DE1959075B2 - Pilot level regenerator for carrier frequency links - has FET preventing heated NTC resistor circuit from causing level jumps at switch on - Google Patents

Pilot level regenerator for carrier frequency links - has FET preventing heated NTC resistor circuit from causing level jumps at switch on

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DE1959075B2 DE19691959075 DE1959075A DE1959075B2 DE 1959075 B2 DE1959075 B2 DE 1959075B2 DE 19691959075 DE19691959075 DE 19691959075 DE 1959075 A DE1959075 A DE 1959075A DE 1959075 B2 DE1959075 B2 DE 1959075B2
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Abstract

The pilot level regenerator uses an indirectly-heated NTC resistor to control the gain of an amplifier so that the pilot signal always has its reference level at points along the carrier frequency transmission link. An FET is coupled in parallel with the NTC resistor and conducts when the power supply is switched on but turns off after a given time. This prevents sudden jumps in pilot level when the supply is switched on. The FET is controlled by a voltage dependent on the behaviour of the NTC resistor. An auxiliary DTC resistor is heated by the same current that heats the first and the voltage drop across it is used to derive the control voltage for the FET.

Description

Die Erfindung betrifft eine Schaltungsanordnung zurThe invention relates to a circuit arrangement for

ίο Vermeidung eines kritisch hohen Stellwiderstandes bei einem einen indirekt geheizten Heißleiter als Stellglied enthaltenden Pilotregler für Trägerfrequenz-Systeme, bei der parallel zum Heißleiter ein selbstleitender Feldeffekttransistor geschaltet ist, der nach dem Einschalten der Versorgungsspannung leitend ist und nach einer kurzen Zeit gesperrt wird.ίο Avoidance of a critically high variable resistance a pilot controller for carrier frequency systems containing an indirectly heated thermistor as an actuator, in which a self-conducting field effect transistor is connected in parallel to the NTC thermistor, which after the Switching on the supply voltage is conductive and is blocked after a short time.

In Trägerfrequenz-Systemen wird die zu übertragende Nachricht mittels Verstärker verstärkt In gewissen Abständen werden dabei pilotgesteuerte Regler angeordnet, die die zugehörigen Verstärker derart regeln, daß d;e Pilotspannung immer den Sollwert hat. Als Stellglied der Regler werden vielfach indirekt geheizte Heißleiter verwendet, wobei der Regler den notwendigen Heizs'rom liefert. Das wird in der GB-PS 6 57 028In carrier frequency systems, the message to be transmitted is amplified by means of an amplifier. At certain intervals, pilot-controlled regulators are arranged that regulate the associated amplifiers in such a way that d ; e pilot voltage always has the setpoint. Indirectly heated thermistors are often used as the control element of the regulator, whereby the regulator supplies the necessary heating current. This is stated in GB-PS 6 57 028

beschrieben. Die Stellglieder sind meist in der Gegsnkopplungsanordnung der Verstärker angeordnet, und zwar derart, daß mit abnehmendem Widerstand des Heißleiters der Gegenkopplungsgrad abnimmt und die Verstärkung zunimmtdescribed. The actuators are usually arranged in the counter-coupling arrangement of the amplifier, in such a way that with decreasing resistance of the thermistor, the degree of negative feedback decreases and the Gain increases

Die Heißleiter sind sehr träge und haben eine Zeitkonstante von mehreren Sekunden, d. h. ihr Widerstand folgt nur langsam einer Änderung des Heizstromes. Beim Einschalten der Versorgungsspannung eines solchen geregelten Verstärkers ist zunächstThe thermistors are very slow and have a time constant of several seconds, i.e. H. your Resistance only slowly follows a change in the heating current. When switching on the supply voltage such a regulated amplifier is initially

der Heißleiter kalt und hochohmig und der Gegenkopplungsgrad des Verstärkers sehr groß; dabei besteht die Gefahr, daß der Verstärker schwingt.the thermistor cold and high resistance and the degree of negative feedback of the amplifier very large; there is a risk that the amplifier will oscillate.

Um das zu verhindern, muß man dafür sorgen, daß der Widerstand des Heißleiters einen gewissen kritischen Wert nicht überschreitet. Dazu kann man parallel zum Heißleiter einen festen Widerstand mit dem kritischen Wert schalten. Dadurch wird aber die Wirksamkeit des Heißleiters um so kleiner, je größer sein Widerstand ist, d. h. er muß sich für die gleiche Verstärkungsänderung um so mehr ändern, je hochohmiger er istTo prevent that, one must ensure that the resistance of the thermistor is a certain critical Value does not exceed. To do this, you can create a fixed resistance with the critical one parallel to the NTC thermistor Switch value. As a result, however, the effectiveness of the thermistor becomes smaller, the greater its resistance, d. H. for the same gain change, the higher the resistance, the more it must change

Insbesondere bei stufenweise arbeiterden Reglern, bei denen der Stellstrom in gleichen Schritten geändert wird, ist es sehr unangenehm, wenn sich die dadurch verursachten Verstärkungsschritte über den gesamten Regelbereich stark ändern.Especially with regulators that work step by step, in which the actuating current is changed in equal steps, it is very uncomfortable if this changes change the amplification steps caused over the entire control range.

Es wurde bereits vorgeschlagen (DT-OS 19 13 263), diese Schwierigkeit dadurch zu vermeiden, daß mittels eines Schalters, der nach dem Einschalten der Versorgungsspannung für nur kurze Zeit geschlossen ist, parallel zum Heißleiter ein Widerstand passender Größe geschaltet wird. Als Schalter wurde dabei ein selbstleitender Feldeffekttransistor verwendet. Ein solcher Transistor hat drei Anschlußelektroden, die mit Quelle, Senke und Tor bezeichnet werden. Wenn zwischen Tor und Quelle keine Steuerspannung angelegt ist, stellt die Strecke zwischen Quelle und Senke einen kleinen Widerstand dar, daher die Bezeichnung »selbstleitend«. Durch Anlegen einer Steuerspannung passender Polarität zwischen Tor undIt has already been proposed (DT-OS 19 13 263) to avoid this difficulty by means of a switch that is closed for only a short time after the supply voltage is switched on a resistor of a suitable size is connected in parallel to the NTC thermistor. The switch was on self-conducting field effect transistor used. Such a transistor has three connection electrodes with Source, sink and gate. If there is no control voltage between the gate and the source is applied, the distance between source and sink represents a small resistance, hence the Designation »self-conducting«. By applying a control voltage of the correct polarity between gate and

6S Quelle wird die Leitfähigkeit des Transistors kleiner, bis sie bei genügend großer Steuerspannung (von einigen V) so klein wird, daß der Transistor einen großen Sperrwiders'and (von mehreren ΜΩ) darstellt. Bei 6 S source, the conductivity of the transistor becomes smaller, until with a sufficiently high control voltage (of a few V) it becomes so small that the transistor represents a large blocking resistance (of several ΜΩ). at

einem N- Kanal-Transistor muß das Tor gegenüber der Quelle negativ vorgespannt werden, damit der Transistor sperrtan N- channel transistor, the gate must be biased negative with respect to the source, so that the transistor blocks

Der Feldeffekttransistor eignet sich deswegen für den vorliegenden Zweck besonders gut, weil seine Quelle-Senke-Strecke auch ohne fließenden Gleichstrom niederohmig werden kann. Seine Kennlinie ist nullpunktsymmetrisch, und seine Quelle und Senke können miteinander vertauscht werden. Außerdem ist sein Widerstand zwischen Tor und Quelle (oder Senke) ι ο praktisch unendlich groß, und der Transistor kann leistungslos gesteuert werden.The field effect transistor is particularly well suited for the present purpose because its source-drain path can also be used without flowing direct current can become low resistance. Its characteristic curve is zero-point symmetrical, and its source and sink can be swapped with each other. In addition, its resistance between the gate and the source (or sink) is ι ο practically infinitely large, and the transistor can be controlled without power.

Der Feldeffekttransistor wird dabei durch eine Verzögerungsschaltung gesteuert, die nach dem Einschalten der Versorgungsspannung für eine kurze Zeit den Feldeffekttransistor leitend macht und nach Ablauf dieser Verzögerungszeit den Feldeffekttransistor sperrt. The field effect transistor is controlled by a delay circuit which, after switching on the supply voltage, makes the field effect transistor conductive for a short time and after this delay time blocks the field effect transistor.

Ein Nachteil der Anordnung nach DT-OS 19 13 263 besteht darin, daß die Zeit, innerhalb der der Feldeffekttransistor leitend ist, unabhängig vom Zustand des Heißleiters konstant ist. Diese Zeit muß nun so bemessen sein, daß auf keinen Fall der kritische Widerstand des Heißleiters überschritten wird. Das bedeutet aber, daß in gewissen Fällen, z. B. bei hoher Umgebungstemperatur, dieser kritische Widerstand stark unterschritten wird. Dadurch kann eine kurzzeitige Übersteuerung des Verstärkers erfolgen, was zu einem unerwünscht hohen Pegel führen kann. Außerdem entsteht beim Sperren des Feldeffekttransistors ein großer Sprung des resultierenden Stellwiderstandes und damit ein unerwünschter Pegelsprung.A disadvantage of the arrangement according to DT-OS 19 13 263 is that the time within which the field effect transistor is conductive is constant regardless of the state of the thermistor. This time must now be measured in such a way that the critical resistance of the thermistor is not exceeded under any circumstances. But this means that in certain cases, e.g. B. at high ambient temperature, this critical resistance is greatly undershot. This can result in a brief overload of the amplifier, which can lead to an undesirably high level. In addition, when the field effect transistor is blocked, there is a large jump in the resulting variable resistance and thus an undesirable level jump.

Die Aufgabe vorliegender Erfindung besteht darin, eine Schaltung der eingangs genannten Art anzugeben, die in allen Fällen eine Übersteuerung eines durch das Stellglied geregelten Verstärkers und unerwünscht große Pegelsprünge beim Einschalten des Verstärkers vermeidet.The object of the present invention is to provide a circuit of the type mentioned above, which in all cases overdrive an amplifier controlled by the actuator and undesirable Avoids large level jumps when switching on the amplifier.

Die Lösung dieser Aufgabe ist dadurch gekennzeichnet, daß der Feldeffekttransistor von einer vom Heißleiterwiderstand abhängigen Spannung derart gegenläufig und stetig gesteuert wird, daß die Parallelschaltung des Heißleiters und des Feldeffekttransistors so lange etwa den Wert des kritischen Stellwiderstandes hat, bis der Heißleiterwiderstand den kritischen Wert überschritten hat und der Feldeffekttransistor völlig gesperrt ist.The solution to this problem is characterized in that the field effect transistor is controlled in opposite directions and steadily by a voltage dependent on the thermistor resistance in such a way that the parallel connection of the thermistor and the field effect transistor has approximately the value of the critical variable resistance until the thermistor resistance has exceeded the critical value and the field effect transistor is completely blocked.

Die Siteuerspannung des Feldeffekttransistors muß eine Gleichspannung sein. Da man über den Stellheißleiter aus Gründen der galvanischen Trennung von Gleichstrom- und Hochfrequenzteil des Verstärkers keinen Gleichstrom leiten kann, um eine vom Stellheißleiter abhängige Gleichspannung zu erhalten, kann man einen indirekt geheizten Hilfsheißleiter einführen, der vom gleichen Heizstrom wie der Stellheißleiter aufgeheizt wird und über dessen Pillenwiderstaind ein die Steuerspannung erzeugender Gleichstrom geleitet wird.The voltage of the field effect transistor must be a direct voltage. Since it is not possible to conduct a direct current over the adjustable hot conductor for reasons of galvanic separation of the direct current and high-frequency parts of the amplifier in order to obtain a direct voltage dependent on the adjustable hot conductor, an indirectly heated auxiliary hot conductor can be introduced, which is heated by the same heating current as the adjustable hot conductor and over the pills of which withstand a direct current generating the control voltage.

Nach einer Weiterführung der Erfindung kann ma? auf eine bereits vorgeschlagene Anordnung (DT-OS 19 39 9711) zur Temperaturkompensation eines indirekt geheizten Heißleiters zurückgreifen. Danach wird der Stellheißleiter von einem Heizstromverstärker mit Heizstrom versorgt, der eine temperaturabhängige Gegenkopplung aufweist, wobei diese Gegenkopplung durch einen vom gleichen Heizstrom aufgeheizten, indirekt geheizten Hilfsheißleiter bewirkt wird. After a continuation of the invention can ma? fall back on a previously proposed arrangement (DT-OS 19 39 9711) for temperature compensation of an indirectly heated thermistor. The adjustable hot conductor is then supplied with heating current by a heating current amplifier which has a temperature-dependent negative feedback, this negative feedback being brought about by an indirectly heated auxiliary hot conductor heated by the same heating current .

Ein Ausführungsbeispiel der Anordnung nach der Erfindung in Verbindung mit der obenerwähnten Anordnung zur Temperaturkompensation zeigt die Figur. Als Heizstromverstärker dient ein Differenzverstärker DV mit dem invertierenden Eingang Ei, dem nicht invertierenden Eingang Eni und dem Ausgang A. Die Widerstände R1 und R 2 bilden einen Spannungsteiler zum Einstellen des Arbeitspunktes. Rk ist ein Gegenkopplungswiderstand zum Einstellen der mittleren Verstärkung. UB ist die Betriebsspannung und Ust die Steuerspannung der Schaltungsanordnung, die über einen Widerstand R 3 an dem Eingang Ei angreift Der Heißleiter mit dem Pillenwiderstand RHi und dem Heizer Rh 1 ist der Stellheißleiter. Der Heißleiter mit dem Pillenwiderstand RH 2 und dem Heizer Rh 2 ist ein Hilfsheißleiter, der die temperatur- und heizstromab hängige Gegenkopplung bewirkt. R 4 und R 5 sind feste Spannungsteilerwiderstände, und R 6 ist ein direkt geheizter Heißleiter, der die Temperaturkompensation unterstütztAn embodiment of the arrangement according to the invention in connection with the above-mentioned arrangement for temperature compensation is shown in the figure. A differential amplifier DV with the inverting input Ei, the non-inverting input Eni and the output A. The resistors R 1 and R 2 form a voltage divider for setting the operating point. Rk is a negative feedback resistor for setting the average gain. UB is the operating voltage and Ust is the control voltage of the circuit arrangement which acts on the input Ei via a resistor R 3. The thermistor with the pill resistor RHi and the heater Rh 1 is the adjustable thermistor. The thermistor with the pill resistor RH 2 and the heater Rh 2 is an auxiliary thermistor that causes the temperature and heizstromab dependent negative feedback. R 4 and R 5 are fixed voltage divider resistors, and R 6 is a directly heated thermistor that supports temperature compensation

Über den Spannungsteiler R4/(R5+ R6+ RH2) wird an den Eingang Eni eine temperaturabhängige Gegenkopplungsspannung angelegt. Über diesen Spannungsteiler fließt ein Gleichstrom, dessen Wert unabhängig vom Widerstand RH 2 ist, weil die Widerstände A4 und RS viel größer als RH2 sind. Deshalb ist der Spannungsabfall an RH 2 direkt proportional diesem Widerstand.A temperature-dependent negative feedback voltage is applied to the input Eni via the voltage divider R4 / (R5 + R6 + RH2). A direct current flows through this voltage divider, the value of which is independent of the resistor RH 2 because the resistors A4 and RS are much larger than RH2 . Therefore the voltage drop across RH 2 is directly proportional to this resistance.

Diese am Hilfsheißleiter abfallende Spannung wird nun von einem Hilfsverstärker verstärkt und zum Steuern des Feldeffekttransistors verwendet. Der Hilfsverstärker besteht aus dem Transistor Ts 1, einem Kollektorwiderstand /?8und einem Emitterspannungsteiler /? 12//? 7. Über diesen Spannungsteiler wird aus der Versorgungsspannung UB eine Emitterspannung des Transistors 7s 1 abgeleitet, die so groß ist, daß der Spannungsabfall am Hilfsheißleiter im stationären Zustand keinen Kollektorstrom des Transistors Ts 1 verursachen kann. Unmittelbar nach dem Einschalten der Versorgungsspannung ist der Hilfsheißleiter hochohmig, und sein Widerstand nimmt entsprechend seiner Zeitkonstante nach einer e-Funktion bis auf seinen stationären Wert ab; die am Hilfsheißleiter abfallende Steuerspannung des Hilfsverstärkers hat den gleichen Verlauf, und die am Kollektorwiderstand RS abfallende Ausgangsspannung nimmt während dieser Zeit von einem Anfangswert stetig nach Null ab.This voltage drop across the auxiliary hot conductor is then amplified by an auxiliary amplifier and used to control the field effect transistor. The auxiliary amplifier consists of the transistor Ts 1, a collector resistor /? 8 and an emitter voltage divider /? 12 //? 7. With this voltage divider is derived from the supply voltage UB an emitter voltage of the transistor 7s 1, which is so large that the voltage drop can not cause a collector current of the transistor TS 1 on the auxiliary thermistor at steady state. Immediately after switching on the supply voltage, the auxiliary thermistor has a high resistance, and its resistance decreases according to its time constant according to an exponential function down to its steady-state value; the control voltage of the auxiliary amplifier dropping across the auxiliary hot conductor has the same profile, and the output voltage dropping across the collector resistor RS decreases steadily from an initial value to zero during this time.

Die Tor-Elektrode des Feldeffekttransistors FET erhält über einen Spannungsteiler R 9/R 10 ius der Betriebsspannung eine feste Spannung, und seine Quelle-Elektrode wird von der Ausgangsspannung des Hilfsverstärkers gesteuert. Als Steuerspannung des Feldeffekttransistors wirkt also die Differenz dieser beiden Spannungen.The gate electrode of the field effect transistor FET receives a fixed voltage via a voltage divider R 9 / R 10 ius of the operating voltage, and its source electrode is controlled by the output voltage of the auxiliary amplifier. The difference between these two voltages thus acts as the control voltage of the field effect transistor.

Unmittelbar nach dem Einschalten der Versorgungsspannung ist die Ausgangsspannung des Hilfsverstärkers etwa gleich der Spannung an der Torelektrode und der Feldeffekttransistor ist ganz leitend. In dem Maße, wie der Heißleiterwiderstand und damit die Ausgangsspannung des Hilfsverstärkers abnimmt, wächst die Steuerspannung des Feldeffektransistors und sperrt diesen immer mehr. Wenn der Hilfsheißleiter und damit auch der Stellheißleiter den stationären Zustand erreicht haben, ist der Feldeffekttransistor völlig gesperrt.Immediately after switching on the supply voltage, the output voltage of the auxiliary amplifier is approximately equal to the voltage at the gate electrode and the field effect transistor is completely conductive. In this scale, as the thermistor resistance and thus the output voltage of the auxiliary amplifier decreases, the increases Control voltage of the field effect transistor and blocks it more and more. If the auxiliary thermistor and with it even the adjustable hot conductor have reached the steady state, the field effect transistor is completely locked.

Die Quelle-Senke-Strecke des Feldeffekttransistors wird in Reihe mit einem Begrenzungswiderstand /?11 über Entkoppelkondensatoren Cl und C2 dem Stellheißleiter parallel geschaltet. Damit wird erreicht,The source-drain path of the field effect transistor is connected in series with a limiting resistor / 11 via decoupling capacitors C1 and C2 in parallel with the adjustable hot conductor. This achieves

daß der aus der Parallelschaltung des StellheiQleiters und des Feldeffekttransistors bestehende Stellwiderstand den kritischen Wert nicht überschreitet und der Einschaltvorgang dieses Stellwiderstandes stetig verläuft. that the variable resistor consisting of the parallel connection of the StellheiQleiters and the field effect transistor does not exceed the critical value and the switch-on process of this variable resistor runs steadily.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen1 sheet of drawings

Claims (9)

Patentansprüche:Patent claims: 1. Schaltungsanordnung zur Vermeidung eines kritisch hohen Stellwiderstandes bei einem einen indirekt geheizten Heißleiter als Stellglied enthaltenden Pilotregler für Trägerfrequenz-Systeme, bei der parallel zum Heißleiter ein selbstleitender Feldeffekttransistor geschaltet ist, der nach dem Einschalten der Versorgungsspannung leitend ist und nach einer kurzen Zeit gesperrt wird, dadurchgekennzeichnet, daß der Feldeffekttransistor (FET) von einer vom Heißleiterwiderstand (Pillenwiderstand RHX) abhängigen Spannung derart gegenläufig und stetig gesteuert wird, daß die Parallelschaltung des Heißleiters und des Feldeffekttransistors so lange etwa den Wert des kritischen Stellwiderstandes hat bis der Heißleiterwiderstand den kritischen Wert überschritten hat und der Feldeffekttransistor völlig gesperrt ist1.Circuit arrangement to avoid a critically high variable resistance in a pilot controller for carrier frequency systems containing an indirectly heated thermistor as an actuator, in which a self-conducting field effect transistor is connected in parallel to the thermistor, which is conductive after switching on the supply voltage and is blocked after a short time , characterized in that the field effect transistor (FET) is controlled in opposite directions and continuously by a voltage dependent on the thermistor resistance (pill resistance RHX) in such a way that the parallel connection of the thermistor and the field effect transistor has approximately the value of the critical variable resistance until the thermistor resistance exceeds the critical value and the field effect transistor is completely blocked 2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet daß ein weiterer indirekt geheizter Hilfsheißleiter eingeführt ist, der vom gleichen Heizstrom wie der Stellheißleiter aufgeheizt wird und über dessen Pillenwiderstand (RH 2) ein die Steuerspannung des Feldeffekttransistors (FET) erzeugender Gleichstrom geleitet ist2. Circuit arrangement according to claim 1, characterized in that a further indirectly heated auxiliary hot conductor is introduced, which is heated by the same heating current as the adjustable hot conductor and a direct current generating the control voltage of the field effect transistor (FET) is passed through its pill resistor (RH 2) 3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der indirekt geheizte Stellheißleiter von einem Heizstromverstärker (Differenzverstärker DV) mit Heizstrom versorgt ist, der eine temperaturabhängige Gegenkopplung aufweist die durch den vom gleichen Heizstrom aufgeheizten Hilfsheißleiter bewirkt ist, der Teil eines Eingangsspannungsteilers des Heizstromverstärkers ist. 3. Circuit arrangement according to claim 2, characterized in that the indirectly heated adjustable hot conductor is supplied with heating current by a heating current amplifier (differential amplifier DV) which has a temperature-dependent negative feedback caused by the auxiliary hot conductor heated by the same heating current, which is part of an input voltage divider of the heating current amplifier . 4. Schaltungsanordnung nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß die am Hilfsheißleiter abfallende Spannung von einem Hilfsverstärker verstärkt und dessen Ausgar gsspannung zum Steuern des Feldeffekttransistors (FET) verwendet ist.4. Circuit arrangement according to claim 2 or 3, characterized in that the voltage drop across the auxiliary hot conductor is amplified by an auxiliary amplifier and its output voltage is used to control the field effect transistor (FET) . 5. Schaltungsanordnung nach A nspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Hilfsveistärker aus einem Transistor (TsI) mit einem Kollektorwiderstand (RS) und einem Emitterspannungsteiler (Ri2/R7) besteht.5. Circuit arrangement according to A nspruch 4, characterized in that the auxiliary amplifier consists of a transistor (TsI) with a collector resistor (RS) and an emitter voltage divider (Ri2 / R7) . 6. Schaltungsanordnung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß über den Ernitterspannungsteiler (Ri2/R7) aus der Versorgungsspannung (UB) eine derart große Emitterspannung des Transistors (TsI) abgeleitet ist daß der Spannungsabfall am Hilfsheißleiter im stationären Zustand nicht ausreicht, um einen Kollektorstrorn des Transistors (Ts 1) zu verursachen.6. Circuit arrangement according to claim 5, characterized in that such a large emitter voltage of the transistor (TsI) is derived via the Ernitters voltage divider (Ri2 / R7) from the supply voltage (UB) that the voltage drop across the auxiliary hot conductor in the steady state is not sufficient to generate a collector current of the transistor ( Ts 1) to cause. 7. Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Tor-Elektrode des Feldeffekttransistors (FET) über einen Spannungsteiler (R 9/RiO) aus der Betriebsspannung (UB)eint feste Spannur g erhält.7. Circuit arrangement according to one of claims 1 to 6, characterized in that the gate electrode of the field effect transistor (FET) receives a fixed voltage via a voltage divider (R 9 / RiO) from the operating voltage (UB). 8. Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Quelle Elektrode des Feldeffekttransistors (FET) an den Kollektor des Transistors (Ts I) des Hilfsverstärkers angeschlossen ist.8. Circuit arrangement according to one of claims 1 to 7, characterized in that the source electrode of the field effect transistor (FET) is connected to the collector of the transistor (Ts I) of the auxiliary amplifier. 9. Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Quelle-Senke-Strecke des Feldeffekttransistors (FET) in Reihe mit einem Begrenzungswiderstand (RH) über Entkoppelkondensatoren (CI und C2) dem Pillenwiderstand [RHi) des Stcllheißleiters parallel geschaltet ist9. Circuit arrangement according to one of claims 1 to 8, characterized in that the source-drain path of the field effect transistor (FET) connected in series with a limiting resistor (RH) via decoupling capacitors (CI and C2) to the pill resistance [RHi) of the Stcllhißleiter is
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