DE1290592B

DE1290592B - Magnetic memory wired in a network and process for its manufacture

Info

Publication number: DE1290592B
Application number: DE1964P0035073
Authority: DE
Inventors: Duinker; Neuhaus; Dr Simon; Dipl-Ing Hans Wilhelm
Original assignee: Philips Patentverwaltung GmbH
Current assignee: Philips Intellectual Property and Standards GmbH
Priority date: 1964-09-16
Filing date: 1964-09-16
Publication date: 1969-03-13

Description

Die Erfindung bezieht sich auf einen netzartig verdrahteten Magnetspeicher zur magnetischen Speicherung oder übertragung von Informationen mit sich linear erstreckenden Kopplungsstellen, die von von Ferritmaterial umgebenen isolierten Leitern gebildet sind. Die einzelnen durch die Kopplungsstellen gebildeten Speicherzellen können dabei in einer zweidimensionalen Matrix angeordnet werden.The invention relates to a network-like wired magnetic memory for magnetic storage or transmission of information with itself linearly extending coupling points, which are isolated from surrounded by ferrite material Ladders are formed. The individual storage cells formed by the coupling points can be arranged in a two-dimensional matrix.

Eine bekannte Matrix dieser Art besteht aus einer regelmäßigen matrixförmigen Anordnung kleiner Ferritringkerne, die von einem System sich in den Ringen kreuzender Drähte, z. B. Schreib-, Lese- und Inhibitdrähte, durchflochten ist. Das eigentliche Speicherelement der Information ist der Ringkern und befindet sich am Kreuzungspunkt mehrerer Stromleiter. Die Arbeitsweise eines Ferritringkernes als Speicher oder Schaltelement kann als bekannt vorausgesetzt werden, ebenfalls die Verdrahtung und Arbeitsweise einer aus solchen Elementen aufgebauten Matrix.A known matrix of this type consists of a regular matrix-shaped one Arrangement of small ferrite ring cores that cross each other in the rings from a system Wires, e.g. B. write, read and inhibit wires, is braided. The real one The information storage element is the toroidal core and is located at the intersection multiple conductors. How a ferrite ring core works as a memory or Switching element can be assumed to be known, as well as the wiring and Operation of a matrix made up of such elements.

Solche Magnetkernspeichermatrizen arbeiten bereits sehr zufriedenstellend. Sie haben jedoch den Nachteil, daß man die einzelnen Stromleiter mit verhältnismäßig hohen Strömen beaufschlagen muß, damit die Kerne ihren Remanenzzustand ändern. Außerdem ist die Arbeitsgeschwindigkeit derartiger Ferritkernspeicher begrenzt, denn die Kernumschaltzeit ist proportional dem Kernaußendurchmesser, und man kann die Kerne nicht beliebig verkleinern, da man noch die notwendigen Stromleiter durch die Kerne hindurchfädeln muß. Ein weiterer weit stärker ins Gewicht fallender Nachteil besteht darin, daß die Herstellung der Speichermatrizen sehr teuer ist. Der hohe Preis rührt vor allem von dem zeitraubenden und kaum zu vereinfachenden Arbeitsaufwand für die Durchfädelung der verschiedenen Drähte her und von einem relativ hohen Ausschuß infolge Beschädigung einzelner schon eingefädelter Ringkerne. Eine Reparatur ist zwar noch in bestimmten Grenzen durchführbar, sie ist aber ebenfalls sehr kompliziert und zeitraubend.Such magnetic core memory matrices already work very satisfactorily. However, they have the disadvantage that the individual conductors with relatively must apply high currents so that the cores change their state of remanence. aside from that the operating speed of such ferrite core memory is limited because the The core switching time is proportional to the outer diameter of the core, and the cores can be used do not downsize at will, because you still have the necessary conductors through the cores must thread through. Another disadvantage that is far more significant is there in that the memory arrays are very expensive to manufacture. The high price is stirring especially the time-consuming and hard-to-simplify workload for the Threading through the various wires and from a relatively high scrap as a result of damage to individual toroidal cores that have already been threaded in. A repair is although still feasible within certain limits, it is also very complicated and time consuming.

Eine andere ebenfalls schon bekannte Matrixform ist die einer Ferritlochplatte. In eine Platte aus Ferrit mit rechteckförmiger Hystereseschleife werden Löcher gepreßt. Durch dieses Lochsystem müssen dann genauso wie beim Ferritkernspeicher noch die einzelnen Drähte mühsam hindurchgefädelt werden. Diese Matrixanordnung ist wesentlich robuster gegenüber dem üblichen Verdrahtungsprozeß, auch kann mindestens ein Teil der Verdrahtung photochemisch aufgedruckt werden. Die Löcher können kleiner gehalten werden, wodurch sich der erforderliche Schaltstrom für die magnetische Umschaltung der Lochumgebung verringert. Jedoch müssen die Löcher sehr genau angefertigt sein, damit man eindeutige Ausgangsspannungen erhält. Die Kosten für ein derartiges Preßwerkzeug sind daher beträchtlich. Es ist auch bereits bekannt, das Durchfädeln der Drälate durch die Matrizplatte dadurch zu umgehen, daß man die Durchverbindungen von vornherein in die Ferritpulver-Platte mit einpreßt. Dieses Verfahren stößt in der Praxis jedoch auf ganz erhebliche Schwierigkeiten, die seine Realisation unmöglich erscheinen lassen. Außerdem hat eine aus Ferritpulver gepreßte Platte keine rechteckförmige Hystereseschleife, und eine magnetisch günstig wirkende Nachsinterung zerstört wegen der dabei auftretenden hohen Temperatur die Isolation der Drähte. Dieser Nachteil besteht auch bei einem anderen Verfahren, bei dem man versucht, auf die Kreuzungspunkte des Verdrahtungssystems Ferritperlen aufzusintern. Ein Verfahren, bei dem die Notwendigkeit der Nachsinterung entfällt und bei dem um die Kreuzungspunkte eines Drahtsystems eine Ferritschicht im geschmolzenen Zustand aufgesprüht oder aus der Gasphase aufgedampft wird, hat sich bis jetzt noch nicht für die technische Fertigung erschließen lassen.Another matrix shape that is already known is that of a ferrite perforated plate. Holes are pressed into a plate made of ferrite with a rectangular hysteresis loop. As with the ferrite core memory, the individual wires are laboriously threaded through. This matrix arrangement is essential more robust compared to the usual wiring process, at least one part can also be used the wiring can be printed photochemically. The holes can be kept smaller which increases the switching current required for magnetic switching the hole environment is reduced. However, the holes must be made very precisely, so that one receives clear output voltages. The cost of such a press tool are therefore considerable. It is also already known the threading of the Drälate to bypass the die plate by making the through connections from the start pressed into the ferrite powder plate. However, this procedure fails in practice to very considerable difficulties that seem impossible to realize permit. In addition, a plate pressed from ferrite powder does not have a rectangular shape Hysteresis loop, and a magnetically favorable re-sintering destroyed because of the resulting high temperature the insulation of the wires. This disadvantage there is also another method in which one tries to hit the crossing points of the wiring system to sinter ferrite beads on. A procedure in which the need there is no re-sintering and around the crossing points of a wire system a ferrite layer is sprayed on in the molten state or vapor-deposited from the gas phase has not yet been able to be developed for technical production.

Die bekannten Speicher mit starren Leiterverbindungen, die auf Ferritmaterial aufgebracht sind, haben den Nachteil, daß verhältnismäßig viel Ferritmaterial benötigt wird, wodurch die Schaltzeit nachteilig beeinflußt und der Schaltstrom erhöht wird.The well-known memory with rigid conductor connections based on ferrite material are applied have the disadvantage that a relatively large amount of ferrite material is required thereby adversely affecting the switching time and increasing the switching current.

Neben den mit starren Leiterverbindungen ausgestatteten, zum Teil nach chemisch-physikalischen Verfahren hergestellten Speichern sind auch netzartig verdrahtete Magnetspeicher bekannt, bei denen die Magnetstellen auf einem Reihen- oder Spaltendraht nicht unmittelbar hintereinander liegen. Die voneinander isolierten Drähte werden nur an den Kopplungsstellen von Ferritmaterial umgeben, während die Leiter zwischen den Kopplungsstellen bei der Herstellung eines solchen Speichers maskiert werden müssen, damit sie kein dämpfendes Ferritmaterial aufnehmen.In addition to those equipped with rigid conductor connections, in part Storage tanks manufactured using chemical-physical processes are also network-like wired magnetic memory known, in which the magnetic points on a row or column wire are not directly behind each other. The isolated from each other Wires are only surrounded by ferrite material at the coupling points, while the Conductor between the coupling points in the manufacture of such a memory must be masked so that they do not take up attenuating ferrite material.

Die Erfindung betrifft demgegenüber einen netzartig verdrahteten Magnetspeicher, der dadurch gekennzeichnet ist, daß die von plastifizierbarem Isoliermaterial umgebenen Leiter vollständig miteinander vermascht sind und jedes Maschenteil eine aus im wesentlichen parallel miteinander verlaufenden Leiterteilen bestehende Kopplungsstelle bildet.In contrast, the invention relates to a network-like wired magnetic memory, which is characterized in that it is surrounded by plasticizable insulating material Heads are completely meshed with each other and each mesh part is made of im essential coupling point that runs parallel to one another forms.

Mindestens zwei Stromleiter liegen parallel und sind mit einem magnetischen Material mit rechteckförmiger Hystereseschleife umgeben und wirken somit als Speicherelement.At least two current conductors are parallel and are connected to a magnetic one Surround material with a rectangular hysteresis loop and thus act as a storage element.

Ein Vorzug des neuen Magnetspeichers liegt darin, daß das Speichervolumen bei gleicher Fläche vergrößert wird, da mehr Kopplungsstellen als bei den bekannten Kreuzungsmatrizen erhalten werden. Ferner wird die Herstellung des Speichers erleichtert, da der gesamte Draht aus einheitlich plastifizierbar isoliertem Material hergestellt werden kann, womit die Herstellung des Maschennetzes sowie dessen spätere Ferritisierung erleichtert ist, da keinerlei Masken oder Abdeckmittel für die nach Möglichkeit nicht mit Ferrit zu umgebenden Leiter vorzusehen sind.One advantage of the new magnetic storage is that the storage volume is enlarged with the same area, since more coupling points than with the known Crossing matrices are obtained. Furthermore, the production of the memory is facilitated, because the entire wire is made of uniformly plasticizable insulated material can be, with which the production of the mesh network and its subsequent ferritization is relieved, since no masks or covering means for the if possible conductors that are not to be surrounded by ferrite are to be provided.

Durch die parallele Anordnung der Leiter innerhalb einer jeden einzelnen Speicherzelle wird der Kraftlinienweg und damit der erforderliche Schaltstrom minimal im Vergleich zu den bekannten Anordnungen mit gekreuzten Drähten. Die Fabrikation läßt sich völlig bei niedrigen Temperaturen durchführen, was die Herstellung und die Reproduzierbarkeit günstig beeinflußt. Verdrahtung, Isolation, magnetische Beschichtung und Durchverbindungen lassen sich bei der Herstellung vollkommen automatisieren. Der neue Speicher beansprucht außerdem einen viel kleineren Raum bzw. Volumen als die bekannten Speicher, wenn man die Speicherkapazität berücksichtigt.Due to the parallel arrangement of the conductors within each one Storage cell, the path of the lines of force and thus the required switching current is minimal compared to the known arrangements with crossed wires. The fabrication can be carried out completely at low temperatures, which is the production and the reproducibility favorably influenced. Wiring, insulation, magnetic coating and through connections can be completely automated during manufacture. The new storage system also takes up a much smaller space or volume than the known memories if one takes the storage capacity into account.

Die Anordnung gestattet als Organisationsform sowohl die des Stromkoinzidenzspeichers als auch die des Wortauswahlsystems. Die »Zwei-Kerne-pro-Bit«-Technik läßt sich z. B. durch einfache Querverbindungen verwirklichen. Der neue Magnetspeicher erleichtert die Massenfertigung und gestattet, auf verhältnismäßig einfache Weise Großraumspeicher herzustellen.The arrangement permits both that of the current coincidence memory as an organizational form as well as those of the word selection system. The "two-cores-per-bit" technology can z. B. can be realized through simple cross-connections. The new magnetic storage makes it easier mass production and allowed to be proportionate simple Way to create large capacity storage.

Die Zeichnung stellt Ausführungsbeispiele dar. Es zeigen F i g. 1 und 2 Grundelemente in Draufsicht und Querschnitt, F i g. 3 a bis 3 d Beispiele von aufeinanderzulegenden Netzebenen, F i g. 4 a bis 4 c, 5 und 6a und 6b Beispiele von aufeinandergelegten bzw. miteinander vermaschten Netzebenen.The drawing shows exemplary embodiments. F i g. 1 and 2 basic elements in plan view and cross-section, FIG. 3 a to 3 d examples of network levels to be laid on top of one another, FIG. 4 a to 4 c, 5 and 6a and 6b examples of superimposed or meshed network levels.

Den geraden Stücken eines z. B. zickzackförmig verlaufenden Leiters 1 liegt nach F i g. 1 mindestens noch ein weiterer Leiter 2 parallel. Beide Leiter sind elektrisch voneinander isoliert und bilden somit eine sich linear erstreckende Kopplungsstelle einer matrixartigen Verdrahtung gleichsam wie ein Maschenteil von vermaschten Netzen. Von diesen Leitern hat mindestens ein Leiter ein derart geeignetes Isolationsmaterial 3, das durch Einwirkung von Temperatur oder chemischen Mitteln in den plastischen Zustand gebracht wird, so daß nach Erstarrung oder Aushärtung sämtliche parallele Leiter fest verschmolzen und von dem Isoliermaterial 3' umgeben sind, die einzelnen Leiter 1, 2 gegeneinander aber weiterhin elektrisch isoliert bleiben, wie F i g. 2 a und 2 b zeigen. Das Isoliermaterial kann aus Glas, Email, Wasserglas oder Kunststoff bestehen und durch Aufspritzen oder Aufdampfen aufgebracht werden. Ein Speicherelement kann man nun dadurch erhalten, daß man, nachdem man die Oberfläche 4 noch eventuell aktiviert hat, ein magnetisches Material mit rechteckförmiger Hystereseschleife (Ferrit, Fe-Ni, Ni-Co, Permalloy) so aufbringt, daß ein länglicher geschlossener, überwiegend zylindrischer Körper entsteht. Die magnetische Schicht kann durch elektrolytische, chemische, Aufdampf-, Zerstäub- oder andere geeignete Verfahren aufgebracht werden. Die magnetischen Eigenschaften dieses Materials können durch Magnetfeldtemperung oder Magnetfeldabkühlung verbessert werden. Während des Aufbringens der magnetischen Schicht kann zusätzlich ein richtendes magnetisches Feld durch elektrische Signale in mindestens einer der Gruppen von Stromleitern erzeugt werden.The straight pieces of a z. B. zigzag running conductor 1 is according to F i g. 1 at least one more conductor 2 in parallel. Both conductors are electrically isolated from one another and thus form a linearly extending coupling point of a matrix-like wiring, as it were like a mesh part of meshed networks. Of these conductors, at least one conductor has such a suitable insulating material 3, which is brought into the plastic state by the action of temperature or chemical agents, so that after solidification or hardening all parallel conductors are firmly fused and surrounded by the insulating material 3 ' , the individual Conductors 1, 2 remain electrically isolated from one another, however, as shown in FIG. Figures 2a and 2b show. The insulating material can consist of glass, enamel, water glass or plastic and can be applied by spraying or vapor deposition. A storage element can now be obtained by applying a magnetic material with a rectangular hysteresis loop (ferrite, Fe-Ni, Ni-Co, Permalloy) in such a way that an elongated, closed, predominantly cylindrical one, after possibly activating the surface 4 Body arises. The magnetic layer can be applied by electrolytic, chemical, vapor deposition, sputtering or other suitable methods. The magnetic properties of this material can be improved by magnetic field heating or magnetic field cooling. During the application of the magnetic layer, a directing magnetic field can additionally be generated by electrical signals in at least one of the groups of current conductors.

Die Information kann mit Hilfe der in die magnetische Schicht vorwiegend parallel in axialer Richtung eingebetteten Stromleiter 1, 2 eingeschrieben und ausgelesen werden. Je nach Lage der Remanenzinduktion ist die eingeschriebene Information eine 0« oder ein »L«. Beim Auslesen wird die Information zerstört. Das Prinzip ist also das gleiche wie das eines Ferritringkernes. Matrixebenen kann man dadurch erhalten, daß man ganze Netzwerke zickzackförmig verlaufender Drahtgruppen übereinanderlegt und die Isolation an den Stellen parallellaufender Drähte miteinander verschmilzt, so daß ein einziges mechanisch fest verbundenes Drahtnetz entsteht. Nach Aufbringen des magnetischen Materials erhält man somit eine Speichermatrix. Zwei Leiter je einer Leitergruppe haben jeweils ein in axialer Richtung paralleles Stück, das von einem geschlossenen magnetischen Zylinder umhüllt ist. Somit kann man durch Kombination je eines Drahtes von mindestens zwei Leitergruppen ein Speicherelement aufrufen, d. h. Information einschreiben oder auslesen.The information can be found predominantly with the help of the magnetic layer written and read out parallel conductors 1, 2 embedded in the axial direction will. Depending on the position of the remanent induction, the information written is a 0 "or an" L ". The information is destroyed when it is read out. So the principle is the same as that of a ferrite ring core. Matrix levels can be obtained by that whole networks of wire groups running in a zigzag shape are laid one on top of the other and the insulation fuses together at the points of parallel wires, so that a single mechanically firmly connected wire network is created. After applying of the magnetic material, a storage matrix is obtained. Two conductors each of a group of conductors each have a parallel piece in the axial direction, that of is encased in a closed magnetic cylinder. So you can by combination Call up a memory element for each wire of at least two conductor groups, d. H. Write in or read out information.

F i g. 3 zeigt einen nach dem Prinzip der zickzackförmigen Leiter hergestellten Stromkoinzidenzspeicher. Zur besseren Verdeutlichung sind die einzelnen Leitergruppen getrennt nebeneinander gezeichnet. F i g. 3 a und 3 b zeigen die X- und die Y-Drähte. Diese Art der Kennzeichnung kann beibehalten werden, da das Speicherelement an einem bestimmten Matrixplatz in einer Zeile X" und einer Spalte Y"t weiterhin durch Aufruf des n-ten X-Drahtes und des m-ten Y-Drahtes erreichbar ist. In F i g. 3 c ist der Verlauf des Inhibitdrahtes 1 und in F i g. 3 d der Verlauf des Lesedrahtes R aufgezeigt. Der Speicher arbeitet nach dem bekannten Prinzip des Ferritkern-Strom-Koinzidenzspeichers. Der Inhibitdraht 1 wird jeweils in der nächsten Zeile zurückgeführt. Dadurch müssen die X-Drähte abwechselnd von rechts und links, die Y-Drähte abwechselnd von oben und unten eingespeist werden. Der Lesedraht R ist in vier Abschnitte unterteilt, und die Ausgangsspannungen der halbgelesenen Speicherzellen haben die Tendenz, sich gegenseitig zu kompensieren. Die Ausgangsspannung für ein gelesene »L« ist abwechselnd positiv und negativ, je nach Lage der Speicherzelle in der Matrix. In F i g. 3 a bis 3 d ist die Speicherzelle Z der zweiten Zeile und dritten Spalte stärker herausgezeichnet. Nach Verschmelzung der Isolation dieser vier Drahtnetze liegen diese Leiterstücke parallel und bilden nach Aufbringen des magnetischen Materials die Speicherzelle X2Y3.F i g. 3 shows one based on the zigzag ladder principle produced current coincidence storage. For better clarity, the individual Groups of leaders drawn separately next to each other. F i g. 3 a and 3 b show the X- and the Y-wires. This type of labeling can be retained as the storage element at a certain matrix position in a row X "and a column Y" t continue can be reached by calling the nth X wire and the mth Y wire. In F i G. 3 c is the course of the inhibit wire 1 and in FIG. 3 d the course of the reading wire R shown. The memory works according to the well-known principle of the ferrite core current coincidence memory. The inhibit wire 1 is led back in the next row. This must the X-wires alternately from right and left, the Y-wires alternately from above and fed in below. The reading wire R is divided into four sections, and the output voltages of the half-read memory cells tend to be to compensate each other. The output voltage for a read »L« is alternating positive and negative, depending on the location of the memory cell in the matrix. In Fig. 3 a to 3 d, the memory cell Z of the second row and third column is shown more clearly. After the insulation of these four wire nets has been fused, these conductor pieces are located parallel and form the memory cell after application of the magnetic material X2Y3.

Beispiele für die Wortorganisationsform zeigen die F i g. 4 a bis 4 c. Nach F i g. 4 a müssen nebeneinanderliegende Wortdrähte 5 (ausgezogene Linien) und Informationsdrähte 6 (gestrichelte Linien) in abwechselnder Richtung mit Stromimpulsen beaufschlagt werden.Examples of the word organization form are shown in FIGS. 4 a to 4 c. According to FIG. 4 a, adjacent word wires 5 (solid lines) and information wires 6 (dashed lines) in alternating directions with current pulses be applied.

In F i g. 4 b und 4 c ist die Stromrichtung jeweils einheitlich, dafür ist die Gesamtverdrahtung etwas komplizierter, da nach Fertigstellung der Speicherzellen der Matrix noch äußere Drahtverbindungen angebracht werden müssen. In F i g. 4 c sind die ausgezogenen Linien mit 51 ... 5@,I bezeichnet und die gestrichelten Linien mit 6". .. 6d. Man sieht, daß es sich bei der F i g. 4 c um eine »rechteckige« Matrix mit 24 Kopplungsstellen handelt, mit sechs Spaltenleitern und vier Reihenleitern.In Fig. 4 b and 4 c, the direction of the current is always the same, but the overall wiring is somewhat more complicated, since external wire connections must be made after the memory cells of the matrix have been completed. In Fig. 4c, the solid lines are denoted by 51 ... 5 @, I and the dashed lines by 6 "... 6d. It can be seen that FIG. 4c is a" rectangular "matrix with 24 Coupling points acts, with six column conductors and four row conductors.

In F i g. 5 ist gezeigt, wie man einen ganzen Speicherblock dadurch erhält, daß man aus einem aus zickzackförmig verlaufenden Leitergruppen bestehenden Netz einen Streifen in Matrixbreite abschneidet und diesen entsprechend der Matrixhöhe an den Linien li, 12, 1, faltet. Somit laufen die Stromleiter 7 von mindestens einer Gruppe von Leitern ununterbrochen durch den gesamten Speicher, und man spart dabei die notwendigen Löt- und Steckverbindungen ein. Die Verdrahtung der anderen Leitergruppen, z. B. 8', 8", kann ebenfalls durchlaufen, was man durch entsprechende Einrichtung der Flechtmaschine erreicht. Die Durchverbindung kann aber auch durch Umbiegen der Leiter 8 an den Rändern und anschließendes Tauchlöten erfolgen.In Fig. 5 shows how an entire memory block is obtained by cutting a matrix-wide strip from a network consisting of zigzag-shaped conductor groups and folding it along lines li, 12, 1 according to the matrix height. The conductors 7 of at least one group of conductors thus run uninterruptedly through the entire memory, and the necessary soldered and plug-in connections are saved in the process. The wiring of the other conductor groups, e.g. B. 8 ', 8 ", can also go through, which can be achieved by appropriate equipment of the braiding machine.

Das Verfahren der zickzackförmigen Speicheranordnung ist nicht auf ebene Matrizen beschränkt, sondern gestattet die Herstellung auch anders geformter Matrizen, z. B. gefalteter oder zylindrischer, gegebenenfalls aufgewickelter Anordnungen.The method of the zigzag memory array is not on flat matrices are limited, but also allows differently shaped matrices to be produced Matrices, e.g. B. folded or cylindrical, optionally wound arrangements.

In F i g. 6 a und 6 b sind schließlich noch zwei Beispiele aufgezeigt, wie man durch einfache Verbindungen die »Zwei-Kern-pro-Bit«-Technik verwirklichen kann.In Fig. Finally, two examples are shown in 6 a and 6 b, how to implement the "two-core-per-bit" technology through simple connections can.

Als Organisationsform liegt in beiden Beispielen die des Wortadressenspeichers zugrunde. F i g. 6 a entspricht in ihrer Verdrahtung F i g. 4 a, die F i g. 6 b die der F i g. 4 c mit ihrer Leiterrückführung. In F i g. 6 a ist das Ende des Drahtes 9 der ersten Spalte mit dem Anfang des Drahtes 9" der dritten Spalte und das Drahtende 9' der zweiten Spalte mit dem Anfang des Drahtes 9"' der vierten Spalte verbunden. Die zum Schreiben und Lesen benötigte Stromrichtung für die Wortdrähte ist durch Pfeile gekennzeichnet, ebenfalls die Stromrichtung für die Informationsdrähte 6 zum Schreiben der Informationen »0« und »L«. Beide Informationen werden in der ersten Zeile gespeichert, und zwar ein »L« in der ersten Spalte und eine »0« in der dritten Spalte. Man sieht, daß ein eingeschriebenes »L« bei zi bzw. »0« bei z2 mit dem Schreibstrom in gleicher Richtung verläuft. Die Ausgangsspannungen auf dem Informationsdraht 6 für diese beiden Informationen unterscheiden sich durch ihr Vorzeichen.The form of organization in both examples is that of the word address memory underlying. F i g. 6 a corresponds in its wiring to F i g. 4 a, the F i g. 6 b that of FIG. 4 c with their conductor return. In Fig. 6 a is the end of the wire 9 of the first column with the beginning of the wire 9 ″ of the third Column and the wire end 9 'of the second column with the beginning of the wire 9 "' of the fourth column connected. The current direction required for writing and reading for the word wires are indicated by arrows, likewise the direction of current for the information wires 6 for writing the information "0" and "L". Both information are stored in the first line, with an "L" in the first column and a "0" in the third column. You can see that an inscribed "L" at zi resp. "0" at z2 runs in the same direction with the write current. The output voltages on the information wire 6 for these two pieces of information differ by their sign.

In F i g. 6 b sind die Lese- und Schreibdrähte mit 5 ... 5" und die Informationsdrähte mit 6 ... 6"' bezeichnet, während z, und z. auch hier die Speicherzellen darstellen. Ferner ist aus dieser Figur die außerhalb der Matrix erforderliche Verdrahtung der einzelnen Leitungen ersichtlich.In Fig. 6 b are the read and write wires with 5 ... 5 "and the information wires with 6 ... 6"', while z, and z. also represent the memory cells here. This figure also shows the wiring of the individual lines required outside the matrix.

Claims

Claims: 1. Magnetic memory wired like a network for magnetic Storage or transmission of information with linearly extending coupling points, which are formed by insulated conductors surrounded by ferrite material, d a -by characterized in thatthe conductors are completely surrounded by plasticizable insulating material are meshed and each mesh part one of substantially parallel to each other running ladder parts forms existing coupling point.

2. Magnetic storage according to Claim 1, characterized in that the storage system consists of at least two such reticulated flat structure is put together and the conductors of at least one of the groups of the one structure uninterrupted, d. H. without solder or plug connections into which the matching group of the next structure are carried over.

3. Magnetic memory according to Claim 1 or 2, characterized in that as an enveloping Insulating material for each coupling point glass, enamel, water glass or plastic is used.

4. A method for producing a magnetic memory according to claim 1 or one of the following, characterized in that the insulation material already during the wiring of at least one group of the current conductors, the current conductors encased and after completion of the entire wiring by the action of temperature or chemical agents, the insulating material is brought into a plastic state, so that in a later phase after solidification or hardening all current conductors each of the individual future storage elements surrounded by the insulation material is.

5. The method according to claim 4, characterized in that the insulation material is applied by spraying or vapor deposition.

6. The method of claim 4 or 5, characterized in that during the application of the magnetic layer a directing magnetic field through electrical signals in at least one of the Groups of electrical conductors is generated.