DE1289194B - Semiconductor diode with pressure contact - Google Patents
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Description
Es sind Halbleiterdioden bekannt, bei denen die Anschlüsse der beiden Elektroden durch Druckkontakte hergestellt werden. Eine bekannte Ausführungsform ist eine Diode in einem zylinderförmigen Glasgehäuse, das an beiden Enden eingeschmolzene koaxial liegende Zuleitungsdrähte besitzt, zwischen denen der Halbleiterkörper angeordnet ist. Zu ihrer Herstellung wird der Halbleiterkörper auf das gegebenenfalls verbreiterte Ende des einen Zuleitungsdrahtes aufgelegt und der andere Zuleitungsdraht auf die andere Oberfläche des Halbleiterkörpers aufgesetzt und mit dem Glasröhrchen unter Druck verschmolzen. Derartige Kontaktanordnungen haben den Vorteil, daß kein Lötprozeß zum Kontaktieren benötigt wird. Darüber hinaus sind Halbleiterbauelemente mit Druckkontakten gegenüber mechanischen Erschütterungen wesentlich widerstandsfähiger als solche mit angelöteten Zuleitungen.Semiconductor diodes are known in which the connections of the two Electrodes are made by pressure contacts. A known embodiment is a diode in a cylindrical glass case, the one fused at both ends Has coaxially lying lead wires, between which the semiconductor body is arranged is. For their production, the semiconductor body is widened if necessary End of one lead wire placed and the other lead wire on the placed on the other surface of the semiconductor body and with the glass tube underneath Pressure merged. Such contact arrangements have the advantage that there is no soldering process is required to contact. In addition, there are semiconductor components with pressure contacts much more resistant to mechanical shocks than such with soldered leads.
Halbleiterdioden werden gewöhnlich dadurch hergestellt, daß in einen Halbleiterkörper eines Leitfähigkeitstyps Störstellenmaterial des entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps eingebracht wird, wodurch im Halbleiterkörper ein pn-übergang erzeugt wird. Das Störstellenmaterial kann entweder durch einen Legierungsprozeß oder durch einen Diffusionsprozeß in den Halbleiterkörper eingebracht werden. Für die Kontaktierung mittels Druckkontakten eignen sich vorwiegend Halbleiterdioden, die nach dem Legierungsverfahren hergestellt worden sind. Die Legierungselektrode stellt eine Erhebung auf der Oberfläche des Halbleiterkörpers dar, die durch den Kontaktdraht leicht getroffen werden kann. Wegen der geringen Abmessungen der Halbleiterdioden ist es schwierig, die Kontaktelektrode gezielt mit einem spitzen Kontaktdraht zu treffen. Aus diesem Grunde werden als Kontaktdrähte gewöhnlich großflächige Gebilde verwendet oder U-förmig gebogene Bänder, die eine größere Fläche besitzen als die zu kontaktierende Elektrode. Da die Legierungselektroden genügend weit die benachbarte Oberfläche des Halbleiterkörpers überragen, besteht nicht die Gefahr, daß der großflächige oder U-förmig gebogene Kontaktdraht einen Kurzschluß zwischen der Oberfläche des Halbleiterkörpers und der Legierungselektrode herstellt.Semiconductor diodes are usually manufactured in that in a Semiconductor body of one conductivity type, impurity material of the opposite Conductivity type is introduced, whereby a pn junction in the semiconductor body is produced. The impurity material can either be through an alloying process or introduced into the semiconductor body by a diffusion process. For The contacting by means of pressure contacts are mainly suitable semiconductor diodes, which have been manufactured by the alloy process. The alloy electrode represents a bump on the surface of the semiconductor body, which is through the Contact wire can be easily hit. Because of the small dimensions of the semiconductor diodes it is difficult to target the contact electrode with a pointed contact wire meet. For this reason, large-area structures are usually used as contact wires used or U-shaped bent bands that have a larger area than the electrode to be contacted. Since the alloy electrodes are sufficiently far the neighboring Project beyond the surface of the semiconductor body, there is no risk that the large area or U-shaped bent contact wire creates a short circuit between the surface of the Manufactures semiconductor body and the alloy electrode.
Für manche Zwecke ist es erwünscht, an Stelle einer legierten Halbleiterdiode eine diffundierte Halbleiterdiode mit einem Druckkontakt zu versehen. Diffundierte Halbleiterdioden, die z. B. nach der Planartechnik hergestellt werden, besitzen gegenüber legierten Halbleiterdioden den Vorteil, daß ihre elektrischen Daten gegenüber äußeren Einflüssen stabiler sind. In der Planartechnik wird bekanntlich in eine Oberfläche eines Halbleiterkörpers des einen Leitfähigkeitstyps, die mit einer einen Teil des Halbleiterkörpers frei lassenden Oxydschicht bedeckt ist, Störstellenmaterial eindiffundiert. Die Kontaktierung der durch den Diffusionsprozeß entstandenen Zone mittels eines Druckkontaktes bereitet aber Schwierigkeiten. Da die Oberfläche der diffundierten Zone und die Oberfläche des benachbarten Halbleiterkörpers in einer Ebene liegen, ist keine Erhebung vorhanden, auf die der Druckkontakt aufgesetzt werden kann. überdies verhindert die gegenüber der Oberfläche der zu kontaktierenden diffundierten Zone erhabene Oxydschicht, daß ein Kontaktdraht mit einer größeren Fläche als die Öffnung in der Oxydschicht die Oberfläche der diffundierten Zone treffen kann. Es ist also notwendig, vor dem Kontaktieren auf der Oberfläche der diffundierten Zone noch eine Metallschicht aufzubringen. Dies kann durch Aufdampfen von verschiedenen Metallen erreicht werden. Es ist aber nicht möglich, diese aufgedampfte Metallkontaktschicht beliebig dick zu machen. Der Aufwand dazu wäre zu groß, und überdies träten Spannungen auf, die ein Abplatzen der Metallkontaktschicht oder zumindest Teilen von ihr bewirken. Aus den gleichen Gründen ist es auch nicht möglich, einen erhabenen Metallflecken in Form einer Halbkugel auf der Oberfläche des Halbleiterkörpers anzubringen wie es z. B. in der französischen Patentschrift 1172 900 vorgeschlagen wird.For some purposes it is desirable to use an alloyed semiconductor diode instead to provide a diffused semiconductor diode with a pressure contact. Diffused Semiconductor diodes, e.g. B. are produced according to the planar technology, have compared to alloyed semiconductor diodes the advantage that their electrical data compared to external influences are more stable. As is well known, in planar technology a Surface of a semiconductor body of a conductivity type, which with a one Part of the semiconductor body is covered with exposed oxide layer, impurity material diffused. The contacting of the zone created by the diffusion process by means of a pressure contact, however, causes difficulties. Since the surface of the diffused zone and the surface of the adjacent semiconductor body in one Are level, there is no elevation on which the pressure contact is placed can be. it also prevents the opposite of the surface of the to be contacted diffused zone raised oxide layer that a contact wire with a larger Area as the opening in the oxide layer is the surface of the diffused zone can meet. So it is necessary before contacting on the surface of the To apply a metal layer to the diffused zone. This can be done by vapor deposition can be achieved by different metals. But it is not possible to get this vaporized To make metal contact layer as thick as you want. The effort would be too great, and In addition, stresses would occur, which would cause the metal contact layer or effect at least part of it. For the same reasons it is also not possible a raised metal patch in the form of a hemisphere on the surface of the semiconductor body to attach as it z. B. in the French patent 1172 900 proposed will.
Man ist also darauf angewiesen, sich mit einer Metallkontaktschicht auf der diffundierten Zone der Halbleiterdiode zu begnügen, die die Oxydschicht nur wenig überragt. Beim Aufsetzen des Kontaktdrahtes, der eine wesentlich größere Fläche besitzt als die metallische Kontaktschicht, kann es vorkommen, daß dieser, wenn er nicht genau zentral auf die Metallschicht aufgesetzt wird, auf der Oberfläche der Oxydschicht aufliegt. Diese Verhältnisse sind in F i g. 1 der Zeichnung dargestellt. Der Halbleiterkörper 1 des einen Leitfähigkeitstyps ist mit einer Oxydschicht 4 überzogen, die eine zentrale Öffnung besitzt, durch die Störstellenmaterial eindiffundiert wurde, so daß eine Zone 2 entgegengesetzter Leitfähigkeit mit dem pn-übergang 3 entstanden ist. Die aufgedampfte Metallschicht 6 wird nur durch die eine Seite des U-förmig gebogenen Kontaktdrahtes 5 berührt, der mit seiner anderen Seite auf der rechten Kante des Halbleiterkörpers 1 aufsitzt.One is therefore dependent on being satisfied with a metal contact layer on the diffused zone of the semiconductor diode, which only slightly protrudes from the oxide layer. When the contact wire, which has a much larger area than the metallic contact layer, is placed, it can happen that it rests on the surface of the oxide layer if it is not placed exactly in the center of the metal layer. These relationships are shown in FIG. 1 of the drawing. The semiconductor body 1 of one conductivity type is coated with an oxide layer 4, which has a central opening through which impurity material has been diffused, so that a zone 2 of opposite conductivity with the pn junction 3 has arisen. The vapor-deposited metal layer 6 is only touched by one side of the U-shaped bent contact wire 5, the other side of which is seated on the right edge of the semiconductor body 1.
Eine derartige Kontaktierung ist außerordentlich gefährlich, da sie leicht zu Kurzschlüssen zwischen den beiden Zonen des Halbleiterkörpers 1 führen kann. Gewöhnlich ist nämlich an den Rändern des Halbleiterkörpers 1 die Oxydschicht 4 abgebröckelt, so daß der Halbleiterkörper 1 freiliegt und von dem Kontaktdraht 5 getroffen werden kann. Bei den häufig angewendeten Verfahren zur Massenherstellung von Halbleiterbauelementen, bei denen auf einer großen Halbleiterplatte die einzelnen Halbleiterbauelemente zunächst gemeinsam bearbeitet und erst zum Schluß getrennt werden, ist die Gefahr, daß an den Rändern die Oxydschicht 4 abplatzt, besonders groß. Bekanntlich wird das Trennen der einzelnen Halbleiterbauelemente häufig durch Ritzen und Durchbrechen der Halbleiterplatte erreicht, wobei leicht die Ränder der Oxydschicht 4 absplittern können.Such contact is extremely dangerous because it easily lead to short circuits between the two zones of the semiconductor body 1 can. This is because the oxide layer is usually on the edges of the semiconductor body 1 4 crumbled off, so that the semiconductor body 1 is exposed and from the contact wire 5 can be taken. In the commonly used methods of mass production of semiconductor components in which the individual Semiconductor components initially processed together and only separated at the end there is a risk that the oxide layer 4 will flake off at the edges, especially great. It is well known that the individual semiconductor components are often separated by Reaching and breaking through the semiconductor plate, easily removing the edges of the Oxide layer 4 can chip off.
Die Ausbildung der Halbleiterdiode nach der Erfindung vermeidet diese Nachteile und ermöglicht es, Druckkontakte bei Planarhalbleiterbauelementen anzuwenden.The formation of the semiconductor diode according to the invention avoids this Disadvantages and enables pressure contacts to be used in planar semiconductor components.
Die Erfindung bezieht sich daher auf eine Halbleiterdiode mit einem Druckkontakt auf einer Kontaktelektrode, bei der auf der einen Oberfläche des Halbleiterkörpers des einen Leitfähigkeitstyps die Kontaktelektrode in einer Ausnehmung einer Oxydschicht und auf einer innerhalb der Ausnehmung in den Halbleiterkörper eingelassenen Zone des entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps angebracht ist.The invention therefore relates to a semiconductor diode with a Pressure contact on a contact electrode, in the case of which on one surface of the semiconductor body of one conductivity type, the contact electrode in a recess in an oxide layer and on a zone embedded in the semiconductor body within the recess of the opposite conductivity type is appropriate.
Die Erfindung besteht darin, daß die mit der Oxydschicht versehene Oberfläche des Halbleiterkörpers derart ausgebildet ist, daß die ebene Fläche der Kontaktelektrode und die benachbarten Teile der Oberfläche des Halbleiterkörpers die anderen Teile der Oberfläche des Halbleiterkörpers überragen.The invention consists in that provided with the oxide layer Surface of the semiconductor body is formed such that the flat surface of the Contact electrode and the adjacent parts of the Surface of the semiconductor body protrude beyond the other parts of the surface of the semiconductor body.
Die Vorteile der Halbleiterdiode nach der Erfindung sowie ein Verfahren zum Herstellen von Halbleiterdioden nach der Erfindung werden im folgenden an Hand der F i g. 2 und 3 der Zeichnung näher erläutert.The advantages of the semiconductor diode according to the invention and a method for the production of semiconductor diodes according to the invention are hereinafter referred to the F i g. 2 and 3 of the drawing explained in more detail.
Die F i g. 2 und 3 stellen zwei verschiedene Ausführungsbeispiele von Halbleiterdioden nach der Erfindung dar. Gleiche Teile der Halbleiterdioden sind bei allen Figuren mit den gleichen Bezugszeichen versehen. Der Halbleiterkörper 1 des einen Leitfähigkeitstyps ist mit einer Oxydschicht 4 überzogen, die eine zentrale Öffnung aufweist, durch die das Störstellenmaterial zum Erzeugen einer Zone 2 entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps eindiffundiert wird, so daß ein pn-übergang 3 im Inneren des Halbleiterkörpers 1 entsteht. In der Öffnung der Oxydschicht 4 wird eine Metallkontaktschicht 6 angebracht. Der Druckkontakt 5, der bei den beiden F i g. 2 und 3 in Form eines U-förmig gebogenen Bandes vorliegt, kann die Ränder des Halbleiterkörpers 1, an denen die Gefahr besteht, daß die Oxydschicht 4 abgesprungen ist, nicht berühren, da diese wesentlich tiefer liegen als der zentrale Teil des Halbleiterkörpers 1..The F i g. 2 and 3 show two different exemplary embodiments of semiconductor diodes according to the invention. Identical parts of the semiconductor diodes are provided with the same reference numerals in all figures. The semiconductor body 1 of one conductivity type is coated with an oxide layer 4 which has a central opening through which the impurity material is diffused in to create a zone 2 of the opposite conductivity type, so that a pn junction 3 is created inside the semiconductor body 1. A metal contact layer 6 is applied in the opening of the oxide layer 4. The pressure contact 5, which in the two F i g. 2 and 3 is in the form of a U-shaped bent band, the edges of the semiconductor body 1, where there is a risk that the oxide layer 4 has cracked off, cannot touch, since these are much deeper than the central part of the semiconductor body 1 ..
Zur Herstellung der Halbleiterdioden nach der Erfindung können in der Halbleitertechnik bekannte Verfahren angewandt werden.To produce the semiconductor diodes according to the invention, in methods known from semiconductor technology are used.
Die in F i g. 2 dargestellte Halbleiterdiode wird dadurch erhalten, daß die eine Oberfläche einer größeren Platte aus Halbleitermaterial mit kreisförmigen Metallmasken versehen wird. Man kann zu diesem Zweck z. B. eine Nickelschicht aufbringen und unter Verwendung der photolithographischen Verfahren diese Nickelschicht so mit einem Ätzmittel behandeln, daß zahlreiche kreisförmige Nickelflecken übrigbleiben. Anschließend setzt man diese Oberfläche einem Ätzmittel, z. B. Kaliumhydroxyd, aus, das das Halbleitermaterial, das nicht mit den Nickelflecken bedeckt ist, wegätzt. Dabei werden wie bei jeder Ätzbehandlung die Abdeckflecken aus Nickel unterwandert, so daß halbkugelförmige Erhebungen entstehen, auf deren ebenem zentralen Teil der nach den Seiten überstehende Nickelfleck haftet. Nach Entfernen der Nickelflecken durch eine weitere Ätzbehandlung, z. B. mit Salpetersäure, liegt eine freie Oberfläche der Halbleiterplatte mit kugelförmigen Erhebungen vor, die in der Mitte abgeflacht sind.The in F i g. 2 shown semiconductor diode is obtained by that the one surface of a larger plate of semiconductor material with circular Metal masks is provided. One can for this purpose z. B. apply a nickel layer and using the photolithographic process, this nickel layer is as follows treat with an etchant to leave numerous circular nickel spots. Subsequently, this surface is exposed to an etchant, e.g. B. potassium hydroxide, from, which etches away the semiconductor material that is not covered with the nickel spots. As with any etching treatment, the nickel cover stains are infiltrated, so that hemispherical elevations arise, on the flat central part of the Nickel stain protruding to the sides adheres. After removing the nickel stains by a further etching treatment, e.g. B. with nitric acid, there is a free surface the semiconductor plate with spherical elevations in front, which are flattened in the middle are.
Diese Oberfläche wird anschließend mit einer Oxydschicht überzogen, bei Verwendung von Silizium als Halbleitermaterial ist das ein bekannter und häufig angewendeter Prozeß. Diese Oxydschicht 4 wird ebenfalls mittels der photolithographischen Verfahren und Masken so behandelt, daß an den abgeflachten Stellen der halbkugelförmigen Erhebungen die Oxydschicht 4 wieder entfernt wird. Durch diese Ausnehmungen wird anschließend Störstellenmaterial in den Halbleiterkörper 1 eindiffundiert und bei allen Halbleiterbauelementen die Zone 2 entgegengesetzter Leitfähigkeit mit dem pn-übergang 3 erzeugt.This surface is then covered with an oxide layer, when using silicon as a semiconductor material, this is a well-known and common one applied process. This oxide layer 4 is also by means of the photolithographic Process and masks treated so that at the flattened points of the hemispherical Elevations the oxide layer 4 is removed again. Through these recesses then impurity material diffused into the semiconductor body 1 and at Zone 2 of opposite conductivity with the pn junction 3 generated.
Unter Verwendung von Aufdampfmasken wird dann eine Metallschicht-Kontaktelektrode 6 auf die Zone 2 aufgebracht.A metal film contact electrode is then formed using vapor deposition masks 6 applied to zone 2.
Anschließend werden die einzelnen Halbleiterdioden voneinander getrennt, indem man die Halbleiterplatte in geeigneter Weise ritzt und auseinanderbricht. Es können auch bereits vorher in Verbindung mit den photolithographischen Verfahren an den dafür vorgesehenen Stellen Ätzgräben angebracht worden sein, die ein Ritzen erübrigen.Then the individual semiconductor diodes are separated from each other, by scribing and breaking apart the semiconductor plate in a suitable manner. It can also be done beforehand in connection with the photolithographic process Etched trenches have been made in the places provided for this, which are scratches superfluous.
Die einzelnen Halbleiterdioden werden nun in ein Gehäuse eingebracht. Zu diesem Zweck können z. B. Glasröhrchen verwendet werden, in deren eines Ende ein Zuleitungsdraht mit einem im Inneren des Röhrchens verbreiterten Ende eingeschmolzen ist. Das andere Ende des Glasröhrchens ist offen. In dieses offene Ende wird die Halbleiterdiodenanordnung so eingeführt, daß sie mit der ebenen Seite des Halbleiterkörpers auf dem verbreiterten Ende des Durchführungsdrahtes aufliegt. Von der anderen, offenen Seite des Röhrchens her wird ein mit einer Glasperle umschmolzener Draht eingeführt, dessen unteres Ende zu einer U-förmig gebogenen Drahtschlinge ausgebildet ist. Gewöhnlich werden dazu Drahtbänder aus einer Platin- oder Wolframlegierung verwendet. Dieser U-förmig gebogene Teil wird auf die mit der Oxydschicht und mit der Kontaktelektrode versehene Oberfläche des Halbleiterkörpers der Diode aufgesetzt und die Glasperle unter Druckausübung mit dem oberen Rand des Glasröhrchens verschmolzen. Damit liegt eine gebrauchsfertige Halbleiterdiode vor.The individual semiconductor diodes are now placed in a housing. For this purpose z. B. glass tubes are used in one end fused a lead wire with an end widened inside the tube is. The other end of the glass tube is open. In this open end the Semiconductor diode array introduced so that they are with the flat side of the semiconductor body rests on the widened end of the lead-through wire. From the other, open one On the side of the tube, a wire melted with a glass bead is inserted, the lower end of which is formed into a U-shaped bent wire loop. Usually wire bands made of a platinum or tungsten alloy are used for this purpose. This U-shaped bent part is attached to the oxide layer and the contact electrode provided surface of the semiconductor body of the diode is placed and the glass bead fused under pressure to the top of the glass tube. So lies a ready-to-use semiconductor diode.
Die Herstellung des Druckkontaktes ist selbstverständlich nicht auf die Verwendung eines U-förmig gebogenen Metallbandes beschränkt. Der die erhabene Oberfläche des Halbleiterkörpers berührende Kontaktdraht kann z. B. ähnlich wie der andere Zuleitungsdraht, auf dem der Halbleiterkörper aufliegt, aus einem Kopfdraht bestehen, bei dem das Kontaktende bis zum Durchmesser des Glasröhrchens verdickt ist und eine ebene Stirnfläche besitzt.The production of the pressure contact is of course not on the use of a U-shaped bent metal band is limited. The sublime Surface of the semiconductor body touching contact wire can, for. B. similar to the other lead wire, on which the semiconductor body rests, consists of a head wire exist, in which the contact end thickens to the diameter of the glass tube and has a flat face.
In der F i g. 3 ist eine andere Ausführungsform einer Diode nach der Erfindung dargestellt. Diese Ausführungsform läßt sich besonders einfach unter Verwendung der Oxydmaskierung mit Hilfe der photolithographischen Verfahren und von Ätzverfahren herstellen.In FIG. 3 is another embodiment of a diode according to FIG Invention shown. This embodiment is particularly easy to use oxide masking with the help of photolithographic processes and etching processes produce.
Es wird wieder von einer größeren Platte aus Halbleitermaterial ausgegangen, die nach gründlicher Reinigung mit einer Oxydschicht bedeckt wird. Unter Anwendung von Masken und von photolithographischen Verfahren werden diese Oxydschichten wieder teilweise von der Oberfläche des Halbleiterkörpers entfernt, so daß nur an der Stelle, die später eine Erhebung aufweisen soll, Oxyd verbleibt. Durch Anwendung eines Ätzmittels, das das Halbleitermaterial schneller angreift als das Oxyd, werden die Vertiefungen, die in F i g. 3 rechts und links der Erhebungen zu sehen sind, ausgeätzt. Bei Silizium als Halbleitermaterial verwendet man als Ätzmittel zweckmäßig eine Mischung von Salpetersäure und Flußsäure.Again, a larger plate made of semiconductor material is assumed, which is covered with an oxide layer after thorough cleaning. Under application masks and photolithographic processes make these oxide layers again partially removed from the surface of the semiconductor body, so that only at the point which should later have a bump, oxide remains. By using an etching agent, which attacks the semiconductor material faster than the oxide, the depressions, the in F i g. 3 to the right and left of the elevations can be seen, etched out. With silicon As the semiconductor material, a mixture of is expediently used as the etchant Nitric acid and hydrofluoric acid.
Anschließend wird die verbliebene restliche Oxydschicht von den Erhebungen entfernt und der gesamte Halbleiterkörper mit einer neuen Oxydschicht überzogen. Wiederum durch Anwendung der photolithographischen Verfahren und von Masken werden nunmehr auf dem zentralen Teil der Erhebungen Ausnehmungen in der Oxydschicht erzeugt, durch die anschließend, wie bereits vorher beschrieben, Störstellenmaterial eindiffundiert wird, das die Zone 2 und den pn-übergang 3 erzeugt. Nach Anbringen der Metallschicht-Kontaktelektrode 6 werden die Halbleiterdioden ebenfalls durch Ritzen voneinander getrennt und, ebenso wie bereits im Zusammenhang mit der Halbleiterdiode nach der F i g. 2 beschrieben, in ein Gehäuse eingebracht und kontaktiert.Then the remaining oxide layer is removed from the elevations removed and the entire semiconductor body covered with a new oxide layer. Again using photolithographic techniques and masks now created recesses in the oxide layer on the central part of the elevations, through which then, as already described, impurity material diffuses in that generates zone 2 and pn junction 3. After attaching the metal layer contact electrode 6, the semiconductor diodes are also separated from one another by scratching separated and, just as in connection with the semiconductor diode according to FIG. 2, introduced into a housing and contacted.
Man erreicht durch die Formgebung der Oberfläche des Halbleiterkörpers der Halbleiterdiode nach der Erfindung, daß man sowohl die Vorteile der Planarverfahren, als auch die Vorteile des Druckkontaktes bei einer Halbleiterdiode ausnutzen kann. Der zusätzliche Arbeitsgang zum Herstellen der zentralen Erhebung auf dem Halbleiterkörper kann ohne weiteres in Kauf genommen werden, da anderenfalls als Alternative nur die Möglichkeit besteht, an Stelle des Druckkontaktes einen Zuleitungsdraht gezielt durch Löten an der Kontaktelektrode zu befestigen. Abgesehen von der geringeren mechanischen Stabilität eines solchen Kontaktes besteht außerdem noch die Gefahr, daß die Halbleiterdiode durch die angewendete Temperatur in ihren elektrischen Eigenschaften verändert wird. Auch andere bekannte Verfahrene wie z. B. das Wärme- und Druckanwendung benötigende sogenannte »Thermocompression Bonding«, stellen einen erheblich größeren Aufwand dar, da dazu komplizierte und kostspielige Geräte benötigt werden.This is achieved by shaping the surface of the semiconductor body the semiconductor diode according to the invention that you can take advantage of both the planar method, as well as the advantages of pressure contact with a semiconductor diode. The additional operation for producing the central elevation on the semiconductor body can be accepted without further ado, otherwise only as an alternative there is the possibility of using a lead wire in place of the pressure contact to be attached to the contact electrode by soldering. Except for the minor one mechanical stability of such a contact there is also the risk of that the semiconductor diode in its electrical properties by the applied temperature is changed. Other known methods such as. B. the application of heat and pressure The so-called "Thermocompression Bonding" required, represent a considerably larger one This represents an effort, since it requires complicated and expensive equipment.
Claims (7)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DEJ26881A DE1289194B (en) | 1964-11-13 | 1964-11-13 | Semiconductor diode with pressure contact |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DEJ26881A DE1289194B (en) | 1964-11-13 | 1964-11-13 | Semiconductor diode with pressure contact |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE1289194B true DE1289194B (en) | 1969-02-13 |
Family
ID=7202782
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DEJ26881A Pending DE1289194B (en) | 1964-11-13 | 1964-11-13 | Semiconductor diode with pressure contact |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE1289194B (en) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR1172900A (en) * | 1956-03-09 | 1959-02-17 | Sarkes Tarzian | Semiconductor device |
-
1964
- 1964-11-13 DE DEJ26881A patent/DE1289194B/en active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR1172900A (en) * | 1956-03-09 | 1959-02-17 | Sarkes Tarzian | Semiconductor device |
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