DE1274202B

DE1274202B - Circuit arrangement for the multiplicative mixing of electrical signals

Info

Publication number: DE1274202B
Application number: DE1967F0051834
Authority: DE
Inventors: Manfred Kreuzer
Original assignee: Fernseh GmbH
Current assignee: Robert Bosch Fernsehanlagen GmbH
Priority date: 1967-03-16
Filing date: 1967-03-16
Publication date: 1968-08-01
Also published as: GB1221353A

Description

BUNDESREPUBLIK DEUTSCHLANDFEDERAL REPUBLIC OF GERMANY

DEUTSCHESGERMAN

PATENTAMTPATENT OFFICE

AUSLEGESCHRIFTEDITORIAL

Int. CI.:Int. CI .:

H03cH03c

Deutsche Kl.: 21 a4-14/01 German class: 21 a4- 14/01

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P 12 74 202.8-35 (F 51834)P 12 74 202.8-35 (F 51834)

16. März 1967March 16, 1967

!.August 1968!. August 1968

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Schaltungsanordnung zum multiplikativen Mischen von Signalen, ohne daß gleichzeitig auch additive Anteile entstehen.The present invention relates to a circuit arrangement for the multiplicative mixing of signals, without creating additive components at the same time.

Es sind Schaltungsanordnungen bekannt, bei denen die zu mischenden Signale an verschiedene Steuergitter einer Mehrgitterhochvakuumröhre gelegt werden. Durch die Krümmung der Steuerkennlinien derartiger Röhren wird eine multiplikative Mischung erreicht, die jedoch nur zusammen mit einer additiven Mischung auftritt, denn bei einem gedachten geradlinigen Verlauf der Kennlinien tritt nur eine additive Mischung auf.Circuit arrangements are known in which the signals to be mixed are sent to different control grids a multi-grid high vacuum tube. Due to the curvature of the control characteristics such Tubing a multiplicative mix is achieved, but only together with an additive Mixing occurs, because with an imaginary straight course of the characteristic curves only an additive one occurs Mix up.

Bei einer weiteren bekannten Schaltungsanordnung, die im wesentlichen aus zwei emittergekoppelten Transistoren besteht, wird das eine zu mischende Signal aus einer niederohmigen Spannungsquelle der Basis des einen Transistors und das andere zu mischende Signal aus einer hochohmigen Stromquelle den Emittern beider Transistoren zugeführt. Dadurch wird erreicht, daß je nach Größe des zweiten Signals die Transistoren auf Teilen ihrer Kennlinie arbeiten, deren Steigung voneinander abweicht, so daß die Steilheit der Transistoren und damit das Übertragungsmaß für das erste zu mischende Signal vom zweiten zu mischenden Signal gesteuert wird. Es werden also die Arbeitspunkte der Transistoren verschoben, was dazu führt, daß neben dem Ausgangssignal, das dem Produkt der Eingangsgrößen entspricht, auch additive Anteile entstehen.In a further known circuit arrangement, which essentially consists of two emitter-coupled Transistors consists, the one signal to be mixed is from a low-resistance voltage source of the Base of one transistor and the other signal to be mixed from a high-impedance current source fed to the emitters of both transistors. This achieves that, depending on the size of the second signal the transistors work on parts of their characteristic whose slope deviates from each other, so that the Slope of the transistors and thus the transfer rate for the first signal to be mixed from second signal to be mixed is controlled. So the working points of the transistors are shifted, which means that in addition to the output signal, which corresponds to the product of the input variables, additive components also arise.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine einfache und stabile Schaltungsanordnung unter Verwendung von Halbleiterbauelementen anzugeben, mit der das Übertragungsmaß für ein elektrisches Signal proportional der Amplitude eines zweiten elektrischen Signals geändert werden kann, ohne daß das Ausgangssignal der Schaltungsanordnung dabei seinen Gleichspannungsanteil verändert.The invention is based on the object of using a simple and stable circuit arrangement of semiconductor components with which the transmission factor for an electrical signal can be changed proportionally to the amplitude of a second electrical signal without affecting the output signal the circuit arrangement thereby changes its DC voltage component.

Bei einer Schaltungsanordnung zur multiplikativen Mischung von elektrischen Signalen ist erfindungsgemäß der erste Anschluß der Source-drain-Strecke eines Feldeffekttransistors an den Emitter eines Transistors, dessen Basis das erste der zu mischenden Signale zugeführt wird, und der zweite Anschluß an ein konstantes, dem Emitterruhepotential des Transistors gleiches Potential angeschlossen, erfolgt die Zuführung des Gleichstroms zum Emitter des Transistors über einen im Vergleich zum Widerstand der Source-drain-Strecke des Feldeffekttransistors großen Widerstand und wird das Mischprodukt dem Kollektorkreis des Transistors entnommen.In a circuit arrangement for the multiplicative mixing of electrical signals is according to the invention the first connection of the source-drain path of a field effect transistor to the emitter of a Transistor, the base of which is fed to the first of the signals to be mixed, and the second connection to a constant potential, which is the same as the emitter quiescent potential of the transistor, takes place Supply of direct current to the emitter of the transistor via a compared to the resistance of the Source-drain path of the field effect transistor has great resistance and is the mixed product of the collector circuit taken from the transistor.

Der besondere Vorteil der erfindungsgemäßen Schaltungsanordnung, daß eine reine multiplikative Schaltungsanordnung zum multiplikativen
Mischen von elektrischen SignalenThe particular advantage of the circuit arrangement according to the invention that a pure multiplicative circuit arrangement for the multiplicative
Mixing of electrical signals

Anmelder:
ίο Fernseh G. m. b. H.,Applicant:
ίο Fernseh G. mb H.,

6100 Darmstadt, Am Alten Bahnhof 66100 Darmstadt, Am Alten Bahnhof 6

„ Als Erfinder benannt:"Named as inventor:

Manfred Kreuzer, 6112 Groß-ZimmernManfred Kreuzer, 6112 Groß-Zimmer

Mischung erzielt wird, ohne daß zugleich auch additive Anteile entstehen, die kompensiert werden müssen, wird dadurch erzielt, daß der gesteuerte Zweipol keinen Ruhestrom führt, weil er gemäß der Erfindung mit beiden Polen auf gleichem Ruhepotential liegt. Dadurch ist die Schaltungsanordnung auch frei von Gleichspannungsregelstößen; nachfolgende Verstärkerstufen können somit nicht übersteuert werden.Mixing is achieved without also creating additive components that have to be compensated, is achieved in that the controlled two-terminal network leads no quiescent current, because it according to the invention is at the same rest potential with both poles. As a result, the circuit arrangement is also free from DC voltage control surges; Subsequent amplifier stages can therefore not be overridden.

Um die erfindungsgemäße Schaltungsanordnung zur Änderung des Übertragungsmaßes für das erste Signal anzuwenden, wird als zweites Signal dem Gate des Feldeffekttransistors eine veränderbare Gleichspannung zugeführt. In Abhängigkeit von der Höhe dieser Gleichspannung ändert sich die Amplitude des vom Feldeffekttransistor abgenommenen ersten Signals im Vergleich zur Amplitude des der Schaltungsanordnung zugeführten Signals. Da der Eingangswiderstand am Gate des Feldeffekttransistors hoch ist, kann die Steuer- bzw. Regelspannung der Schaltungsanordnung auch über längere Gleichstromleitungen zugeführt werden, so daß die Schaltungsanordnung zur fernbedienten Verstärkungsregelung besonders geeignet ist.To the circuit arrangement according to the invention to change the transmission rate for the first Apply a signal to the gate of the field effect transistor as a second signal, a variable DC voltage fed. Depending on the level of this DC voltage, the amplitude of the changes from the field effect transistor picked up first signal compared to the amplitude of the circuit arrangement applied signal. Because the input resistance at the gate of the field effect transistor is high is, the control or regulating voltage of the circuit arrangement can also be over longer direct current lines are supplied, so that the circuit arrangement for the remote-controlled gain control is particularly suitable.

Wird ein elektrisches Signal nicht nur dem ersten Eingang der Schaltungsanordnung, sondern mit vorzugsweise einstellbarer Amplitude auch dem zweiten Eingang, dem Gate des Feldeffekttransistors, zugeführt, so kann die Amplitudenabhängigkeit der Schaltungsanordnung auch für das erste Signal sowohl im Sinne einer Verbesserung des linearen Verlaufs als auch zur Erzielung eines nichtlinearen Ver-If an electrical signal is not only sent to the first input of the circuit arrangement, but preferably with adjustable amplitude also fed to the second input, the gate of the field effect transistor, so the amplitude dependence of the circuit arrangement can also be used for the first signal in the sense of an improvement of the linear course as well as to achieve a non-linear

809 588/169809 588/169

3 43 4

laufs in einem gewünschten einstellbaren Ausmaß zugeführten zweiten Signal zu ändern. Proportionalto change the course of a desired adjustable amount supplied second signal. Proportional

herangezogen werden. mit der Widerstandsänderung des Feldeffekttransi-can be used. with the change in resistance of the field effect

Die Erfindung soll nunmehr mit Hilfe der Aus- stors ändert sich der Signalstrom, der in den EmitterThe invention is now intended to change the signal current flowing into the emitter with the aid of the ejector

führungsbedspiele darstellenden Figuren genauer er- des zweiten Transistors eingespeist wird und der anFigures depicting management conditions more precisely he of the second transistor is fed in and of the

läutert werden. Von diesen zeigt 5 dessen Kollektor das Ausgangssignal erzeugt. Derto be purified. Of these, 5 shows whose collector generates the output signal. Of the

Fig. 1 eine Schaltungsanordnung gemäß der Er- Strom in der Emitter-Kollektor-Strecke des Transi-Fig. 1 shows a circuit arrangement according to the Er current in the emitter-collector path of the transi-

findung zur multiplikativen Mischung zweier be- stors 6 entspricht daher dem Produkt der beiden beiFinding the multiplicative mixture of two orders 6 therefore corresponds to the product of the two at

liebiger Signale, 1 und 11 der Schaltungsanordnung zugeführten Si-Liebiger signals, 1 and 11 of the circuit arrangement supplied Si

F i g. 2 die Anwendung der Schaltungsanordnung gnale. Eine diesem Produkt entsprechende Spannung zur Änderung des Übertragungsmaßes für das erste io wird am Kollektorwiderstand 15 des zweiten Tran-Signal, sistors 6 abgenommen und steht am Ausgang 16 derF i g. 2 the application of the circuit arrangement gnale. A voltage equivalent to this product to change the transfer rate for the first io, the collector resistor 15 of the second Tran signal, sistor 6 removed and is at the output 16 of the

Fig. 3 eine Schaltungsanordnung zur Verbesse- Schaltungsanordnung zur Verfugung. Das Ausgangs-3 shows a circuit arrangement for improving the circuit arrangement available. The initial

rung der Linearität des Übertragungsmaßes für das signal kann auch dem Kollektorkreis des erstention of the linearity of the transfer rate for the signal can also be applied to the collector circuit of the first

erste Signal, Transistors an einem in diesen geschalteten Kollek-first signal, transistor at a collector connected in this

F i g. 4 eine Schaltungsanordnung mit einer nicht- 15 torwiderstand am Anschluß 16' abgenommen werden,F i g. 4 a circuit arrangement with a non-gate resistor at connection 16 'can be removed,

linearen Kennlinie für das erste Signal, F i g. 2 zeigt die Anwendung der erfindungsge-linear characteristic for the first signal, F i g. 2 shows the application of the invention

Fig. 5 eine praktisch ausgeführte Schaltungs- mäßen Schaltungsanordnung zur Änderung des anordnung zur multiplikativen Mischung zweier Si- Übertragungsmaßes für das erste Signal mittels einer gnale, kombiniert mit der Schaltungsanordnung zur veränderbaren Gleichspannung. Diese Gleichspan-Linearisierung des Übertragungsmaßes. 20 nung wird dem Gate 13 des Feldeffekttransistors 105 shows a circuit arrangement implemented in practice for changing the arrangement for the multiplicative mixing of two Si transmission measures for the first signal by means of a signals, combined with the circuit arrangement for the variable DC voltage. This DC linearization the transfer rate. 20 voltage is the gate 13 of the field effect transistor 10

In Fig. 1 wird dem ersten Eingang 1 der Schal- zugeführt. Sie kann z. B. über einen Spannungsteiler tungsanordnung das erste der multiplikativ zu 17, 18, 19, der zwischen den Polen der Betriebsmischenden Signale zugeführt. Das Signal wird über Spannungsquelle — U_B und + U_B eingeschaltet ist, einen Kondensator 2 auf die Basis eines ersten erhalten werden, wobei der Widerstand 18 des Span-Transistors 3 übertragen. Ein Widerstand 4 verbindet 25 nungsteilers als Potentiometer ausgebildet ist zur die Basiselektrode 3 mit einem festen Bezugspotential, Einstellung der Gleichspannung am Gate 13 des z. B. Masse. Ist das Signal ein Fernsehsignal, so wird Feldeffekttransistors 10 innerhalb des erforderlichen mit Vorteil eine Klemmschaltung an Stelle des Bereiches. Statt diese Gleichspannung in der beWiderstandes 4 benutzt. Zwischen den Emitter des schriebenen Weise in der Schaltungsanordnung selbst Transistors 3 und einen Pol der Betriebsstromquelle 30 zu gewinnen, kann sie dem Gate 13 des Feldeffekt- + U_B mit z.B. +12VoIt gegenüber dem Masse- transistors 10 auch über eine Leitung zugeführt und potential ist ein Widerstand 5 eingeschaltet. Der die Steuerung bzw. Regelung der Verstärkung der Kollektor des Transistors 3 ist mit dem zweiten Pol Schaltungsanordnung fernbedienbar ausgebildet werder Betriebsstromquelle — U_B von z.B. — 12VoIt den. Dabei ist es von besonderem Vorteil, daß der gegenüber dem Massepotential verbunden. Ein zwei- 35 Eingangswiderstand des Feldeffekttransistors 10 am ter Transistor 6, vorzugsweise vom gleichen Typ wie Gate 13 sehr hoch ist, so daß der Leistungsaufwand der Transistor 3, dessen Basis an einem festen für die Regelung und der Spannungsabfall in der Potential, z. B. an Masse liegt, enthält im Emitter- Regelleitung sehr klein bleibt,
kreis ebenfalls einen Widerstand 7. Die Schaltungs- Führt man dem Gate des Feldeffekttransistors an anordnung ist derart bemessen, daß bei fehlendem 40 Stelle eines zweiten vom ersten unabhängigen Signal Eingangssignal am Anschluß 1 die Emitter 8 und 9 einen Teil des ersten Signals zu, so läßt sich die der Transistoren 3 und 6 dasselbe Potential auf- Übertragungskennlinie der Schaltungsanordnung beweisen. Dadurch werden Gleichspannungsregelstöße einflussen. Zwei Beispiele hierfür sind in den F i g. 3 vermieden. und 4 dargestellt.In Fig. 1, the first input 1 of the switch is supplied. You can z. B. via a voltage divider processing arrangement the first of the multiplicative to 17, 18, 19, which is fed between the poles of the operational mixing signals. The signal is switched on via voltage source - U _B and + U _B , a capacitor 2 can be obtained on the base of a first, the resistor 18 of the span transistor 3 being transferred. A resistor 4 connects 25 voltage divider is designed as a potentiometer for the base electrode 3 with a fixed reference potential, setting the DC voltage at the gate 13 of the z. B. Mass. If the signal is a television signal, field effect transistor 10 is advantageously a clamping circuit in place of the area within the required range. Instead of this DC voltage in the resistance 4 is used. Between the emitter of the described manner in the circuit arrangement itself transistor 3 and a pole of the operating current source 30 can be obtained via a line to the gate 13 of the field effect + U _B with, for example, + 12VoIt compared to the ground transistor 10 and is also potential a resistor 5 switched on. The control or regulation of the gain of the collector of the transistor 3 is remotely controlled werderfreak formed with the second pole circuit operating power source - U _B of, for example - the 12VoIt. It is particularly advantageous that the is connected to the ground potential. A two-35 input resistance of the field effect transistor 10 at the transistor 6, preferably of the same type as gate 13 is very high, so that the power consumption of the transistor 3, whose base at a fixed for the control and the voltage drop in the potential, z. B. is connected to ground, contains in the emitter control line remains very small,
circle also has a resistor 7. The circuit leads to the gate of the field effect transistor arrangement is dimensioned such that if there is no 40 digit of a second signal input signal independent of the first, the emitters 8 and 9 feed part of the first signal the transistors 3 and 6 prove to have the same potential on the transfer characteristic of the circuit arrangement. This will influence DC voltage control surges. Two examples of this are shown in FIGS. 3 avoided. and 4 shown.

Zwischen den Emittern 8 und 9 der Transistoren 3 45 Der Schaltungsanordnung nach F i g. 3 wird bei 1Between the emitters 8 and 9 of the transistors 3 45 of the circuit arrangement according to FIG. 3 is at 1

und 6 liegt die Drain-source-Strecke eines Feldeffekt- ein Signal zugeführt. Der Widerstand 21 mit z. B.and 6, the drain-source path of a field effect is supplied with a signal. The resistor 21 with z. B.

transistors 10. 75 Ohm bildet den Abschlußwiderstand für die Zu-transistor 10. 75 Ohm forms the terminating resistor for the

Das zweite der multiplikativ zu mischenden Signale führungsleitung, z. B. ein Koaxialkabel mit 75 OhmThe second of the multiplicative signals to be mixed guide line, z. B. a coaxial cable with 75 ohms

wird dem zweiten Eingang 11 der Schaltungsanord- Wellenwiderstand. Ein Spannungsteiler mit denbecomes the second input 11 of the circuit arrangement characteristic impedance. A voltage divider with the

nung zugeführt und gelangt über einen Kondensator 50 Widerständen 22,23 zwischen Masse und dem nega-voltage and passes through a capacitor 50 resistors 22,23 between ground and the nega-

12 zum Gate 13 des Feldeffekttransistors 10, das über tiven Anschluß der Betriebsstromquelle — U_B erlaubt12 to the gate 13 of the field effect transistor 10, which allows via tive connection of the operating power source - U _B

den Widerstand 14 an Masse liegt. die Einstellung des Arbeitspunktes des Transistors 3;the resistor 14 is connected to ground. the setting of the operating point of transistor 3;

Die Kennlinien eines Feldeffekttransistors für den hierzu ist einer der Spannungsteilerwiderstände, z. B.The characteristics of a field effect transistor for this purpose is one of the voltage divider resistors, e.g. B.

Strom durch die Drain-source-Strecke in Abhängig- 23, veränderbar.Current through the drain-source path as a function of 23, changeable.

keit von der an diese Strecke angelegten Spannung 55 Mittels des als Potentiometer ausgebildeten verlaufen in einem gewissen Spannungsbereich, z. B. Emitterwiderstandes 24 des Transistors 3 wird ein ± 0,5 Volt für einen Feldeffekttransistor vom Typ einstellbarer Teil der Signalspannung über einen 2 N 3823, linear und polsymmetrisch. Der Feld- Widerstand 25 und einen Kondensator 26 dem Gate effekttransistor verhält sich daher in diesem Span- 13 des Feldeffekttransistors 10 zugeführt. Mittels nungsbereich wie ein ohmscher Widerstand; durch 6° eines Spannungsteilers mit den Widerständen 27, 28, Ändern der an das Gate des Feldeffekttransistors an- 29, wovon der Widerstand 28 als Potentiometer ausgelegten Spannung läßt sich die Größe dieses Wider- gebildet ist, läßt sich die Vorspannung für das Gate Standes entsprechend der Neigung der Kennlinie im des Feldeffekttransistors geeignet einstellen. Auf Kennlinienfeld in weiten Grenzen beeinflussen. Diese diese Weise läßt sich die Übertragungskennlinie der Eigenschaft des Feldeffekttransistors wird in der vor- 65 Schaltungsanordnung bis zu großen Aussteuerungen liegenden Schaltungsanordnung dazu ausgenutzt, den linearisieren. Der Widerstand 20, parallel zur Drain-Widerstand zwischen den Emittern 8 und 9 der source-Strecke des Feldeffekttransistors 10, dient zur Transistoren 3 und 6 in Abhängigkeit von dem bei 11 weiteren Verbesserung der Linearität.speed of the voltage 55 applied to this path by means of the designed as a potentiometer run in a certain voltage range, e.g. B. emitter resistor 24 of transistor 3 is a ± 0.5 volts for a field effect transistor of the type adjustable part of the signal voltage via a 2 N 3823, linear and polar symmetric. The field resistor 25 and a capacitor 26 to the gate Effect transistor therefore behaves in this span 13 of the field effect transistor 10 supplied. Means voltage range like an ohmic resistor; by 6 ° of a voltage divider with resistors 27, 28, Change the to the gate of the field effect transistor 29, of which the resistor 28 is designed as a potentiometer Voltage can be the size of this resistance, can be the bias voltage for the gate Set the status appropriately according to the slope of the characteristic curve in the field effect transistor. on Influence the characteristic field within wide limits. In this way, the transfer characteristic of the The property of the field effect transistor in the upstream circuit is up to high levels lying circuit used to linearize the. The resistor 20, in parallel with the drain resistor between the emitters 8 and 9 of the source path of the field effect transistor 10 is used for Transistors 3 and 6 depending on that at 11 further improve linearity.

In der Schaltungsanordnung nach Fig. 4 wird das dem Gate des Feldeffekttransistors 10 zugeführte Signal aus dem Kollektorkreis des Transistors 3 entnommen. Hierzu ist im Kollektorkreis ein vorzugsweise einstellbarer Widerstand 31 vorgesehen. Die an diesem Widerstand auftretende Spannung gelangt über einen Widerstand 32 und einen Kondensator 33 zum Gate 13 des Feldeffekttransistors 10. Ein Spannungsteiler 27, 28, 29 dient zur Einstellung des Arbeitspunktes des Feldeffekttransistors. . .In the circuit arrangement according to FIG. 4, the gate of the field effect transistor 10 is supplied Signal taken from the collector circuit of transistor 3. For this purpose, one is preferred in the collector circuit adjustable resistor 31 is provided. The voltage appearing at this resistor arrives Via a resistor 32 and a capacitor 33 to the gate 13 of the field effect transistor 10. A voltage divider 27, 28, 29 is used to set the operating point of the field effect transistor. . .

Mit dieser Schaltungsanordnung nach F i g. 4 läßt sich eine nichtlineare Übertragungskennlinie für das der Anordnung bei 1 zugeführte Signal erzielen, wie sie z. B. zur Vorverzerrung von Fernsehsignalen zum Ausgleich der gekrümmten Kennlinie der Bildröhre benötigt wird.With this circuit arrangement according to FIG. 4 can be a non-linear transfer characteristic for the achieve the arrangement at 1 supplied signal, as z. B. for predistortion of television signals to Compensation of the curved characteristic of the picture tube is required.

Die Eigenschaften der derzeitigen Feldeffekttransistoren sind noch temperaturabhängig. Eine Kompensation dieser Temperaturabhängigkeit kann mit einem NTC-Widerstand vorgenommen werden, der beispielsweise in der Eingangsleitung des Signals eingeschaltet wird (30 in F i g. 4).The properties of the current field effect transistors are still temperature-dependent. A compensation this temperature dependence can be made with an NTC resistor, for example is turned on in the input line of the signal (30 in Fig. 4).

F i g. 5 zeigt eine praktisch ausgeführte Schaltungsanordnung zur multiplikativen Mischung zweier Signale, kombiniert mit einer Schaltungsanordnung zur Linearisierung des Übertragungsmaßes für das erste Signal. Das erste Signal gelangt vom Eingangsanschluß 40 über den Kondensator 41 zur Basis des Transistors 42. Transistor 43 führt die Gleichstromkomponente des Signals wieder ein. Hierzu wird der Basis des Transistors 43 über den Kondensator 44 und den Widerstand 45 eine Folge von Impulsen in an sich bekannter Weise zugeführt. Das erste Signal gelangt vom Emitter des Transistors 42 zur Basis des Transistors 46 vom entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp wie Transistor 42. Dadurch ist das Emittergleichpotential von Transistor 46 gleich dem Basispotential von Transistor 42. Geringfügige Abweichungen können mit dem einstellbaren Widerstand 47 abgeglichen werden. Die Source-drain-Strecke des Feldeffekttransistors 48 ist zwischen den Emitter des Transistors 46 und Masse angeschlossen. Die Gleichstromzuführung für Transistor 46 erfolgt über den Emitterwiderstand 49 vom negativen Pol der Betriebsstromquelle — U_B (z. B. —12). Der Emitter von Transistor 46 hat das Ruhepotential Null.F i g. 5 shows a circuit arrangement implemented in practice for the multiplicative mixing of two signals, combined with a circuit arrangement for linearizing the transmission factor for the first signal. The first signal passes from input terminal 40 via capacitor 41 to the base of transistor 42. Transistor 43 reintroduces the DC component of the signal. For this purpose, the base of the transistor 43 is supplied with a sequence of pulses in a manner known per se via the capacitor 44 and the resistor 45. The first signal passes from the emitter of transistor 42 to the base of transistor 46 of the opposite conductivity type as transistor 42. As a result, the emitter equal potential of transistor 46 is equal to the base potential of transistor 42. The source-drain path of the field effect transistor 48 is connected between the emitter of the transistor 46 and ground. The direct current supply for transistor 46 takes place via the emitter resistor 49 from the negative pole of the operating current source - U _B (z. B. -12). The emitter of transistor 46 has zero rest potential.

Das zweite der zu mischenden Signale gelangt vom Anschluß 50 über den Kondensator 51 zur Basis des Transistors 52. Am Kollektor vom Transistor 52 wird das zweite Signal abgenommen und dem Gate des Feldeffekttransistors 48 zugeführt. Den Kollektorwiderstand des Transistors 52 bildet der Widerstand 53. Durch den veränderbaren Widerstand 60 wird der Gleichstrom im Transistor 52 zur Änderung des Arbeitspunktes des Feldeffekttransistors 48 eingestellt.The second of the signals to be mixed comes from the connection 50 via the capacitor 51 to Base of transistor 52. At the collector of transistor 52, the second signal is picked up and fed to the gate of the field effect transistor 48. The collector resistance of the transistor 52 forms the Resistor 53. The variable resistor 60 changes the direct current in transistor 52 of the operating point of the field effect transistor 48 is set.

Das erste Signal wird vom Emitter des Transistors 42 außerdem der Basis des Transistors 54 zugeführt. Vom Emitter des Transistors 54 kann mittels eines Potentiometers 55 ein Teil des ersten Signals dem Gate des Feldeffekttransistors 48 zwecks Linearisierung des Übertragungsmaßes für das erste Signal zugeführt werden. Der Strom im Feldeffekttransistor 48 ist somit ein Produkt des ersten und des zweiten Signals. Dieser Strom wird vom Emitter des Transistors 46 aufgenommen und erzeugt an dessen Kollektorwiderstand 56 die Ausgangsspannung, welche am Anschluß 57 abgenommen werden kann. Diode dient zur Temperaturstabilisierung des Stromes in Transistor 52. Der Widerstand 59 führt dem Transistor 54 den Gleichstrom zu.The first signal is also applied to the base of transistor 54 from the emitter of transistor 42. From the emitter of the transistor 54, a part of the first signal can be dem The gate of the field effect transistor 48 is supplied for the purpose of linearizing the transfer rate for the first signal will. The current in the field effect transistor 48 is thus a product of the first and the second Signal. This current is absorbed by the emitter of transistor 46 and generated at its collector resistance 56 the output voltage, which can be picked up at connection 57. Diode is used to stabilize the temperature of the current in Transistor 52. Resistor 59 supplies transistor 54 with the direct current.

Eine bevorzugte Anwendung der vorstehend beschriebenen Schaltungsanordnung ist der Ausgleich von Störsignalen, die bei Bildgebern entstehen. Hierbei wird das vom Bildgeber erzeugte Signal dem ersten Eingang 40 der Schaltungsanordnung zugeführt, während die sägezahn- oder parabelförmigen Kompensationssignale an den zweiten Eingang 50 angelegt werden.A preferred application of the circuit arrangement described above is compensation of interfering signals that arise with imaging devices. The signal generated by the imager becomes dem first input 40 of the circuit arrangement, while the sawtooth or parabolic Compensation signals are applied to the second input 50.

Claims

Patent claims:

1. Circuit arrangement for the multiplicative mixing of electrical signals, thereby characterized in that the first terminal of the source-drain path of a field effect transistor (10) to the emitter of a transistor (3), the base of which is the first of the signals to be mixed is supplied, and the second connection to a constant, the emitter quiescent potential of the transistor the same potential is connected that the supply of direct current to the emitter of the Transistor over a compared to the resistance of the source-drain path of the field effect transistor large resistance (5) takes place and the mixed product is the collector circuit of the transistor is removed.

2. Circuit arrangement according to claim 1, characterized in that the second connection the drain-source path of the field effect transistor with the emitter of a further transistor (9), whose base is at a fixed potential, is connected that the supply of direct current to the Emitter of the further transistor (9) in the same way as to the emitter of the transistor a large compared to the resistance of the source drain path of the field effect transistor Resistance (7) takes place and that the mixed product is taken from one or both collector circuits will.

3. Circuit arrangement according to claim 1, characterized in that the gate of the field effect transistor (10) a variable DC voltage is supplied to regulate the transmission rate for the first signal.

4. Circuit arrangement according to claim 1, characterized in that the supplied to the base first signal also to the gate of the field effect transistor (10), preferably with an adjustable Amplitude, is supplied.

5. Circuit arrangement according to claim 1, characterized in that the mean potential of the gate is determined by a preferably variable direct voltage.

6. Circuit arrangement according to claim 1, characterized in that the gate supplied Signal is taken from the emitter circuit of the transistor (5).

7. Circuit arrangement according to claim 1, characterized in that the gate supplied Signal in the collector circuit of the transistor (5) at a preferably adjustable collector resistor (31) is removed.

8. Circuit arrangement according to claim 1, characterized in that the temperature-dependent

Gige resistance change of the field effect transistor (10) by a temperature-dependent one Bias voltage for the gate of the field effect transistor (10) is compensated to zero.

9. Circuit arrangement according to claim 1, characterized by the application to the multiplicative Mixing of television signals.

Publications considered: R. F. Sheo, "Transistortechnik", Stuttgart, 1959, P. 159;

Korn, Korn, "Electronic Analogy Machines", Stuttgart, 1960, pp. 30 and 260;

"Funkschau", 36, (1964), second May issue, pp. 261 to 263.

1 sheet of drawings