DE1499585A1 - Process for data storage and storage medium for carrying out the process - Google Patents

Process for data storage and storage medium for carrying out the process

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DE1499585A1
DE1499585A1 DE19661499585 DE1499585A DE1499585A1 DE 1499585 A1 DE1499585 A1 DE 1499585A1 DE 19661499585 DE19661499585 DE 19661499585 DE 1499585 A DE1499585 A DE 1499585A DE 1499585 A1 DE1499585 A1 DE 1499585A1
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DE19661499585
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Inventor
Hoenicke Dipl-Phys Horst
Von Ardenne Dr H C Manfred
Panzer Dipl-Phys Siegfried
Heisig Dipl-Phys Ullrich
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
HEISIG DIPL PHYS ULLRICH
HOENICKE DIPL PHYS HORST
PANZER DIPL PHYS SIEGFRIED
Original Assignee
HEISIG DIPL PHYS ULLRICH
HOENICKE DIPL PHYS HORST
PANZER DIPL PHYS SIEGFRIED
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    • H01J31/00Cathode ray tubes; Electron beam tubes
    • H01J31/08Cathode ray tubes; Electron beam tubes having a screen on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted, or stored
    • H01J31/58Tubes for storage of image or information pattern or for conversion of definition of television or like images, i.e. having electrical input and electrical output
    • H01J31/60Tubes for storage of image or information pattern or for conversion of definition of television or like images, i.e. having electrical input and electrical output having means for deflecting, either selectively or sequentially, an electron ray on to separate surface elements of the screen

Landscapes

  • Heterocyclic Carbon Compounds Containing A Hetero Ring Having Oxygen Or Sulfur (AREA)

Description

Amiden - Γ» AuefertigttngsdatiiBMAmides - Γ »AuefertigttngsdatiiBM M«v*Ardennat Drted·η 2$.Febra»* $96$M «v * Ardenna t Drted · η 2 $ .Febra» * $ 96 $ S.Paaeer, Dresden he> 119 * ' 'S.Paaeer, Dresden he> 119 * ''

U#Heieie, fireedea VA9958S H«lRSniekotU # Heieie, fireedea VA9958S H "lRSniekot

VertretenRepresent

Günter aGünter a

ie Forschungsinstitutie research institute

Maafred von ArdennsMaafred of Ardenns

805t Dresden«Weiße* Hlrsoh805t Dresden «Weisse * Hlrsoh

Zeppellnstrsfle 7 -Patentabteilung-Zeppellnstrsfle 7 -Patent department-

zur Datenspeicherung und Spelohermedium zurfor data storage and Spelohermedium for

Durchführung dee VerfahrensImplementation of the procedure

Sie Erfindung betrifft ein Verfahren sur penaanenten Daten- · speicherung von Digital- oder Analogwerten duroh Mikrobesxbeitung eines Speiohemediums mittels eines Elektronenetrahlea bzw« einer Slektronensonde und ein Speicheroediua zar Durchführung des Verfahrene«They invention relates to a method sur penaanenten · data storage of digital or analogue values duroh Mikrobesxbeitung a Speiohemediums means of a Elektronenetrahlea or "a Slektronensonde and a Speicheroediua czar carrying out the muddled"

Es sind zahlreiche Verfahren zur Datenspeicherung bekannt« die Zm1St auf recht unterschiedlichen Priniiplen beruhen·Numerous methods of data storage are known «which Zm 1 St are based on quite different principles.

So let es bekanntι Daten auf Mikrofilm« Magnetband oder Kagnetplatten, Magnettroeaeln» in ?«rritkernepeiehern oder in liohtempfindUohe !i*lbleiterechiöhten elnsuspelohem· Die bokannten Verfahren au* Datenapeicherung heben beeUglieh ihrer Zugriffοseit, 3p«ioherkapaiität und den Kosten pro -Bit Speicherkapazität den Haohteil, daß ferittc· Zugriffes·!* ten nur bei Anlagen nit hohen Kosten pro Bit» aod da· tlaä Anlagen alt Röhren- und Traneiator-Pllp-Flope oder Ferritkernspeioher »la Speioherelement, bei relativ kleiner. Speicherkapazität . pro Anlagevolumen aöglioh sind uni AnlegenSo it is known data on microfilm "magnetic tape or magnetic disks, magnetic tubes" in? "Rritkernepeiehern or in liohtsensUohe! I * l lead-proof data storage · The known methods of data storage increase impressively their accessibility, 3p" ioherkapaiität that ferittc · access ·! * th only in systems with high costs per bit »aod da · tlaä systems old tube and transformer pllp flop or ferrite core memory» la memory element, with relatively smaller. Storage capacity. There are also uni investments per investment volume

Ö0SS31/1252 ~ 2 Ö0SS31 / 1252 ~ 2

T499S8«T499S8 «

mit hohen Speieherkapaeltüten hateä dageg·* no» Jh&Atlr Äueriff sieiteiu 01· Urs**h· hitrfUr H«gt ·£ϋΜ& ia bob·» with tall Speieherkapaeltaschen hateä dageg · * no »Jh & Atlr Äueriff sieiteiu 01 · Urs ** h · hitrfUr H« gt · £ ϋΜ & ia bob · »

griffaaeil baw» la d«r Vagheit i«y aiehfttilflelMS bei Speichern groß·*» Kspaeltlt» wi· s»8* b·! ehern« .griffaaeil baw »la d« r vagueness i «y aiehfttilflelMS when saving big · *» Kspaeltlt »wi · s» 8 * b ·! brazen «.

Be sind auch Verfahren bekannt, bei denes bereits der tisch träghditaloa steuerbare Slektroa^nstrahl Indirekt oder auah direkt zur ^raaugusß von Speiohorstruktoren in geeigneten Speisheroedien dient. Dabei wifd.de? ElektjronenetraliX z.B· auf dem Sohirm einer Katodenstrahlröhre auf bestirnte Koordinaten abgelenkt and der &euabt£l#olc Ub«r «lsi· Lieh*- optik auf ein· als ^p ti ah er dleaende fok»grafieoix©.Platt· abgebildet» die dasd.* an dieser Still* g»«ohw&Mrt wird* Doroh Aufteilung der fotograf 1 sehen Hatte in ein· Matrix« deren Zelleiißrüöe duroh dl« SchreibfleakgruA· bestijüt 1st« entstehen dio ein»3lü»n Speicherplattefr die durch dl· zweier Koordinatin beetlnat sind* Dl· Binärwerte H0" "1" entspreohta b·! der ainspeichejmae uageeohwüretes biw. geaohväjfsten Stell«» auf der Potoplatt«« De.« Leetn dea «·- Bpaloherten Inhalts trfelgt tlektroaenstrahlfteltie Ulm» liehe .veise^wie de· 21ηβρβ1βϋ·3ηι# nur ä*Q hinter der ?otoplatto eine Potoselte angeordnet ist« dl· b»l der Abtastung entsprechend den unbelichteten bsw« b« Höhtet en me nt en von Lloht btaofaohlagt wird oder nicht· Die verwandelt da· Lioht»ignal in «in »ur weiteren ?erarb«itane geelgiiötee olektrieehee Signal, ffeeentlloli· üfaoatell· b**itstProcesses are also known in which the table-controlled slectroa ^ n jet, which can be controlled indirectly or directly, is used for the discharge of Speiohorstructors in suitable Speisheroedien. With wifd.de? ElektjronenetraliX eg · on the screen of a cathode ray tube deflected to certain coordinates and the & euabt £ l # olc Ub «r« lsi · Lieh * optics on a · as ^ p ti ah he dleaende focus »grafieoix © .Platt · mapped» the dasd . * at this Still * g "" ohw & Mrt * Doroh division of see photograph 1 Had in a · matrix "which Zelleiißrüöe duroh dl" SchreibfleakgruA · bestijüt 1st "dio created a" 3lue 's disk for the beetlnat by dl · two Koordinatin are * Dl · binary values H 0 "" 1 "correspond to b ·! the ainspeichejmae uageeohwüretes biw. geaohväjfsten position« »on the potoplatt« «De.« Leetn dea «· - Bpaloherten content trfelgt tlektroenstrahlfteltie Ulm» liehe .veise ^ as de · 21ηβρβ1βϋ · 3ηι # only ä * Q behind the? Otoplatto a Potoselte is arranged «dl · b» l the scanning according to the unexposed bsw «b« Elevated en me nt en by Lloht btaofaohlagt or not · The transforms da · Lioht » ignal in "in" ur further? itane geelgiiötee olektrieehee Signal, ffeeentlloli · üfao atell b ** itst

* 3—* 3—

BAD ORIGINALBATH ORIGINAL

·■*· 149958S· ■ * · 149958S

di·»a· Verfahre* Ια der Hinaioct, daß der Sohreibfleot der OberfiKob· der Katodenetrehlrtthr« relativ groß ist uaddi · »a · move * Ια the Hinaioct that the Sohreibfleot the OberfiKob · the Katodenetrehlrtthr «is relatively large uad daß duroh dl· SnezgtfttiiHtfc&dliine dt* £&a*g&· des Elekteensu-that duroh dl · SnezgtfttiiHtfc & dliine dt * £ & a * g & · des Elekteensu-

•treble Is Llohteacrfie «a Sahir* der• treble Is Llohteacrfie «a Sahir * der er&itliah· SaereierarXoate »iat«*tee, dl· setatiadlgkelt auf einig· liaaflert ns ps*e Bit ttrbi&en· SIa entepreohender Secbteil •»gibt sich auoh bela t©*«n der Ißforeatiori, da d«e von der Totoseile ereeugte elektrlsehe Signal loiEtun««aäßlg kleie gegenüber der primären leistung des 21oktronetiBtrohlee der Katodenstrehlruhre 1st« Dieser arÖSenordnun^en botragende Leistuogoverlast int natürlich mit einer ttedueiarung der Lesegeschwindigkeit verbunden« üia weiteres bekannt·· Verfahren der Datenspeicherung unter Auftaut tun,? von 'iloktroaenstrahlen besteht in der gezielten Abnoheldunr, *on polyoerlsationaeohichten auf sietallicahon Unterlagen« t»ü* aus der Gasphase an Ort der Elektronenstrahls! mrirkunge Das Lesen der Information erfolgt dabei eboofalls tait dem Elcktroaeastrahlt wobei die unterschiedliche oakundär-l'lektroneneiaißoion der Oberfläche der Unterlage und der der auf poljfocrieierten, schicht sin Srkennen dee entsprechenden gespeicherten ßlnärwertes ausgenutzt wird· Nachteilig ist bei diesen Verfahren, daD bein Lesen die den linärwerten MCM baw# "1M entsprechenden Glgnale sieh nur durch eine relativ klaine Differenz unterscheiden·er & itliah · SaereierarXoate »iat« * tea, dl · setatiadlgkelt on some · liaaflert ns ps * e bit ttrbi & en · SIa entepreohender secbteil • »is reluctant to load © *« n the Ißforeatiori, because the signal was electrified from the dead rope loiEtun «« aäßlg bran compared to the primary performance of the 21oktronetiBtrohlee of the cathode tube is «This arÖSenordnun ^ en offers great power overload int of course connected with a reduction of the reading speed. of 'iloktroaenrays consists in the targeted Abnoheldunr, * on polyoerlsationaeohichten on sietallicahon documents « t» ü * from the gas phase at the place of the electron beam! The information is read eboof if the elctron emits it, whereby the different oak secondary electrons of the surface of the base and that of the poljfocrieierten layer are used to recognize the corresponding stored linear value.Disadvantage of these methods is that when reading the linear values M C M baw # "1 M corresponding equations can only be distinguished by a relatively small difference.

Erfindung liat den /iwtok, unter Vermeidung der Sachtelle des Standee der feohnlk ein Verfahren und ein Speichernediun ßU schaffen, r.dt denen hohe 3pelcherkapasltäteat hohe SInspeloh«rungsgttschwind igkelten und kleine Zugriffeisciten n5glieh sind·Invention liat den / iwtok, while avoiding the matter of the status of the feohnlk, create a process and a storage process, r.dt to which high 3pelcherkapasltätea t high awareness levels and small access rates are necessary.

009831/1252 "4-009831/1252 " 4 -

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugruad«, die hohe Ablenkgeschwindigkeit tuad Leiatungsdichte eines auBzunuteen« .The invention is based on the task of reducing the high deflection speed and conduction density to take advantage of «.

Die Aufgabe wird dadurch gelöst» daß erfindUAgsgedSQ stxr Dtitaaspei ehe ruog unter Verweaduxig einer in äw«! aufelaenöar ■enkreoht stehenden Kocrdinatenriahtursgen ableokbaren Kiek« tronenatrahleonde als Spelcherraediuia ein unter der Einwir*· ktyag der Elektronenstrahlsonde sieh am unmittelbaren Einwirkort bei der Sinepeloherung in flüchtige Bestandteil» zersetzendes folienartigee Liateriel verwendet wird, derart, daß ala Speichermarkierung eine öffnung entsteht» durch die ein sum Lesen verwendeter Elektronenstrahl oder ein wesentlicher Seil daoselben »ur weiteren Verarbeitung der Information ein erforderliches Stromeignal erzeugend, hlndorchtritt und auf einem hinter dem ST>elchermediuin angeordneten iJlektronenauffänger direkt aufgefangen wird· Der "ilektrononstralil v/ird beim iiinopcichorn und Leccn durch öle gleiche elektronenoptische Anordnung durch geeignete Änderung der die Ulektronensonde bestimmenden Parameter erzeugt und ee wird durch Arrioriing dieser Paraneter die Leistungsdichte beia Lesen gogenllber rlen Einspeichern verrlngertf wobei insbesondere die Jeschleunigungsepannun^ des Blektronenetrehles herabgesetzt wird· 3eim Umschulten dee 21ektronenotrahles von ^inepoiehern zum Looen und umgekehrt v/ird gleichzeitig rait der BeBohleunisungßepannunß zur Herabbzw· Herauf »et sung der Leletun^dlohte die Ströme und Spannungen der Linien an den Ablenkeinheiten und anderen elektronenoptiachen Bauteilen so umgeschaltet9 daß der elektronen«The task is solved by "that inventedSQ stxr Dtitaaspeihe ruog under Verweaduxig one in äw"! on a lelaenöar ■ enkreoht standing Kocrdinatenriahtursgen detachable Kiek "tronenatrahleonde as Spelcherraediuia one under the influence of the electron beam probe see at the immediate place of action during the Sinepeloherung into volatile constituents" decomposing foil-like "Liateriela is created through the use of a memory mark Reading the electron beam used or an essential rope for it, generating a necessary current signal for further processing of the information, strikes and is directly collected on an electron collector arranged behind the ST> elch medium A suitable change in the parameters determining the electron probe is generated and, by arranging these parameters, the power density is lengthened when reading evenly over real storage, whereby in particular the acceleration voltage it is reduced Blektronenetrehles · 3eim retrained 21ektronenotrahles dee of ^ inepoiehern to Looen and vice versa v / ith at the same time BeBohleunisungßepannunß Rait to Herabbzw · Up "et solution of Leletun ^ dlohte the currents and voltages of the lines to the deflection units and other electron-optical surfaces components so switched 9 that the electrons «

IkIk

f.f.

- 5 -009831/125 2- 5 -009831/125 2

BAD ORIGINALBATH ORIGINAL

optische Strahlengang erhalten bleibt· Das Speicheraedittm zur Durchführung dee Verfahrens ist dadurch gekennzeichnet, daß das Speichernadium erfindungsgemäß aus einer freitragenden gespannten Folie besteht, die gegebenenfalls zur Vermeidung von Aufladungserscheinungen auf der äera Elektronenstrahl zugewandten Leite mit einer dünnon, elektrisch leitenden und wit Masse in Verbindung stehenden Schicht überzogen ist»optical beam path is preserved · The storage area for performing the method is characterized in that the storage area according to the invention consists of a cantilevered tensioned film which, if necessary, is connected to a thin, electrically conductive and white ground to avoid charging phenomena on the wire facing the electron beam Layer is covered »

Zweckmäßig besteht das Spelchermeditaa aus einer elektrisoh leitenden Grundplatte, auf die eine durch Slektronenstrahlen in flüchtige Bestandteile zeraetzbare Speieherschicht aufgetragen, ist, die ihrerseits von einer dünnen elektrisch leitenden schicht überzogen. 1st* Wahlweise kann über der elektrisch leitenden zusätzlich eine weitere dünne Schicht eine3 durch ilektronenstrahlen in flüchtige Bestandteile zersetzbaren Hatsrials angeordnet sein, über der nochmals eine elektrisch leitende Schicht angeordnet sein kann· Z./lschen den elektrisch leitenden Schichten wird eine elektrische Spannung anßologt. Die elßl:trioah leitende Grundplatte ist gleichzeitig ale Sloktronenauffänger ausgebildet·The Spelchermeditaa expediently consists of an electrical system conductive base plate, onto which one is exposed by electron beams applied vapor layer that can be decomposed into volatile constituents, is, in turn, covered by a thin electrically conductive layer. 1st * Optionally, over the electric Conduct another thin layer that can be decomposed into volatile components by electron beams Hatsrials be arranged, over which again an electric conductive layer can be arranged · Z./ delete the electrically conductive layers becomes an electrical Voltage anßologt. The elßl: trioah conductive base plate all sloktron catchers are trained at the same time

Im weiteren wird nun das erfindungsgeriäße Verfahren rait dem erfindungageraäQen speichemediura derart ausgebildet, daß die οbore elektrisch leitende Schicht mit einem an. sich bekannten ..e^olkröi3 zur selbnttätigen Poeitioniorunp: der ::ie!:troneaflonde verbunden v/ird, und daß als Kriterium für die Positionierung das Minimum deο auf die .obere elektrisch leitende üchicht fallenden Slektronenetroraee bzw* das Maximum des durch dl· entsprechende Markierung auf den Elektronenauffäa-The method according to the invention will now be used in the following erfindungageraäQen storage mediura designed in such a way that the οbore electrically conductive layer with one on. known each other ..e ^ olkröi3 for self-acting Poeitioniorunp: the :: ie!: troneaflonde connected v / ird, and that as a criterion for the positioning the minimum deο on the .obere electrically conductive üchicht falling Slektronenetroraee or * the maximum of the by dl corresponding marking on the electron receiver

009831/1252009831/1252

ger auftreffenden Stromes verwendet wird. ■Zur Speicherung von Analogwerten wird sweokmäSigerwelee ,ein* der Größe der au speichernden Werte entsprechende Fläche in der Speicherfolie durch Strahlablenkung der Elektronensonde in nur einer Koordinatenrichtung auegearbeitet· Se ist vorteilhaft, zum Lesen der gespeicherten Informationen eine in gleicher Weise wie beim Einspeichern abgelenkte Blektroaensonde au verwenden» Der Analogwert wird dabei aus de« jjeil der Ablonkaeit beotiocat, wöhronddem die Elektroneneonde durch die Aussparung in der Speloherßchicht hindurohtrltt. Eer lilektroaenstrahl wird zum Lesen zweckmäßig durch elektronenoptische Abbildung einer alt; konstanter Stromdichte beleuchteten Beende erzeugt« Das Bild der Blende 1st dabei größer oder gleich der maximalen Fläche der Speicheröffnung in dem Spolohermedium. Der proportional durch die Fläche der Speicheröffnung hindurchtretende Strahl3trom wird dann'als Analogsignal verwendet· Da beim Lesen der gespeicherten Informationen das Abfragen des Speichere an die zeltlich unveränderliche Koordinatenlage des Speicherpunktes gebunden 1st« let es vorteilhaft» die Speicherechicht nicht als freitragende Folie, sondern als Schi cht kombination aiii" einer formstabilen Platte auszuführen. Dabei ist die Schicht m aufzubauen« daß keine unzulässige '/erringeru.ng des Blgnalabatandes zwischen dem Wert "0" und dem v/ert "1" auftritt· Das kann durch eine Aufteilung der üpeieherßchicht mit swiachenliegenden elektrisch leitenden dünnen Schichten« die ihrerseits als Äbenugelektroden für beim Lesen in die Schicht eindringende Elektronen dieseQf erreicht werden. Dadurch wird «■ auoh nogllah»ger incident current is used. ■ To store analog values, sweokmäSigerwelee, an area in the storage film corresponding to the size of the stored values, is worked out by beam deflection of the electron probe in only one coordinate direction Use "The analog value is thereby determined from the" each of the Ablonkaeit, while the electron probe passes through the recess in the Speloher layer. Eer lilektroaenstrahl is useful for reading by electron-optical imaging of an old; The image of the diaphragm is greater than or equal to the maximum area of the storage opening in the spherical medium. The beam current passing proportionally through the area of the storage opening is then used as an analog signal. Since when reading the stored information, the querying of the storage is tied to the temporarily unchangeable coordinate position of the storage point, it is advantageous not to use the storage layer as a self-supporting film, but as a ski CHT combination aiii "perform a dimensionally stable plate. Here, the layer to build up m 'that no inadmissible' /erringeru.ng of Blgnalabatandes between the value" 0 "and the v / ert" 1 "· This may occur by dividing the üpeieherßchicht with electrically conductive thin layers lying beneath the layer "which in turn act as electrodes for electrons penetrating the layer when reading. This results in" auoh nogllah "

1 - 7 - 1 - 7 -

,001831/1252 ' . bad original, 001831/1252 '. bad original

14995έ·514995έ 5

die Grundplatte aleiehaoltig als Eltktrone«*s-ff 8«β«ρ »tfthe base plate as an elementary crown «* s-ff 8« β «ρ» tf nutzen·to use·

Ua auoü bsi diesen Aufbau • dee Speien*«* bai eai*r großem 3p#l«her*ermögjiÄ gegebenenfalls «of tr»tendfAmong other things auoü bsi this structure • dee spitting * «* bai eai * r large 3p # l «her * enables« of tr »tendf if necessary zwischen dm KoorÄlnfttÄoeyet«» dor $pdioh*£pfcftti· ^äd/dbetween dm KoorÄlnfttÄoeyet «» dor $ pdioh * £ pfcftti · ^ äd / d des ftbtoeteuden Bltttroneaetrefalte i© iAre» rjuflttö, «afdes ftbtoeteuden leaf troneaetrefalte i © iAre »rjuflttö,« af

Lesen der lnfenmtiipa aueattiwtileßen» ^ ^Read the lnfenmtiipa aueattiwtileßen »^ ^ Speictisruae der Biniywwrt« S^ioheaSpeictisruae der Biniywwrt «S ^ iohea

die Über ain an eieh bafcÄHHfcee Regeleyetea ständigThe over ain an eieh bafcÄHHfcee Regeleyetea constantly oorgen, daß das Koordinitatusyatem d«e Sp at eher a eich eilt ^ β«oorgen that the coordinatatusyatem d «e late rather hurries ^ β«

άββ lösenden Elektronenstrahl!*« deokt* · ■Dissolving electron beam! * «deokt * · ■

Da in Interesse einer raögliohet hohen Cinepeiohergeechwiadigkalt die Leistungsdichte iffl Schreibfleck raößliohst hoeh □ein noil» v/ird vor2Ugewei3e mit cinar BeBChleunigungsspanrituag der ^lektrooeneonde von 40 bis 80 kV gearbeitet· Dft beii LöFdu dos Speicherinhaltβ die Leistungsdichte Im Abtastfleck relativ klain. sein kann, wird die Beeohleunigungeapannttas vorzugev/eiae auf Werte von einigen kV beeohränkt. Dae erraö^- licht ^leiohaoitiß eine Erhöhung der Ablenkgeeohwiodi^keit des LeBestrahlea gegenüber'dem Einepeicherstrahl· Die tecnnisch-ukonominohen Auswirkunaen« insbesondere der technische Fortschritt, der Srflnduns» sind darin zu sehen, in AUanutauac der /orteile der schnellen r>tsuerbBrf;olt dee Claktroucnctrahleß und unter Verraeidung der den bekennten /erfahren a^ihaftonden Nachteile sowohl eine, kurse 2ugriffe-23it r.lß auch eine große Speicherkapazität bei gleichzeitig tochoischen Aufwand pro Bit erzielt» Dabei wird dl«Since in the interest of a higher Cinepeiohergeechwiadigkalt the power density iffl writing spot rößliohst high □ a noil »v / will be worked before 2Ugewei3e with cinar acceleration span rituag the ^ lektrooeneonde from 40 to 80 kV · Dft beii LöFdu dos memory contentβ the power density in the scanning spot relatively klain. can be, the acceleration is apprehended vorzugev / eiae limited to values of a few kV. Dae erraö ^ - light ^ leiohaoitiß an increase in the diversion period of the life beam against the single storage beam The technical and economic effects, especially of the technical progress, the "erflnduns" can be seen in it, in AUanutauac the advantages of the fast r> tsuerbBrf; olt dee Claktroucnctrahleß and in disgrace of those who professed / experience a ^ ihaftonden disadvantages both a, courses 2 accesses-23it r.lß also a large storage capacity at the same time tochoic effort per bit achieved »here, dl«

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auflgeatttftl, dasauflgeatttftl, that

Baal·» i» eittfaaheten FalleBaal · »i» in the case of a trap

aanitttXbaren 51a»lrkort, rollpttodle aa* irü«1t»*iwifiJfin« tu flüchtige Bestandteile eerltgi «vrd«!^ eo iWS aaaanitttXbaren 51a »lrkort, rollpttodle aa * irü« 1t »* iwifiJfin« tu volatile constituents eerltgi "vrd"! ^ eo iWS aa

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Papier Bohrungen alt eine« Berthe» eeer von.Paper bores old a «Berthe» eeer of.

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mäßig 1 im. erteugt werden können. ^ >: moderate 1 im. can be dared. ^ >:

Des Verfahrtn tür Speicherung vom Binarwerte» tettetit ·β*1* darin, daß β·Β· der Wert W1" durch Sreemgang »lnee Durohbxu*» chei in dem 3peiohemediua fixiert wird» während de« Wert *0β The procedure for storing the binary values "tettetit · β * 1 *" is that β · Β · the value W 1 "is fixed by Sreemgang" lnee Durohbxu * "chei in the 3peiohemediua" while the "value * 0 β ein unbearbeitetes Uatrixelemont entερrieht·an unprocessed Uatrixelemont entερrieht

Die Abtnetun^; der ßeopeioherten Information ewfolgt ebenfalle durch eine Slektronensonde, wobei bei» Abfragen eines gebobrten Ilatrixolectentes der Elektronenstrahl dae Speionerawdloi paeeiert, von einem Elektronenauffänger aufgefangen und dae Signal damit weiterverarbeitet werden kann» Die Elektroneneondea sub Blnepeiohem ttad X«vec werden vor*- sugewelse durch die gleiche «£«ktrone»optische Anordnaag dor«h geeignete Änderung der die Sonde b»·tiaa^aden fftraneter er* .veiterhin bestehen die Vorteile darin« daß keine Leirerlustc durch Energleiaewandlung entstehen, so daß die zur Markierung eines Hatrlxeleiäentee erforderliche Energie, die avmr höher als die sur SchwOrzwhZ oinor ?otoplatto erfoiv clörliolie iat, ber<si1is in Zelten ron grÖ3caordmmgaaSl?lg 1 lifl aufgebracht werden kann*The Abbotship ^; the received information is also obtained through a slectron probe, whereby when a born Ilatrixolectent is queried, the electron beam dae Speionerawdloi paeee, captured by an electron collector and the signal can thus be further processed "Trone" optical arrangement therefor a suitable change of the probe b "tiaa ^ aden fftraneter er *. Furthermore, the advantages are that there is no loss of void due to energy conversion, so that the energy required for marking a hatred tea, the avmr than the sur SchwOrzwhZ oinor? otoplatto erfoiv clörliolie iat, about <si1is in tents ron grÖ3caordmmgaaSl? lg 1 can later be applied lifl *

a. 9 *m a. 9 * m

308831 /mi BADO^MAL 308831 / mi BADO ^ MAL

!deiner· Abmoistingtn 4«s Matrixelement^a, da la Vergleich £ttr Fotoplatte kein« Begrenzung durch dl· Koragrtlße dee 7oto8peiahejmiterlale auftritt and damit ei* Gewinn an Spei ohcrkapa»!tat erxielt werden kann*! your · Abmoistingtn 4 «s matrix element ^ a, da la comparison £ ttr photo plate no «limitation by the Koragrtlße dee 7oto8peiahejmiterlale occurs and thus a profit Spei ohcrkapa »! Tat can be obtained *

Vrreiohbere SpeioherkapftsitKt pro Speleherelnheit ble rund tO8 oder «ehr Bit,More storage capacity per storage capacity remains around to 8 or more bit,

QIa wesentlicher Vorteil bedn Lee β ti dee Speicherinhalt β entsteht dadurch» dafl entweder kein (z«B· wert "0") oder der gesamte Slektronenetro» (a.B# fferl "1") auf den Meßauffänger fällt« wobei der Heöetroa ble größexiord nuns «mäßig 1 oA beträgt·QIa essential advantage depends on Lee β ti the memory content β this results in either "no" (z "B · value" 0 ") or the entire Slektronenetro »(a.B # fferl" 1 ") on the measuring catcher falls «whereby the height of the troa ble exiord is now« moderately 1 oA.

Damit sind vom LeeaYerfahren her prinzipiell ZugriffeseIten von grußenordnungemäßlg 1 um möglieh· Das dem /art "1" zugeordnete Signal besitzt damit einen we sent IiOh grOSeren Abstand su den dee V/ertee "O" ale bei den bekannten Verfahren auf der*Grundlage von Slektronenetrohlen»This means that the LeeaYerfahren forth principle accesses pages from grußenordnungemäßlg 1 to möglieh · The the / art so that "1" associated signal has a we sent IiOh grOSeren distance below the dee V / ertee "O" ale in the known methods on the * based on Slektronenetrohlen » Anhand eines Auaführungebeiepielee und der Zeichnung ooll die ßrfindang näher erläutert werden» Xn der seiehfitttte exigentOn the basis of an execution example and the drawing ooll which are explained in more detail » Xn der Seiehfitttte exigent

Fig« 1t den Strahlengang einer ll*kta«nea»trahleeade in einer Slnrlolitiiag gemü.€«r Erfindung in prinzipieller Darstellung,Fig «1t the beam path of a ll * kta« nea »trahleeade in a policy according to the invention in a basic representation,

Fig· 21 einen Schnitt duroh ein Speichermedium, PieS· 3 t sin Speicher Boheaa ge«ä0 der Erfind uhr· Sl^ktronnneoncle 1 wird eraeügt dui»«h21 shows a section through a storage medium, PieS · 3 t sin Speicher Boheaa ge «ä0 of the inventor clock · Sl ^ ktronnneoncle 1 is offered dui "" h

BADBATH

-ίο- 1*995*5-ίο- 1 * 995 * 5

3 and 4. ils BlektronenstrAhler wir* 4abe4 ein Dreielektrodenayetei·, be β*«head au« «iatr Ifi&toä· 5** tätig·**' Steuerelektrode 6 und der Beeohlgιιηΐ gangaflek tr»df ti3 and 4. ils metal electron beams are included Three-electrode array ·, be β * «head au« «iatr Ifi & toä · 5 ** active · ** ' Control electrode 6 and the Beeohlgιιηΐ gangaflek tr »df ti

nut at. Der SiO8p«4«ke2V and Iiteevorgftag «rfolgt aua #0* di· Elektronen^orldt · 1 Über tntepreaiiend· A¥Xp|iJCi|>wn»mHBBn " ax) den Ab^enkeinlvstttfi a und 9 xu eiaem 14ϋΗ*ι)·Λ Btt^rt 10 mit den gedaohtaa Koordinaten X1; Y1 attf'ftin Sp«lch*r«»di«» 11 abgelenkt wird* Kaoh SrrtlÄen d«r de«k Koordläa*·* X^t T^ dee PUAktofc 10 entepreehtndWi Ablenk^ianmmeen. irlrd dt· BlektrooeoBoad· 1 entweder durejh etrteprechend* AttfWetung . de».Blektroaweet«^4tir jttber dt· Steuw«ielr»rod· 6 oder ·ϋ* -v suetttsliohB«: erde*iU#a· AbUnlMgreteji JS^ fingeei>heJL$«t bavr« in die elektroneaoptieeh· Adh»· geleaki· min wird b#i hl». reichender Leistun^dichte and Einwirkdauer «it Tunkt 10 bei einer zu opeicheradea biaäsüß * ein Loch entstehen "bzw* bei*! Leeen dureh ein bereits vorhandenoe Loch der llektronenstrom duröh. das Speicherraedium 11 hindurchtreten, tun von einem "Jloktronenauffänger 13 aufgenormen zu werden. Dar im Falle df β Lesens an einem Anschluß H des Blektronenauf fanners 13 abgrti/bare StromiKpuls kann z\xv weiteren Verarbeitung des το« Spei eher gelieferten Signalee dienen.» Die ströme baw· Spannungen der elektronenoptleoben Linsen 31 4 v/erden beim Umschalten der Beschleunigungsspannung γοα .einspeichern zum Losen so umgeschaltet, daß die Abblldungs- , bedinfiunt^en erhalten bleiben und damit der sowohl sum IJInr.pel-eiiom als auoh zw,i Lgbqix dienende kleinate Burertmesmer der ^loLti'oriönsöade 1 stöto in ö.qv Mbaise daß Π IUrI _ nut at. The SiO8p «4« ke2V and Iiteevorgftag «takes place aua # 0 * di · electrons ^ orldt · 1 via tntepreaiiend · A · Xp | iJCi |> wn» mHBBn "ax) the ab ^ enkeinlvstttfi a and 9 xu eiaem 14ϋΗ * ι) · Λ Btt ^ rt 10 with the gedaohtaa coordinates X 1 ; Y 1 attf'ftin Sp «lch * r« »di« »11 is deflected * Kaoh SrrtlÄen d« r de «k Coordläa * · * X ^ t . T ^ dee PUAktofc 10 entepreehtndWi deflection ^ ianmmeen irlrd dt · · 1 BlektrooeoBoad either durejh etrteprechend * AttfWetung de ".Blektroaweet" ^ 4tir jttber dt * Steuw "ielr" rod · 6 or · ϋ * - v suetttsliohB ". * earth iU # a · AbUnlMgreteji JS ^ fingeei> heJL $ «t bavr« in die elektroneaoptieeh · Adh »· leaki · min will b # i hl». Reaching power density and duration of action «it point 10 with a too ospeicheradea biaäsüß * create a hole "or * at *! Leeen through an already existing hole through which the electron flow passes. the storage medium 11 pass through, to be recorded by a "electronic recorder 13. In the event of reading at a connection H of the sheet-metal collector 13, the current pulse can be used for further processing of the" memory earlier delivered signals. " The currents baw · voltages of the electron optleobe lenses 31 4 v / ground when switching over the acceleration voltage γοα .steinspeicher to release so that the imaging , conditions are preserved and thus the sum IJInr.pel-eiiom as auoh zw, i Lgbqix serving kleinate Burertmesmer der ^ loLti'oriönsöade 1 stöto in ö.qv Mbaise that Π IUrI _

BAD ORIGINALBATH ORIGINAL

Sn Λβ· 2 let ·1α« sweeksttSlge Augftthrungefor» »ines niont freitragenden SpelehttMediti*· 11* dee i» oeeeae*tt;sa «luff . freitragenden ftpeioherfolle 4·« Vorteil grüBere? »eahs*ieo*er Stebilitit beeitst« wiedergegeben«· De» Spelehe«*e4te»1il bei; •tefct deneoli «ti» einer Mt*bUea elektric* 1·1>«η4«Ι ρί·*%· 15f «or der ei·Sn Λβ · 2 let · 1α «sweeksttSlge Augftthrungefor» »ines niont self-supporting SpelehttMediti * · 11 * dee i» oeeeae * tt; sa «luff. self-supporting ftpeioherfolle 4 · «advantage bigger? »Eahs * ieo * er Stebilitit beeitst« reproduced «· De» Spelehe «* e4te» 1il bei ; • tefct deneoli «ti» of a Mt * bUea elektric * 1 · 1> «η4« Ι ρί · *% · 15f «or der ei ·

der flpelehereohtoht 1£ Mnfr einer ärensfiohieht 18 i*t eine dünne elektrieen leitende Z«l*ehene4hioht 17 aufgebracht» ale Breaieehieht 16 kenn naeh eben hin neehetole von einer elektrieoh leitenden 19 ebgeeqhloeeen werden« eofern die· eine etßrende der. Oberfläche eaferderlieh tfaebt« . .the flpelehereohtoht 1 £ M n for an electrical conductor 18 is a thin electrically conductive number 17 applied "ale Breaieeheme 16 knows close to neehetole of an electrically conductive 19 ebgeeqhloeeen" if the · an ßrende of the. Surface eaferderlieh tfaebt «. .

Die sohlehtdlekea. *l*d vorettgftwvlee eo m beäeeeen« defl bei der bentttaten Β»·«&1 MA^igiWgeepaanttng beta I*een die Cieke der Breneeohieht ti ^M&&& ^ nl» dl« Beftetovel&e der elektronen in Ihr« Bei einer Iäowuis.^-^· "\ ■ ' m&M whn kY eleh eine Dioke der areneeohleht 18 voü @äßi; dee «· eau ten SpeloherMedlaM« ,eaJerneAb der Grvadplatte 15» 1st vorauf,ewelee auf einen Vert beeohrinkt» der kleiner al* die Reichweite der filektressen bol der Einepeleherbeeohleunl· let« Öle leitenden Sohlenten eine am «inen leitenden» aber Mit MOgliehet gering«« ftneagit«» aufwand rerdaapfenden Material« wie AluBlnlt» oder QoId9 oder' auoh elektrieoh leitenden organleehen Materiell, in Diaken ren einigen XaaoBetam hereustellen· Aufgabe der leltenAen 2wl« eoheneohieht 17 let eef bein Lesen de· «fertee «0** in die Breeiaeohioht 18 eindringende Slektron®ii absiileiten» un su Yernelden, da? die <$lelehzoitig sl& BIektronenattffSs&t&x fleaende Grundplatte 15 ein Signal erhält«The solehtdlekea. * l * d vorettgftwvlee eo m beäeeeen «defl at the needed Β» · «& 1 MA ^ igiWgeepaanttng beta I * een die Cieke der Breneeohicht ti ^ M &&& ^ nl» dl «Beftetovel & e of the electrons in your« At a Iäowuis. ^ - ^ · "\ ■ ' m & M whn kY eleh a dioke of the areneeohleht 18 voü @ äßi; dee« · eau ten SpeloherMedlaM «, eaJerneAb der Grvadplatte 15» 1st ahead, ewelee peeks at a vertex »smaller than the range of the filektressen bol the Einepeleherbeeohleunl · let "oils conducting Sohlenten a senior at" inen "but with MOgliehet low« «ftneagit""expense rerdaapfenden material" as AluBlnlt "or QoId 9 or 'AUOH elektrieoh conducting organleehen Materially, in Diaken ren some XaaoBetam hereustellen · task of leltenAen 2wl «eoheneohoht 17 let ee f on reading de ·« fertee «0 ** in the breeiaeohioht 18 penetrating Slektron®ii absiileiten» un su Yernelden that the <$ lelehzoitig sl & BIektronenattf fSs & t & x fleaende base plate 15 receives a signal «

0Ö8831/1252 bad —«1NAIr 12 "0Ö8831 / 1252 bad - « 1NAIr 12 "

. ta:· - - V 14919585. ta : - - V 14919585

Die Anwendung des Verfahrens eur Speicherung von Analogwerten wird möglich* wenn mit der Klektreneneond« 1 s*B» eine Off· nong in Speleheraedlu* 11 erteugt wird» daran Flächeninhalt proportional zum entsprechenden Analogwert iet· Das wird rsreugeweiee dadurch reell ädert, defl der eateprechettfie Analogwert in eine proportional· Ablenkung der Blektron*neohde Überführt wird· Der Flächeninhalt der entsprechend en reehteokfdrmigen uffnang^lot dann auoh proportional au» au speichernd en Analogwert«The application of the procedure eur storage of analog values becomes possible * if the Klektreneneond «1 s * B» is an off · nong in Speleheraedlu * 11 it is ugly 'area proportional to the corresponding analog value iet · That will rsreugeweiee thereby really changed, defl the eateprechettfie analog value in a proportional · deflection of the Blektron * neohde The area of the corresponding square-wave shape is then transferred proportionally to the "stored analog value"

Pi*;. 3 se igt das Speiohereohetta für den Pail eine« b*ndförmigen Speioharaediuae 20« Dee ,Speicherrodltaa 20 let «Inge teilt in einaβIne Spβlohereellen 21, in die der entsprechende Analogwert In Fora tob Schlitten 22. eingearbeitet wird» pie Abtastung erfolgt in umgekehrter Tteiee, wobei die Zeit, während der die Blektronensond« 1 über dem Sohllts 22 abgelenkt wird, In eiuA proportionale Slgnalgrtfß« umgewandelt vdrat Dao Vorfaliren ditrfte wegen der großen Sp^iQherdiohjfce ni i V&rteil siir Speieherung νοπ Fernsehbild ei:-n geeignet Pi*;. 3, the storage space for the Pail shows a "band-shaped storage space 20" Dee, storage rodltaa 20 let "Inge divided into individual spherical cells 21, into which the corresponding analog value is incorporated in Fora tob slide 22." pie scanning takes place in the reverse part, wherein the time during which the Blektronensond «1 deflected over the Sohllts 22 In eiuA proportional Slgnalgrtfß" converted vdrat Dao Vorfaliren ditrfte because of the large Sp ^ i V & iQherdiohjfce ni Advantage siir Speieherung νοπ television picture ei: -n suitable

Stfltt äö-r hlf-i-V.^i 0ftteteheaäaa eehlitsfuroigc-B.Stfltt äö-r hlf-i-V. ^ I 0ftteteheaäaa eehlitsfuroigc-B.

in iiQhi SpRiGh*Tir-'>cßifiE; Ißgßeii sieh, nattträleiiin iiQhi SpRiGh * T i r - '>cßifiE; Ißgßeii see, nattträleii

Hin;. pr<^hmi6.^- ti* gkir:lThere;. pr <^ hmi6. ^ - ti * gkir: l

gifit-1 i*f;i; iittüüFtmiUinci eiaeip FlEehc im. Spülste»;ödiisrä 20gifit-1 i * f; i ; iittüüFtmiUinci eiaeip FlEehc im. Sink »; ödi is r ä 20

'Λίΐάι-ΛνΫα\. :.n CEiIiJ5Gf tose Die S$ittict.lfspäftsi βϊ^'ύΐί pSafa dann 'Λίΐάι-ΛνΫα \. : .n CEiIiJ 5 Gf tose The S $ ittict.lf s päftsi βϊ ^ 'ύΐί pSafa then

ni· -i /^jFf-'jil '·ί;βπ&» /ißfan^Bpunkteß sun Endpunkt nue, wae ni · -i / ^ jFf-'jil '· ί; βπ & »/ ißfan ^ Bpunkteß sun end point nue, wae

Claims (1)

/Ii/ Ii 1« Verfahren aur Datenspeicherung unter Verwendung einer In iwei aufeinander aenkreoht stehenden Koordlnateitrlohtengen ableitbaren tälektronenetrahlsond«» dadurch gekena· *elehnet, daß «le Speiehereedi IM ein unter der Einwirkung ύ·$ Blektroüenatraiüie*** »loh ex unmittelbaren Sinwlrkort bei der Si nap ei ehe rang Io flüchtig« Bestandteile zersetzende« folienartigea Material rerwendet wird, derart« daß als Speichermarkierung eine Öffnung ent steht» duroh die ein iua Lesen verwendete* Blektroaenetrahl oder ein wesentlicher 2eil deeaelban aur weiteren Verarbeitung der Information ein erforderliehe« Stromsignal erseugend .1 "Process for data storage using an electron beam probe, which can be derived in two rows one on top of the other," is denoted by the fact that "the storage device IM is an exi direct sinwlrkort under the influence of" Blektroüenatraiüie *** " before a volatile "foil-like material that decomposes components is used, in such a way that an opening is created as a memory marker" through the bleed-ray beam used for reading or a substantial amount of deeaelban for further processing of the information, generating a required current signal. hindurchtritt und auf el neu» hinter des Spei ohanaed lim angeordneten Slektroaenauffttager direkt au. !,.»fangen wird·pass through and on el neu »behind the Spei ohanaed lim arranged Slektroenauffttager directly on. !,. »Will catch · 2» Verfahren nach Anspruch 1» daduroh gekennzeichnet» daß' der 31ektroηβnatrahl beim Einepeiohern und Leβan duroh die glelohe elektronenoptische Anordnung durch geeignete Änderung der die Elektronensonde bostlinnenden Parameter erzeugt wird und daß duroh Änderung dieser Parameter die Leiatunsedieilte beim Leaen gegenüber dem Blnspeiohorn verringert wird, wobei inabeeondore die Beechieunigunge-Bpannung herabgeaetat wird·2 »Method according to claim 1» daduroh characterized »that ' the 31ektroηβnatstrahl when injecting and Leβan duroh the smooth electron-optical arrangement by suitable Change of the parameters of the Boston electron probe is generated and that by changing these parameters the performance of the Leaen compared to the Speiohorn is reduced, whereby inabeeondore the Beechieunigunge tension is acted out 3« Verfahren nach Anspruch 1 und 2, daduroh gekennzeichnet,3 «Method according to claim 1 and 2, characterized by ä.B.2 beim Uraoaho.lt ε η dee ßlektronenetrahleg vom'Sinspeichorn zum Lesen und umgekehrt gleichzeitig mit der Re* sciilounl£;unf-a8?anjiung die Ströme uad Spannungen der an den Ablonksinhsifcon und anderen elcktronenonti5oh.en Dautullen oo ϋ«ι4ςοBehaltet werden» da3 der elektronenoptisch» Sti'ah- Ä.B.2 in the Uraoaho.lt ε η dee ßlektronenetrahleg vom'Sinspeichorn for reading and vice versa simultaneously with the Re * sciilounl £ ; unf-a8? anjiung the currents and tensions of the Ablonksinhsifcon and other elcktronenonti5oh.en Dautullen oo ϋ « ι 4 ςο are retained »da3 of the electron-optical» Sti'ah- BAD ORIGINALBATH ORIGINAL H99B85H99B85 4- SpeiohezsoditUB star Durchführung dte Verfahrene noch din4- SpeiohezsoditUB star implementation of the procedure still din Ansprüchen 1 bie 3, dadurch gekenaeelah»·*, daÄ ·« AusClaims 1 to 3, thereby gekenaeelah »· *, daÄ ·« from a ■···.■a ■ ···. ■ einer fr«itragond«n gespannten JOl£e btatiht, di·. gtg·- * ieaenfaAl* «ic1 7e*Mldu«g τοη Axl^<kiq(MZV«^*iilttq(i· ii El«ktr«e*e*trahl »»i#tiÄn^ö Sti»· idfa fr "itragond" n tense JOl £ e btatiht, di ·. gtg · - * ieaenfaAl * «ic 1 7e * Mldu« g τοη Axl ^ <kiq (MZV «^ * iilttq (i · ii El« ktr «e * e * trahl» »i # tiÄn ^ ö Sti» · idf 0t«h0od«A SotUebt ttfcttwtff* iet. >0t «h0od« A SotUebt ttfcttwtff * iet. > 5. Speiohenwdloa n»oh iiüprook 4» iadureh5. Speiohenwdloa n »oh iiüprook 4» iadureh daß suf ·1αβ eltktrtiea lelitnd· orumtplatt· 4%m that suf · 1αβ eltktrtiea lelitnd · orumtplatt · 4% m In fiüefctig« MtandteU«In fifty "Companions" wehlwei·· ttb«? 4#jp 1·1Ί9ΑέΙ»Α aiaitbk »taiüfttlM ,mim weiter« düaae Söhleht eia*· durch Älektjrocen*tr«hlen jftwehlwei ·· ttb «? 4 # jp 1 · 1Ί9ΑέΙ »Α aiaitbk» taiüfttlM , mim weiter «düaae Söhleht eia * · through Älektjrocen * tr« hlen jft ißt, über dpr ao4faMl· eim elejctrisoh leltende SeMcM angeordnet lein kann, and d«0 «riechen den elektrisch Sehlchtea «ine el«ktri*ehe Spannungeats, about dpr ao4faMl · eim elejctrisoh leltende SeMcM arranged lein can, and d «0« smell the electric Sehlchtea "ine el" ktri * before tension und die «X«ktri»eh l«jbt«nd« Orundplett« «leiohseitig el«and the "X" ktri "eh l" jbt "nd" Orundplett "" leiohseiten el " *ueg«bild»t ist.* ueg «image» t is. 6« Verfahren moh AneproeJi 1 ble 3 tint«i» v»r«endung eine« Speiohereediu»· geiaMJS Anep«wh 4 und 5» dadurch gekena- «•lohnet» daß die obere elsktrteoh leitend· Sohioht mit einem an sich bekannton Re^olkreie sur seibottätigen Positionierung der rusktronensonda verbunden wird} und daß als Kritesdua für die Positionierung da« Ml&iatm äüs aii.i die 6 «Method moh AneproeJi 1 ble 3 tint« i »v» r «ending a« Speiohereediu »· geiaMJS Anep« wh 4 and 5 »thereby gekena-« • pays off »that the upper elsktrteoh conductive · Sohioht with a Re known per se ^ olkreie sur self-contained positioning of the rusktronensonda is connected } and that as critesdua for the positioning da «Ml & iatm äüs aii.i die bew# dae Maxiaua de· duroh die gespeichert« Mtrkiertuig auf den Blektroaeaatiffänger «ftftreffend»abew # dae Maxiaua de · duroh the saved « Mtrkiertuig on the Blektroaeaatiffänger "ftftreffend" a verwendet wird« . ■is used" . ■ TV V«*f«hr«tt muh *J*eprueh €# dadmrob «ricenn»elai«iet, deJ : tit» ipnlibtMMi TO^ AaAlogwtrtm *£n· 4«r OrHöö dwf eu *p«i«h»yadi«tt Weft· #nt^pr«rtiend· Filch· la der Sj*loh·** -MA« fluroä 81UMüiliibl«nlcui^ ά·τ BXektreaeaeenäe is »gup •lttMf Ko«rdin*t#nrlehtuae «UHiemrbeiiei trlrd«TV V «* f« hr «tt muh * J * eprueh € # dadmrob« ricenn »elai« iet, deJ : tit »ipnlibtMMi TO ^ AaAlogwtrtm * £ n · 4« r OrHöö dwf eu * p «i« h »yadi «Tt Weft · # nt ^ pr« rtiend · Filch · la der Sj * loh · ** -MA «fluroä 81UMüiliibl« nlcui ^ ά · τ BXektreaeaeenäe is »gup • lttMf Ko« rdin * t # nrlehtuae «UHiemrbeiiei trlrd« 3« V«rf»hrea tiÄah Anepnieh 6 und 7» «Uduroh g«k«tjnaelehnttf dttfi dtte Leeen d»r Infonmtioa littroh «int In i,lelch*p Weis· wi· bei« £ta*p*iahira «bgtl«okt· Slektrenttae&ndi· «rfolfit, und daß äet* Aa*logw»r% mu· dta Stil der Ablenkawdt. rebd des die Blektraaenwnde duroh die Aussparung in die Speiehereohlri^ iüi^uif^lLtrilEt» bteUaat3 «V« rf »hrea tiÄah Anepnieh 6 and 7» «Uduroh g« k «tjnaelehntt f dttfi dtte Leeen d» r Infonmtioa littroh «int In i, lelch * p Weis · wi · at« £ ta * p * iahira « bgtl «okt · Slektrenttae & ndi ·« rfolfit, and that äet * Aa * logw »r% mu · dta style of diversion. rebd of the Blektraaenwnde through the recess in the Speieereohlri ^ iüi ^ uif ^ lLtrilEt »bteUaat 9* Te^atsrett itaoh Aesprach β kit &f dmdi <fnO der IT2*litroneairttrelil iUa Lee·η dn seh«» Abbildung einer mit koaotenter Stroadiehic tfttn Blende erzeugt »virdn uad daß d&e Bild ^UiS*,* ö4»r gleicii der *3*5.η*1·η Fläehs äer nun« la deft Sr«irli«n»diuiB lotf «til dßß de«3 tiöBftl der Fläehs der sp#ielieruf' &trali.!etrotr« al«9 * Te ^ atsrett itaoh Aesprach β kit & f dmdi <fnO der IT2 * litroneairttrelil iUa Lee · η dn seh «» image of a coaotent Stroadiehic tfttn aperture generated »virdn uad that the image ^ UiS *, * ö4» r the same * 3 * 1 * 5.η · η Fläehs OCE now "la deft Sr" irli «n» diuiB lotf 'til dßß de «3 tiöBftl the Fläehs the sp # ielieruf'& trali.! etrotr" al " r c ρ 3 1 /1 ? ? 1 rc ρ 3 1/1? ? 1 Abaway LeerserteEmptied
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