DE1464064C

DE1464064C - Transistor ignition system

Info

Publication number: DE1464064C
Application number: DE19651464064
Authority: DE
Inventors: Peter R D Whitehouse Station NJ Schiff (V St A )
Original assignee: RCA Corp
Current assignee: RCA Corp
Priority date: 1964-09-16
Filing date: 1965-09-15
Publication date: 1973-04-12

Description

Die Erfindung betrifft eine Transistorzündanlage mit einem Schalttransistor, dessen Kollektor über die Primärwicklung einer Zündspule mit der einen Endklemme und dessen Emitter über einen Emitterwiderstand mit der anderen Endklemme einer Gleichspannungsquelle und dessen Basis über einen Spannungsteiler mit den beiden Endklemmen verbunden ist und mittels eines motorsynchron betätigten Schalters zum Leiten bzw. Sperren des Schalttransistors umgeschaltet wird.The invention relates to a transistor ignition system with a switching transistor whose collector has the Primary winding of an ignition coil with one end terminal and its emitter via an emitter resistor with the other end terminal of a DC voltage source and its base via a voltage divider is connected to the two end terminals and by means of a switch operated synchronously to the motor Conducting or blocking the switching transistor is switched.

Bei einer bekannten derartigen Zündanlage hat die Zündspule außer der Hochspannungswicklung eine zweite Sekundärwicklung, die in Reihe mit einer eisengeschlossenen Drossel hoher Induktivität an die Endklemmen der Batterie geschaltet ist. Die Drossel soll den Magnetisierungsstrom der zusätzlichen Sekundärwicklung im Augenblick des Abschaltens des Primärstromes konstant halten, damit der Arbeitspunkt des Schalttransistors trotz der Wirkung der Primärwicklung an das Ende der Magnetisierungsschleife zurückkehrt, da ohne diese Wirkung das Umschalten des Transistors behindert würde. Nachteilig ist bei dieser Schaltung die Notwendigkeit einer speziellen Zündspule und der zusätzlichen Drosselspule.In a known ignition system of this type, the ignition coil has, in addition to the high-voltage winding, a second secondary winding connected in series with an iron-closed choke of high inductance to the End terminals of the battery is switched. The choke is intended to generate the magnetizing current of the additional secondary winding keep constant at the moment the primary current is switched off, so that the operating point of the switching transistor despite the effect of the primary winding returns to the end of the magnetization loop, since the switchover occurs without this effect of the transistor would be impeded. The disadvantage of this circuit is the need for a special one Ignition coil and the additional choke coil.

Bei einer anderen bekannten Zündanlage ist der Emitter des Schalttransistors über eine in Durchlaßrichtung gepolte Diode an die eine Endklemme der Batterie angeschlossen, von der ein Widerstand zur Basis des Schalttransistors geführt ist. Die Basis ist ferner über die Kollektor-Emitter-Strecke eines weiteren Transistors mit der anderen Endklemme der Batterie verbunden, und dieser weitere Transistor wird an seiner Basis-Emitter-Strecke mit Hilfe von Impulsen angesteuert, welche auf magnetischem Wege synchronIn another known ignition system, the emitter of the switching transistor is in the forward direction polarized diode connected to one end terminal of the battery, from which a resistor is connected Base of the switching transistor is performed. The base is also via the collector-emitter path of another Transistor is connected to the other end terminal of the battery, and this further transistor is switched on its base-emitter path is controlled with the help of pulses, which are magnetically synchronized

ίο mit der Motordrehung erzeugt werden: Durch diesen Transistor wird die Basis-Emitter-Strecke des Schalttransistors also periodisch ein- und ausgeschaltet, womit gleichzeitig der durch die Primärwicklung der Zündspule fließende Kollektorstrom des Schalttransistors umgeschaltet wird. Die in der Emitterleitung des Schalttransistors liegende Diode dient als Stabilisierungsmittel für die Emitterspannung zur Reduzierung der Wärmeentwicklung im Schalttransistor.ίο are generated with the motor rotation: By this Transistor, the base-emitter path of the switching transistor is switched on and off periodically, which means at the same time the collector current of the switching transistor flowing through the primary winding of the ignition coil is switched. The diode in the emitter line of the switching transistor serves as a stabilizing means for the emitter voltage to reduce the heat development in the switching transistor.

Die Aufgabe der Erfindung besteht darin, einerseits einen möglichst schnellen Aufbau des Zündspulenprimärstromes zu ermöglichen, damit auch bei hohen Drehzahlen die volle Energie der Zündspule zur Verfügung steht, andererseits aber den Endwert des Primärstromes zu begrenzen, um Beschädigungen der Zündspule bei niedrigen Drehzahlen oder beim Stillstand und eingeschalteter Zündung zu vermeiden.The object of the invention is, on the one hand, to build up the ignition coil primary current as quickly as possible to enable the full energy of the ignition coil to be used even at high speeds Is available, but on the other hand to limit the final value of the primary current to avoid damage to the Avoid ignition coil at low engine speeds or when the vehicle is stationary and the ignition is switched on.

Diese Aufgabe wird bei einer Transistorzündanlage der eingangs erwähnten Art erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß der Spannungsteiler aus das Potential der Basis des Schalttransistors in leitendem Zustand gegenüber den Potentialen der Endklemmen festlegenden Schaltungselementen besteht und daß der Emitterwiderstand so dimensioniert ist, daß der Schalttransistor zu Beginn des Einschaltvorganges in den gesättigten und vor Erreichen des Endstromes in den ungesättigten Zustand gesteuert wird.This object is achieved according to the invention in a transistor ignition system of the type mentioned at the outset solved that the voltage divider from the potential of the base of the switching transistor in the conductive state with respect to the potentials of the end terminals defining circuit elements and that the emitter resistor is dimensioned so that the switching transistor at the beginning of the switch-on process in the saturated state and, before reaching the end current, the unsaturated state is controlled.

Infolge der Sättigungssteuerung des Schalttransistors zu Beginn des Einschaltvorganges kann sich der Primärstrom der Zündspule sehr schnell aufbauen, während er infolge des Zurücksteuerns des Schalttransistors auf einen Arbeitspunkt unterhalb der Sättigung auf einen durch diesen Arbeitspunkt bestimmten gewünschten Wert begrenzt wird. Ein weiterer Vorteil dieser Anordnung besteht darin, daß der Schalttransistor sich aus seinem ungesättigten Zustand schneller in den Sperrzustand schalten läßt und daher keine unerwünschte Schaltverzögerung verursacht. Die Erfindung ist im folgenden an Hand der Darstellungen einiger Ausführungsbeispiele näher erläutert. Es zeigtAs a result of the saturation control of the switching transistor at the beginning of the switch-on process, the The primary current of the ignition coil builds up very quickly, while it is due to the reverse control of the switching transistor to an operating point below saturation to a desired one determined by this operating point Value is limited. Another advantage of this arrangement is that the Switching transistor can be switched faster from its unsaturated state to the blocking state and therefore no undesired switching delay caused. The invention is based on the following Representations of some embodiments explained in more detail. It shows

F i g. 1 eine Ausführungsform der erfindungsgemäßen Transistorzündanlage,F i g. 1 an embodiment of the invention Transistor ignition system,

F i g. 2 eine abgewandelte Ausführungsform der Erfindung undF i g. 2 shows a modified embodiment of the invention and

F i g. 3 eine weitere Ausführungsform der Erfindung. F i g. 3 shows another embodiment of the invention.

Bei der in F i g. 1 dargestellten Schaltung ist die positive Endklemme 10 der Batterie über die Primärwicklung 18 der Zündspule mit dem Kollektor eines npn-Schalttransistors 12 verbunden,, dessen Emitter über einen Emitterwiderstand 14 mit der an das Chassis geschalteten negativen Endklemme 16 der Batterie verbunden ist. Die Basis des Schalttransistors 12 liegt am Abgriff eines Spannungsteilers, der aus einem über den Zündkontakt 32 mit der positiven Endklemme 10 verbundenen Widerstand 64 und mehreren zwischen die Basis des Schalttransistors 12 und die negative Endklemme 16 in Reihe geschalteten Halbleiterdi-In the case of the in FIG. 1 is the positive end terminal 10 of the battery across the primary winding 18 of the ignition coil is connected to the collector of an npn switching transistor 12, its emitter Via an emitter resistor 14 to the negative end terminal 16 of the battery connected to the chassis connected is. The base of the switching transistor 12 is at the tap of a voltage divider, which consists of a the ignition contact 32 with the positive end terminal 10 connected resistor 64 and several between the base of the switching transistor 12 and the negative end terminal 16 series-connected semiconductor di-

öden 48 gebildet ist. Die Halbleiterdioden 48 sind in gleicher Durchlaßrichtung wie die Basis-Emitter-Strecke des Schalttransistors 12 gepolt. Bei geöffnetem Zündkontakt 32 liegt die Basis praktisch auf dem Emitterpotential, während bei geschlossenem Zündkontakt die Basis positiv gegenüber dem Emitter ist und der Schalttransistor 12 zunächst im Sättigungszustand ist. Die zwischen Basis und Emitter wirksame Steuerspannung ergibt, sich aus der Differenz der Spannungsabfälle an den Dioden 48 und am Emitterwiderstand 14. Der Kollektorstrom des Schalttransistors 12, der die Primärwicklung 18 durchfließt, wächst mit einer Geschwindigkeit, welche durch die Zeitkonstante dieses Stromkreises bestimmt ist, und im gleichen Maße steigt der Spannungsabfall am Emitterwiderstand 14. Nachdem der Schalttransistor 12 anfänglich im Sättigungszustand gearbeitet hat, reduziert sich infolge der ansteigenden Emitterspannung die Steuerspannung des Schalttransistors, so daß er nach anfänglicher Sättigung aus dem Sättigungszustand herausgesteuert wird. Auf diese Weise wird der Kollektorstrom und damit der Endstrom der Primärwicklung 18 auf einen gewünschten Wert begrenzt. Der Kollektorstrom steigt also nach dem Einschalten des Zündkontaktes 32 zunächst schnell an und wird dann auf einen Höchstwert begrenzt. Auf diese Weise steht in kurzer Zeit stets die volle Energie in der Spule zur Erzeugung eines kräftigen Zündfunkens zur Verfügung, während andererseits weder die Zündspule noch der Schalttransistor überlastet werden, da infolge des begrenzten Spulenstromes auch die Spitzenspannung an der Kollektorsperrschicht begrenzt ist.desolate 48 is formed. The semiconductor diodes 48 are in same forward direction as the base-emitter path of the switching transistor 12 is polarized. When the Ignition contact 32, the base is practically at the emitter potential, while when the ignition contact is closed, the base is positive with respect to the emitter and the switching transistor 12 is initially in the saturation state. The one effective between the base and the emitter Control voltage results from the difference between the voltage drops at the diodes 48 and at the emitter resistor 14. The collector current of the switching transistor 12, which flows through the primary winding 18, grows at a rate which is determined by the time constant of this circuit, and the voltage drop across the emitter resistor 14 increases to the same extent. After the switching transistor 12 initially worked in the saturation state, is reduced as a result of the increasing emitter voltage the control voltage of the switching transistor, so that it comes out of the saturation state after initial saturation is steered out. In this way, the collector current and thus the final current of the primary winding 18 limited to a desired value. The collector current increases after switching on of the ignition contact 32 initially quickly and is then limited to a maximum value. In this way the full energy in the coil for generating a powerful ignition spark is always available in a short time, while on the other hand neither the ignition coil nor the switching transistor are overloaded, as the peak voltage as a result of the limited coil current is limited to the collector barrier.

Der Wert des Emitterwiderstandes 14 ist so gewählt, daß sein Spannungsabfall bei maximalem Transistorstrom zuzüglich der Schwellenspannung der Basis-Emitter-Strecke des Transistors gleich der Durchlaßschwellenspannung der Dioden 48 ist. Auf diese Weise wird die gewünschte Begrenzung des Kollektorstromes erreicht.The value of the emitter resistor 14 is chosen so that its voltage drop at maximum The transistor current plus the threshold voltage of the base-emitter path of the transistor is equal to the The forward threshold voltage of the diodes 48 is. In this way the desired limitation of the collector current is achieved achieved.

Bei der in F i g. 2 dargestellten Schaltung ist parallel zur Primärwicklung 18 der Zündspule ein Kondensator 42 geschaltet, welcher eine weitere Reduzierung der beim Abschalten induzierten Spannungsspitze bewirkt. Ferner enthält der Spannungsteiler einen Vorstufentransistor 24, dessen Emitter über einen Widerstand 22 mit der positiven Endklemme 10 verbunden ist, während sein Kollektor über die Dioden 48, zu denen ein Widerstand 26 parallel geschaltet ist, an die negative Endklemme 16 angeschlossen ist. Die Basis des Vorstufentransistors 24 liegt am Abgriff eines weiteren Spannungsteilers, dessen einer Widerstand 30 über den Zündkontakt 32 an der negativen Endklemme 16 liegt und dessen anderer Widerstand 28 an der positiven Endklemme 10 liegt. Parallel zum Widerstand 28 ist eine Diode 34 in gleicher Polung wie die Emitter-Basis-Strecke des Vorstufentransistors 34 geschaltet.In the case of the in FIG. 2 circuit shown is in parallel A capacitor 42 is connected to the primary winding 18 of the ignition coil, which provides a further reduction caused by the voltage peak induced when switching off. The voltage divider also contains a pre-stage transistor 24, the emitter of which is connected to the positive end terminal 10 via a resistor 22 is, while its collector via the diodes 48, to which a resistor 26 is connected in parallel, to the negative end terminal 16 is connected. The base of the pre-stage transistor 24 is connected to the tap of another Voltage divider, one of which has a resistor 30 via the ignition contact 32 at the negative end terminal 16 and the other resistor 28 is connected to the positive end terminal 10. Parallel to Resistor 28 is a diode 34 with the same polarity as the emitter-base path of the pre-stage transistor 34 switched.

Bei geöffnetem Zündkontakt 32 ist der Vorstufentransistor 24 und damit auch der Schalttransistor 12 gesperrt. Wird der Zündkontakt 32 geschlossen, dann leitet der Vorstufentransistor 24, wobei seine zwischen Emitter und Basis wirksame Steuerspannung durch die Differenz der Spannungsabfälle an der Diode 34 und dem Widerstand 22 derart bestimmt wird, daß der Vorstufentransistor 24 unterhalb seiner Sättigung betrieben wird. Seine Kollektorspannung gelangt auf die Basis des Schalttransistors 12, wobei der am Widerstand 26 entstehende Spannungsabfall durch die Wirkung der Dioden 48 begrenzt wird und die Steuerspannung für den Schalttransistor 12 durch die Differenz der Spannungsabfälle an den Dioden 48 und dem Emitterwiderstand 14 des Schalttransistors 12 bestimmt ist. Der Emitterwiderstand kann in der Größenordnung von 0,1 bis 0,2 Ohm liegen. Infolge dieser Steuerspannung wird der Schalttransistor 12 zunächst in die Sättigung gebracht, so daß sich der die Primärwicklung 18 der Zündspule durchfließendeWhen the ignition contact 32 is open, the precursor transistor 24 and thus also the switching transistor 12 are locked. If the ignition contact 32 is closed, then the pre-stage transistor 24 conducts, with its between Emitter and base effective control voltage due to the difference in voltage drops across the Diode 34 and the resistor 22 is determined so that the pre-stage transistor 24 below his Saturation is operated. Its collector voltage reaches the base of the switching transistor 12, wherein the voltage drop occurring across the resistor 26 is limited by the action of the diodes 48 and the control voltage for the switching transistor 12 by the difference in the voltage drops across the diodes 48 and the emitter resistance 14 of the switching transistor 12 is determined. The emitter resistance can be in the Of the order of 0.1 to 0.2 ohms. As a result of this control voltage, the switching transistor 12 first brought into saturation, so that the primary winding 18 of the ignition coil flows through

ίο Strom sehr schnell aufbaut, bis die an der Basis-Emitter-Strecke des Schalttransistors 12 wirksame Steuerspannung bei mit dem Strom anwachsender Emitterspannung infolge der Wirkung der Dioden 48 auf einen Wert begrenzt wird, bei dem der Arbeitspunkt des Schalttransistors 12 an eine Stelle unterhalb der Sättigung verschoben wird und der Kollektorstrom dadurch auf einen Wert unterhalb des Sättigungsstromes begrenzt wird.ίο Current builds up very quickly until it reaches the base-emitter path of the switching transistor 12 effective control voltage with the emitter voltage increasing with the current due to the action of the diodes 48 is limited to a value at which the operating point of the switching transistor 12 is shifted to a point below saturation and the collector current this is limited to a value below the saturation current.

Durch die Wirkung der Diode 34 wird der Kollek-By the action of the diode 34 the collector

ao torstrom des Vorstufentransistors 24, der die Parallelschaltung des Widerstandes 26 mit den Dioden 28 durchfließt, auf einen etwa konstanten Wert begrenzt. Infolge der Begrenzungswirkung der Diode 34 wird der Spannungsabfall an den Dioden 48 noch besser konstant gehalten, als es ohne diese Begrenzungswirkung der Fall wäre. Durch diese zusätzliche Stabilisierungswirkung wird eine noch bessere Konstanz des an den Dioden 48 entstehenden Spannungsabfalls von der Batteriespannung erreicht, so daß auch der vom Transistor 12 unterhalb des Sättigungswertes stabilisierte Strom durch die Primärwicklung 18 besser stabilisiert wird, als wenn der Vorstufentransistor 24 nicht mit Hilfe der Diode 34 stabilisiert wäre. Der Pri-• märstrom der Zündspule stellt sich damit bei jeder Motordrehzahl praktisch unabhängig von der Batteriespannung und den Schließzeiten des Zündkontaktes auf den gewünschten Betriebswert ein; auf dem er dann sicher gehalten wird. Dieser Wert wird im wesentlichen durch die Anzahl und Art der Dioden 34 und 48 bestimmt. Ferner wirken die Dioden 34 und 48 im Sinne einer Temperaturstabilisierung der Transistoren 24 bzw. 12. Aus diesem Grunde verwendet man auch zweckmäßigerweise Dioden und Transistoren aus dem gleichen Halbleitermaterial, beispielsweise Siliciumtransistoren und Siliciumdioden.ao gate current of the precursor transistor 24, which is the parallel circuit of the resistor 26 flows through the diodes 28, limited to an approximately constant value. As a result of the limiting effect of the diode 34, the voltage drop across the diodes 48 is even better kept constant than would be the case without this limiting effect. This additional stabilizing effect becomes an even better constancy of the voltage drop occurring across the diodes 48 reached the battery voltage, so that the transistor 12 stabilized below the saturation value Current through the primary winding 18 is better stabilized than when the pre-stage transistor 24 would not be stabilized with the aid of the diode 34. The primary • current of the ignition coil is thus established for each The engine speed is practically independent of the battery voltage and the closing times of the ignition contact to the desired operating value; on which he is then held securely. This value is essentially determined by the number and type of diodes 34 and 48. The diodes 34 and 48 also act in the sense of a temperature stabilization of the transistors 24 and 12. For this reason, one uses also expediently diodes and transistors made of the same semiconductor material, for example Silicon transistors and silicon diodes.

Bei der in F i g. 3 dargestellten Ausführungsform der Erfindung ist die positive Endklemme 16 der Batterie an Masse gelegt, während die negative Endklemme mit 10 bezeichnet ist. Alternativ zu dem parallel zur Primärwicklung 18 der Zündspule geschalteten Kondensator 42 nach F i g. 2 ist hier parallel zur Kollektor-Emitter-Strecke des Schalttransistors 12 eine Zenerdiode 20 geschaltet, welche die Spannungsspitzen beim Unterbrechen des Zündspulenstromes auf ihre Zenerspannung begrenzt. Der Vorstufentransistor 24 ist hier im Gegensatz zu dem bei der Schaltung nach F i g. 2 verwendeten pnp-Tränsistor ebenso wie der Schalttransistor 12 ein npn-Transistor, Infolge der umgekehrten Polung der Batterie sind hier die Emitter beider Transistoren an die negative Endklemme 10 geführt, während ihre Kollektoren an die positive Endklemme 16 geführt sind. Parallel zum von der Basis des Vorstufentransistors 24 zur negativen Endklemme 10 geschalteten Widerstand 28 sind hier mehrere Dioden 34 geschaltet, deren Durchlaßrichtung ebenfalls mit der Durchlaßrichtung der Basis-Emitter-Strecke des Vorstufentransistors 24 übereinstimmt. Die in F i g. 2 zum Kollektorwiderstand 26In the case of the in FIG. The embodiment of the invention illustrated in FIG. 3 is the positive end terminal 16 of the battery connected to ground, while the negative end terminal is denoted by 10. Alternatively to the parallel The capacitor 42 connected to the primary winding 18 of the ignition coil according to FIG. 2 is here parallel to Collector-emitter path of the switching transistor 12, a Zener diode 20 connected, which the voltage peaks when the ignition coil current is interrupted, it is limited to its Zener voltage. The pre-stage transistor 24 is here in contrast to that in the circuit according to FIG. 2 used pnp transistors just like the switching transistor 12 is an npn transistor, as a result of the reversed polarity of the battery are here the emitters of both transistors led to the negative end terminal 10, while their collectors to the positive end terminal 16 are guided. In parallel with from the base of the precursor transistor 24 to the negative End terminal 10 switched resistor 28 are connected here several diodes 34, their forward direction likewise with the forward direction of the base-emitter path of the pre-stage transistor 24 coincides. The in F i g. 2 to collector resistor 26

des Vorstufentransistors 24 parallelgeschalteten Stabilisierungsdioden 48 sind bei der Schaltung nach F i g. 3 nicht vorgesehen.of the pre-stage transistor 24 stabilizing diodes connected in parallel 48 are in the circuit according to FIG. 3 not provided.

Bei geöffnetem Zündkontakt 32 ist der Vorstufentransistor 24 gesperrt, so daß auch der Schalttransistor 12 gesperrt ist. Schließt der Zündkontakt 32, so wird die Basisspannung des Vorstufentransistors 24 positiv, so daß dieser Transistor in den leitenden Zustand geschaltet wird. Seine Basisspannung wird dabei durch den Spannungsabfall an den Dioden 34 festgelegt. Die Emitterspannung des Vorstufentransistors 24 liegt unmittelbar an der Basis des Schalttransistors 12 und ist positiv gegenüber dessen Emitterspannung, so daß der Schalttransistor 12 anfänglich in den Sättigungszustand gelangt. Der Strom durch die Primärwicklung 18 der Zündspule steigt daher sehr rasch an. Mit dem Ansteigen dieses Stromes steigt auch der Spannungsabfall am Emitterwiderstand 14 und damit die Emitterspannung des Schalttransistors 12, bis die an der Basis-Emitter-Strecke des Schalttransistors 12 wirksame Steuerspannung den Arbeitspunkt dieses Transistors auf einen Wert unterhalb der Sättigung verschiebt. Zu diesem Zweck ist der Wert des Emitterwiderstandes 14 so gewählt, daß die dann zwischen Basis und Emitter des Schalttransistors 12 auftretende Differenz der Spannungsabfälle an den Widerständen 22 und 14 etwa gleich der Schwellenspannung der Basis-Emitter-Strecke dieses Transistors bei dem maximal gewünschten Strom durch den Transistor ist.When the ignition contact 32 is open, the precursor transistor 24 is blocked, so that the switching transistor 12 is blocked. If the ignition contact 32 closes, the base voltage of the pre-stage transistor 24 becomes positive, so that this transistor is switched to the conductive state. Its base tension is thereby determined by the voltage drop across the diodes 34. The emitter voltage of the pre-stage transistor 24 is directly at the base of the switching transistor 12 and is positive compared to its emitter voltage, so that the switching transistor 12 initially enters the saturation state. The current through the primary winding 18 of the ignition coil therefore rises very quickly. As this current increases, so does it Voltage drop across the emitter resistor 14 and thus the emitter voltage of the switching transistor 12 until the at the base-emitter path of the switching transistor 12 effective control voltage the operating point of this Transistor shifts to a value below saturation. For this purpose is the value of the emitter resistance 14 chosen so that the then occurring between the base and emitter of the switching transistor 12 The difference in the voltage drops across the resistors 22 and 14 is approximately equal to the threshold voltage of the The base-emitter path of this transistor is at the maximum desired current through the transistor.

ίο Der Widerstand 14 kann einen Wert von 0,1 bis 0,2 Ohm haben und wirkt hinsichtlich der Primärwicklung 18 der Zündspule praktisch nicht als Vorwiderstand. ίο The resistor 14 can have a value from 0.1 to 0.2 ohms and practically does not act as a series resistor with regard to the primary winding 18 of the ignition coil.

Auch die Schaltung nach F i g. 3 zeigt eine weitgehende Stabilität gegenüber Schwankungen der Betriebsspannung (zwischen 3,5 und 14VoIt) und der Schließzeiten des Zündkontaktes. Infolge des schnellen Aufbaus des Zündspulenstromes bei jeglichen Drehzahlen wird stets ein kräftiger Zündfunken erzeugt. The circuit according to FIG. 3 shows an extensive one Stability against fluctuations in the operating voltage (between 3.5 and 14VoIt) and the Closing times of the ignition contact. As a result of the rapid build-up of the ignition coil current for any Speeds, a powerful spark is always generated.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen1 sheet of drawings

Claims

Patent claims:

1. Transistor ignition system with a switching transistor, the collector of which is via the primary winding an ignition coil with one end terminal and its emitter via an emitter resistor the. other end terminal of a DC voltage source and its base via a voltage divider is connected to the two end terminals and by means of a switch operated synchronously with the motor is switched to conduct or block the switching transistor, characterized in that that the voltage divider (22,26; 48,64) from the potential of the base of the switching transistor (12) in the conductive state with respect to the potentials of the end terminals (10, 16) defining circuit elements and that the emitter resistor (14) is dimensioned so that the switching transistor at the beginning of the switch-on process is controlled in the saturated state and before reaching the end current in the unsaturated state. .

2. transistor ignition system according to claim 1, characterized in that the voltage divider from an ohmic resistor (64) and one or more polarized in the forward direction Semiconductor diodes (48) consists.

3. transistor ignition system according to claim 2, characterized in that the voltage divider (22, 26) additionally contains a pre-stage transistor (24) controlled by the ignition contact (32).

4. transistor ignition system according to claim 3, characterized in that the base of the pre-stage transistor (24) with the tap of a 'to the end terminals (10, 16) connected voltage divider (28,30,34) is connected and that to the base-emitter path of the pre-stage transistor Corresponding partial resistance one or more semiconductor diodes polarized in the forward direction (34) contains.