DE19544897A1 - Abstimmbares Halbleiter-Lasersystem - Google Patents
Abstimmbares Halbleiter-LasersystemInfo
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Description
Die Erfindung betrifft ein abstimmbares Halbleiter-
Lasersystem gemäß Oberbegriff des Anspruchs 1.
Durch die WO 94/08 371 ist ein abstimmbarer Diodenla
ser mit externem Resonator bekannt, bei dem ein Beugungs
gitter mit streifendem Einfall des Laserlichtes und ein
drehbar angeordneter Spiegel zum Abstimmen der Wellenlän
gen verwendet werden. Der Einfallswinkel beträgt minde
stens 85°. Der Spiegel reflektiert das am Gitter gebeugte
Licht erster Ordnung zum Gitter zurück, von dem das Licht
zum Laser zurückgebeugt wird. Durch die große Ausleuchtung
des Gitters wird eine große Dispersionswirkung erreicht,
die in der Größenordnung des Resonatormodenabstandes
liegt. Dadurch ist eine effektive Unterdrückung von Neben
moden möglich und stabiler Einfrequenzbetrieb gewährlei
stet. Die Verwendung eines Spiegels zum Abstimmen der Wel
lenlänge hat allerdings den Nachteil, daß eine geringe
Gesamtdispersion erreicht wird. Nachteilig ist auch, daß
durch den großen Einfallswinkel die Gittereffizienz dra
stisch reduziert wird, was zu einer starken Erhöhung des
Schwellpumpstromes führt. Hierdurch wird der Gesamt
abstimmbereich des bekannten Diodenlasers eingeschränkt.
Die relative Winkelstellung der das Gitter und den Spiegel
aufnehmenden Bauteile bedarf einer exakten Vorfertigung.
Die stets vorhandenen Fertigungstoleranzen bedingen weni
ger gut reproduzierbare Ergebnisse.
Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin,
einen abstimmbaren Halbleiterlaser der eingangs genannten
Art so auszubilden, daß die Gesamtdispersion und der Ab
stimmbereich vergrößert werden und eine bessere Reprodu
zierbarkeit der Ergebnisse erzielt wird.
Diese Aufgabe wird durch die Erfindung gemäß Anspruch
1 gelöst.
Vorteilhafte und zweckmäßige Weiterbildungen der er
findungsgemäßen Aufgabenlösung sind in den Unteransprüchen
angegeben.
Die Erfindung schlägt vor, zum Abstimmen der Wellen
längen ein zweites Gitter einzusetzen; hierdurch wird die
Gesamtdispersion der Anordnung vergrößert. Bei festgeleg
ter Bandbreite kann dann der Einfallswinkel des ersten
Gitters verkleinert und damit der Gesamtabstimmbereich
ohne Modensprünge vergrößert werden. Bei Strom- oder Tem
peraturschwankungen ergibt sich eine geringere Wellenlän
genabhängigkeit. Die erfindungsgemäße Ausbildung läßt re
lativ hohe Fertigungstoleranzen zu, weil der Schnittpunkt
der Gitterebenen justiert werden kann.
Die Erfindung soll nachfolgend anhand der beigefügten
Zeichnung, in der ein Ausführungsbeispiel dargestellt ist,
näher erläutert werden.
Es zeigt
Fig. 1 eine schematische Darstellung eines erfin
dungsgemäß ausgebildeten Halbleiter-Lasersy
stems,
Fig. 2 eine schematische Darstellung einer Abstimm
einrichtung für das Halbleiter-Lasersystem
nach Fig. 1 und
Fig. 3 eine grafische Darstellung der Abhängigkeit
der Ausgangsleistung des Halbleiter-Lasersy
stems nach den Fig. 1 und 2 von der Wellen
länge.
Gleiche Bauteile in den Figuren der Zeichnungen sind
mit den gleichen Bezugszeichen versehen.
Die Fig. 1 zeigt ein Halbleiter-Lasersystem mit einer
Antireflex-beschichteten Laserdiode 2, deren Licht über
eine Kollimatorlinse 4 auf ein erstes Beugungsgitter 6
unter einem Einfallswinkel α von beispielsweise etwa 80°C
fällt. Das vom ersten Gitter 6 gebeugte Licht erster Ord
nung fällt auf ein zweites Beugungsgitter 8, das in Lit
trow-Anordnung angeordnet ist und die erste Beugungsord
nung in sich selbst zurückreflektiert zum ersten Gitter.
Dieses zurückreflektierte Licht wird vom ersten Gitter
erneut gebeugt und der Laserdiode 2 zugeführt.
Mit dem Bezugszeichen 10 ist der Ausgangsstrahl des
Halbleiter-Lasersystems bezeichnet.
Das erste Gitter 6 ist auf einem Arm 14 und das zwei
te Gitter 8 auf einem um eine Drehachse 12 drehbar mit dem
Arm 14 verbundenen Schwenkarm 16 angeordnet. Beide Gitter
6 und 8 sind so justierbar, daß sich die Verlängerungen
18, 20 ihrer Gitterebenen in der Drehachse 12 schneiden.
Die beiden Arme 14 und 16 weisen quer zur Schwenk
ebene (in der Zeichnung die Papierebene) Längsschlitze 22
und 24 auf, die offen in den freien Enden 26, 28 enden und
bis über die Gitter 6, 8 hinaus in Richtung auf die Dreh
achse ausgebildet sind. Hierdurch werden jeweils zwei
spreizbare Armteile mit jeweils einem inneren Armteil 30
und 32 und einem äußeren Armteil 34 und 36 gebildet, wobei
die Gitter 6 und 8 auf jeweils dem inneren Armteil 30 und
32 der Arme 14 und 16 angeordnet sind. Das Spreizen der
Armteile und damit ein Verschwenken der Gitterebenen er
folgt jeweils vermittels einer Justierschraube 38 und 40,
welche drehbar im äußeren Armteil 34 und 36 angeordnet
sind und über die Schlitze 22, 24 das jeweils innere Arm
teil 30 und 32 beaufschlagen. Zur Erzielung definierter,
elastisch verformbarer Festkörpergelenke 58, 60 für die
inneren Armteile 30, 32 weisen die Arme 14, 16 auf der
Innenseite 42, 44 senkrecht zu den Längsnuten 22 und 24
verlaufende Querschlitze 46, 48 auf, deren Schlitzböden
50, 52 mit geringem Abstand zu den Schlitzböden 54, 56 der
Längsschlitze 22 und 24 enden. Die Festkörpergelenke kön
nen auch dadurch gebildet werden, daß die Längsschlitze 22
und 24 winklig oder bogenförmig bis nahe zur Innenseite 42
und 44 der Arme 14 und 16 ausgebildet werden.
Im Halbleiter-Lasersystem sind die Bauteile bestehend
aus dem Arm 14 mit dem ersten Beugungsgitter 6, dem Kolli
mator 4 und der Laserdiode 2 relativ zueinander ortsfest
angeordnet. Zum Abstimmen der Wellenlängen ist der Schwen
karm 16, auf dem das zweite Gitter 8 angeordnet ist, um
die Drehachse 12 schwenkbar mittels eines Stellmotors 62,
der gegen die Kraft einer den Schwenkarm 16 gegen den Arm
14 vorspannenden Feder 64 wirkt.
Die Justierung der Ebenen des ersten Gitters 6 und
des zweiten Gitters 8 erfolgt derart, daß die in der Fig.
2 der Zeichnung nicht durch die Drehachse 12 gehenden Ver
längerungen 18, 20 der Gitterebenen des ersten Gitters und
des zweiten Gitters sich in der Drehachse 12 schneiden.
Die Justierung erfolgt mit Hilfe der Justierschrauben 38
und 40. Durch Verdrehen dieser Justierschrauben können die
inneren, Festkörpergelenkarme bildenden Armteile 30 und 32
der beiden Arme 14 und 16 so um die Festkörpergelenke 58
und 60 verschwenkt werden, daß die Verlängerungen 18 und
20 der Ebenen der Gitter durch die Drehachse 12 gehen.
Diese Art der Justiermöglichkeit läßt eine relativ hohe
Fertigungstoleranz der Gesamtanordnung zu und ermöglicht
nach der Einjustierung eine präzise Verschwenkung der Ebe
ne des zweiten Gitters um eine definierte Schwenkachse (im
dargestellten Beispiel um die Schwenkachse 12) zur Abstim
mung über relativ große Wellenlängenbereiche ohne Moden
sprünge, wie dies der Fig. 3 entnehmbar ist. Die Justie
rung erfolgt vorzugsweise über die Beobachtung der Kurve
nach Fig. 3. In der Fig. 3 ist die Ausgangsleistung des
Diodenlasers in Abhängigkeit von der Wellenlänge darge
stellt. Die Fig. 3 stellt die Abstimmkurve eines Halblei
ter-Lasersystems der beschriebenen Art dar, das im Wellen
längenbereich zwischen 805 und 841 nm ohne Modensprünge
abstimmbar ist, d. h. über einen Wellenlängenbereich von
fast 40 nm, während dieser Wellenlängenbereich beim ein
gangs beschriebenen Stand der Technik nur 15-20 nm be
trägt. Die Ausgangsleistung beträgt im Maximum der Ab
stimmkurve bei 825 nm 6,5 mW.
Die anhand der Zeichnung beschriebene Doppelgitter-
Anordnung ist universell für alle Laserdioden geeignet,
unabhängig vom aktiven Material, von der Wellenlänge und
der Ausgangsleistung. Darüber hinaus ist es möglich, sehr
einfach optische Elemente im Resonator zu verwenden, um
eine effiziente Frequenzkonversion oder Frequenzmodulation
zu erreichen.
Claims (6)
1. Abstimmbares Halbleiter-Lasersystem mit einem Dioden
laser, dessen Licht über eine Kollimatorlinse unter
einem großen Einfallswinkel auf ein erstes Beugungs
gitter gelenkt wird, und mit einer drehbaren Refle
xionseinrichtung zum Abstimmen der Wellenlänge, wobei
vom Beugungsgitter gebeugte Lichtwellen von der Re
flexionseinrichtung auf das Beugungsgitter zurück
reflektiert werden und vom Beugungsgitter erneut ge
beugt und der Laserdiode zugeführt werden, dadurch
gekennzeichnet, daß die Reflexionseinrichtung (8)
durch ein zweites Beugungsgitter in Littrow-Anordnung
gebildet wird und die beiden Gitter (6, 8) so ange
ordnet sind, daß sich die Verlängerungen (18, 20) der
Gitterebenen beider Gitter in der Drehachse (12) des
zweiten Beugungsgitters (8) schneiden.
2. Abstimmbares Halbleiter-Lasersystem nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß das erste Beugungsgitter
(6) und das zweite Beugungsgitter (8) jeweils auf
einem justierbaren Festkörpergelenkarm (30, 32) zum
Justieren der Gitterebenen angeordnet sind.
3. Abstimmbares Halbleiter-Lasersystem nach Anspruch 2,
dadurch gekennzeichnet, daß das erste und zweite Beu
gungsgitter (6, 8) auf einen spitzen Winkel ein
schließenden Armen (14, 16) winkelraumseitig angeord
net sind, von denen der das erste Gitter (6) aufwei
sende Arm (14) relativ zum Diodenlaser (2) und zur
Kollimatorlinse (4) ortsfest angeordnet ist und der
Arm (16) als drehbar mit dem Arm (14) verbundener
Schwenkarm ausgebildet ist, wobei die Arme (14, 16)
jeweils durch in Richtung der Drehachse (12) bis über
die Gitter (6, 8) hinaus und quer zur Drehebene des
zweiten Beugungsgitters (8) ausgebildete Längsschlit
ze (22, 24) in zwei Armteile (30, 34; 32, 36) geteilt
sind, von denen die inneren, den spitzen Winkel be
grenzenden Armteile (30, 32) als justierbare Festkör
pergelenkarme ausgebildet sind.
4. Abstimmbares Halbleiter-Lasersystem nach Anspruch 3,
dadurch gekennzeichnet, daß die Festkörpergelenkarme
(30, 32) durch in den äußeren Armteilen (34, 36)
drehbar angeordnete Justierschrauben (38, 40) beauf
schlagbar und von diesen äußeren Armteilen (34, 36)
einwärts wegspreizbar sind.
5. Abstimmbares Halbleiter-Lasersystem nach Anspruch 3,
dadurch gekennzeichnet, daß der Schwenkarm (16) in
Richtung des Armes (14) federvorgespannt (64) ist und
in entgegengesetzter Richtung von einem Stellmotor
(68) beaufschlagbar ist.
6. Abstimmbares Halbleiter-Lasersystem nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß der Einfallswinkel α des
Lichtes des Diodenlasers auf das erste Beugungsgitter
(6) etwa 80° beträgt.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE1995144897 DE19544897C2 (de) | 1995-12-01 | 1995-12-01 | Modensprungfrei abstimmbares Halbleiter-Lasersystem |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE1995144897 DE19544897C2 (de) | 1995-12-01 | 1995-12-01 | Modensprungfrei abstimmbares Halbleiter-Lasersystem |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE19544897A1 true DE19544897A1 (de) | 1997-06-05 |
DE19544897C2 DE19544897C2 (de) | 2000-10-12 |
Family
ID=7778965
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE1995144897 Expired - Fee Related DE19544897C2 (de) | 1995-12-01 | 1995-12-01 | Modensprungfrei abstimmbares Halbleiter-Lasersystem |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE19544897C2 (de) |
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