DE1302970B

DE1302970B -

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Publication number: DE1302970B
Application number: DE1966S0102777
Authority: DE
Priority date: 1966-03-25
Filing date: 1966-03-25
Publication date: 1971-01-21

Description

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Es ist bereits ein Gegentaktmodulator bekannt (Tucker, 1953, Modulators and frequency changers, Mac Donald & Co., Limited London, S. 89, Fig. 41), bei dem die Gitter zweier Trioden über eine symmetrische Sekundärwicklung eines Eingangs-Übertragers miteinander verbunden und die Anoden über eine symmetrische Primärwicklung eines Ausgangsübertragers zusammengeführt sind und bei dem das modulierende Signal an eine Primärwicklung des Eingangsübertragers gelegt und die Trägerspannung zwischen der Mittelanzapfung der Sekundärwicklung des Eingangsübertragers und dem Verbindungspunkt der Kathoden der Trioden eingespeist wird, wobei die Versorgungsspannung zwischen der Mittelanzapfung der Primärwicklung des Ausgangsüberträgers und den miteinander verbundenen Kathoden angelegt ist.A push-pull modulator is already known (Tucker, 1953, Modulators and frequency changers, Mac Donald & Co., Limited London, p. 89, Fig. 41), in which the grid of two triodes over a symmetrical secondary winding of an input transformer connected together and the anodes are brought together via a symmetrical primary winding of an output transformer and in which the modulating signal is applied to a primary winding of the input transformer and the carrier voltage between the center tap of the secondary winding of the input transformer and the connection point the cathode of the triodes is fed in, with the supply voltage between the center tap the primary winding of the output transformer and the interconnected cathodes is created.

Ferner ist es aus der französischen Patentschrift 1 145 796 bereits bekannt, bei einem derartigen Gegentaktmodulator als Verstärkungselemente an Stelle der Trioden Transistoren zu verwenden, wobei die Basisanschlüsse der Transistoren über die Sekundärwicklung des Eingangsübertragers und die Kollektoren über die Primärwicklung des Ausgangsübertragers miteinander verbunden sind. Bei diesem Gegentaktmodulator sind die Emitter der Transistoren über Widerstände miteinander verbunden, die zur Stromgegenkopplung dienen.Furthermore, it is already known from French patent specification 1,145,796, in such a case To use push-pull modulator as amplification elements instead of the triode transistors, whereby the base connections of the transistors via the secondary winding of the input transformer and the collectors are connected to one another via the primary winding of the output transformer. With this one Push-pull modulator, the emitters of the transistors are connected to one another via resistors, which serve for current negative feedback.

Es ist weiterhin bereits ein verstärkender Gegentaktmodulator mit Stromgegenkopplung bekannt, bei dem die Emitter zweier Transistoren über einen Widerstand miteinander verbunden sind. Bei diesem Gegentaktmodulator sind die Basisanschlüsse der Transistoren über eine symmetrische Sekundärwicklung eines Eingangsübertragers zusammengeführt, deren Mittelanzapfung über einen Trägereingang an Erde liegt. Dabei sind die Kollektoren der Transistoren über eine symmetrische Primärwicklung eines Ausgangsübertragers zusammengeführt, deren Mittelanzapfung über eine Versorgungsspannungsquelle an die geerdete Symmetriemitte des zwischen den Emittern angeordneten Widerstandes geführt ist.An amplifying push-pull modulator with negative current feedback is also known at which the emitters of two transistors are connected to one another via a resistor. With this one Push-pull modulators are the base connections of the transistors via a symmetrical secondary winding of an input transformer, whose center tap is connected to a carrier input Earth lies. The collectors of the transistors are one via a symmetrical primary winding Combined output transformer whose center tap is connected to a supply voltage source the grounded center of symmetry of the resistor arranged between the emitters is guided.

Bei Modulatoren mit Stromgegenkopplung kann es sich nachteilig auswirken, daß der Betrag der aufgenommenen Trägerleistung bei Ausfall der Versorgungsspannung sehr stark anwächst. Der Wert der aufgenommenen Trägerleistung kann dabei etwa um den Faktor der Stromverstärkung, z. B. um den Faktor 70, ansteigen. Dies kann sich besonders nachteilig auswirken, wenn mehrere Modulatoren jeweils aus ein und derselben Trägerquelle gespeist sind, die auf die Betriebsleistung ausgelegt ist, da in diesem Fall die Trägerquelle durch die zusätzliche Belastung den Sollwert der Trägerspannung kräftig unterschreitet und damit auch alle übrigen an diese Trägerspannungsquelle angeschlossenen Modulatoren zum Ausfall bringt.In modulators with current negative feedback, it can have a disadvantageous effect that the amount of the recorded Carrier power increases sharply in the event of a supply voltage failure. The value of recorded carrier power can be increased by the factor of the current gain, e.g. B. by the factor 70, rise. This can be particularly detrimental when multiple modulators each are fed from one and the same carrier source, which is designed for the operating performance, as in this If the carrier source falls significantly below the target value of the carrier voltage due to the additional load and thus also all other modulators connected to this carrier voltage source Failure brings.

Bei Trägerfrequenzsystemen, besonders in der unteren Frequenzebene, ist die Versorgung vieler Modulatoren aus einer Trägerquelle jedoch ein wesentlicher Bestandteil der Wirtschaftlichkeit. Da es häufig notwendig ist, diese vielen Modulatoren in kleineren Gruppen versorgungsspannungsseitig abzusichern, kann es in solchen Einrichtungen durchaus vorkommen, daß die Kollektorspannung an einzelnen Modulatoren im Betrieb ausfällt. Es wäre dabei in vielen Fällen untragbar, wenn ein Versorgungsspannungsausfall an einzelnen Modulatoren 970 In carrier frequency systems, especially in the lower frequency level, the supply of many modulators from one carrier source is an essential part of economic efficiency. Since it is often necessary to protect these many modulators in smaller groups on the supply voltage side, it can happen in such devices that the collector voltage on individual modulators fails during operation. In many cases, it would be unacceptable if there were a supply voltage failure on individual modulators 970

Rückwirkungen auf alle mit der gleichen Trägerfrequenz versorgten Modulatoren haben würde.Would have repercussions on all modulators supplied with the same carrier frequency.

Es gibt zwar Modulatoren, die keine Versorgungsspannung benötigen und bei denen somit das vorstehend näher dargelegte Problem nicht auftritt. Derartige Modulatoren haben jedoch einen großen Trägerleistungsbedarf und weisen im allgemeinen nicht die für viele Anwendungsfälle geforderte hohe Rückwirkungsfreiheit verstärkender, mit einer Versorgungsspannung gespeister Modulatoren auf. Diese Nachteile hat auch ein vorbekannter Gegentaktmodulator mit zwei Transistoren und mit Stromgegenkopplung, dem an Stelle einer Versorgungsspannung die Trägerspannung über eine Diode zugeführt wird.There are modulators that do not require a supply voltage and therefore do the above problem detailed does not occur. However, such modulators have a large one Carrier power requirements and generally do not have the high required for many applications Non-reactive amplifying modulators fed with a supply voltage. These A previously known push-pull modulator with two transistors and current negative feedback also has disadvantages, to which the carrier voltage is fed via a diode instead of a supply voltage will.

Die Erfindung betrifft einen verstärkenden Gegentaktmodulator, der gemeinsam mit weiteren Modulatoren aus ein und derselben Trägerspannungsquelle gespeist wird, mit wenigstens zwei aus einer Versorgungsspannungsquelle gespeisten Transistoren und mit Stromgegenkopplung, bei dem die Transistoren durch die an einen Trägereingang gelegte Trägerspannung einer Trägerspannungsquelle jeweils während der einen Halbperiode der Trägerspannung gleichzeitig geöffnet und während der anderen Halbperiode gleichzeitig gesperrt werden, insbesondere zur Umsetzung von Nachrichtenbändern in Einrichtungen der Trägerfrequenztechnik.The invention relates to an amplifying push-pull modulator which, together with other modulators is fed from one and the same carrier voltage source, with at least two from one supply voltage source powered transistors and with current negative feedback, in which the transistors are driven by the carrier voltage applied to a carrier input a carrier voltage source during each half cycle of the carrier voltage be opened at the same time and locked simultaneously during the other half-period, in particular for the implementation of message bands in facilities of the carrier frequency technology.

Aufgabe der Erfindung ist es, einen aus einer Versorgungsspannungsquelle gespeisten Modulator derart auszubilden, daß ein niedriger Wert der bei anliegender Versorgungsspannung aufgenommenen Trägerleistung bei Ausfall der Versorgungsspannung nicht wesentlich anwächst.The object of the invention is to provide a modulator fed from a supply voltage source in this way train that a low value recorded when the supply voltage is applied Carrier power does not increase significantly if the supply voltage fails.

Gemäß der Erfindung wird der Modulator derart ausgebildet, daß in der Verbindung der Trägerspannungsquelle mit dem Trägereingang ein Kondensator eingefügt ist und daß der Trägereingang über zumindest bei gesperrten Basis-Emitter-Strecken der Transistoren leitende Schaltmittel überbrückt ist. Durch diese Maßnahmen ergibt sich der Vorteil, daß sich bei dem Modulator mit Stromgegenkopplung der Wert der aufgenommenen Trägerleistung bei Ausfall der Versorgungsspannung nur unwesentlich ändert.According to the invention, the modulator is designed such that in the connection of the carrier voltage source a capacitor is inserted with the carrier input and that the carrier input has at least when the base-emitter paths of the transistors are blocked, conductive switching means is bridged. These measures have the advantage that the modulator with current negative feedback the value of the absorbed carrier power in the event of a supply voltage failure is only insignificant changes.

Der Kondensator und die Schaltmittel können auch für mehrere Modulatoren zugleich, z. B. für ein Modulatorpaar für Sende- und Empfangsrichtung, vorgesehen werden.The capacitor and the switching means can also be used for several modulators at the same time, e.g. B. for a A pair of modulators for the transmission and reception direction are provided.

Es ist ferner zweckmäßig, die Schaltmittel derart zu bemessen, daß die bei Anliegen der Versorgungsspannung am Modulator von den Schaltmitteln aufgenommene Trägerleistung in der Größenordnung der von dem Modulator unter Ausschluß der Schaltmittel aufgenommenen Trägerleistung liegt. Bei einer derartigen Bemessung ergibt sich der Vorteil, daß der Modulator einschließlich der zusätzlich vorgesehenen Schaltmittel eine besonders geringe Trägerleistung aufnimmt. Die Schaltmittel können jedoch auch eine größere Trägerleistung aufnehmen.It is also expedient to dimension the switching means in such a way that the switching means absorbed by the switching means when the supply voltage is applied to the modulator Carrier power is in the order of magnitude of the carrier power consumed by the modulator excluding the switching means. With such a dimensioning there is the advantage that the modulator including the additional provided switching means takes a particularly low carrier power. The switching means can however, also take up a larger carrier power.

Ein Gegentaktmodulator, bei dem die Trägerspannungsquelle und die Versorgungsspannungsquelle einpolig geerdet sind, wird in weiterer Ausgestaltung der Erfindung derart ausgebildet, daß der in der Verbindung der Trägerspannungsquelle mit dem Trägereingang des Modulators vorgesehene Kondensator in der Verbindung der Trägerspannungsquelle mit dem Mittelabgriff der Eingangsschaltung einge-A push-pull modulator in which the carrier voltage source and the supply voltage source are single-pole grounded, is formed in a further embodiment of the invention such that the in the Connection of the carrier voltage source with the carrier input of the modulator provided capacitor in the connection of the carrier voltage source with the center tap of the input circuit

fügt ist. Dabei ergibt sich der Vorteil, daß der Modulator bei beliebig einpolig geerdeter Versorgungsspannungsquelle ohne Zwischenschaltung eines Trägerübertragers aus einer unsymmetrischen Trägerspannungsquelle gespeist werden kann.adds is. This has the advantage that the modulator can be used with any single-pole earthed supply voltage source without the interposition of a carrier transformer from an asymmetrical carrier voltage source can be fed.

In Weiterbildung der Erfindung sind die Schaltmittel zur Überbrückung des Trägereinganges durch einen mit einem Zweig zwischen dem Mittelabgriff der Eingangsschaltung und einem Pol der Versorgungsspannungsquelle und durch einen mit dem anderen Zweig zwischen dem' Mittelabgriff der Eingangsschaltung und dem anderen Pol der Versorgungsspannungsquelle liegenden Spannungsteiler gebildet. In a further development of the invention, the switching means for bridging the carrier input are through one with a branch between the center tap of the input circuit and one pole of the supply voltage source and through one to the other branch between the center tap of the input circuit and the other pole of the supply voltage source lying voltage divider is formed.

In weiterer Ausgestaltung der Erfindung ist wenigstens einer der Zweige des Spannungsteilers derart einstellbar, daß der bei den Transistoren auftretende Stromflußwinkel den Wert π/2 annimmt, so daß die Transistoren jeweils gerade während einer Trägerhalbperiode Strom führen. Bei einer derartigen Einstellung des Spannungsteilers wirken sich Veränderungen der Versorgungsspannung um den Sollwert herum in besonders geringem Maße auf den Pegel des vom Modulator abgegebenen Seitenbandes aus. Darüber hinaus werden verschiedene unerwünschte Seitenbänder in vorteilhafter Weise weitgehendst unterdrückt.In a further embodiment of the invention, at least one of the branches of the voltage divider can be adjusted such that the current conduction angle occurring in the transistors assumes the value π / 2 , so that the transistors each conduct current during one carrier half cycle. With such a setting of the voltage divider, changes in the supply voltage around the setpoint value have a particularly minor effect on the level of the sideband emitted by the modulator. In addition, various undesirable sidebands are advantageously largely suppressed.

Es ist ferner zweckmäßig, die Transistoren als Siliziumtransistoren auszubilden. Dabei wird der Spannungsteiler zur Erzielung eines besonders günstigen Schaltverhältnisses des Gegentaktmodulators etwa auf die Gleichspannung 0,6 V eingestellt. Ein Feinabgleich läßt sich auf besonders einfache Weise dadurch erzielen, daß die Unterdrückung eines Modulationsproduktes des doppelten Trägers, insbesondere des Modulationsproduktes mit der Frequenz 2 H — n, d. h. der durch die Differenz aus der doppelten Trägerfrequenz 2 H und der Frequenz η des modulierenden Signals gebildeten Frequenz, gemessen wird.It is also useful to design the transistors as silicon transistors. The voltage divider is set to approximately 0.6 V DC in order to achieve a particularly favorable switching ratio of the push-pull modulator. A fine adjustment can be achieved in a particularly simple way that the suppression of a modulation product of the double carrier, in particular the modulation product with the frequency 2 H - n, ie that formed by the difference between the double carrier frequency 2 H and the frequency η of the modulating signal Frequency is measured.

Die Erfindung wird an Hand des in der Fig. 1 dargestellten Ausführungsbeispieles sowie an Hand der in den F i g. 2 und 3 gezeigten Diagramme näher erläutert. InThe invention is illustrated by means of the exemplary embodiment shown in FIG. 1 and by means of the FIGS. 2 and 3 explained in more detail diagrams. In

F i g. 1 ist ein Stromlauf eines Gegentaktmodulators nach der Erfindung dargestellt;F i g. 1 is a circuit diagram of a push-pull modulator according to the invention;

F i g. 2 zeigt den Verlauf der Spannung am Trägereingang als Funktion der Zeit für eine bevorzugte Einstellung des Spannungsteilers, und zwar Kurve 1 bei anliegender Versorgungsspannung, Kurve 3 bei fehlender Versorgungsspannung sowie die Eingangskennlinien der im Modulator enthaltenen Transistoren, und zwar Kurve 2 bei anliegender Versorgungsspannung, Kurve 4 bei fehlender Versorgungsspannung; F i g. 2 shows the course of the voltage at the carrier input as a function of time for a preferred setting of the voltage divider, namely curve 1 when the supply voltage is applied, curve 3 when there is no supply voltage and the input characteristics of the transistors contained in the modulator, namely curve 2 when the supply voltage is applied, curve 4 if there is no supply voltage;

F i g. 3 zeigt die von einem Modulator nach der Erfindung aufgenommene Trägerleistung als Funktion der Versorgungsspannung.F i g. 3 shows the carrier power consumed by a modulator according to the invention as a function the supply voltage.

Bei dem in F i g. 1 gezeigten Gegentaktmodulator sind die Emitteranschlüsse der Transistoren 1 und 2 über die in Serie zueinander geschalteten Emitterwiderstände 3 und 4 miteinander verbunden. Die Emitter der Transistoren 1 und 2 sind ferner über den Widerstand 50 miteinander verbunden, der die durch die Emitterwiderstände 3 und 4 bewirkte Stromgegenkopplung für das Eingangssignal herabsetzt. In the case of the one shown in FIG. 1 , the emitter connections of the transistors 1 and 2 are connected to one another via the emitter resistors 3 and 4 connected in series with one another. The emitters of the transistors 1 and 2 are also connected to one another via the resistor 50 , which reduces the negative current feedback caused by the emitter resistors 3 and 4 for the input signal.

Die Transistoren 1 und 2 sind vom Typ npn. EsThe transistors 1 and 2 are of the npn type. Es

können jedoch auch pnp-Transistoren verwendet werden. Die Basisanschlüsse der Transistoren 1 und 2 liegen an den äußeren Anschlüssen der symmetrischen Eingangsschaltung 7. Die Kollektoren der Transistoren 1 und 2 sind an die äußeren Anschlüsse, der symmetrischen Ausgangsschaltung 8 geführt. Die Versorgungsspannungsquelle 11 liegt zwischen dem Verbindungspunkt 9 der Emitterwiderstände 3 und 4 und der Symmetriemitte 15 der Ausgangsschaltung 8, in der die Kollektorströme der Transistoren 1 und 2 gegenphasig addiert das Ausgangssignal des Modulators ergeben.however, pnp transistors can also be used. The base connections of the transistors 1 and 2 are connected to the external connections of the symmetrical input circuit 7. The collectors of the transistors 1 and 2 are connected to the external connections of the symmetrical output circuit 8 . The supply voltage source 11 lies between the connection point 9 of the emitter resistors 3 and 4 and the center of symmetry 15 of the output circuit 8, in which the collector currents of the transistors 1 and 2 are added in antiphase to give the output signal of the modulator.

Die Trägerspannungsquelle 12 ist einpolig geerdet und mit dem anderen Anschluß über den Kondensator 13 an die Symmetriemitte bzw. den Mittelabgriff 14 der Eingangsschaltung 7 geführt, die wiederum über den einstellbaren Widerstand 5 an die Symmetriemitte bzw. den Mittelabgriff 15 der Ausgangsschaltung 8 und über den einstellbaren Widerstand 6 an den Verbindungspunkt 9 der Emitterwiderstände 3 und 4 geführt ist. Der positive Pol der Versorgungsspannungsquelle 11 ist geerdet. Es kann jedoch auch der negative Pol der Versorgungsspannungsquelle 11 geerdet werden. Ferner kann der Widerstand 5 entfallen.The carrier voltage source 12 is single-pole grounded and the other connection is led via the capacitor 13 to the center of symmetry or the center tap 14 of the input circuit 7 , which in turn is via the adjustable resistor 5 to the center of symmetry or the center tap 15 of the output circuit 8 and via the adjustable resistor Resistor 6 is led to the connection point 9 of the emitter resistors 3 and 4 . The positive pole of the supply voltage source 11 is grounded. However, the negative pole of the supply voltage source 11 can also be grounded. Furthermore, the resistor 5 can be omitted.

Der geerdete Anschluß der Trägerspannungsquelle 12 könnte statt an Erde auch an jeden wechselstrommäßig mit dem Verbindungspunkt 9 der Emitterwiderstände verbundenen Anschluß der Modulatorschaltung gelegt werden.The grounded connection of the carrier voltage source 12 could also be connected to each connection of the modulator circuit connected in terms of alternating current to the connection point 9 of the emitter resistors instead of to earth.

Der erdfreie Anschluß 16 der Trägerspannungsquelle 12 führt über den Kondensator 13 zum Mittelabgriff 14 der Eingangsschaltung 7, der eine Symmetriemitte des erdsymmetrischen Basisstromkreises bildet.The floating connection 16 of the carrier voltage source 12 leads via the capacitor 13 to the center tap 14 of the input circuit 7, which forms a center of symmetry of the base circuit which is symmetrical to ground.

Die Widerstände 5 und 6 bilden einen an die Versorgungsspannungsquelle 11 angeschlossenen Spannungsteiler. Dadurch erhält der Mittelabgriff 14 ein Gleichspannungspotential, das durch die Bemessung der Widerstände 5 und 6 innerhalb des durch die Versorgungsspannung gegebenen Bereiches frei gewählt und durch Abgleich eines von beiden oder beider Widerstände fein eingestellt werden kann. Dieses Gleichspannungspotential unterstützt die Steuerung der Transistoren in den leitenden Zustand. The resistors 5 and 6 form a voltage divider connected to the supply voltage source 11. As a result, the center tap 14 receives a direct voltage potential that can be freely selected by dimensioning the resistors 5 and 6 within the range given by the supply voltage and can be finely adjusted by balancing one of the two or both resistors. This direct voltage potential supports the control of the transistors in the conductive state.

Die Eingangsschaltung 7 besteht vorzugsweise aus einem Eingangsübertrager mit einer symmetrischen Sekundärwicklung, deren äußere Anschlüsse an die Basisanschlüsse der Transistoren 1 und 2 geführt und deren Mittelanzapfung über den Kondensator 13 mit der Trägerspannungsquelle 12 verbunden ist. Wesentlich dabei ist, daß das modulierende Signal an den äußeren Anschlüssen der Eingangsschaltung?, bezogen auf den Mittelabgriff 14, mit entgegengesetzter Phase anliegt.The input circuit 7 preferably consists of an input transformer with a symmetrical secondary winding, the outer connections of which are led to the base connections of the transistors 1 and 2 and the center tap of which is connected to the carrier voltage source 12 via the capacitor 13 . What is essential here is that the modulating signal is applied to the external connections of the input circuit? In relation to the center tap 14 with the opposite phase.

Die Ausgangsschaltung 8 besteht zweckmäßigerweise aus einem Ausgangsübertrager mit einer symmetrischen Primärwicklung, deren äußere Anschlüsse an die Kollektoren der Transistoren 1 und 2 geführt sind und deren Mittel anzapfung als Mittelabgriff 15 der Ausgangsschaltung 8 über die Versorgungsspannungsquelle 11 an den Verbindungspunkt 9 der Emitterwiderstände 3 und 4 geführt ist.The output circuit 8 expediently consists of an output transformer with a symmetrical primary winding, the outer connections of which are led to the collectors of the transistors 1 and 2 and whose center tap is led as a center tap 15 of the output circuit 8 via the supply voltage source 11 to the connection point 9 of the emitter resistors 3 and 4 is.

Bei dem Modulator nach Fig. 1 wird, wie in Fig. 2, Kurve 1, gezeigt, die Trägerspannung am Trägereingang einer Gleichspannung überlagert und zusammen mit der Gleichspannung den beiden Basis-In the modulator according to FIG. 1 , as shown in FIG. 2, curve 1, the carrier voltage is superimposed on a DC voltage at the carrier input and, together with the DC voltage, the two base voltages

Claims

connections of the transistors 1 and 2 supplied. Curve 1 in FIG. 2 shows the course of the voltage applied to the carrier input 19 of the mudulator when the carrier voltage is superimposed with a direct voltage of about 0.6 V. This direct voltage of 0.6 V is equal to that at the bend of the input characteristic according to curve 2, Fig. 2, effective voltage. This input characteristic shows the dependency of the carrier current consumed by the modulator / on the voltage U applied to the carrier input 19 for a modulator with silicon transistors. While the carrier current for voltages below the voltage effective at the bend of the input characteristic has only very low values, the base current for voltages above the voltage effective at the bend increases sharply. According to curve 1 in FIG. 2, the DC voltage is initially selected to be approximately the same as the voltage present at the bend in the input characteristic. When using silicon transistors, the kink in the input characteristic is around + 0.6 V. F i g. 2, curve 2, also shows the input characteristic of the modulator linearized by the emitter resistors 3 and 4 between the center tap 14 and the connection point 9 during operation. By choosing the bias voltage applied to the resistor 6, the pulse duty factor can be finely selected or adjusted. This makes it possible to suppress unwanted modulation products. If the supply voltage Ub fails when the carrier voltage is applied, an input characteristic similar to the input characteristic shown in Fig. 2, curve 4, arises between points 14 and 9, since the input resistance effective at the carrier input in this case is approximately by the factor of the current gain of transistors 1 and 2 assumes a lower value. If the carrier voltage were to continue to be superimposed on the same DC voltage as shown in FIG. 2, curve 1, then after the supply voltage failed, a much larger base current would flow than in normal operation. The result would be a much greater carrier power consumption. In the case of the one shown in FIG. 1, however, after failure of the supply voltage, the capacitor 13 charges up via the much lower carrier input resistance of the modulator and creates a potential difference between the center tap 14 and the terminal 16, which results from the difference between the very large charging current via the modulator and the very small discharge current through the resistors 5 and 6 connected in parallel for the discharge current. As a result of the direct voltage established at the capacitor 13, as shown in FIG. 2, curve 3, the carrier voltage is shifted so far in the direction of the base reverse voltage of the transistors that, according to the hatched area, only as little carrier current flows into the modulator as is necessary to recharge the capacitor 13 in order to prevent the discharge via the resistors 5 and 6 balance. The curve of the recorded carrier power of a modulator constructed according to the invention with the supply voltage decreasing to zero is shown in FIG full supply voltage. Patent claims:

1. Amplifying push-pull motor, which is fed together with further modulators from one and the same carrier voltage source, with at least two transistors fed from a supply voltage source and with current negative feedback, in which the transistors are driven by the carrier voltage of a carrier voltage source applied to a carrier input during one half cycle of the carrier voltage are opened simultaneously and blocked simultaneously during the other half-period, in particular for converting message bands in devices of carrier frequency technology, characterized in that a capacitor (13) is inserted in the connection of the carrier voltage source (12) to the carrier input and that the carrier input is at least at blocked base-emitter paths of the transistors (1, 2) conductive switching means (resistors 5, 6) is bridged.

2. Modulator according to claim 1, characterized by such a dimensioning of the switching means, that the carrier power consumed by the switching means when the supply voltage is applied to the modulator is of the order of magnitude the carrier power consumed by the modulator with the exclusion of the switching means lies.

3. Modulator according to claims 1 or 2, in which the carrier voltage source and the supply voltage source are single-pole grounded, characterized in that the capacitor (13) provided in the connection of the carrier voltage source (12) to the carrier input of the modulator in the connection of the carrier voltage source (12 ) is inserted with the center tap (14) of the input circuit (7).

4. Modulator according to claim 3, characterized in that the switching means for bridging the carrier input by one with a branch between the center tap (14) of the input circuit (7) and one pole (17) of the supply voltage source (11) and by one with the other Branch between the center tap (14) of the input circuit (7) and the other pole (18) of the supply voltage source (11) lying voltage divider are formed.

5. Modulator according to claim 4, characterized in that at least one of the branches of the voltage divider (5, 6) is adjustable such that the current flow angle occurring in the transistors (1, 2) assumes the value π / 2.

6. Modulator according to claim 5, characterized in that the transistors (1, 2) are formed by silicon transistors.

7. Modulator according to claim 3, 5 or 6, characterized in that the switching means for Bridging of the carrier entrance by a

zwischen dem Mittelabgriff (14) der Eingangsschaltung (7) und dem an die Emitter der Transistoren (1, 2) geführten Pol (17) der Versorgungsspannungsquelle (11) liegenden Widerstand (6) gebildet sind.between the center tap (14) of the input circuit (7) and the pole (17) of the supply voltage source (11) which is led to the emitters of the transistors (1, 2) (6) are formed.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen1 sheet of drawings