DE1521692A1

DE1521692A1 - Etching process

Info

Publication number: DE1521692A1
Application number: DE19661521692
Authority: DE
Inventors: Horst Riess
Original assignee: BBC Brown Boveri France SA
Current assignee: BBC Brown Boveri France SA
Priority date: 1966-09-09
Filing date: 1966-09-09
Publication date: 1969-10-02
Also published as: CH495433A; GB1176673A; FR1567049A

Description

BROWN, BOVERI & CIE AG Mannheim, den 2.9.1966 MANNHEIM I Pat DrSb-ec. BROWN, BOVERI & CIE AG Mannheim, September 2, 1966 MANNHEIM I Pat DrSb-ec.

ÄtzverfahrenEtching process

Mit bekannten Verfahren ist eine gleichmäßige und ebene Ätzung von Halbleiteroberflächen nicht möglich. Dies ist aber für manche Pälle erforderlich.With known methods, a uniform and even etching of semiconductor surfaces is not possible. This is but required for some palls.

Die Erfindung bezieht sich demzufolge auf ein Verfahren zur gleichmäßigen und ebenen Ätzung von Halbleiteroberflächen, Das erfindungsgemäße Verfahren ist dadurch gekennzeichnet, daß der zu ätzende Körper in der Ätzlösung gerollt wird. Als Ätzlösung können solche verwendet werden, die in der Halbleitertechnik an sich bekannt sind,. Als erfindungsgemäße Vorrichtung zur Durchführung des beanspruchten Ätzverfahrens wird ein um eine schräggestellte Hauptachse drehbarer Ätzbehälter verwendet.The invention therefore relates to a method for uniform and even etching of semiconductor surfaces, The method according to the invention is characterized in that that the body to be etched is rolled in the etching solution. As an etching solution, those used in semiconductor technology can be used are known per se. As a device according to the invention To carry out the claimed etching process, an etching container that can be rotated about an inclined main axis is used used.

Es hat sich als vorteilhaft erwiesen, die bei der Ätzung an dem zu ätzenden Körper auftretenden Ätzblasen zu beseitigen. Dazu werden an der Innenseite des Ätzbehälters senkrechte Stäbe angebracht. Zum Beseitigen der Ätzblasen können aber auch an sich bekannte Mittel angewendet werden.It has proven to be advantageous in the etching on the to remove any caustic bubbles that may appear to be corrosive. For this purpose, vertical rods are attached to the inside of the etching container. However, means known per se can also be used to remove the etching bubbles.

Nachfolgend wird auf die Zeichnung Bezug genommen, in der Ausführungsbeispiele dargestellt sind.Reference is made below to the drawing, in the exemplary embodiments are shown.

Es zeigen::Show it::

Pig. 1 einen Halbleiterkörper,bei dem ein Teil der Oberfläche durch das erfindungsgemäße Verfahren abgeätzt wurde;Pig. 1 a semiconductor body in which part of the surface has been etched off by the method according to the invention;

Pig, 2 einen Halbleiterkörper, bei dem eine Doppelmesaätzung mit dem erfindungsgemäßen Verfahren ausgeführtPig, 2 shows a semiconductor body in which a double measuring etch is carried out using the method according to the invention

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Pig, 3 eine Vorrichtung zur Ausführung des erfindungsgemäßenPig, 3 an apparatus for carrying out the invention

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Verfahrens«Procedure «

Pig. 1 zeigt einen Halbleiterkörper 1 mit 4 Schichten abwechselnden leitfähigkeitstyps. Vor der Ätzung werden die Oberflächenteile des Halbleiterkörper 1, die nicht abgeätzt werden sollen, mit einer ätzbeständigen Schutzschicht 2, im vorliegenden Falle mit Pizein abgedeckt. ,Der nicht abgedeckte Teil der Halbleiteroberfläche hatte vor der Ätzung die durch die schraffierten linien angegebene Form. Während der Ätzung wurde der Teil 3 des Halbleiterkörpers 1 abgeätzt und es entstand die neue Oberfläche 4.Pig. 1 shows a semiconductor body 1 with 4 alternating layers conductivity type. Before the etching, the Surface parts of the semiconductor body 1 that are not to be etched away with an etch-resistant protective layer 2, in the present case covered with pizzas. , The uncovered part of the semiconductor surface had the through before the etching the hatched lines indicate the shape. During the etching, the part 3 of the semiconductor body 1 was etched off and it the new surface 4 was created.

In Fig. 2 ist der Halbleiterkörper Io gleichfalls an den zu schützenden Teilen seiner Oberfläche mit einer Schicht 2 bedeckt. Durch Anwendung des erfindungsgemäßen Verfahrens entsteht unter Wegätzen des mit schraffierten linien begrenzten Bereiches 3 ein Doppelmesaprofil. Pur die Herstellung eines solchen Profils ist das erfindungsgemäße Verfahren von besonderem Vorteil, da wegen der Sprödigkeit der verwendeten Halbleitermaterialien (Germanium, Silizium, Ill/V-Verbindungen) eine mechanische Herstellung eines solchen Profiles nicht möglich ist und mit den bekannten Ätzverfahren ebene Ätzungen nicht ausführbar sind.In Fig. 2, the semiconductor body Io is also at the protective parts of its surface covered with a layer 2. Applying the method according to the invention arises while etching away the area 3 delimited by hatched lines, a double mesa profile. Purely the production of one Such a profile, the inventive method is of particular advantage because of the brittleness of the used Semiconductor materials (germanium, silicon, III / V compounds) a mechanical production of such a profile is not possible and with the known etching processes flat etchings are not executable.

In Pig. 3 ist eine Vorrichtung zur Durchführung des erfindungsgemäßen Ätzverfahrens abgebildet. 6 bezeichnet einen Motor, der einen mit Ätzlösung 5 gefüllten Ätzbehälter 4 um seine schräggestellte Hauptachse 8 rotieren läßt (Pfeil). Ein Halbleiterkörper loo wird durch diese Rotationsbewegung in der Ätzlösung 5 gerollt. Die an der Innenseite des Gefäßes 4 angebrachten senkrechten Stäbe 7 sorgen dafür, daß der Halbleiterkörper loo beim Hinwegrollen über die Stäbe 7 die sich an ihm bildenden Ätzblasen abstößt.In Pig. 3 is an apparatus for carrying out the invention Etching process shown. 6 denotes a motor, which is filled with an etching solution 5 etching container 4 around his inclined main axis 8 can rotate (arrow). A semiconductor body loo is by this rotational movement in the Etching solution 5 rolled. The vertical rods 7 attached to the inside of the vessel 4 ensure that the semiconductor body loo repels the etching bubbles forming on it when rolling over the rods 7.

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Claims

-3- 632/66 claims

1 .. Process for uniform and even etching of Semiconductor surfaces, characterized in that the body to be etched (1, Io, loo) in the etching solution (5) is rolled "

2. The method according to claim 1, characterized in that in semiconductor technology per se "known etching solutions (5) be used.

3. Apparatus for carrying out the method according to claim 1, characterized by a main axis that is inclined around an inclined axis (8) rotatable etching container (4).

4. Apparatus according to claim 3, characterized in that to remove the etching bubbles on the inside of the etching container (4 ^ vertical rods (7 are attached or that be used on means known to me »

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