DE1931201B2 - METHOD OF MANUFACTURING A ZENER DIODE - Google Patents
METHOD OF MANUFACTURING A ZENER DIODEInfo
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Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Zenerdiode in einem Halbleiterkörper, wobei ein pn-Übergang der Diode zwischen zwei diffundierten Zonen gebildet wird, die durch Diffusion einer Donatoruiid einer Akzeptorverunreinigung in praktisch einander entgegengesetzten Richtungen erhalten werden. Die Zenerdiode kann einen Teil einer integrierten Schaltung bilden.The invention relates to a method for producing a Zener diode in a semiconductor body, wherein a pn-junction of the diode is formed between two diffused zones, which is caused by diffusion of a Donatoruiid an acceptor impurity in practically opposite directions. The Zener diode can form part of an integrated circuit.
Es sind bereits Halbleiterdioden bekannt, deren Siroin-Spannungslinie von einer Schwellwertspannung ab linear ist. Solche Dioden sind /.. B. Metall-Haibleiterdioden. Diese Dioden ermöglichen eine gute Detektion elektrischer Signale eines niedrigen Niveaus, aber sie lassen sich schwierig in monolithischen integrierten Schaltungen unterbringen. Dioden für monolithische integrierte Schaltungen werden üblicherweise so hergestellt, wie dies z.B. in der GB-PS 10 46 152 beschrieben ist.Semiconductor diodes are already known whose Siroin voltage line is from a threshold voltage ab is linear. Such diodes are / .. B. metal semiconductor diodes. These diodes allow good detection of low level electrical signals, but they do are difficult to accommodate in monolithic integrated circuits. Diodes for monolithic Integrated circuits are usually manufactured in such a way as, for example, in GB-PS 10 46 152 is described.
Ks hat sich gezeigt, daß beim Detektieren elektrischer Signale mittels einer Zenerdiode. die in der Sperrichtung vorgespannt ist, eine lineare Detektion von Spannungssignalen mit einer Amplitude von einigen Millivolt möglich ist.It has been shown that when detecting electrical Signals by means of a zener diode. those in the reverse direction is biased, a linear detection of voltage signals with an amplitude of several Millivolt is possible.
In der Sperrichtung vorgespannte Halbleiterdioden, die durch Legierungen, Diffusion oder epitaktisches Aufwachsen erhalten sind, weisen eine Strom-Spannungskennlinie auf, deren Linearität bedeutend besser ist als die, welche bei Vorspannung in der Vorwärtsrichtung erhalten wird. Bei zunehmender Spannung in der Sperrichtung verringert sich die Linearität. Der Strom nimmt bei zunehmender Spannung stark zu und es tritt Durchschlag auf. Sind die Dioden in einem Kristall niedrigen spezifischen Widerstands ausgebildet, so kann Reverse-biased semiconductor diodes obtained by alloying, diffusion, or epitaxial growth have a current-voltage characteristic whose linearity is significantly better than that obtained when biased in the forward direction. As the voltage in the reverse direction increases, the linearity decreases. The current increases sharply with increasing voltage and breakdown occurs. If the diodes are formed in a crystal of low resistivity, then
der Durchschlag infolge der eigentlichen Zenerwirkung auftreten, wobei das elektrische Feld an Atome gebundene Elektronen von diesen Atomen wegziehen kann, wodurch die Konzentration freier Ladungsträger stark zunimmt und der spezifische Widerstand stark abnimmt. Zenerdurchsehlag tritt nur bei niedrigen Spannungen von maximal etwa 5,5 V auf. The breakdown occurs as a result of the actual Zener effect, whereby the electric field can pull electrons bound to atoms away from these atoms, whereby the concentration of free charge carriers increases sharply and the specific resistance decreases sharply. Zener breakdown occurs only at low voltages of a maximum of about 5.5 V.
Sind die Dioden in einem Kristall höheren spezifischen Widerstandes ausgebildet, so tritt eine höhere Durchschlagspannung auf. Es tritt dabei Durchschlag durch Lawinenwirkung infolge der Ionisierung von Atomen durch mit den Atomen zusammenstoßende, schnelle Elektronen auf. Unter Zenerdioden weiden Dioden verstanden, bei denen der Durchschlag durch Zener- und/oder Lawinenwirkung auftritt. If the diodes are formed in a crystal with a higher specific resistance , a higher breakdown voltage occurs. Breakdown occurs through avalanche effects as a result of the ionization of atoms by fast electrons colliding with the atoms. Zener diodes are understood to mean diodes in which the breakdown occurs through Zener and / or avalanche effects.
*5 Je nachdem die Zenerdioden der Kategorie mit der eigentlichen Zenerwirkung oder mit der Lawinenwirkung zugehören, weisen sie außer einem Unterschied zwischen den Werten ihrer Duchschlagsspannungen auch Unterschiede zwischen Rausch- und Verzerrungs eigenschaften auf.* 5 Depending on the Zener diodes in the category with the actual Zener effect or with the avalanche effect belong, apart from one difference between the values of their breakdown voltages there are also differences between noise and distortion properties.
Wenn in einer Zenerdiode die Zenerwirkung vorherrschend ist, ist die Durchschlagspannung niedrig, das Rauschen schwach und liegt der Arbeitspunkt der Diode in einem verhältnismäßig wenig linearen Teil der Strom-Spannungskcnnlinie. was zu einer leichten Verzerrung Anlaß gibt. Wenn die Lawinenwirkung vorherrscht, ist die Strom-Spannungskennlinie ganz linear, gibt es keine Verzerrung, aber das Rauschen ist erheblich groß. In einem Falle ist sonnt das Rauschen schwach und die Verzerrung verhältnismäßig groß und im anderen Falle gibt es keine Verzerrung, aber das Rauschen ist verhältnismäßig stark.If the Zener effect is predominant in a Zener diode, the breakdown voltage is low, the noise is weak and the operating point of the diode is in a relatively less linear part of the Current-voltage curve. which gives rise to a slight distortion. When the avalanche effect prevails, the current-voltage characteristic is completely linear, there is no distortion, but there is noise considerably large. In one case the noise is sunning weak and the distortion relatively large and in the other case there is no distortion, but that Noise is relatively strong.
Bei bestimmten Schaltungsanordnungen, insbesondere bei integrierten Detektionsscnaltungen. ist es erwünscht, eine Zenerdiode anzuwenden, die in einem Spannungsbercich von etwa 6 bis 8 V mit einem niedrigen Strom von etwa ΙΟΟμΑ wirksam sein kann wobei gewöhnlich ein nicht vernachlässigbarer Rauschpegel und eine verhältnismäßig starke Verzerrung auftreten, da der Arbeitspunkt der Diode in dem nicht linearen Teil der Strom-Spannungskennlinie liegt. Diese bei einer Detektionsschaltung unzulässigen Nachteile sind bereits teilweise dadurch vermieden worden, dai Zenerdioden mit einer Durchschlagspannung vor einigen Volt und einem sehr schwachen Rauschen durcl das in der nicht vorveröffentlichten deutschen Patent anmeldung P 17 64 552.2-33 der Anmelderin beschriebe ne Verfahren der eingangs genannten Art hergestcll worden sind. Dieses Verfahren gründet sich auf di Tatsache, daß die Durchschlagspannung eines pn-Ühei ganges von der Struktur abhängt und daß ei »schroffer« Übergang eine niedrigere Durchschlag! spannung mit sich bringt als ein allmählich verlaufende Übergang. Um eine Zenerdiode mit einer Durchschlag:With certain circuit arrangements, in particular with integrated detection circuits. is it desirable to use a Zener diode, which in a voltage range of about 6 to 8 V with a low current of about ΙΟΟμΑ can be effective usually a non-negligible noise level and a relatively large amount of distortion occur because the operating point of the diode lies in the non-linear part of the current-voltage characteristic. These Disadvantages which are impermissible in the case of a detection circuit have already been partially avoided by the fact that Zener diodes with a breakdown voltage a few volts and a very weak noise durcl that is described in the applicant's unpublished German patent application P 17 64 552.2-33 ne processes of the type mentioned have been produced. This procedure is based on di The fact that the breakdown voltage of a pn voltage depends on the structure and that ei "Steep" transition a lower penetration! tension brings with it as a gradual one Crossing. To get a zener diode with a breakdown:
spannung von einigen Volt und mit einem sei schwachen Rauschen zu erhalten, muß ein ziemlic schroffer Übergang vorgesehen werden, z. B. inde durch Diffusion einer Donator- und einer AkzeptorveA voltage of a few volts and with a weak noise must be obtained quite a bit sharp transition can be provided, e.g. B. inde by diffusion of a donor and an acceptor
unreinigung in einander entgegengesetzten Richtungen z> ei Zonen angebracht werden.impurity in opposite directions z> ei zones can be attached.
Es hat sich gezeigt, daß eine enge Beziehung zwischen der Oberfläche des Überganges und der Linearität der Strom-Spannungskennlinie einer Zendudiode vorliegt. Die Linearität der Kennlinie bei einer bestimmten Stromstärke nimmt bei Verringerung der Oberfläche des Überganges zu. Es läßt sich errechnen, daß aie maximale Oberfläche des Überganges, bei der die Strom-Sperrspannungskennlinie noch linear ist, etwa '° 100 μηι2 beträgt. Es ist jedoch schwierig, Zenerdioden herzustellen, bei denen die Oberfläche des Überganges kleiner als einige 100μιτι2Ϊ5ΐ.. It has been shown that there is a close relationship between the surface of the junction and the linearity of the current-voltage characteristic of a Zendu diode. The linearity of the characteristic curve at a certain current strength increases when the surface of the transition is reduced. It can be calculated that the maximum surface of the junction at which the current-reverse voltage characteristic is still linear is about 100 μm 2 . However, it is difficult to manufacture Zener diodes in which the surface of the transition is smaller than a few 100μιτι 2 Ϊ5ΐ ..
Der Erfindung liegt nun die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zur Herstellung einer Zenerdiode zu schaffen, die sich in einer monolithischen Halbleiterschaltung integrieren läßt und die in dem erwünschten Sperrspannungsbereich mit einem schwächet, Rauschen und einer geringen Verzerrung betrieben werden kann. The invention is now based on the object of creating a method for producing a Zener diode which can be integrated in a monolithic semiconductor circuit and which can be operated in the desired reverse voltage range with weakness, noise and low distortion.
Die Erfindung geht unter anderem von der Erkenntnis aus. daß bei der Herstellung einer Zenerdiode vorteilhaft die Tatsache benutzt werden kann, daß die Durchschlagspannung eines pn-Überganges /wischen zwei Zonen, von denen mindestens eine einen an den Übergang grenzenden Teil mit einem niedrigeren. spezifischen Widerstand als der übrige an den pn-übergang grenzende Teil dieser Zone aufweist, durch den Teil mit niedrigem spezifischem Widerstand bestimmt wird und der Durchschlag bei diesem Teil erfolgt.The invention is based, inter alia, on knowledge. that in the manufacture of a zener diode the fact that the breakdown voltage of a pn junction / wipe two zones, at least one of which is at the Transition bordering part with a lower one. specific resistance than the rest of the The part of this zone bordering the pn junction has, through the part with low specific resistance is determined and the breakdown occurs in this part.
Die Erfindung geht weiterhin von der Erkenntnis aus. daß vorteilhafterweise derjenige Teil eines pn-Überganges benutzt werden kann, der durch Diffusion einer Verunreinigung durch einen Teil der Oberfläche eines Halblcitcrkörpers quer zu dieser Oberfläche erhalten wird, während der zu dieser Oberflache praktisch parallele Teil im wesentlichen nicht verwendet wird.The invention is also based on the knowledge. that advantageously that part of a pn junction can be used that through Diffusion of an impurity through part of the Surface of a half-liter body is obtained transversely to this surface, while the to this Surface practically parallel part is essentially not used.
In Aiiw cndung dieser Erkenntnisse wird die genannte Aufgabe bei einem Verfahren zur Herstellung einer Zenerdiode in einem Halbleiterkörper, wobei ein pn-Übergang der Diode zwischen zwei diffundierten Zonen gebildet wird, die durch Diffusion einer Donator- und einer Akzeptorverunreinigung in praktisch einander enigegengesefzten Richtungen erhalten weiden, erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß die Verunreinigungen in den Halbleiterkörpern durch zwei nahe beieinander liegende Teile einer Oberfläche des Halbleiterkörpers in einander entgegengesetzten Richtungen praktisch parallel zu dieser Oberfläche diffundieren, wobei ein pn-Übergang zwischen den diffundierten Zonen erhalten wird, der annähernd senkrecht zu dieser Oberfläche verläuft. Der Halbleiterkörper, in dem die Diode untergebracht wird, kann n- oder p-leitend sein.In response to these findings, the above-mentioned Object of a method for producing a Zener diode in a semiconductor body, wherein a pn junction of the diode diffused between two Zones is formed by diffusion of a donor and an acceptor impurity into practically one another given to opposing directions, solved according to the invention in that the impurities in the semiconductor bodies by two close adjacent parts of a surface of the semiconductor body in opposite directions Diffuse practically parallel to this surface, with a pn junction between the diffused Zones is obtained, which is approximately perpendicular to this surface. The semiconductor body in which the Diode is housed, can be n- or p-conductive.
Die mit der Erfindung erzielten Vorteile sind u. a. darin zu sehen, daß die Durchschlagspannung und die weiteren Durchschlageigenschaften der Diode durch den pn-Übergang zwischen den zwei diffundierten, aneinander grenzenden und nebeneinander liegenden Zonen und nicht durch einen Übergang /wischen einer dieser Zonen und einem angrenzenden, durch die Diffusion nicht geänderten Teil des Halbleiterkörpers bestimmt werden, da die durch die Duffision erhaltenen Zonen einen niedrigeren, spezifischen Widerstand aufweisen als der angrenzende, nicht geänderte Teil des Halbleiterkörpers. Der erhaltene Übergang zwischen den diffundierten Zonen ist ein schroffer Übergang mit einer Durchschlagspannung von einigen Volt und die gebildete Diode weist einen sehr niedrigen Rauschpegel auf. Die geringe Oberfläche des erhaltenen Überganges zwischen den diffundierten, nebeneinander liegenden Zonen ergibt eine gute Linearität, die an sich eine minimale Verzerrung mit sich bringt. The advantages achieved with the invention include the fact that the breakdown voltage and the further breakdown properties of the diode through the pn junction between the two diffused, adjoining and adjacent zones and not through a transition / wipe between one of these zones and an adjoining one Part of the semiconductor body that has not been changed by the diffusion can be determined, since the zones obtained by the diffusion have a lower specific resistance than the adjacent, unchanged part of the semiconductor body. The transition obtained between the diffused zones is a sharp transition with a breakdown voltage of a few volts and the diode formed has a very low noise level. The small surface area of the transition obtained between the diffused, adjacent zones results in good linearity, which in itself entails minimal distortion.
Die Zenerdiode nach der Erfindung kann in einfacher Weise in einer integrierten Schallung untergebracht werden, da keine einzige zusätzliche Diffusion erforderlich istThe Zener diode according to the invention can easily be accommodated in an integrated circuit as not a single additional diffusion is required
Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen beschrieben. Advantageous further developments of the invention are described in the subclaims.
Mit dem Verfahren nach Anspruch 3 erhält man eine Dicke mit einer Durchschlagspannung von 5 bis 6 Volt und mit dem Verfahren nach Anspruch 4 eine Dicke mit einer Durchschlagsspannung von 6 bis 8 Volt. With the method according to claim 3, a thickness with a breakdown voltage of 5 to 6 volts is obtained, and with the method according to claim 4, a thickness with a breakdown voltage of 6 to 8 volts is obtained.
Die Erfindung wird an Hand der Zeichnung an einigen Ausführungsbeispielen näher erläutert. Es zeigen The invention is explained in more detail with reference to the drawing of some exemplary embodiments. Show it
Fig. 1 perspektivisch irn Scbnni einen Teil einer monolithischen, integrierten Schaltung mit einer Zenerdiode, die durch das Verfuhren naJi der Erfindung hergestellt ist,Fig. 1 is a perspective view of a part of a monolithic, integrated circuit with a Zener diode, which is produced by the method of the invention,
F i g. 2 eine Draufsicht auf die integrierte Schaltung nach Fi g. 1,F i g. Figure 2 is a top view of the integrated circuit according to Fig. 1,
F i g. 3a bis 3d eine Ausführungsform des Verfahrens im Rahmen der Herstellung einer integrierten Schaltung mit einer Zenerdiode und einem Transistor,F i g. 3a to 3d show an embodiment of the method as part of the production of an integrated circuit with a zener diode and a transistor,
Fig. 4a bis 4d eine andere Ausführungsform des Verfahrens irn Rahmen der Herstellung einer integrierten Schaltung mit einer Zenerdiode und einem Transistor.4a to 4d show another embodiment of the Method in the context of the production of an integrated circuit with a Zener diode and a Transistor.
F.s sei bemerkt, daß die unterschiedlichen Figuren die maskierenden und passivierenden Schichten, gewöhnlich Oxydschichten, nicht darstellen: sie weiden auch weiterhin nicht erörtert, da die Verwendung solcher Schichten allgemein bekannt ist.It should be noted that the different figures show the masking and passivating layers, usually Oxide layers, do not represent: they will not be discussed, since the use of such Layers is well known.
In den nachstehend zu beschreibenden Beispielen wird eine Zenerdiode gleich/eilig mit einem npn-Transistor hergestellt, aber selbstverständlich IaIM sich die Diode gleichzeitig mit anderen aktiven oder passiven Schaltungselemente^ /. B. mit einem difluiidierten Widerstand oder einem pnp-Transistor herstellen.In the examples to be described below, a zener diode is equal to / in a row with an npn transistor manufactured, but of course IaIM the diode at the same time with other active or passive Circuit elements ^ /. B. with a difluidized resistor or a pnp transistor.
Die Fig. 1 und 2 zeigen schematisch eine bevorzugte Ausführungsform einer Zenerdiode. Ein Halbleitersubstrat la z.B. des p-Leitfähigkeitstyps tragt eine η-leitende epitaktische Schicht 2, in der die Diode gebildet wird. Da diese Diode einen Teil eines integrierten, monolithischen Halbleiterbauelementes bildet, von dem nur der die Diode enthaltende Teil dargestellt ist. muß die Schicht 2 eine durch Diffusion gebildete Isolierzone \bdes gleichen Leitfähigkeitstvps wie das Substrat \a aber mit einer höheren Verunreinigungskonzentration aufweisen.1 and 2 show schematically a preferred embodiment of a Zener diode. A semiconductor substrate la, for example of the p-conductivity type, carries an η-conductive epitaxial layer 2 in which the diode is formed. Since this diode forms part of an integrated, monolithic semiconductor component, of which only the part containing the diode is shown. the layer 2 must have an insulating zone \ b formed by diffusion of the same conductivity type as the substrate \ a but with a higher impurity concentration.
Von der Oberfläche der Schicht 2 her wird durch Diffusion durch benachbarte Oberflächenteile einerseits eine Zone 3 des dem der Schicht 2 entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps und mit einer an die erwünschte Durchschlagspannung angepaßten Verunreinigungskonzentration und andererseits eine Zone 4 gebildet. deren Leitfähigkeitstyp gleich dem der Schicht 2 ist. aber die eine höhere Verunreinigungskonzentration aufweist.From the surface of the layer 2, on the one hand, diffusion through neighboring surface parts a zone 3 of the conductivity type opposite to that of layer 2 and with one of the desired Breakdown voltage adapted impurity concentration and on the other hand a zone 4 is formed. whose conductivity type is the same as that of layer 2. but which has a higher impurity concentration.
Während der thermischen Behandlungen tritt eine seitliche Diffusion der Verunreinigungen zum Anbringen der Zonen 3 und 4 auf. Die Diffusion erfolgt somit in Richtungen praktisch parallel /ur Oberfläche der epitaktischen Schicht 2, wodurch die Verunreinigungen in Richtung aufeinander /u diffundieren. Es wird dabeiDuring the thermal treatments, lateral diffusion of the impurities for attachment occurs of zones 3 and 4. The diffusion thus takes place in directions practically parallel to the surface of the epitaxial layer 2, whereby the impurities diffuse towards each other / u. It will be there
ein pn-Übergang /zwischen den diffundierten Zonen 3 und 4 gebildet. Der Übergang verläuft praktisch senkrecht zur Oberfläche der epitaktischen Schicht 2 und ist ein schroffer Übergang. Gleichzeitig mit dem Übergang / wird der pn-Übergang /' zwischen der Schicht 2 und der Zone 3 gebildet. Dieser Übergang /' hat eine höhere Durchschlagspannung als der Übergang /. da der spezifische Widerstand der Schicht 2 höher ist als der der Zonen 3 und 4.a pn junction / formed between the diffused zones 3 and 4. The transition is practical perpendicular to the surface of the epitaxial layer 2 and is a sharp transition. Simultaneously with the Junction / the pn junction / 'is formed between layer 2 and zone 3. This transition / ' has a higher breakdown voltage than the junction /. since the resistivity of layer 2 is higher than that of zones 3 and 4.
Um einen klein bemessenen Übergang /und dennoch eine große Oberfläche zum Anbringen der Kontakte 5 und 6 auf den Zonen 3 und 4 zu erhalten, werden T-förmige Zonen 3 und 4 angebracht, die über nur einen kleinen Teil des Umfangs zur Bildung des Überganges / aneinander angrenzen, wie dies in den Fig. 1 und 2 dargestellt ist.Around a small transition / and yet a large surface for attaching the contacts 5 and 6 on zones 3 and 4, T-shaped zones 3 and 4 are attached, over just one small part of the circumference to form the transition / adjoin one another, as shown in FIGS. 1 and 2 is shown.
Die Breite L der aneinander angrenzenden Teile der Zonen 3 und 4 kann kleiner als 10 μΐη gemacht werden, wodurch die Oberfläche des Überganges / nur einige zehn um2 betragen kann.The width L of the adjoining parts of the zones 3 and 4 can be made smaller than 10 μm, whereby the surface of the transition / can be only a few tens of around 2 .
Die F i g. 3a bis 3b veranschaulichen die aufeinander folgenden Stufen der Herstellung eines Teiles einer integrierten, monolithischen Struktur, der mindestens eine Zenerdiode und einen Transistor enthält.The F i g. 3a to 3b illustrate the successive stages in the manufacture of a part of a integrated, monolithic structure containing at least one Zener diode and one transistor.
In einem p-leitenden Siliciumsubstrat 11 werden die p* -leitenden Zonen 12a angebracht, die zum Bilden der Isolierzonen in einer späteren Herstellungsstufe dienen.In a p-type silicon substrate 11, the p * -conducting zones 12a attached, which are used to form the Isolation zones are used in a later manufacturing stage.
Auf dem Substrat 11 wird eine epitaktische n-leitende Siliciiimschicht 13 angebracht. In dieser Schicht 13 werden auch zum Erzielen der Isolierzonen die p^-leitende Oberflä'chenzonen 12£> diffundiert und weiterhin die p + -leitende Zone 14a für die herzustellende Zenerdiode. Darauf wird die p-leitende Zone 15;) zum Bilden der Basiszone eines npn-Typ Transistors diffundiert. Dann werden die n +-leitende Emitterzone 17. die n~-ieitende Zone 16 der Diode und die η "leitende Kontaktzone 18 durch Diffusion angebracht. An epitaxial n-type silicon film layer 13 is applied to the substrate 11. In this layer 13, the p ^ -conducting surface zones 12 £> are also diffused in order to achieve the insulating zones, and furthermore the p + -conducting zone 14a for the Zener diode to be produced. The p-conductive zone 15;) is then diffused to form the base zone of an npn-type transistor. Then the n + -conducting emitter zone 17, the n ~ -conducting zone 16 of the diode and the η "-conducting contact zone 18 are attached by diffusion.
Nach der letzten Diffusionsstufc haben die Zonen 12,7 und 12i> die Isolierzone 12 und die Zonen 14;) und 15,-/ die Zonen 14 und 15 gebildet.After the last diffusion stage, the zones have 12.7 and 12i> the isolation zone 12 and the zones 14;) and 15, - / zones 14 and 15 are formed.
Die Diodenzonen 14 und 16 und die Emitter/one 17. die Basiszone 15 und die Kontaktzone 18 der Kollektorzone des npn-Typ Transistors lassen sich in üblicher Weise mit Anschlußkontakten versehen.The diode zones 14 and 16 and the emitter / one 17. the base zone 15 and the contact zone 18 of the The collector zone of the npn-type transistor can be provided with connection contacts in the usual way.
Da die Diodenzone 14 gleichzeitig mit der Isolierzone 12 und die Diodenzonc 16 gleichzeitig mit der Emitterzone 17 angebracht werden, erfordert die Anbringung der Diode keine gesonderte Diffusionssture. Since the diode zone 14 simultaneously with the isolation zone 12 and the diode zone 16 simultaneously with the Emitter zone 17 are attached, the attachment of the diode does not require a separate diffusion tower.
Die integrierte Halbleitervorrichtung kann mehr und auch andere Schaltungselemente als die dargestellten enthalten; diese Schaltungselemente lassen sich in üblicher Weise miteinander verbinden.The integrated semiconductor device can have more and also different circuit elements than those shown contain; these circuit elements can be connected to one another in the usual way.
Die p-leitende Diodenzone kann auch gleichzeitig mn der Basiszone eines npn-Transislors angebracht werden. Dies wird an Hand der F i g. 4a bis 4d dargestellt.The p-conducting diode zone can also be attached to the base zone of an npn transistor at the same time. This is illustrated in FIG. 4a to 4d are shown.
In das p-lcitende Substrat 21 werden zum Bilden der Isolierzonen 22 die ρ■* -leitenden Oberflä'chenzonen 22. diffundiert. Auf diesem Substrat wird die n-leitcnck epitaktische Schicht 23 angebracht, die mit der diffundierten Oberflächenzonen 220 versehen wird auch um die Isolierzonen 22 zu bilden. Darauf werdet durch Diffusion die p-leitcnde Basiszone 25a, 25. dii η+ -leitende Emitterzone 27 und die η+ leitende Kollek torkontaktzone 28 angebracht.In the p-lite substrate 21 are used to form the Isolation zones 22, the ρ ■ * -conducting surface zones 22. diffused. The n-conductor is on this substrate epitaxial layer 23 attached, which is provided with the diffused surface zone 220 also to form the isolation zones 22. The p-conducting base zone 25a, 25th dii η + -conducting emitter zone 27 and the η + -conducting collector gate contact zone 28 attached.
Gleichzeitig mit der p-leitenden Zone 25a zum Bildet der Basiszone 25 wird die p-leitende Zone 24.7 zu η Bilden der p-leitenden Zone 24 der Zenerdiodi angebracht. Die n+-leitende Zone 26 der Zenerdiodi wird wieder gleichzeitig mit der Emitterzone 27 de Transistors angebracht.Simultaneously with the p-conductive zone 25a for forming the base zone 25, the p-conductive zone 24.7 becomes η Forming the p-type zone 24 of the Zener diodes attached. The n + -conducting zone 26 of the Zener diodes is again attached simultaneously with the emitter zone 27 de transistor.
Es sei bemerkt, daß die Diffusionsbehandlungen nich einzeln beschrieben sind, da solche Behandlungei allgemein bekannt sind.It should be noted that the diffusion treatments are not described individually as such treatments are are well known.
Die Anbringung der Zenerdiode nach dem Verfahre! gemäß der Erfindung in einer integrierten Halbleiter vorrichtung erhöht nicht die Anzahl von Herstellungs stufen und ermöglicht sogar, größere Spannungsberei ehe für die Diode zu erzielen.The attachment of the Zener diode after the move! according to the invention in an integrated semiconductor device does not increase the number of manufacturing stages and even allows greater tension before to achieve for the diode.
Hierzu 3 Blatt ZeichnungenFor this purpose 3 sheets of drawings
Claims (4)
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR156892 | 1968-06-27 | ||
| FR156892 | 1968-06-27 |
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| DE1931201C3 DE1931201C3 (en) | 1977-05-26 |
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Also Published As
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| CH502001A (en) | 1971-01-15 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
| E77 | Valid patent as to the heymanns-index 1977 | ||
| 8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |