DE1281066B - Quantenmechanischer Sender oder Verstaerker hoechster spektraler Reinheit - Google Patents

Quantenmechanischer Sender oder Verstaerker hoechster spektraler Reinheit

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DE1281066B
DE1281066B DE1964S0092676 DES0092676A DE1281066B DE 1281066 B DE1281066 B DE 1281066B DE 1964S0092676 DE1964S0092676 DE 1964S0092676 DE S0092676 A DES0092676 A DE S0092676A DE 1281066 B DE1281066 B DE 1281066B
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Dr Karl Guers
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Siemens AG
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/05Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
    • H01S3/06Construction or shape of active medium
    • H01S3/063Waveguide lasers, i.e. whereby the dimensions of the waveguide are of the order of the light wavelength
    • H01S3/0632Thin film lasers in which light propagates in the plane of the thin film
    • H01S3/0635Thin film lasers in which light propagates in the plane of the thin film provided with a periodic structure, e.g. using distributed feed-back, grating couplers
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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    • H01S3/05Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
    • H01S3/06Construction or shape of active medium

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Description

  • Quantenmechanischer Sender oder Verstärker höchster spektraler Reinheit Die Erfindung betrifft einen quantenmechanischen Sender oder Verstärker (Laser), in dem eine nach dem Prinzip der stimulierten Emission verstärkte, elektromagnetische Strahlung zwischen Reflexionsanordnungen, die einen optischen Resonator für diese Strahlung bilden, verläuft und bei dem zwischen den Reflexionsanordnungen in Richtung der Achse dieser dort verlaufenden Strahlung aufeinanderfolgende, zur Verstärkung dieser Strahlung geeignete Teilbereiche vorgesehen sind.
  • Unter einem »optischen Resonator« sind hier solche Resonatoranordnungen zu verstehen, wie sie für die im angelsächsischen Schrifttum als »Laser« bezeichneten Anordnungen verwendet werden.
  • Als für die Verstärkung geeignetes Medium sind Festkörper, wie z. B. dotiertes Aluminiumoxyd (Rubin), Calciumwolframat oder Calciumfluorid, bekanntgeworden, die zwischen Reflexionsanordnungen angeordnet sind. Bekanntlich wird in derartigen Anordnungen kohärente, monochromatische Strahlung erzeugt, die je nach dem Aufbau des Resonators mehr oder weniger scharf gebündelt sein kann.
  • Die eigentliche Strahlungsverstärkung beruht auf der sogenannten stimulierten Emission, d. h. auf der Resonanzauslösung bestimmter strahlender Übergänge angeregter Atome oder Moleküle von einem Energiezustand in einen energetisch tiefer liegenden. Im allgemeinen kommen für die Aussendung der stimulierten Strahlung die Übergänge angeregter Dotierungsatome, beispielsweise des Chroms im Wirtskristall, z. B. Aluminiumoxyd, in Frage.
  • Anordnungen zur Erzeugung derartiger Strahlung haben aber im allgemeinen den Nachteil, daß sie monochromatische Strahlung verschiedener Schwingungsmoden, z. B. Strahlung verschiedener eng benachbarter Wellenlängen aussenden. Für derartige Anordnungen ist dies nicht ungewöhnlich, da die Strahlung sehr kurzwellig ist und ihre Wellenlänge gegenüber den Abmessungen des verwendeten Resonators ist. Der Resonator kann also nicht allein durch seine geometrischen Abmessungen einzelne Schwingungsmoden, insbesondere Strahlung nur einer Wellenlänge als Grundwelle des Resonators, heraussieben. Es sind zwar bereits Verfahren bekanntgeworden, durch die die sogenannten transversalen Schwingungsmoden, das sind örtlich in Richtung transversal zur Strahlungsrichtung der Strahlung wechselnden Schwingungszustände, beherrscht werden können. Für die oben beschriebenen sogenannten longitudinalen Schwingungsmoden, d. h. für Strahlung verschieden eng benachbarter Frequenzen sind jedoch bisher nur die gekoppelten Resonatoren als geeignete Maßnahmen bekanntgeworden.
  • Eine Aufgabe der Erfindung ist es, bei einem quantenmechanischen Sender oder Verstärker das Entstehen und damit die Aussendung von Strahlung nur einer Frequenz zu erreichen. Eine Anordnung, mit der diese Aufgabe gelöst wird, ist erfindungsgemäß dadurch gekennzeichnet, daß die Abstände benachbarter, durch nichtstrahlungsverstärkend wirksame Bereiche voneinander getrennter Teilbereiche in Richtung der Achse so gewählt sind, daß die Intensitätsmaxima der bezüglich ihrer Frequenz ausgewählten Strahlung gegenüber denjenigen anderer im Resonator möglicher Frequenzen verstärkbarer Strahlung in, so viel größerer Anzahl in diese Teilbereiche fallen, daß der Verstärkungsfaktor für die ausgewählte Strahlung wenigstens um etwa 3 % größer ist, so daß diese Abstände im wesentlichen in der Größe der halben Wellenlänge oder ganzzahliger Vielfacher derselben liegen.
  • Unter einem zur Verstärkung geeigneten Bereich ist im Sinne der Erfindung ein Bereich zu verstehen, in dem bei der in Frage kommenden Anordnung nach vorheriger Umkehrung der Besetzungsverteilung eine Strahlungsverstärkung der gewünschten, von der Anordnung zu emittierenden Strahlung nach dem Prinzip der stimulierten Emission durchführbar ist. Es soll also darunter nur der Bereich des Mediums verstanden sein, der eine für die von der Anordnung in dem Medium erzeugte derartige Strahlung strahlungsverstärkende Wirkung hat. Bei Rubin ist dies z. B. bekanntermaßen der Bereich des Aluminiumoxideinkristalls, in dem eine Dotierung mit Chrom etwa in der Größenordnung von 0,006 bis 0,5% vorliegt.
  • Es sind bereits derartige Anordnungen bekanntgeworden, bei denen der Kristall aus dotiertem und aus nichtdotiertem Material besteht, z. B. eine, bei der ein zylinderförmiger Kristall, der in seinem Innern entlang der Achse, die mit der Richtung der im Medium verlaufenden verstärkten Strahlung etwa übereinstimmt, als Rubin dotiert ist und der außen herum aus Saphir besteht. Diese Anordnungen lösen die Aufgabe, das zur Erreichung der Umkehrung der Besetzungsverteilung notwendigerweise einzustrahlende Licht auf eine jeweils besondere Weise zu bündeln.
  • Es sei ergänzend erwähnt, daß Saphir häufig, z. B. mit Eisen, geringfügig dotiert ist und dementsprechend als dotiertes Aluminiumoxid bezeichnet wird. Eine Dotierung dieser Art kann sowohl bei dem beschriebenen Beispiel als auch im Sinne der Erfindung als für Verstärkung geeigneter Teilbereich außer Betracht bleiben, da diese Dotierung im Zusammenhang mit der Verstärkung oder Erzeugung von derartiger Strahlung keine praktische Bedeutung hat.
  • Gegenüber diesem Stand der Technik liegt bei der erfindungsgemäßen Anordnung eine Aufteilung in zur Verstärkung geeignete und zur Verstärkung nicht geeignete Teilbereiche in Richtung der im Resonator verlaufenden Strahlung vor.
  • Weitere Einzelheiten der Erfindung sollen mit Hilfe von Figuren erläutert werden.
  • F i g. 1 stellt ein vereinfachtes Beispiel einer der Erfindung gemäßen Anordnung dar. Mit 1 sei das Medium dieser Anordnung, z. B. ein Aluminiumoxideinkristall, bezeichnet, "der mit beispielsweise zueinander planparallelen Endflächen 2; 3 versehen ist. Die Stirnflächen 2 und 3- sind als spiegelnde Reflexionsanordnungen ausgebildet. Zwischen 2 und 3 verläuft die stimulidrte Strahlung, wie 4 andeutet. Mit 5 ist eine Strahlungsquelle zur Erzeugung der für die Umkehrung der, Besetzungsverteilung des Kristalls notwendigen Strahlung 7 bezeichnet, die in 1 eingestrahlt wird. Der Generator 6 ist mit der Strahlungsquelle 5 elektrisch verbunden und liefert die für 5 notwendige Energie._ Der Aluminiumoxidkristall des Beispiels der F i g. 1 sei der Einfachheit der Darstel= Jung halber in nur sieben zur Verstärkung geeignete Teilbereiche 11, 12, 13, 14; 15, 16, 17 und in zur Verstärkung nicht geeignete Teilbereiche 111 bis 118 aufgeteilt. Es sei erwähnt, daß es an sich schon ausreichend ist, wenn eine derartige Aufteilung nur im Bereich der im Kristall verlaufenden und dort: verstärkten Strahlung vorliegt.
  • Das Prinzip, das dieser Aufteilung zugrunde liegt, läßt sich mit Hilfe der F i g. 2 erklären.
  • In der F i g. 2 ist die örtliche Intensitätsverteilung von drei in dem als Resonator ausgebildeten Kristall an sich möglichen Schwingungsmoden aufgetragen. Bekanntlich entsteht in einem Resonator eines quantenmechanischen Senders oder Verstärkers nur Strah=-lung derjenigen Frequenzen, die sowohl in die Fluoreszenzlinie der Stahlungsverstärkung fallen als auch ein Strahlungsfeld- stehender Wellen im Resonator bei unserem Beispiel zwischen den Spiegelflächen 2 und 3 des optischen Resonators, ausbilden können. Am Ort der Spiegelflächen 2 und 3 befindet sich naturgemäß jeweils ein Schwingungsknoten, d. h. ein Nullpunkt der Intensität. 21, 22 und 23 sind Intensitätsverteilungen von drei benachbarten Schwingungsmoden, von denen die 22 entsprechende Strahlung der nächst niedrigeren Frequenz und 23 Strahlung der nächst höheren Frequenz, bezogen auf die Strah= lang der Intensitätsverteilung 21, ist. Weitere longitu- t dinale Schwingungsmoden zwischen 22 und 23 sind nicht möglich: Ein Vergleich zwischen F i g. 1 und 2 läßt erkennen, daß die Maxima der Intensitätsvertei-Jung von 21 mit den Bereichen 11 bis 17 zusammenfallen, während die Intensitätsverteilungen der frequenzmäßig benachbarten Schwingungsmoden 22 und 23 mit 11 bis 17 weniger gut übereinstimmen. Bekanntlich ist die Strahlungsverstärkung durch stimulierte Emission außer von der Höhe der Umkehrung der Besetzungsverteilung auch abhängig von der Höhe der Intensität des Strahlungsfeldes im Resonator. Die Strahlung der Intensitätsverteilung 21 findet in 11 bis 17 gegenüber der von 22 und 23 günstigere Bedingungen zur Verstärkung. Die Anordnung der F i g.1 wird also nur in der Frequenz der Strahlung von 21 anschwingen und daher auch nur diese Strahlung erzeugen. Aus den F i g. 1 und 2 erkennt man, daß für die geeignete Anordnung der Bereiche der Abstand von Mitte zu Mitte der Bereiche maßgebend ist, und daß die zur Verstärkung geeigneten und die zur Verstärkung nicht geeigneten Bereiche nicht scharf gegeneinander abgegrenzt zu sein brauchen.
  • 3 Wenn die Dicke der zur Verstärkung geeigneten Bereiche vergleichbar oder größer als die halbe Wellenlänge wird, ist sinngemäß der erfindungsgemäß vorzusehende Abstand zur Verstärkung geeigneten Bereiche von einem Maximum der Intensität der gewünschten Strahlung in einem zur Verstärkung geeigneten Bereich zum entsprechenden Maximum im benachbarten zur Verstärkung geeigneten Bereich zu rechnen. Selbstverständlich ist die Wellenlänge der Strahlung in dem Medium maßgebend. Für eine Frequenzauswahl gemäß der Erfindung ist es wichtig, daß die Zahl der Intensitätsmaxima der gewünschten Strahlung, die in zur Verstärkung- geeignete Bereiche fallen, im Gegensatz zu der irgendeiner anderen Strahlung, die ein Strahlungsfeld stehender Wellen in dem Resonator ausbilden könnte und deren Frequenz in die natürliche Linienbreite der Fluoreszenz fallen würde, um so viel größer ist; daß der Verstärkungsfaktor für die gewünschte Strahlung wenigstens um etwa 3 % größer ist. Es ist demgemäß nicht notwendig, daß jedem Maximum der gewünschten Strahlung ein zur Verstärkung geeigneter Bereich zugeordnet ist. Die Zahl der Maxima kann also durchaus größer sein als die Zahl der zur Verstärkung geeigneten Bereiche im Resonator. Insbesondere erhält man in vielen Fällen noch eine brauchbare Frequenzauswahl, wenn die Abstände benachbarter zur Verstärkung geeigneter Bereiche mehrere halbe Wellenlängen der zu verstärkenden Strahlung groß sind. Ebenso können die zur Verstärkung geeigneten Bereiche auch ein Vielfaches der halben Wellenlänge dick sein. Durch die beiden letztgenannten Bemessungsmöglichkeiten erleichtert sich in vielen Fällen die Herstellung der für die erfindungsgemäße Anordnung zu verwendenden Kristalle.
  • Es sei noch hervorgehoben, daß es für die Frequenzauswahl ausreichend ist, wenn das Innere des Resonators nur zum Teil gemäß der Erfindung in zur Verstärkung geeignete und nicht geeignete Bereiche aufgeteilt ist.
  • Die Anwendbarkeit derartiger Vereinfachungen der Anordnungen ist abhängig von der Zahl der im Medium möglichen longitudinalen Eigenschwingungen und damit abhängig von der Linienbreite der Fluoreszenz des Mediums. Die notwendige Mindestzahl für aufeinanderfolgende, zur Verstärkung geeignete Bereiche richtet sich nach der Zahl der innerhalb der Linienbreite des Mediums möglichen Eigenfrequenzen des Resonators. Die Abstände von einem zur Verstärkung geeigneten Bereich zum benachbarten sollten entlang dem Strahlenweg im Resonator keine systematischen Abweichungen gegenüber den oben angegebenen Abständen haben, d. h. zum Beispiel nahe dem einen Ende des Resonators generell einen größeren Wert haben als nahe dem anderen Ende. Statistische Schwankungen der Abstände zur Verstärkung geeigneter Bereiche sind jedoch, wie Untersuchungen ergaben, relativ unkritisch, insbesondere dann, wenn die Zahl der aufeinanderfolgenden, zur Verstärkung geeigneten Bereiche sehr groß ist.
  • F i g. 3 beschreibt eine Ausführungsform der erfindungsgemäßen Anordnung, die als ein sogenannter »Diodenlaser« ausgebildet ist. Die Umbesetzung wird bei dieser Art eines quantenmechanischen Senders oder Verstärkers, wie bekannt, durch strominjizierte Ladungsträger in pn-Übergangsschichten erzeugt.
  • 31 ist ein Halbleiterkörper, z. B. aus Galliumarsenid. In 31 befinden sich, wie in 1, die zur Verstärkung geeigneten Bereiche 34 bis 38, die durch pn-ü'bergänge realisiert werden. Im Bereich dieser übergänge findet die Strahlungsverstärkung der im Halbleiterkörper zwischen den den Resonator bildenden Endflächen, 32, 33 verlaufenden Strahlung statt. 32 und 33 haben für die Strahlung reflektierende Eigenschaften. 41, 42 und 43 sind angenommen p-leitender und 44, 45 und 46 n-leitender Bereich des Halbleiterkörpers. 41, 42 und 43 sowie 44, 45, 46 sind untereinander elektrisch verbunden und an die Stromquelle 51 angeschlossen.
  • Die Abstände von 34, 35, 36, 37 und 38 voneinander sind erfindungsgemäß so gewählt, daß ihre Abstände z. B. eine halbe Wellenlänge der gewünschten Strahlung groß ist. Da »Diodenlaser« in ihrer hohen spezifischen Verstärkung sehr kurz sein können, d. h., daß der Abstand zwischen den Reflexionsflächen des Resonators sehr klein sein kann, z. B. in der Größenordnung von wenigen Millimetern, kommen trotz allgemein größerer Bandbreite der Fluoreszenzlinie von Halbleitern gegenüberStoffen wieRubinundCalciumwolframat, wenige mögliche longitudinale Schwingungsmoden in Frage. Dies gilt insbesondere für die bei »Diodenlasern« bisher verwendeten Stoffe.
  • Anordnungen mit erfindungsgemäß aufeinanderfolgenden zur Verstärkung geeigneten und nicht geeigneten Bereichen, z. B. »Diodenlaser«, wie in der F i g. 3 dargestellt, lassen sich durch epitaktisches Aufwachsen in diesem Fall von abwechselnd n- und p-leitendem Halbleitermaterial herstellen.

Claims (5)

  1. Patentansprüche: 1. Quantenmechanischer Sender oder Verstärker (Laser), in dem eine nach dem Prinzip der stimulierten Emission verstärkte, elektromagnetische Strahlung zwischen Reflexionsanordnungen, die einen optischen Resonator für diese Strahlung bilden, verläuft und bei dem zwischen den Reflexionsanordnungen in Richtung der Achse dieser dort verlaufenden Strahlung aufeinanderfolgende, zur Verstärkung dieser Strahlung geeignete Teilbereiche vorgesehen sind, d a d u r c h g e -kennzeichnet, daß die Abstände benachbarter, durch nicht strahlungsverstärkend wirksame Bereiche voneinander getrennter Teilbereiche in Richtung der Achse so gewählt sind, daß die Intensitätsmaxima der bezüglich ihrer Frequenz ausgewählten Strahlung gegenüber denjenigen anderer im Resonator möglicher Frequenzen verstärkbarer Strahlung in so viel größerer Anzahl in diese Teilbereiche fallen, daß der Verstärkungsfaktor für die ausgewählte Strahlung wenigstens um etwa 3 % größer ist, so daß diese Abstände im wesentlichen in der Größe der halben Wellenlänge oder ganzzahliger Vielfacher derselben liegen.
  2. 2. Quantenmechanischer Sender oder Verstärker nach Anspruch 1., dadurch gekennzeichnet, daß die einzelnen zur Verstärkung geeigneten Teilbereiche in äquidistanten Abständen voneinander angeordnet sind.
  3. 3. Quantenmechanischer Sender oder Verstärker nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die zur Verstärkung geeigneten Teilbereiche nur einige halbe Wellenlängen der zu verstärkenden Strahlung dick sind.
  4. 4. Quantenmechanischer Sender oder Verstärker nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die zur Verstärkung geeigneten Teilbereiche weniger als eine halbe Wellenlänge der zu verstärkenden Strahlung dick sind. 5. Quantenmechanischer Sender oder Verstärker nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Abstand der zur Verstärkung geeigneten Teilbereiche voneinander nur einige halbe Wellenlängen der zu verstärkenden Strahlung groß ist. 6. Quantenmechanischer Sender oder Verstärker nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß der Abstand der zur Verstärkung geeigneten Teilbereiche voneinander nur etwa eine halbe Wellenlänge der zu verstärkenden Strahlung groß ist. 7. Quantenmechanischer Sender oder Verstärker nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die zur Verstärkung geeigneten Teilbereiche wenigstens in einem Teil des Mediums mit örtlicher Periodizität aufeinanderfolgen. B. Verfahren zur Herstellung eines quantenmechanischen Senders oder Verstärkers nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß die aufeinanderfolgenden, zur Verstärkung geeigneten Teilbereiche und die zur Verstärkung nicht geeigneten Teilbereiche durch epitaktisches Aufwachsen von abwechselnd zur Verstärkung geeignetem und zur Verstärkung nicht geeignetem Material hergestellt werden. 9. Verfahren zur Herstellung eines quantenmechanischen Senders oder Verstärkers nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die aufeinanderfolgenden zur Verstärkung geeigneten und die zur Verstärkung nicht geeigneten Teilbereiche durch epitaktisches Abscheiden von abwechselnd p- und n-leitendem Halbleitermaterial hergestellt werden. In Betracht gezogene Druckschriften: USA.-Patentschriften Nr. 3 059117, 3134 837 Journal of Applied Physies, Bd. 34 (1963), S. 341.4 und 341.
  5. 5. In Betracht gezogene ältere Patente: Deutsches Patent Nr. 1200 946.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2163439A1 (de) * 1970-12-22 1972-07-13 Western Electric Co Optischer Frequenzsender

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US3059117A (en) * 1960-01-11 1962-10-16 Bell Telephone Labor Inc Optical maser
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