DE1539871A1 - Silizium-Planartransistor - Google Patents

Silizium-Planartransistor

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DE1539871A1
DE1539871A1 DE19661539871 DE1539871A DE1539871A1 DE 1539871 A1 DE1539871 A1 DE 1539871A1 DE 19661539871 DE19661539871 DE 19661539871 DE 1539871 A DE1539871 A DE 1539871A DE 1539871 A1 DE1539871 A1 DE 1539871A1
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DE
Germany
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diagonals
square
sufficient
diagonal
contacting
Prior art date
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Pending
Application number
DE19661539871
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English (en)
Inventor
Adam Dipl-Phys Dr Frit Guenter
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TDK Micronas GmbH
Original Assignee
Deutsche ITT Industries GmbH
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Filing date
Publication date
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Pending legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/70—Bipolar devices
    • H01L29/72—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
    • H01L29/73—Bipolar junction transistors

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Confectionery (AREA)

Description

  • Silizium-Planartransistor.
    Die vorliegende Erfindung betrifft einen Silizium-Planartran-
    sistor, insbesondere zum Schalten von Strömen zwischen 5 und
    10 A, mit einer Kammstruktur der Emitterzone und der mit Zu-
    leitungen kontaktierten Elektroden an der Basis- und Emitter-
    zone in einem plattenförmigen Halbleiterkörper rechteckiger
    oder vorzugsweise quadratischer Grundfläche von etwa 2 x 2 mm.
    Silaziuin-Planartransistoren mit Kammstrukt-b.4ren der Emitterzone
    und der Elektroden sind allgemein bekannt. Die bekannten Strult-
    turen weisen je ira oh dem Anwe;@idungszweclc stark: unterschiedliche
    Geometrien auf. Neben dem beabsichtigten Verwendungszweck sind
    bei dein Entwurf der Geometrie noch Gesichtspunkte bezüglich der
    Rentabil:itd.t in der Produktion zu beachten, In diesem Zusammen-
    hanf; spielt der Gesichtspunkt einer möglichst guten Ausnutzun"
    des Halbleitermaterials eine Rolle. Aus diesen Grunde werden
    rechteckige Halbleiterplättchen verwendet und Geo:netrien ange-
    strebt, die die rechteckige Fläche des Halbleiter=plättchens inöt;-
    lichst: gut ausnutzen.
    L@:@;.aiirz@l, daß dier.@itt@rra.tutl.@i.nat: ma3@eben i 10 1- für die
    Ez -ist
    Lage des Maximum:, in der @tr#o;nsf.l.lrkeabh'aiigl:eii üüx° S bromver-
    stärlcung. Es ist daher die Aufgabenstellung der vorliegenden
    Erfindung, eine optimale Geometrie für einen sl:LlJ.zlw;i-Planar-
    tranaistor- für den obengenannten Verwendungszweck anzugeben.
    die- Emitt®rzone aus zwei durch d5.a o° ine p11a5enalö oln-ees Reih t-
    Qu.5dG: tten mit, n #31nji.a Sien L n`t.E @ma@.FP£:,. dor
    anderen Diagonalen Cn:@@.°ir@@?`r:,n
    Diagonalen sich @@xaü.':äa:@ti@ Jai'Eää:4s@.,@ü@s`sv.,@;__ '="-zr Diagonalen
    eine zur d#Mntak9/IGdro un. enf667 teli49
    auf der anderen Diagfxdnalen an dendYÖG 6NZA ®
    Quadrats zwei zur de,-- Ecken entstehen
    der FAUtterzorte mindestens
    0 mm, woraus sich die erforderliche
    Btr5Aktu# ergeben.
    Die Figur zeigt eine be:vGrzugtA,@.@st.3f@deSiliziurt-
    y@@ @ g_ o
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    Abekannter ![@o,@g, ,3iY1 3a,bl v
    n Weise :` C.SSH
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    werden Innerhalb Seines'` 1,1 %in :le' rp.°@@'.la
    zonse zwe'%.@''3i-.@@@'°
    diffundiert. Dis ei'@ c der ara dl," '' m`'°ä 1. ',:@"3,
    Übergang 18t in der Pigus mit 6 äezeiellLne t e Die beiden Tvllzon-en
    1 der Z-?J G' ,Gerzene sind sy.,iim--trisA-h zu. der eino'a DiaN7,orl#7--r ) des
    Z.uadea#Gö!#tw@J.@@"@@v.''h £ ortütze 's@.'-nC'er
    KamMatmtktur@ dil e Glüh der anderen Dia ,ozäalr, c
    des Quadrates erstreaken" Wie aua der Zeichnung er_gioh lieh ,
    größert sich der Abstand Uar Fortsütze von, der Diagonalen 3 von
    deren Eckprünk'ten bito in d@.:p=xa des Schnittpunktes 4 der
    Diagonalen. Dieser Absteand wIrd in der Nähe des,
    derart13 bemessene da3 dort :-a#.e"ade eine zur 1,®ntaaktiertar."r de@`
    Basiazone ausreichende l äohe 3atsteht ® Diese erfolgt auf
    Banisel ektrzde" 314? äLe bel'l laweine aus einer aufgedampften .
    A1iniaiektrc#`?.a b39teht a deren randumit 8 bezeichnet 13t"
    In gleicher Weise werden die beiden Teilzonen des Enitters in der Ntüie der Eckpunkte auf zwei Emitterelektroden innerhalb der Berandurgen 7 auf der Diagonalen 2 bei 5 kontaktiert. Die Geometrien der beiden Tellzonen sind auch hier derartig bemessen, daß bei 15 je eine zur Kontaktierung der Teilzonen ausreichende Fläche entsteht. Die Kontaktierungsfläehen bei 4 und 5 wurden bei den Ausführungsmustern derartig dimensioniert, daß Golddrähte von 125 /u Durchmesser durch Thermokompression ihre nagelkopfartigen Enden unter eines ausreichenden Zicherheitsabstandes dort befestigt werden konnten.
    i?ic Geometrie des Siliziuri-PI:rn-irtransistors nach der Erfindung
    ist; besonders optimal ausgelegt für die Anwendung zum Gehalten
    von Strömen zwischen 5 und 10 tt, je nach I:Uhluni,. Z: er,--ab sich,
    da2 zu diesem Zweck zwei Anschlilsse an der E.mitterzone und ein
    Anschlug an der Ixasiszone ausreichend ist, wa- 2ich auch zu!.-.
    Zwecke ei-:or af@-I@eis@unL;sverst;tir::un f-tinstikl aus,qirkt, da parallel-
    7
    ;~c@^c@hal ; cst.c Zule:: tuT:-er- f;ejnürei# nur eJner? ei tjaz,, Eine !#@ar-
    @iinic,,;.f
    Die cicot..etric 4e.:. -iliziurt.-1 lanartran: i ^tors liac°: der i:r1'it:#.itznt;
    hat den Vorteil L3::c.;@7.'l."C'Iir@@aiG'ti zu dE.t Teil-
    c::ijtterri. Gegeriülrer euer noch größeren Anzahl von Anschlüssen
    hat die Deschräzikuri ; auf zwei Fif:itter-#0tror:zui'ülirungsdräiite den
    Vorteil der r;ircaüt:f tiieüi:cit bei dtr@ aest:::.@f:ensiven Fertirunre-
    schritt; de", i@ontaktierung.
    i: je £asiafliicire ues Leschriecetien rsiisftl@irun-sbazspiels beträgt
    V X G nLri
    Der @lariarti@äriss: tor nach dc--@ @:rf`ind=,zr: ; ist unter andere!:. zur An-
    wendung als ii:@r@.@o:italrcbler:k@rans::-taz= i:: i,ernse:ierrpL'ängern ge-
    eignet, der pra@::.irs.:ii als Sciial.er iir hohe @tr@:r:e arbeitet.

Claims (1)

  1. F a t e n t a n 4 p r U o h e 1. Silizium-Planartraneistor, insbesondere zum Schalten von Strömen zwischen 5 und 10 A, mit einer Kammstruktur der Eritterzone und der mit Zuleitungen kontaktierten Elek- troden an der Basis- und der Emitterzone in einem plsttenföxeigen Halbleiterkörper rechteckiger oder vorzugsweise quadratischer Grundfläche von etwa 2 x 2 mm2, dadurch gekennzeichnet, daß die Emitterzone aus zrni durch die eine Diagonale (3) des Rechtecks oder Quadrats getrennten Teilzonen (1) besteht, welche mit fingerartigen Fortsktsen (g), aus einer Kammstruktur sich in Richtung der anderen Diagona- le (2) erstrecken und von den Eckpunkten der einen Diagonalen (3) sieh derartig nähern, das am Schnittpunkt (4) der Diagonalen eine zur Kontaktierung der laesszone ausreichende P11Lohe entsteht und Gut der anderen Diagonalen (2) an den Buken des Rechtecks bzw. Quadrats zwei zur Kontaktierung der Teilzonen ausreichende Eckflächen (5) entstehen. z. Bilisium-Planarträneistor nach Anspruch 1, dadurch gekenn- zeichnet, dad die Pandlänge der Beittersone mindestens 30 rr beträgt.
DE19661539871 1966-09-26 1966-09-26 Silizium-Planartransistor Pending DE1539871A1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DED0051172 1966-09-26

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DE1539871A1 true DE1539871A1 (de) 1970-02-12

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ID=7053198

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Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19661539871 Pending DE1539871A1 (de) 1966-09-26 1966-09-26 Silizium-Planartransistor

Country Status (1)

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DE (1) DE1539871A1 (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2822166A1 (de) * 1977-05-25 1978-11-30 Philips Nv Halbleiteranordnung

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2822166A1 (de) * 1977-05-25 1978-11-30 Philips Nv Halbleiteranordnung

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