DE2209771C3 - Integrated threshold circuit for television receivers - Google Patents

Integrated threshold circuit for television receivers

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DE2209771C3 DE2209771A DE2209771A DE2209771C3 DE 2209771 C3 DE2209771 C3 DE 2209771C3 DE 2209771 A DE2209771 A DE 2209771A DE 2209771 A DE2209771 A DE 2209771A DE 2209771 C3 DE2209771 C3 DE 2209771C3
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Andriaan Cense
Jan Van Straaten
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    • H—ELECTRICITY
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    • H04N5/00—Details of television systems
    • H04N5/44—Receiver circuitry for the reception of television signals according to analogue transmission standards
    • H04N5/52—Automatic gain control

Description

durch den Zwischenfrequenzverstärker 15 verstärkt, detektiert und mit Hilfe eines automatischen Regelspannungssignaldetektors 27 abermals detektiert und in eine Regelspannung umgewandelt, die der Basis des ersten Transistors 3 zugeführt wird.amplified by the intermediate frequency amplifier 15, detected and with the help of an automatic control voltage signal detector 27 is detected again and converted into a control voltage, which is the basis of the first Transistor 3 is supplied.

Bei Empfangeines Fernsehsignals geringer Stärke am Eingang 24 gibt der Regelspannungssignaldetektor 27 eine derartige Spannung ab, daß der erste Transistor 3 und auch der zweite Transistor 7 voll ausgesteuert sind (Sättigungszustand) und die Ausgangsspannungen an den ersten und zweiten Anschlußpunkten 9 bzw. 17 niedrig sind, wodurch die Verstärkungen des Hochfrequenz- und Zwischenfrequenzteils 22 bzw. 15 maximal sind.When receiving a low-strength television signal on the The control voltage signal detector 27 outputs a voltage such that the first transistor 3 and also the second transistor 7 are fully controlled (saturation state) and the output voltages are on the first and second connection points 9 and 17, respectively, are low, whereby the gains of the high-frequency and intermediate frequency parts 22 and 15, respectively, are maximum.

Nimmt die Signalstärke pm Eingang 24 zu, so sinkt die Spannung an der Basis des ersten Transistors 3. Dieser erste Transistor 3 wird bei einem bestimmten Signalwert nicht mehr voll ausgesteuert, und der Kollektorrtrom nimmt ab, wodurch die Ausgangsspannung am ersten Anschlußpunkt 9 zunimmt und die Verstärkung des Zwischenfrequenzteils 15 verringert Der Strom durch den Transistor 3 geht weiter durch die Parallelschaltung der Diode 5 und des Basis-Emitter-Überganges des zweiten Transistors 7. Der zweite Transistor 7 bleibt weiterhin noch voll ausgesteuert Zwar geht ein Teil dieses Stromes durch die Diode 5, aber der restliche Teil reicht noch aus um den zweiten Transistor 7 voll auszusteuern.If the signal strength pm input 24 increases, the decreases Voltage at the base of the first transistor 3. This first transistor 3 is at a certain Signal value is no longer fully modulated and the collector current decreases, which reduces the output voltage at the first connection point 9 increases and the gain of the intermediate frequency part 15 is reduced The current through the transistor 3 continues through the parallel connection of the diode 5 and the base-emitter junction of the second transistor 7. The second transistor 7 still remains fully controlled A part of this current goes through the diode 5, but the remaining part is sufficient for the second Transistor 7 to be fully controlled.

Der Widerstand 11 und das Verhältnis zwischen den Oberflächen der Diodenelektroden und der Basis-Emitter-Elektroden des zweiten Transistors 7 sind derart gewählt worden, daß erst, wenn der Kollektorstrom am ersten Transistor bis auf etwa weniger als 15 bis 20% seines Wertes bei voller Aussteuerung gesunken ist, der Strom durch den zweiten Transistor 7 klein genug wird, um die Aussteuerung desselben weniger als vollständig zu machen (aus dem Sättigungszustand kommen zu lassen), wodurch auch die Kollektorspannung des zweiten Transistors bei weiterer Abnahme der Spannung an der Basis des ersten Transistors 3 ansteigen wird. Die Kollektorspannung des ersten Transistors 3 kann dann nur wenig ansteigen, so daß die Regelung des Zwischenfrequenzteils 15 praktisch aufhört und die Regelung des Empfängers durch den Hochfrequenzteil 21 übernommen wird.The resistance 11 and the ratio between the surfaces of the diode electrodes and the base-emitter electrodes of the second transistor 7 have been chosen so that only when the collector current on first transistor has dropped to about less than 15 to 20% of its value at full level, the Current through the second transistor 7 is small enough to control the same less than completely to make (to let come out of the saturation state), whereby also the collector voltage of the second transistor increase with a further decrease in the voltage at the base of the first transistor 3 will. The collector voltage of the first transistor 3 can then increase only slightly, so that the regulation of the Intermediate frequency part 15 practically ceases and the regulation of the receiver by the high frequency part 21 is adopted.

Die Regelspannung, die den Anschlüssen 9 und 17 entnommen wird, weist eine gegenüber der Speisespannung große Änderung auf, weil bei Vollaussteuerung der Transistoren 3 und 7 die Spannung daran fast Null ist und im gesperrten Zustand der Transistoren 3 und '/ der Speisespannung entsprechen kann.The control voltage, which is taken from the connections 9 and 17, has a value compared to the supply voltage large change, because when transistors 3 and 7 are fully driven, the voltage across them is almost zero and in the blocked state of the transistors 3 and '/ can correspond to the supply voltage.

Weil die Regelung des Hochfrequenzteils, wie dies obenstehend beschrieben worden ist, unter einem bestimmten Wert des Kollektorstromes durch den ersten Transistor 3 anfängt, ist mit der Wahl des Wertes des Widerstandes 11 der Spannungswert zu wählen, der zu diesem Kollektorstrom gehört, und dadurch ist diese,· Spannungswert an den Regelbereich des Zwischenfrequenzteils 15 anzupassen. Dadurch kann eine sehr definierte Übernahme der Regelung durch den Hochfrequenzteil 23 erzielt werden. Der Widerstand 11 kann völlig oder teilweise außerhalb der integrierten Schaltung 1 angebracht sein und kann gewünschtenfalls von einem einstellbaren Typ sein. Weil der Widerstand 11 zwischen einem Speisepunkt und dem ersten AnschluOpunkt 9 liegt, braucht dazu kein zusätzlicher Anschlußpunkt der Schaltungsanordnung vorhanden zu sein. Für ein in vielen Fällen brauchbares Stromverhältnis durch die Diode 5 und den Basis-Emitter-Obergang des zweiten Transistors 7 ist etwa ein Sechstel des Stromverstärkungsfaktons des zweiten Transistors 7 ein günstiger Wert Wie in der Zeichnung dargestellt ist, wird die Diode 5 in einer integrierten Schaltung im allgemeinen ein als Diode geschalteter Transistor sein. Das gewünschte Stromverhältnis wird dann auf einfache Weise durch die Wahl des Verhältnisses der Basis-Emitter-Oberfläche des zweiten Transistors 7 zu der des alsBecause the control of the high frequency part, as described above, under one certain value of the collector current through the first transistor 3 begins is with the choice of the value of the resistor 11 to choose the voltage value that belongs to this collector current, and thus this, · voltage value to the control range of the intermediate frequency part 15 adapt. This enables the high-frequency part to take over the control in a very defined manner 23 can be achieved. The resistor 11 can be completely or partially outside the integrated Circuit 1 may be attached and, if desired, may be of an adjustable type. Because the resistance 11 is between a feed point and the first connection point 9, does not need an additional one Connection point of the circuit arrangement to be present. For a current ratio that can be used in many cases through the diode 5 and the base-emitter junction of the second transistor 7 is approximately one sixth of the current amplification factor of the second transistor 7 a favorable value As shown in the drawing, the diode 5 is in an integrated circuit in the generally be a diode-connected transistor. The desired current ratio is then easily achieved by choosing the ratio of the base-emitter surface of the second transistor 7 to that of the as

U) Diode geschalteten Transistors 5 erreicht, welches im betreffenden Fall etwa sechs sein muß. Bekanntlich darf man voraussetzen, daß das Verhältnis zwischen den Basis-Emitter-Übergangsoberflächen des zweiten Transistors 7 und des als Diode geschalteten Transistors 5 den Stromverstärkungsfaktor der Kombination bedeutet. U) reached diode-switched transistor 5, which must be about six in the case in question. As is well known, may one presupposes that the ratio between the base-emitter junction surfaces of the second transistor 7 and the transistor 5 connected as a diode means the current amplification factor of the combination.

Die Schaltungsanordnung nach F i g. 2 weicht von der nach F i g. 1 in den nachfolgenden Punkten ab.
Der zweite Transistor 7 der Schwellenschaltung 1 undThe circuit arrangement according to FIG. 2 differs from that according to FIG. 1 in the following points.
The second transistor 7 of the threshold circuit 1 and

2<i der als Diode geschaltete Transistor 5 sind nun in einem anderen Veihältnis bernessen und dienen als Invertierschaltung um eine andere Richtung der Regelspannungsänderung am zweiten Anschlußpjnkt 17 zu erhalten. Der Kollektor des zweiten Transistors ist2 <i the transistor 5 connected as a diode are now in one other ratios and serve as an inverter circuit to a different direction of the control voltage change at the second connection point 17 obtain. The collector of the second transistor is

Ji deswegen über einen Widerstand 21 mit dem Speisepunkt 12 verbunden und liegt weiter an der Verbindung des Kollektors und der Basis eines als zweite Diode 23 geschalteten npn-Transistors und an der Basis eines dritten npn-Transistors 25, dessen Kollektor am zweitenJi therefore via a resistor 21 with the feed point 12 and is further connected to the junction of the collector and the base of a second diode 23 switched npn transistor and at the base of a third npn transistor 25, whose collector at the second

-o Anschlußpunkt 17 liegt.-o connection point 17 is located.

Vom Hochfrequenzteil 11 wird nun vorausgesetzt, daß er vom Typ ist, der eine in entgegengesetzter Richtung fließende Regelspannung gegenüber der nach F i g. 1 braucht.The high frequency part 11 is now assumed to be of the type which is the opposite Direction of flowing control voltage compared to that according to FIG. 1 needs.

η Die Wirkungsweise der Invertierschaltung ist wie folgt Der Strom im Emitierkreis des ersten Transistors 3 wird mit einem Verstärkungsfaktor, der beispielsweise praktisch Eins ist, auf den Kollektorkreis des zweiten Transistors 7 übertragen. Das Verhältnis der Oberflächeη The operation of the inverter circuit is like The current in the emitting circuit of the first transistor 3 is followed by a gain factor of, for example is practically one, transferred to the collector circuit of the second transistor 7. The ratio of the surface

■ti) des Basis-Emitter-Überganges des zweiten Transistors 7 zu der des Basis-Emitter-Überganges der Diode 5 ist in diesem Fall also praktisch Eins gewählt. Der Widerstand 21 in der Kollektorleitung des zweiten Transistors 7 wird derart gewählt, daß beim gesperrten■ ti) of the base-emitter junction of the second transistor 7 in relation to that of the base-emitter junction of the diode 5, one is practically selected in this case. Of the Resistor 21 in the collector line of the second transistor 7 is chosen so that when blocked

-π Zustand des zweiten Transistors 7 der Strom durch den dritten Transistor 25 groß genug ist um diesen voll auszusteuern. Die Spannungen an den Kollektorelektroden der Transistoren 7 und 25 ändern sich dann gerade entgegengesetzt.-π state of the second transistor 7 the current through the third transistor 25 is large enough to fully control this. The voltages on the collector electrodes of transistors 7 and 25 then change in exactly the opposite direction.

">ii Wird das Verhältnis der Oberfläche des Basis-Emitter-Überganges des dritten Transistors 25 zu dem des als Diode geschalteten Transistors 23 wieder dem gewünschten Verhältnis der Aussteuerungswerte des ersten Transistors zum Auftreten des maximalen"> ii becomes the ratio of the surface of the base-emitter junction of the third transistor 25 to that of the transistor 23 connected as a diode again desired ratio of the modulation values of the first transistor to the occurrence of the maximum

η Stronr.s jnd des Stromes, bei dem die Schwelle in der Regelung des Hochfrequenzteils 22 überschritten wird, also beispielsweise etwa sechs, gemacht, so wird dieselbe Regelung erhalten wie in dem Fall aus Fig. 1, in dem Sinne, daß die Regelspannung am zweitenη Stronr.s jnd of the current at which the threshold in the Regulation of the high-frequency part 22 is exceeded, so for example about six, is done get the same control as in the case of Fig. 1, in the sense that the control voltage on the second

M) Anschlußpunkt 17 nun in entgegengesetztem Sinne also von Maximum nach Minimum ändert bei einem abnehmenden Wert der Spannung an der Basis des ersten Transistors 3, nachdem die Spannung em ersten Anschlußpunkt 9 einen weiter durch den Widerstand 11M) connection point 17 now in the opposite sense changes from maximum to minimum with a decreasing value of the voltage at the base of the first transistor 3 after the voltage em first Connection point 9 one further through resistor 11

hi bestimmten Wert überschritten hat.hi has exceeded a certain value.

Obschon obenstehend für die üblichsten Belastungen durch die Regeleingänge 13 und 20 der Empfängerteile 15 und 22 KÜnstige Werte der OberflächenverhältnisseAlthough above for the most common loads through the control inputs 13 and 20 of the receiver parts 15 and 22 Artificial values of the surface ratios

angegeben sind, dürfte es einleuchten, daß diese anders also gewählt werden können, ohne daß vom wesentlichen der Erfindung abgewichen wird.are given, it should be obvious that these are different can be selected without departing from the essence of the invention.

Statt des Widerstandes U kann auch der Eingangswiderstand der Regeleingänge 13 an das gewünschte > Übernahmegebiet angepaßt werden. Daraus foliü:Instead of the resistance U, the input resistance can also be used of the control inputs 13 can be adapted to the desired> takeover area. From this foliü:

Die Regelsteilheiten der an die Anschlußpunkte angeschlossenen Teile 15 und 22 zusammen mit der /,,The control slopes of the parts 15 and 22 connected to the connection points together with the / ,,

Schwellenschaltung können gewünschtenfalls auch durch eine andere Wahl der Oberflächenverhältnisse m> Njlm js( und/oder Belastungswiderstände als die obenstehendc angepaßt werden. .,Threshold circuits can, if desired, also be adapted by a different choice of the surface ratios m> Nj lm j s ( and / or load resistances than those above.,

Es ist weiter möglich, die Schaltungsanordnung aus ' ' ''It is also possible to use the circuit arrangement from '' ''

F i g. 1 mit der aus F i g. 2 zu kombinieren, und zwar und durch Parallelschaltung der mit dem Emitter des ersten Transistors 3 verbundenen Eingänge der in den beiden Figuren unterschiedlichen weiteren Schaltungsanordnungen, wobei dann Regelspannungen, die unterhalb eines Schwellenwertes der Eingangsspannung im negativen Sinne sowie Regeispannungen, die sich in positivem Sinne ändern, erhalten werden können.F i g. 1 with the one from FIG. 2 to combine, namely and by connecting the inputs of the in the two connected to the emitter of the first transistor 3 in parallel Figures different further circuit arrangements, with control voltages below a threshold value of the input voltage in the negative sense as well as control voltages, which are in change in a positive sense, can be preserved.

Es dürfte weiter einleuchten, daß obschon in diesen Beispielen npn-Transistoren als die zur Zeit üblichsten Transistoren für integrierte Schaltungen verwendet worden sind, gewünschtenfalls auch Transistoren eines anderen Typs verwendbar sind.It should also be evident that although npn transistors are used in these examples as the most common at the moment Transistors for integrated circuits have been used, if desired also transistors one other types can be used.

Die Wahl der unterschiedlichen Größen der Schaltung aus F i g. 2 wird an Hand einer Berechnung erläutert.The choice of the different sizes of the circuit from FIG. 2 is based on a calculation explained.

Folgendes wird vorausgesetzt:The following is required:

ι- — der Eingangsstrom der Schwellenschaltung, also der Strom zur Basis des ersten Transistors 3, ι- - the input current of the threshold circuit, i.e. the current to the base of the first transistor 3,

/· = der Kollektorstrom des ersten Transistors 3, der dem Eingangsstrom der Diode-Transistorkombination 5,7 praktisch entspricht./ · = The collector current of the first transistor 3, the practically corresponds to the input current of the diode-transistor combination 5.7.

/; = der Strom durch den Widerstand 21./; = the current through resistor 21.

i-. — der Kollektorstrom des zweiten Transistors 7. i-. - the collector current of the second transistor 7.

/.·., = der Strom zur Diode-Basiskombination am/.·., = The current to the diode base combination am

Eingang des dritten Transistors 25. :■.Input of the third transistor 25.: ■.

= der Strom durch den Widerstand 19.= the current through resistor 19.

V = die Speisespannung, oder V = the supply voltage, or

B — die Stromverstärkung des ersten Transistors 3. B - the current gain of the first transistor 3.

B: = die Stromverstärkung der Diode-Transistor- B: = the current gain of the diode transistor

kombination 5,7. :.combination 5.7. :.

Bi = die Stromverstärkung der zweiten Diode-Transistorkombination 23,25. Bi = the current gain of the second diode-transistor combination 23.25.

V-.- = die Basis-Emitter-Spannung des zweiten Transistors 7.V -.- = the base-emitter voltage of the second transistor 7th

V-,.-.= die Basis-Emitter-Spannung des dritten Transistors 25.V -, .-. = The base-emitter voltage of the third transistor 25th

V. = die Spar :;ung am Anschlußpunkt 9. V. = the savings:; ung at connection point 9.

V- = die Koilektorspannung des zweiten Transistors 7, V- = the coil voltage of the second transistor 7,

V17 = die Spannung am Anschlußpunkt 17. V 17 = the voltage at connection point 17.

Weiter wird vorausgesetzt, daß der Kollektorstrom der Transistoren dem Emitterstrom derselben praktisch entspricht.It is further assumed that the collector current of the transistors practically corresponds to the emitter current of the transistors is equivalent to.

Nun ist oderWell is or

RnMarg

I,-0 < 1.- <. I und 0 - l.. - II, -0 <1.- <. I and 0 - l .. - I

Wenn der erste Transistor 3 gerade aus der Vollaussteueruni: kommt, gilt:When the first transistor 3 is just out of the Full tax university: comes, applies:

Fur den entsprechenden Stromwert /,„, des Eingangs stromes gilt dann:For the corresponding current value /, ", of the input current then applies:

B1R1 B 1 R 1

Wenn der dritte Transistor 25 gerade in den leitenden Zustand gelangt, gilt:If the third transistor 25 just comes into the conductive state, the following applies:

I1- = II 1 - = I.

Also dann ist:So then is:

H JiJl; 1.. Ria =■- I), H JiJl; 1 .. R ia = ■ - I),

H: B, R2,H : B, R 2 ,

Vorausgesetzt wird nun. daß das Verhältnis zwischer den Stromwerten ;,„, und /,„,. wobei die Regelspan nungsbereiche an den beiden Ausgängen 9 und Ii anfangen, gleich pist.
Dann istIt is now assumed. that the relationship between the current values;, ", and /," ,. where the control voltage ranges begin at the two outputs 9 and Ii, equal to pist.
Then

= Z111 = B1B1R11 Il - I „,.,ι = Z 111 = B 1 B 1 R 11 II - I ",., Ι

B1R11 B 1 R 11

Weiter istNext is

= V-B1LnRn. = VB 1 L n R n .

/,.= B2B.i,„. /,.= B 2 Bi, ".

Damit Vi; von 0 bis V laufen kann, muß weiter inSo that Vi; can run from 0 to V, must continue in

Ausdruckexpression

I1 I ■ H1 " Il I ,.,I ι H Ji.H1 1111R1. I 1 I ■ H 1 " II I,., I ι H Ji .H 1 1 111 R 1 .

Frei wählbar sind nun entweder Bs oder Bi oder aber Rn, damit die Bedingungen (t) und (2) erfüllt werden. Either Bs or Bi or Rn can now be freely selected so that conditions (t) and (2) are met.

Zur !Erhaltung eines günstigen Verhältnisses der Ströme und Widerstandswerte in der Schwellensehal-■' Hing wird B2= 1 gewählt.In order to maintain a favorable ratio of the currents and resistance values in the threshold range, B 2 = 1 is chosen.

Zur F.rfüilung der Bedingung(l) wird dann:To fulfill condition (l) then:

Diis hcil.il: Zum BeispielDiis hcil.il: For example

p, Ku und R stellt. p, Ku and R represents.

K21 - IiJi1., K 21 - IiJi 1. ,

und zur F.rfüilung der Bedingung (2) für einen großen Regelbereich wird dann zugleich:and for the fulfillment of condition (2) for a large control range then at the same time:

alsoso

K21 - H1K,..-,.K11 < HJi1., λ B. Hy Rv, K 21 - H 1 K, ..- ,. K 11 < HJi 1. , Λ B. H y R v ,

liegen praktisch fest durch die und weil in der l'r.ixis meistens Kn K1,, ist. wird dünnare practically fixed by and because in the l'r.ixis mostly K n K 1 ,, is. becomes thin

.ηΐ/ιΐιη ^l in >imi(i->r>-i H1 .ηΐ / ιΐιη ^ l in> imi (i->r> -i H 1

Hierzu I Hliiti/.eiFor this I Hliiti / .ei

809 634/195809 634/195

Claims (5)

Patentansprüche;Claims; 1. Integrierte Schwellenschaltung für eine automatische Verstärkungsregelungsschaltung eines Fernsehempfängers, dadurch gekennzeichnet, daß diese einen ersten Transistor (3) enthält, dessen Basis der Eingang der Schwellenschaltung ist, dessen Emitter mit der Parallelschaltung einer Diode (5) und eines Basis-Emitter-Oberganges eines zweiten Transistors (7) verbunden ist, wobei der Kollektor des ersten Transistors (3) gleichstrommäßig mit einem ersten Anschlußpunlct (9) der integrierten Schaltung (1) zur Lieferung einer Regelspannung für einen Teil (15) des Fernsehempfängers verbunden ist und wobei der Kollektor des zweiten Transistors (7) gleichstrommäßig mit einem zweiten Anschlußpunkt (17) der integrierten Schaltung (1) zur Lieferung einer Regelspannung für einen anderen Teil (22) eines Fernsehempfängers gekoppelt ist.1. Integrated threshold circuit for an automatic Gain control circuit of a television receiver, characterized in that it contains a first transistor (3) whose The basis is the input of the threshold circuit, the emitter of which is connected to the parallel connection of a diode (5) and a base-emitter junction of a second transistor (7) is connected, the collector of the first transistor (3) in terms of direct current with a first connection point (9) of the integrated Circuit (1) for supplying a control voltage for part (15) of the television receiver is connected and wherein the collector of the second transistor (7) is DC connected to a second connection point (17) of the integrated circuit (1) for supplying a control voltage for another Part (22) of a television receiver is coupled. 2. Integrierte Schwellenschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Kollektor des zweiten Transistors (7) mit dem zweiten Anschlußpunkt (17) verbunden ist (F ig. 1).2. Integrated threshold circuit according to claim 1, characterized in that the collector of the second transistor (7) is connected to the second connection point (17) (Fig. 1). 3. Integrierte Schwellenschaltung nach Anspruch3. Integrated threshold circuit according to claim 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Kollektor des zweiten Transistors (7) mit einem Widerstand (21) nach einem Speisepunkt und mit einer Parallelschaltung einer zweiten Diode (23) und eines Basis-Emitter-Überganges eines dritten Transistors (25) verbunden ist, von welchem dritten Transistor (25) der Kollektor mit dem zweiten Anschlußpunkt (17) gleichstrommaüig verbunden ist (F i g. 2).1, characterized in that the collector of the second transistor (7) with a resistor (21) after a feed point and with a parallel connection of a second diode (23) and a base-emitter junction a third transistor (25) is connected, of which third transistor (25) the Collector is connected to the second connection point (17) in a DC manner (FIG. 2). 4. Integrierte Schwellenschaiung nach Anspruch4. Integrated Schwellenschaiung according to claim 2, wobei die Diode ein Transistor ist, dessen Basis und dessen Kollektor miteinandei und der Basis des zweiten Transistors verbunden sind, und dessen Emitter mit dem Emitter des zweiten Transistors verbunden ist, dadurch gekennzeichnet, daß das Verhältnis zwischen der Oberfläche des Basis-Emitter-Überganges des zweiten Transistors (7) und der des Basis-Emitter-Überganges des als Diode geschalteten Transistors (5), welches Verhältnis dem Verhältnis zwischen dem Strom durch den zweiten Transistor (7) in teilweise ausgesteuertem Zustand und dem zugehörenden Strom durch den ersten Transistor (3) in teilweise ausgesteuertem Zustand entspricht, zwischen vier und zehn liegt.2, the diode being a transistor, the base and collector of which are connected to one another and the base of the second transistor are connected, and its emitter to the emitter of the second transistor is connected, characterized in that the ratio between the surface area of the base-emitter junction of the second transistor (7) and that of the base-emitter junction of the connected as a diode Transistor (5), which ratio is the ratio between the current through the second Transistor (7) in a partially driven state and the associated current through the first The transistor (3) in the partially driven state corresponds to between four and ten. 5. Integrierte Schwellenschaltung nach Anspruch5. Integrated threshold circuit according to claim 3, wobei die genannten Dioden Transistoren sind, deren Basis- und Kollektorelektroden miteinander und mit der Basis des parallelgeschalteten Basis-Emitter-Überganges verbunden sind, während die Emitterelektroden der als Dioden geschalteten Transistoren mit dem Emitter des parallelgeschalteten Basis-Emitter-Überganges verbunden ist, dadurch gekennzeichnet, daß das Verhältnis zwischen der Oberfläche des Basis-Emitter-Überganges des zweiten Transistors (7) und der des Basis-Emitter-Überganges des als Diode ihm parallelgeschalteten Transistors (5) praktisch gleich Eins ist und das Verhältnis zwischen der Oberfläche des Basis-Emitter-Überganges des dritten Transistors (25) und der des Basis-Emitter-Überganges des als zweite Diode ihm parallelgeschalteten Transistors (23) einem zwischen vier und zehn liegenden Wert praktisch entspricht.3, the said diodes being transistors, the base and collector electrodes of which are connected to one another and are connected to the base of the parallel-connected base-emitter junction, while the Emitter electrodes of the transistors connected as diodes with the emitter of the transistors connected in parallel Base-emitter junction is connected, characterized in that the ratio between the surface of the base-emitter junction of the second transistor (7) and that of the base-emitter junction of the transistor (5) connected in parallel with it as a diode is practically equal to one and that Ratio between the surface of the base-emitter junction of the third transistor (25) and the of the base-emitter junction of the transistor (23) connected in parallel to it as a second diode practically corresponds to a value lying between four and ten. Die Erfindung bezieht sich auf eine integrierte Schwellenschaltung für eine automatische VerstÄrkungsregelungsschaltung eines Fernsehempfängers,The invention relates to an integrated threshold circuit for an automatic gain control circuit a television receiver, Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Schwellenschaltung zu schaffen, die eine im allgemeinen für integrierte Verstärkungsregelungen erforderliche minimale Anzahl von Anschlußpunkten hat, einen gegenüber der Speisespannung großen Ausgangsspannungsbereirh aufweist und zwei Ausgangsspannungen geben kann, die aneinander anschließende Regelbereiche mindestens zweier Empfängerstufen mit einem gut definierten Übergang zwischen diesen Regelbereichen versorgen können.
Die erfindungsgemäße Lösung ist im kennzeichnenden Teil des Patentanspruchs 1 angegeben.The invention is based on the object of creating a threshold circuit which has a minimum number of connection points generally required for integrated gain controls, has an output voltage range that is large compared to the supply voltage and can give two output voltages, the contiguous control ranges of at least two receiver stages with a well-defined Can supply transition between these control ranges.
The solution according to the invention is specified in the characterizing part of claim 1. Durch Verwendung der parallel zum Basis-Emitterübergang des zweiten Transistors liegenden Diode ist erreicht, daß ein zusätzlicher Anschlußpunkt zur Einstellung eines geeigneten Übernahmegebietes zwisehen den Regelbereichen der beiden Teile überflüssig ist. Dieses Einstellen kann nun dadurch erfolgen, daß am ersten Anschlußpunkt eine einstellbare oder angepaßte Widerstandsschaltung angebracht wird. Die Diode parallel zum Basis-Emitter-Übergang des zweiten Transistors dient dabei weiter dazu, das Gebiet, in dem der Schwellenwert liegen soll, bei der Herstellung der integrierten Schaltung festzulegen.By using the diode lying in parallel with the base-emitter junction of the second transistor achieved that an additional connection point for setting a suitable takeover area zwisehen the control ranges of the two parts is superfluous. This setting can now be done in that on An adjustable or adapted resistor circuit is attached to the first connection point. The diode parallel to the base-emitter junction of the second transistor serves to further the area in which the threshold value should be to be determined during the manufacture of the integrated circuit. Mit der erfindungsgemäßen Schaltungsanordnung ist es weiter durchaus möglich, zwei Regelstufen mit etwaWith the circuit arrangement according to the invention, it is also entirely possible to have two control stages with approximately jo gleichem Eingangswiderstand zu regeln, wie dies in der Praxis meistens erforderlich ist.jo to regulate the same input resistance, as in the Practice is mostly required. Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung ist in der Zeichnung dargestellt und wird im folgenden näher beschrieben. Es zeigtAn embodiment of the invention is shown in the drawing and will be described in more detail below described. It shows F i g. 1 ein vereinfachtes Schaltbild einer erfindungsgemäßen Schwellenschaltung,F i g. 1 a simplified circuit diagram of a threshold circuit according to the invention, F i g. 2 ein vereinfachtes Schaltbild einer erfindungsgemäßen Schwellenschaltung, mit der Regelspannungen unterschiedlichen Pegels und für unterschiedlicheF i g. 2 shows a simplified circuit diagram of a threshold circuit according to the invention, with the control voltages different levels and for different to Regelanordnungen erhalten werden können.to rule orders can be obtained. In Fig. I hat eine integrierte Schweinschaltung 1 einen ersten npn-Transistor 3, dessen Emitter mit einem Ende einer Parallelschaltung eines als Diode geschalteten npn-Transistors 5 und des Basis-Emitter-Überganges eines zweiten npn-Transistors 7 verbunden ist, von welcher Parallelschaltung das andere Ende an einen Anschluß 0 einer Speisequelle gelegt ist.In FIG a first npn transistor 3, the emitter of which is connected as a diode to one end of a parallel circuit npn transistor 5 and the base-emitter junction of a second npn transistor 7 is connected, of which parallel connection the other end is connected to a connection 0 of a supply source. Der Kollektor des ersten Transistors 3 liegt an einem ersten Anschlußpunkt 9 der Schwellenschaltung 1.The collector of the first transistor 3 is connected to a first connection point 9 of the threshold circuit 1. so Dieser erste AnschluSpunkt 9 ist über einen Widerstand 11 an eine positive Speisespannung ( + ) gelegt und ist weiter mit einem Regelspannungseingang eines Zwischenfrequenzverstärkers 15 eines Fernsehempfängers verbunden. Die positive Speisespannung ist weiter an einen Anschluß 12 der integrierten Schaltung 1 gelegt, wodurch beispielsweise etwaige andere mit der Schwellenschaltung integrierte Schaltungen gespeist werden können.So this first connection point 9 is via a resistor 11 is connected to a positive supply voltage (+) and is further connected to a control voltage input of an intermediate frequency amplifier 15 connected to a television receiver. The positive supply voltage is also applied to a terminal 12 of the integrated circuit 1, as a result of which, for example, any other circuits integrated with the threshold circuit are fed can be. Der Kollektor des zv/eiten Transistors 7 liegt an-The collector of the second transistor 7 is present ho einem zweiten Anschlußpunkt 17 der Schwellenschaltung 1. Dieser zweite Anschlußpunkt 17 ist über einen Widerstand 19 an die positive Speisespannung ( + ) gelegt und weiter mit einem Regeleingang 20 eines Hochfrequenzteils 22 des Fernsehempfängers verbun-ho a second connection point 17 of the threshold circuit 1. This second connection point 17 is via a resistor 19 to the positive supply voltage (+) placed and further connected to a control input 20 of a high-frequency part 22 of the television receiver h5 den.h5 the. Der Hochfrequenzteil 22 erhält über einen Eingang 24 ein Fernsehsignal, das in ein Zwischenfrequenzsignal umgewandelt wird. Dieses Zwischenfrequenzsignal wirdThe high-frequency part 22 receives a television signal via an input 24, which is converted into an intermediate frequency signal is converted. This intermediate frequency signal is
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