DE1233014B - Circuit of a non-destructive storage device - Google Patents
Circuit of a non-destructive storage deviceInfo
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Description
DEUTSCHESGERMAN
PATENTAMTPATENT OFFICE
AUSLEGESCHRIFTEDITORIAL
Int. α.:Int. α .:
GlIcGlIc
Deutsche Kl.: 21 al - 37/54 German class: 21 al - 37/54
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Z10583IX c/21 al 16. Januar 1964 26. Januar 1967Z10583IX c / 21 al January 16, 1964 January 26, 1967
Die vorliegende Erfindung betrifft eine Schaltung eines nicht destruktiven, als Transistorkippschaltung ausgeführten Speichergerätes, bei welchem die Speicherlage gleichzeitig auch in einem die gespeicherte Information beibehaltenen Magnetkern mit rechteckförmiger Hysteresisschleife gespeichert wird, unter dessen Steuerung bei Wiederkehr der Speisespannung nach deren Ausfall der zuletzt innegehabte Zustand der Kippschaltung wiederhergestellt wird, und bei welchem in den Kollektorstromkreisen der Transistören in Reihe mit den Kollektorwiderständen zwei Einstellwicklungen des Magnetkerns angeordnet sind.The present invention relates to a circuit of a non-destructive, transistor flip-flop executed storage device, in which the storage location is also stored in one of the Information retained magnetic core with rectangular hysteresis loop is stored under its control when the supply voltage returns after its failure, the last state it was in the flip-flop is restored, and in which in the collector circuits of the transistors two setting windings of the magnetic core are arranged in series with the collector resistors.
Bei Einrichtungen, die logische Schaltungen benutzen, ist ein unerläßlicher Bestandteil ein Speichergerät, in welchem die anfallenden Informationen gespeichert werden können. Bei Anwendung einer binären Verschlüsselung ist die Information durch einen der beiden Zustände, den sogenannten »0«- oder »1«-Zustand, charakterisiert. Ein bekannter Speicher ist z. B. durch eine Transistorkippschaltung realisiert. Dort wird der Zustand des Speichers durch Erregung eines der beiden Transistoren bestimmt. Beim Transistorspeichergerät des genannten Typs bleibt durch das Ablesen der Information der InhaltFor devices that use logic circuits, an indispensable part is a storage device, in which the resulting information can be stored. When using a binary encryption is the information through one of the two states, the so-called "0" - or "1" state, characterized. A known memory is e.g. B. by a transistor flip-flop realized. There the state of the memory is determined by energizing one of the two transistors. In the case of the transistor storage device of the type mentioned, the content remains by reading the information
Schaltung eines nicht destruktiven SpeichergerätesCircuit of a non-destructive storage device
Anmelder:Applicant:
Zävody prümyslove automatisace, närodni podnik, PragZvodyprümyslove automatisace, närodni podnik, Prague
Vertreter:Representative:
Dipl.-Phys. Dr. W. Junius, Patentanwalt, Hannover, Abbestr. 20Dipl.-Phys. Dr. W. Junius, patent attorney, Hanover, Abbestr. 20th
Als Erfinder benannt:
Zdenek Rames, PragNamed as inventor:
Zdenek Rames, Prague
Beanspruchte Priorität:Claimed priority:
Tschechoslowakei vom 25. Januar 1963 (436-63)Czechoslovakia January 25, 1963 (436-63)
Anzahl von Speicherelementen. Deshalb wurden andere Lösungen gesucht, wie z. B. die nach der britischen Patentschrift 890 851. Hier sind in den KoI-des Speichers unverändert, jedoch wird beim Ausfall 25 lektorkreisen der Transistorkippschaltung Wicklunder Speisespannungen der Inhalt gelöscht, und bei gen für einen ferromagnetischen Kern, offensichtlich Wiederkehr oder beim Wiedereinschalten der Speise- mit Rechteckhysteresisschleife, angeordnet. Je nach Spannungen entsteht ein Zustand des Speichers, wel- dem Zustand der Erregung verlaufen durch den Kern eher entweder ganz zufällig ist, oder die bistabile die Kraftlinien in bestimmter Richtung. Nach dem Schaltung kommt beim Wiedereinschalten der Speise- 30 Ausfall der Speisespannung verbleibt im Kern ein Spannungen immer zu einem durch die Parameter Remanentmagnetismus, welcher nach Wiederkehr der der Schaltungselemente im vorausbestimmten Zu- Spannung den Zustand bestimmt, in welchem der stand. Speicher erregt wird. Da der Ausgangswiderstand desNumber of storage elements. Therefore, other solutions were sought, such as. B. the after British Patent 890 851. Here are in the KoI-des The memory remains unchanged, but in the event of a failure of 25 lector circuits of the transistor flip-flop Wicklunder Supply voltages cleared the contents, and in the case of genes for a ferromagnetic core, obviously Return or when switching on the feed with rectangular hysteresis loop, arranged. Depending on Tension creates a state of storage, which state of excitation runs through the core rather it is either entirely random, or the bistable lines of force in a certain direction. After this Switching occurs when the supply is switched on again. 30 Failure of the supply voltage remains in the core Tensions always to one due to the parameters remanent magnetism, which after the return of the of the circuit elements in the predetermined voltage determines the state in which the was standing. Memory is energized. Since the output resistance of the
In manchen Fällen der Steuerung von Herstellungs- Transistors mit dem gemeinsamen Emitter einen operationen in der Industrie ist es jedoch nötig, daß 35 relativ großen Wert besitzt, sind große Induktivitäten das logische Gerät in seiner Funktion nach dem im Kollektor für die Erreichung der gewünschten abermaligen Einschalten der Spannung von jenem Funktion nötig. Dies führt weiter dazu, daß derIn some cases the control of manufacturing transistor with the common emitter one operations in industry, however, it is necessary that 35 has a relatively large value, are large inductances the logical device in its function according to that in the collector for achieving the desired it is necessary to switch on the voltage of that function again. This further leads to the fact that the
Stand an weiterarbeitet, in welchem die Lieferung der Speisespannung absichtlich oder unabsichtlich gestört wurde.Stand on, in which the supply of the supply voltage is intentional or unintentional was disturbed.
Speicher, bei denen es zu einem Löschen des gespeicherten Wertes beim Ablesen und beim Ausfallen des Netzes nicht kommt, sind im wesentlichen Trommelspeicher und Speicher mit Magnettonband, welcheMemories in which there is a deletion of the stored value when reading and when failing of the network does not come, are essentially drum storage and storage with magnetic tape, which
Speicher nur bei niedrigeren Frequenzen arbeiten kann.Memory can only work at lower frequencies.
Die vorliegende Erfindung schafft eine auch bei hohen Frequenzen arbeitende Schaltung, bei der gewährleistet ist, daß bei Wiederkehr der Speisespannung nach deren Ausfall das Speichergerät seinen vor dem Spannungsausfall innegehabten ZustandThe present invention provides a circuit which also operates at high frequencies and in which is that when the supply voltage returns after its failure, the storage device will be its it was in the state before the power failure
über eine große Kapazität verfügen, aber beim Vor- 45 wieder einnimmt,
handensein einer kleinen Anzahl von Speichern Die Erfindung besteht darin, daß auf dem Magnetrelativ kostspielig und auch langsam sind. Bei Ferrit- kern zusätzlich eine mit ihrem einen Ende an die
Speichergeräten kommt es beim Ablesen zur Löschung Basis eines Abtasttransistors angeschlossene Abtastder
Information, welche eventuell beim weiteren wicklung vorgesehen ist, deren anderes Ende an den
Vorgang in den ursprünglichen Zustand gebracht 50 Verbindungspunkt zwichen zwei Widerständen eines
werden muß. Die hierzu notwendigen Schaltungen zwischen die miteinander verbundenen Emitter der
eignen sich ökonomisch abermals nur für eine größere Kippschaltungstransistoren und die positive Klemmehave a large capacity, but resume at the Vor 45,
presence of a small number of memories. The invention is that on the magnet are relatively expensive and also slow. In the case of ferrite cores, one end of the information connected to the storage device is also erased when reading the base of a scanning transistor must become one. The circuits required for this between the interconnected emitters of the are again only economically suitable for a larger flip-flop transistor and the positive terminal
609 759/290609 759/290
der Kollektorspannungsquelle geschalteten Spannungsteilers angeschlossen ist, daß der über einen Kondensator und einen Kollektorwiderstand an die positive Klemme der Spannungsquelle angeschlossene Kollektor des Abtasttransistors über einen Kopplungskondensator an die Katode einer Blockierdiode angeschlossen ist, deren Anode mit der Basis des ersten Kippschaltungstransistors verbunden ist, und daß eine Blockierdiode mit ihrer Anode an die miteinander verbundenen Emitter der Kippschaltungstransistoren und mit ihrer Katode an den Verbindungspunkt eines Widerstandes und eines Öffnungskondensators angeschlossen ist, die zwischen die Basis des ersten Kippschaltungstransistors und die positive Klemme der Spannungsquelle in Reihe geschaltet sind.the collector voltage source switched voltage divider is connected that the via a Capacitor and a collector resistor connected to the positive terminal of the voltage source Collector of the sampling transistor via a coupling capacitor to the cathode of a blocking diode is connected, the anode of which is connected to the base of the first flip-flop transistor, and that a blocking diode with its anode to the interconnected emitters of the flip-flop transistors and with its cathode to the connection point a resistor and an opening capacitor is connected between the The base of the first flip-flop transistor and the positive terminal of the voltage source are connected in series are.
Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung ist an Hand der Zeichnung erläutert. Es bedeutet hierAn embodiment of the invention is explained with reference to the drawing. It means here
1 den ersten Transistor der Kippschaltung,1 the first transistor of the flip-flop circuit,
2 den zweiten Transistor der Kippschaltung,2 the second transistor of the flip-flop circuit,
3 den Kopplungswiderstand zwischen dem Kollektor des ersten Transistors und der Basis des zweiten Transistors,3 shows the coupling resistance between the collector of the first transistor and the base of the second transistor,
4 den Kopplungswiderstand zwischen dem Kollektor des zweiten Transistors und der Basis des ersten Transistors,4 shows the coupling resistance between the collector of the second transistor and the base of the first transistor,
5, 6 die beschleunigenden Kapazitäten,5, 6 the accelerating capacities,
7 den Kollektorwiderstand des ersten Transistors, 7 the collector resistance of the first transistor,
8 den Kollektorwiderstand des zweiten Transistors, 8 the collector resistance of the second transistor,
9 die Einstellwicklung im Kollektorstromkreis des ersten Transistors,9 the setting winding in the collector circuit of the first transistor,
die Einstellwicklung im Kollektorstromkreis des zweiten Transistors,
den ferromagnetischen Toroidkern,
den Basiswiderstand des zweiten Transistors, den Basiswiderstand des ersten Transistors,
die Wicklung zum Abtasten,
den Anlaßkondensator,
den Trennwiderstand,
die Elemente des Spannungsteilers,
den Abtasttransistor,the setting winding in the collector circuit of the second transistor,
the ferromagnetic toroidal core,
the base resistance of the second transistor, the base resistance of the first transistor,
the winding for scanning,
the starting capacitor,
the separation resistance,
the elements of the voltage divider,
the sampling transistor,
den Kollektorwiderstand des Abtasttransistors, den mit dem Kollektorwiderstand in Serie geschalteten
Kollektorwiderstand,
den Kopplungskondensator,
die Blockierdiode des Abtaststromkreises,
die Blockierdiode des Anlaßstromkreises,
die Eingangsklemmen und
die Ausgangsklemmen der Einrichtung.the collector resistance of the scanning transistor, the collector resistance connected in series with the collector resistance,
the coupling capacitor,
the blocking diode of the sensing circuit,
the blocking diode of the starting circuit,
the input terminals and
the output terminals of the device.
1010
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2222nd
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Die Nachteile der bekannten Einrichtungen werden durch die erfindungsgemäße Ausbildung eines nicht destruktiven, als Transistorkippschaltung ausgeführten Speichergerätes beseitigt, bei welchem die Speicherlage gleichzeitig auch in einem die gespeicherte Information beibehaltenden Magnetkern mit rechteckförmiger Hysteresisschleife gespeichert wird, unter dessen Steuerung nach der Wiederkehr der ausgefallenen Speisespannung der zuletzt innegehabte Zustand der Kippschaltung wiederhergestellt wird und in deren Kollektorstromkreisen sich in Reihe mit den Kollektorwiderständen zwei Einstellwicklungen auf dem Magnetkern befinden. Auf dem Magnetkern ist noch eine weitere zum Abtasten dienende Wicklung vorgesehen, deren eines Ende an die Basis eines Abtasttransistors und deren anderes Ende an den Verbindungspunkt zwischen den Widerständen eines zwischen die miteinander verbundenen Emitter der Kippschaltungstransistoren und die positive Klemme der Kollektorspannungsquelle geschalteten Spannungsteilers angeschlossen ist, wobei der über einen Kondensator 21 und einen Kollektorwiderstand an die positive Klemme der Spannungsquelle angeschlossene Kollektor des Abtasttransistors über einen Kopplungskondensator an die Katode einer Blockierdiode angeschlossen ist, deren Anode mit der Basis des ersten Kippschaltungstransistors verbunden ist, und wobei eine Blockierdiode mit ihrer Anode an die verbundenen Emitter der Kippschaltungstransistoren und mit ihrer Katode an den Verbindungspunkt eines Widerstandes und eines Öffnungskondensators angeschlossen ist, die zwischen die Basis des ersten Kippschaltungstransistors und die positive Klemme der Spannungsquelle in Reihe geschaltet sind.The disadvantages of the known devices are not due to the inventive design of a destructive memory device designed as a transistor flip-flop, in which the Storage position at the same time also in a magnetic core that retains the stored information rectangular hysteresis loop is stored under its control after the return of the If the supply voltage has failed, the last held state of the flip-flop is restored and in their collector circuits there are two setting windings in series with the collector resistances are on the magnetic core. There is another winding on the magnetic core that is used for scanning provided, one end to the base of a sampling transistor and the other end to the Connection point between the resistors of a between the interconnected emitters of the Flip-flop transistors and the positive terminal of the collector voltage source switched voltage divider is connected, the via a capacitor 21 and a collector resistor the positive terminal of the voltage source connected collector of the scanning transistor via a Coupling capacitor is connected to the cathode of a blocking diode, the anode of which is connected to the base of the first flip-flop transistor is connected, and wherein a blocking diode with its anode on the connected emitters of the flip-flop transistors and with their cathode to the connection point a resistor and an opening capacitor connected between the base of the first flip-flop transistor and the positive terminal of the voltage source connected in series are.
Das Prinzip der Funktion der erfindungsgemäßen Einrichtung beruht in der Registrierung des Zustandes der Kippschaltung in dem magnetischen Toroidkern mit rechteckförmiger Hysteresisschleife und in der Aussteuerung des ersten Transistors der Kippschaltung durch einen bei Wiederkehr der Speisespannung entstehenden Impuls. Wenn die Richtung der Magnetisierung des Kerns dem ausgesteuerten Zustand der Kippschaltung entspricht, findet keine Ummagnetisierung des Kerns statt, und demzufolge entsteht auch kein Impuls in der Abtastwicklung. Wenn aber die Magnetisierungsrichtung umgekehrt war, entsteht ein Impuls bestimmter Breite und einer solchen Polarität, daß er den Hilfstransistor sperrt, welcher erst nach Beendigung des Impulses öffnet und den ersten Transistor der Kippschaltung sperrt, so daß dieselbe ihren Zustand in denselben Zustand ändert, in welchen sie sich vor dem Ausfall der Speisespannung befand.The principle of the function of the device according to the invention is based on the registration of the state the flip-flop in the magnetic toroidal core with rectangular hysteresis loop and in the control of the first transistor of the flip-flop circuit by one when the supply voltage returns resulting impulse. When the direction of magnetization of the core is the modulated Corresponds to the state of the flip-flop circuit, there is no reversal of magnetization of the core, and consequently there is also no pulse in the sensing winding. But if the direction of magnetization is reversed was, a pulse of a certain width and polarity arises that it blocks the auxiliary transistor, which only opens after the end of the pulse and blocks the first transistor of the flip-flop circuit, so that it changes its state into the same state in which it was before the failure of the Supply voltage was.
Die Schaltung besteht einesteils aus einem Abtasttransistor 19 und weiter aus einer Kippschaltung mit zwei Transistoren 1, 2 üblicher Ausführung mit i?C-Kopplungen 3, 4, 5, 6 zwischen den Kollektoren und den Basen der Transistoren. In Reihe mit den Kollektorwiderständen 7, 8 sind zwei Einstellwicklungen 9,10 auf einem gemeinsamen ferromagnetischen Toroidkern 11 mit rechteckförmiger Hysteresisschleife geschaltet. Der Sinn dieser Einstellwicklungen ist ein solcher, daß die Kollektorströme den Kern in entgegengesetzten Richtungen magnetisieren.The circuit consists on the one hand of a scanning transistor 19 and also of a flip-flop with two transistors 1, 2 of the usual design with IC couplings 3, 4, 5, 6 between the collectors and the bases of the transistors. In series with the collector resistors 7, 8 are two setting windings 9,10 on a common ferromagnetic toroidal core 11 with a rectangular hysteresis loop switched. The purpose of these adjustment windings is such that the collector currents the Magnetize the core in opposite directions.
Die Widerstände 12 und 13 in den Basen der Transistoren 1,2 sind je zwischen die Basis und den negativen Pol der Quelle der Vorspannung geschaltet (die Erläuterung wird für die npn-Transistoren gegeben). The resistors 12 and 13 in the bases of the transistors 1,2 are each between the base and the negative pole of the source of the bias voltage (the explanation is given for the npn transistors).
Wenn die Einrichtung als Kippschaltung arbeitet, dann wird bei jeder Änderung der Leitfähigkeit der Kern bis zum Sättigungszustand ummagnetisiert (dies ist von der Anzahl der Windungen, den Werten der Kollektorwiderstände und der Spannung -Ex ab-When the device operates as a flip-flop, then at every change of the conductivity of the core is re-magnetized to the saturation state (that is deviate from the number of turns, the values of the collector resistors and the voltage -E x
hängig), sofern die Zeitdauer zwischen zwei Zustandsänderungen genügend lang ist. Bei jeder Ummagnetisierung wird ein Impuls in die Abtastwicklung 14 des Toroids 11 induziert, dessen Polarität vom Sinn der Änderung des magnetischen Flusses bestimmt ist. Die Abtastwicklung 14 muß in einem solchen Sinn geschaltet sein, daß bei Sperrung des zweiten Transistors 2 und beim öffnen des ersten Transistors 1 die Polarität des induzierten Spannungs-pending), provided the period between two changes of state is long enough. With every magnetization reversal a pulse is induced in the sensing winding 14 of the toroid 11, its polarity is determined by the sense of the change in the magnetic flux. The sensing winding 14 must be in one be connected in such a way that when the second transistor 2 is blocked and the first one is opened Transistor 1 the polarity of the induced voltage
impulses eine solche ist, daß er den Abtasttransistor 19 sperrt. Sofern die Zeitdauer zwischen zwei Änderungen des Zustandes kurz ist, arbeitet die Schaltung in Hinsicht auf die kleine Induktivität in den Kollektoren als gewöhnlicher Kippstromkreis mit großer Geschwindigkeit. Für die Registrierung des letzten Zustandes ist die erwähnte Minimalzeitdauer erforderlich. Wird die Speisespannung nach der erwähnten Minimalzeitdauer der Registrierung abgeschaltet, bleibt der Zustand des Kernes vom letzten Leitfähigkeitszustand der Transistoren bestimmt und als Permanentmagnetismus eines bestimmten Sinnes, entweder positiv oder negativ, erhalten.impulses is such that it blocks the scanning transistor 19. Provided the length of time between two changes of the state is short, the circuit operates in terms of the small inductance in the collectors than an ordinary breakover circuit with high speed. For the registration of the last State, the minimum period of time mentioned is required. If the supply voltage according to the mentioned If the minimum duration of the registration is switched off, the state of the core remains from the last conductivity state of transistors and intended as permanent magnetism of a certain sense, either positive or negative, received.
Nach abermaligem Anschließen der Speisespannung nach beliebig langer Zeitdauer geht der positive Differenzierimpuls aus der angeschlossenen Kollektorspannung +E1 über den Anlaßkondensator 15 und den Trennwiderstand 16 auf die Basis des ersten Transistors 1 hindurch und bewirkt dadurch, daß im ersten Augenblick der erste Transistor 1 Strom führt und der zweite Transistor 2 gesperrt wird.After reconnecting the supply voltage after any length of time, the positive differentiating pulse from the connected collector voltage + E 1 passes through the starting capacitor 15 and the isolating resistor 16 to the base of the first transistor 1 and causes the first transistor 1 to conduct current at the first moment and the second transistor 2 is blocked.
Wenn der Sinn der Magnetisierung vermittels des Kollektorstromes des ersten Transistors 1 gleich wie die zuletzt ausgeführte Registrierung ist, erscheint auf der Abtastwicklung 14 praktisch kein Impuls, die positive Spannung auf dem Spannungsteiler 17,18 erscheint auf der Basis des Abtasttransistors 19, welcher vermittels des Kollektorstromes über den KoI-lektorwiderstand 20 den Serienkondensator 21 auf eine Spannung von praktisch +E1 auflädt.If the sense of magnetization by means of the collector current of the first transistor 1 is the same as the last registration, practically no pulse appears on the sensing winding 14, the positive voltage on the voltage divider 17, 18 appears on the base of the sensing transistor 19, which is generated by means of the collector current Charges the series capacitor 21 to a voltage of practically + E 1 via the KoI-lector resistance 20.
Dadurch ist der Abtasttransistor 19 aus der weiteren Tätigkeit ausgeschlossen. Wenn der Sinn der Magnetisierung vermittels des Kollektorstromes des Transistors 1 ein entgegengesetzter als die letzte Registrierung ist, ist der nunmehr wesentlich größere Impuls auf der Abtastwicklung größer als die positive Spannung auf dem Spannungsteiler 17,18 und sperrt auf die Dauer des Impulses den Abtasttransistor 19. Dadurch bleibt der Serienkondensator 21 ungeladen. Erst nach Beendigung des Abtastimpulses öffnet sich der Abtasttransistor 19, die Spannung auf dem Kollektor verringert sich sprungweise, und die negative Differenzier-Spitzenspannung sperrt über den Kopplungstransistor 22 und die Sperrdiode 23 des Abtaststromkreises den ersten Transistor 1. Dadurch ändert sich also der Zustand des Kippstromkreises in einen Zustand, welcher mit demjenigen vor der Ausschaltung des Netzes übereinstimmt. Der Serienkondensator 21 wird gleich nach Beendigung des Abtastimpulses geladen, der Abtasttransistor 19 ist aus der weiteren Tätigkeit ausgeschlossen und stört nicht die Funktion der Kippschaltung.As a result, the scanning transistor 19 is excluded from further activity. If the sense of the Magnetization by means of the collector current of transistor 1 is opposite to the last one Registration is, the now much larger pulse on the sensing winding is greater than the positive Voltage on the voltage divider 17, 18 and blocks the sampling transistor 19 for the duration of the pulse. As a result, the series capacitor 21 remains uncharged. Only after the end of the scanning pulse does it open the sampling transistor 19, the voltage on the collector decreases suddenly, and the negative Differentiating peak voltage blocks via the coupling transistor 22 and the blocking diode 23 of the sensing circuit the first transistor 1. As a result, the state of the breakover circuit changes into a State which corresponds to the one before the mains was switched off. The series capacitor 21 is charged immediately after the end of the sampling pulse, the sampling transistor 19 is off further activity is excluded and does not interfere with the function of the toggle switch.
Die Eingänge des Kippstromkreises können so angeordnet werden, daß der nicht destruktive Speicher ein Glied, z. B. eines Schieberegisters, eines Zählers usw., sein kann.The inputs of the breakover circuit can be arranged so that the non-destructive memory a member, e.g. B. a shift register, a counter, etc., can be.
Claims (1)
Britische Patentschrift Nr. 890 851;
französische Patentschriften Nr. 1257 064,
096, 1 309 664.Considered publications:
British Patent No. 890,851;
French patent specification No. 1257 064,
096, 1 309 664.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS43663 | 1963-01-25 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE1233014B true DE1233014B (en) | 1967-01-26 |
Family
ID=5336418
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE1964Z0010583 Pending DE1233014B (en) | 1963-01-25 | 1964-01-16 | Circuit of a non-destructive storage device |
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| DE (1) | DE1233014B (en) |
| FR (1) | FR1455777A (en) |
| GB (1) | GB1057702A (en) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| FR1257064A (en) * | 1960-02-13 | 1961-03-31 | Renault | Improvements to memory circuits |
| GB890851A (en) * | 1958-11-07 | 1962-03-07 | Standard Telephones Cables Ltd | Bistable trigger circuit |
| FR1308096A (en) * | 1960-11-24 | 1962-11-03 | Licentia Gmbh | Mounting with saturable magnetic elements for bistable baculators |
| FR1309664A (en) * | 1961-01-05 | 1962-11-16 | Ass Elect Ind | Enhancements to electronic memory devices |
-
1964
- 1964-01-16 DE DE1964Z0010583 patent/DE1233014B/en active Pending
- 1964-01-22 GB GB287164A patent/GB1057702A/en not_active Expired
- 1964-01-25 FR FR961573A patent/FR1455777A/en not_active Expired
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB1057702A (en) | 1967-02-08 |
| FR1455777A (en) | 1966-10-21 |
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