DE19616506C1 - Meßaufnehmer zur Bestimmung von Kräften in Mikrosystemen - Google Patents
Meßaufnehmer zur Bestimmung von Kräften in MikrosystemenInfo
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- G01L1/20—Measuring force or stress, in general by measuring variations in ohmic resistance of solid materials or of electrically-conductive fluids; by making use of electrokinetic cells, i.e. liquid-containing cells wherein an electrical potential is produced or varied upon the application of stress
- G01L1/22—Measuring force or stress, in general by measuring variations in ohmic resistance of solid materials or of electrically-conductive fluids; by making use of electrokinetic cells, i.e. liquid-containing cells wherein an electrical potential is produced or varied upon the application of stress using resistance strain gauges
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- G01L5/0028—Force sensors associated with force applying means
- G01L5/0038—Force sensors associated with force applying means applying a pushing force
Description
Die vorliegende Erfindung betrifft einen Meßaufnehmer im Mi
kromaßstab zur Bestimmung von Kräften in Mikrosystemen, z. B.
der von einem Mikroaktor erzeugten Kraft, mit einem, gegenüber
einem ersten Teil des Grundkörpers des Meßaufnehmers bewegli
chen und mit diesem verbundenen zweiten Element, wobei zwi
schen dem ersten Teil und dem zweiten Element ein mit diesem
durch eine Lageänderung desselben dehnbares Zwischenstück ge
schaltet ist, auf welchem Dehnmeßstreifen angebracht sind,
mittels denen die Wegänderung und über diese die sie bewir
kende Kraft auf das bewegliche Element erfaßbar ist und alle
Teile, wie fester Teil, bewegliches Element, Zwischenstück und
Dehnmeßstreifen gemeinsame Bestandteile der Mikrostruktur des
Meßaufnehmers sind.
Meßaufnehmer oder Sensoren dieser Art in makroskopischer Aus
führung sind aus der DE 42 26 224 A1 und der DE 43 09 786 A1
bekannt. Mikrosysteme hingegen sind im allgemeinen dadurch de
finiert, daß ihre wesentlichen Bestandteile Abmessungen im Mi
krometermaßstab aufweisen. Herzstück eines Mikrosystemes, in
welchem Kräfte auftreten, ist die krafterzeugende Komponente,
der Aktor. Trotz kleinster Bauweise werden bei Mikrosystemen
relativ große Kräfte benötigt, wobei auch die gewünschten
Stellwege verglichen zu den Bauteilabmessungen groß sein müs
sen. Die vorliegende Erfindung befaßt sich mit der Messung der
Kräfte, die von Mikroaktoren erzeugt werden.
Bisher wird in der Mikrosystemtechnik meist die Kraftmessung
über Mikrobalken angewendet. Hierbei wirkt die zu messende
Kraft auf den Mikrobalken. Die optische Detektion der Balken
verbiegung liefert die auf den Balken einwirkende Kraft. Bei
dieser Technik muß die Balkenverbiegung optisch ermittelt wer
den. Eine exakte Kalibrierung ist nur bedingt möglich.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es nun, einen Meßauf
nehmer im Mikromaßstab anzugeben, mittels welchem Kräfte z. B.
von Aktoren derselben Größenordnung mit zu den Bauteilabmes
sungen vergleichbaren Stellwegen exakt bestimmt werden können.
Zur Lösung schlägt die vorliegende Erfindung die Merkmale vor,
die im kennzeichnenden Teil des Patentanspruches 1 angeführt
sind. Weiter schlägt die Erfindung gemäß Anspruch 2 noch ein
besonders vorteilhaftes Herstellungsverfahren zur Erzeugung
des neuen Meßaufnehmers vor.
Die Erfindung ermöglicht durch die Integration von Dehnmeß
streifen in einer Mikrokomponente die Messung kleinster
Kräfte. Die Komponente besteht dabei in vorteilhafter Weise
aus gegeneinander verformbaren bzw. verschiebbaren Teilberei
chen, die über Dehnmeßstreifen miteinander verbunden sind. Aus
der Widerstandsänderung der Dehnmeßstreifen kann dann auf die
einwirkende Kraft geschlossen werden. Eine externe Kalibrie
rung des Meßaufnehmers ermöglicht dann die genaue Kraftmes
sung. Dazu genügt bereits eine geringe Verformung des Meßauf
nehmers, um ein verwertbares Signal zu erhalten.
Weitere Einzelheiten der vorliegenden Erfindung werden im fol
genden und anhand der Fig. 1 und 2 näher erläutert. Es zei
gen:
die Fig. 1 das prinzipielle Aussehen des Meßaufnehmers von
oben und
die Fig. 2 von a) bis h) die schematischen Fertigungsschritte
zur Erzeugung derselben anhand des Teilschnittes AB der Fig. 1
im Bereich einer der beiden DMS.
Grundelement des Meßaufnehmers ist gemäß Fig. 1 der flache
Strukturkörper 1 im Mikromaßstab, der vollständig von weiteren
Strukturen bzw. von dem zur seiner Herstellung notwendigen
Substrat gelöst ist und der aus einem Metall wie z. B. Kupfer
besteht. Unter "flach" sind Abmessungen zu verstehen, wie sie
eingangs als für die Mikrotechnik charakteristisch beschrieben
wurden. Innerhalb des Strukturkörpers 1 ist in einem Hohlraum
2 ein ebenfalls flacher Anker 3 als gegen einen ersten Bereich
5 verschiebbarer zweiter Bereich angeordnet. An dem Anker 3
ist ein Stab 6 angebracht, der aus dem Hohlraum 2 des ersten
Bereiches 5 herausführt und der über eine Feder 4 wieder mit
dem Endbereich 7 des ersten Bereiches 5 vom Strukturkörper 1
verbunden ist. Die Feder 4 ist dabei Bestandteil des Struktur
körpers 1, liegt jedoch außerhalb des ersten Bereiches 5 und
ist daher in ihrer Dimensionierung je nach gewünschter Feder
kraft variabel. Der Strukturkörper 1 besteht somit aus dem Be
reich 5, dem Anker 3, dem Stab 6 und der Feder 4, wodurch wie
bereits erwähnt, der Anker 3 durch die Federwirkung der Feder
4 gegenüber dem ersten Bereich 5 beweglich bzw. verschiebbar
wird. Wirkt auf den Stab 6 eine Kraft 8, so wird der bewegli
che Anker 3 auf den Bereich 5 hin bewegt, sofern auf diesen
eine gleichgroße Gegenkraft einwirkt.
Über den Strukturkörper 1 sind zwei parallel liegende Polyi
midmembranen 9 beidseitig des Stabes 6 so gelegt, daß sie den
Anker 3 überdecken und vom Bereich 5 bis zu dem Endbereich 7
des Strukturkörpers 1 oder mindestens vom Anker 3 bis zu dem
Endbereich 7 des Strukturkörpers 1 reichen. Die Membranen sind
dabei sowohl auf den Bereichen 5 und 7 als auch auf dem Anker
3 befestigt, so daß sie bei einer Längsbewegung desselben
durch die Kraft 8 entlang ihrer Länge elastisch verformt bzw.
im Bereich 10 zwischen dem Anker 3 und dem Endbereich 7 ge
dehnt werden. Auf den Polyimidmembranen 9 als Trägerfolien
sind im Dehnbereich 10 zwei Dehnmeßstreifen 11 (DMS) ange
bracht, die so auf den Membranen 9 zwischen Anker 3 und Endbe
reich 7 befestigt sind, daß sie die volle Wegänderung zwischen
diesen erfassen. Die Kontaktierung der Dehnmeßstreifen 11 er
folgt mittels der beiden Bondpads 12, die auf den Membranen 9
über dem Endbereich 7 befestigt sind durch Drahtbonden. Die
auf der Struktur befindlichen Dehnmeßstreifen 11 werden somit
bei einer Krafteinleitung durch die Kraft 8 mitgedehnt, wobei
durch Messung deren elektrischen Widerstandes über die Bond
pads 12 die mechanische Belastung durch die Kraft 8 detektiert
werden kann. Die Abmessungen der Membranen 9 als Trägerfolien
sowie der Dehnmeßstreifen 11 liegen dabei ebenfalls in dem er
wähnten Mikrobereich.
Die gesamte Struktur des Meßaufnehmers bildet zusammen eine
teilweise gegeneinander bewegliche Mikrostruktur, die durch
eine Kombination des LIGA-Verfahrens (Röntgentiefenlithografie
mit Galvanoformung und Kunststoffabformung) mit einer Opfer
schichttechnik hergestellt wird. Die Herstellungsmethode er
möglicht es, Mikrostrukturen mit Strukturhöhen bis zu mehreren
100 µm bei lateralen Abmessungen von wenigen µm zu fertigen.
Durch die zusätzliche Anwendung der Opferschichttechnik ist
man in der Lage, gegenüber einem Substrat als für die Herstel
lung notwendige Basisschicht freibewegliche Teile herzustel
len.
Das Prinzip der Herstellung wird im folgenden anhand der Fig.
2, die von a) bis h) einzelne Fertigungsschritte zeigt, be
schrieben:
Ausgangsmaterial ist gemäß Fig. 2a eine Substratschicht 13 (Keramik- oder Siliziumwafer) mit einer darauf aufgebrachten 3 - 7 µm starken TiOx-Schicht 14 als selektiv ätzbare Opfer- und Galvanikstartschicht sowie einer darüberliegenden Metall schicht 15 mit einer Dicke von ca. 250 nm aus z. B. NiCr, Au oder Konstantan zur späteren Bildung der DMS 11.
Ausgangsmaterial ist gemäß Fig. 2a eine Substratschicht 13 (Keramik- oder Siliziumwafer) mit einer darauf aufgebrachten 3 - 7 µm starken TiOx-Schicht 14 als selektiv ätzbare Opfer- und Galvanikstartschicht sowie einer darüberliegenden Metall schicht 15 mit einer Dicke von ca. 250 nm aus z. B. NiCr, Au oder Konstantan zur späteren Bildung der DMS 11.
Diese Metallschicht 15 wird gemäß der Form der späteren DMS 11
naßchemisch oder anderweitig strukturiert, so daß die Streifen
oder Mäander der DMS 11 mit den Bondpads 12 in der Fig. 1 üb
rigbleiben, wie in der Fig. 2b dargestellt.
Nach der Fig. 2c wird dann die ca. 1,5 µm dicke Polyimidmembran
9 über die Streifen der DMS 11 durch Aufschleudern aufgebracht
und mit Hilfe von Licht strukturiert. Die DMS Mäander und die
Bondpads sind dabei vollständig von der Polyimidmembran 9 be
deckt.
Nach der Fig. 2d werden dann auf die nichtleitende Polyimid
membran 9 an den Stellen, an denen sie später mit dem Anker 3
und dem Endbereich 7 verbunden ist, Galvanikstartschichten 16
z. B. aus Cr/Au zur späteren Befestigung aufgebracht.
Die Fig. 2e bis 2h zeigen die weiteren Fertigungsschritte
des LIGA-Verfahrens,
2e: das Aufbringen eines Röntgenresists 17 über das im vorher gehenden Schritt hergestellte Teil,
2f: Strukturieren des Röntgenresists 17 auf die in der Fig. 1 dargestellte und gewünschte Form des Meßaufnehmers mit Feder 4, Stab 6 und Anker 3 mit Hilfe von Synchrotonstrahlung und Entfernen der bestrahlten Resistbereiche 18, so daß die unbe strahlten Bereiche des Resists 17 stehenbleiben,
2g: galvanisches Auffüllen der Bereiche 18 zur Herstellung der Mikrostrukturen 5 und 7 und Entfernen der unbestrahlten Berei che des Resistes 17,
2h: selektives Wegätzen der Schichten 13 und 14, nach Umdrehen ist der Meßaufnehmer nach der Fig. 1 mit freitragender Polyi midmembran 9 sowie den daraufliegenden DMS 11 fertig.
2e: das Aufbringen eines Röntgenresists 17 über das im vorher gehenden Schritt hergestellte Teil,
2f: Strukturieren des Röntgenresists 17 auf die in der Fig. 1 dargestellte und gewünschte Form des Meßaufnehmers mit Feder 4, Stab 6 und Anker 3 mit Hilfe von Synchrotonstrahlung und Entfernen der bestrahlten Resistbereiche 18, so daß die unbe strahlten Bereiche des Resists 17 stehenbleiben,
2g: galvanisches Auffüllen der Bereiche 18 zur Herstellung der Mikrostrukturen 5 und 7 und Entfernen der unbestrahlten Berei che des Resistes 17,
2h: selektives Wegätzen der Schichten 13 und 14, nach Umdrehen ist der Meßaufnehmer nach der Fig. 1 mit freitragender Polyi midmembran 9 sowie den daraufliegenden DMS 11 fertig.
Bezugszeichenliste
1 Strukturkörper
2 Hohlraum
3 Anker, zweiter Bereich
4 Feder
5 erster Bereich
6 Stab
7 Endbereich
8 Kraft
9 Polyimidmembran
10 Dehnbereich
11 Dehnmeßstreifen, DMS
12 Bondpads
13 Substratschicht
14 Opferschicht
15 Metallschicht
16 Galvanikstartschicht
17 Röntgenresist
18 bestrahlte Resistbereiche
2 Hohlraum
3 Anker, zweiter Bereich
4 Feder
5 erster Bereich
6 Stab
7 Endbereich
8 Kraft
9 Polyimidmembran
10 Dehnbereich
11 Dehnmeßstreifen, DMS
12 Bondpads
13 Substratschicht
14 Opferschicht
15 Metallschicht
16 Galvanikstartschicht
17 Röntgenresist
18 bestrahlte Resistbereiche
Claims (2)
1. Meßaufnehmer im Mikromaßstab zur Bestimmung von Kräften in
Mikrosystemen, z. B. der von einem Mikroaktor erzeugten
Kraft, mit einem, gegenüber einem ersten Teil des Grundkör
pers des Meßaufnehmers beweglichen und mit diesem verbun
denen zweiten Element, wobei zwischen dem ersten Teil und
dem zweiten Element ein mit diesem durch eine Lageänderung
desselben dehnbares Zwischenstück geschaltet ist, auf wel
chem Dehnmeßstreifen angebracht sind, mittels denen die
Wegänderung und über diese die sie bewirkende Kraft auf das
bewegliche Element erfaßbar ist und alle Teile, wie fester
Teil, bewegliches Element, Zwischenstück und Dehnmeßstrei
fen gemeinsame Bestandteile der Mikrostruktur des Meßauf
nehmers sind, gekennzeichnet durch die folgenden Merkmale:
- a) der Meßaufnehmer weist einen Strukturkörpers (1) auf, innerhalb dem in einem Hohlraum (2) ein Anker (3) als gegen den ersten Bereich (5) verschiebbarer zweiter Teil angeordnet ist,
- b) an dem Anker (3) ist ein Stab (6) angebracht, der aus dem Hohlraum (2) des ersten Bereiches (5) herausführt und der über eine Feder (4) wieder mit dem Endbereich (7) des ersten Bereiches (5) verbunden ist,
- c) die Feder (4) ist dabei Bestandteil des Strukturkörpers (1) und liegt außerhalb des ersten Bereiches (5), wobei der Anker (3) durch die Federwirkung der Feder (4) ge genüber dem ersten Bereich (5) verschiebbar ist,
- d) über den Strukturkörper (1) sind zwei parallel liegende Polyimidmembranen (9) beidseitig des Stabes (6) den An ker (3) überdeckend gelegt, die mindestens vom Anker (3) bis zu dem Endbereich (7) des Strukturkörpers (1) rei chen und dort jeweils befestigt sind,
- e) auf den Polyimidmembranen (9) ist in ihrem Dehnbereich (10) ein Dehnmeßstreifen (11) angebracht, die die Wegän derung des Dehnbereiches (10) erfassen, wobei die Abmes sungen der Membranen (9) sowie der Dehnmeßstreifen (11) ebenfalls im Mikrobereich liegen.
2. Verfahren zur Herstellung eines Meßaufnehmers nach Anspruch
1, dadurch gekennzeichnet, daß seine gesamte Struktur,
d. h. der Strukturkörper (1) mit dem Anker (3), der Feder
(4), dem Stab (6) sowie den beiden Bereichen (5 und 7) in
denselben Arbeitsgängen durch eine Kombination des
LIGA-Verfahrens, der Röntgentiefenlithografie mit Galvanoformung
und Kunststoffabformung, mit einer Opferschichttechnik her
gestellt wird, wobei die mechanische Trennung des Struktur
körpers dadurch erfolgt, daß in den entsprechenden Berei
chen des Substrats zunächst lokal eine Trennschicht aufge
bracht wird, die zum Schluß ätztechnisch wieder entfernt
wird.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE1996116506 DE19616506C1 (de) | 1996-04-25 | 1996-04-25 | Meßaufnehmer zur Bestimmung von Kräften in Mikrosystemen |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE1996116506 DE19616506C1 (de) | 1996-04-25 | 1996-04-25 | Meßaufnehmer zur Bestimmung von Kräften in Mikrosystemen |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE19616506C1 true DE19616506C1 (de) | 1997-10-02 |
Family
ID=7792403
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE1996116506 Expired - Fee Related DE19616506C1 (de) | 1996-04-25 | 1996-04-25 | Meßaufnehmer zur Bestimmung von Kräften in Mikrosystemen |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE19616506C1 (de) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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DE10153970A1 (de) * | 2001-11-06 | 2003-05-22 | Zf Lemfoerder Metallwaren Ag | Fahrwerksteil |
WO2020229303A1 (fr) * | 2019-05-10 | 2020-11-19 | Silmach | Capteur mems de déformation par rupture de contact entre deux électrodes |
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DE4226224A1 (de) * | 1992-08-07 | 1994-02-10 | Texas Instruments Deutschland | Auf die Einwirkung einer Kraft ansprechender Sensor |
-
1996
- 1996-04-25 DE DE1996116506 patent/DE19616506C1/de not_active Expired - Fee Related
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