DE19522156C1 - Verfahren zum Schalten von Lasten und Vorrichtung zur Durchführung dieses Verfahrens - Google Patents
Verfahren zum Schalten von Lasten und Vorrichtung zur Durchführung dieses VerfahrensInfo
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Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Schalten von Lasten
und eine Vorrichtung zur
Durchführung dieses Verfahrens.
Bekannte, insbesondere in der Kraftfahrzeug-Elektronik ver
wendete Endstufen mit Kurzschlußschutz und Diagnosefunktion
sind relativ aufwendig gebaut.
Aus der DE 41 00 790 A1 ist eine über einen Ausgangsport ei
nes Mikroprozessors steuerbare Leistungsendstufe zum Schalten
einer Last mit einem Steuer- und einem Schalttransistor be
kannt, bei der das Ausgangssignal eines vom Schalttransistors
angesteuerten Flip-Flop′s dem Mikroprozessor über ein Bussy
stem zuführbar ist. Im Falle eines Kurzschlusses oder einer
Unterbrechung wird das Flip-Flop gesetzt, worauf mittels ei
nes vom Mikroprozessor über ein Bussystem aus gegebenen Reset
signals das Steuersignal über den Steuertransistor beendet
und das Flip-Flop zurückgesetzt wird.
Aus DE 32 35 851 A1 ist eine Schaltungsanordnung zum An- und
Abschalten einer Versorgungsspannung an einen bzw. von einem
Verbraucher bekannt, wobei der Verbraucher ein Mikroprozessor
ist. Im Fall, daß die Versorgungsspannung einen vorgegebenen
ersten Spannungswert erreicht, wird sie über eine Selbsthal
teschaltung an den Verbraucher gelegt. Die Selbsthalteschal
tung wird wieder gesperrt und damit abgeschaltet, wenn die
Versorgungsspannung einen vorgegebenen zweiten, niedrigeren
Spannungswert unterschreitet.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zum
Schalten von Lasten mit Kurzschlußschutz und Diagnosefunktion
anzugeben und eine Vorrichtung zur Durchführung dieses Ver
fahrens zu schaffen, bei welchem gegenüber dem aus der
DE 41 00 790 A1 bekannten Verfahren die Leistungsendstufe im
Fehlerfall direkt und ohne Umweg über den Mikroprozessor ab
schaltbar ist.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die Merkmale der Pa
tentansprüche 1 und 3 gelöst.
Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung ist im folgenden unter
Bezugnahme auf die schematische Zeichnung näher erläutert. Es
zeigen:
Fig. 1 eine Schaltung einer Low-Side-Bipolar-Schaltendstufe,
Fig. 2 Signaldiagramme der Steuerimpulse und Ausgangspoten
tiale zur Schaltung nach Fig. 1, und
Fig. 3 die Schaltung einer High-Side-Bipolar-Schaltendstufe.
Bei der in Fig. 1 gezeigten schematischen Schaltung einer
insbesondere in Kraftfahrzeugen verwendbaren Low-Side-Bipo
lar-Schaltendstufe (so genannt, weil der Schalttransistor mit
dem Minuspol, der "low side" der Arbeitsspannungsquelle ver
bunden ist) mit zwei Transistoren T1 und T2 liegt die Reihen
schaltung einer ohmschen oder induktiven Last RL und eines
Schalttransistors T1 zwischen Pluspol U+ und Minuspol GND ei
ner Arbeitsspannungsquelle, beispielsweise 12V.
Die Schaltendstufe wird über einen I/O-Port P eines Mikropro
zessors µP, der an einer Versorgungsspannung (beispielsweise
5V) mit den Polen +Vcc und GND liegt, angesteuert. Der I/O-
Port P ist über einen ersten Widerstand R1 mit dem Kollektor
anschluß C1 des npn-Schalttransistors T1 und über einen zwei
ten Widerstand R2 mit dem Basisanschluß B2 des pnp-Steuer
transistors T2 verbunden. Der Kollektoranschluß C2 des Steu
ertransistors T2 ist mit dem Basisanschluß des Schalttransi
stors T1 verbunden und der Emitteranschluß E2 des Steuertran
sistors T2 ist mit dem Pluspol einer Hilfsspannungsquelle Vh
verbunden, deren Minuspol ebenfalls mit dem Minuspol GND der
Arbeitsspannungsquelle identisch ist.
Die Wirkungsweise der in Fig. 1 gezeigten Schaltung wird an
hand der in Fig. 2 dargestellten Signaldiagramme nachstehend
erläutert.
Fig. 2a zeigt die Schaltimpulse zum Ein- und Ausschalten der
Endstufe, Fig. 2b die Ausgangspotentiale der Endstufe und
Fig. 2c den jeweiligen Konfigurationszustand des I/O-Ports.
Im Anfangszustand zum Zeitpunkt to sei die Schaltendstufe
ausgeschaltet, an dem auf "Ausgang" konfigurierten I/O-Port P
(Fig. 2c) liegt ein Ausgangsschaltimpuls A (H-Potential in
Fig. 2a), beide Transistoren T1 und T2 sind nichtleitend,
und durch die Last fließt kein Strom.
Zum Einschalten der Schaltendstufe im Zeitpunkt t3 wird vom
Mikroprozessor µP über den weiterhin auf "Ausgang" konfigu
rierten I/O-Port P ein kurzer (beispielsweise 10 µs langer)
Einschaltimpuls E (L-Potential in Fig. 2a) ausgegeben. Durch
diesen Einschaltimpuls E wird der Steuertransistor T2 leitend
und damit auch der Schalttransistor T1 (L-Potential am Kol
lektor C1, Fig. 2b). Die beiden Transistoren T1 und T2 hal
ten sich nun selbst leitend. Der Einschaltimpuls E wird da
durch beendet, daß der I/O-Port P zum Zeitpunkt t4 auf
"Eingang" konfiguriert wird.
Im Einschaltzustand (Fig. 2c und gepunktete Linie zwischen
t4 und t5 in Fig. 2a) kann mittels des auf "Eingang" konfi
gurierten I/O-Ports P eine Fehlerdiagnose mit Speicherung von
Fehlern im Mikroprozessor µP durchgeführt werden. Liegt L-Po
tential am I/O-Port P, so liegt kein Fehler vor. Liegt hin
gegen H-Potential am I/O-Port P (strichpunktiert in Fig.
2b), so liegt entweder ein Kurzschluß der Last nach U+ oder
eine Unterbrechung des Schalttransistors T1 vor.
Soll die Schaltstufe länger eingeschaltet bleiben, so kann
die Abfrage des I/O-Ports P (per Software) zyklisch wieder
holt werden, um eventuell inzwischen aufgetretene Fehler
feststellen zu können.
Zum Nichtleitendschalten des Schalttransistors T1 (Ausschal
ten der Schaltendstufe) wird der I/O-Port P zum Zeitpunkt t5
wieder auf "Ausgang" konfiguriert (Fig. 2c) und ein Aus
schaltimpuls mit H-Potential ausgegeben (Fig. 2a). Durch
diesen Ausschaltimpuls wird die Selbsthaltung unterbrochen
und die beiden Transistoren werden nichtleitend. Der Aus
schaltimpuls bleibt während der Ausschaltdauer (t5 bis t9)
bestehen. Das hat den Vorteil, daß die Schaltendstufe durch
Störimpulse nicht eingeschaltet werden kann, da über den
Rückkopplungszweig R1/R2 ein dauerhafter Ausschaltimpuls ein
geprägt ist.
Auch im Ausschaltzustand (t0 bis t3 und t6 bis t9) kann durch
kurzzeitige Konfiguration des I/O-Ports P auf "Eingang" (t1
bis t2 und t7 bis t8, gepunktete Linien in Fig. 2a) eine
Fehlerdiagnose (ebenfalls mit Speicherung von Fehlern im Mi
kroprozessor µP) durchgeführt werden. Liegt in diesem Zeit
raum H-Potential am Port P (Fig. 2b), so liegt kein Fehler
vor. Liegt hingegen L-Potential am Port P (strichlierte Linie
in Fig. 2b), so liegt entweder ein Kurzschluß des Schalt
transistors T1 nach GND oder eine Unterbrechung der Last RL
vor.
Soll die Schaltstufe weiterhin ausgeschaltet bleiben, so kann
auch in diesem Fall die Abfrage des I/O-Ports P (per Softwa
re) zyklisch wiederholt werden.
Wird die Last RL bei bestehendem Kurzschluß nach U+ einge
schaltet, so wird während des Einschaltimpulses das Potential
am Kollektoranschluß C1 aufgrund des hohen Laststromes und
der Sättigungsspannung des Transistors T1 auf ein Potential
größer oder gleich der Hilfsspannung Vh angehoben, so daß die
Selbsthaltung nicht aktiviert werden kann und die Endstufe
ausgeschaltet bleibt.
Tritt der Kurzschlußfall nach U+ während des Einschaltzustan
des auf, so steigt das Potential am Kollektoranschluß C1 auf
grund des hohen Laststromes und der Sättigungsspannung des
Transistors T1 bis auf die Hilfsspannung Vh an, wodurch die
Selbsthaltung deaktiviert und die Endstufe abgeschaltet wird.
Das bedeutet, daß der Schalttransistor T1 im Kurzschlußfall
nur einer Impulsbelastung ausgesetzt ist, die, abhängig vom
verwendeten Schalttransistor, um ein Vielfaches größer sein
darf als die zulässige Dauerbelastung. Deshalb muß der
Schalttransistor nicht, wie bisher üblich, zur Absicherung
des Kurzschlußfalles überdimensioniert werden.
Auch ist es möglich,durch Verändern der Hilfsspannung Vh, die
in dem Ausführungsbeispiel nach Fig. 1 beispielsweise auf
Vh = +3V (0 Vh Vcc) festgesetzt sei, die Abschaltschwelle
für den Kurzschlußstrom in gewissen Grenzen zu verändern.
Fig. 3 zeigt die schematische Schaltung einer High-Side-Bi
polarendstufe, die funktionsmäßig der Schaltung nach Fig. 1
entspricht, bei der jedoch (gegenüber der Schaltung nach
Fig. 1) Last RL und Schalttransistor T1 miteinander vertauscht
sind und der Schalttransistor T1 ein pnp-Transistor sowie der
Steuertransistor T2 ein npn-Transistor ist.
Das Prinzip der Erfindung beruht darauf, daß die Endstufe
durch kurze Impulse geschaltet wird, über eine Selbsthalte
funktion eingeschaltet bleibt und durch einen Ausschaltimpuls
oder durch auftretende Fehler deaktiviert wird, wobei Schalt-
und Diagnosesignale denselben Signalweg benutzen.
Die aus elektrischen/elektronischen Bauelementen aufgebaute
elektronische Schaltung nach Fig. 1 oder 3 kann ebensogut
als hydraulische oder pneumatische Schaltung mit hydrauli
schen oder pneumatischen Bauelementen erstellt werden, wobei
die Spannungsimpulse durch Druckimpulse und die verschiedenen
Potentiale beispielsweise durch Kolbenstellungen von Hydrau
lik- oder Pneumatik-Zylindern dargestellt werden können. Die
Ausgangssignale des Mikroprozessors müssen dann in entspre
chende hydraulische oder pneumatische Signale umgewandelt
werden (umgekehrt die Eingangssignale von hydraulischen oder
pneumatischen in elektrische Signale) oder es müssen die er
forderlichen Mikroprozessorfunktionen durch hydraulische oder
pneumatische Schaltungen gebildet werden.
Claims (4)
1. Verfahren zum Schalten einer Last (RL), bei welchem eine
vor Kurzschluß und Unterbrechung geschützte Schaltendstufe
mit einem Steuertransistor (T2) und einem Schalttransistor
(T1) von einem Mikroprozessor (µP) angesteuert wird,
die Schaltendstufe durch vom Mikroprozessor (µP) erzeugte und über einen I/O-Port (P) des Mikroprozessors ausgegebene Schaltimpulse (E, A) ein- und ausgeschaltet wird und im Einschaltzustand durch eine Selbsthalteschaltung einge schaltet bleibt,
der I/O-Port (P) des Mikroprozessors (µP)
die Schaltendstufe durch vom Mikroprozessor (µP) erzeugte und über einen I/O-Port (P) des Mikroprozessors ausgegebene Schaltimpulse (E, A) ein- und ausgeschaltet wird und im Einschaltzustand durch eine Selbsthalteschaltung einge schaltet bleibt,
der I/O-Port (P) des Mikroprozessors (µP)
- a) während der Ausgabe von Einschaltimpulsen (E) auf "Aus gang" konfiguriert ist, wobei die Einschaltimpulse durch Umkonfiguration auf "Eingang" beendet werden,
- b) während des Einschaltzustandes auf "Eingang" konfigu riert ist und in diesem Zustand das Ausgangspotential der Schaltendstufe ab fragen kann, und
- c) während des Ausschaltzustandes auf "Ausgang" konfigu riert ist und einen dauerhaften Ausschaltimpuls (A) ab gibt, welcher für die Dauer einer Abfrage des Ausgangspo tentials der Schaltendstufe durch Umkonfiguration auf "Eingang" unterbrochen werden kann, und
die Selbsthaltefunktion der Selbsthalteschaltung bei einem
Kurzschluß oder einer Leitungsunterbrechung der Last (RL)
oder des Schalttransistors (T1) der Schaltendstufe nicht
eintritt oder beendet wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß bei
länger dauerndem Einschalt- oder Ausschaltzustand die Abfrage
des Ausgangspotentials der Schaltendstufe in vorgegebenen Ab
ständen zyklisch erfolgt.
3. Schaltendstufe zur Durchführung des Verfahrens nach An
spruch 1, mit einer zwischen Pluspol (U+) und Minuspol (GND)
einer Arbeitsspannungsquelle liegenden, von dem Mikropro
zessor (µP) ansteuerbaren Reihenschaltung der Last (RL) mit
dem Schalttransistor (T1), und mit dem Steuertransistor (T2),
dadurch gekennzeichnet,
daß ein mit dem I/O-Port (P) des Mikroprozessors (µP) verbun dener erster Widerstand (R1) mit dem Kollektoranschluß (C1) des Schalttransistors (T1) und ein ebenfalls mit dem I/O- Port (P) verbundener zweiter Widerstand (R2) mit dem Basis anschluß (B2) des Steuertransistors (T2) verbunden ist,
daß der Kollektoranschluß (C2) des Steuertransistors (T2) mit dem Basisanschluß (B1) des Schalttransistors (T1) verbunden ist, und
daß der Emitteranschluß (E2) des Steuertransistors (T2) mit einer Hilfsspannungsquelle (Vh) verbunden ist.
daß ein mit dem I/O-Port (P) des Mikroprozessors (µP) verbun dener erster Widerstand (R1) mit dem Kollektoranschluß (C1) des Schalttransistors (T1) und ein ebenfalls mit dem I/O- Port (P) verbundener zweiter Widerstand (R2) mit dem Basis anschluß (B2) des Steuertransistors (T2) verbunden ist,
daß der Kollektoranschluß (C2) des Steuertransistors (T2) mit dem Basisanschluß (B1) des Schalttransistors (T1) verbunden ist, und
daß der Emitteranschluß (E2) des Steuertransistors (T2) mit einer Hilfsspannungsquelle (Vh) verbunden ist.
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