DE1900442A1 - Aqueous preparation for the electroless application of copper - Google Patents

Aqueous preparation for the electroless application of copper

Info

Publication number
DE1900442A1
DE1900442A1 DE19691900442 DE1900442A DE1900442A1 DE 1900442 A1 DE1900442 A1 DE 1900442A1 DE 19691900442 DE19691900442 DE 19691900442 DE 1900442 A DE1900442 A DE 1900442A DE 1900442 A1 DE1900442 A1 DE 1900442A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
copper
silicon compound
preparation according
application
amount
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE19691900442
Other languages
German (de)
Other versions
DE1900442B2 (en
Inventor
Dutkewych Oleh Borys
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shipley Co Inc
Original Assignee
Shipley Co Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shipley Co Inc filed Critical Shipley Co Inc
Publication of DE1900442A1 publication Critical patent/DE1900442A1/en
Publication of DE1900442B2 publication Critical patent/DE1900442B2/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/31Coating with metals
    • C23C18/38Coating with copper
    • C23C18/40Coating with copper using reducing agents
    • C23C18/405Formaldehyde

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemically Coating (AREA)

Description

Wässrige Zubereitung zum stromlosen Aufbringen von Kupfer Die Erfindung betrifft die stromlose Aufbringung von Kupfer und bezieht sioh insbesondere auf verbesserte Kupferaufbringungslösungen sowie Aufbringungsmethoden unter Verwendung derselben. Aqueous preparation for the electroless application of copper The invention relates to the electroless application of copper and relates in particular to improved copper deposition solutions as well as deposition methods using the same.

Unter einer stromlosen Aufbringung von Kupfer ist die chemische Aufbringung von Kupfer auf aktiven Oberflächen mittels chemischer Methoden in Abwesenheit eines äusseren elektrischen Stromes ZU verstehen. Derartige Verfahren und Zubereitungen sind bekannt und werden in erheblichem Maße in der Technik eingesetzt. Sie werden werden in einer Vielzahl von Patentschriften beschrieben, beispielsweise in der US-Patentschrift 3.011 920.Under electroless deposition of copper is chemical deposition of copper on active surfaces using chemical methods in the absence of any to understand external electric currents. Such processes and preparations are known and are used to a considerable extent in technology. you will be will described in a variety of patents, such as U.S. Patent 3,011 920.

Bekannte Lösungen zum stromlosen Aufbringen von Kupfer enthalten im allgemeinen 4 Bestandteile, welche in Wasser gelöst sind.Known solutions for the electroless application of copper are contained in the general 4 components, which are dissolved in water.

Diese Bestandteile sind 1. eine Quelle fiir Kupfer(II)-ionen, gewöhnlich Kupfersulfat, 2. ein Reduziermittel, wie beispielsweise Bormaldshyd, 3. ein freies Hydroxyd, im allgemeinen ein Alkalihydroxyd und gewöhnlich Nntriumhydroxyd, wobei dieses Hydroxyd dazu ausreicht, die erforderliche alkalische Lösung zur Verfügung zu steilen, in welcher die Zubereitungen wirksam sind, und 4. ein komplexbildendes Mittel für das Kupfer, welches dazu ausreicht, dessen Ausfällung in der alkalischen Lösung zu verhrndern. Eine Vielzahl von geeigneten komplexbildenden Mitteln ist bekannt. Diese Mittel werden beispielsweise in der oben angegebenen Patentschrift sowie in den US-Patentschriften 2 874 072, 3 075 586, 3 119 709 und 3 075 855 beschrieben. Bekannte Lösungen zum stromlosen Aufbringen des vorstehend erwähnten Typs ergeben gewöhnlich einen Überzug, der, falls er mechanisch dicht und fest ist, etwas brüchig ist, so dass er nur in begrenztem Maße einem Biegen oder thermischen Spannungen ohne Brechen zu widerstchen vermag. Dies ist dann kein erheblicher Nachteil, wenn der stromlos aufgebrachte Überzug eine Dicke in der Grössenordnung von Millionstel Zoll besitzt und mit einem duklilen Elektrolytkupfer übersogen ist. Wird jedoch die ganse gewünschte Dicke, und swar gewöhnlich eine Dicke von 25 - 75 µ (1 - 3 mils) (eine derartige Dicke ist für die Elektrotechnik typisch) durch stromloses Aufbringen erzeugt, dann kann eine begrenzte Duktilisät ein ernst zu nehmender hemmender Faktor sein, Eine Xöglichlceit zur Verbesserung der Duktilität oder der Biegeeigenschaften von auf stromlosem Wege aufgebrachten Kupferüberzügen sügen wird in der US-Patentschrift 3 257 215 beschrieben. Diese Patentschrift lchrt die Verwendung von Cyanid- und Schwefelverbindungen in Aufbringungslösungen. Eine weitere Möglichkeit wird in der US-Patentschrift 5 310 4,0 offenbart. Diese Patentschrift beschreibt die Verwandung von wasserlöslichan Verbindungen von Vansdin, Molybdän, Niob, Wolfram, Ehenium, Arsan, Antimon, Wismuth, seltenen Erden der Aktiniumreihe sowie seltenen Erden der Lanthanreihe. Die vorliegende Erfindung stellt weitere Additive sur Verfugung. welche sur Verbesserung der Duktilität und Festigkeit wirken und gemäss einer bevorsugten Auaführungsform den weiteren Vorteil bieten. das das Ausschen der Übersüge verbessert wird.These components are 1. a source of cupric ions, usually Copper sulphate, 2. a reducing agent, such as boronic acid, 3. a free one Hydroxide, generally an alkali hydroxide and usually sodium hydroxide, where this hydroxide is sufficient to provide the required alkaline solution to steep in which the preparations are effective, and 4. a complex-forming Means for the copper, which is sufficient for its precipitation in the alkaline Solution to change. A variety of suitable complexing agents are available known. These means are for example in the patent specified above and U.S. Patents 2,874,072, 3,075,586, 3,119,709, and 3,075,855. Known solutions for electroless deposition of the type mentioned above result usually a coating which, if mechanically tight and strong, is somewhat brittle is so that it has limited bending or thermal stress able to resist without breaking. This is then not a significant disadvantage, though the electrolessly applied coating has a thickness in the order of magnitude of a millionth Inches and is covered with a thick electrolytic copper. Will however the total desired thickness, and was usually a thickness of 25 - 75 µ (1 - 3 mils) (such a thickness is typical for electrical engineering) by currentless Generates application, then a limited ductility can be a serious inhibitor Be a factor, One way of improving ductility or bending properties of copper coatings applied in an electroless way will suck in U.S. Patent 3,257,215. This patent lacks the use of cyanide and sulfur compounds in application solutions. One more way is disclosed in U.S. Patent 5,310, 4.0. This patent describes the use of water-soluble to compounds of Vansdin, molybdenum, niobium, tungsten, Ehenium, arsan, antimony, bismuth, rare earths of the actinium series and rare Earth the lanthanum row. The present invention provides other additives. which work to improve ductility and strength and according to a preventative Execution form offer the further advantage. which improves the elimination of oversight will.

Die verliegende Erfindung beruht auf der Erkenntnis, dass Lösungen zum stromlossn Aufbringen von Überzügen des vorstchend beschriebenen Typs erhsblich durch die Zugabe einer kleinen, jedoch nicht kritischen Menge einer Silioiunverbindung, wobei man annimmt, dass das Silicium das wirksame Agens ist, verbessert werden. Diese Verbindung wird in einer Menge von wenigstens 1 ppm der Lösung, besogen auf das Gewicht, vorsugsweise in einer Menge swischen ungefähr 25 und 500 ppm, eingesetzt. Je höher die Konzentration des Kupfers in der Lösung ist, desto grösser ist die Menge der Siliciumverbindung, die sur Ersielung des gleichen Verteils erforderlich ist. Eine übermössige Monge der Siliciumverbindung hemmt die Kupferaufbringung.The present invention is based on the knowledge that solutions Available for electroless application of coatings of the type described above by adding a small but not critical amount of a silicone compound, assuming that silicon is the effective agent, can be improved. This compound is absorbed in an amount of at least 1 ppm of the solution the weight, preferably in an amount between about 25 and 500 ppm. The higher the concentration of copper in the solution, the greater it is Amount of silicon compound required to achieve the same distribution is. Excessive amount of silicon compound inhibits copper deposition.

Beispiele für Silioiumverbindungen, die erfindungsgemäss verwendet werden können, sind die substituierten Silanen wie beispielsweise Äthyltriäthoxysilan, Amyltriäthoxysilan, Äthyltrichlorsilen, Amyltrichlorsilan, Vinyltrichlorsilan, Vinyltriäthoxysilan, Phenyltriäthoxysilan oder dergleichen, sowie Polysiloxane siloxane mit niedrigem bis hohem Molekulargewicht, wie beispielsweise Silikonfluids, -gums und -harze, die durch Methyl, Äthyl, Vinyl, Phenyl, chlor, Brom, Methoxy, Hydroxy oder dergleichen substituiert sind.Examples of silicon compounds used in the present invention are the substituted silanes such as Äthyltriäthoxysilan, Amyltriäthoxysilan, Äthyltrichlorsilan, Amyltrichlorosilan, Vinyltrichlorosilan, Vinyltriäthoxysilan, Phenyltriethoxysilane or the like, as well as polysiloxanes siloxanes low to high molecular weight such as silicone fluids, gums and resins by methyl, ethyl, vinyl, phenyl, chlorine, bromine, methoxy, hydroxy or the like are substituted.

Die Polysiloxane sind die am wenigsten löslichen Silioiumverbindungen in basischen Eupferlösungen, sie werden jedoch bevorsaugt, und swar deshalb, da sie am meisten die Duktilität erhöhen und auch das Aussehen durch Erseugung eines feinkörnigeren und reflektierenderen Kupferüberzuge verbessern, Von den Polysiloxanen werden die Silikonfluids am meisten bevorzugt. Die Silane müssen mit Vorsicht gehandhabt werden, da sie mit Wuser, in einigen Fällen heftig, reagieren.The polysiloxanes are the least soluble silicon compounds in basic Eupfer solutions, but they are pre-sucked and therefore swar there they most of all increase the ductility and also the appearance by diffusing a Fine-grain and more reflective copper coatings, from the polysiloxanes the silicone fluids are most preferred. The silanes need to be handled with care as they react with Wuser, violently in some cases.

Der Mechanismus, den die Siliciumverbindung ausübt, ist noch nicht aufgeklärt. man nimmt jedoch an, das Nebenreaktionen in dem Bad unterdrückt werden, die eine Instabilität, eine schlechte Kornstruktur sowie ein Einschliessen von Verunreinigungen, wie beispielsweise Wasserstoff, des Metallüberzugs zur Polge haben. Die Erzielung maximaler Vorteile, welche durch die Zugabe der Silioiumverbindungen erreicht werden kann, hängt von der Qualität sowie der Abstimmung der basischen Kupferlösung ab.The mechanism that the silicon compound exerts is not yet enlightened. it is assumed, however, that side reactions in the bath are suppressed, instability, poor grain structure and inclusion of impurities, such as hydrogen, of the metal coating have to the pole. Achievement maximum advantages, which are achieved by adding the silicon compounds depends on the quality and the coordination of the basic copper solution.

Jedoch bewirkt die Zugabe einer Siliciumverbindung in jedem brauchbaren Bad eine messbare Verbesserung.However, the addition of a silicon compound works in any useful Bad a measurable improvement.

Die Erfindung wird duroh die folgenden Beispiele näher erläutert: Beispiel 1 2 CuSO4.5H2O 10,0 g 10,0 g NaOH 10,0 g 10,0 g HCHO 7,5 g 7,5 g ÄDTE...The invention is illustrated by the following examples: Example 1 2 CuSO4.5H2O 10.0 g 10.0 g NaOH 10.0 g 10.0 g HCHO 7.5 g 7.5 g ÄDTE ...

Beispiel 1 2 lDTE. 4Na 20,0 g 20,0 g Methyldichlorsilan 0 250 ppm Tenperatur, cc 63 63 Zeit, Stunden 6 6 Dicke, 10-3 cm 5,3 3,8 Festigkeit, kg/cm2 0,24 1,05 Duktilität (180°-Biegung) brüchig (Brüche) duktil (keine Brüche) Bei der Durchführung der vorstehenden Beispiele wird die Lösung gerührt, um die Silioiumverbindung wenigstens teilweise in dem Bad dispergiert zu halten. Kupfersulfat ist die Quelle für Kupfer(II)-ionen, während NaOH das gewünschte freie Hydroxyd liefert und HCOH als Roduktionsmittel wirkt. In bekannter Weise können andere geeignete Materialien anstelle der genannten Verbindungen eingesetzt werden. ÄDTE,4Na ist das Tetranatriumsals von Äthylendismintetraessigsäure. Diese Verbindung stellt das komplexbildende Mittel für die Kupfer(II)-ionen dar. so dass sie in der alkalischen Lösung löslich gemacht werden. Andere bekannte komplexbildende Mittel, welohe für diesen Zweck bekannt sind und beispielsweise in den vorstehend erwähnten Patentschriften aufgeführt werden, können ebenfalls eingesetst werden.Example 1 2 lDTE. 4Na 20.0 g 20.0 g methyldichlorosilane 0 250 ppm Temperature, cc 63 63 time, hours 6 6 thickness, 10-3 cm 5.3 3.8 strength, kg / cm2 0.24 1.05 ductility (180 ° bend) brittle (fractures) ductile (no fractures) in the Carrying out the above examples, the solution is stirred to form the silicon compound at least partially dispersed in the bath. Copper sulfate is the source for copper (II) ions, while NaOH provides the desired free hydroxide and HCOH acts as a means of production. In a known manner, other suitable materials can be used be used instead of the compounds mentioned. ÄDTE, 4Na is the tetrasodium as of ethylenedismine tetraacetic acid. This connection provides the complex-forming agent for the copper (II) ions. so that they are made soluble in the alkaline solution will. Other known complexing agents known for this purpose and are listed, for example, in the patent specifications mentioned above, can also be used.

Die Konsontration der vorstchend angegebanen Bestandteile ist nicht kritisch und liegt im allgemeinen innerhalb der Bereiche, wie sie bisher für Lösungen sum stromlosen Aufbringen von Kupfer bekannt waren. Eine ausreichende Kupfermenge muss verwendet werden, um eine geeignete Ablagerung zu erzielen. Werner muss eine ausreichende Alkalimenge vorsehen, um den erforderlichen hohen pH, der is allgemeinen ungefähr 10 - 14 beträgt, einzustellen. Eine ausreichende Menge an Formaldehyd muss verwendet werden.The consolidation of the above-mentioned components is not critical and is generally within the ranges previously used for solutions sum of electroless copper deposition were known. A sufficient amount of copper must be used to achieve a suitable deposit. Werner has to Provide sufficient alkali to maintain the required high pH, which is general is approximately 10-14. Must have a sufficient amount of formaldehyde be used.

werden. Diese Verbindung dient als Reduktionsmittel für das Kupfer in Gegenwart einer katalytischen Oberfläche. Ferner muss eine ausreichende Menge des komplexbildenden Mittels verwendet werden, um ein Ausfällen von Kupfer in der alkalischen Lösung während der Lagerung und Verwendung zu verhindern. Lm allgemeinen liegen die bevorzugten Konzentrationen, in welchen diese Bestandteile eingesetzt werden1 innerhalb der nachstehend angegebenen Grenzen, wobei diese Grenzen jedoch nur beispielhaften Oharakter besitzen; Tabelle 1 Konzentrationen Ou++ 0,02 - 0,12 Mol/1 freies Eydroxyd 0,10 - 1,25 Mol/1 HCHO 2,0 - 20,0 Mol/Mol Cu++ Komplexbildner 1,0 - 8,0 Mol/Mol Cu++ Die Festigkeit wird in der Weise gemessen, dase ein kupferübersug mit einer Grösse von 25 x 152 mm ( 1 x 6 inohes) von dem Substrat entfernt wird, worauf der Überzug mit einem steifen Träger über einer rechtwinkligen Öffnung mit einer Abmessung von 25 x 102 mm ( 1 x 4 inches) verklammert wird. Die Öffnung wird mit einem Kautschukdizphragma bedeckt. Luftdruck wird von zussen gegen das Diaphragma sowie gegen den Kupferüberzug gerichtet, und swar erfolgt eine Steigerung des Luftdruckes schrittweise um 0,03 kg/cm2 (0,5 psi), Jede Stufe wird 1 - 2 Sekunden lang eingehalten, bis ein Brechen erfolgt. ein derartiger Test tst eine Kombination aus Scherwirkung und Spannung und liefert ein Maß für die Duktilität der Probe. Infolge der Schwierigkeit, standardisierte Proben für übliche Meseungen zu erhalten, wird die Duktilität zusätzlich empirisch in der Weise gemessen, dass die die probe um 180° um sich selbst gebogen wird, wobei die Probe an Scheitelpunkt der Biegung gefaltet wird. Kann der Übersug ohne Brechen einmal oder mchrere Male gefaltet werden, dann wird seine Duktilität als auegezeichnet betrachtet. Eine Kombination aus Festigkeit und Duktilität ist normalerweise bei solchen Anwendungsgebieten erforderlich, bei denen es auf einen mechanischen oder thermischen Stress ankommt.will. This compound acts as a reducing agent for the copper in the presence of a catalytic surface. It must also be a sufficient amount of the complexing agent can be used to prevent precipitation of copper in the prevent alkaline solution during storage and use. Lm general are the preferred concentrations in which these ingredients are used be1 within the limits given below, but these limits have only exemplary character; Table 1 Concentrations Ou ++ 0.02-0.12 Mol / 1 free hydroxide 0.10-1.25 mol / 1 HCHO 2.0-20.0 mol / mol Cu ++ complexing agent 1.0-8.0 mol / mol Cu ++ Strength is measured in such a way that there is a copper layer with a size of 25 x 152 mm (1 x 6 inohes) is removed from the substrate, whereupon the cover with a rigid support over a rectangular opening with clamped to a dimension of 25 x 102 mm (1 x 4 inches). The opening will covered with a rubber dizphragma. Air pressure is applied to the diaphragm as well as directed against the copper coating, and there is an increase in air pressure gradually by 0.03 kg / cm2 (0.5 psi), each level is maintained for 1 - 2 seconds, until a break occurs. such a test is a combination of shear and stress and provides a measure of the ductility of the sample. As a result of the difficulty To obtain standardized samples for common measurements, the ductility is added measured empirically in such a way that the the sample around 180 ° itself, folding the specimen at the apex of the bend. If the cover can be folded once or several times without breaking, then it will considered its ductility to be excellent. A combination of strength and Ductility is usually required in those applications where mechanical or thermal stress is important.

Das Beispiel 2 wird wiederholt, wobei verschiedene Silikonfluide eingesetst warden, Dabei werden folgende Ergebnisse erhalten: Beispiel-Er. Silikonfluid Menge (ppm) Duktilität (180°-Biekung) 3 SF-69 150 kein Bruch 4 SF-96 250 " 5 SF-1034 100 " 6 81.1066 250 " 7 8F;1079 50 8 SF-1098 250 " 9 SF-1109 250 " 10 L-76 250 n 11 L-77 250 " 12 L-531 250 " 13 L-540 250 " 14 L-5310 250 " Alle vorstchend angegebenen Materialien sind Polysiloxane mit niedrigem bis mittlerem Molekulargewicht. Die durch die Buchstaben SF charakterisierten Substansen sind von der General Electric Company erhältlich, während die durch den Buchstaben L markierten Substansen von der Union Carbide Company in den Randel gebracht werden. Die Fluids SF-69, 96, 1034 und 1079 sind, wie wie man annimat, Dimsthylpclysilorane. Die Fluids SF-1066, 1098 und 1109 sind wahrscheinlich Copolymere von Dimethylpolysiloxanen und Polyalkylenoxyden. die erhaltenen Materialien sind oberflächenaktive Polysiloxane.Example 2 is repeated using different silicone fluids warden, The following results are obtained: Example-Er. Silicone fluid quantity (ppm) ductility (180 ° bend) 3 SF-69 150 no break 4 SF-96 250 "5 SF-1034 100 "6 81.1066 250" 7 8F; 1079 50 8 SF-1098 250 "9 SF-1109 250" 10 L-76 250 n 11 L-77 250 "12 L-531 250" 13 L-540 250 "14 L-5310 250" All of the above Materials are low to medium molecular weight polysiloxanes. the Substansen characterized by the letters SF are from General Electric Company, while the substances marked by the letter L are available from the Union Carbide Company. The fluids SF-69, 96, 1034 and 1079 are how how to annimat, dimsthylpclysilorane. The fluids SF-1066, 1098 and 1109 are likely copolymers of dimethylpolysiloxanes and polyalkylene oxides. the materials obtained are surface-active polysiloxanes.

Das Beispiel 2 wird wiederholt, wobei andere Siliciumverbindungen eingesetzt werden: Beispiel Silioiumverbindung Beschreibung Menge Duktilität Nr (ppm) (180°-Biegung) 15 Silans A-155 Methyldichlorsilan 250 kein Bruch 16 Silane A-157 Methylvinyldichlor-250 " silan 17 Silane A-173 Bis-trichlorsilyl- 250 " äthan 18 F-1-3514 Silikon/Glykol- 250 " Copolymeres 19 F-1-1049 Silikon/Glykol- 250 " Copolymeres 20 Antifoan-60 Polysiloxan- 250 " Emulsion Die folgenden Beispiele erläutern die Verwendung einer Siliciumverbindung in Kupferlösungen verschiedener Zusammensetsung: Beispiel 21 22 OuSO4.5H2O 10,0 g 10,0 g Weinsäure 15,0 g 15,0 g Paraformaldchyd 7,5 g 7t5 g laCH 7,5 g 7,5 g Silikonfluid Fl-3514 - 150 ppm Temperatur, °C 63 63 Zeit Beispiel 21 22 Zeit, Stunden 6 6 Dicke, 10-3 om 4,8 3,0 Festigkeit, kg/cm2 0,28 0,56 Duktilität (180°-Biegung) Brüche Kein Bruch Durch die Verwendung von Silioiumverbindungen in Bädern sul stromlosen Aufbringen von Kupfer wird die Kornstruktur verbessert und ein Gaseinschluss sowie eine feststellbare Blasenbildung in da Kupferübersug auf ein Minimum herabgesetzt, und swar insbesondere im Falle eines Überzugs, der aus relativ schnell arbeitenden Übersugsbädern erhalten worden ist. Bei einem Übersichen mit einer konstanteren Geschwindigkeit während der Verwandung können beispialswsise bis sn 60 % des ursprünglich vorhandenen Kupfers mit einer Geschwindigkeit aufgebracht werden, die innerhalb 10 - 15 % der Geschwindigkeit liegt, welche ursprünglich mit dem Kupfer in einer 100 %igen Konsentration ersielt worden ist. Die Stabilität der Lösung zum stromlosen Aufbringen wird verbessert, wodurch grössere Temperaturschwankungen sowie Schwankungen der Konsentrationen der aktiven Bestandteile möglich werden. Die Festigkeit und Duktilität der Produkte werden merklich verbessert. Ausserdem wird durch die Verwendung von Polysiloxanen das Aussehen wesentlich verbessert, da die Übersäge feinkörniger sind und eine verbesserte Lichtreflexion aufweisen.Example 2 is repeated using different silicon compounds can be used: Example silicon compound Description Quantity Ductility No. (ppm) (180 ° bend) 15 silane A-155 methyldichlorosilane 250 no break 16 silanes A-157 methylvinyldichloro-250 "silane 17 silanes A-173 bis-trichlorosilyl-250" ethane 18 F-1-3514 silicone / glycol 250 "copolymer 19 F-1-1049 silicone / glycol 250" Copolymer 20 Antifoan-60 Polysiloxane 250 "Emulsion The following examples illustrate the use of a silicon compound in copper solutions of various compositions: Example 21 22 OuSO4.5H2O 10.0 g 10.0 g tartaric acid 15.0 g 15.0 g paraformaldehyde 7.5 g 7t5 g laCH 7.5 g 7.5 g silicone fluid Fl-3514 - 150 ppm temperature, ° C 63 63 Time Example 21 22 time, hours 6 6 thickness, 10-3 om 4.8 3.0 strength, kg / cm2 0.28 0.56 Ductility (180 ° bend) Breaks No break through use of silicon compounds in baths sul electroless application of copper is the Improved grain structure and a gas inclusion and noticeable bubble formation in the case of copper oversugation reduced to a minimum, and especially in the case a coating obtained from relatively fast-acting overspray baths is. In the case of a survey at a more constant speed during the transformation can beispialswsise up to sn 60% of the originally available copper with a Speed can be applied that is within 10-15% of the speed which was originally obtained with the copper in a 100% concentration has been. The stability of the electroless application solution is improved, thereby greater temperature fluctuations as well as fluctuations in the consentrations of the active ingredients become possible. The strength and ductility of the products are noticeably improved. In addition, through the use of polysiloxanes The appearance is significantly improved because the oversaws are finer-grained and an improved one Have light reflection.

Claims (14)

PatentansprücheClaims 1. Wässrige Zubereitung zum stromlosen Anfbringen von Kupfer, enthaltend eine Quelle für Kupfer(II)-ionen, freies Eydroxyd, das dazu ausreicht, den erforderlichen pH einzustellen, ein Reduktionsmittel sur Reduzierung der Kupfer(II)-ionen in Gegenwart einer katalytischen oberfläche und eine ausreichende Menge eines Komplexbildners, um die Kupfer(II)-ionen in der alkalischen Lösung löslich zu mschen, dadurch gekennzeichnet, dass sie eine Siliciumverbindung in einer Menge enthält, die dasu ausreicht, den unter Verwandung des Bades erhaltenen Kupferübermag zu verbessern, wobei die Menge der Silioiumverbindung unterhalb der Menge liegt, die eine Anfbringung verhindert.1. Aqueous preparation for electroless application of copper, containing a source of copper (II) ions, free hydroxide sufficient to provide the necessary Adjust the pH, a reducing agent to reduce the copper (II) ions in the presence a catalytic surface and a sufficient amount of a complexing agent, to make the copper (II) ions soluble in the alkaline solution, characterized in that that it contains a silicon compound in an amount sufficient for the to improve copper overmag obtained using the bath, with the amount of the silicon compound is less than the amount that prevents attachment. 2. Zubereitung nach Auspruch 1, dadurch gekennseichnet, dass die Siliciumverbindung in einer Menge von wenigstens 1 ppm der Lösung vorliegt.2. Preparation according to claim 1, characterized in that the silicon compound is present in an amount of at least 1 ppm of the solution. 3. Zubereitung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Silioiumverbindung in einer Menge zwischen 5 und 2500 ppm der Lösung vorliegt.3. Preparation according to claim 1, characterized in that the silicon compound is present in an amount between 5 and 2500 ppm of the solution. 4. Zubereitung nach Anspruch 1, dadurch gekennseichnet, dass die Silioiumverbindung in einer Mange zwischan 25 und 500 ppm der Lösung vorliegt.4. Preparation according to claim 1, characterized in that the silicon compound is present in an amount between 25 and 500 ppm of the solution. 5. Zubereitung nach Ansprnch 1, dadurch gekennzeichnet, dass sie folgende Zusammensetzung besitst: Ou++...5. Preparation according to Claim 1, characterized in that it has the following Composition owns: Ou ++ ... Ou++ 0,02 - 0,12 Mol/1 freies Hydroxyd 0,10 - 1,25 Mol/1 Reduktionsmittel 2,0 - 20,0 Mol/Mol Cu++ Komplexbildner 1,0 - 8,0 Mol/Mol Ou++ Silioiumverbindung 5 - 2500 ppm der Lösung 6. Zubereitung nach Anspruch 3, dadurch gekennseichnet, dass die Siliciumverbindung zus einem Silikonfluid besteht. Ou ++ 0.02-0.12 mol / 1 free hydroxide 0.10-1.25 mol / 1 reducing agent 2.0-20.0 mol / mol Cu ++ complexing agent 1.0-8.0 mol / mol Ou ++ silicon compound 5 - 2500 ppm of the solution 6. Preparation according to claim 3, characterized in that that the silicon compound consists of a silicon fluid. 7. Zubereitung nach Anspruch 3, dadurch gakannseichnet, dass die Bilioiumverbindung aus einem Polyziloxen besteht.7. Preparation according to claim 3, characterized in that the bilioium compound consists of a polyciloxene. 8, Zubereitung nach Anspruch 7, dadurch gekennseichnet, dass das Polysiloxan aus Dimethylpolysiloxan bestcht.8, preparation according to claim 7, characterized in that the polysiloxane bribed from dimethylpolysiloxane. 9, Zubereitung nach Anspruch 3, dadurch gekennseichnet, dass die Silieiumverbindung ein Copolymeres aus einem Polysiloxan und einen Alkylenoxyd ist.9, preparation according to claim 3, characterized in that the silicon compound is a copolymer of a polysiloxane and an alkylene oxide. 10. Zubereitung mach Anspruch 3, dadurch gekennseichnet, dass die Siliciumverbindung ein substituiertes silan ist.10. Preparation make claim 3, characterized in that the Silicon compound is a substituted silane. 11. Verfahren sum stromlosen Aufbringen von Kupfer, dadurch gekannseichnet, dass ein katalysierten Bubstrat mit der Aufbrizgungssubereitung gemäss Anspruch 1 kontaktiert wird.11. Process sum electroless application of copper, thereby being able to that a catalyzed substrate with the application preparation according to claim 1 is contacted. 12. Verfahren zum stromlossn Aufbringen von Kupfer, dadurch gekennseichnet, dass ein katalysiertes Substrat mit der Aufbringungssubereitung gemäss Anspruch 3 kontaktiert wird.12. Process for the currentlessn application of copper, characterized thereby, that a catalyzed substrate with the application preparation according to claim 3 will be contacted. 13. Verfahren zum stromlossn Aufbringen von Kupfer, dadurch gekennseichnet, dass ein katalysiertes Substrat mit der Aufbringungssubereitung bringungssubereitung gemäss Anspruch 3 kontaktiert wird.13. Method for the currentlessn application of copper, characterized thereby, that a catalyzed substrate with the application preparation delivery preparation is contacted according to claim 3. 14. Gegenstand, gekennzeichnet durch ein Substrat sowie einen aus einer Kupferlösung, die Silicium enthält, auf stronlose Wege aufgebrachten glänsenden und duktilen Überzug.14. Object, characterized by a substrate and one from a copper solution containing silicon, applied in an electricityless way and ductile coating.
DE19691900442 1968-01-05 1969-01-04 Electroless copper plating baths contng an silicon cpd Withdrawn DE1900442B2 (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US69586068A 1968-01-05 1968-01-05

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE1900442A1 true DE1900442A1 (en) 1969-11-20
DE1900442B2 DE1900442B2 (en) 1971-09-09

Family

ID=24794740

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19691900442 Withdrawn DE1900442B2 (en) 1968-01-05 1969-01-04 Electroless copper plating baths contng an silicon cpd

Country Status (7)

Country Link
US (1) US3475186A (en)
BE (1) BE726182A (en)
DE (1) DE1900442B2 (en)
FR (1) FR1599501A (en)
GB (1) GB1195330A (en)
NL (1) NL139095B (en)
SE (1) SE345144B (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0132594A1 (en) * 1983-07-25 1985-02-13 Hitachi, Ltd. Electroless copper plating solution

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3615735A (en) * 1968-08-13 1971-10-26 Shipley Co Electroless copper plating
US3615733A (en) * 1968-08-13 1971-10-26 Shipley Co Electroless copper plating
US3765936A (en) * 1968-08-13 1973-10-16 Shipley Co Electroless copper plate
US3978252A (en) * 1973-03-23 1976-08-31 Macdermid Incorporated Method of improving the adhesion between a molded resin substrate and a metal film deposited thereon
US4167601A (en) * 1976-11-15 1979-09-11 Western Electric Company, Inc. Method of depositing a stress-free electroless copper deposit
US4228213A (en) * 1979-08-13 1980-10-14 Western Electric Company, Inc. Method of depositing a stress-free electroless copper deposit
US4969842A (en) * 1989-11-30 1990-11-13 Amp Incorporated Molded electrical connector having integral spring contact beams
US20090206526A1 (en) * 2008-02-18 2009-08-20 Huntsman Petrochemical Corporation Sintering aids

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3361580A (en) * 1963-06-18 1968-01-02 Day Company Electroless copper plating
GB1089317A (en) * 1965-06-19 1967-11-01 Asahi Dow Ltd An electroless copper plating bath

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0132594A1 (en) * 1983-07-25 1985-02-13 Hitachi, Ltd. Electroless copper plating solution

Also Published As

Publication number Publication date
BE726182A (en) 1969-06-27
SE345144B (en) 1972-05-15
NL6900088A (en) 1969-07-08
US3475186A (en) 1969-10-28
NL139095B (en) 1973-06-15
GB1195330A (en) 1970-06-17
DE1900442B2 (en) 1971-09-09
FR1599501A (en) 1970-07-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE19625853B4 (en) An accelerator mix for a sprayable cement containing composition and method for spraying a cement containing composition
DE2166963A1 (en) SILICONE RUBBER COMPOSITION FOR THE FORMATION OF AN EAR PLUG
DE1900442A1 (en) Aqueous preparation for the electroless application of copper
KR950011335A (en) Palladium acetylacetone salt solution and its manufacturing method
DE1966198C3 (en) Aqueous bath for the chemical deposition of ductile copper coatings
DE69910038T2 (en) CORROSION INHIBITOR FOR CEMENT MIXTURES
DE3789569T2 (en) Cement composition and process for its manufacture.
DE69011471T2 (en) Storable, gel-forming one-component fluorosiloxane compositions with improved heat stability.
DE68902551T2 (en) CURRENT COPPER PLATING SOLUTION.
DE68905767T2 (en) POLYAMPHOLYT POLYMERS AND METHOD FOR USE THEREOF AT HIGH TEMPERATURES.
DE2609917A1 (en) GALVANIC ACID ZINC BATH
EP0000892B1 (en) Organopolysiloxane compositions with microbicidal activity that can be stored in the absence of water
CH439724A (en) Process for the preparation of aqueous emulsions containing alkyl hydrogen polysiloxanes
DE2124331A1 (en) Aqueous solution for the electroless deposition of copper
DE2136745A1 (en) STABILIZATION OF AQUATIC SOLUTIONS PREPARED FROM WATER-SOLUBLE, HYDROLYZABLE METHYLSILANES
DE2750932C3 (en) Cyanide-free bath for electroless gold plating and its use
DE2646881C3 (en) Process for the galvanic deposition of a dispersion layer
DE2346616A1 (en) BATH FOR ELECTRONIC DEPOSITION OF DUCTILE COPPER
DE1900442C (en) Alkaline bath for electroless reductive copper plating of catalytically active surfaces
DE878689C (en) Putty and sealant
DE3544189A1 (en) CEMENT COMPOSITION
DE2650389A1 (en) BATHROOM FOR CHEMICAL NICKEL DEPOSITION
DE1302628C2 (en) METHOD FOR PREVENTING SWIMMING SKIN FORMATION WHEN DIVING LATEX GLOVES
DE1494867B2 (en) SIZING GLASS OR QUARTZ FIBER
DE1621502B2 (en) MEANS AND METHOD OF BLACKENING IRON OBJECTS

Legal Events

Date Code Title Description
SH Request for examination between 03.10.1968 and 22.04.1971
E77 Valid patent as to the heymanns-index 1977
EHJ Ceased/non-payment of the annual fee