DE19636970A1 - Anti-reflection optical multilayer coating - Google Patents
Anti-reflection optical multilayer coatingInfo
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Abstract
Description
Die Erfindung betrifft einen optisch wirkenden Schichtbelag, bestehend aus einem auf Substraten angeordneten Mehrschichtensystem, wobei das Schichtensystem eine hohe Antireflexwirkung und eine hohe Lichttransmission aufweist oder eine ho he Antireflexwirkung bei gegebener Lichttransmis sion besitzt.The invention relates to an optically acting Layer covering, consisting of one on substrates arranged multilayer system, the Layer system a high anti-reflective effect and has a high light transmission or a high he anti-reflective effect with a given light transmission sion owns.
Derartige Antireflexschichten werden vorzugsweise auf im sichtbaren Lichtspektrum transparenten Substraten, insbesondere Glasscheiben, aufge bracht, welche z. B. zum Schutz vor Gemälden oder zum Einsatz in Vitrinen oder auch als Schaufen sterscheiben verwendet werden.Such anti-reflective layers are preferred on transparent in the visible light spectrum Substrates, in particular glass panes brings which z. B. for protection from paintings or for use in showcases or as a shop rear windows can be used.
Aus der DE 41 17 257 ist ein Schichtensystem be kannt, welches auf einem transparenten Substrat aufgebracht ist und eine hohe Antireflexwirkung aufweist. Dieses auf der DE 39 42 990 basierende Schichtensystem besteht im wesentlichen aus auf dem Substrat in abwechselnder Folge aufgebrachter Metalloxyd- und Nitridschichten. Die nach der DE 41 17 257 hergestellten Schichtsysteme genügen dem heute geforderten hohen Transmissionsgrad über den gesamten optisch wirkenden Lichtwellenbereich und den Forderungen nach einem kostengünstigen Her stellungsverfahren nicht mehr. Insbesondere die dort vorgeschlagenen, aus TiO₂ bestehenden Schich ten lassen sich nur unter hohem Fertigungsaufwand in entsprechend teueren Herstellungsverfahren pro duzieren, da die Sputterrate von TiO₂ bei den dort eingesetzten Beschichtungsverfahren ca. 5 mal kleiner ist als die für niederbrechendes SiO₂.From DE 41 17 257 a layer system is be knows which on a transparent substrate is applied and a high anti-reflective effect having. This is based on DE 39 42 990 Layer system consists essentially of alternately applied to the substrate Metal oxide and nitride layers. According to the DE 41 17 257 produced layer systems are sufficient required high transmittance over the entire optically acting light wave range and the demands for an inexpensive manufacturer not anymore. especially the proposed there, made of TiO₂ layer can only be done with a high level of manufacturing effort in correspondingly expensive manufacturing processes per duz because the sputtering rate of TiO₂ in there coating process used about 5 times is smaller than that for low refractive index SiO₂.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein gattungsgemäßes Schichtsystem und dessen Herstel lungsverfahren anzugeben, welches die Nachteile der eingangs genannten Schichtensysteme vermeidet und die heute geforderten Anforderungen im Hin blick auf die Entspiegelungswirkung, Kontrasterhö hung und kostengünstige Herstellung heutiger Schichten erfüllt.The object of the present invention is a Generic layer system and its manufacture specify the disadvantages avoids the layer systems mentioned at the beginning and the requirements that are required today look at the anti-reflective effect, contrast hung and inexpensive manufacture of today Layers met.
Dabei sollen gleichzeitig Voraussetzungen dafür geschaffen werden, daß eine nur geringe Anzahl von Einzelschichten zum Aufbau eines Mehrschichtensy stems benötigt wird.At the same time, the requirements for this should be met created that only a small number of Single layers to build up a multi-layer sy stems is needed.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch ein die Merkmale des Hauptanspruchs aufweisendes Schicht system erfüllt. Ein Verfahren zur Herstellung ei nes erfindungsgemäßen Schichtsystems wird mit den im Anspruch 7 angegebenen Merkmalen vorgeschlagen.This object is achieved by a Features of the main claim layer system fulfilled. A method of making egg Nes layer system according to the invention with the Proposed features proposed in claim 7.
Ein erfindungsgemäßes Schichtsystem besteht aus mehreren, einen Belag bildende Einzelschichten, welche sukzessive auf einem lichttransparenten Substrat, vorzugsweise mittels eines vakuumge stützten Beschichtungsverfahrens aufgetragen wer den, wobei eine Folge von hochbrechenden und nied rigbrechenden Schichten vorgesehen sind, bei wel cher mindestens zwei hochbrechende Schichten an einander anliegen. Die Brechungsindizes dieser zwei aneinander anliegenden, hochbrechenden Schichten unterscheiden sich minimal um 0,1 und maximal um 0,4, vorzugsweise maximal um 0,3. Die niedrigbrechenden Schichten bestehen z. B. aus Al₂O₃, MgF₂ oder Siliziumdioxyd. Die hochbrechenden Schichten bestehen aus einem Metalloxid, vorzugs weise aus Titandioxyd, oder aus einem Metallni trid, vorzugsweise aus einer Verbindung des Typs TiOxNy, wobei durch die Wahl für die Indizes x bzw. y der Brechungsindex nL der TiOxNy-Schicht ein stellbar ist. Alternativ zu derartigen aus TiOxNy hergestellten hochbrechenden Schichten ist vorge sehen, daß dotierte TiO₂-Schichten verwendet wer den, welche mit Al₂O₃ und/oder SiO₂ dotiert sind. Anstelle von SiO₂ als Dotierungsmaterial wird MgF₂ oder AlO₃ vorgeschlagen. Zur Herstellung der hoch brechenden Schichten geeignetes Material wird In diumzinnoxy, bekannt unter dem Kürzel ITO, vorge schlagen. Alternativ zu den aus ITO gefertigten Schichten sind hochbrechende Schichten, bestehend aus einer der Verbindungen: ZnO, SnO₂, ZrO₂, Ta₂O₅ oder Si₃N₄ vorgesehen.A layer system according to the invention consists of a plurality of individual layers forming a coating, which are successively applied to a light-transparent substrate, preferably by means of a vacuum-assisted coating process, a sequence of high-index and low-index layers being provided, in which at least two high-index layers are connected to one another issue. The refractive indices of these two mutually adjacent, high-index layers differ by a minimum of 0.1 and a maximum of 0.4, preferably a maximum of 0.3. The low refractive index layers exist e.g. B. from Al₂O₃, MgF₂ or silicon dioxide. The high refractive index layers consist of a metal oxide, preferably of titanium dioxide, or of a metal nitride, preferably of a compound of the type TiO x N y , the refractive index n L of the TiO x N y being chosen for the indices x and y Layer is adjustable. As an alternative to such high-refractive-index layers made from TiO x N y , it is easily seen that doped TiO₂ layers are used who who are doped with Al₂O₃ and / or SiO₂. Instead of SiO₂ as a doping material, MgF₂ or AlO₃ is proposed. Suitable material for the production of the high refractive index layers is suggested in diumtinoxy, known under the abbreviation ITO. As an alternative to the layers made of ITO, high-index layers consisting of one of the compounds: ZnO, SnO₂, ZrO₂, Ta₂O₅ or Si₃N₄ are provided.
Als Substratmaterial wird vorzugsweise Glas vorge schlagen, das einen Brechungsindex nG von 1,46 nG 1,6 ausweist. Es ist vorgesehen, die erfindungs gemäßen Schichtsysteme mittels eines Kathodenzer stäubungsverfahrens herzustellen. Die Prozeßkam merdrücke zur Schichterzeugung liegen im Druckbe reich von 1×10-3 P 8×10-3 mbar. Die Beschichtun gen werden vorzugsweise mittels eines reaktiven Sputterverfahrens auf das Substrat aufgebracht, wobei das Prozeßgas aus einem Gemisch aus Edelgas, vorzugsweise aus Argon und einem Reaktivgas, vor zugsweise aus Stickstoff und/oder Sauerstoff be steht.As a substrate material, glass is preferably proposed, which has a refractive index n G of 1.46 n G 1.6. It is intended to produce the layer systems according to the invention by means of a cathode sputtering process. The process chamber pressures for layer production are in the range of 1 × 10 -3 P 8 × 10 -3 mbar. The coatings are preferably applied to the substrate by means of a reactive sputtering process, the process gas consisting of a mixture of noble gas, preferably argon and a reactive gas, preferably consisting of nitrogen and / or oxygen.
Ein wesentlicher Vorteil eines erfindungsgemäßen Schichtsystems besteht in der im Vergleich zu her kömmlich hergestellten Schichtsystemen geringeren Gesamtdicke bzw. bei gleicher Gesamtdicke geringe rem Reflexionsgrad. Eine herkömmliche, aus vier Schichten bestehenden Antireflexbeschichtung, die z. B. eine Schichtenfolge und Einzelschichtendicke wie folgt aufweist: Glas|TiO₂, 15 nm|SiO₂, 30 nm|TiO₂, 110 nm|SiO₂, 90 nm| besitzt eine Gesamt dicke von 245 nm. Ein erfindungsgemäßes, aus fünf Einzelschichten bestehendes Antireflexschichtsy stem, bei welchem die dritte Einzelschicht durch zwei Einzelschichten, bestehend aus |TiO₂, 48 nm|TiOxNy, 63 nm| besteht, weist eine Gesamtschich tendicke von 246 nm auf, wobei das erfindungsgemä ße Schichtsystem bei der Gesamtdicke von 246 nm über den gesamten sichtbaren Wellenlängenbereich eine vorteilhaft geringere Reflexion ausweist als das vorgenannte Vierschichtensystem.An essential advantage of a layer system according to the invention is that the overall thickness is smaller in comparison to conventionally produced layer systems or, for the same total thickness, it is less reflective. A conventional four-layer anti-reflective coating, e.g. B. has a layer sequence and individual layer thickness as follows: glass | TiO₂, 15 nm | SiO₂, 30 nm | TiO₂, 110 nm | SiO₂, 90 nm | has a total thickness of 245 nm. An anti-reflective layer system according to the invention, consisting of five individual layers, in which the third individual layer consists of two individual layers consisting of | TiO₂, 48 nm | TiO x N y , 63 nm | there is a total layer thickness of 246 nm, the layer system according to the invention having an overall thickness of 246 nm over the entire visible wavelength range showing an advantageously lower reflection than the aforementioned four-layer system.
Wie in den Unteransprüchen 3 bzw. 4 angegeben, um faßt ein erfindungsgemäßes Schichtsystem z. B. fünf Einzelschichten, die sukzessive auf einem Substrat mittels eines Kathodenzerstäubungsverfah rens nach Anspruch 7 aufgebracht werden.As specified in subclaims 3 and 4, respectively summarizes an inventive layer system z. B. five individual layers, successively on one Substrate using a cathode sputtering process be applied according to claim 7.
Die Verwendung von TiOxNy (siehe Anspruch 4) als hochbrechendes Schichtenmaterial kann der Bre chungsindex nL durch die relativen Sauerstoff- zu Stickstoffanteilen während des reaktiven Sputter prozesses eingestellt werden.The use of TiO x N y (see claim 4) as a high-index layer material, the refractive index n L can be adjusted by the relative oxygen to nitrogen proportions during the reactive sputtering process.
Weitere vorteilhafte Merkmale der Erfindung sind in den weiteren Unteransprüchen 2, 5 und 6 angege ben.Further advantageous features of the invention are in the further subclaims 2, 5 and 6 ben.
Nachfolgend werden besonders vorteilhafte in den Figuren dargestellte Ausführungsbeispiele be schrieben.Below are particularly advantageous in the Figures shown embodiments be wrote.
Es zeigen:Show it:
Fig. 1 Reflexionsgradkurven in Abhängigkeit der Lichtwellenlänge λ für die in Fig. 2a bzw. Fig. 2b dargestellten Schicht system nach dem Stand der Technik, Kur ve, a, und nach einem ersten Ausfüh rungsbeispiel, Kurve b; Fig. 1 reflectance curves depending on the light wavelength λ for the layer system shown in Fig 2a or Fig 2b according to the prior art, Kur ve, a, and after a first embodiment, curve b;
Fig. 2a einen Querschnitt eines aus vier Ein zelschichten bestehenden, auf einem Substrat anliegenden Schichtsystem nach dem Stand der Technik; 2a shows a cross section of a four-A zelschichten existing on a substrate adjacent layer system according to the prior art.
Fig. 2b einen Querschnitt durch ein erfindungs gemäßes aus fünf Einzelschichten beste hendes, Schichtsystem nach einem ersten Ausführungsbeispiel; Figure 2b shows a cross section through a fiction, according best of five individual layers Hendes, layer system according to a first embodiment.
Fig. 3 eine gemessene und eine berechnete Re flexionsgradkurve in Abhängigkeit der einfallenden Lichtwellenlänge λ eines aus fünf Einzelschichten bestehenden Schichtsystems nach einem zweiten Aus führungsbeispiel in Abhängigkeit der Lichtwellenlänge; Fig. 3 shows a measured and a calculated Re flexionsgradkurve depending on the incident light wavelength λ of a layer system consisting of five individual layers according to a second exemplary embodiment from depending on the light wavelength;
Fig. 4 eine Querschnittsansicht eines aus fünf Einzelschichten bestehenden Schichtsy stems nach dem zweiten Ausführungsbei spiel; Fig. 4 is a cross-sectional view of a layer system consisting of five individual layers according to the second embodiment;
Fig. 5 eine Reflexionsgradkurve für das in Fig. 6a dargestellte Schichtsystem nach dem Stand der Technik und einem in Fig. 6b dargestellten dritten Ausführungs beispiel in Abhängigkeit der Lichtwel lenlänge λ; Fig. 5 is a reflectance curve for the layer system shown in Figure 6a according to the prior art and a third embodiment shown in Fig. 6b, for example, depending on the light wave length λ.
Fig. 6a einen Querschnitt eines herkömmlichen, aus vier Einzelschichten bestehenden, auf einem Substrat anliegenden Schicht systems nach dem Stand der Technik; FIG. 6a shows a cross section of a conventional, consisting of four individual layers applied on a substrate layer systems according to the prior art;
Fig. 6b einen Querschnitt durch ein erfindungs gemäßes aus fünf Einzelschichten beste henden, Schichtsystem nach dem dritten Ausführungsbeispiel; FIG. 6b is a cross section through a fiction, according best of five individual layers Henden, layer system according to the third embodiment;
Fig. 7 eine Reflexionsgradkurve des in Fig. 8a dargestellten Schichtsystems nach dem Stand der Technik und des in Fig. 8b dargestellten vierten Ausführungsbei spiels in Abhängigkeit der Lichtwellen länge λ; Fig. 7 is a graph of the reflectance in Figure 8a layer system shown in the prior art and 8b shown Ausführungsbei fourth game in dependence of the light wave length λ in Fig..;
Fig. 8a einen Querschnitt eines aus vier Ein zelschichten bestehenden, auf einem Substrat anliegenden Schichtsystems nach dem Stand der Technik; Figure 8a is a cross section of a four-A zelschichten existing on a substrate adjacent the layer system according to the prior art.
Fig. 8b einen Querschnitt durch ein erfindungs gemäßes aus fünf Einzelschichten beste henden Schichtsystem nach dem vierten Ausführungsbeispiel. Fig. 8b shows a cross section through a fiction, according best of five individual layers Henden layer system according to the fourth embodiment.
Die in den Fig. 2b, 4, 6b, 8b dargestellten, erfindungsgemäßen Schichtsysteme bestehen aus fünf auf einem Substrat 4 mittels eines vakuumgestütz ten Beschichtungsverfahrens aufgebrachte Einzel schichten 6, 8, 9, 11, 13; 16, 18, 19, 21, 22; 26, 28, 29, 31, 33; 36, 38, 39, 41, 43. The layer systems according to the invention shown in FIGS. 2b, 4, 6b, 8b consist of five individual layers 6 , 8 , 9 , 11 , 13 applied to a substrate 4 by means of a vacuum-assisted coating method; 16 , 18 , 19 , 21 , 22 ; 26 , 28 , 29 , 31 , 33 ; 36 , 38 , 39 , 41 , 43 .
Im folgenden werden vier Ausführungsbeispiele der erfindungsgemäßen Schichtsysteme vorgestellt.In the following four embodiments of the Layer systems according to the invention presented.
Das Schichtsystem 2 des ersten Ausführungsbei spiels (siehe Fig. 2b) ist wie folgt aufgebaut:The layer system 2 of the first embodiment (see FIG. 2b) is constructed as follows:
- - Auf dem Substrat 4, einem Glaskörper, ist eine erste optisch wirkende, hochbrechende Schicht 6 aufgebracht, welche aus TiO₂ besteht und eine Schichtdicke von 15 nm aufweist,On the substrate 4 , a vitreous body, a first optically acting, high-index layer 6 is applied, which consists of TiO₂ and has a layer thickness of 15 nm,
- - die zweite, optisch wirksame Schicht 8 besteht aus einer 30 nm dicken SiO₂-Schicht,- The second, optically effective layer 8 consists of a 30 nm thick SiO₂ layer,
- - die dritte, optisch wirksame Schicht 9 besteht aus einer hochbrechenden TiO₂-Schicht und weist eine Schichtdicke von 48 nm sowie einen Bre chungskoeffizienten von 2,5 auf,- The third, optically effective layer 9 consists of a highly refractive TiO₂ layer and has a layer thickness of 48 nm and a refraction coefficient of 2.5,
- - die vierte, optisch wirksame Schicht 11 besteht aus einer hochbrechenden TiOxNy-Schicht, die eine Schichtdicke von 63 nm aufweist und- The fourth, optically effective layer 11 consists of a highly refractive TiO x N y layer, which has a layer thickness of 63 nm and
- - die fünfte, optisch wirksame Schicht 13 besteht aus einer niederbrechenden SiO₂-Schicht, die eine Schichtdicke von 90 mm aufweist.- The fifth, optically effective layer 13 consists of a low-refractive SiO₂ layer, which has a layer thickness of 90 mm.
Die dritte Schicht 9 bildet zusammen mit der vier ten Schicht 11 eine hochbrechende Doppelschicht, welche jeweils einen effektiv wirksamen Brechungs koeffizienten von 2,5 und 2,35 aufweisen. Der Bre chungskoeffizient für die Doppelschicht der Schicht 9 ist durch die relativen Gasmengenanteile der Reaktionsgase von Sauerstoff und Stickstoff während des reaktiven Sputterbeschichtungsprozes ses zur Herstellung der TiOxNy-Schicht einstellbar. Der wellenlängenabhängige Reflexionsgrad des in Fig. 2b dargestellten Schichtsystems 2 ist in Fig. 1 durch den Kurvenverlauf b dargestellt. Die mit dem in Fig. 2a wiedergegebenen, mit einem herkömm lichen Schichtsystem ermittelte Reflexionskurve a zeigt über den interessierenden Wellenlängenbe reich eine insgesamt höhere Reflexion als die Kur ve b.The third layer 9 together with the fourth layer 11 forms a high-index double layer, each of which has an effective refractive index of 2.5 and 2.35. The refraction coefficient for the double layer of layer 9 can be adjusted by the relative proportions of gas in the reaction gases of oxygen and nitrogen during the reactive sputter coating process to produce the TiO x N y layer. The wavelength-dependent reflectance of the layer system 2 shown in FIG. 2b is shown in FIG. 1 by the curve course b. The reflection curve a determined with the model shown in Fig. 2a, with a union herkömm layer system shows on the interest Wellenlängenbe reaching an overall higher reflection than the cure ve b.
Nachfolgend werden der Reflexionsgrad R und der Transmissionsgrad T der in Fig. 1 dargestellten Kurvenverläufe für R (λ) in Tabelle 1 bestimmten Wellenlängen über einen ausgedehnten Wellenlängen bereich von 288 nm bis 2478 nm gegenübergestellt.In the following, the reflectance R and the transmittance T of the curve profiles for R (λ) shown in FIG. 1 are compared in Table 1 with certain wavelengths over an extended wavelength range from 288 nm to 2478 nm.
Das Schichtsystem des zweiten, in Fig. 4 darge stellten Ausführungsbeispiel, ist wie folgt aufge baut:The layer system of the second embodiment shown in FIG. 4 is constructed as follows:
- - die erste, unmittelbar auf dem Substrat 4 aufge brachte Schicht 16 besteht aus einer ITO-Verbindung und weist eine Schichtdicke d₁ von 19 d₁ 21, nm vorzugsweise von 20 nm auf;- The first, brought up directly on the substrate 4 layer 16 consists of an ITO compound and has a layer thickness d 1 of 19 d 1 21, nm preferably of 20 nm;
- - die zweite, optisch wirksame Schicht 18 besteht aus einer niedrigbrechenden SiO₂-Schicht, in ei ner Schichtdicke von 21 d₁ 23 nm, vorzugswei se von 22 nm;- The second, optically active layer 18 consists of a low-refractive SiO₂ layer, in a layer thickness of 21 d₁ 23 nm, preferably 22 nm se;
- - die dritte, optisch wirksame Schicht besteht aus hochbrechendem TiO₂ in einer Schichtdicke von 44 d₁ 46 nm, vorzugsweise von 45 nm;- The third, optically effective layer consists of high refractive index TiO₂ in a layer thickness of 44 d₁ 46 nm, preferably 45 nm;
- - die vierte, optisch wirksame Schicht 21 besteht aus einer hochbrechenden TiOxNy-Verbindung mit einer Schichtdicke von 62 d₁ 64 nm, vorzugs weise von 63 nm;- The fourth, optically effective layer 21 consists of a highly refractive TiO x N y compound with a layer thickness of 62 d₁ 64 nm, preferably 63 nm;
- - die fünfte, optisch wirksame Schicht 22 besteht aus einer SiO₂-Verbindung und weist eine Schicht dicke von 89 d₁ 91 nm, vorzugsweise von 90 nm auf.- The fifth, optically active layer 22 consists of a SiO₂ compound and has a layer thickness of 89 d₁ 91 nm, preferably of 90 nm.
Die mit dem in Fig. 4 dargestellten Schichtsystem 15 gemessenen Reflexionswerte werden durch die in Fig. 3 dargestellte Kurve c wiedergegeben. Ver gleichsrechnungen, die auf der Basis der durch die das in Fig. 4 abgebildete Schichtsystem 15 defi nierten Schichtenparameter, wie u. a. den Bre chungskoeffizienten und die Schichtendicken, be rechnet wurden, ergeben den durch den Kurvenver lauf d in Fig. 3 dargestellten Reflexionskurven verlauf als Funktion der einfallenden Lichtwellen länge λ.The reflection values measured with the layer system 15 shown in FIG. 4 are represented by the curve c shown in FIG. 3. Comparative calculations, which were calculated on the basis of the layer parameters defined by the layer system 15 shown in FIG. 4, such as the refraction coefficient and the layer thicknesses, give the reflection curves shown by the curve curve d in FIG. 3 curve as Function of the incident light wave length λ.
Die in der Fig. 3 wiedergegebenen Reflexionsgrad- und Transmissionsgradwerte sind in der Tabelle 2a, resp. in Tabelle 2b als Funktion der Lichtwellen länge λ aufgelistet.The reflectance and transmittance values shown in FIG. 3 are shown in Table 2a, respectively. listed in Table 2b as a function of the light wavelength λ.
Das Schichtsystem des dritten, in Fig. 6b darge stellten Ausführungsbeispiels, ist wie folgt auf gebaut:The layer system of the third embodiment shown in FIG. 6b is constructed as follows:
- - Die unmittelbar auf dem Substrat 4, einem Glas körper, aufgebrachte erste Schicht 26 besteht aus einer TiOxNy-Verbindung als hochbrechendes Schichtmaterial, und weist eine Schichtdicke von 18 nm auf,The first layer 26 applied directly to the substrate 4 , a glass body, consists of a TiO x N y compound as a high-index layer material, and has a layer thickness of 18 nm,
- - die auf die erste Schicht 26 aufgebrachte zweite Schicht 28 besteht aus SiO₂ als niederbrechendem Material mit einer Schichtdicke von 27 nm,- The second layer 28 applied to the first layer 26 consists of SiO₂ as a low-index material with a layer thickness of 27 nm,
- - die dritte, optisch wirksame Schicht 29 ist hochbrechend und besteht aus einer 58 nm dicken TiO₂-Schicht mit einem Brechungskoeffizienten von 2,5,- The third, optically active layer 29 is highly refractive and consists of a 58 nm thick TiO₂ layer with a refractive index of 2.5,
- - als vierte, optisch wirksame Schicht 31 ist eine aus TiOxNy bestehende, hochbrechende Einzel schicht mit einem Brechungskoeffizienten von 2,35 vorgesehen, und weist eine Schichtdicke von 55 nm auf,- a fourth, optically active layer 31 is made of a TiO x N y, single layer of high refractive index having a refractive index of 2.35 provided, and has a layer thickness of 55 nm,
- - als fünfte Schicht ist eine 89 nm dicke, aus SiO₂ bestehende Schicht 33 vorgesehen.- As the fifth layer, an 89 nm thick layer 33 made of SiO₂ is provided.
Ein, dem Stand der Technik entsprechendes, in Fig. 6a dargestelltes Schichtsystem 24 besteht aus vier Einzelschichten (26, 28, 30, 32) und weist eine dem in Fig. 6b dargestellten Schichtsystem 25 na hezu identische Schichtdicke von 247 nm auf. Ab weichend von dem in Fig. 6b dargestellten Schicht system 25 ist statt der in dieser ausgebildeten Doppelschicht 29, 31 eine aus hochbrechendem TiO₂ bestehende Einzelschicht 30 vorgesehen, welche ei ne Schichtdicke von 110 nm aufweist.A layer system 24 which corresponds to the prior art and is shown in FIG. 6a consists of four individual layers ( 26 , 28 , 30 , 32 ) and has a layer thickness of 247 nm which is almost identical to the layer system 25 shown in FIG. 6b. Deviating from the layer system 25 shown in FIG. 6b, instead of the double layer 29 , 31 formed in this, a single layer 30 consisting of highly refractive TiO₂ is provided, which has a layer thickness of 110 nm.
Die der Kurve e bzw. der Kurve f (siehe Fig. 5) zugrunde liegenden Reflexionswerte sind in Tabelle 3 den zugehörigen Lichtwellenlängen λ gegenüberge stellt.The reflection values on which curve e and curve f (see FIG. 5) are based are compared in Table 3 with the associated light wavelengths λ.
Die Kurvenwerte e zeigen die dem Stand der Technik zugehörigen Werte des in Fig. 2a dargestellten Schichtsystems 24.The curve values e show the prior art values of the layer system 24 shown in FIG. 2a.
Der Vergleich der in Fig. 5 wellenlängenabhängig dargestellten Reflexionskurven e und f ergibt, daß die Reflexionswerte des Schichtsystems 25, welche dem Kurvenverlauf f entsprechen, deutlich inner halb des gesamten sichtbaren Wellenlängenbereichs unter den entsprechenden Reflexionswerten des Schichtsystems 24 liegen, welche durch den Kurven verlauf e wiedergegeben werden.The comparison of the reflection curves e and f shown in FIG. 5 as a function of wavelength shows that the reflection values of the layer system 25 , which correspond to the curve profile f, lie clearly within the entire visible wavelength range below the corresponding reflection values of the layer system 24 , which curve e are reproduced.
Das Schichtsystem 35, des vierten in Fig. 8b dar gestellten Ausführungsbeispiels weist insgesamt fünf Schichten auf und ist wie folgt aufgebaut:The layer system 35 of the fourth exemplary embodiment shown in FIG. 8b has a total of five layers and is constructed as follows:
- - als erste Schicht 36 ist eine 32 nm dicke, aus Indiumzinnoxyd (ITO) bestehende, einen Bre chungsindex von 2,0 aufweisende, hochbrechende Schicht vorgesehen, auf welcher eine- The first layer 36 is a 32 nm thick indium tin oxide (ITO), a refractive index of 2.0 having high refractive index layer on which a
- - zweite, eine niedrigbrechende SiO₂-Schicht 38 aufgebracht ist, welche eine Schichtdicke von 23 nm und einen Brechungsindex von 1,46 aufweist,second, a low-refractive SiO₂ layer 38 is applied, which has a layer thickness of 23 nm and a refractive index of 1.46,
- - als dritte, optisch wirksame Schicht 39 ist eine 45 nm dicke TiO₂-Schicht vorgesehen, welche einen Brechungskoeffizienten von 2,5 besitzt, auf wel cher- As a third, optically effective layer 39 , a 45 nm thick TiO₂ layer is provided, which has a refractive index of 2.5, on which cher
- - eine vierte, aus TiOxNy bestehende Schicht 41 mit einer Schichtdicke von 63 nm aufgebracht ist und die einen Brechungskoeffizienten von 2,35 auf weist;a fourth layer 41 , consisting of TiO x N y , is applied with a layer thickness of 63 nm and has a refractive index of 2.35;
- - die abschließende fünfte Schicht 43 ist eine aus einer 90 nm dicken, aus SiO₂ bestehenden aufge tragenen Schicht, die einen Brechungsindex von 1,46 besitzt.- The final fifth layer 43 is a 90 nm thick, made of SiO₂ applied layer, which has a refractive index of 1.46.
Die mit dem Schichtsystem 35 wellenlängenabhängig gewonnenen Reflexionswerte sind in dem in Fig. 7 dargestellten Diagramm durch die Kurve h wiederge geben. Die mit einem herkömmlichen Schichtsystem 34, dargestellt in Fig. 8a, gewonnenen und durch Kurve g wiedergegebenen Reflexionswerte liegen im kurzwelligen, i. e. im Bereich von 370-425 nm und im langwelligen, d. h. < 650 nm Wellenlängen bereich deutlich über denen mit dem erfindungsge mäßen Fünfschichtsystem 35 gewonnenen Reflexions werten der Kurve h. Das Schichtsystem 34 unter scheidet sich von dem Schichtsystem 35 dadurch, daß hier die Doppelschicht, 39, 41 durch eine ein zige, jedoch wesentlich dickere Schicht 40 ersetzt ist, welche eine Einzelschichtdicke von 108 nm aufweist.The reflection values obtained with the layer system 35 depending on the wavelength are shown in the diagram shown in FIG. 7 by curve h. The reflection values obtained with a conventional layer system 34 , shown in FIG. 8a and represented by curve g, are in the short-wave, ie in the range from 370-425 nm and in the long-wave, ie <650 nm wavelength range, clearly above those with the five-layer system according to the invention 35 reflection values obtained from curve h. The layer system 34 differs from the layer system 35 in that here the double layer, 39 , 41 is replaced by a single, but much thicker layer 40 , which has a single layer thickness of 108 nm.
Die Reflexionsgradwerte R der Kurve g bzw. der Kurve h sind wellenlängenabhängig in Tabelle 4 ne ben den zugehörigen Transmissionsgradwerten T auf gelistet.The reflectance values R of the curve g and the Curve h are wavelength dependent in Table 4 ne give up the associated transmittance values T. listed.
Die Schichtsysteme, mit denen die oben in den Be spielen 1 bis 4 genannten Transmission- und Refle xionswerte erzielt wurden, sind nach dem im fol genden beschriebenen Verfahren hergestellt worden. In reaktiver Gasatmosphäre von ca. 5×10-3 mbar wurde je nach abzuscheidender optischer Schicht als Targetmaterial Titan, Zirkonium, Silizium oder Aluminium, Zink, Zinn, Tantal oder Silizium ausge wählt. Unter Verwendung von Edelgas unter Beimi schung eines Reaktivgases, wie z. B. eines O₂/N₂- Gasgemisches, wurde von der Targetoberfläche unter Sputtereinwirkung Targetsubstanzmaterial abgesput tert, welches sich auf dem zu beschichtenden Substrat 4 als chemische Verbindung, wie z. B. ZrN oder TiOxNy, niederschlägt und sich als eine ge schlossenen Einzelschicht ausbildet. Durch zeitli che Abfolge des Sputterprozesses an verschiedenen Targetmaterialien werden nacheinander einzelne, aus unterschiedlichen chemischen Elementen zusam mengesetzte Verbindungen bestehende Einzelschich ten zu einem Schichtsystem 2, 15, 25, 35 aufge baut, welches die genannten optisch wirkenden Ei genschaften, mit insbesondere einem niedrigen Re flexionsgrad aufweist.The layer systems with which the transmission and reflection values mentioned above in Examples 1 to 4 were achieved were produced by the method described below. In a reactive gas atmosphere of approx. 5 × 10 -3 mbar, depending on the optical layer to be deposited, titanium, zirconium, silicon or aluminum, zinc, tin, tantalum or silicon was selected as the target material. Using noble gas with admixture of a reactive gas, such as. B. an O₂ / N₂ gas mixture, was sputtered from the target surface under sputtering target substance material, which is on the substrate 4 to be coated as a chemical compound, such as. B. ZrN or TiO x N y , precipitates and forms as a closed ge layer. Due to the temporal sequence of the sputtering process on different target materials, individual layers composed of compounds composed of different chemical elements are successively built up to form a layer system 2 , 15 , 25 , 35 which has the optically acting properties mentioned, in particular with a low degree of reflection having.
BezugszeichenlisteReference list
1 Belag, Schichtsystem
2 Belag, Schichtsystem
4 Substrat
6 erste Schicht
8 zweite Schicht
9 dritte Schicht
10 dritte Schicht
11 vierte Schicht
12 vierte Schicht
13 fünfte Schicht
15 Belag, Schichtsystem
16 erste Schicht
18 zweite Schicht
19 dritte Schicht
21 vierte Schicht
22 fünfte Schicht
24 Belag, Schichtsystem
25 Belag, Schichtsystem
26 erste Schicht
28 zweite Schicht
29 dritte Schicht
30 dritte Schicht
31 vierte Schicht
32 vierte Schicht
33 fünfte Schicht
34 Belag, Schichtsystem
35 Belag, Schichtsystem
36 erste Schicht
38 zweite Schicht
39 dritte Schicht
40 dritte Schicht
41 vierte Schicht
42 vierte Schicht
43 fünfte Schicht
a Reflexionsgradkurve zu Schichtsystem 1
b Reflexionsgradkurve zu Schichtsystem 2
c gemessene Reflexionsgradkurve zu Schichtsystem
d Reflexionsgradkurve zu Schichtsystem 24
e Reflexionsgradkurve zu Schichtsystem 25
f Reflexionsgradkurve zu Schichtsystem 34
g Reflexionsgradkurve zu Schichtsystem 35. 1 covering, layer system
2 covering, layer system
4 substrate
6 first layer
8 second layer
9 third layer
10 third layer
11 fourth shift
12 fourth shift
13 fifth shift
15 covering, layer system
16 first layer
18 second layer
19 third shift
21 fourth shift
22 fifth shift
24 covering, layer system
25 covering, layer system
26 first layer
28 second layer
29 third shift
30 third shift
31 fourth shift
32 fourth shift
33 fifth shift
34 covering, layer system
35 covering, layer system
36 first shift
38 second layer
39 third shift
40 third shift
41 fourth shift
42 fourth shift
43 fifth shift
a Reflectance curve for layer system 1
b reflectance curve for layer system 2
c measured reflectance curve for layer system
d reflectance curve for layer system 24
e Reflectivity curve for layer system 25
f reflectance curve for layer system 34
g reflectance curve for layer system 35 .
Claims (7)
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