DE1499604B2

DE1499604B2 - SIGNAL CONTROLLED SWITCH CIRCUIT

Info

Publication number: DE1499604B2
Application number: DE19661499604
Authority: DE
Inventors: Joseph Reese Pasadena Cahf Brown jun (V St A)
Original assignee: Burroughs Corp , Detroit, Mich (V St A)
Priority date: 1965-10-23
Filing date: 1966-10-22
Publication date: 1972-04-06
Also published as: FR1517783A; US3423603A; DE1499604A1; GB1141387A

Description

element eingeschaltet und an dessen Basis ein Schalt- Bei Betrieb werden Lese- und Schreibimpulse nach-element is switched on and at its base a switch- During operation, read and write pulses are

signalgeber anschließbar ist. Ferner kann das Schalt- einander an die Primärwicklung, beispielsweise dessignal transmitter can be connected. Furthermore, the switching can be connected to the primary winding, for example the

element mindestens eine in Stromflußrichtung geschal- Übertragers 36, durch selektives Ansteuern des Gat-element at least one transformer 36, switched in the direction of current flow, by selective control of the gate

tete Diode aufweisen. ters 40 und der Gatter 46 und 48 gelegt. Durch selek-have tete diode. ters 40 and the gate 46 and 48 placed. Through selec-

Zum besseren Verständnis der Erfindung soll diese 5 tives Ansteuern des Gatters 38 und der Gatter 50For a better understanding of the invention, it is intended to activate the gate 38 and the gate 50

im folgenden an Hand von Zeichnungen erläutert und 52 können in ähnlicher Weise Impulse an dieexplained below with reference to the drawings and 52 can send pulses to the in a similar manner

werden. In der Zeichnung zeigt Primärwicklung des Übertragers 30 angelegt werden.will. In the drawing shows the primary winding of the transformer 30 to be applied.

F i g. 1 ein schematisches Blockdiagramm einer be- Dieser Adressenauswahl- und Erregerkreis ist in derF i g. 1 is a schematic block diagram of a loading This address selection and excitation circuit is in FIG

kannter Speicherwählschaltung und Technik der Koinzidenzkernspeicher bekannt.prior art memory selection circuitry and coincidence kernel memory technology.

F i g. 2 eine schematische Schaltung, die die bevor- io Bei dieser Schaltung müssen die Widerstände 42F i g. 2 is a schematic circuit showing the preferred io In this circuit, the resistors 42

zugte Ausführungsform des erfindungsgemäßen Schalt- und 44 ziemlich hochohmig sein, um den Strom be-Preferred embodiment of the switching device according to the invention and 44 be quite high-resistance in order to load the current

kreises zeigt. grenzen zu können und um eine geeignete Spannungs-circle shows. to be able to limit and to have a suitable voltage

In Fig. 1 ist eine Kernspeicherebene, in der Ma- änderung auf den Leitungen zu den Übertragern zu gnetkerne in Zeilen und Spalten angeordnet sind, mit schaffen. Die Widerstände geben eine positive Vor-10 bezeichnet. Die Kernspeicherebene ist in der üb- 15 spannung auf alle Steuerleitungen zu den Übertragern liehen Weise ausgeführt und besitzt horizontale Er- mit Ausnahme der Leitung, die über den niederohmiregerleitungen, die jeweils jeden der in der zugehörigen gen Pfad des angewählten Gatters an Erde liegt. Die Zeile befindlichen Kerne verbindet, sowie eine ent- Schwierigkeit bei einer derartigen Schaltanordnung sprechende Anzahl von vertikalen Erregerleitungen, liegt darin, daß nach Fortfall des Gatterimpulses, die jeden der in den entsprechenden Spalten angeord- 20 sobald also das Gatter gesperrt ist, die von dem neten Kerne miteinander verbindet. Eine der hori- Gatter zu jedem Übertrager führende Leitung nur zontalen Erregerleitungen ist mit 12 bezeichnet. durch Wiederaufladen einer Streukapazität über den Andere horizontale Erregerleitungen sind mit 14,16 relativ hochohmigen Widerstand auf das Ausgangsund 18 bezeichnet, während die vertikalen Erreger- potential zurückgebracht werden kann. Die Streuleitungen mit 20, 22, 24 und 26 bezeichnet sind. 25 kapazität liegt gegen Erde, und zwar über alle Über-Üblicherweise ist die Zahl der Erregerleitungen viel trager, und üblicherweise liegen in einer Erregerreihe größer; die hier gewählte Anzahl von jeweils vier mehr als hundert derartiger Impulsübertrager. Es tritt Leitungen wurde der Übersicht halber nur beispiels- also eine i?C-Zeitkonstante auf, die zu einer beweise gewählt. trächtlichen Zeitverzögerung bei der Wiederherstel-1 shows a core storage level in which the dimensions on the lines to the transformers are increasing Gnetkerne are arranged in rows and columns, with create. The resistors give a positive pre-10 designated. The core storage level is in the overvoltage on all control lines to the transformers borrowed manner and has horizontal Er- with the exception of the line, which over the low-resistance lines, each of the associated path of the selected gate is connected to earth. the Line located cores connects, as well as a problem with such a switching arrangement speaking number of vertical excitation lines, lies in the fact that after the gate pulse has ceased to exist, the each of the arranged in the corresponding columns 20 as soon as the gate is blocked, which of the neten cores connects with each other. Only one of the horizontal gates leading to each transformer zontal excitation lines are denoted by 12. by recharging a stray capacitance through the Other horizontal excitation lines are with 14.16 relatively high resistance on the output and 18, while the vertical excitation potential can be brought back. The scatter lines at 20, 22, 24 and 26 are designated. 25 capacitance is against earth, over all over-usual the number of excitation lines is much slower, and usually lie in one excitation row greater; the number chosen here of four more than a hundred such pulse transmitters. It kicks For the sake of clarity, lines have only been used as an example, i.e. an i? C time constant that proves chosen. considerable time delay in restoring

Jede Erregerleitung der Speicherebene 10 liegt an 3° lung des Ausgangspotentials an allen Primärwickder Sekundärwicklung eines Übertragers. So liegt die lungen der Übertrager führt. Diese Verzögerungszeit Eingangsleitung 12 an der Sekundärwicklung eines verlängert also die Speicherzugriffszeit. Wenn Speicher-Übertragers 30, die Erregerleitung 14 an der Sekun- Zugriffszeiten von weniger als einer Mikrosekunde därwicklung eines Übertragers 32 und die Leitungen erforderlich sind, wird die Verzögerungszeit bei der 16 und 18 an den Sekundärwicklungen der Über- 35 Wiederherstellung des Ausgangspotentials an den antrager 34 und 36. gewählten Übertragern während eines Speicheraus-Each excitation line of the storage level 10 is at 3 ° development of the output potential at all primary winders Secondary winding of a transformer. So lies the lungs of the transmitter. This delay time Input line 12 on the secondary winding of a thus extends the memory access time. When memory transmitter 30, the excitation line 14 at the second access times of less than one microsecond Därwick a transformer 32 and the lines are required, the delay time in the 16 and 18 on the secondary windings of the over- 35 Restoration of the output potential to the applicator 34 and 36. selected transmitters during a memory readout

Jeder Speicherzyklus erfordert einen Lese- und wahlvorganges unzulässig groß.Each memory cycle requires a read and select operation that is impermissibly large.

einen Schreibimpuls, die jeweils gleichzeitig an eine Die vorliegende Erfindung ist auf eine Schaltkreis-Zeile und eine Spalte angelegt werden, wobei die anordnung gerichtet, die im einzelnen in F i g. 2 geKoinzidenz der Impulse an einer Spalte und an einer 40 zeigt ist, und die an Stelle der konventionellen Tor-Zeile einen Kern ummagnetisiert. schaltungen 38 und 40 gemäß F i g. 1 verwendeta write pulse, each at the same time to a The present invention is on a circuit line and a column are created, the arrangement being directed, as shown in detail in FIG. 2 coincidence which shows pulses at one column and one at 40, and that in place of the conventional gate line magnetized a core. circuits 38 and 40 according to FIG. 1 used

Zunächst werden nur die Zeilen-Erregungsleitungen werden kann. Die erfindungsgemäße Torschaltung 12 bis 18 betrachtet, da die Erregerschaltung der erlaubt ein Wiederaufrichten des Ausgangspotentials Spalten identisch aufgebaut ist. Die Mittelanzapfun- in einer viel kürzeren Zeit, als es bisher dort, wo gen der Primärwicklungen der Übertrager 30 und 34 45 Streukapazitäten über einen Vorwiderstand wieder sind über eine gemeinsame Leitung mit einem Gatter aufgeladen werden mußten, möglich war. Wie im 38 verbunden. Ein an das Gatter 38 angelegtes Signal einzelnen in Fig. 2 gezeigt ist, umfaßt die erfindungsschließt diese Leitung niederohmig an Erde. In ahn- gemäße Torschaltung ein Paar von NPN-Transistoren licher Weise sind die Mittelanzapfungen der Primär- 80 und 82, deren Kollektor-Emitter-Strecken zwischen Wicklungen der Übertrager 32 und 36 mit einem 50 einem positiven Potential und Erde über einen Strom-Gatter 40 verbunden, das einen niederohmigen Strom- begrenzungswiderstand 84 in Serie geschaltet sind, pfad gegen Erde bildet. Wenn die Gatter 38 bzw. 40 Der Kollektor des Transistors 82 stellt den zum auf Durchlaß geschaltet sind, werden die Primärwick- Transformator führenden Ausgang der Schaltung dar. lungen der Übertrager über den Widerstand 42 bzw. Der Eingangssteuerimpuls wird an die Basis eines den Widerstand 44 auf dem Erdpotential gehalten. 55 Transistors 86 angelegt. In Normalstellung liegt dieser Ein Strompfad über jeweils einen der Übertrager Eingang im wesentlichen auf Erdpotential, und der wird durch Anwählen eines ersten Gatterpaares 46 Transistor 86 ist gesperrt. Ist der Transistor 86 ge- und 48 oder eines zweiten Gatterpaares 50 und 52 sperrt, so ist auch der Transistor 82 durch den die geschaffen. Die Gatter 46 und 48 bilden niederohmige Basis des Transistors 82 mit einem negativen Poten-Strompfade zwischen dem Schreibimpulsgeber 54 und 60 tial verbindenden Widerstand 88 gesperrt. Wenn der dem Leseimpulsgeber 56 über Dioden 58 und 60 bzw. Transistor 86 gesperrt ist, wird sein Kollektor auf Dioden 62 und 64 zu entsprechenden Enden der Pri- das positive Potential angehoben, an dem der Kollekmärwicklungen der Übertrager 34 und 36. In ahn- tor des Transistors 86 über einen Lastwiderstand 90 licher Weise bilden die Gatter 50 und 52 nieder- gelegt ist. Der Kollektor des Transistors 86 ist über ohmige Strompfade von dem Schreibimpulsgeber 54 65 ein Schaltelement 92 mit der Basis des Transistors 80 und dem Leseimpulsgeber 56 über Dioden 66 und 68 verbunden, wodurch der Transistor 80 durchgeschal- bzw. Dioden 70 und 72 an die Primärwicklungen der tet wird, wenn der Transistor 86 gesperrt ist. Ist der Übertrager 30 und 32. Transistor 80 durchgeschaltet, so liegt der zum Über-Initially, only the row excitation lines can be used. The gate circuit according to the invention 12 to 18, since the excitation circuit of FIG. 12 allows the output potential to be established again Columns is structured identically. The center taps in a much shorter time than where it was before gen the primary windings of the transformers 30 and 34 45 stray capacitances via a series resistor again have to be charged via a common line with a gate, was possible. Like in 38 connected. A signal applied to gate 38 is shown individually in FIG. 2 embraces the invention this line low resistance to earth. A pair of NPN transistors in a similar gate circuit Licher way are the center taps of the primary 80 and 82, their collector-emitter paths between Windings of transformers 32 and 36 with a 50 positive potential and ground through a power gate 40 connected, that a low-ohmic current limiting resistor 84 are connected in series, path against earth forms. When the gates 38 and 40 the collector of the transistor 82 is the to are switched on, the primary winding transformer will be the leading output of the circuit. lungs of the transformer via the resistor 42 or. The input control pulse is sent to the base of a the resistor 44 is held at ground potential. 55 transistor 86 applied. This is in the normal position A current path via one of the transformer inputs is essentially at ground potential, and the is by selecting a first pair of gates 46 transistor 86 is blocked. If the transistor 86 is and 48 or a second pair of gates 50 and 52 blocks, the transistor 82 is also through the created. The gates 46 and 48 form the low-resistance base of the transistor 82 with a negative potential current path between the write pulse generator 54 and 60 tial connecting resistor 88 blocked. If the the read pulse generator 56 is blocked via diodes 58 and 60 or transistor 86, its collector is open Diodes 62 and 64 at respective ends of the primary raised the positive potential at which the collector windings the transformers 34 and 36. Similar to the transistor 86 via a load resistor 90 Certainly the gates 50 and 52 form. The collector of transistor 86 is over Ohmic current paths from the write pulse generator 54 65 a switching element 92 to the base of the transistor 80 and the read pulse generator 56 connected via diodes 66 and 68, whereby the transistor 80 switched through. or diodes 70 and 72 to the primary windings of the tet when the transistor 86 is blocked. Is the Transmitter 30 and 32. transistor 80 is switched through, so the

trager führende Ausgang auf dem am Kollektor des Transistors 80 anliegenden positiven Potential.sluggish leading output to the positive potential applied to the collector of transistor 80.

Wenn ein Eingangsimpuls an das Gatter angelegt ist, wird die Basis des Transistors 86 positiv, wodurch der Transistor 86 durchgeschaltet wird. Daraufhin sinkt das Kollektorpotential, und der Transistor 80 wird gesperrt. Gleichzeitig wird der Transistor 82 durchgeschaltet und der Gatterausgang zum Übertrager im wesentlichen auf Erdpotential gebracht. When an input pulse is applied to the gate, the base of transistor 86 goes positive, causing the transistor 86 is turned on. As a result, the collector potential drops, and so does the transistor 80 will be blocked. At the same time, the transistor 82 is turned on and the gate output to Transformer essentially brought to earth potential.

Aus der Beschreibung der Schaltung gemäß Fig. 2 geht hervor, daß der Ausgang dieser Gatterschaltung entweder etwa auf Erde oder auf irgendeinem positiven Potential liegt. Das Auf- und Entladen der Streukapazität, wie sie durch die gestrichelte Linie bei 94 angedeutet ist, erfolgt über einen relativ niederohmigen Widerstand 84, der entweder sehr klein gewählt ist oder überhaupt fortgelassen werden kann. Der einzige Zweck dieses Widerstands 84 liegt darin, sicherzustellen, daß die Transistoren dann nicht überlastet werden, wenn ein leichtes Überlappen beim Sperren des einen Transistors und Durchschalten des anderen Transistors auftritt.From the description of the circuit according to FIG. 2 it can be seen that the output of this gate circuit either on earth or on some positive potential. The loading and unloading of the Stray capacitance, as indicated by the dashed line at 94, takes place via a relative low resistance 84, which is either chosen to be very small or omitted at all can. The only purpose of this resistor 84 is to ensure that the transistors will not then are overloaded if there is a slight overlap when blocking one transistor and switching on the another transistor occurs.

Aus der obigen Beschreibung ergibt sich, daß die Erfindung eine verbesserte Erregerschaltung für einen Koinzidenzspeicher schafft, welche einen Adressen-Auswahlschalter umfaßt, der die Auswahlleitung für eine bestimmte Gruppe von Übertragern über einen relativ niederohmigen Widerstandspfad auf eine positive Vorspannung zurücksetzt. Dies erlaubt eine viel schnellere Wiederherstellung des Ausgangspotentials trotz der erheblichen Größe der durch die Verwendung einer großen Anzahl von Übertragern vorhandenen Streukapazität.From the above description it can be seen that the invention provides an improved excitation circuit for a Provides coincidence memory which includes an address selection switch which is the selection line for a certain group of transformers over a relatively low resistance path to a positive one Resets preload. This allows the initial potential to be restored much more quickly despite the considerable size of the existing due to the use of a large number of transformers Stray capacitance.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen1 sheet of drawings

Claims

1 2 matrix with a current pulse generator and the other claims: a column of the matrix with a reference potential, e.g. B. Earth, connects. The current pulse passes through

1. Circuit for fast, signal-controlled the selected transformer, its switch for Switching one at the fixed end to reference potential s ground reference potential is closed.

tially lying ohmic load with reactive component a first potential and the reference excitation process is completed, the will potential, preferably open to the pulse-dependent reference potential applying switch, and the Switching of excitation circuits of a coincidence - common line leading to the transformers, denzspeichers, characterized in that io the potential of which is controlled by the switch, that the end of the load to be switched (30 ... 36) can be brought back to an equivalent bias via the emitter-collector path of a first. This usually happens that The transistor (80) is connected to the first potential and via the line via a high-value resistor the emitter-collector path of a second tran- the equivalent bias voltage source is placed. if sistor (82) connected to the reference potential 15 but the line back to its initial is; that a first resistor (83), a switching potential is brought, the stray capacitance, element (92) with a substantially constant, in particular the transformer, over this high-voltage drop as well as a second resistor ohmic resistor can be charged. As a result (90) in series with a voltage source, a time delay occurs which leads to a limitation are; that the base of the first tran- 20 of the number of memory address selects sistor (80) with the connection point between leads that during a predetermined period of time see the first resistor (83) and that can expire.

Switching element (92) is connected; that the basis of the invention is thus based on the object of the second transistor (82) both via a fast, signal-controlled switch circuit create a third resistor (88) at a second potential 25, which when switching exciter current tial lies as well as over a time-actuable that occurs from the switching signal of a coincidence memory Switch (86) on the link delay reduced.

point between the second resistor (90) and The solution to this problem is achieved with a switching element (92) is connected. device for fast, signal-controlled switching of a

2. Circuit according to claim 1, characterized in that 30 ohms at the fixed end lying at reference potential, that the switch see a third load with reactive component between a first Has transistor (86), its emitter-collector potential and the reference potential, preferably gate path between the base of the second tran- for the pulse-dependent switching of excitation current transistor (82) and the point of connection of circles of a coincidence memory in the second of the invention Resistance (90) and switching element (92) 35 according to the manner in that the end to be switched switched on and at its base a switching of the load via the emitter-collector path of a Signal transmitter can be connected. first transistor to the first potential as well as across

3. A circuit according to claim 1 or 2, characterized in that the emitter-collector path of a second Trange in that the switching element is at least connected to the sistor to the reference potential; that a diode (92) 40 connected in the direction of current flow, a first resistor, a switching element with im having. substantial constant voltage drop as well as a

second resistor in series to a voltage

source are connected; that the base of the first

Transistor with the junction between

45 is connected to the first resistor and the switching element; that the base of the second transistor

The invention relates to a circuit for cutting both via a third resistor at a len, signal-controlled switching of a second potential at the fixed end, as well as via a switch actuated by the ohmic load with switching signal at the reference potential at the Ver-reactive component between a first potential and the connection point between the second resistor and the reference potential, preferably connected to the pulse-dependent switching element.
Switching of excitation circuits of a coincidence- The switching process that takes place during operation is therefore a memory. as follows: Of the two transistors, the case connects to addressable coincidence memories, e.g. B. Ma- an address selection line gnetkernspeicher or thin-film memory in the open position, are 55 via a low resistance with a Be excitation currents to select a certain reference potential, and the other transistor connects in stored bits or words on input lines the same line via a of the store. A control circuit activates a low-ohmic resistance with an output selectively certain input lines for the control potential. By applying the output potential tion of a memory location of the memory matrix in 60 via a low-resistance resistor, the loading dependency of address information from a time of the stray capacitance is considerably reduced, so that address registers. Usually, for each input, a higher speed of address selection of the line to the coincidence memory is achieved.

seen. Circuits that are based on the address register In an expedient further embodiment of the

Responding to incoming commands concludes a third

selected transformer of the matrix to a current transistor, whose emitter-collector path between

source. To select a transformer, you can see the base of the second transistor and the

Switches are used, one of which is a series of the junction of the second resistor and switching