DE19633320C2 - Verfahren zur verkleinernden Abbildung einer Maske auf einem Substrat und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens - Google Patents
Verfahren zur verkleinernden Abbildung einer Maske auf einem Substrat und Vorrichtung zur Durchführung des VerfahrensInfo
- Publication number
- DE19633320C2 DE19633320C2 DE19633320A DE19633320A DE19633320C2 DE 19633320 C2 DE19633320 C2 DE 19633320C2 DE 19633320 A DE19633320 A DE 19633320A DE 19633320 A DE19633320 A DE 19633320A DE 19633320 C2 DE19633320 C2 DE 19633320C2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- mask
- deflection
- lens
- imaging lens
- image
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/3002—Details
- H01J37/3007—Electron or ion-optical systems
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/10—Lenses
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/3175—Lithography
- H01J2237/31777—Lithography by projection
- H01J2237/31788—Lithography by projection through mask
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Description
Die Erfindung betrifft ein Korpuskularstrahl-Lithographieverfahren zur
verkleinernden Abbildung einer Maske durch Ionen auf einem
Halbleitersubstrat, bei dem die Maske mit einem annähernd parallelen,
flächigen Strahlbünden durch ein Ablenksystem abgerastert wird und ein
verkleinertes Abbild der Maske auf dem Halbleitersubstrat erzeugt wird.
Weiterhin wird eine Vorrichtung zur Durchführung dieses Verfahrens
angegeben.
Gattungsgemäße Verfahren dienen dazu, strukturierte Masken mittels
Ionenstrahlen verkleinert auf Halbleitersubstraten abzubilden. Ohne den Umweg
über photolithographische Verfahrensschritte lassen sich beispielsweise durch
Abbildung der Maske mit Ionen, deren Energien größer als 100 keV sind,
Strukturverfahren wie Ion Beam Etching, Dotieren, Sputtern und dergleichen
durchführen.
Nach dem Stand der Technik ist es bekannt, die Maske vollständig auszu
leuchten und gleichzeitig auf das Substrat zu projizieren. Dieses Verfahren
ermöglicht es allerdings nicht, die in der Praxis unvermeidlichen Linsenfehler
des Abbildungssystems, wie Bildwölbung, Astigmatismus oder Verzeichnung zu
korrigieren. Auch ist bei niedrigen Energien die Fokussierung, d. h. die räumliche
Auflösung und damit die minimale erreichbare Strukturbreite durch die
Coulombabstoßung der geladenen Strahlpartikel limitiert. Die Energie kann
allerdings nicht beliebig vorgegeben werden, da diese durch die jeweils
angestrebten Effekte vorgegeben ist. Darüber hinaus bringt eine Vergrößerung
der Energie einen erheblichen Mehraufwand im Hinblick auf die Ablenkung und
Fokussierung des Strahlbündels der herkömmlichen Systeme mit sich.
Weiterhin ist aus der DE 27 02 445 A1 ein korpuskularstrahloptisches Gerät zur
verkleinernden Abbildung einer Maske auf ein zu bestrahlendes Präparat
bekannt, bei dem nicht die gesamte Maske gleichzeitig abgebildet wird, sondern
bei dem die Maske mit einem mindestens annähernd parallelen, flächenhaften
Strahlbündel abgerastert wird. Durch diese Maßnahme wird zwar die Auflösung
erhöht, indem man die realen Fehler des Kondensorlinsensystems
mitberücksichtigt. Der dadurch erreichte Gewinn an Genauigkeit wird allerdings
dadurch relativiert, daß die Abbildung über ein Projektionslinsensystem erfolgt,
welches aus einer langbrennweitigen Zwischenlinse und einer
kurzbrennweitigen Abbildungslinse zusammengesetzt ist. Der Abstand der
Linsen ist dabei gleich der Summe ihrer Brennweiten, wobei die Maske in der
vorderen Brennebene der Zwischenlinse liegt.
Ein wesentlicher, prinzipieller Nachteil der vorgenannten Vorrichtung und des
damit durchgeführten Verfahrens ergibt sich aus dem unvermeidbaren, zwi
schen den Linsen liegenden Zwischenfokus. Durch die Coulomb-Wechselwir
kung kommt es in diesem Bereich zu einer Abstoßung der geladenen Partikel,
wodurch die Auflösung, d. h. die unterste Strukturgröße ebenfalls begrenzt wird.
Auch sind bei der Verwendung von Linsen mit kurzen Feldbreiten, d. h. geringen
Abbildungsfehlern, und akzeptablen Objektweiten lediglich Verkleinerungen im
Bereich 1 : 10 erzielbar. Dies ist insbesondere im Hinblick auf die geforderten,
immer kleineren Strukturbreiten hinderlich.
Die US 4 001 493 schlägt ein Aufzeichnungssystem für einen Datenträger mit
besonders hoher Datendichte vor. Dabei wird mittels eines modulierten
Elektronenstrahls die Information auf eine mit einem auf Elektronen
empfindlichen Lack beschichtete rotierende Scheibe geschrieben. Eine mit
entsprechenden Öffnungen versehene Objektmaske wird hierzu mittels einer
geeigneten Elektronenoptik stark verkleinernd auf die Oberfläche des
Datenträgers abgebildet. Das vorbekannte Abbildungssystem besteht aus einer
Lochblende in Kombination mit einer elektrostatisch arbeitenden
Abbildungslinse. Mittels dieser Optik wird ein Verkleinerungsfaktor von bis zu
250 erreicht.
Das Konzept des vorbekannten Aufzeichnungssystems würde sich prinzipiell
auch für halbleitertechnologische Anwendungen eignen. Trotzdem ergeben sich
einige wesentliche Einschränkungen aufgrund der unvermeidbaren Nachteile
des vorbekannten Elektronen-Aufzeichnungssystems. Zunächst ist der
Linsenfehler der einzelnen elektrostatischen Linse nur schwer beherrschbar.
Den unerwünschten Ungenauigkeiten in der Abbildung versucht das
vorbekannte Aufzeichnungssystem durch die Verwendung einer Lochblende zu
begegnen, durch welche die Abbildungslinse nur in ihrem zentralen Bereich
durchstrahlt wird. Dies führt jedoch nachteiligerweise zu einem erheblichen
Verlust an verfügbarer Strahlungsintensität. Des weiteren wird bei dem
Aufzeichnungssystem die gesamte Objektmaske ausgeleuchtet. Ein derartiges
System eignet sich jedoch aus den obengenannten Gründen nicht für die in der
Halbleiterfertigung benötigten großflächigen, komplexen Masken. Hier ist eine
Abrasterung der Maske mit dem Korpuskularstrahl unumgänglich.
Ausgehend von diesem Stand der Technik liegt der Erfindung die Aufgabe
zugrunde, eine Lösung für die vorgenannten Probleme anzugeben, insbeson
dere eine stark verkleinernde Abbildung mit möglichst hoher Auflösung, das
heißt möglichst geringen Strukturbreiten zu ermöglichen, wobei gleichzeitig eine
bestmögliche Ausnutzung der zur Verfügung stehenden Strahlungsintensität
gewährleistet sein soll.
Zur Lösung dieser Aufgabe schlägt das erfindungsgemäße Verfahren vor, daß
die Abbildung durch eine einzige Abbildungslinse erzeugt wird, die in
Strahlrichtung hinter der Maske angeordnet ist, wobei über ein im Strahlengang
angeordnetes Multipol-Element die Bildfehler der Abbildungslinse in
Abhängigkeit von der Ablenkung korrigiert werden.
Beim erfindungsgemäßen Verfahren wird die Maske mit einem flächenhaften,
mindestens annähernd parallelen Ionenstrahlbündel abgerastert. Dabei
bedeutet annähernd parallel, daß die Randstrahlen von der Abbildungslinse
abgebildet werden. Diese an sich bekannte Vorgehensweise zur Ausleuchtung
der Maske läßt sich in der Praxis mit hinreichender Geschwindigkeit ausführen,
so daß sie für eine industrielle Massenfertigung von Halbleiterbauelementen
oder in der Mikrosystemtechnik geeignet ist.
Durch die erfindungsgemäße einstufige Abbildung durch die einzige Abbil
dungslinse ohne Zwischenfokus wird dabei erreicht, daß selbst langsame Ionen
mit Energien von einigen keV scharf, d. h. mit hoher Auflösung fokussierbar sind.
Darüber hinaus ergibt sich als weiterer Vorteil, daß die Abbildungsfehler einer
einzigen Linse relativ gut beherrschbar sind, so daß die durch einen zweiten
Fokus zwischen Maske und Target, d. h. Substrat, unvermeidbar auftretenden
zusätzlichen Fehler vermieden werden.
Durch die Verwendung einer Abbildungslinse mit einer optimalen Feldbreite und
geringen Linsenfehlern lassen sich mit dem erfindungsgemäßen Verfahren
besonders große Verkleinerungsverhältnisse von 1 : 20 bis zu 1 : 100 erreichen.
Die untere Grenze für die erreichbaren Strukturbreiten läßt sich auf << 100 nm
senken, indem das Verfahren mit einem energiestabilen Beschleuniger
durchgeführt wird, bei dem ΔE/E < 5 × 10-5 ist.
Durch die Verwendung des zusätzlich im Strahlengang angeordneten Multipol-
Elementes wird erreicht, daß Bildfehler, wie transversale chromatische
Apparation, Bildwölbung, Astigmatismus und Verzeichnung, wirksam korrigiert
werden können. Da in dem erfindungsgemäßen nur jeweils der Bildfehler des
geometrischen Teilbereiches korrigiert wird, den das Strahlbündel zu einem
bestimmten Zeitpunkt abrastert, läßt sich die gesamte Fläche der strukturierten
Maske unabhängig von der Ablenkspannung und damit vom Ablenkwinkel in
gleichbleibender Qualität auf dem Substrat abbilden. Durch diese Maßnahme
wird das Auflösungsvermögen und das nutzbare Verkleinerungsverhältnis
erheblich gesteigert.
Vorzugsweise wird das Ionenstrahlbündel immer durch die Mittelachse der
Abbildungslinse geführt. Indem das Ablenksystem auf diese Weise angesteuert
wird, wird die Abbildungslinse immer im optimalen Betriebsbereich mit
besonders geringen Abbildungsfehlern gefahren.
Vorzugsweise wird der Strahlstrom in der Linsenmitte gemessen und als
Eingangsgröße eines Regelkreises benutzt. Der Regelkreis weist eine Steuer
elektronik auf, die Abweichungen des beispielsweise mittels einer segmen
tierten Blende abgegriffenen Strahlstroms erfaßt und beispielsweise die
Strahldosis konstant regelt und über die automatische Angleichung der
Ablenkspannungen die optimale Strahllage justiert.
Die Durchführung des Verfahrens setzt eine Vorrichtung voraus, mit einer
Strahlquelle zur Erzeugung eines annähernd parallelen Ionenstrahlbündels,
welches ein Ablenksystem, eine Maske und Abbildungslinsen durchläuft, wobei
ein verkleinertes Abbild der Maske auf einem Halbleitersubstrat erzeugt wird
und wobei im Strahlengang zwischen Maske und Substrat eine einzige
Abbildungslinse und ein die Bildfehler dieser Abbildungslinse in Abhängigkeit
von der Strahl-Ablenkung korrigierendes Multipol-Element angeordnet sind.
Dadurch wird ein zweiter Fokus zwischen Maske und Target und somit Ver
zerrungen durch Coulomb-Wechselwirkung vermieden. Darüber hinaus entfal
len zusätzliche, durch eine zweite Linse verursachte Linsenfehler. Indem die
Linse eine möglichst kurze Feldbreite besitzt, sind hohe Verkleinerungsver
hältnisse bei relativ kurzen Objektweiten und geringen Abbildungsfehlern
möglich. Die optimale Feldgeometrie wird unter besonderer Berücksichtigung
der maximalen Feldstärke, dem Ionenstrom und dem für den jeweiligen An
wendungszweck erforderlichen Massenenergie-Produkt ausgelegt.
Das im Strahlengang in Strahlrichtung hinter der Maske angeordnete Multipol-
Element ermöglicht die Einschaltung von Dipol-, Quadropol- und höheren
Multipolfeldern in den Verlauf des Strahlbündels. Durch die Anordnung der
Multipoleinheit in der Nähe der Mitte der Abbildungslinse können die
geometrischen Bildfehler, wie Bildwölbung, Astigmatismus und Verzeichnung
durch entsprechende, von der Ablenkung abhängige Feldbeschaltungen
korrigiert werden. Durch Überlagerung von Dipol- und Quadropolfeldern lassen
sich geometrischer Astigmatismus und Verzeichnung ausgleichen. Zusätzlich
kann durch Überlagerung von elektrischen und magnetischen Dipolfeldern
gleicher Ablenkstärke in sogenannten Wienfiltern der transversale chromatische
Fehler korrigiert werden.
Bevorzugt wird als Abbildungslinse eine magnetische Linse, insbesondere ein
supraleitendes Solenoid verwendet. Eine derartige supraleitende Abbildungs
linse mit magnetischen Feldstärken von einigen Tesla und optimiertem Feld
verlauf gewährleistet geringe ionenoptische Fehler und ermöglicht eine einfache
Justierung.
Zweckmäßigerweise weist das Ablenksystem zwei Ablenkeinheiten auf. Die
erste Ablenkeinheit, die beispielsweise aus Paaren von elektrostatischen
Ablenkplatten gebildet wird, lenkt das Strahlbündel auf einen vorbestimmten
Bereich der Maske. Mittels der zweiten Ablenkeinheit, die beispielsweise
wiederum als Ablenkplattenpaare ausgebildet ist, wird das Strahlbündel wieder
in Richtung auf die Mittelachse der Abbildungslinse hin abgelenkt.
Besondere Vorzüge ergeben sich unter Umständen daraus, daß das Ab
lenksystem drei Ablenkeinheiten aufweist. Dabei ist im Gegensatz zur An
ordnung mit zwei Ablenkeinheiten die zweite Ablenkeinheit in zwei in Strahl
richtung hintereinander liegende Plattenpaare geteilt. Die Maske ist in Strahl
richtung zwischen den beiden Plattenpaaren angeordnet. Die zweite und die
dritte Ablenkeinheit, d. h. die erste und zweite Hälfte der geteilten Ablenkeinheit,
sind mit unterschiedlicher Polung so geschaltet, daß das Strahlenbündel, d. h.
der Ionenstrahl senkrecht auf die Maske trifft. In der dritten Ablenkeinheit, d. h. in
der zweiten Hälfte wird das Strahlbündel so abgelenkt, daß es immer durch die
Mittelachse der Abbildungslinse geführt wird.
Besonders vorteilhaft im Hinblick auf eine hohe erreichbare Auflösung ist es,
daß die Strahlquelle eine energiestabile Partikelquelle, d. h. ein Ionen- oder
Elektronenbeschleuniger ist. Ein solcher Beschleuniger zeichnet sich durch eine
eng definierte Energieverteilung, beispielsweise ΔE/E < 5 × 10-5 aus. Auf diese
Weise wird die chromatische Aberration, d. h. die durch die Energieunschärfe
bedingte Fokusunschärfe, erheblich reduziert, wodurch sich Strukturen in der
Größenordnung von << 100 nm problemlos erzeugen lassen.
Zweckmäßigerweise ist in der Linsenmitte der Abbildungslinse eine segmen
tierte Blende angeordnet. Diese dient einerseits dazu, die Divergenz zu be
schränken und somit den sphärischen Fehler möglichst gering zu halten. Au
ßerdem kann daran der Implantationsstrom, d. h. die Strahldosis abgegriffen und
kontrolliert werden. Die Segmentierung ermöglicht weiterhin, einen ab
weichenden Strahlverlauf zu detektieren und über einen automatischen Re
gelkreis die Ablenkspannung des zweiten bzw. dritten Plattenpaares auto
matisch so anzugleichen, daß der Strahl optimal justiert wird.
Ausführungsbeispiele der erfindungsgemäßen Vorrichtung sind im folgenden
anhand der Zeichnung näher erläutert. Es zeigen im einzelnen:
Fig. 1 eine erfindungsgemäße Vorrichtung in
einer ersten Ausführungsform;
Fig. 2 eine erfindungsgemäße Vorrichtung in
einer zweiten Ausführungsform.
Fig. 1 zeigt eine Vorrichtung zur Durchführung des erfindungsgemäßen
Verfahrens in einer ersten Ausführungsform, die als ganzes mit dem Bezugs
zeichen 1 versehen ist. In der Darstellung von rechts wird durch eine Blende 2
ein Ionenstrahl, d. h. ein Ionen-Strahlbündel 3 eingestrahlt. Dieses wird bei
spielsweise in einem energiestabilen Beschleuniger erzeugt und weist eine
geringe Energieunschärfe auf.
Mittels einer ersten Ablenkeinheit 4, die z. B. aus Paaren elektrostatischer
Ablenkplatten besteht, wird der Ionenstrahl 3 abgelenkt. Mittels einer zweiten
Ablenkeinheit 5, die wiederum z. B. ein elektrostatisches Plattenpaar aufweist,
wird der Ionenstrahl 3 unter definiertem Winkel auf eine Maske 6 gelenkt.
Die Ablenkeinheiten 4 und 5 sind an eine Steuereinheit 7 angeschlossen. Diese
erzeugt die Ablenkspannungen, so daß der Ionenstrahl 3 die Maske 6 abrastert.
Im Strahlengang hinter der Maske 6 befindet sich eine einzige Abbildungslin
se 8, die beispielsweise als supraleitendes Solenoid ausgebildet ist. Die Ab
bildungslinse 8 fokussiert den Ionenstrahl 3 auf einem Substrat 9, beispiels
weise einem Halbleiter wafer.
In der Mitte der Abbildungslinse 8 ist eine Blende 10 justiert, die bevorzugt
segmentiert ausgebildet ist.
Im Strahlengang vor der Abbildungslinse 8 ist eine Multipoleinheit 11 ange
ordnet, die ebenfalls an die Steuereinheit 7 angeschlossen ist. In dieser Mul
tipoleinheit 11 sind Feldkonfigurationen einstellbar, die mindestens einen
Quadrupol- und Dipolanteil aufweisen. Mit der Steuereinheit 7 können diese
Anteile in Abhängigkeit von der an den Ablenkeinheiten 4 und 5 anliegenden
Ablenkspannungen vorgegeben werden.
Fig. 2 zeigt eine erfindungsgemäße Vorrichtung in einer zweiten Ausfüh
rungsform, wobei für identische Bestandteile die gleichen Bezugszeichen
Verwendung finden. Im wesentlichen ist diese Vorrichtung 1 gleich aufgebaut
wie die in Fig. 1 dargestellte, der Unterschied besteht darin, daß neben der
darin mit 5a bezeichneten zweiten Ablenkeinheit in Strahlrichtung hinter der
Maske 6 eine dritte Ablenkeinheit 5b angeordnet ist. Im wesentlichen handelt es
sich bei den Ablenkeinheiten 5a und 5b um zwei Hälften einer geteilten
Ablenkeinheit, die mit unterschiedlicher Polung betrieben werden. Dadurch wird
erreicht, daß der Ionenstrahl 3 senkrecht auf die Maske 6 auftrifft.
Zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens wird der axial einge
strahlte Ionenstrahl 3, der eine geringe Energieunschärfe aufweist, zunächst
durch die Blende 2 geometrisch geformt. Mittels der ersten Ablenkeinheit 4 wird
er rasterförmig abgelenkt, wobei die zweite Ablenkeinheit 5 bzw. die zweite und
dritte Ablenkeinheit 5a und 5b dafür sorgen, daß der Ionenstrahl 3 zunächst die
Maske 6 abrastert und anschließend durch die Mittelebene der
Abbildungslinse 8 geführt wird.
Dadurch, daß die Objektweite zwischen Maske 6 und der einzigen Abbil
dungslinse 8 in der Größenordnung von 2 bis 10 m liegt, wird ein hohes
Verkleinerungsverhältnis erreicht.
Dadurch, daß nur eine einzige fokussierende Linse 8 verwendet wird, die
vorzugsweise als supraleitendes Solenoid mit kurzer Feldbreite ausgebildet ist,
werden die Abbildungsfehler auf dem Substrat 9 bereits relativ gering gehalten.
Dies erreicht man zusätzlich dadurch, daß der Ionenstrahl 3 mittels der
Ablenkeinheiten 4, 5 bzw. 4, 5a, 5b immer in die Linsenmitte der Abbil
dungslinse 8 gelenkt wird.
Die Strahljustierung kann erfolgen, indem die in Linsenmitte angeordnete
Blende 10 segmentiert ausgebildet ist und Abweichungen im gemessenen
Strahlstrom an die Steuereinheit 7 weitergegeben werden, die automatisch die
Ablenkspannungen an den Ablenkeinheiten 4, 5, 5a, 5b so einstellt, daß der
Strahl automatisch richtig justiert wird.
Weitere Abbildungsfehler wie transversale chromatische Aberration, Bild
wölbung, Astigmatismus und Verzeichnung werden mit der Multipoleinheit 11
korrigiert, indem diese von der Steuereinheit 7 aus in Abhängigkeit von der an
den Ablenkeinheiten 4, 5, 5a, 5b anliegenden Ablenkspannungen betrieben
wird. Diese Regelung erfolgt ebenfalls automatisch.
Das erfindungsgemäße Verfahren läßt sich beispielsweise mit einer Vorrichtung
1 mit hoher Betriebsgeschwindigkeit und -sicherheit durchführen und ermöglicht
optimale Abbildungsverhältnisse bei beliebigen Energien des Ionenstrahls 3.
Claims (12)
1. Korpuskularstrahl-Lithographieverfahren zur verkleinernden
Abbildung einer Maske (6) durch Ionen auf einem Halbleitersubstrat (9), bei
dem die Maske mit einem annähernd parallelen, flächigen Strahlbündel (3)
durch ein Ablenksystem (4, 5) abgerastert wird und ein verkleinertes Abbild der
Maske (6) auf dem Halbleitersubstrat (9) erzeugt wird, dadurch gekennzeichnet,
daß die Abbildung durch eine einzige Abbildungslinse (8) erzeugt wird, die in
Strahlrichtung hinter der Maske (6) angeordnet ist, wobei über ein im
Strahlengang angeordnetes Multipol-Element (11) die Bildfehler der
Abbildungslinse (8) in Abhängigkeit von der Ablenkung korrigiert werden.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das
Strahlbündel (3) durch die Mittelebene der Abbildungslinse (8) gelenkt wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der
Strahlstrom in der Linsenmitte gemessen wird und als Eingangsgröße eines
Regelkreises benutzt wird.
4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß durch
den Regelkreis die Strahllage justiert wird.
5. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß durch
den Regelkreis die Strahldosis geregelt wird.
6. Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach Anspruch 1,
mit einer Strahlquelle zur Erzeugung eines annähernd paralleln Ionen-
Strahlbündels (3), welches ein Ablenksystem (4, 5), eine Maske (6) und
Abbildungslinsen durchläuft, wobei ein verkleinertes Abbild der Maske (6) auf
einem Halbleitersubstrat (9) erzeugt wird, dadurch gekennzeichnet, daß im
Strahlengang zwischen Maske (6) und Substrat (9) eine einzige
Abbildungslinse (8) und ein die Bildfehler dieser Abbildungslinse (8) in
Abhängigkeit von der Strahl-Ablenkung korrigierendes Multipol-Element
angeordnet sind.
7. Vorrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die
Abbildungslinse (8) eine magnetische Linse ist.
8. Vorrichtung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die
magnetische Linse (8) ein supraleitendes Solenoid ist.
9. Vorrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß das
Ablenksystem zwei Ablenkeinheiten (4, 5) aufweist.
10. Vorrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß das
Ablenksystem drei Ablenkeinheiten (4, 5a, 5b) aufweist.
11. Vorrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die
Strahlquelle eine energiestabile Partikelquelle ist.
12. Vorrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß in der
Linsenmitte eine segmentierte Blende (10) angeordnet ist.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19633320A DE19633320C2 (de) | 1996-08-19 | 1996-08-19 | Verfahren zur verkleinernden Abbildung einer Maske auf einem Substrat und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19633320A DE19633320C2 (de) | 1996-08-19 | 1996-08-19 | Verfahren zur verkleinernden Abbildung einer Maske auf einem Substrat und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE19633320A1 DE19633320A1 (de) | 1998-03-05 |
DE19633320C2 true DE19633320C2 (de) | 2001-05-17 |
Family
ID=7802979
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19633320A Expired - Fee Related DE19633320C2 (de) | 1996-08-19 | 1996-08-19 | Verfahren zur verkleinernden Abbildung einer Maske auf einem Substrat und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE19633320C2 (de) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4001493A (en) * | 1974-09-03 | 1977-01-04 | Nihon Denshi Kabushiki Kaisha | Single lens, multi-beam system and method for high resolution recording of information on a moving recording medium and article |
US4140913A (en) * | 1977-01-20 | 1979-02-20 | Siemens Aktiengesellschaft | Charged-particle beam optical apparatus for the reduction imaging of a mask on a specimen |
US4985634A (en) * | 1988-06-02 | 1991-01-15 | Oesterreichische Investitionskredit Aktiengesellschaft And Ionen Mikrofabrications | Ion beam lithography |
-
1996
- 1996-08-19 DE DE19633320A patent/DE19633320C2/de not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4001493A (en) * | 1974-09-03 | 1977-01-04 | Nihon Denshi Kabushiki Kaisha | Single lens, multi-beam system and method for high resolution recording of information on a moving recording medium and article |
US4140913A (en) * | 1977-01-20 | 1979-02-20 | Siemens Aktiengesellschaft | Charged-particle beam optical apparatus for the reduction imaging of a mask on a specimen |
US4985634A (en) * | 1988-06-02 | 1991-01-15 | Oesterreichische Investitionskredit Aktiengesellschaft And Ionen Mikrofabrications | Ion beam lithography |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Patents Abstracts of Japan, E-593, 1988, Vol. 12, No. 94, JP 62-2 26 551 A * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE19633320A1 (de) | 1998-03-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP0218920B1 (de) | Elektronenenergiefilter vom Omega-Typ | |
DE2832582C2 (de) | Magnetische Elektronenlinsenanordnung | |
DE4129403A1 (de) | Abbildungssystem fuer strahlung geladener teilchen mit spiegelkorrektor | |
DE102019004124A1 (de) | Teilchenstrahl-System zur azimutalen Ablenkung von Einzel-Teilchenstrahlen und Verfahren zur Azimut-Korrektur bei einem Teilchenstrahl-System | |
DE2620262A1 (de) | Rechner-gesteuertes elektronenstrahllithographie-verfahren | |
EP3712924B1 (de) | Vorrichtung und verfahren zum elektronentransfer von einer probe zu einem energieanalysator und elektronen-spektrometervorrichtung | |
DE102007024353B4 (de) | Monochromator und Strahlquelle mit Monochromator | |
DE10034412A1 (de) | Verfahren zur Elektronenstrahl-Lithographie und elektronen-optisches Lithographiesystem | |
DE10122957B4 (de) | Teilchenstrahlapparat mit energiekorrigierter Strahlablenkung sowie Vorrichtungund Verfahren zur energiekorrigierten Ablenkung eines Teilchenstrahls | |
EP0603555B1 (de) | Verfahren zur Beleuchtung mit einem fokussierten Elektronenstrahl und zugehöriges elektronen-optisches Beleuchtungssystem | |
EP0106154B1 (de) | Varioformstrahl-Ablenkobjektiv für Neutralteilchen und Verfahren zu seinem Betrieb | |
EP0231164B1 (de) | Einrichtung für Ionenprojektionsgeräte | |
EP1239510B1 (de) | Teilchenoptische Linsenanordnung und Verfahren unter Einsatz einer solchen Linsenanordnung | |
EP1006556B1 (de) | Teilchenoptische Anordnung und Verfahren zur teilchenoptischen Erzeugung von Mikrostrukturen | |
DE2937136C2 (de) | ||
EP0564438A1 (de) | Teilchen-, insbes. ionenoptisches Abbildungssystem | |
DE102019202838B4 (de) | Strahlbestrahlungsvorrichtung | |
DE2704441A1 (de) | Vorrichtung und verfahren zur bestrahlung einer werkstueckflaeche | |
DE2834391C2 (de) | Einrichtung zur Erzeugung von Zeichenmustern auf einer Objektfläche mittels Elektronenstrahlen | |
EP2224464A1 (de) | Korpuskulares optisches bilderzeugungssystem | |
DE3003125A1 (de) | Verfahren und vorrichtung zur elektronenstrahllithographie | |
DE10235981B4 (de) | Teilchenoptische Vorrichtung und Elektronenmikroskop | |
EP0920709B1 (de) | Elektronenoptische linsenanordnung mit spaltförmigem öffnungsquerschnitt | |
EP0086431A2 (de) | Korpuskularstrahlerzeugendes System und Verfahren zu seinem Betrieb | |
DE19633320C2 (de) | Verfahren zur verkleinernden Abbildung einer Maske auf einem Substrat und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
8127 | New person/name/address of the applicant |
Owner name: RUBITEC GESELLSCHAFT FUER INNOVATION UND TECHNOLOG |
|
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |