristische Impedanz dieser Signalübertra­ gungsleitung kann bezüglich der charakteristischen Impedanz der Hochfrequenzschaltungselemente durch geeignet Wahl des Intervalls zweiten den Drähten, des Intervalls zwischen den Drähten und dem Substrat und durch die Dielektrizitätskon­ stante der dielektrischen Schicht angepaßt werden. Daher wird eine unerwünschte Dämfpung eines Hochfrequenzsignals infolge einer Impedanzfehlanpassung zwischen dem Hochfre­ quenzsignalübertragungsdraht bzw. -leitung und den Hochfre­ quenzschaltungselementen vermieden.According to an embodiment of the present Er invention contains the high-frequency circuit component of the further: a substrate with a surface on which the high-frequency circuit elements are arranged, wherein at least part of the surface of the substrate is directly un ter the first wire and the second wires on the ground potential are fixed; and a dielectric layer, which between the substrate and the first and second Wires is arranged. With this structure, he form wire for transmitting a high frequency signal, the second wires, which are fixed to the ground potential are, the substrate, which is fixed to the ground potential and the dielectric layer is a high-frequency si signal transmission line of a pseudoplan-parallel type, and the characteristic impedance of this signal transmission power supply line can with regard to the characteristic impedance the high-frequency circuit elements by suitable choice of Interval second the wires, the interval between the  Wires and the substrate and through the dielectric con constant of the dielectric layer. Therefore becomes an undesirable attenuation of a high-frequency signal due to an impedance mismatch between the RF frequency signal transmission wire or line and the Hochfre avoidance circuit elements.

Entsprechend einem weiteren Prinzip der vorliegenden Er­ findung ist ein Hochfrequenzschaltungsbauelement vorgesehen mit: einer Mehrzahl von Hochfrequenzschaltungselementen, welche getrennt voneinander angeordnet sind, wobei jedes Element eine Bondinsel aufweist; einem Draht zum Übertragen eines Hochfrequenzsignals und zum Verbinden der Bondinseln von zwei benachbarten Hochfrequenzschaltungselementen; ei­ nem Substrat mit einer Oberfläche, auf welcher die Hochfre­ quenzschaltungselemente angeordnet sind, wobei wenigstens ein Teil der Oberfläche des Substrats direkt unter dem Draht auf dem Massepotential festgelegt ist; und einer die­ lektrischen Schicht, welche zwischen dem Substrat und dem Draht angeordnet ist. Bei dieser Struktur bilden der Hoch­ frequenzsignalübertragungsdraht, das Substrat, welches auf das Massepotential festgelegt ist, und die dielektrische Schicht eine Hochfrequenzsignalübertragungsleitung eines Pseudomikrostreifentyps, und die charakteristische Impedanz dieser Signalübertragungsleitung kann bezüglich der charak­ teristischen Impedanz der Hochfrequenzschaltungselemente durch geeignete Wahl des Intervalls zwischen dem Draht und dem Substrat und der Dielektrizitätskonstante der dielek­ trischen Schicht angepaßt werden. Daher wird eine uner­ wünschte Dämpfung eines Hochfrequenzsignals infolge einer Impedanzfehlanpassung zwischen dem Hochfrequenzsignalüber­ tragungsdraht und den Hochfrequenzschaltungselementen ver­ mieden.According to another principle of the present Er a high-frequency circuit component is provided with: a plurality of high-frequency circuit elements, which are arranged separately from each other, each Element has a bond pad; a wire for transmission a high-frequency signal and for connecting the bond pads of two adjacent radio frequency circuit elements; egg nem substrate with a surface on which the Hochfre Sequence circuit elements are arranged, at least part of the surface of the substrate just below the Wire is fixed at ground potential; and one who dielectric layer, which between the substrate and the Wire is arranged. With this structure, the high form frequency signal transmission wire, the substrate that is on the ground potential is fixed, and the dielectric Layer a high frequency signal transmission line Pseudo microstrip type, and the characteristic impedance this signal transmission line can with respect to the charak teristic impedance of the high-frequency circuit elements by appropriate choice of the interval between the wire and the substrate and the dielectric constant of the dielek trical layer can be adjusted. Therefore, an un desired attenuation of a radio frequency signal due to a Impedance mismatch between the radio frequency signal over transmission wire and the high-frequency circuit elements ver avoided.

Bei einem zugehörigen Ausführungsbeispiel weist bei dem oben beschriebenen Hochfrequenzschal­ tungselement die dielektrische Schicht ein Harz auf bzw. besteht daraus. Daher wird die dielektrische Schicht leicht gebildet. Darüber hinaus wird die Dielektrizitätskonstante der dielektrischen Schicht durch Ändern der Art des Harzes geändert, wodurch die charakteristische Impedanz der Si­ gnalübertragungsleitung des pseudoplanparallelen Typs oder des Mikrostreifentyps in einem großen Bereich gesteuert werden kann.In an associated embodiment points at the high-frequency scarf described above device the dielectric layer a resin or  consists of it. Therefore, the dielectric layer becomes light educated. In addition, the dielectric constant the dielectric layer by changing the kind of the resin changed, which changes the characteristic impedance of the Si signal transmission line of the pseudoplan-parallel type or of the microstrip type controlled in a wide range can be.

Entsprechend einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Er­ findung weist bei dem oben beschriebenen Hochfrequenzschal­ tungsbauelement die dielektrische Schicht eine Mischung aus einem Harz und einem Material mit einer hohen Dielektrizi­ tätskonstante auf bzw. besteht daraus. Daher wird die die­ lektrische Schicht leicht gebildet. Darüber hinaus wird die Dielektrizitätskonstante der dielektrischen Schicht durch Ändern des Mischungsverhältnisses des Materials der hohen Dielektrizitätskonstante zu dem Harz oder durch Ändern des Materials der hohen Dielektrizitätskonstante selbst geän­ dert, wodurch die charakteristische Impedanz der Si­ gnalübertragungsleitung des pseudoplanparallelen Typs oder des Mikrostreifentyps in einem großen Bereich gesteuert werden kann.According to an embodiment of the present Er invention shows in the high-frequency scarf described above tion component, the dielectric layer is a mixture of a resin and a material with a high dielectric constant or consists of it. Hence the dielectric layer easily formed. In addition, the Dielectric constant of the dielectric layer Changing the mixing ratio of the material of the high Dielectric constant to the resin or by changing the Material of the high dielectric constant itself changed changes, whereby the characteristic impedance of the Si signal transmission line of the pseudoplan-parallel type or of the microstrip type controlled in a wide range can be.

Die vorliegende Erfindung wird in der nachfolgenden Be­ schreibung unter Bezugnahme auf die Zeichnung erläutert.The present invention is described in the following Be spelling explained with reference to the drawing.

Fig. 1 zeigt eine perspektivische Ansicht, welche ein Hochfrequenzschaltungsbauelement entsprechend einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulicht. Fig. 1 shows a perspective view illustrating a high-frequency circuit device according to a first embodiment of the present invention.

Fig. 2 zeigt eine Seitenansicht des, in Fig. 1 darge­ stellten Hochfrequenzschaltungsbauelements. Fig. 2 shows a side view of the high-frequency circuit component shown in Fig. 1 Darge.

Fig. 3 zeigt eine Draufsicht auf das in Fig. 1 darge­ stellte Hochfrequenzschaltungsbauelement. Fig. 3 shows a plan view of the high-frequency circuit component shown in Fig. 1 Darge.

Fig. 4 zeigt eine Draufsicht, welche ein Hochfrequenz­ schaltungsbauelement veranschaulicht, bei welchem Hochfre­ quenzhalbleiterchips auf einem Baustein angeordnet sind, entsprechend der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Fig. 4 shows a plan view illustrating a high-frequency circuit device in which high-frequency semiconductor chips are arranged on a chip according to the first embodiment of the present invention.

Fig. 5 zeigt eine Querschnittsansicht des in Fig. 4 dargestellten Hochfrequenzschaltungsbauelements. FIG. 5 shows a cross-sectional view of the high-frequency circuit component shown in FIG. 4.

Fig. 6 zeigt einen Graphen, welcher die Dämpfung eines Hochfrequenzsignals bei einem Hochfrequenzschaltungsbauele­ ment veranschaulicht, welches zwei in Reihe miteinander verbundene Hochfrequenzsignalübertragungsdurchgangsleitun­ gen aufweist. Fig. 6 shows a graph showing the attenuation illustrating a high frequency signal at a Hochfrequenzschaltungsbauele element having two interconnected in series Hochfrequenzsignalübertragungsdurchgangsleitun gene.

Fig. 7 zeigt eine perspektivische Ansicht, welche ein Hochfrequenzschaltungsbauelement entsprechend einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulicht. Fig. 7 shows a perspective view illustrating a high-frequency circuit device according to a second embodiment of the present invention.

Fig. 8 zeigt eine Seitenansicht des Hochfrequenzschal­ tungsbauelements von Fig. 7. FIG. 8 shows a side view of the high-frequency circuit component of FIG. 7.

Fig. 9 zeigt eine perspektivische Ansicht, welche ein Hochfrequenzschaltungsbauelement entsprechend einem dritten Aspekt der vorliegenden Erfindung veranschaulicht. Fig. 9 shows a perspective view illustrating a high-frequency circuit device according to a third aspect of the present invention.

Fig. 10 zeigt eine perspektivische Ansicht des in Fig. 9 dargestellten Hochfrequenzschaltungsbauelements. FIG. 10 shows a perspective view of the high-frequency circuit component shown in FIG. 9.

Fig. 11 zeigt eine perspektivische Ansicht, welche ein Hochfrequenzschaltungsbauelement entsprechend einer Modifi­ zierung der dritten Ausführungsform der Erfindung veran­ schaulicht. Fig. 11 shows a perspective view cation a high-frequency circuit device according to a modifi the third embodiment illustrates veran the invention.

Fig. 12 zeigt eine Seitenansicht des in Fig. 11 darge­ stellten Hochfrequenzschaltungsbauelements. FIG. 12 shows a side view of the high-frequency circuit component shown in FIG. 11.

Fig. 13 zeigt eine perspektivische Ansicht, welche ein Hochfrequenzschaltungsbauelement entsprechend einer vierten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt. Fig. 13 is a perspective view showing a high-frequency circuit device according to a fourth embodiment of the present invention.

Fig. 14 zeigt eine Seitenansicht des in Fig. 13 darge­ stellten Hochfrequenzschaltungsbauelements. FIG. 14 shows a side view of the high-frequency circuit component shown in FIG. 13.

Fig. 15 zeigt eine perspektivische Ansicht, welche ein Hochfrequenzschaltungsbauelement entsprechend einer Modifi­ zierung der vierten Ausführungsform der Erfindung veran­ schaulicht. Fig. 15 shows a perspective view cation a high-frequency circuit device according to a modifi the fourth embodiment illustrates veran the invention.

Fig. 16 zeigt eine Seitenansicht des in Fig. 15 darge­ stellten Hochfrequenzschaltungsbauelements. FIG. 16 shows a side view of the high-frequency circuit component shown in FIG. 15.

Fig. 17 zeigt eine perspektivische Ansicht, welche ein Hochfrequenzschaltungsbauelement entsprechend einer fünften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulicht. Fig. 17 shows a perspective view illustrating a high-frequency circuit device according to a fifth embodiment of the present invention.

Fig. 18 zeigt eine Seitenansicht des in Fig. 17 darge­ stellten Hochfrequenzschaltungsbauelements. FIG. 18 shows a side view of the high-frequency circuit component shown in FIG. 17.

Fig. 19 zeigt eine perspektivische Ansicht, welche ein Hochfrequenzschaltungsbauelement entsprechend einer Modifi­ zierung der fünften Ausführungsform der vorliegenden Erfin­ dung veranschaulicht. Fig. 19 shows the fifth embodiment of the present OF INVENTION illustrates a perspective view of dung, which cation is a high-frequency circuit device according to a modifi.

Fig. 20 zeigt eine Seitenansicht des in Fig. 19 darge­ stellten Hochfrequenzschaltungsbauelements. FIG. 20 shows a side view of the high-frequency circuit component shown in FIG. 19.

Fig. 21 zeigt eine perspektivische Ansicht, welche ein Hochfrequenzschaltungsbauelement entsprechend einer sech­ sten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschau­ licht. Fig. 21 is a perspective view showing a light high-frequency circuit device according to a sixteenth embodiment of the present invention most illustrative.

Fig. 22 zeigt eine Seitenansicht des in Fig. 21 darge­ stellten Hochfrequenzschaltungsbauelements. Fig. 22 shows a side view of the set in Fig. 21 Darge high-frequency circuit component.

Fig. 23 zeigt eine perspektivische Ansicht, welche ein Hochfrequenzschaltungsbauelement entsprechend einer Modifi­ zierung der sechsten Ausführungsform der vorliegenden Er­ findung veranschaulicht. Fig. 23 shows the sixth embodiment of the present invention illustrating a perspective view cation a high-frequency circuit device according to a modifi.

Fig. 24 zeigt eine Seitenansicht des in Fig. 23 darge­ stellten Hochfrequenzschaltungsbauelements. FIG. 24 shows a side view of the high-frequency circuit component shown in FIG. 23.

Fig. 25 zeigt eine Seitenansicht, welche ein Hochfre­ quenzschaltungsbauelement nach dem Stand der Technik veran­ schaulicht. Fig. 25 shows a side view illustrating a Hochfre frequency circuit component according to the prior art.

Fig. 26 zeigt eine Draufsicht auf das in Fig. 25 darge­ stellte Hochfrequenzschaltungsbauelement. FIG. 26 shows a top view of the high-frequency circuit component shown in FIG. 25.

Fig. 27 zeigt eine Draufsicht, welche ein Hochfrequenz­ schaltungsbauelement nach dem Stand der Technik veranschau­ licht, bei welchem Hochfrequenzhalbleiterchips auf einem Baustein angebracht sind. Fig. 27 shows a plan view, which illustrates a high-frequency circuit component according to the prior art, in which high-frequency semiconductor chips are attached to a module.

Fig. 28 zeigt einen Graphen, welcher die Dämpfung eines Hochfrequenzsignal bei einem Hochfrequenzschaltungsbauele­ ment nach dem Stand der Technik veranschaulicht, welches zwei in Reihe miteinander verbundene Hochfrequenzsi­ gnalübertragungsdurchgangsleitungen aufweist. Fig. 28 is a graph showing the attenuation of a high frequency signal in a prior art high frequency circuit device having two high frequency signal transmission through lines connected together in series.

Fig. 1, 2 und 3 zeigen eine perspektivische Ansicht, eine Seitenansicht und eine Draufsicht, welche ein Hochfre­ quenzschaltungsbauelement entsprechend einer ersten Ausfüh­ rungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulichen. Bei diesem Bauelement sind zwei Hochfrequenzhalbleiterchips 1a und 1b auf einem Basissubstrat 20 angeordnet und mit Dräh­ ten 2 und 12 miteinander verbunden. Jedes Halbleiterchip enthält ein GaAs-Halbleitersubstrat 7, eine IC-Struktur 5, Hochfrequenzsignalbondinseln 4, Bondinseln 11 und Hochfre­ quenzsignalübertragungsleitungen 6. Fig. 2 zeigt eine ver­ größerte Ansicht eines Teils des Hochfrequenzschaltungsbau­ elements in der Nähe der Drähte 2 und 12 und der Bondinseln 4 und 11. Fig. 1, 2 and 3 show a perspective view, a side view and a plan view showing a Hochfre quenzschaltungsbauelement according to a first approximate shape exporting illustrate the present invention. In this component, two high-frequency semiconductor chips 1 a and 1 b are arranged on a base substrate 20 and connected to one another by wires 2 and 12 . Each semiconductor chip contains a GaAs semiconductor substrate 7 , an IC structure 5 , high-frequency signal bond pads 4 , bond pads 11 and high-frequency signal transmission lines 6 . Fig. 2 shows a ver enlarged view of part of the high-frequency circuit construction element in the vicinity of the wires 2 and 12 and the bonding pads 4 and 11 .

Die IC-Struktur 5 enthält FET's, Widerstände, Kondensa­ toren und dergleichen entsprechend der Bestimmung des Bau­ elements. Die Dielektrizitätskonstante und die Dicke des Halbleitersubstrats 7 und die Breite der Hochfrequenzsi­ gnalübertragungsleitung 6 sind derart gewählt, daß eine ge­ wünschte charakteristische Impedanz bei der Hochfrequenzsi­ gnalübertragungsleitung 6 erzielt wird. Der Draht 2 zum Übertragen eines Hochfrequenzsignals ist auf die Bondinseln 4 der Hochfrequenzhalbleiterchips 1a und 1b an gegenüber­ liegenden Enden gebondet, wodurch Hochfrequenzsignale durch den Draht 2 zwischen den Hochfrequenzhalbleiterchips 1a und 1b übertragen werden. Die Drähte 12 sind auf die Bondinseln 11 der Hochfrequenzhalbleiterchips 1a und 1b gebondet. Diese Drähte 2 und 12 sind parallel zueinander ausgerich­ tet. Au-Drähte mit einem Durchmesser von etwa 25 µm werden als die Drähte 2 und 12 verwendet. Das Bonden dieser Drähte wird durch Thermokompressionsbonden oder Ultraschallthermo­ kompressionsbonden durchgeführt.The IC structure 5 contains FET's, resistors, capacitors and the like according to the determination of the building element. The dielectric constant and the thickness of the semiconductor substrate 7 and the width of the high-frequency signal transmission line 6 are selected such that a desired characteristic impedance is achieved in the high-frequency signal transmission line 6 . The wire 2 for transmitting a high-frequency signal is bonded to the bonding pads 4 of the high-frequency semiconductor chips 1 a and 1 b at opposite ends, as a result of which high-frequency signals are transmitted through the wire 2 between the high-frequency semiconductor chips 1 a and 1 b. The wires 12 are bonded to the bond pads 11 of the high-frequency semiconductor chips 1 a and 1 b. These wires 2 and 12 are aligned parallel to each other. Au wires with a diameter of about 25 µm are used as the wires 2 and 12 . The bonding of these wires is carried out by thermal compression bonding or ultrasonic thermal compression bonding.

Die Hochfrequenzhalbleiterchips 1a und 1b sind an dem Basissubstrat 20, welches ein Basismetall eines Trägers oder eines Bausteins ist, mit einem Bondmittel 3 wie einem Lot befestigt. Das Basissubstrat 20 ist ein Metallsubstrat wie CuW oder ein Keramiksubstrat mit einer Oberfläche, wel­ che mit einem Metall wie Au überzogen ist. Das Potential des Metallsubstrats oder der Metallüberzugsschicht ist auf das Massepotential festgelegt. Da die Rückseitenoberfläche des Hochfrequenzhalbleiterchips 1a (1b), d. h. die Seite des Chipbondens, mit der Oberfläche des Basissubstrats 20 durch das Bondmittel 3 wie einem Lot elektrisch verbunden ist, ist darüber hinaus das Potential der Seite des Chipbondens das Massepotential. In diesem Fall sind die Bondinseln 11 mit der Rückseitenoberfläche des Halbleitersubstrats 7 durch (nicht dargestellte) Durchgangslöcher verbunden, so daß die Bondinseln 11 auf dem Massepotential festgelegt sind. Im folgenden werden die Bondinseln 11 Massekon­ taktstellen bzw. Masseinseln genannt, und die Drähte 12, welche die Massekontaktstellen 11 verbinden, werden Masse­ drähte genannt. Die Durchgangslöcher werden durch Bilden von Löchern erzeugt, welche das Halbleitersubstrat 7 von der Vorderseitenoberfläche bis zu der Rückseitenoberfläche durchdringen, und durch Metallisieren der inneren Wände der Löcher durch Überziehen mit Au oder dergleichen. Die Durch­ gangslöcher werden in einem Gebiet nahe der Massekon­ taktstellen 11 erzeugt und unter Verwendung von (nicht dar­ gestellten) Metallschichten, welche auf der Oberfläche des Halbleitersubstrats 7 gebildet sind, mit den Massekon­ taktstellen 11 verbunden. Anstelle der Durchgangslöcher können die Seitenoberflächen des Halbleitersubstrats metal­ lisiert werden, um die Massekontaktstellen 11 mit der Rück­ seitenoberfläche des Halbleitersubstrats zu verbinden.The high-frequency semiconductor chips 1 a and 1 b are attached to the base substrate 20 , which is a base metal of a carrier or of a module, with a bonding agent 3, such as a solder. The base substrate 20 is a metal substrate such as CuW or a ceramic substrate with a surface which is coated with a metal such as Au. The potential of the metal substrate or the metal coating layer is fixed to the ground potential. In addition, since the back surface of the high-frequency semiconductor chip 1 a ( 1 b), that is, the side of the chip bond, is electrically connected to the surface of the base substrate 20 by the bonding agent 3 like a solder, the potential of the side of the chip bond is the ground potential. In this case, the bond pads 11 are connected to the back surface of the semiconductor substrate 7 through through holes (not shown), so that the bond pads 11 are fixed at the ground potential. In the following, the bond pads 11 are called Masskon contact points or Masseinseln, and the wires 12 that connect the ground contact points 11 are called ground wires. The through holes are formed by forming holes that penetrate the semiconductor substrate 7 from the front surface to the rear surface and by metallizing the inner walls of the holes by coating with Au or the like. The clock filters through holes 11 are produced and using (not constitute provided) metal layers, which are formed on the surface of the semiconductor substrate 7, clock 11 is connected to provide the Massekon in an area near the Massekon. Instead of the through holes, the side surfaces of the semiconductor substrate can be metalized in order to connect the ground contact points 11 to the rear side surface of the semiconductor substrate.

Fig. 4 zeigt eine Draufsicht auf das Hochfrequenzschal­ tungsbauelement, bei welchem die Hochfrequenzhalbleiter­ chips 1a und 1b auf einem Baustein 70 angebracht sich, und Fig. 5 zeigt eine Querschnittsansicht entlang Linie 5-5 von Fig. 4. Bei diesen Figuren bezeichnen dieselben Bezugszei­ chen wie die in Fig. 1, 2 und 3 dargestellten Bezugszei­ chen dieselben oder entsprechende Teile. Ein Baustein 70 enthält das Basissubstrat 20, einen auf dem Basissubstrat 20 angeordneten unteren Keramikrahmen 21 und einen auf dem unteren Keramikrahmen 21 angeordneten oberen Keramikrahmen 22. Obwohl üblicherweise ein Deckel zum hermetischen Ver­ siegeln des Bausteins auf den oberen Keramikrahmen 22 ge­ bondet ist, ist er in der Figur weggelassen. Fig. 4 shows a plan view of the high-frequency circuit device in which the high-frequency semiconductor chips 1 a and 1 b are mounted on a module 70 , and Fig. 5 shows a cross-sectional view along line 5-5 of Fig. 4. In these figures, the same designate Reference characters like the reference characters shown in FIGS. 1, 2 and 3 are the same or corresponding parts. A block 70 includes the base substrate 20, arranged on the base substrate 20 lower ceramic frame 21 and disposed on the lower ceramic frame 21 upper ceramic frame 22nd Although a lid for hermetically sealing the package is usually bonded to the upper ceramic frame 22 , it is omitted from the figure.

Des weiteren sind Signalübertragungsleitungen 9 zum Übertragen von Hochfrequenzsignalen zwischen der Innenseite und der Außenseite des oberen Keramikrahmens 22, d. h. zwi­ schen der Innenseite und der Außenseite des Bausteins 70, auf der Oberfläche des unteren Keramikrahmens 21 an gegen­ überliegenden Seiten des Basissubstrats 20 und davon ge­ trennt angeordnet, welche unter dem oberen Keramikrahmen 22 verlaufen. Ein Teil der Signalübertragungsleitung 9 inner­ halb des oberen Keramikrahmens 22 wird als Bondinsel ver­ wendet. Die Dielektrizitätskonstante und Dicke des unteren Keramikrahmens 21 und die Breite der Signalübertragungslei­ tung 9 sind derart gewählt, daß die Signalübertragungslei­ tung 9 eine gewünschte charakteristische Impedanz zum Über­ tragen von Hochfrequenzsignalen besitzt. Die Signalübertra­ gungsleitung 9 weist eine Metallschicht beispielsweise aus W auf, und die bloßgelegte Oberfläche der Leitung 9 ist mit Au überzogen.Furthermore, signal transmission lines 9 for transmitting high-frequency signals between the inside and the outside of the upper ceramic frame 22 , that is, between the inside and the outside of the module 70 , on the surface of the lower ceramic frame 21 on opposite sides of the base substrate 20 and from it separately arranged, which run under the upper ceramic frame 22 . Part of the signal transmission line 9 within half of the upper ceramic frame 22 is used as a bond island ver. The dielectric constant and thickness of the lower ceramic frame 21 and the width of the signal transmission line 9 are selected such that the signal transmission line 9 has a desired characteristic impedance for transmitting high-frequency signals. The signal transmission line 9 has a metal layer, for example made of W, and the exposed surface of the line 9 is coated with Au.

Innerhalb des oberen Keramikrahmens 22 sind Massekon­ taktstellen 31 auf dem unteren Keramikrahmen 21 an gegen­ überliegenden Seiten der Signalübertragungsleitung 9 und davon getrennt angeordnet. Die Massekontaktstellen 31 sind mit der Oberfläche des Basissubstrats 20 unter Verwendung von (nicht dargestellten) Durchgangslöchern verbunden, wel­ che durch Bildung von Löchern erzeugt sind, welche den un­ teren Keramikrahmen 21 durchdringen, und durch Füllen der Löcher mit einer Paste, welche Wolfram enthält, oder mit einer (nicht dargestellten) metallisierten Seitenoberfläche des unteren Keramikrahmens 21, wodurch das Potential der Massekontaktstellen 31 auf das Massepotential festgelegt ist.Within the upper ceramic frame 22 , Masskon contact points 31 are arranged on the lower ceramic frame 21 on opposite sides of the signal transmission line 9 and separately therefrom. The ground pads 31 are connected to the surface of the base substrate 20 using through holes (not shown) which are formed by forming holes that penetrate the lower ceramic frame 21 and filling the holes with a paste containing tungsten, or with a metallized side surface (not shown) of the lower ceramic frame 21 , whereby the potential of the ground contact points 31 is fixed at the ground potential.

Auf dem Basissubstrat 20 sind die Hochfrequenzhalblei­ terchips 1a und 1b und eine Hochfrequenzsignalübertragungs­ durchgangsleitung 8 mit einem Bondmittel wie einem Lot durch Chipbonden angeordnet. Die Hochfrequenzsignalübertra­ gungsdurchgangsleitung 8 weist ein Substrat auf, welches eine Aluminiumkeramik oder einen Saphir enthält bzw. daraus besteht, und eine Hochfrequenzsignalübertragungsleitung 6, welche eine Metallschicht aufweist, die auf dem Substrat durch Galvanisieren oder auf ähnliche Weise gebildet ist. On the base substrate 20 , the high-frequency semiconductor terchips 1 a and 1 b and a high-frequency signal transmission through line 8 are arranged with a bonding agent such as a solder by chip bonding. The high-frequency signal transmission line 8 has a substrate containing or made of an aluminum ceramic or a sapphire, and a high-frequency signal transmission line 6 having a metal layer formed on the substrate by electroplating or the like.

Bei dieser Durchgangsleitung 8 sind die Dielektrizitätskon­ stante und die Dicke des Substrats und die Breite der Si­ gnalübertragungsleitung 6 derart gewählt, daß die Si­ gnalübertragungsleitung 6 eine gewünschte charakteristische Impedanz zum Übertragen von Hochfrequenzsignalen besitzt. Darüber hinaus sind Hochfrequenzsignalbondinseln 4 an ge­ genüberliegenden Enden der Signalübertragungsleitung 6 an­ geordnet, und Massekontaktstellen 11 sind an beiden Seiten jeder Hochfrequenzsignalbondinsel 4 angeordnet und davon getrennt. Ebenfalls bei dieser Durchgangsleitung 8 sind die Massekontaktstellen 11 mit der Oberfläche des Basissub­ strats 20 unter Verwendung von (nicht dargestellten) Durch­ gangslöchern verbunden, welche durch Bilden von Löchern, welche das Substrat durchdringen, und durch Füllen der Lö­ cher mit einer Paste, die Wolfram enthält, erzeugt oder mit einer (nicht dargestellten) metallisierten Seitenoberfläche des Substrats, wodurch das Potential der Kontaktstellen 11 auf dem Massepotential festgelegt ist.In this through line 8 , the dielectric constant and the thickness of the substrate and the width of the signal transmission line 6 are selected such that the signal transmission line 6 has a desired characteristic impedance for transmitting high-frequency signals. In addition, high-frequency signal pads 4 are arranged at ge opposite ends of the signal transmission line 6 , and ground contact points 11 are arranged on both sides of each high-frequency signal pad 4 and separated therefrom. Also in this through line 8 , the ground pads 11 are connected to the surface of the base substrate 20 using through holes (not shown) which are formed by forming holes which penetrate the substrate and by filling the holes with a paste which is tungsten contains, produces or with a (not shown) metallized side surface of the substrate, whereby the potential of the contact points 11 is fixed at the ground potential.

Um bei der in Fig. 4 und 5 dargestellten Struktur einen Hochleistungsausgang zu realisieren, sind die zwei Hochfrequenzhalbleiterchips 1a und 1b in Reihe miteinander verbunden, und die Durchgangsleitung 8 ist mit dem Chip 1a verbunden, um die Länge der in Reihe verbundenen Chips be­ züglich des inneren Raums des Bausteins 70 einzustellen. Des weiteren sind elektrische Verbindungen zwischen den Hochfrequenzhalbleiterchips 1a und 1b, zwischen dem Chip 1a und der Durchgangsleitung 8, zwischen der Durchgangsleitung 8 und dem Baustein 70 und zwischen dem Chip 1b und dem Bau­ stein 70 durch die Hochfrequenzsignaldrähte 2, welche die Hochfrequenzsignalbondinseln 4 und 9 verbinden, und durch die Massedrähte 12 erzielt, welche die Massekontaktstellen 11 und 31 verbinden. Die Massedrähte 12 sind parallel zu dem Hochfrequenzsignaldraht 2 angeordnet, so daß diese Drähte 2 und 12 eine Hochfrequenzsignalübertragungsleitung eines pseudoplanparallelen Typs bilden. Die charakteristi­ sche Impedanz der Hochfrequenzsignalübertragungsleitung 6 auf der Durchgangsleitung 8 und die charakteristische Impe­ danz der Signalübertragungsleitung 9 auf dem Baustein 70 betragen üblicherweise 50 Ohm. In diesem Fall ist das In­ tervall zwischen dem Hochfrequenzsignaldraht 2 und dem Mas­ sedraht 12 derart gewählt, daß die Impedanz der Hochfre­ quenzsignalübertragungsleitung des pseudoplanparallelen Typs, welche die Drähte 2 und 12 aufweist, etwa 50 Ohm be­ trägt. Obwohl die Durchgangsleitung 8 zum Einstellen der Länge der Hochfrequenzhalbleiterchips 1a und 1b, welche in Reihe verbunden sind, in dem Hochfrequenzschaltungsbauele­ ment entsprechend der ersten Ausführungsform der Erfindung verwendet wird, kann sie als Eingang/Ausgang-Impedanzanpas­ sungsschaltung verwendet werden. Bei den Fig. 4 und 5 sind zur Vereinfachung lediglich die Hochfrequenzsignal­ drähte 2 und die Massedrähte 12, welche die Hochfrequenzsi­ gnalübertragungsleitungen verbinden, dargestellt, und die Bonddrähte zum Verbinden von Vorspannungsanschlüssen sind weggelassen.In order to realize a high-power output in the structure shown in FIGS. 4 and 5, the two high-frequency semiconductor chips 1 a and 1 b are connected to each other in series, and the through line 8 is connected to the chip 1 a by the length of the chips connected in series be set with respect to the inner space of the block 70 . Furthermore, electrical connections between the high-frequency semiconductor chips 1 a and 1 b, between the chip 1 a and the through line 8 , between the through line 8 and the block 70 and between the chip 1 b and the block 70 by the high-frequency signal wires 2 , which the Connect high-frequency signal bond pads 4 and 9 , and achieved by the ground wires 12 , which connect the ground contact points 11 and 31 . The ground wires 12 are arranged in parallel to the high-frequency signal wire 2, so that these wires form 2 and 12, a high-frequency signal transmission line of a plane-parallel pseudo type. The characteristic impedance of the high-frequency signal transmission line 6 on the through line 8 and the characteristic impedance of the signal transmission line 9 on the module 70 are usually 50 ohms. In this case, the interval between the high-frequency signal wire 2 and the ground wire 12 is selected such that the impedance of the high-frequency signal transmission line of the pseudoplan-parallel type, which has the wires 2 and 12 , is about 50 ohms. Although the through line 8 for adjusting the length of the high-frequency semiconductor chips 1 a and 1 b, which are connected in series, is used in the high-frequency circuit component according to the first embodiment of the invention, it can be used as an input / output impedance matching circuit. In Figs. 4 and 5, only the high-frequency signal, for simplicity wires 2 and the ground wires 12 which connect gnalübertragungsleitungen the Hochfrequenzsi, shown, and the bonding wires for connecting bias terminals are omitted.

Entsprechend der ersten Ausführungsform der vorliegen­ den Erfindung sind wie oben beschrieben die elektrischen Verbindungen zwischen den Hochfrequenzhalbleiterchips 1a und 1b, zwischen dem Chip 1a und der Durchgangsleitung 8, zwischen der Durchgangsleitung 8 und dem Baustein 70 und zwischen dem Chip 1a und dem Baustein 70 durch Signalüber­ tragungsleitungen des pseudoplanparallelen Typs gebildet, welche jeweils einen Hochfrequenzsignaldraht 2 und ein Paar Massedrähte 12, welche parallel zu dem Draht 2 vorgesehen sind, aufweisen. Daher kann durch geeignetes Bestimmen des Intervalls zwischen den Drähten 2 und 12 die charakteristi­ sche Impedanz der Signalübertragungsleitung des pseudoplan­ parallelen Typs bezüglich der charakteristischen Impedanz der Signalübertragungsleitungen 6 auf den Hochfrequenzhalb­ leiterchips 1a und 1b und auf der Durchgangsleitung 8 und bezüglich der charakteristischen Impedanz der Signalüber­ tragungsleitungen 9 auf dem Baustein 70 angepaßt werden. Als Ergebnis wird eine unerwünschte Dämpfung der Hochfre­ quenzsignale infolge einer Impedanzfehlanpassung zwischen dem Hochfrequenzsignaldraht 2 und der Signalübertragungs­ leitung 6 oder 9 vermieden.According to the first embodiment of the present invention, as described above, the electrical connections between the high-frequency semiconductor chips 1 a and 1 b, between the chip 1 a and the through line 8 , between the through line 8 and the chip 70 and between the chip 1 a and Module 70 is formed by signal transmission lines of the pseudoplan-parallel type, each having a high-frequency signal wire 2 and a pair of ground wires 12 , which are provided in parallel with the wire 2 . Therefore, by appropriately determining the interval between the wires 2 and 12, the characteristic impedance of the signal transmission line of the pseudoplan parallel type with respect to the characteristic impedance of the signal transmission lines 6 on the high-frequency semiconductor chips 1 a and 1 b and on the through line 8 and with respect to the characteristic impedance of the Signal transmission lines 9 are adapted on the block 70 . As a result, an undesirable attenuation of the high-frequency signals due to an impedance mismatch between the high-frequency signal wire 2 and the signal transmission line 6 or 9 is avoided.

Fig. 6 veranschaulicht die Dämpfung eines Hochfrequenz­ signals zwischen 2 Hochfrequenzsignalübertragungs­ durchgangsleitungen 8, welche in einem Intervall von 75 bis 100 µm angeordnet sind und miteinander mit einem Hochfre­ quenzsignaldraht 2 und zwei Massedrähten 12 verbunden sind, wobei die Drähte eine Signalübertragungsleitung eines pseu­ doplanparallelen Typs bilden, welche eine charakteristische Impedanz äquivalent zu derjenigen der Signalübertragungs­ leitung 6 auf der Durchgangsleitung 8 aufweist. Au-Drähte mit einem Durchmesser von 25 µm werden als Hochfrequenzsi­ gnaldraht 2 und Massedrähte 12 verwendet. Die Dämpfung wird zwischen Eingangs/Ausgangsanschlüssen (Bondinseln), welche nicht mit den Drähten verbunden sind, der Durchgangsleitun­ gen 8 gemessen. Wie aus Fig. 6 ersichtlich ist die Dämfpung des Hochfrequenzsignals im Vergleich mit der Dämpfung, wel­ che bei der in Fig. 28 dargestellten Schaltung nach dem Stand der Technik erzielt wird, wesentlich reduziert. Fig. 6 illustrates the attenuation of a high-frequency signal between two high-frequency signal transmission through lines 8 , which are arranged in an interval of 75 to 100 microns and are connected to each other with a high-frequency signal wire 2 and two ground wires 12 , the wires forming a signal transmission line of a pseu doplan-parallel type , which has a characteristic impedance equivalent to that of the signal transmission line 6 on the through line 8 . Au wires with a diameter of 25 microns are used as high-frequency signal wire 2 and earth wires 12 . The attenuation is measured between the input / output connections (bond pads), which are not connected to the wires, of the feedthrough lines 8 . As can be seen from FIG. 6, the attenuation of the high-frequency signal is considerably reduced in comparison with the attenuation which is achieved in the circuit according to the prior art shown in FIG. 28.

Obwohl Au-Drähte als Hochfrequenzsignaldraht 2 und Mas­ sedraht 12 bei dieser ersten Ausführungsform der Erfindung verwendet werden, können Al-Drähte, Cu-Drähte oder Au- Streifen mit denselben Effekten wie oben beschrieben ver­ wendet werden.Although Au wires are used as high frequency signal wire 2 and ground wire 12 in this first embodiment of the invention, Al wires, Cu wires or Au strips can be used with the same effects as described above.

Obwohl das Halbleitersubstrat des Hochfrequenzhalblei­ terchips 1 GaAs aufweist, kann es des weiteren andere Ver­ bindungshalbleiter oder andere Halbleiter wie Si aufweisen.Furthermore, although the semiconductor substrate of the high-frequency semiconductor chip 1 has GaAs, it may have other compound semiconductors or other semiconductors such as Si.

Fig. 7 und 8 zeigen eine perspektivische Ansicht und eine Seitenansicht, welche ein Hochfrequenzschaltungsbaue­ lement entsprechend einer zweiten Ausführungsform der vor­ liegenden Erfindung veranschaulichen. Bei dieser zweiten Ausführungsform der Erfindung sind wie in Fig. 7 und 8 dargestellt zwei Hochfrequenzschaltungsbausteine 100a und 100b auf einem Bausteinsubstrat 40 angeordnet und über ei­ nen Hochfrequenzsignaldraht 102 und zwei Massedrähte 112 miteinander verbunden, wobei die Drähte ähnlich dem Hoch­ frequenzsignaldraht 2 und den Massedrähten 12 entsprechend der ersten Ausführungsform der Erfindung sind. In den Figu­ ren bezeichnen dieselben Bezugszeichen wie die in Fig. 1 bis 5 dargestellten Bezugszeichen dieselben oder entspre­ chende Teile. Bezugszeichen 23 bezeichnet einen Deckel zum hermetischen Versiegeln des Bausteins 100a (100b). Bezugs­ zeichen 32 bezeichnet Massekontaktstellen mit einem Poten­ tial äquivalent zu dem Massepotential. Der Hochfrequenz­ halbleiterbaustein 100a (100b) enthält ein Basis- bzw. Trä­ gersubstrat 30, einen unteren Keramikrahmen 21, einen obe­ ren Keramikrahmen 22, einen Deckel 23, ein auf dem Basis­ substrat 30 angeordnetes Hochfrequenzhalbleiterchip 101 und eine (nicht dargestellte) Hochfrequenzsignalübertragungs­ durchgangsleitung, welche mit dem Hochfrequenzhalbleiter­ chip 101 verbunden ist. Auf der Oberfläche des unteren Ke­ ramikrahmens 21 außerhalb des oberen Keramikrahmens 22 sind die Massekontaktstellen 32 auf gegenüberliegenden Seiten der Signalübertragungsleitung 9 und davon getrennt angeord­ net. Die Massekontaktstellen 32 sind mit dem Basissubstrat 30 durch (nicht dargestellte) Durchgangslöcher, welche den unteren Keramikrahmen 21 durchdringen, oder einer (nicht dargestellten) metallisierten Seitenoberfläche des unteren Keramikrahmens 21 verbunden, wodurch das Potential der Kon­ taktstellen 32 auf dem Massepotential festgelegt ist. FIGS. 7 and 8 show a perspective view and a side view showing a Hochfrequenzschaltungsbaue lement according to a second embodiment of the front lying illustrate the invention. In this second embodiment of the invention, as shown in FIGS. 7 and 8, two high-frequency circuit components 100 a and 100 b are arranged on a component substrate 40 and are connected to one another via a high-frequency signal wire 102 and two ground wires 112 , the wires being similar to the high-frequency signal wire 2 and Are ground wires 12 according to the first embodiment of the invention. In the figures, the same reference numerals as the reference numerals shown in FIGS . 1 to 5 denote the same or corresponding parts. Reference numeral 23 denotes a lid for hermetically sealing the block 100 a ( 100 b). Reference numeral 32 denotes ground contact points with a potential equivalent to the ground potential. The high-frequency semiconductor device 100 a ( 100 b) contains a base or carrier substrate 30 , a lower ceramic frame 21 , an upper ceramic frame 22 , a cover 23 , a high-frequency semiconductor chip 101 arranged on the base 30 and a (not shown) high-frequency signal transmission through line, which is connected to the high-frequency semiconductor chip 101 . On the surface of the lower Ke ramikrahmens 21 outside the upper ceramic frame 22 , the ground contact points 32 are on opposite sides of the signal transmission line 9 and separately angeord net. The ground pads 32 are connected to the base substrate 30 through through holes (not shown) that penetrate the lower ceramic frame 21 , or a metallized side surface (not shown) of the lower ceramic frame 21 , whereby the potential of the contact pads 32 is fixed at the ground potential.

Zwischen den Hochfrequenzhalbleiterbausteinen 100a und 100b sind die Signalübertragungsleitungen 9 mit dem Hoch­ frequenzsignaldraht 102 verbunden, und die Massekon­ taktstellen 32 sind mit den Massedrähten 112 verbunden. Die Massedrähte 112 sind parallel zu dem Hochfrequenzsi­ gnaldraht 102 angeordnet, und diese Drähte 102 und 112 er­ zeugen eine Hochfrequenzsignalübertragungsleitung eines pseudoplanparallelen Typs. Au-Drähte mit einem Durchmesser von etwa 25 µm werden als diese Drähte 102 und 112 verwen­ det. Da die charakteristische Impedanz der Signalübertra­ gungsleitung 9 gewöhnlich bei 50 Ohm liegt, wird das Inter­ vall zwischen dem Hochfrequenzsignaldraht 102 und dem Mas­ sedraht 112 derart gewählt, daß die charakteristische Impe­ danz der Signalübertragungsleitung des pseudoplanparallelen Typs, welche die Drähte 102 und 112 enthält, bei etwa 50 Ohm liegt.Between the high-frequency semiconductor devices 100 a and 100 b, the signal transmission lines 9 are connected to the high-frequency signal wire 102 , and the ground contact points 32 are connected to the ground wires 112 . The ground wires 112 are arranged in parallel with the high-frequency signal wire 102 , and these wires 102 and 112 create a high-frequency signal transmission line of a pseudoplan-parallel type. Au wires with a diameter of about 25 µm are used as these wires 102 and 112 . Since the characteristic impedance of the signal transmission line 9 is usually 50 ohms, the interval between the high frequency signal wire 102 and the ground wire 112 is selected such that the characteristic impedance of the signal transmission line of the pseudoplan parallel type, which contains the wires 102 and 112 , at is about 50 ohms.

Da wie oben beschrieben in Übereinstimmung mit der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung die Hochfrequenzhalbleiterbausteine 100a und 100b miteinander über die Signalübertragungsleitung des pseudoplanparallelen Typs verbunden sind, welche den Hochfrequenzsignaldraht 102 und die Massedrähte 112 aufweist, die parallel zueinander ausgerichtet sind, kann die charakteristische Impedanz der Signalübertragungsleitung des pseudoplanparallelen Typs, welche die Drähte 102 und 112 aufweist, bezüglich der cha­ rakteristischen Impedanz der Signalübertragungsleitung 9 auf dem Baustein durch geeignetes Bestimmen des Intervalls zwischen den Drähten 102 und 112 angepaßt werden. Als Er­ gebnis wird eine unerwünschte Dämpfung eines Hochfrequenz­ signals infolge einer Impedanzfehlanpassung zwischen dem Hochfrequenzsignaldraht 102 und der Signalübertragungslei­ tung 9 vermieden.As described above, in accordance with the second embodiment of the present invention, since the high-frequency semiconductor devices 100 a and 100 b are connected to each other via the signal transmission line of the pseudoplan-parallel type, which has the high-frequency signal wire 102 and the ground wires 112 , which are aligned parallel to one another, the characteristic impedance can the signal transmission line of the pseudoplan-parallel type, which has the wires 102 and 112 , can be matched with respect to the characteristic impedance of the signal transmission line 9 on the module by appropriately determining the interval between the wires 102 and 112 . As a result, an undesirable attenuation of a high frequency signal due to an impedance mismatch between the high frequency signal wire 102 and the signal transmission line 9 is avoided.

Obwohl Au-Drähte als Drähte zum Verbinden der Hochfre­ quenzhalbleiterbausteine 100a und 100b verwendet werden, können Au-Streifen, die jeweils eins Breite von 0,1 bis 0,2 mm und eine Dicke von etwa 50 µm besitzen, mit denselben Effekten wie oben beschrieben verwendet werden.Although Au wires are used as wires for connecting the Hochfre quenz semiconductor devices 100 a and 100 b, Au strips, each having a width of 0.1 to 0.2 mm and a thickness of about 50 microns can with the same effects as can be used as described above.

Bei einem Hochfrequenzschaltungsbauelement entsprechend einer dritten Ausführungsform der Erfindung sind zwei Hoch­ frequenzhalbleiterchips miteinander über einen Hochfre­ quenzsignaldraht und zwei Massedrähte miteinander verbun­ den, welche ähnlich wie die entsprechend der ersten Ausfüh­ rungsform der Erfindung beschriebenen Drähte 2 und 12 aus­ gebildet sind, und es ist eine dielektrische Schicht zwi­ schen den Drähten und einem Basis- bzw. Trägersubstrat an­ geordnet.In a high-frequency circuit device according to a third embodiment of the invention, two high-frequency semiconductor chips are connected to one another via a high-frequency signal wire and two ground wires, which are formed similarly to the wires 2 and 12 described in accordance with the first embodiment of the invention, and it is a dielectric one Layer arranged between the wires and a base or carrier substrate.

Fig. 9 und 10 zeigen eine perspektivische Ansicht, bzw. eine Seitenansicht, welche ein Hochfrequenzschaltungs­ bauelement entsprechend einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulichen. Bei den Figuren bezeichnen dieselben Bezugszeichen wie die in den Fig. 1 bis 8 verwendeten Bezugszeichen dieselben oder entspre­ chende Teile. Bei diesem Bauelement sind 2 Hochfrequenz­ halbleiterchips 1a und 1b auf einer Oberfläche eines Basis­ substrats 30 angeordnet und über Drähte 2 und 12 miteinan­ der verbunden, und eine dielektrische Schicht 13, bei­ spielsweise Epoxidharz, ist zwischen den Drähten und dem Basissubstrat angeordnet. Wenigstens die Oberfläche des Ba­ sissubstrats 30 ist auf dem Massepotential festgelegt. D. h. das Basissubstrat 30 ist ein Metallsubstrat, welches CuW enthält, oder ein Keramiksubstrat mit einer Metallschicht wie einer Au-Schicht, welches auf der Oberfläche durch Gal­ vanisieren oder dergleichen gebildet ist, und das Potential des Metallsubstrats oder der Metallschicht ist auf das Mas­ sepotential festgelegt. Hiernach wird das Basissubstrat 30 als Massepotentialsubstrat bezeichnet. FIGS. 9 and 10 show a perspective view and a side view showing a high-frequency circuit device according to illustrate a third embodiment of the present invention. In the figures, the same reference numerals as the reference numerals used in FIGS . 1 to 8 denote the same or corresponding parts. In this component, 2 high-frequency semiconductor chips 1 a and 1 b are arranged on a surface of a base substrate 30 and connected to one another via wires 2 and 12 , and a dielectric layer 13 , for example epoxy resin, is arranged between the wires and the base substrate. At least the surface of the base substrate 30 is set to the ground potential. That is, the base substrate 30 is a metal substrate containing CuW or a ceramic substrate having a metal layer such as an Au layer formed on the surface by electroplating or the like, and the potential of the metal substrate or the metal layer is fixed to the ground potential. Hereinafter, the base substrate 30 is referred to as a ground potential substrate.

Zwischen den Hochfrequenzhalbleiterchips 100a und 100b sind die Hochfrequenzsignalbondinseln 4 der jeweiligen Chips miteinander über den Hochfrequenzsignaldraht 2 ver­ bunden, und die Massekontaktstellen 11 der jeweiligen Chips sind miteinander über die Massedrähte 12 wie bei der ersten Ausführungsform der Erfindung verbunden. Bei dieser dritten Ausführungsform der Erfindung ist eine dielektrische Schicht 13, welche ein Epoxidharz aufweist, zwischen den Drähten 2 und 12 und der Oberfläche des Basissubstrats 30 aufgetragen. Die Drähte 2 und 12, die dielektrische Schicht 13 und das Basissubstrat 30 bilden eine Hochfrequenzsi­ gnalübertragungsleitung eines pseudoplanparallelen Typs mit einer Masseebene. Obwohl Epoxidharz als Material der die­ lektrischen Schicht verwendet wird, kann Silikonharz oder Polyimidharz verwendet werden. Die Dielektrizitätskonstante der dielektrischen Schicht 13 kann durch Ändern des Materi­ als der Schicht 13 verändert werden.Between the high-frequency semiconductor chips 100 a and 100 b, the high-frequency signal bond pads 4 of the respective chips are connected to one another via the high-frequency signal wire 2 , and the ground contact points 11 of the respective chips are connected to one another via the ground wires 12 as in the first embodiment of the invention. In this third embodiment of the invention, a dielectric layer 13 comprising an epoxy resin is applied between the wires 2 and 12 and the surface of the base substrate 30 . The wires 2 and 12 , the dielectric layer 13 and the base substrate 30 form a high-frequency signal transmission line of a pseudoplan-parallel type with a ground plane. Although epoxy resin is used as the material of the dielectric layer, silicone resin or polyimide resin can be used. The dielectric constant of the dielectric layer 13 can be changed by changing the material as the layer 13 .

Bei dieser dritten Ausführungsform der Erfindung bilden der Hochfrequenzsignaldraht 2, die Massedrähte 12, die die­ lektrische Schicht 13 und das Basissubstrat 30 eine Hoch­ frequenzsignalübertragungsleitung eines pseudoplanparalle­ len Typs mit einer Masseebene. Die charakteristische Impe­ danz dieser Signalübertragungsleitung des pseudoplanparal­ lelen Typs kann bezüglich der charakteristischen Impedanz der Signalübertragungsleitung 6, welche mit der Hochfre­ quenzsignalbondinsel 4 auf dem Halbleiterchip 1a (1b) ver­ bunden ist, durch geeignetes Bestimmen des Intervalls zwi­ schen den Drähten 2 und 12, des Intervalls zwischen diesen Drähten und der Oberfläche des Massepotentialsubstrats 30 und der Dielektrizitätskonstante der dielektrischen Schicht 13 angepaßt werden. Daher wird eine unerwünschte Dämpfung eines Hochfrequenzsignals, welche durch eine Impedanz­ fehlanpassung zwischen dem Hochfrequenzsignaldraht 2 und den Hochfrequenzhalbleiterchips 1a und 1b hervorgerufen wird, vermieden.In this third embodiment of the invention, the high-frequency signal wire 2 , the ground wires 12 , the dielectric layer 13 and the base substrate 30 form a high-frequency signal transmission line of a pseudoplan parallel type with a ground plane. The characteristic impedance of this signal transmission line of the pseudoplan-paral lel type can be determined by suitably determining the interval between the wires 2 and 12 with respect to the characteristic impedance of the signal transmission line 6 , which is connected to the high-frequency signal bond island 4 on the semiconductor chip 1 a ( 1 b) , the interval between these wires and the surface of the ground potential substrate 30 and the dielectric constant of the dielectric layer 13 are adjusted. Therefore, an undesired damping of a high-frequency signal, which is caused by an impedance mismatch between the high-frequency signal wire 2 and the high-frequency semiconductor chips 1 a and 1 b, is avoided.

Da die charakteristische Impedanz der Signalübertra­ gungsleitung 6 auf dem Hochfrequenzhalbleiterchip 1a (1b) gewöhnlich 50 Ohm beträgt, werden insbesondere das Inter­ vall zwischen den Drähten 2 und 12, das Intervall zwischen diesen Drähten und der Oberfläche des Basissubstrats 30 und die Dielektrizitätskonstante der dielektrischen Schicht 13 derart gewählt, daß die Impedanz der Signalübertragungslei­ tung des pseudoplanparallelen Typs mit einer Masseebene et­ wa bei 50 Ohm liegt. Since the characteristic impedance of the signal transmission line 6 on the high-frequency semiconductor chip 1 a ( 1 b) is usually 50 ohms, in particular the interval between the wires 2 and 12 , the interval between these wires and the surface of the base substrate 30 and the dielectric constant of the dielectric Layer 13 chosen such that the impedance of the signal transmission line of the pseudoplan-parallel type with a ground plane is approximately 50 ohms.

Obwohl Epoxidharz als Material der dielektrischen Schicht bei dem in Fig. 9 und 10 dargestellten Hochfre­ quenzschaltungsbauelement verwendet wird, kann eine Mi­ schung aus Epoxidharz und einer Körnung aus Bariumtitanat 15, welche ein Material mit hoher Dielektrizitätskonstante darstellt, wie in Fig. 11 und 12 dargestellt verwendet werden. Anstelle von Bariumtitanat 15 kann Kalziumtitanat oder Lithiumniobat als das Material mit hoher Dielektrizi­ tätskonstante verwendet werden. Die Dielektrizitätskon­ stante der dielektrischen Schicht 13 kann in einem großen Bereich durch Ändern des Mischungsverhältnisses des Materi­ als der hohen Dielektrizitätskonstante zu dem Epoxidharz oder durch Ändern des Materials der hohen Dielektrizitäts­ konstante selbst verändert werden. Als Ergebnis kann die charakteristische Impedanz der Hochfrequenzsignalübertra­ gungsleitung des pseudoplanparallelen Typs mit einer hohen Masseebene leicht gesteuert werden.Although epoxy resin is used as the material of the dielectric layer in the high-frequency circuit device shown in FIGS . 9 and 10, a mixture of epoxy resin and a grain of barium titanate 15 , which is a material with a high dielectric constant, as shown in FIGS. 11 and 12 be used. Instead of barium titanate 15 , calcium titanate or lithium niobate can be used as the material with high dielectric constant. The dielectric constant of the dielectric layer 13 can be changed over a wide range by changing the mixing ratio of the material as the high dielectric constant to the epoxy resin or by changing the material of the high dielectric constant itself. As a result, the characteristic impedance of the high-frequency signal transmission line of the pseudoplan-parallel type with a high ground plane can be easily controlled.

Bei dieser dritten Ausführungsform der Erfindung ist der Schwerpunkt auf die elektrische Verbindung zwischen den Hochfrequenzhalbleiterchips 1a und 1b durch eine Hochfre­ quenzsignalübertragungsleitung eines pseudoplanparallelen Typs mit einer Masseplatte, welche die Drähte 2 und 12, ei­ ne dielektrische Schicht 13 und ein Basissubstrat 13 auf­ weist, gelegt worden. Jedoch kann eine Hochfrequenzsi­ gnalübertragungsleitung eines pseudoplanparallelen Typs mit einer Masseplatte für eine elektrische Verbindung zwischen einem Hochfrequenzhalbleiterchip 1a (1b) und einer Hochfre­ quenzsignalübertragungsdurchgangsleitung 8, zwischen dem Hochfrequenzhalbleiterchip und einem Baustein 70 oder zwi­ schen der Hochfrequenzsignalübertragungsdurchgangsleitung 8 und dem Baustein 70 verwendet werden. Ebenfalls wird in diesem Fall eine unerwünschte Dämpfung eines Hochfrequenz­ signals infolge einer Fehlanpassung an einem Teil, welches den Draht verbindet, vermieden. In this third embodiment of the invention, the focus is on the electrical connection between the high-frequency semiconductor chips 1 a and 1 b by a Hochfre frequency signal transmission line of a pseudoplan-parallel type with a ground plate, which has the wires 2 and 12 , a dielectric layer 13 and a base substrate 13 , has been laid. However, a high-frequency signal transmission line of a pseudoplan-parallel type with a ground plate for an electrical connection between a high-frequency semiconductor chip 1 a ( 1 b) and a high-frequency signal transmission through line 8 , between the high-frequency semiconductor chip and a module 70 or between the high-frequency signal transmission through line 8 and the module 70 can be used. Also in this case, an undesired damping of a high-frequency signal due to a mismatch on a part that connects the wire is avoided.

Bei einem Hochfrequenzschaltungsbauelement entsprechend einer vierten Ausführungsform der Erfindung sind zwei Hoch­ frequenzhalbleiterbausteine, welche Hochfrequenzhalbleiter­ chips enthalten, miteinander über einen Hochfrequenzsi­ gnaldraht und zwei Massedrähte miteinander verbunden, und eine dielektrische Schicht ist zwischen den Drähten und ei­ nem Substrat angeordnet.Correspondingly for a high-frequency circuit component A fourth embodiment of the invention is two high frequency semiconductor devices, which high-frequency semiconductors chips included with each other via a radio frequency si gnald wire and two ground wires connected to each other, and a dielectric layer is between the wires and egg Arranged nem substrate.

Fig. 13 und 14 zeigen eine perspektivische Ansicht und eine Seitenansicht, welche ein Hochfrequenzschaltungs­ bauelement entsprechend der vierten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulichen. Bei diesen Figuren bezeichnen dieselben Bezugszeichen wie die in Fig. 1 bis 12 verwendeten Bezugszeichen dieselben oder entsprechende Teile. Bei dem Hochfrequenzschaltungsbauelement sind zwi­ schen zwei Hochfrequenzhalbleiterchips 100a und 100b, wel­ che auf einem Bausteinsubstrat 50 angeordnet sind, Si­ gnalübertragungsleitungen 9 auf den jeweiligen Bausteinen über einen Hochfrequenzsignaldraht 102 miteinander verbun­ den, und Massekontaktstellen 32 auf den jeweiligen Baustei­ nen sind über zwei Massedrähte 112 miteinander verbunden. Des weiteren ist eine dielektrische Schicht 113, welche Epoxidharz aufweist oder daraus besteht, zwischen diesen Drähten 102 und 112 und dem Bausteinsubstrat 50 angeordnet. Anstelle von Epoxidharz kann Silikonharz oder Polyimidharz als Material der dielektrischen Schicht 113 verwendet wer­ den. Die Dielektrizitätskonstante der dielektrischen Schicht 113 kann durch Ändern des Materials geändert wer­ den. Wenigstens ein Teil der Oberfläche des Baustein­ substrats 50 gegenüber den Drähten 102 und 112 ist auf das Massepotential festgelegt. Hiernach wird das Baustein­ substrat 50 als Massepotentialsubstrat bezeichnet. Die Si­ gnalübertragungsleitungen 9 auf den Bausteinen, die Masse­ kontaktstellen 32, der Hochfrequenzsignaldraht 102 und die Massedrähte 112 sind zu denjenigen der bereits bezüglich der Fig. 7 und 8 entsprechend der zweiten Ausführungs­ form beschriebenen identisch. Da die dielektrische Schicht 113, welche Epoxidharz aufweist, zwischen den Drähten 102 und 112 und dem Massepotentialsubstrat 50 angeordnet ist, ist eine Hochfrequenzsignalübertragungsleitung eines pseu­ doplanparallelen Typs mit einer Masseplatte durch die Dräh­ te 102 und 112, die dielektrische Schicht 113 und das Mas­ sepotentialsubstrat 50 gebildet. FIGS. 13 and 14 show a perspective view and a side view showing a high-frequency circuit device according to illustrate the fourth embodiment of the present invention. In these figures, the same reference numerals as the reference numerals used in Figs. 1 to 12 denote the same or corresponding parts. In the high-frequency circuit component are between two high-frequency semiconductor chips 100 a and 100 b, which are arranged on a block substrate 50 , signal transmission lines 9 on the respective blocks via a high-frequency signal wire 102 , and ground contact points 32 on the respective blocks are over two ground wires 112 connected together. Furthermore, a dielectric layer 113 , which has or consists of epoxy resin, is arranged between these wires 102 and 112 and the component substrate 50 . Instead of epoxy resin, silicone resin or polyimide resin can be used as the material of the dielectric layer 113 . The dielectric constant of the dielectric layer 113 can be changed by changing the material. At least part of the surface of the component substrate 50 with respect to the wires 102 and 112 is fixed to the ground potential. Hereinafter, the component substrate 50 is referred to as the ground potential substrate. The signal transmission lines 9 on the building blocks, the ground contact points 32 , the high-frequency signal wire 102 and the ground wires 112 are identical to those already described with reference to FIGS . 7 and 8 in accordance with the second embodiment. Since the dielectric layer 113 comprising epoxy resin is interposed between the wires 102 and 112 and the ground potential substrate 50 , a high-frequency signal transmission line of a pseu doplan-parallel type with a ground plate is through the wires 102 and 112 , the dielectric layer 113 and the ground potential substrate 50 educated.

Bei dieser vierten Ausführungsform der Erfindung bilden der Hochfrequenzsignaldraht 102, die Massedrähte 112, die dielektrische Schicht 113 und das Massepotentialsubstrat 50 eine Hochfrequenzsignalübertragungsleitung eines pseu­ doplanparallelen Typs mit einer Masseplatte. Die charakte­ ristische Impedanz dieser Signalübertragungsleitung des pseudoplanparallelen Typs kann bezüglich der charakteristi­ schen Impedanz der Signalübertragungsleitung 9 auf dem Bau­ stein durch geeignetes Bestimmen des Intervalls zwischen den Drähten 102 und 112, des Intervalls zwischen diesen Drähten und Oberfläche des Massepotentialsubtrats 50 und der Dielektrizitätskonstante der dielektrischen Schicht 113 angepaßt werden. Daher wird eine unerwünschte Dämpfung ei­ nes Hochfrequenzsignals, welche durch eine Impedanzfehlan­ passung zwischen dem Hochfrequenzsignaldraht 102 und den Halbleiterbausteinen 100a und 100b hervorgerufen wird, ver­ mieden.In this fourth embodiment of the invention, the high-frequency signal wire 102 , the ground wires 112 , the dielectric layer 113 and the ground potential substrate 50 form a high-frequency signal transmission line of a pseu doplan-parallel type with a ground plate. The characteristic impedance of this signal transmission line of the pseudoplan-parallel type can be determined with respect to the characteristic impedance of the signal transmission line 9 on the device by appropriately determining the interval between the wires 102 and 112 , the interval between these wires and the surface of the ground potential substrate 50 and the dielectric constant of the dielectric layer 113 can be adjusted. Therefore, an undesirable attenuation of a high-frequency signal, which is caused by an impedance mismatch between the high-frequency signal wire 102 and the semiconductor components 100 a and 100 b, is avoided.

Da die charakteristische Impedanz der Signalübertra­ gungsleitung 9 auf dem Hochfrequenzhalbleiterbaustein 100a (100b) üblicherweise 50 Ohm beträgt, wird insbesondere die Impedanz der Signalübertragungsleitung des pseudoplanparal­ lelen Typs mit einer Masseebene auf etwa 50 Ohm bestimmt.Since the characteristic impedance of the signal transmission line 9 on the high-frequency semiconductor device 100 a ( 100 b) is usually 50 ohms, in particular the impedance of the signal transmission line of the pseudoplanparal lelic type is determined with a ground plane to about 50 ohms.

Obwohl Epoxidharz als Material der dielektrischen Schicht 113 bei dem in Fig. 13 und 14 dargestellten Hochfrequenzschaltungsbauelement verwendet wird, kann eine Mischung eines Epoxidharzes und einer Körnung aus Bariumti­ tanat 115, welches ein Material mit einer hohen Dielektri­ zitätskonstante ist, als Material der dielektrischen Schicht 113 wie in Fig. 15 und 16 dargestellt verwendet werden. Des weiteren kann anstelle des Bariumtitanats 115 Kalziumtitanat oder Lithiumniobat als das Material mit ho­ her Dielektrizitätskonstante verwendet werden. Die Dielek­ trizitätskonstante der dielektrischen Schicht 113 kann in einem großen Bereich durch Ändern der Dichte des Materials mit hoher Dielektrizitätskonstante in dem Epoxidharz oder durch Ändern des Materials mit hoher Dielektrizitätskon­ stante selbst verändert werden. Als Ergebnis kann die cha­ rakteristische Impedanz der Hochfrequenzsignalübertragungs­ leitung des pseudoplanparallelen Typs mit einer Masseebene leicht gesteuert werden.Although epoxy resin is used as the material of the dielectric layer 113 in the high frequency circuit device shown in FIGS . 13 and 14, a mixture of an epoxy resin and a grain of barium titanate 115 , which is a material with a high dielectric constant, can be used as the material of the dielectric layer 113 as shown in Figs. 15 and 16. Furthermore, instead of the barium titanate 115, calcium titanate or lithium niobate can be used as the high dielectric constant material. The dielectric constant of the dielectric layer 113 can be changed in a wide range by changing the density of the high dielectric material in the epoxy resin or by changing the high dielectric material itself. As a result, the characteristic impedance of the high-frequency signal transmission line of the pseudoplan-parallel type with a ground plane can be easily controlled.

Obwohl Au-Drähte als Drähte zum Verbinden der Hochfre­ quenzhalbleiterbausteine 100a und 100b verwendet werden, können Au-Streifen, die jeweils eine Breite von 0,1 bis 0,2 mm und eine Dicke von etwa 50 µm besitzen, mit denselben Effekten wie oben beschrieben verwendet werden.Although Au wires are used as wires for connecting the high-frequency semiconductor devices 100 a and 100 b, Au strips, each having a width of 0.1 to 0.2 mm and a thickness of about 50 μm, can have the same effects as can be used as described above.

Bei einem Hochfrequenzschaltungsbauelement entsprechend einer fünften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung sind zwei Hochfrequenzhalbleiterchips miteinander über ei­ nen Hochfrequenzsignaldraht verbunden, und eine dielektri­ sche Schicht ist zwischen dem Draht und einem Basissubstrat angeordnet.Correspondingly for a high-frequency circuit component a fifth embodiment of the present invention are two high frequency semiconductor chips with each other via egg NEN high frequency signal wire connected, and a dielectri layer is between the wire and a base substrate arranged.

Fig. 17 und 18 zeigen eine perspektivische Ansicht bzw. eine Seitenansicht, welche ein Hochfrequenzschaltungs­ bauelement entsprechend der fünften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulichen. Bei den Figuren bzeichnen dieselben Bezugszeichen wie die in Fig. 1 bis 16 verwendeten Bezugszeichen dieselben oder entsprechende Teile. Bei dem Hochfrequenzschaltungsbauelement sind zwei Hochfrequenzhalbleiterchips 1a und 1b auf einem Basis- bzw. Trägersubstrat 30 angeordnet und miteinander über einen Hochfrequenzsignaldraht 2 verbunden, und eine dielektrische Schicht 13, welche Epoxidharz aufweist oder daraus besteht, ist zwischen dem Draht 2 und dem Substrat 30 angeordnet. Wenigstens die Oberfläche des Basissubstrats 30 ist auf das Massepotential festgelegt. Ein Au-Draht oder ein Au-Strei­ fen wird als Hochfrequenzsignaldraht 2 verwendet. FIGS. 17 and 18 show a perspective view and a side view showing a high-frequency circuit device according to illustrate the fifth embodiment of the present invention. In the figures, the same reference symbols as the reference symbols used in FIGS . 1 to 16 denote the same or corresponding parts. In the high-frequency circuit component two high-frequency semiconductor chip 1 a and 1 b on a base or supporting substrate 30 is arranged and connected to each other via a high-frequency signal wire 2, and a dielectric layer 13, which has epoxy or consists thereof, is between the wire 2 and the substrate 30 arranged. At least the surface of the base substrate 30 is set to the ground potential. An Au wire or Au strip is used as the high frequency signal wire 2 .

Zwischen den Hochfrequenzhalbleiterchips 100a und 100b sind die Hochfrequenzsignalbondinseln 4 der jeweiligen Chips miteinander über den Hochfrequenzsignaldraht 2 ver­ bunden, und die dielektrische Schicht 13, welche Epoxidharz aufweist, ist zwischen dem Draht 2 und der Oberfläche des Basissubstrats 30 angeordnet. Der Draht 2, die dielektri­ sche Schicht 13 und das Basissubstrat 30 bilden eine Hoch­ frequenzsignalübertragungsleitung eines Pseudomikrostrei­ fentyps. Obwohl Epoxidharz als dielektrische Schicht 13 verwendet wird, kann Silikonharz oder Polyimidharz verwen­ det werden. Die Dielektrizitätskonstante der dielektrischen Schicht 13 kann durch Ändern des Materials der Schicht 13 geändert werden.Between the high-frequency semiconductor chips 100 a and 100 b are the high-frequency signal bonding pads 4 of the respective chips ver each other via the high-frequency signal wire 2 connected, and the dielectric layer 13, which has epoxy, is disposed between the wire 2 and the surface of the base substrate 30th The wire 2 , the dielectric layer 13 and the base substrate 30 form a high-frequency signal transmission line of a pseudomicro-strip type. Although epoxy resin is used as the dielectric layer 13 , silicone resin or polyimide resin can be used. The dielectric constant of the dielectric layer 13 can be changed by changing the material of the layer 13 .

Bei dieser fünften Ausführungsform der Erfindung bilden der Hochfrequenzsignaldraht 2, die dielektrische Schicht 13 und das Basissubstrat 30 eine Hochfrequenzsignalübertra­ gungsleitung eines Pseudomikrostreifentyps. Die charakteri­ stische Impedanz der Signalübertragungsleitung des Pseudo­ mikrostreifentyps kann bezüglich der charakteristischen Im­ pedanz der Signalübertragungsleitung 6, welche mit der Hochfrequenzsignalbondinsel 4 auf dem Hochfrequenzhalblei­ terchip 1a (1b) verbunden ist, durch geeignetes Bestimmen des Intervalls zwischen dem Draht 2 und der Oberfläche des Basissubstrats 30 und der Dielektrizitätskonstante der die­ lektrischen Schicht 13 angepaßt werden. Daher wird eine un­ erwünschte Dämpfung eines Hochfrequenzsignals, welche durch Impedanzfehlanpassung zwischen dem Hochfrequenzsignaldraht 2 und den Halbleiterchips 1a und 1b hervorgerufen wird, vermieden. In this fifth embodiment of the invention, the high-frequency signal wire 2 , the dielectric layer 13 and the base substrate 30 form a high-frequency signal transmission line of a pseudo microstrip type. The characteristic impedance of the signal transmission line of the pseudo microstrip type can with respect to the characteristic impedance of the signal transmission line 6 , which is connected to the high-frequency signal bond island 4 on the high-frequency semiconductor chip 1 a ( 1 b), by appropriately determining the interval between the wire 2 and the surface of the Base substrate 30 and the dielectric constant of the dielectric layer 13 are adapted. Therefore, an undesirable damping of a high-frequency signal, which is caused by impedance mismatch between the high-frequency signal wire 2 and the semiconductor chips 1 a and 1 b, is avoided.

Da die charakteristische Impedanz der Signalübertra­ gungsleitung 6 auf dem Hochfrequenzhalbleiterchip 1a (1b) gewöhnlich 50 Ohm beträgt, werden insbesondere das Inter­ vall zwischen dem Draht 2 und der Oberfläche des Basis­ substrats 30 und die Dielektrizitätskonstante der dielek­ trischen Schicht 13 derart gewählt, daß die Impedanz der Signalübertragungsleitung des Pseudomikrostreifentyps etwa 50 Ohm beträgt.Since the characteristic impedance of the signal transmission line 6 on the high-frequency semiconductor chip 1 a ( 1 b) is usually 50 ohms, in particular the interval between the wire 2 and the surface of the base substrate 30 and the dielectric constant of the dielectric layer 13 are chosen such that the impedance of the pseudo microstrip type signal transmission line is about 50 ohms.

Obwohl Epoxidharz als Material der dielektrischen Schicht bei dem in Fig. 17 und 18 dargestellten Hochfre­ quenzschaltungsbauelement verwendet wird, kann eine Mi­ schung eines Epoxidharzes und einer Körnung aus Bariumtita­ nat 15, welches ein Material mit hoher Dielektrizitätskon­ stante ist, als Material der dielektrischen Schicht 13 wie in Fig. 19 und 20 dargestellt verwendet werden. Anstelle des Bariumtitanats 15 kann Kalziumtitanat oder Lithiumni­ obat als Material mit hoher Dielektrizitätskonstante ver­ wendet werden. Die Dielektrizitätskonstante der dielektri­ schen Schicht 13 kann in einem großen Bereich durch Ändern der Dichte des Materials mit der hohen Dielektrizitätskon­ stante in dem Epoxidharz oder durch Ändern des Materials mit hoher Dielektrizitätskonstante selbst geändert werden. Als Ergebnis kann die charakteristische Impedanz der Hoch­ frequenzsignalübertragungsleitung des Pseudomikrostrei­ fentyps leicht gesteuert werden.Although epoxy resin is used as the material of the dielectric layer in the high-frequency circuit device shown in FIGS . 17 and 18, a mixture of an epoxy resin and a grain of barium titanate 15 , which is a material with a high dielectric constant, can be used as the material of the dielectric layer 13 as shown in Figs. 19 and 20 can be used. Instead of the barium titanate 15 , calcium titanate or lithium ni obate can be used as a material with a high dielectric constant. The dielectric constant of the dielectric layer 13 can be changed in a wide range by changing the density of the high dielectric material in the epoxy resin or by changing the high dielectric material itself. As a result, the characteristic impedance of the pseudo microstrip type high frequency signal transmission line can be easily controlled.

Bei dieser fünften Ausführungsform der Erfindung wird die Betonung auf die elektrische Verbindung zwischen zwei Hochfrequenzhalbleiterchips 1a und 1b mit einer Hochfre­ quenzsignalübertragungsleitung eines Mikrostreifentyps, welche einen Draht 2, eine dielektrische Schicht 13 und ein Basissubstrat 30 aufweist, gelegt. Jedoch kann eine ähnli­ che Hochfrequenzsignalübertragungsleitung eines Pseudomi­ krostreifentyps für die elektrische Verbindung zwischen ei­ nem Hochfrequenzhalbleiterchip 1a (1b) und einer Hochfre­ quenzsignalübertragungsdurchgangsleitung 8 zwischen dem Hochfrequenzhalbleiterchip und einem Baustein 70 oder zwi­ schen der Hochfrequenzsignalübertragungsdurchgangsleitung 8 und dem Baustein 70 verwendet werden. Ebenfalls in diesem Fall wird eine unerwünschte Dämpfung eines Hochfrequenzsi­ gnals infolge einer Impedanzfehlanpassung an einem den Draht kontaktierenden Teil vermieden.In this fifth embodiment of the invention, the emphasis is placed on the electrical connection between two high-frequency semiconductor chips 1 a and 1 b with a high-frequency signal transmission line of a microstrip type, which has a wire 2 , a dielectric layer 13 and a base substrate 30 . However, a similar high-frequency signal transmission line of a pseudo micro strip type can be used for the electrical connection between a high-frequency semiconductor chip 1 a ( 1 b) and a high-frequency signal transmission through line 8 between the high-frequency semiconductor chip and a module 70 or between the high-frequency signal transmission through line 8 and the module 70 . Also in this case, undesired attenuation of a radio frequency signal due to an impedance mismatch on a part contacting the wire is avoided.

Bei einem Hochfrequenzschaltungsbauelement entsprechend einer sechsten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung sind zwei Hochfrequenzhalbleiterbausteine, welche Hochfre­ quenzhalbleiterchips enthalten, miteinander über einen Hochfrequenzsignaldraht verbunden, und eine dielektrische Schicht ist zwischen dem Draht und einem Bausteinsubstrat angeordnet.Correspondingly for a high-frequency circuit component a sixth embodiment of the present invention are two high-frequency semiconductor devices, which Hochfre quenz semiconductor chips included, with each other via a High frequency signal wire connected, and a dielectric Layer is between the wire and a building block substrate arranged.

Fig. 21 und 22 zeigen eine perspektivische Ansicht und eine Seitenansicht, welche ein Hochfrequenzschaltungs­ bauelement entsprechend der sechsten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulichen. Bei diesen Figuren bezeichnen dieselben Bezugszeichen wie die in Fig. 1 bis 20 verwendeten Bezugszeichen dieselben oder entsprechende Teile. Bei dem Hochfrequenzschaltungsbauelement sind zwi­ schen den zwei Hochfrequenzhalbleiterchips 100a und 100b, welche auf einem Bausteinsubstrat 50 angeordnet sind, Si­ gnalübertragungsleitungen 9 auf den jeweiligen Bausteinen miteinander über einen Hochfrequenzsignaldraht 102 verbun­ den, und es ist eine dielektrische Schicht 113, welche Epoxidharz aufweist oder daraus besteht, zwischen dem Draht 102 und dem Bausteinsubstrat 50 angeordnet. Anstelle von Epoxidharz kann Silikonharz oder Polyimidharz als Material der dielektrischen Schicht 113 verwendet werden. Die Die­ lektrizitätskonstante der dielektrischen Schicht 113 kann durch Ändern des Materials verändert werden. Wenigstens ein Teil der Oberfläche des Bausteinsubstrats 50 gegenüber dem Draht 102 ist auf das Massepotential festgelegt. Hiernach wird das Bausteinsubstrat 50 als Massepotentialsubstrat be­ zeichnet. Ein Au-Draht oder ein Au-Streifen wird als Hoch­ frequenzsignaldraht 102 verwendet. Die Signalübertragungs­ leitungen 9 auf den Bausteinen und der Hochfrequenzsi­ gnaldraht 102 zum Verbinden der Leitungen 9 sind mit denen identisch, welche bereits bezüglich der Fig. 7 und 8 entsprechend der zweiten Ausführungsform beschrieben wur­ den. Da die dielektrische Schicht 113, welche Epoxidharz aufweist, zwischen dem Draht 102 und dem Massepotential­ substrat 50 angeordnet ist, ist eine Hochfrequenzsi­ gnalübertragungsleitung eines Pseudomikrostreifentyps durch den Draht 102, die dielektrische Schicht 113 und das Masse­ potentialsubstrat 50 gebildet. FIGS. 21 and 22 show a perspective view and a side view showing a high-frequency circuit device according to illustrate the sixth embodiment of the present invention. In these figures, the same reference numerals as the reference numerals used in Figs. 1 to 20 denote the same or corresponding parts. In the high-frequency circuit component between the two high-frequency semiconductor chips 100 a and 100 b, which are arranged on a component substrate 50 , signal transmission lines 9 on the respective components are connected to one another via a high-frequency signal wire 102 , and it is a dielectric layer 113 which has epoxy resin or it consists of being arranged between the wire 102 and the component substrate 50 . Instead of epoxy resin, silicone resin or polyimide resin can be used as the material of the dielectric layer 113 . The dielectric constant of the dielectric layer 113 can be changed by changing the material. At least a portion of the surface of the package substrate 50 opposite the wire 102 is set to the ground potential. Hereinafter, the package substrate 50 will be referred to as a ground potential substrate. An Au wire or Au strip is used as the high frequency signal wire 102 . The signal transmission lines 9 on the building blocks and the high-frequency signal wire 102 for connecting the lines 9 are identical to those which have already been described with reference to FIGS . 7 and 8 in accordance with the second embodiment. Since the dielectric layer 113, which comprises epoxy resin between the wire 102 and the ground potential substrate 50 is disposed, a Hochfrequenzsi is gnalübertragungsleitung a pseudo microstrip type by the wire 102, the dielectric layer 113 and the ground potential substrate formed 50th

Bei dieser sechsten Ausführungsform der Erfindung bil­ den der Hochfrequenzsignaldraht 102, die dielektrische Schicht 113 und das Massepotentialsubstrat 50 eine Hochfre­ quenzsignalübertragungsleitung eines Pseudomikrostreifen­ typs. Die charakteristische Impedanz der Signalübertra­ gungsleitung des Pseudomikrostreifentyps kann bezüglich der charakteristischen Impedanz der Signalübertragungsleitung 9 auf dem Baustein durch geeignetes Bestimmen des Intervalls zwischen dem Draht 102 und der Oberfläche des Massepotenti­ alsubstrats 50 und der Dielektrizitätskonstante der dielek­ trischen Schicht 113 angepaßt werden. Daher wird eine uner­ wünschte Dämpfung eines Hochfrequenzsignals, welche durch eine Impedanzfehlanpassung zwischen dem Hochfrequenzsi­ gnaldraht 102 und den Halbleiterbausteinen 100a und 100b hervorgerufen wird, vermieden.In this sixth embodiment of the invention, the high frequency signal wire 102 , the dielectric layer 113 and the ground potential substrate 50 are a high frequency signal transmission line of a pseudo microstrip type. The characteristic impedance of the signal transmission line of the pseudo microstrip type can be adjusted with respect to the characteristic impedance of the signal transmission line 9 on the chip by appropriately determining the interval between the wire 102 and the surface of the ground potential substrate 50 and the dielectric constant of the dielectric layer 113 . Therefore, an undesired damping of a high-frequency signal, which is caused by an impedance mismatch between the high-frequency signal wire 102 and the semiconductor components 100 a and 100 b, is avoided.

Da die charakteristische Impedanz der Signalübertra­ gungsleitung 9 auf dem Hochfrequenzhalbleiterbaustein 100a (100b) gewöhnlich 50 Ohm beträgt, ist insbesondere die Im­ pedanz der Signalübertragungsleitung des Pseudomikrostrei­ fens auf etwa 50 Ohm bestimmt.Since the characteristic impedance of the signal transmission line 9 on the high-frequency semiconductor device 100 a ( 100 b) is usually 50 ohms, in particular the impedance of the signal transmission line of the pseudomicro strip is determined to be about 50 ohms.

Obwohl Epoxidharz als Material der dielektrischen Schicht 113 bei dem in Fig. 21 und 22 dargestellten Hochfrequenzschaltungsbauelement verwendet wird, kann eine Mischung aus Epoxidharz und einer Körnung aus Bariumtitanat 115, welches ein Material mit hoher Dielektrizitätskon­ stante ist, als Material der dielektrischen Schicht 113 wie in Fig. 21 und 24 dargestellt verwendet werden. Des wei­ teren kann anstelle von Bariumtitanat 115 Kalziumtitanat oder Lithiumniobat als das Material mit hoher Dielektrizi­ tätskonstante verwendet werden. Die Dielektrizitätskon­ stante der dielektrischen Schicht kann in einem großen Be­ reich durch Ändern der Dichte des Materials mit hoher Die­ lektrizitätskonstante in Epoxidharz oder durch Ändern des Materials mit hoher Dielektrizitätskonstante selbst verän­ dert werden. Als Ergebnis kann die charakteristische Impe­ danz der Hochfrequenzsignalübertragungsleitung des Pseudo­ mikrostreifentyps leicht gesteuert werden.Although epoxy resin is used as the material of the dielectric layer 113 in the illustrated in Fig. 21 and 22 high frequency circuit component, a mixture of epoxy resin and a grain size of barium titanate 115, which is a material stante high Dielektrizitätskon, as a material of the dielectric layer 113 as shown in be used shown Fig. 21 and 24. Furthermore, instead of barium titanate 115, calcium titanate or lithium niobate can be used as the material with high dielectric constant. The dielectric constant of the dielectric layer can be changed in a wide range by changing the density of the material with high dielectric constant in epoxy resin or by changing the material with high dielectric constant itself. As a result, the characteristic impedance of the pseudo microstrip type high frequency signal transmission line can be easily controlled.

Claims (7)

1. Hochfrequenzschaltungsbauelement (Fig. 1 bis 3) mit:
einer Mehrzahl von Hochfrequenzschaltungselementen (1a, 1b), welche voneinander getrennt sind, wobei jedes Element eine erste Bondinsel (4) und zweite Bondinseln (11) enthält, welche an gegenüberliegenden Seiten der ersten Bondinsel (4) und getrennt davon angeordnet sind, wobei die zweiten Bondinseln (11) auf dem Massepotential festgelegt sind;
einem ersten Draht (2) zum Übertragen eines Hochfre­ quenzsignals, wobei der erste Draht (2) die ersten Bondin­ seln (4) von zwei benachbarten Hochfrequenzschaltungsele­ menten (1a, 1b) verbindet; und
zwei zweiten Drähten (12), welche die zweiten Bondin­ seln (11) der benachbarten Hochfrequenzschaltungselemente (1a, 1b) verbinden, wobei an beiden Seiten des ersten Drahts (2) jeweils ein zweiter Draht parallel zu dem ersten Draht (2) angeordnet ist.1. High-frequency circuit component ( Fig. 1 to 3) with:
a plurality of high-frequency circuit elements ( 1 a, 1 b) which are separated from one another, each element comprising a first bond island ( 4 ) and second bond islands ( 11 ) which are arranged on opposite sides of the first bond island ( 4 ) and separately therefrom, the second bond pads ( 11 ) being fixed at the ground potential;
a first wire ( 2 ) for transmitting a high-frequency signal, the first wire ( 2 ) connecting the first bonds ( 4 ) of two adjacent high-frequency circuit elements ( 1 a, 1 b); and
two second wires (12) connecting the second Bondin clauses (11) of the adjacent high-frequency circuit elements (1 a, 1 b), being disposed to connect both sides of the first wire (2) in each case a second wire in parallel with the first wire (2) is. 2. Hochfrequenzschaltungsbauelement nach Anspruch 1 (Fig. 9, 10 oder Fig. 11, 12), gekennzeichnet durch:
ein Substrat (30) mit einer Oberfläche, auf welcher die Hochfrequenzschaltungselemente (1a, 1b) angeordnet sind, wobei wenigstens ein Teil der Oberfläche des Substrats direkt unter dem ersten Draht (2) und den zweiten Drähten (12) auf dem Massepotential festgelegt sind; und
eine dielektrische Schicht (13), welche zwischen dem Substrat (30) und den ersten und zweiten Drähten (2, 12) angeordnet ist.2. High-frequency circuit component according to claim 1 ( Fig. 9, 10 or Fig. 11, 12), characterized by:
a substrate ( 30 ) with a surface on which the high-frequency circuit elements ( 1 a, 1 b) are arranged, wherein at least a part of the surface of the substrate directly below the first wire ( 2 ) and the second wires ( 12 ) at the ground potential are; and
a dielectric layer ( 13 ) disposed between the substrate ( 30 ) and the first and second wires ( 2 , 12 ). 3. Hochfrequenzschaltungsbauelement (Fig. 17, 18 oder Fig. 19, 20) mit:
einer Mehrzahl von Hochfrequenzschaltungselementen (1a, 1b), welche getrennt voneinander angeordnet sind, wobei jedes Element eine Bondinsel (4) aufweist;
einem Draht (2) zum Übertragen eines Hochfrequenzsi­ gnals und zum Verbinden der Bondinseln (4) von zwei benach­ barten Hochfrequenzschaltungselementen (1a, 1b);
einem Substrat (30) mit einer Oberfläche, auf welcher die Hochfrequenzschaltungselemente (1a, 1b) angeordnet sind, wobei wenigstens ein Teil der Oberfläche des Substrats (30) direkt unter dem Draht (2) auf dem Massepo­ tential festgelegt ist; und
einer dielektrischen Schicht (13), welche zwischen dem Substrat (30) und dem Draht (2) angeordnet ist.3. High-frequency circuit component ( Fig. 17, 18 or Fig. 19, 20) with:
a plurality of high-frequency circuit elements ( 1 a, 1 b) which are arranged separately from one another, each element having a bond island ( 4 );
a wire ( 2 ) for transmitting a high-frequency signal and for connecting the bonding pads ( 4 ) of two neighboring high-frequency circuit elements ( 1 a, 1 b);
a substrate ( 30 ) with a surface on which the high-frequency circuit elements ( 1 a, 1 b) are arranged, at least part of the surface of the substrate ( 30 ) being fixed directly below the wire ( 2 ) at the ground potential; and
a dielectric layer ( 13 ) which is arranged between the substrate ( 30 ) and the wire ( 2 ). 4. Hochfrequenzschaltungsbauelement nach Anspruch 2 oder 3 (Fig. 9, 10 oder Fig. 17, 18), dadurch gekennzeich­ net, daß die dielektrische Schicht (13) ein Harz aufweist.4. High-frequency circuit component according to claim 2 or 3 ( Fig. 9, 10 or Fig. 17, 18), characterized in that the dielectric layer ( 13 ) has a resin. 5. Hochfrequenzschaltungsbauelement nach Anspruch 2 oder 3 (Fig. 11, 12 oder Fig. 19, 20), dadurch gekennzeich­ net, daß die dielektrische Schicht (13) eine Mischung eines Harzes und eines Materials (15) mit einer hohen Dielektri­ zitätskonstante aufweist.5. High-frequency circuit component according to claim 2 or 3 ( Fig. 11, 12 or Fig. 19, 20), characterized in that the dielectric layer ( 13 ) has a mixture of a resin and a material ( 15 ) with a high dielectric constant. 6. Hochfrequenzschaltungsbauelement nach einem der Ansprü­ che 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß eines der Hochfre­ quenzschaltungselemente ein Hochfrequenzhalbleiterchip ist.6. High-frequency circuit component according to one of the claims che 1 to 3, characterized in that one of the Hochfre is a high-frequency semiconductor chip. 7. Hochfrequenzschaltungsbauelement nach einem der Ansprü­ che 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß eines der Hochfre­ quenzschaltungselemente ein Hochfrequenzhalbleiterbaustein ist, welcher ein Hochfrequenzhalbleiterchip aufweist.7. High-frequency circuit component according to one of the claims che 1 to 3, characterized in that one of the Hochfre Sequence circuit elements a high-frequency semiconductor device which has a high-frequency semiconductor chip.
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