DE19541014A1 - Coating used on glass panes to protect e.g. paintings - Google Patents

Coating used on glass panes to protect e.g. paintings

Info

Publication number
DE19541014A1
DE19541014A1 DE19541014A DE19541014A DE19541014A1 DE 19541014 A1 DE19541014 A1 DE 19541014A1 DE 19541014 A DE19541014 A DE 19541014A DE 19541014 A DE19541014 A DE 19541014A DE 19541014 A1 DE19541014 A1 DE 19541014A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
layer
nitride
substrate
si3n4
free
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE19541014A
Other languages
German (de)
Other versions
DE19541014B4 (en
Inventor
Joachim Dr Szczyrbowski
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Applied Materials GmbH and Co KG
Original Assignee
Leybold AG
Balzers und Leybold Deutschland Holding AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Leybold AG, Balzers und Leybold Deutschland Holding AG filed Critical Leybold AG
Priority to DE19541014A priority Critical patent/DE19541014B4/en
Publication of DE19541014A1 publication Critical patent/DE19541014A1/en
Application granted granted Critical
Publication of DE19541014B4 publication Critical patent/DE19541014B4/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B1/00Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
    • G02B1/10Optical coatings produced by application to, or surface treatment of, optical elements
    • G02B1/11Anti-reflection coatings
    • G02B1/113Anti-reflection coatings using inorganic layer materials only
    • G02B1/115Multilayers
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/34Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
    • C03C17/3411Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions with at least two coatings of inorganic materials
    • C03C17/3429Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions with at least two coatings of inorganic materials at least one of the coatings being a non-oxide coating
    • C03C17/3435Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions with at least two coatings of inorganic materials at least one of the coatings being a non-oxide coating comprising a nitride, oxynitride, boronitride or carbonitride
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/0021Reactive sputtering or evaporation
    • C23C14/0036Reactive sputtering
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B1/00Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
    • G02B1/10Optical coatings produced by application to, or surface treatment of, optical elements
    • G02B1/11Anti-reflection coatings
    • G02B1/113Anti-reflection coatings using inorganic layer materials only
    • G02B1/115Multilayers
    • G02B1/116Multilayers including electrically conducting layers
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B1/00Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
    • G02B1/10Optical coatings produced by application to, or surface treatment of, optical elements
    • G02B1/16Optical coatings produced by application to, or surface treatment of, optical elements having an anti-static effect, e.g. electrically conducting coatings
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/0216Coatings
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05FSTATIC ELECTRICITY; NATURALLY-OCCURRING ELECTRICITY
    • H05F1/00Preventing the formation of electrostatic charges
    • H05F1/02Preventing the formation of electrostatic charges by surface treatment
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2217/00Coatings on glass
    • C03C2217/70Properties of coatings
    • C03C2217/73Anti-reflective coatings with specific characteristics
    • C03C2217/734Anti-reflective coatings with specific characteristics comprising an alternation of high and low refractive indexes

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Surface Treatment Of Glass (AREA)
  • Surface Treatment Of Optical Elements (AREA)

Abstract

Coating comprises an optically active layer system (1) comprising at least two individual layers (6,8) each consisting of a nitride or a mixed nitride, where at least one of the nitride layers consists of a (mixed) metal nitride. Production of the coating is also claimed, in which the individual-layers are produced by cathode sputtering, especially reactive sputtering using a double magnetron operated by an average frequency current consumption.

Description

Die Erfindung betrifft einen optisch wirkenden Schichtbelag, bestehend aus einem auf Substraten angeordneten Mehrschichtensystem, wobei das Schichtensystem eine hohe Antireflexwirkung und eine hohe Lichttransmission aufweist oder eine ho­ he Antireflexwirkung bei gegebener Lichttransmis­ sion.The invention relates to an optically acting Layer covering, consisting of one on substrates arranged multilayer system, the Layer system a high anti-reflective effect and has a high light transmission or a high he anti-reflective effect with a given light transmission sion.

Derartige Antireflexschichten werden vorzugsweise auf im sichtbaren Lichtspektrum transparenten Substraten, insbesondere Glasscheiben, aufge­ bracht, welche z. B. zum Schutz vor Gemälden oder zum Einsatz in Vitrinen oder auch als Schaufen­ sterscheiben verwendet werden.Such anti-reflective layers are preferred on transparent in the visible light spectrum Substrates, in particular glass panes brings which z. B. for protection from paintings or for use in showcases or as a shop rear windows can be used.

Aus der DE 41 17 257 ist ein Schichtsystem bekannt, welches auf einem transparenten Substrat aufge­ bracht ist und eine hohe Antireflexwirkung auf­ weist. Dieses auf der DE 39 42 990 basierende Schichtsystem besteht im wesentlichen aus auf dem Substrat in abwechselnder Folge aufgebrachter Me­ talloxyd- und Nitridschichten. Die nach der DE 41 17 257 hergestellten Schichtsysteme genügen dem heute geforderten hohen Transmissionsgrad und den Forderungen nach einem kostengünstigen Herstel­ lungsverfahren nicht mehr. Insbesondere die dort vorgeschlagenen, aus TiO₂ bestehenden Schichten lassen sich nur unter hohem Fertigungsaufwand in entsprechend teueren Herstellungsverfahren produ­ zieren, da die Sputterrate von TiO₂ bei den dort eingesetzten Beschichtungsverfahren ca. 5 mal kleiner ist als die für niederbrechendes SiO₂.A layer system is known from DE 41 17 257, which is placed on a transparent substrate  is brought up and a high anti-reflective effect points. This is based on DE 39 42 990 Layer system consists essentially of on the Substrate applied in alternating sequence layers of tall oxide and nitride. According to the DE 41 17 257 produced layer systems are sufficient high transmittance required today and the Demands for an inexpensive manufacturer no longer. Especially those there proposed layers consisting of TiO₂ can only be built in at high manufacturing costs according to expensive manufacturing process produ grace because the sputtering rate of TiO₂ at the there coating process used about 5 times is smaller than that for low refractive index SiO₂.

Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein gattungsgemäßes Schichtsystem und dessen Herstel­ lungsverfahren anzugeben, welches die Nachteile der eingangs genannten Schichtsysteme vermeidet und die heute geforderten Anforderungen im Hin­ blick auf die Entspiegelungswirkung, die Kon­ trasterhöhung und Erhöhung der Antistatikwirkung heutiger Schichten erfüllt.The object of the present invention is a Generic layer system and its manufacture specify the disadvantages avoids the layer systems mentioned at the beginning and the requirements that are required today look at the anti-reflective effect, the Kon increase in scan and increase in antistatic effect today's layers met.

Dabei sollen gleichzeitig Voraussetzungen dafür geschaffen werden, daß eine nur geringe Anzahl von Einzelschichten benötigt wird.At the same time, the requirements for this should be met created that only a small number of Single layers are needed.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch ein die Merkmale des Hauptanspruchs aufweisendes Schicht­ system erfüllt. Ein Verfahren zur Herstellung ei­ nes erfindungsgemäßen Schichtsystems ist mit den im Anspruch 10 aufgeführten Merkmalen angegeben.This object is achieved by a Features of the main claim layer system fulfilled. A method of making egg  Nes layer system according to the invention is with the specified in claim 10 features.

Ein erfindungsgemäßes Schichtsystem besteht aus mehreren, einen Belag bildenden Einzelschichten, welche sukzessive auf einem lichttransparenten Substrat mittels eines vakuumgestützten Beschich­ tungsverfahrens aufgetragen werden, wobei minde­ stens zwei Einzelschichten aus einem Nitrid oder einem Mischnitrid bestehen und mindestens eine der Nitridschichten aus einem Metallnitrid oder aus einem Metallmischnitrid besteht. Vorzugsweise sind hierfür Metallnitride aus der Gruppe Titannitrid (TiN) und/oder Zirkonnitrid (ZrN) (siehe Anspruch 2) vorgesehen, welche vorteilhaft sowohl chemisch als auch mechanisch stabile und harte Schichten bilden. Diese Metallnitridschichten bilden damit einen vorteilhaften Ersatz für die bisher in klas­ sischen Entspiegelungsfilterschichten verwendeten, hoch brechenden Oxydschichten. Als Substratmateri­ al ist, wie in Anspruch 8 genannt, z. B. Glas vor­ gesehen, das einen Brechungsindex nG von 1,46 nG 1,6 aufweist.A layer system according to the invention consists of several individual layers forming a coating, which are successively applied to a light-transparent substrate by means of a vacuum-assisted coating process, at least two individual layers consisting of a nitride or a mixed nitride and at least one of the nitride layers made of a metal nitride or a metal mixed nitride consists. Metal nitrides from the group consisting of titanium nitride (TiN) and / or zirconium nitride (ZrN) (see claim 2) are preferably provided for this purpose, which advantageously form both chemically and mechanically stable and hard layers. These metal nitride layers thus form an advantageous replacement for the high-refractive oxide layers previously used in classic antireflection filter layers. As substrate material is, as mentioned in claim 8, for. B. seen before glass that has a refractive index n G of 1.46 n G 1.6.

Weiterhin ist vorgesehen, daß die sehr dünnen, er­ findungsgemäß wie in Anspruch 8 angegeben, rund 70 nm bis 90 nm dicken Metallnitridschichten je­ weils zwischen zwei Nitridschichten eingebettet sind. Diese Einbettung gewährleistet in überra­ schender Weise, daß eine Zerstörung einer z. B. aus Zirkonnitrid oder Titannitrid bestehenden Schicht durch Oxydation infolge einer direkt an diese Schichten angelagerte Oxydschicht vermieden wird. Hierdurch wird eine hohe optische Stabilität und Qualität des Gesamtschichtsystems auch über einen langen Zeitraum gewährleistet.It is also contemplated that the very thin, he according to the invention as specified in claim 8, round 70 nm to 90 nm thick metal nitride layers each because embedded between two nitride layers are. This embedding ensures schender way that a destruction of a z. B. consisting of zirconium nitride or titanium nitride Layer by oxidation due to a direct on these layers deposited oxide layer avoided  becomes. This ensures high optical stability and quality of the overall layer system also about guaranteed for a long period.

Von Vorteil ist weiterhin, daß Metallnitridschich­ ten aufweisende Schichtsysteme eine gute Antista­ tikwirkung aufweisen, was eine deutliche Reduzie­ rung bzw. Verhinderung elektrostatischer Aufladun­ gen, wie diese z. B. bei Fernsehbildkathodenstrahl­ röhren sonst auftreten könnten, bewirkt.Another advantage is that metal nitride layer layer systems a good antista tic effect, which is a significant reduction tion or prevention of electrostatic charging conditions such as this B. in television cathode ray tubes could otherwise occur.

Wie in den Unteransprüchen 3 bzw. 6 angegeben, um­ faßt ein erfindungsgemäßes Schichtsystem z. B. vier bzw. fünf Einzelschichten, die sukzessive auf ei­ nem Substrat mittels eines Kathodenzerstäubungs­ verfahrens nach Anspruch 10 aufgebracht werden. Gemäß Anspruch 7 ist vorgesehen, daß zur Verbesse­ rung der Haftfestigkeit der Nitridschichten auf einer untergelegten Oxydschicht die Nitridschicht auf der Oxydschicht mittels einer Haftvermittler­ schicht angelagert ist, welche vorzugsweise aus Nickel-Chrom-Nitrid (NiCrN) besteht und eine Schichtdicke von vorzugsweise 1 nm bis 25 nm auf­ weist.As specified in subclaims 3 and 6, respectively summarizes an inventive layer system z. B. four or five individual layers, successively on egg nem substrate by means of cathode sputtering method according to claim 10 are applied. According to claim 7 it is provided that for improvement tion of the adhesive strength of the nitride layers an underlying oxide layer is the nitride layer on the oxide layer using an adhesion promoter layer is attached, which is preferably made of Nickel-chromium-nitride (NiCrN) exists and a Layer thickness of preferably 1 nm to 25 nm points.

Zur Herstellung eines erfindungsgemäßen Schichtsy­ stems mittels eines Sputterverfahrens ist vorgese­ hen, ein mit einer Mittelfrequenz-Stromversorgung im Frequenzbereich von 20 kHz bis 70 kHz elek­ trisch betriebenes Doppelmagnetron einzusetzen, was eine vorteilhafte, kostengünstige und qualita­ tiv hochwertige Schichtenherstellung ermöglicht. Typische Prozeßkammerdrücke zur Schichterzeugung liegen in einem Druckbereich von 1×10-3 mbar bis 8×10-3 mbar. Je nach aufzubringender Schichtart be­ steht das Prozeßgas aus einem Edelgas, vorzugswei­ se Argon, und einem Reaktivgas, vorzugsweise Stickstoff bzw. Sauerstoff.To produce a layer system according to the invention by means of a sputtering method, it is provided that a double magnetron operated electrically with a medium-frequency power supply in the frequency range from 20 kHz to 70 kHz is used, which enables advantageous, cost-effective and qualitatively high-quality layer production. Typical process chamber pressures for layer production are in a pressure range from 1 × 10 -3 mbar to 8 × 10 -3 mbar. Depending on the type of layer to be applied, the process gas consists of an inert gas, preferably argon, and a reactive gas, preferably nitrogen or oxygen.

Ein weiterer Vorteil einer erfindungsgemäß herge­ stellten Schicht besteht in der im Vergleich zu herkömmlich hergestellten Schichtsystemen geringen Gesamtdicke von nur ca. 100 nm. Im Vergleich hier­ zu weisen klassische Entspiegelungsschichtsysteme Gesamtdicken von ca. 240 nm bis 350 nm Schichtdicke auf, die damit nur kostenaufwendiger herzustel­ len sind, da die Sputterrate von hochbrechendem Material wie TiO₂ sehr klein ist im Vergleich zu SiO₂. ZrN und TiN weisen vergleichbare Raten zu TiO₂ auf, jedoch wird die erfindungsgemäß erforder­ liche Schichtdicke bei gleicher Wirkung sehr viel geringer; z. B. weist eine herkömmlich verwendete TiO₂-Schicht eine Dicke von ca. 100 nm auf, wohin­ gegen eine ZrN- bzw. TiN-Schicht lediglich eine Dicke von 10 nm besitzt.Another advantage of a herge according to the invention posed layer consists in the compared to conventionally produced layer systems low Total thickness of only approx. 100 nm. In comparison here classic anti-reflective coating systems Total thicknesses of approx. 240 nm to 350 nm layer thickness, which are only more expensive to manufacture len because the sputtering rate is of high refractive index Material like TiO₂ is very small compared to SiO₂. ZrN and TiN assign comparable rates TiO₂, however, is required according to the invention layer thickness very much with the same effect less; e.g. B. has a conventionally used one TiO₂ layer has a thickness of about 100 nm, where against a ZrN or TiN layer only one Has a thickness of 10 nm.

Weitere vorteilhafte Merkmale der Erfindung sind in den Unteransprüchen angegeben.Further advantageous features of the invention are specified in the subclaims.

Nachfolgend werden besonders vorteilhafte Ausfüh­ rungsbeispiele in den Figuren beschrieben.Below are particularly advantageous designs Rungsbeispiele described in the figures.

Es zeigen: Show it:  

Fig. 1 einen Querschnitt eines aus vier Ein­ zelschichten bestehenden, auf einem Substrat anliegenden Schichtensystem, Fig. 1 shows a cross section of a four-A zelschichten existing applied on a substrate layer system,

Fig. 2 einen Querschnitt durch ein aus vier Einzelschichten bestehendes Schichtsy­ stem, Fig. 2 shows a cross section through a stem consisting of four monolayers Schichtsy,

Fig. 3 eine Querschnittansicht eines aus fünf Einzelschichten bestehenden Schichtsy­ stems, Figure 3 is a cross-sectional view of an existing stems of five individual layers Schichtsy.,

Fig. 4 eine Querschnittsansicht eines aus fünf Einzelschichten bestehenden Schichtsy­ stems, Fig. 4 is a cross-sectional view of an existing stems of five individual layers Schichtsy,

Fig. 5 eine Transmissionsgrad- bzw. Reflexions­ gradkurve in Abhängigkeit der Lichtwel­ lenlänge für ein aus vier Einzelschich­ ten bestehendes Schichtsystem nach ei­ nem ersten Ausführungsbeispiel, Fig. 5 is a Transmissionsgrad- or reflection efficiency curve as a function of Lichtwel lenlänge for a ten four Einzelschich existing layer system according ei nem first embodiment,

Fig. 6 eine Transmissionsgrad- bzw. Reflexions­ gradkurve in Abhängigkeit der einfal­ lenden Lichtwellenlänge eines aus vier Einzelschichten bestehenden Schichtsy­ stems nach einem zweiten Ausführungs­ beispiel und Fig. 6 is a transmittance or reflectance curve depending on the einfal Lenden wavelength of a layer consisting of four individual layers system according to a second embodiment and example

Fig. 7 eine Transmissionsgrad- bzw. Refle­ xionsgradkurve in Abhängigkeit der Lichtwellenlänge eines aus fünf Einzel­ schichten bestehenden Schichtsystems. Fig. 7 is a transmittance or reflectivity curve depending on the light wavelength of a layer system consisting of five individual layers.

Die in den Fig. 1 bis 4 dargestellten Schicht­ systeme bestehen aus vier, wie in den Fig. 1 und 2 wiedergegeben, bzw. aus fünf (siehe Fig. 3) oder sechs (siehe Fig. 4) auf einem Substrat 2 mittels eines vakuumgestützten Beschichtungsver­ fahrens aufgebrachter Einzelschichten 4, 6, 8, 10, 12, 14.The layer systems shown in Figs. 1 to 4 consist of four, as shown in Figs. 1 and 2, or five (see Fig. 3) or six (see Fig. 4) on a substrate 2 by means of a vacuum-assisted Coating method applied individual layers 4 , 6 , 8 , 10 , 12 , 14th

Das Schichtsystem 1 des ersten Ausführungsbei­ spiels (siehe Fig. 1) ist wie folgt aufgebaut:The layer system 1 of the first exemplary embodiment (see FIG. 1) is constructed as follows:

  • - Auf der Vorderseite 16 des Substrats 2 ist eine erste, absorptionsfreie Schicht 4 auf­ gebracht, welche aus Si₃N₄ bzw. AlN besteht und eine Schichtdicke von 20 nm bis 24 nm aufweist,- On the front 16 of the substrate 2 , a first, absorption-free layer 4 is applied, which consists of Si₃N₄ or AlN and has a layer thickness of 20 nm to 24 nm,
  • - die zweite optisch wirksame Schicht 6 be­ steht aus einer 7 nm bis 9 nm dicken ZrN- oder TiN-Schicht,the second optically active layer 6 consists of a 7 nm to 9 nm thick ZrN or TiN layer,
  • - die dritte optisch wirksame Schicht 8 be­ steht aus einer absorptionsfreien Si₃N₄- bzw. AlN-Schicht, die eine Schichtdicke von 1,5 nm bis 2,5 nm aufweist,- The third optically active layer 8 be consists of an absorption-free Si₃N₄ or AlN layer, which has a layer thickness of 1.5 nm to 2.5 nm,
  • - die vierte optisch wirksame Schicht 10 be­ steht aus einer absorptionsfreien Schicht aus SiO₂ oder MgF₂ oder aus Al₂O₃ und weist eine Schichtdicke von 60 nm bis 100 nm auf.- The fourth optically active layer 10 be consists of an absorption-free layer made of SiO₂ or MgF₂ or Al₂O₃ and has a layer thickness of 60 nm to 100 nm.

Das Schichtsystem des zweiten, in Fig. 2 darge­ stellten Ausführungsbeispiels ist wie folgt aufge­ baut:The layer system of the second embodiment shown in FIG. 2 is constructed as follows:

  • - Die erste, unmittelbar auf der Vorderseite 16 des Substrats 2 aufgebrachte Schicht 12 besteht aus TiO₂ oder Ta₂O₅ und weist eine Schichtdicke von 20 nm bis 24 nm auf,The first layer 12 applied directly on the front side 16 of the substrate 2 consists of TiO₂ or Ta₂O₅ and has a layer thickness of 20 nm to 24 nm.
  • - die zweite optisch wirksame Schicht 6 be­ steht aus ZrN bzw. TiN und weist eine Schichtdicke von 7 nm bis 9 nm auf,the second optically active layer 6 consists of ZrN or TiN and has a layer thickness of 7 nm to 9 nm,
  • - die dritte optisch wirksame Schicht 8 be­ steht aus Si₃N₄ bzw. AlN und weist eine Schichtdicke von 1,5 nm bis 2,5 nm auf,- The third optically active layer 8 be made of Si₃N₄ or AlN and has a layer thickness of 1.5 nm to 2.5 nm,
  • - die vierte optisch wirksame Schicht 10 be­ steht aus SiO₂ oder aus MgF₂ oder aus Al₂O₃ und weist eine Schichtdicke von 60 nm bis 100 nm auf.- The fourth optically active layer 10 be made of SiO₂ or MgF₂ or Al₂O₃ and has a layer thickness of 60 nm to 100 nm.

Das Schichtsystem des dritten, in Fig. 3 darge­ stellten Ausführungsbeispiels ist wie folgt aufge­ baut:The layer system of the third embodiment shown in FIG. 3 is constructed as follows:

  • - Die unmittelbar auf dem Substrat 2 aufge­ brachte erste Schicht 12 besteht aus einer absorptionsfreien, aus TiO₂ bzw. Ta₂O₅ be­ stehenden Oxydschicht mit einer Schichtdicke von 20 nm bis 24 nm, - The brought up directly on the substrate 2 first layer 12 consists of an absorption-free, consisting of TiO₂ or Ta₂O₅ be existing oxide layer with a layer thickness of 20 nm to 24 nm,
  • - die auf die erste Schicht 12 aufgebrachte zweite Schicht 4 besteht aus Si₃N₄ bzw. aus AlN und besitzt eine Schichtdicke von 20 nm bis 24 nm,- The second layer 4 applied to the first layer 12 consists of Si₃N₄ or AlN and has a layer thickness of 20 nm to 24 nm,
  • - die dritte optisch wirksame Schicht 6 be­ steht aus ZrN bzw. aus TiN und besitzt eine Schichtdicke von 7 nm bis 9 nm,the third optically active layer 6 consists of ZrN or TiN and has a layer thickness of 7 nm to 9 nm,
  • - als vierte optisch wirksame Schicht ist ei­ ne absorptionsfreie, aus Si₃N₄ bzw. AlN be­ stehende Nitridschicht vorgesehen, die eine Schichtdicke von 1,5 nm bis 2,5 nm auf­ weist,- The fourth optically effective layer is egg ne absorption-free, from Si₃N₄ or AlN be standing nitride layer provided that a Layer thickness from 1.5 nm to 2.5 nm points out
  • - als fünfte Schicht ist eine absorptions­ freie, aus SiO₂ oder aus MgF₂ bzw. Al₂O₃ be­ stehende Schicht 10 vorgesehen, die eine Schichtdicke von 60 nm bis 100 nm aufweist.- As the fifth layer, an absorption-free layer consisting of SiO₂ or MgF₂ or Al₂O₃ be provided 10 , which has a layer thickness of 60 nm to 100 nm.

Das Schichtsystem des vierten, in Fig. 4 darge­ stellten Ausführungsbeispiels weist insgesamt sechs Schichten auf und ist wie folgt aufgebaut:The layer system of the fourth exemplary embodiment shown in FIG. 4 has a total of six layers and is constructed as follows:

  • - Als erste Schicht 12 ist eine absorptions­ freie Oxydschicht, bestehend aus TiO₂ bzw. Ta₂O₅, mit einer Schichtdicke von 20 nm bis 24 nm vorgesehen, auf welcher eine- As the first layer 12 is an absorption-free oxide layer consisting of TiO₂ or Ta₂O₅, with a layer thickness of 20 nm to 24 nm, on which one
  • - zweite, aus Nickel-Chrom-Nitrid bestehende Haftvermittlerschicht aufgebracht ist, wel­ che eine Schichtdicke von 1 nm bis 3 nm aufweist, - second, made of nickel-chromium nitride Adhesion layer is applied, wel surface thickness from 1 nm to 3 nm having,  
  • - als zweite optisch wirksame Schicht ist ei­ ne absorptionsfreie, aus Si₃N₄ bzw. AlN be­ stehende Nitridschicht 4 vorgesehen, die eine Schichtdicke von 20 nm bis 24 nm auf­ weist, auf welche- As a second optically active layer, egg ne ne absorption-free, Si₃N₄ or AlN be available nitride layer 4 is provided, which has a layer thickness of 20 nm to 24 nm, on which
  • - eine dritte optisch wirksame und absorbie­ rende Nitridschicht 6 aufgebracht ist, wel­ che aus ZrN bzw. aus TiN besteht und eine Schichtdicke von 7 nm bis 9 nm aufweist, auf welche- A third optically effective and absorbing nitride layer 6 is applied, which consists of ZrN or TiN and has a layer thickness of 7 nm to 9 nm, on which
  • - eine vierte optisch wirksame, absorptions­ freie Nitridschicht 8, bestehend aus Si₃N₄ bzw. AlN, in einer Schichtstärke von 1,5 nm bis 2,5 nm aufgebracht ist und aus- A fourth optically effective, absorption-free nitride layer 8 , consisting of Si₃N₄ or AlN, is applied in a layer thickness of 1.5 nm to 2.5 nm and from
  • - einer fünften optisch wirksamen Schicht 10, welche aus SiO₂ oder MgF₂ oder aus Al₂O₃ be­ steht und eine Schichtdicke von 60 nm bis 100 nm aufweist.- A fifth optically active layer 10 , which is made of SiO₂ or MgF₂ or Al₂O₃ and has a layer thickness of 60 nm to 100 nm.

Das Substrat 2 in den vorgenannten vier Ausfüh­ rungsbeispielen besteht aus Glas, insbesondere aus Floatglas, Mineralglas oder auch Plexiglas, und weist einen Brechungsindex nG von 1,46 nG 1,6, vorzugsweise von nG = 1,52 auf. Die wesentlichen, lichtoptisch wirksamen Eigenschaften der durch die Schichtenabfolge und jeweiligen Schichtendicke de­ finierten Kenngrößen bilden der Reflexionsgrad bzw. Transmissionsgrad in Abhängigkeit der einfal­ lenden Lichtwellenlänge. Der Grundgedanke der Er­ findung läßt damit eine Vielzahl von Ausführungs­ beispielen bzw. Schichtsystemen zu, die in den nachfolgend beschriebenen drei Beispielen durch die Wahl der genannten Schichtenmaterialien und Schichtendicken charakterisiert sind. Vorgestellt werden Schichtsysteme, bei denen der Reflexions­ grad und der Transmissionsgrad im sichtbaren Wel­ lenlängenbereich des Lichts gemessen wurde.The substrate 2 in the aforementioned four exemplary embodiments consists of glass, in particular float glass, mineral glass or plexiglass, and has a refractive index n G of 1.46 n G 1.6, preferably of n G = 1.52. The essential, optically effective properties of the parameters defined by the layer sequence and the respective layer thickness form the reflectance or transmittance depending on the incident light wavelength. The basic idea of the invention thus allows a large number of exemplary embodiments or layer systems, which are characterized in the three examples described below by the choice of the layer materials and layer thicknesses mentioned. Layer systems are presented in which the degree of reflection and the transmittance in the visible wavelength range of light have been measured.

Die Meßergebnisse sind graphisch anhand von Kurven in den Fig. 5, 6 und 7 dargestellt. Bei der Be­ schreibung des der Fig. 6 zugrunde liegenden Schichtsystems werden die Bezugsziffern der Be­ schreibung der Fig. 1 benutzt und bei der Be­ schreibung des in Fig. 7 dargestellten Schichtsy­ stems werden die Bezugsziffern der Beschreibung der Fig. 3 benutzt.The measurement results are shown graphically on the basis of curves in FIGS. 5, 6 and 7. In the description of the layer system on which FIG. 6 is based, the reference numerals of the description of FIG. 1 are used and in the description of the layer system shown in FIG. 7, the reference numbers of the description of FIG. 3 are used.

Das Schichtsystem des ersten Beispiels ist wie folgt aufgebaut:The layer system of the first example is like constructed as follows:

Substrat 2: Material Glas, Dicke: 2 mm;
Schicht 4: Material Si₃N₄, Schichtdicke 22 nm;
Schicht 6: Material ZrN, Schichtdicke 8 nm;
Schicht 8: Material Si₃N₄, Schichtdicke 6 nm;
Schicht 10: Material SiO₂, Schichtdicke 76 nm.
Substrate 2 : material glass, thickness: 2 mm;
Layer 4 : material Si₃N₄, layer thickness 22 nm;
Layer 6 : material ZrN, layer thickness 8 nm;
Layer 8 : material Si₃N₄, layer thickness 6 nm;
Layer 10 : material SiO₂, layer thickness 76 nm.

Die in Fig. 4 mit 14 bezeichnete Haftvermittler­ schicht ist in diesem Ausführungsbeispiel nicht vorhanden.The layer 14 labeled in FIG. 4 is not present in this embodiment.

Für dieses Schichtsystem wird der Reflexions- bzw. Transmissionsgrad in Prozent über einen Wellenlän­ genbereich von 400 nm bis ca. 700 nm angegeben. For this layer system, the reflection or Transmittance in percent over a wavelength gene range from 400 nm to about 700 nm specified.  

Nachfolgend werden die Meßergebnisse für die Re­ flexion und die Transmission in Tabelle 1 bestimm­ ten Wellenlängen gegenübergestellt:The measurement results for the Re Determine flexion and the transmission in Table 1 juxtaposed th wavelengths:

Tabelle 1 Table 1

Die Meßergebnisse werden wie dargelegt als Kurven in Fig. 5 graphisch dargestellt. Zur Führung des Auges sind die einzelnen Meßpunkte miteinander verbunden. Auf der Abszisse des Koordinatensystems in Fig. 5 sind die Wellenlängen in µm eingetra­ gen. Auf der linken Ordinate des Kurvendiagramms sind die Meßwerte für den Reflexionsgrad und auf der rechten Ordinate des Koordinatensystems sind die Prozentwerte für den Transmissionsgrad einge­ tragen.The measurement results are shown graphically as curves in FIG. 5. The individual measuring points are connected to each other for guiding the eye. The wavelengths are entered in µm on the abscissa of the coordinate system in FIG. 5. The measured values for the reflectance are on the left ordinate of the curve diagram and the percentages for the transmittance are entered on the right ordinate of the coordinate system.

Aus dem Verlauf der Reflexionskurve ist ersicht­ lich, daß im Kernwellenlängenbereich von 420 nm bis 680 nm der Reflexionsgrad weit geringer als 0,5% beträgt. Dieser gewünschten hohen Antire­ flexwirkung korrespondiert der Verlauf der über dem genannten Wellenlängenbereich hohe Werte aufweisende Transmissionsgradkurve. So weist das Schichtsystem im genannten Wellenlängenbereich ho­ he Transmissionsgradwerte zwischen 80% und 90% auf.It can be seen from the course of the reflection curve Lich that in the core wavelength range of 420 nm  up to 680 nm the reflectance is far less than Is 0.5%. This desired high antire flex action corresponds to the course of the high values in the mentioned wavelength range Transmittance curve. So that points Layer system in the specified wavelength range ho he transmittance values between 80% and 90% on.

Das Schichtsystem des zweiten, in Fig. 2 darge­ stellten Beispiels, ist wie folgt aufgebaut:The layer system of the second example shown in FIG. 2 is constructed as follows:

Substrat 2: Material Glas, Dicke 2 mm;
Schicht 12: Material TiO₂, Schichtdicke 12 nm;
Schicht 6: Material ZrN, Schichtdicke 10 nm;
Schicht 8: Material Si₃N₄, Schichtdicke 10 nm;
Schicht 10: Material SiO₂, Schichtdicke 74 nm.
Substrate 2 : material glass, thickness 2 mm;
Layer 12 : material TiO₂, layer thickness 12 nm;
Layer 6 : material ZrN, layer thickness 10 nm;
Layer 8 : material Si₃N₄, layer thickness 10 nm;
Layer 10 : material SiO₂, layer thickness 74 nm.

Das Reflexions- und Transmissionsverhalten dieses Schichtsystems ist für den Wellenlängenbereich von 400 nm bis 688 nm in Fig. 6 in Abhängigkeit der Lichtwellenlänge aufgetragen. Die den der Fig. 6 zugrunde liegenden Reflexions- und Transmissions­ werte sind in der Tabelle 2 gegenübergestellt:The reflection and transmission behavior of this layer system is plotted for the wavelength range from 400 nm to 688 nm in FIG. 6 as a function of the light wavelength. The reflection and transmission values on which FIG. 6 is based are compared in Table 2:

Tabelle 2 Table 2

Aus dem lichtwellenlängenabhängigen Verhalten der in Fig. 6 eingezeichneten Reflexionskurve ist er­ sichtlich, daß diese im optisch sichtbaren Bereich sehr geringe Reflexionswerte von kleiner als 0,2% im Intervall von 420 nm bis 660 nm aufweist. Nur für kleinere Lichtwellenlängen als 400 nm bzw. bei größeren Lichtwellenlängen als 700 nm beträgt der Reflexionsgrad größer als 0,5%. Das Transmissi­ onsverhalten des letztgenannten Schichtsystems be­ stimmt sich durch einen hohen Transmissionsgrad von über 90% bei 400 nm und fällt zu höheren Wel­ lenlängen auf ca. 75% bei 688 nm im wesentlichen linear ab.From the light-wavelength-dependent behavior of the reflection curve shown in FIG. 6, it is clear that this has very low reflection values of less than 0.2% in the interval from 420 nm to 660 nm in the optically visible range. The reflectance is greater than 0.5% only for light wavelengths less than 400 nm or for light wavelengths greater than 700 nm. The transmission behavior of the last-mentioned layer system is determined by a high transmittance of over 90% at 400 nm and drops to higher wavelengths to approximately 75% at 688 nm essentially linearly.

Ein dem zweiten Beispiel ähnliches lichtwellenlän­ genabhängiges Transmissions- und Reflexionsver­ halten zeigt das in Fig. 3 dargestellte dritte beispielhafte Schichtsystem. Dieses letztgenannte Schichtsystem besteht auf dem folgenden Schicht­ aufbau:The third exemplary layer system shown in FIG. 3 shows a light-wavelength-dependent transmission and reflection behavior similar to the second example. This latter layer system consists of the following layer structure:

Substrat 2: Material Glas, Dicke 2 mm;
Schicht 12: Material TiO₂, Schichtdicke 10 nm;
Schicht 6: Material Si₃O₄, Schichtdicke 2 nm;
Schicht 6: Material ZrN, Schichtdicke 10 nm;
Schicht 8: Material Si₃N₄, Schichtdicke 10 nm;
Schicht 10: Material SiO₂, Schichtdicke 75 nm.
Substrate 2 : material glass, thickness 2 mm;
Layer 12 : material TiO₂, layer thickness 10 nm;
Layer 6 : material Si₃O₄, layer thickness 2 nm;
Layer 6 : material ZrN, layer thickness 10 nm;
Layer 8 : material Si₃N₄, layer thickness 10 nm;
Layer 10 : material SiO₂, layer thickness 75 nm.

Im Vergleich zu dem im zweiten Beispiel beschrie­ benen Schichtsystem weist dieser Schichtbelag eine weitere, aus Si₃N₄ bestehende Schicht auf. Das Transmissions- und Reflexionsvermögen des Schicht­ systems nach Beispiel 3 ist als Funktion der Lichtwellenlänge in Fig. 7 dargestellt. Ein Ver­ gleich der Funktionsverläufe mit denen in der Fig. 6 zeigt, daß das Reflexions- und Transmissi­ onsverhalten ähnlich dem des in Beispiel 2 vorge­ stellten Schichtsystems ist. Auch bei dem Schicht­ system nach Beispiel 3 wird wie gewünscht ein sehr geringer Reflexionsgrad und hoher Transmissions­ grad über den optisch sichtbaren Lichtwellenlän­ genbereich realisiert. Die der Fig. 7 zugrunde liegenden Reflexions- und Transmissionswerte sind in der nachfolgenden Tabelle 3 aufgelistet.In comparison to the layer system described in the second example, this layer covering has a further layer consisting of Si₃N₄. The transmission and reflectivity of the layer system according to Example 3 is shown as a function of the light wavelength in Fig. 7. A comparison of the functional curves with those in FIG. 6 shows that the reflection and transmission behavior is similar to that of the layer system presented in Example 2. In the layer system according to Example 3, as desired, a very low degree of reflection and high transmittance is achieved over the optically visible light wavelength range. The reflection and transmission values on which FIG. 7 is based are listed in Table 3 below.

Tabelle 3 Table 3

Die Schichtsysteme, mit denen die oben in den Be­ spielen 1 bis 3 genannten Transmission- und Refle­ xionswerte erzielt wurden, sind nach dem im fol­ genden beschriebenen Verfahren hergestellt worden. In reaktiver Gasatmosphäre von ca. 5 × 10-3 mbar wurde je nach abzuscheidender optischer Schicht als Targetmaterial Titan, Zirkonium, Silicium, Aluminium, Tantal oder Nickelchrom ausgewählt. Un­ ter Verwendung von Edelgas unter Hinzufügung eines Reaktivgases, wie z. B. eines Ar/N-Gasgemisches, wurde von der Targetoberfläche unter Sputterein­ wirkung Targetsubstanzmaterial abgesputtert, wel­ ches sich auf dem zu beschichtenden Substrat 2 als chemische Verbindung, wie z. B. ZrN oder Si₃N₄, nie­ derschlägt und sich als eine geschlossenen Einzel­ schicht ausbildet. Durch zeitliche Abfolge des Sputterprozesses an verschiedenen Targetmateriali­ en werden nacheinander einzelne, aus unterschied­ lichen chemischen Elementen zusammengesetzte Ver­ bindungen bestehende Einzelschichten zu einem Schichtsystem aufgebaut, welches die genannten op­ tisch wirkenden Eigenschaften aufweist.The layer systems with which the transmission and reflection values mentioned in games 1 to 3 above were achieved were produced by the method described below. In a reactive gas atmosphere of approx. 5 × 10 -3 mbar, depending on the optical layer to be deposited, titanium, zirconium, silicon, aluminum, tantalum or nickel chrome was selected as the target material. Un using noble gas with the addition of a reactive gas such. B. an Ar / N gas mixture, was sputtered from the target surface under the action of sputtering target substance material, wel ches on the substrate 2 to be coated as a chemical compound, such as. B. ZrN or Si₃N₄, never strikes and forms as a closed single layer. Due to the temporal sequence of the sputtering process on different target materials, individual layers composed of different chemical elements are successively built up into individual layers to form a layer system which has the aforementioned optically acting properties.

Auf der beschichteten Seite der Schichtsysteme wurde jeweils der Flächenwiderstand R zu R 5 kΩ/ gemessen. Die statische Aufladung der beschichteten Flächen wird durch Erdung derselben reduziert bzw. sogar vollständig aufgehoben. Damit wird der gewünschte Antistatikeffekt erzielt.On the coated side of the layer systems the surface resistance R  to R   5 kΩ / measured. The static charge of the  coated surfaces is by grounding them reduced or even completely canceled. In order to the desired antistatic effect is achieved.

BezugszeichenlisteReference list

1 Belag, Schichtsystem
2 Substrat, Glas
4 erste Schicht
6 zweite Schicht
8 dritte Schicht
10 vierte Schicht, Deckschicht
12 Oxydschicht
14 Haftvermittlerschicht
15 Rückseite
16 Vorderseite
1 covering, layer system
2 substrate, glass
4 first layer
6 second layer
8 third layer
10 fourth layer, top layer
12 oxide layer
14 adhesion promoter layer
15 back
16 front

Claims (16)

1. Belag bestehend aus einem optisch wirkenden Schichtsystem für Substrate, wobei das Schichtsystem insbesondere eine hohe Antire­ flexwirkung und eine hohe Lichttransmission aufweist oder eine hohe Antireflexwirkung bei gegebener Lichttransmission aufweist, dadurch gekennzeichnet, daß das Schichtsystem (1) mindestens zwei, jeweils aus einem Nitrid oder einem Mischnitrid bestehende Einzel­ schichten (6, 8) umfaßt, wobei mindestens eine der Nitridschichten aus einem Metallnitrid oder einem Metallmischnitrid besteht.1. covering consisting of an optically acting layer system for substrates, the layer system in particular having a high anti-flex effect and a high light transmission or having a high anti-reflective effect for a given light transmission, characterized in that the layer system ( 1 ) at least two, each made of a nitride or a mixed nitride consisting of individual layers ( 6 , 8 ), at least one of the nitride layers consisting of a metal nitride or a metal mixed nitride. 2. Belag nach Anspruch 1, dadurch gekennzeich­ net, daß die aus Metallnitrid bestehende Ein­ zelschicht aus ZrN und/oder TiN besteht.2. Rubber according to claim 1, characterized net that the existing of metal nitride cell layer consists of ZrN and / or TiN. 3. Belag nach Anspruch 1 und/oder 2, dadurch ge­ kennzeichnet, daß das Schichtsystem (1) min­ destens vier Einzelschichten (4, 6, 8, 10, 12) umfaßt, wobei auf dem Substrat (2) eine er­ ste, absorptionsfreie Schicht (4, 12) angeord­ net ist, darauf folgend eine zweite, absor­ bierende Nitridschicht (6), vorzugsweise ZrN oder TiN, angeordnet ist, darauf folgend eine dritte, absorptionsfreie Nitridschicht (8), vorzugsweise bestehend aus SiN oder AlN, an­ geordnet ist, darauf folgend eine vierte, ab­ sorptionsfreie Schicht (10) angeordnet ist, welche einen niedrigen Brechungskoeffizienten aufweist und vorzugsweise aus SiO₂ oder MgF₂ oder Al₂O₃ oder deren Mischoxyde besteht.3. Covering according to claim 1 and / or 2, characterized in that the layer system ( 1 ) comprises at least four individual layers ( 4 , 6 , 8 , 10 , 12 ), wherein he ste, absorption-free on the substrate ( 2 ) Layer ( 4 , 12 ) is arranged, then a second, absorbing nitride layer ( 6 ), preferably ZrN or TiN, is arranged, then a third, absorption-free nitride layer ( 8 ), preferably consisting of SiN or AlN, is arranged is, then a fourth, from sorption-free layer ( 10 ) is arranged, which has a low refractive index and preferably consists of SiO₂ or MgF₂ or Al₂O₃ or their mixed oxides. 4. Belag nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die erste, auf dem Substrat (2) angeordnete Schicht (4) eine vorzugsweise aus Si₃N₄ oder AlN bestehen­ de Nitridschicht (4) ist.4. Covering according to at least one of claims 1 to 3, characterized in that the first, on the substrate ( 2 ) arranged layer ( 4 ) is a preferably made of Si₃N₄ or AlN de nitride layer ( 4 ). 5. Belag nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die erste, auf dem Substrat (2) angeordnete Schicht (12) eine vorzugsweise aus TiO₂ oder Ta₂O₅ beste­ hende Oxydschicht ist.5. Covering according to at least one of claims 1 to 3, characterized in that the first, arranged on the substrate ( 2 ) layer ( 12 ) is a preferably made of TiO₂ or Ta₂O₅ best existing oxide layer. 6. Belag nach Anspruch 1 und/oder 2, dadurch ge­ kennzeichnet, daß das Schichtsystem (1) min­ destens fünf Einzelschichten (4, 6, 8, 10, 12) umfaßt, wobei auf dem Substrat (2) eine er­ ste, absorptionsfreie Oxydschicht (12), vor­ zugsweise bestehend aus TiO₂ oder Ta₂O₅, ange­ ordnet ist, darauf folgend eine zweite, ab­ sorptionsfreie Nitridschicht (4), vorzugswei­ se bestehend aus Si₃N₄ oder AlN, angeordnet ist, darauf folgend eine dritte, absorbieren­ de Nitridschicht (6), vorzugsweise bestehend aus ZrN oder TiN angeordnet ist, darauf fol­ gend eine vierte, absorptionsfreie Nitrid­ schicht (8), vorzugsweise bestehend aus Si₃N₄ oder AlN angeordnet ist, darauf folgend eine fünfte, absorptionsfreie Schicht (10) ange­ ordnet ist, die einen niedrigen Berechungs­ koeffizienten aufweist und welche vorzugswei­ se aus SiO₂ oder MgF₂ oder Al₂O₃ oder dessen Mischoxyden besteht.6. Covering according to claim 1 and / or 2, characterized in that the layer system ( 1 ) comprises at least five individual layers ( 4 , 6 , 8 , 10 , 12 ), wherein he ste, absorption-free on the substrate ( 2 ) Oxide layer ( 12 ), preferably consisting of TiO₂ or Ta₂O₅, is arranged, then a second, from sorption-free nitride layer ( 4 ), preferably consisting of Si₃N₄ or AlN, is arranged, followed by a third, absorbing de nitride layer ( 6 ), preferably consisting of ZrN or TiN, followed by a fourth, absorption-free nitride layer ( 8 ), preferably consisting of Si₃N₄ or AlN, followed by a fifth, absorption-free layer ( 10 ), which is a low one Has calculation coefficients and which vorzugwei se consists of SiO₂ or MgF₂ or Al₂O₃ or its mixed oxides. 7. Belag nach einem der Ansprüche 1 bis 6, da­ durch gekennzeichnet, daß zwischen der Oxyd­ schicht (12) und der Nitridschicht (6) eine Haftvermittlerschicht (14) angeordnet ist, welche vorzugsweise aus Nickel-Chrom-Nitrid (NiCrN) besteht und welche eine Schichtdicke von vorzugsweise 1 nm bis 2,5 nm aufweist.7. Covering according to one of claims 1 to 6, characterized in that between the oxide layer ( 12 ) and the nitride layer ( 6 ) an adhesion promoter layer ( 14 ) is arranged, which preferably consists of nickel-chromium-nitride (NiCrN) and which has a layer thickness of preferably 1 nm to 2.5 nm. 8. Belag, bestehend aus einem optisch wirkenden, Einzelschichten umfassenden Schichtsystem für Substrate, wobei das Schichtsystem insbeson­ dere eine hohe Antireflexwirkung und eine ho­ he Lichttransmission aufweist oder eine hohe Antireflexwirkung bei gegebener Lichttrans­ mission aufweist, insbesondere nach minde­ stens einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat (2) aus Glas besteht, welches einen Brechungsindex nG mit 1,46 nG 1,60, vorzugsweise mit nG = 1,52, aufweist und wobei die erste auf dem Substrat (2) aufgebrachte Schicht (4) vorzugsweise aus Si₃N₄ besteht und eine Schichtdicke von 200 nm bis zu 240 nm aufweist, daß die zweite Schicht (6) vorzugsweise aus ZrN besteht und eine Schichtdicke von 70 nm bis 90 nm auf­ weist, und daß die dritte Schicht (8) vor­ zugsweise aus Si₃N₄ besteht und eine Schicht­ dicke von 1,5 nm bis 2,5 nm aufweist und wo­ bei die vierte Schicht (10) vorzugsweise aus SiO₂ besteht und eine Schichtdicke von 70 nm bis 80 nm aufweist.8. covering, consisting of an optically acting, single-layer layer system for substrates, the layer system in particular having a high anti-reflective effect and high light transmission or having a high anti-reflective effect for a given light transmission, in particular according to at least one of claims 1 to 7 , characterized in that the substrate ( 2 ) consists of glass which has a refractive index n G with 1.46 n G 1.60, preferably with n G = 1.52, and the first applied to the substrate ( 2 ) Layer ( 4 ) preferably consists of Si₃N₄ and has a layer thickness of 200 nm to 240 nm, that the second layer ( 6 ) preferably consists of ZrN and has a layer thickness of 70 nm to 90 nm, and that the third layer ( 8 ) preferably consists of Si₃N₄ and has a layer thickness of 1.5 nm to 2.5 nm and where the fourth layer ( 10 ) preferably consists of SiO₂ and a layer thickness of 70 nm to 80 nm. 9. Belag nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß das Schichtsystem (1) einen Flächenwiderstand R von R 5 kΩ/ aufweist.9. Covering according to at least one of claims 1 to 8, characterized in that the Layer system (1) a sheet resistance R  from R   5 kΩ /. 10. Verfahren zur Herstellung eines Belages nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 9, da­ durch gekennzeichnet, daß die Einzelschichten (4, 6, 8, 10, 12) mittels eines Kathodenzerstäu­ bungsverfahrens, insbesondere mittels eines reaktiven Sputterverfahrens unter Verwendung eines mit einer Mittelfrequenz- Stromversorgung betriebenen Doppelmagnetrons hergestellt werden.10. A method for producing a covering according to at least one of claims 1 to 9, characterized in that the individual layers ( 4 , 6 , 8 , 10 , 12 ) by means of a cathode sputtering method, in particular by means of a reactive sputtering method using a medium frequency - Power supply operated double magnetrons are manufactured. 11. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekenn­ zeichnet, daß zum Beschichten von Glas (2), insbesondere von Floatglas, durch reaktives Sputtern von einem Silizium-Target unter Ein­ satz eines mit einem Mittelfrequenz-Generator elektrisch betriebenen Doppelmagnetrons eine Schicht aus Si₃N₄ bei Anwesenheit eines Sput­ tergasgemisches, welches Argongas und Stick­ stoffgas aufweist, bei einem Prozeßkammer­ druck p von 1×10-3 mbar p 8×10-3 mbar auf dem Glassubstrat (2) abgeschieden wird. 11. The method according to claim 10, characterized in that for coating glass ( 2 ), in particular float glass, by reactive sputtering of a silicon target using a layer of Si₃N₄ in the presence of a double magnetron electrically operated with a medium frequency generator a Sput tergasgemisches, which has argon gas and nitrogen gas, at a process chamber pressure p of 1 × 10 -3 mbar p 8 × 10 -3 mbar is deposited on the glass substrate ( 2 ). 12. Verfahren nach Anspruch 10 und/oder 11, da­ durch gekennzeichnet, daß durch reaktives Sputtern von einem Silizium-Target mit einem von einem Mittelfrequenz-Generator bei einer Stromfrequenz von 30 kHz bis 60 kHz elek­ trisch versorgten Doppelmagnetron eine Schicht aus SiO₂ bei Anwesenheit eines Sput­ tergasgemisches welches Ar und O₂ umfaßt, ge­ bildet wird, wobei der Prozeßkammerdruck p in einem Bereich von 1×10-3 mbar p 8×10-3 mbar liegt.12. The method according to claim 10 and / or 11, characterized in that by reactive sputtering of a silicon target with an electrically supplied by a medium frequency generator at a current frequency of 30 kHz to 60 kHz double magnetron a layer of SiO₂ in the presence of a sputter gas mixture comprising Ar and O₂, ge is formed, the process chamber pressure p being in a range of 1 × 10 -3 mbar p 8 × 10 -3 mbar. 13. Verfahren nach einem der Ansprüche 9 bis 12, dadurch gekennzeichnet, daß durch reaktives Sputtern von einem Aluminium-Target unter Einsatz eines insbesondere von einem Mittel­ frequenz-Generator elektrisch versorgten Dop­ pelmagnetrons eine Schicht aus Al₂O₃ bei Anwe­ senheit eines Sputtergasgemisches, welches Ar und O₂ umfaßt, bei einem Prozeßkammerdruck p von 1×10-3 mbar p 8×10-3 mbar auf dem Substrat (2) gebildet wird.13. The method according to any one of claims 9 to 12, characterized in that by reactive sputtering of an aluminum target using in particular a medium frequency generator electrically supplied Dop pelmagnetrons a layer of Al₂O₃ in the presence of a sputtering gas mixture, which Ar and O₂ comprises, at a process chamber pressure p of 1 × 10 -3 mbar p 8 × 10 -3 mbar is formed on the substrate ( 2 ). 14. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 9 bis 12, dadurch gekennzeichnet, daß das Doppelmagnetron bei einer Stromfrequenz von 30 kHz bis 60 kHz betrieben wird. 14. The method according to at least one of the claims 9 to 12, characterized in that the Double magnetron at a current frequency of 30 kHz to 60 kHz is operated.   15. Verfahren nach einem der Ansprüche 9 bis 14, dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat (2) aus Glas, vorzugsweise aus Floatglas besteht.15. The method according to any one of claims 9 to 14, characterized in that the substrate ( 2 ) consists of glass, preferably of float glass. 16. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 15, dadurch gekennzeichnet, daß zum Aufbringen der Einzelschichten (4, 6, 8, 10, 12) ein an sich bekanntes Beschichtungsverfahren eingesetzt wird.16. The method according to at least one of claims 1 to 15, characterized in that a known coating method is used to apply the individual layers ( 4 , 6 , 8 , 10 , 12 ).
DE19541014A 1995-11-03 1995-11-03 Antireflection coating system and method for producing an antireflection coating system Expired - Fee Related DE19541014B4 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19541014A DE19541014B4 (en) 1995-11-03 1995-11-03 Antireflection coating system and method for producing an antireflection coating system

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19541014A DE19541014B4 (en) 1995-11-03 1995-11-03 Antireflection coating system and method for producing an antireflection coating system

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE19541014A1 true DE19541014A1 (en) 1997-05-07
DE19541014B4 DE19541014B4 (en) 2011-06-01

Family

ID=7776548

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19541014A Expired - Fee Related DE19541014B4 (en) 1995-11-03 1995-11-03 Antireflection coating system and method for producing an antireflection coating system

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE19541014B4 (en)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0854202A2 (en) * 1996-12-17 1998-07-22 Asahi Glass Company Ltd. Organic substrate provided with a light absorptive antireflection film and process for its production
WO2004046058A1 (en) * 2002-11-15 2004-06-03 Guardian Industries Corp. Heat treatable coated articles with zirconium or zirconium nitride layer and methods of making same
WO2005097697A1 (en) * 2004-04-03 2005-10-20 Applied Materials Gmbh & Co. Kg Glass coating
RU2608858C2 (en) * 2015-06-17 2017-01-25 Открытое акционерное общество "Ракетно-космическая корпорация "Энергия" имени С.П. Королёва" (ОАО "РКК "Энергия") Glass with optically transparent protective coating and method of its production
WO2023051996A1 (en) * 2021-09-29 2023-04-06 Saint-Gobain Glass France Vehicle window having an anti-reflection coating having a titanium nitride layer

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3941797A1 (en) * 1989-12-19 1991-06-20 Leybold Ag BELAG, CONSISTING OF AN OPTICAL LAYER SYSTEM, FOR SUBSTRATES, IN WHICH THE LAYER SYSTEM IN PARTICULAR HAS A HIGH ANTI-FLEXIBLE EFFECT, AND METHOD FOR PRODUCING THE LAMINATE
DE3942990A1 (en) * 1989-12-19 1991-06-20 Leybold Ag Anti-reflection coating for transparent substrates - comprises 1st layer of dielectric metal oxide, nitride 2nd layer, and 3rd layer of dielectric metal oxide
US5091244A (en) * 1990-08-10 1992-02-25 Viratec Thin Films, Inc. Electrically-conductive, light-attenuating antireflection coating
EP0530672A1 (en) * 1991-08-30 1993-03-10 Lutz Lange Washable filter
WO1993004993A1 (en) * 1991-09-03 1993-03-18 Viratec Thin Films, Inc. An electrically-conductive, light-attenuating antireflection coating
EP0564709A1 (en) * 1991-12-13 1993-10-13 Balzers Aktiengesellschaft Coated transparent substrate, use thereof, method and apparatus of manufacturing such coatings, and hafnium-oxynitride HfOxNy with 1.5 x/y 3 and 2.6 n 2.8
US5298048A (en) * 1991-12-09 1994-03-29 Guardian Industries Corp. Heat treatable sputter-coated glass systems
US5342675A (en) * 1991-02-21 1994-08-30 Nippon Sheet Glass Co., Ltd. Heat-screening glass

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3941797A1 (en) * 1989-12-19 1991-06-20 Leybold Ag BELAG, CONSISTING OF AN OPTICAL LAYER SYSTEM, FOR SUBSTRATES, IN WHICH THE LAYER SYSTEM IN PARTICULAR HAS A HIGH ANTI-FLEXIBLE EFFECT, AND METHOD FOR PRODUCING THE LAMINATE
DE3942990A1 (en) * 1989-12-19 1991-06-20 Leybold Ag Anti-reflection coating for transparent substrates - comprises 1st layer of dielectric metal oxide, nitride 2nd layer, and 3rd layer of dielectric metal oxide
US5091244A (en) * 1990-08-10 1992-02-25 Viratec Thin Films, Inc. Electrically-conductive, light-attenuating antireflection coating
US5342675A (en) * 1991-02-21 1994-08-30 Nippon Sheet Glass Co., Ltd. Heat-screening glass
EP0530672A1 (en) * 1991-08-30 1993-03-10 Lutz Lange Washable filter
WO1993004993A1 (en) * 1991-09-03 1993-03-18 Viratec Thin Films, Inc. An electrically-conductive, light-attenuating antireflection coating
US5298048A (en) * 1991-12-09 1994-03-29 Guardian Industries Corp. Heat treatable sputter-coated glass systems
EP0564709A1 (en) * 1991-12-13 1993-10-13 Balzers Aktiengesellschaft Coated transparent substrate, use thereof, method and apparatus of manufacturing such coatings, and hafnium-oxynitride HfOxNy with 1.5 x/y 3 and 2.6 n 2.8

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0854202A2 (en) * 1996-12-17 1998-07-22 Asahi Glass Company Ltd. Organic substrate provided with a light absorptive antireflection film and process for its production
EP0854202A3 (en) * 1996-12-17 1999-12-01 Asahi Glass Company Ltd. Organic substrate provided with a light absorptive antireflection film and process for its production
WO2004046058A1 (en) * 2002-11-15 2004-06-03 Guardian Industries Corp. Heat treatable coated articles with zirconium or zirconium nitride layer and methods of making same
US6881487B2 (en) 2002-11-15 2005-04-19 Guardian Industries Corp. Heat treatable coated articles with zirconium or zirconium nitride layer and methods of making same
WO2005097697A1 (en) * 2004-04-03 2005-10-20 Applied Materials Gmbh & Co. Kg Glass coating
US7727632B2 (en) 2004-04-03 2010-06-01 Applied Materials Gmbh & Co. Kg. Glass coating
CN1953943B (en) * 2004-04-03 2012-02-08 应用材料合资有限公司 Glass coating
RU2608858C2 (en) * 2015-06-17 2017-01-25 Открытое акционерное общество "Ракетно-космическая корпорация "Энергия" имени С.П. Королёва" (ОАО "РКК "Энергия") Glass with optically transparent protective coating and method of its production
WO2023051996A1 (en) * 2021-09-29 2023-04-06 Saint-Gobain Glass France Vehicle window having an anti-reflection coating having a titanium nitride layer

Also Published As

Publication number Publication date
DE19541014B4 (en) 2011-06-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3941797A1 (en) BELAG, CONSISTING OF AN OPTICAL LAYER SYSTEM, FOR SUBSTRATES, IN WHICH THE LAYER SYSTEM IN PARTICULAR HAS A HIGH ANTI-FLEXIBLE EFFECT, AND METHOD FOR PRODUCING THE LAMINATE
EP0120408B1 (en) Process for coating a transparent substrate
DE19541937C1 (en) Multilayer heat-insulating coating for glass - comprises silver@ layer, sacrificial metal layer, lower and upper de-reflection layers each comprising two different oxide layers
EP0438646B1 (en) Rearview mirror for vehicles, specially for automotive vehicles
DE69531628T2 (en) LIGHT-ABSORBING ANTI-REFLECTOR
DE69916378T2 (en) TRANSPARENT SUBSTRATE WITH A SEQUENCE OF LAYERS FOR REFLECTING THERMAL RADIATION
DE3818341C2 (en) Semi-transparent mirror made of plastic
DE3716860A1 (en) METHOD FOR PRODUCING A TENSILE AND / OR CURVED GLASS DISC WITH A SILVER LAYER, THE GLASS DISC PRODUCED THEREOF, AND THE USE THEREOF
DE60132914T2 (en) Low-temperature process for producing an antireflection coating
DE3009533A1 (en) METHOD FOR PRODUCING A REFLECT-REDUCING MULTI-LAYER COVERING AND OPTICAL BODY WITH REFLECT-REDUCING MULTI-LAYER COVERING
DE102005000911B4 (en) Environmentally stable highly reflective mirror coating system and method for its production
DE10126364B9 (en) Aluminum reflecting mirror and process for its production
DE3942990A1 (en) Anti-reflection coating for transparent substrates - comprises 1st layer of dielectric metal oxide, nitride 2nd layer, and 3rd layer of dielectric metal oxide
DE4117257B4 (en) Optically effective coating system with high antireflection effect for transparent substrates
DE3909654C2 (en) Anti-reflection film for plastic optical parts
DE2221472C3 (en) Process for producing heat insulating glazing
DE19541014B4 (en) Antireflection coating system and method for producing an antireflection coating system
EP0332177B1 (en) Low reflexion highly transparent neutral sun protection coating, for through as well as exterior viewing, and/or a heat rejection coating, both for a transparent substrate
DE3941796A1 (en) Optical multilayer coating - with high anti-reflection, useful for glass and plastics substrates
DE102004025646A1 (en) Highly reflective dielectric mirror and method for its production
EP1364433B1 (en) Chirped multilayer mirror
DE102004043871A1 (en) Process for the preparation of a radiation-absorbing optical element and radiation-absorbing optical element
DE19636970A1 (en) Anti-reflection optical multilayer coating
DE10046810C5 (en) Process for producing a heat-reflecting layer system for transparent substrates and layer system produced therefrom
DE3941795A1 (en) Anti-reflection layer deposited on back surface of substrate - consists of titanium-nitride reducing total reflection by up to 45 per cent and eliminating charge build-up

Legal Events

Date Code Title Description
OM8 Search report available as to paragraph 43 lit. 1 sentence 1 patent law
8127 New person/name/address of the applicant

Owner name: UNAXIS DEUTSCHLAND HOLDING GMBH, 63450 HANAU, DE

8110 Request for examination paragraph 44
8127 New person/name/address of the applicant

Owner name: APPLIED FILMS GMBH & CO. KG, 63755 ALZENAU, DE

8127 New person/name/address of the applicant

Owner name: APPLIED MATERIALS GMBH & CO. KG, 63755 ALZENAU, DE

R020 Patent grant now final

Effective date: 20110902

R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee

Effective date: 20140603