DE1887388U - DEVICE FOR TREATMENT OF DISC-SHAPED SEMICONDUCTOR BODIES. - Google Patents
DEVICE FOR TREATMENT OF DISC-SHAPED SEMICONDUCTOR BODIES.Info
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Description
Vorrichtung zum Behandeln von scheibenförmigen HalbleiterkörpernDevice for treating disk-shaped semiconductor bodies
Die Feuerung betrifft eine Vorrichtung zum Behandeln von scheibenförmigen Halbleiterkörpern. Feuerungsgemäß besteht sie aus einem Rohr mit einem der Flächenform der Halbleiterkörper angepaßten, die Halbleiterkörper umschließenden Querschnitt, das parallel zur Rohrachse verlaufende Schlitze in der Rohrwand zur Aufnahme von Abstandshaltern aufweist.The furnace relates to a device for treating disk-shaped semiconductor bodies. According to the fire, it consists of one Tube with one of the surface shape of the semiconductor body adapted, the semiconductor body enclosing cross section, which is parallel to Having slots in the pipe wall extending through the pipe axis for receiving spacers.
In der Halbleitertechnik werden häufig scheibenförmige Halbleiterkörper in verschiedener Weise Verfahrensvorgängen unterworfen, bei denen es erwünscht ist, eine größere Anzahl derartiger Halbleiterkörper gleichzeitig zu behandeln. Pur derartige Behandlungsvorgänge dient die neuerungsgemäße Vorrichtung.Disc-shaped semiconductor bodies are often used in semiconductor technology Subjected in various ways process operations in which it is desired, a larger number of such semiconductor bodies treat at the same time. Purely such treatment processes the device according to the innovation is used.
— 1 —- 1 -
Si/KüpSi / Küp
PLA 63/1331PLA 63/1331
In der Zeichnung ist in den Figuren 1 und 2 eine derartige Vorrichtung im Grund- und Aufriß dargestellt. Ein beispielsweise aus Quarz bestehendes·Rohr 2 ist mit Schlitzen 3 versehen, in welche Abstandshalter eingelegt werden können. Derartige Abstandshalter können beispielsweise die Form eines Fadens haben, welcher' so dick ist, daß seine Dicke dem geforderten Abstand entspricht. Innerhalb des Rohres 2 kann am unteren Ende ein weiteres Rohrstück oder auch Vollstück eingesetzt sein, welches als Boden der Vorrichtung dient. Andererseits kann in das untere 'Ende des Rohres auch ein Stück Silizium oder anderes Halbleitermaterial passender Größe und Form eingesetzt sein. In Figur 2 ist ein derartiges Siliziumstück 4 dargestellt, dessen Querschnitt den Innenmaßen des Rohres 2 entspricht. Auf dieses Siliziumstück 4 werden zwei Q.uarzfäden 5 aufgelegt, welche in entsprechende Schlitze des Rohres 2 eingelegt werden. Auf die Fäden 5 wird eine Halbleiterscheibe, beispielsweise eine Germanium- oder Siliziumscheibe 6 aufgelegt, und auf diese Scheibe wiederum neue Fäden 5 und darauf eine neue Scheibe 6 usf. " -Such a device is shown in FIGS. 1 and 2 of the drawing shown in plan and elevation. A tube 2 made of quartz, for example, is provided with slots 3, in which spacers can be inserted. Such spacers can, for example, have the shape of a thread, which ' is so thick that its thickness corresponds to the required distance. Inside the tube 2 can be another piece of pipe at the lower end or full piece can be used, which as the bottom of the device serves. On the other hand, a piece of silicon or other semiconductor material can also fit into the lower end of the tube Size and shape to be used. In Figure 2, such a silicon piece 4 is shown, the cross-section of the internal dimensions of the pipe 2 corresponds. On this piece of silicon 4 are two Q.uarzfäden 5 placed, which in corresponding slots of the Tube 2 are inserted. A semiconductor wafer is placed on the threads 5, For example, a germanium or silicon wafer 6 is placed, and on this wafer again new threads 5 and on top a new disk 6 etc. "-
In einer derartigen Vorrichtung können nun die .Halbleiterscheiben beispielsweise in einen Ofen eingesetzt und einem Diffusionsprozess, Oxydationsprozess o.dgl. unterworfen werden. Die Halbleiterscheiben haben voneinander einen Abstand, welcher das Ein-, dringen der gewünschten Behandlungsgase ermöglicht, so daß die Scheiben von allen Seiten der erforderlichen Atmosphäre ausgesetzt sind. Die Halbleiterscheiben können beispielsweise einen Durchmesser von 10 bis 30 mm aufweisen und eine Dicke von z.B. 50 bisIn such a device, the semiconductor wafers for example used in an oven and a diffusion process, oxidation process or the like. be subjected. The semiconductor wafers have a distance from each other, which allows the penetration of the desired treatment gases, so that the Panes exposed to the required atmosphere on all sides are. The semiconductor wafers can, for example, have a diameter of 10 to 30 mm and a thickness of e.g. 50 to
2 - Si/Küp2 - Si / Küp
PLA 63/1331PLA 63/1331
500μ. Die !P ad en 5, welche im gewählten Beispiel aus Quarz bestehen, können aus einer Quarzschmelze sehr fein ausgezogen werden, so daß Abstände in der G-rößenordnung von Millimetern bis hinunter zu Abständen von etwa 4μ zwischen den einzelnen Halbleiterscheiben eingestellt werden können.500μ. The! P ad en 5, which in the selected example consist of quartz, can be extracted very finely from a quartz melt, so that Distances in the order of magnitude of millimeters down to distances of around 4μ between the individual semiconductor wafers can be adjusted.
Man kann abwechselnd Halbleiterscheiben entgegengesetzten Leitfähigkeit styps aufeinander stapeln und dann in einer geeigneten Atmosphäre einen Transport von Halbleitermaterial von einer Scheibe zur anderen bewirken. Beispielsweise können Siliziumscheiben in einer Atmosphäre, welche aus SiCl. und Wasserstoff besteht, behandelt werden, wobei ein Temperaturgradient vom einen zum anderen Ende des Stapels aus Halbleiterscheiben erzeugt werden muß. Beispielsweise kann das untere Ende des Stapels auf einer Temperatur von etwa 11000C und das obere Ende auf einer Temperatur von etwa 11500C gehalten werden. Infolge des TemperaturSprunges von einer Scheibe zur anderen wird Halbleitermaterial von einer Scheibe zur · anderen über die gasförmige Phase transportiert (Transportreaktion).You can alternately stack semiconductor wafers of opposite conductivity types on top of one another and then bring about a transport of semiconductor material from one wafer to another in a suitable atmosphere. For example, silicon wafers in an atmosphere which consists of SiCl. and hydrogen, are treated, wherein a temperature gradient must be generated from one end of the stack of semiconductor wafers to the other. For example, the lower end of the stack can be kept at a temperature of approximately 1100 ° C. and the upper end at a temperature of approximately 1150 ° C. As a result of the temperature jump from one pane to another, semiconductor material is transported from one pane to the other via the gaseous phase (transport reaction).
Selbstverständlich sind auch andere Behandlungen mit der neuerungsgemäßen Vorrichtung durchzuführen. So können beispielsweise Halbleiterscheiben in einer derartigen Vorrichtung geätzt oder gereinigt werden, wenn die Vorrichtung aus einem Material hergestellt ist, das den Ätz- bzw. Reinigungsflüssigkeiten widersteht. Besonders geeignet sind bestimmte Kunststoffe wie Polyäthylen, Polytetrafluoräthylen, Polytrifluorethylen u.dgl. So ist beispielsweise Polytetrafluoräthylen gegen die in der Halbleitertechnik verwendetenOf course, other treatments with the innovation according to the invention are also possible Perform device. For example, semiconductor wafers can be etched or cleaned in such a device when the device is made of a material that withstands the caustic and cleaning fluids. Particularly certain plastics such as polyethylene, polytetrafluoroethylene, Polytrifluoroethylene and the like, for example, polytetrafluoroethylene is against those used in semiconductor technology
- 3 - Si/Küp- 3 - Si / Küp
PLA 63/1331PLA 63/1331
Ätzmittel, wie Flußsäure, Salpetersäure u.dgl., beständig. Die als Abstandshalter verwendeten Fäden müssen dann ebenfalls aus . beständigem Material bestehen.Etchants such as hydrofluoric acid, nitric acid and the like are resistant. The threads used as spacers must then also be made. consist of resistant material.
Der besondere Vorteil der neuerungsgemäßen Vorrichtung ist darin zu sehen, daß sie sich aus leicht erhältlichem, vorgefertigten . Material in äußerst einfacher Weise herstellen läßt, z.B.-indem in einen rohrförmigen Körper aus Quarz, Kunststoff usw. lediglich zwei Schlitze eingesägt werden. Selbstverständlich kann auch eine andere Zahl von Schlitzen vorgesehen sein. Dies ist insbesondere dann der Fall, wenn die Querschnittsform des Rohres eine andere als die Kreisform ist. So können beispielsweise für die Behandlung von rechteckigen Halbleiterscheiben Vorrichtungen aus Rohren mit einem kastenförmigen Profil hergestellt werden. Die Breite der Schlitze hangt von den verwendeten Abstandshaltern ab und kann z.B. 1/2 bis mehrere Millimeter betragen.The particular advantage of the device according to the invention is to be seen in the fact that it is made up of readily available, prefabricated. Material can be produced in an extremely simple manner, e.g. by simply inserting into a tubular body made of quartz, plastic, etc. two slots can be sawed in. Of course, a different number of slots can also be provided. This is particular then the case when the cross-sectional shape of the pipe is other than the circular shape. For example, for treatment of rectangular semiconductor wafers devices made of tubes can be made with a box-shaped profile. The width of the slots depends on the spacers used and can e.g. 1/2 to several millimeters.
4 Schutzansprüche
2 Figuren4 claims for protection
2 figures
- 4 - ' :: Si/Küp- 4 - ' :: Si / Küp
Claims (4)
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE1963S0045099 DE1887388U (en) | 1963-05-25 | 1963-05-25 | DEVICE FOR TREATMENT OF DISC-SHAPED SEMICONDUCTOR BODIES. |
| CH50564A CH407336A (en) | 1963-05-25 | 1964-01-17 | Device for treating disk-shaped semiconductor bodies |
| GB2112364A GB1023788A (en) | 1963-05-25 | 1964-05-21 | The treatment of semi-conductor bodies |
| BE648277A BE648277A (en) | 1963-05-25 | 1964-05-22 | |
| FR975526A FR1431675A (en) | 1963-05-25 | 1964-05-22 | Device for the treatment of semiconductor bodies in the form of pellets |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE1963S0045099 DE1887388U (en) | 1963-05-25 | 1963-05-25 | DEVICE FOR TREATMENT OF DISC-SHAPED SEMICONDUCTOR BODIES. |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE1887388U true DE1887388U (en) | 1964-02-13 |
Family
ID=33182124
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE1963S0045099 Expired DE1887388U (en) | 1963-05-25 | 1963-05-25 | DEVICE FOR TREATMENT OF DISC-SHAPED SEMICONDUCTOR BODIES. |
Country Status (5)
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|---|---|
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| FR (1) | FR1431675A (en) |
| GB (1) | GB1023788A (en) |
-
1963
- 1963-05-25 DE DE1963S0045099 patent/DE1887388U/en not_active Expired
-
1964
- 1964-01-17 CH CH50564A patent/CH407336A/en unknown
- 1964-05-21 GB GB2112364A patent/GB1023788A/en not_active Expired
- 1964-05-22 FR FR975526A patent/FR1431675A/en not_active Expired
- 1964-05-22 BE BE648277A patent/BE648277A/xx unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| BE648277A (en) | 1964-11-23 |
| GB1023788A (en) | 1966-03-23 |
| CH407336A (en) | 1966-02-15 |
| FR1431675A (en) | 1966-03-18 |
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