DE1514416A1 - Verfahren zur Serienfertigung von Halbleiterbauelementen in Gehaeusen aus giessfaehigen Massen - Google Patents

Verfahren zur Serienfertigung von Halbleiterbauelementen in Gehaeusen aus giessfaehigen Massen

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DE1514416A1 DE19651514416 DE1514416A DE1514416A1 DE 1514416 A1 DE1514416 A1 DE 1514416A1 DE 19651514416 DE19651514416 DE 19651514416 DE 1514416 A DE1514416 A DE 1514416A DE 1514416 A1 DE1514416 A1 DE 1514416A1
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Description

  • !'Verfahren zur Serienfertigung von Halbleiterbauelementen in gehäu@en aus gießfähigen Massen:" Es ist bekati4t, zum Schutz der Bauelemente, insbesondere Halbleiterbauelemente, vor Feuchtigkeit und anderen atmosphärischen Ei»flUsseri, sowie zur Erhöhung der mechaniaöhen Stabilität, lie Halbleiterbauelemente in ein Gehäue$ nun x. $ießfühl4e@ Hdxzen oder sushdrtbaxen Kustatofeen, die bei der @etrlds@mperatux den herzustellenden Bauelementen eine feste Vergußmasse darstellen, einzubauen. bian geht dabei so vor, daß man beispielsweise mit Hilfe von Montagehorden, die auf Systemträger legierten oder gelöteten Halbleiteranordnungen mit den äußeren Elektroden verbindet und dann die Verbindungsstellen zwischen den Kontaktierungsdrähten und den Anschlüssen mit einer niedrig-schmelzenden, bei der Betriebstemperatur des herzustellenden Bauelements festen Vergußmasse umhüllt, wobei man zweckmäßigerweise Formkörper verwendet, die gleichzeitig als Gieß- und Preßform dienen und nach.Aushärtung der Vergußmasse entfernt werden. Hei einem anderen bekannten Verfahren werden die Bauelemente durch Eintauchen in gießfähige Harze mit einem Kunststoff-Gehäuse zur Erhöhung der mechanischen Stabilität und zum Schutz gegen Feuchtigkeit und andere atmosphärische Einflüsse versehen. An Stelle der gießfähigen Harze können auch aushärtbare Kunststoffe, vie beispielsweise Epoxidharze, 9ilikbnharze, Polyesterharze und Thermoplaste oder Gläser und anorganische Zemente verwendet werden. Die Aufgebe, die der Erfindung zu Grunde liegt, ist, ein rationelles Verfahren anzugeben, das es erlaubt, eine Vielzahl von Bauelementen, insbesondere von Halbleiterbauelementen, wie beispielsweise Silieiumplanardioden in Koaxialaueführung, mit einem Gehäuse zu versehen. Man geht zweckmslßigerweise bei dem Verfahren gemäß der Erfindung so vor, daß das Umhüllen der Halbleiteranordnungen und der Verbindungsstellen zwischen den Kontaktierungsdrähten und den äußeren Elektroden nit einer niedrig-schmelzenden, bei der Betriebstemperatur des herzustellenden Bauelements festen Vergußmasse in einem Formkörper vorgenommen wird, bei dem .gleichzeitig mehrere Bauelemente mit einer Vergußmasse,vorzugsweise aus Kunststoff, versehen werden, wobei der Formkörper so ausgebildet ist, daß er gleichzeitig als Gießform und als Gehäusebestandteil für die Iialbleiter-Bauelemente nach entsprechender Zerteilung der vergossenen Halbleiteranordnungen verwendet wird. Gemäß einer Weiterbildung der Erfindung ist vorgesehen, einen Forstkörper zu verwenden, der aus einem gleichartigen Material, insbesondere aus einem aushärtbaren Kunststoff, beispielsweise Epoxidharz, besteht wie die Vergußmasse, wodurch die mechanische Stabilität und der Schutz gegen äußere atmosphärische Einflüsse besonders erhöht werden. Es ist weiterhin möglich, an Stelle der Kunststoffe als Material für den Formkörper, sowie für die Vergußmasse Gläser oder keramische Massen zu verwenden. Dabei wird an Stelle des bei Kunststoffen notwendigen Aushärteprozesseß in einem Tunnelofen ein Sinter-Verfahren bei höheren Temperaturen durchgeführt. Ein: besonderer Vorzug den auf clem Erfindungogedanken beruhenden Verfahrens, ist' darin zu gehen, daß die bei. den ,fertigen Bauelementen auftretenden Schwankungen der lphysikaliechen Eigenschaften nur gering Bind, da die Hsrntellungebedingungen für die einzelnen Bauelemente infolge den Mehrfachvergussen gleich Bind. Das Verfahren gemäß der Erfindung läßt sich in gleich vorteilhafter Weise auch auf die Herstellung von Planartransistoren anwenden. Dabei wird zum Beispiel an Stelle der Montagehorden nach dem Dandmontageprinzip gearbeitet, bei dem die zu kontaktierenden Halbleiteranordnungen auf einen als Transportband für.die Halbleiteranordnungen während der folgenden Arbeitsvorgänge geeigneten Trägerkörper aus Kontaktierunggmaterial auflegiert %verderi. Das Verfahren beschränkt sich nicht nur auf die Zierstellung von Planardioden in Koaxialbauvveise oder Planartrarisietoren in Miniaturausführung nach dem Bandmontagepririzip oder nach einer oxlderen bekannten üeratellungeart, bondern kann auch bei. der Herstellung von mehrpoligen Bauelementen, beispielsweise für integrierte Schaltungen, ebenso für Widerstände und Kondensatoren Verwendet werden. Zur näheren Erläuterung der Erfindung an Hand einee Aueführungnbeigpi.ele wird nunmehr auf die Figuren 1 bi.o ä BezUg genommen. In Pigür 1 ist eine fla»ardiode in Koaxialaueführung im hängeschnitt gezeigt, bei der die beiden äußeren Elektroden 1 und 1? mit Hilfe von, Montagehorden 2 und 12 an die Systemträger 3 und 13, ,die beispielsweise aus einer, mit einer dünnen Ooldschioht versehene» fe-MI-Co-legierung bestehen, angeschweißt eipdo Auf den Syetet4tr#ger 3 _ wird nun die lialbleiteranordnu»g 4, im vorliegenden Meluieiel die flanardiode, nach einem bekannten Vexfahren aufgelltet und der mit der Halbleiteranordnung verbundene Kontaktlerungedraht der aus Gold, Aluminium,. Silber oder aus einem anderen Metalldraht besteht, an den Systomträger 1 3 angepunktet. Dann irerden, entsprechend der Fora eitles beispielsweleo aus Nunatotoff gefertigten Formkörpers 6 mehrere Halbleiteranordnungen gleichzeitig, zum Beispiel eine aua fünfzig Elementen bestehende Kette von Halbleiteranordnungen, mit einer aue@ärtbaren Vergußmasse, insbesondere au#:Eyoxid= harzen, umhüllt9 wie in .figur 2 dargestellt ist, . Figur 3 veranschaulicht, wie einzelne Bauelemente ?, im .Anis-» führungebeiepiel als ,Moden in Koaxialttuaeührup,g! die durch diö Kunststoffumhüllung vor äußeren Angriffen, inabeoondere äuch vor atmosphäriaaben Einflüssen, geschützt sind, nach; Aushärtung in r einem Wunnelofen von einer gemäß der Erfindung bergeotelltqn . Mehrfarh-Diodenleiate 8 mit 1111fe einen Sägegatter4' nbgetrannt worden `eins.

Claims (1)

  1. ,g t e U t a n s p r ü o s # .1@wlwwP w-wwwlll VLR 11h .r @@.@## 1. Verfahren zum aerlenmäßigen Herstellen von Bauelementen, insbeaonder von Halbleiterbauelementen, in Gehäusen aus glegfähigen Harzen, bei dem mit Hilfen von Vontagehorden die äugexen in der gleichen oder nahezu gleichen Achse angeordneten Elektroden den herzustellenden Halbleiterbauelemento mit dem Träger, auf den die Halbleiteranordnung auflegiert und der Kontaktierungadraht der Halbleitexanordnung mit den äußeren Elektroden verbunden wird, verschweißt werden, wonach die Halbleiteranördnung und die Verbindungentellenzwischen dem Kontaktierungadraht und den äußexen Elektroden mit einer niedrig#echmelzenden, bei der eetriebatemperatur des herzustellenden Bauelenente festen Vergußmasse umhüllt wird, dadurch gekennzeichnet, daß das Umhüllen der Halbleiteranordnungen und der Verbindungestellen zwischen den Kontaktierungedrähten und' den äußeren Elektroden mit einer niedrig-echmeixdnden bei der Betriebetemporalur des hetxuetellenden Bauelomente fenten Vergußmosao in einem Formkörper vorgenommen wird, bei dem gleich- zeitig mehrere eauemehte mit einer Vergudmaeee, vorzuge-
    weioo aus-Kunatstoffl versehen trerden und daß der FormkdrpAx na ausgebildet ist; daß er gleichseitig als Gießform und ule Gehgunebeatandteil Iig- -die Halbleiterbauelemente nach nntspxechender. Zextellü»g;.d4r %'drgoaeenen Halbleiteranordnuri@ez@ vea@re»deti wird: 2. verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß ein . Formkörper verwendet wird, der aus einem gleichartigen Material, insbesondere aus einem aushärtbaren Kunststoff, vorzugsweise Epoaidhart, besteht wie die Vergußmasse. 3. Tierfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß ein Formkörper verwendet wird, der aus niedrig-echmelzenden Gläsern oder kerami®chen Massen hergestellt wird. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch. gekennzeichnet, da13 als Vergußmassen niedrig-schmelzende Gläser, keramische Massen, anorganische Zemente, gießbare Kunststoffe, wie beispielsweise hpoxidharee, Silikonharxe, Polyepterharze oder Thermoplaste Verwendung finden. 5. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Formkörper als Montagehorde verwendet wird. 6. Dioden, insbesondere Bilisiumdioden, hergestellt nach einem Verfahren nach Anspruch 1 bis 4. 7. Transistoren, insbesondere Siliziumtransistoren, hergestellt nach einem Verfahren nach Anspruch 1 bis E3. Elektrische mehrpolige Bauelemente, wie Widerstände und Kondensatoren, hergestellt nach einem herfahren nach Anspruch 1 bis d-.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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