DE1190582B - Schaltendes Halbleiterbauelement - Google Patents

Schaltendes Halbleiterbauelement

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DE1190582B DEW28879A DEW0028879A DE1190582B DE 1190582 B DE1190582 B DE 1190582B DE W28879 A DEW28879 A DE W28879A DE W0028879 A DEW0028879 A DE W0028879A DE 1190582 B DE1190582 B DE 1190582B
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Description

BUNDESREPUBLIK DEUTSCHLAND
DEUTSCHES
PATENTAMT
AUSLEGESCHRIFT
Int. α.:
HOIl
Deutsche KL: 21g-11/02
Nummer: 1190 582
Aktenzeichen: W 28879 VIII c/21 g
Anmeldetag: 10. November 1960
Auslegetag: 8. April 1965
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Halbleiterbauelement mit einer Mehrzahl von Elektroden.
Ein Ziel der vorliegenden Erfindung ist es, ein schaltendes Halbleiterbauelement mit einer Mehrzahl von Elektroden zu schaffen, das in einer elektrischen Schaltungsanordnung als »Oder«-Schaltung mit einer Mehrzahl von Anschlüssen verwendet werden kann.
Ein weiteres Ziel der vorliegenden Erfindung ist es, ein schaltendes Halbleiterbauelement rait einer Mehr- ic zahl von Elektroden zu schaffen, die in einer elektrischen Schaltungsanordnung als »Oder«-Schaltung mit einer Mehrzahl von Anschlüssen verwendet werden kann und die aus einer Basisschicht, einer Kollektorschichi und einer Mehrzahl von untereinander unabhängigen Emittern besteht, die einzeln durchgesteuert werden können.
Zum besseren Verständnis des Wesens und der Aufgabe, die der Erfindung zugrunde liegen, wird auf die nachfolgende detaillierte Beschreibung und die Zeichnungen verwiesen.
F i g. 1 zeigt einen Seilenquerschnitt durch eine Platte aus Halbleitermaterial;
F i g. 2 und 3 zeigen Seitenquerschnitte durch die gemäß der Lehre nach der vorliegenden Erfindung behandelte Platte nach der Fig. 1;
Fig. 4 bis 6 stellen Aufsichten auf die Platte nach der F i g. 1 während der verschiedenen Behandlungsphasen gemäß der Lehre nach der vorliegenden Erfindung dar;
F i g. 7 stellt eine Aufsicht auf ein anderes Ausführungsbeispiel des Halbleiterbauelements mit einer Mehrzahl von Elektroden gemäß der vorliegenden Erfindung dar;
F i g. 8 zeigt einen Seitenquerschnitt durch ein gemäß der Lehre nach der vorliegenden Erfindung hergestelltes Halbleiterbauelement mit einer Mehrzahl von Elektroden;
F i g. 9 zeigt den schematischen Schaltungsaufbau einer zum Stand der Technik gehörigen, herkömmliehen »Oder«-Schaltung;
Fig. 10 zeigt an Hand eines Blockschaltbildes, wie innerhalb einer elektrischen Schaltungsanordnung die bekannten Anordnungen durch die Anordnung gemäß der Erfindung ersetzt werden können.
Die Erfindung bezieht sich auf ein schaltendes Halbleiterbauelement mit einem Halbleiterkörper mit mehreren Schichten abwechselnden Leitfähigkeitstyps und mit mehreren Emitterelektroden, einer Basis- und einer Kollektorelektrode. Dieses Halbleiterbauelement wird erfindungsgemäß dadurch verbessert, daß auf der einen Oberflächenseite einer Kollektor-Schaltendes Halbleiterbauelement
Anmelder:
Westinghouse Electric Corporation,
East Pittsburgh, Pa. (V. St. A.)
Vertreter:
Dipl.-Ing. R. Barckhaus, Patentanwalt,
München 2, Wittelsbacherplatz 2
Als Erfinder benannt:
Gene S'trull, Pikesville, Md. (V. St. A.)
Beanspruchte Priorität:
V. Si. ν. Amerika vom 10. November 1959
(852115)
schicht eine großflächige Kollektorelektrode, auf der gegenüberliegenden Oberfiächenseite eine über die ganze Kollektorschicht sich erstreckende Basisschicht angebracht ist und daß auf der Basisschicht mehrere mit je einer Emitterelektrode versehene und einzeln steuerbare Emitterschichten konzentrisch zur Basiselektrode angebracht sind.
Dem Stand der Technik entsprach die Anwendung von Halbleiterbauelementen mit mehreren Elektroden, z. B. war ein mit Spitzenkontaktelektroden konstruiertes Halbleiterbauelement in einer logischen Schaltung bekannt, bei der mehrere Emitterelektroden und eine Kollektorelektrode an der einen Seite eines Haibleiterplättchens und eine Basiselektrode an der gegenüberliegenden Seite angebracht sind. Ein weiteres Halbleiterbauelement —· nämlich ein Leistungstransistor — sieht streifenförmige Elektroden, bei denen eine Emitterelektrode von zwei Basiselektroden umgeben ist, sowie eine diesen gegenüberliegend angebrachte Kollektorelektrode vor. Bei einem anderen Leistungstransistor ist vorgesehen, daß Emitter- und Basiselektrode in Form sich konzentrisch umschließender Kreise nebeneinander an der Oberfläche eines Halbleiterkristalls angeordnet sind. Schließlich ist ein als Schrittschalteinrichtung zu verwendendes streifenförmiges Halbleiterbauelement bekannt, das einer Kette mehrerer pnpn-Kippdioden äquivalent ist, die eine Emitter: und eine Basiszone gemeinsam besitzen, während die zweite Basis- und die zweite Emitterzone individuell sind.
509 538/32»
3 4
Demgegenüber sind die Halbleiterbauelemente der Der Basiskontakt 30 kann auch aus einer Legierung vorliegenden Erfindung besonders für logische Schal- bestehen, beispielsweise aus einer Legierung mit tungen vom Typ einer »Oder«-Schaltung geeignet, die 99 Gewichtsprozent Gold und 1 Gewichtsprozent Bor, besonders große Schaltgeschwindigkeiten zuläßt. Der aus einer Gold-Gallium-Legierung, aus einer Silber- Aufbau der erfindungsgemäßen Anordnung sichert 5 Zinn-Indium-Legierung oder aus einer Legierung mit ferner, daß keines der Systeme irgendeine Bevorzugung 90 Gewichtsprozent Silber und 10 Gewichtsprozent gegenüber dem anderen erhält. Indium.
Wenn auch die vorliegende Erfindung an Hand einer Auf der Oberseite 26 der p-Schicht 18 wird eine npnp-SUiziumanordnung beschrieben wird, so kann Emitterschicht 32, vorzugsweise aus einem festen man jedoch andererseits die Erfindung in analoger io Einzelteil mit ringförmiger oder kreisförmiger Gestalt, Weise auch zur Herstellung von pnpn-Anordnungen rings um den ohmschen Basiskontakt 30 und getrennt verwenden. Als Halbleitermaterial kann Silizium, von diesem angebracht. Der Emitter 32 und der Germanium, Siliziumkarbid oder eine stöchiometrische Basiskontakt 30 sind voneinander physikalisch ge Verbindung aus Elementen der Gruppe III des Perio- trennt und elektrisch isoliert.
dischen Systems, beispielsweise Gallium, Aluminium 15 Der Emitter 32 besteht zumindest teilweise aus einem und Indium, und aus Elementen der Gruppe V, bei- Element der Gruppe V des Periodischen Systems, spielsweise Arsen, Phosphor und Antimon, verwendet beispielsweise Phosphor, Arsen und Antimon, mit werden. Geeignete Verbindungen aus Elementen der n-Dotierungseigenschaften. Der gegebenenfalls vor Gruppen III und V sind beispielsweise Gallium-Anti- handene restliche Anteil besteht aus einem neutralen monid, Indium-Arsenid und Indium-Antimonid. 20 Metall. Der Emitter 32 kann auch aus einer Legierung
In der F i g. 1 ist eine Siliziumplatte 10 mit n-Leit- bestehen, beispielsweise aus einer Gold-Arsen-, Gold fähigkeit dargestellt. Die Platte 10 kann auf beliebige, Antimon-, Silber-Antimon- oder Silber-Arsen-Le- dem Fachmann geläufige Weise hergestellt werden. gierung.
Beispielsweise kann ein Siliziumstab aus einer Schmelze Der ohmsche Kollektorkontakt 34 besteht zu gezogen werden, die Silizium und mindestens ein 25 mindest teilweise aus einem Element der Gruppe III Element der Gruppe V des Periodischen Systems, des Periodischen Systems, beispielsweise Bor, Alu beispielsweise Arsen, Antimon oder Phosphor, enthält. minium, Gallium und Indium, mit p-Dotierungseigen- Von diesem Stab wird dann die Platte 10 beispiels- schäften. Der gegebenenfalls vorhandene restliche weise mittels einer Diamantsäge abgeschnitten. Um Anteil besteht aus einem neutralen Metall. Geeignete nach dem Sägeprozeß glatte Plattenoberflächen zu 30 Legierungen sind beispielsweise die mit Bezug auf den erhalten, können diese anschließend geläppt und/oder ohmschenBasiskontakt 30obenerwähntenLegierungen. geätzt werden. Der ohmsche Basiskontakt 30, der Emitter 32 und
Die Platte 10 wird in einen Diffusionsofen gebracht. der ohmsche Kollektorkontakt 34 sind auf den ver- In der heißesten Ofenzone hegt die Temperatur in dem schiedenen Oberflächen der p-Schichten 18 und 20, Bereich zwischen 1100 und 12500C, und es herrscht 35 wie oben erwähnt, angebracht und mit diesen durch eine Atmosphäre aus dem Dampf eines Akzeptor- Erhitzen im Vakuum oder in einer neutralen Atmo- Dotierungsmaterials, beispeilsweise Indium, Gallium, Sphäre, beispielsweise in einem Vakuum mit einem Aluminium oder Bor. Die Ofenzone, in der ein absoluten Druck von 10~2 bis 10"* mmHg oder in Schmelztiegel mit diesem Akzeptor-Dotierungsmaterial einer Argon- oder Heliumatmosphäre, einlegiert.
angeordnet ist, kann eine Temperatur von 500 bis 40 Der sich nach dem Legierungsprozeß ergebende 12500C aufweisen. Die genaue Temperatur wird dabei Aufbau ist in der F i g. 3 dargestellt. Der Basis- so gewählt, daß der gewünschte Dampfdruck und die kontakt 30 ist auf die Oberseite 26 der p-Schicht 18 gewünschte Oberflächenkonzentration des einzu- und der Kollektorkontakt 33 auf die Unterseite 28 diffundierenden Stoffes aus dem Schmelztiegel erreicht der p-Schicht 20 angeschmolzen. In der F i g. 3 be wird. Das Akzeptor-Dotierungsmaterial diffundiert 45 deckt der ohmsche Kollektorkontakt 34 die gesamte in die Oberflächen der Platte 10 mit η-Leitfähigkeit Unterseite und die Seitenflächen der Schicht 20. Diese hinein. An der Ober- und Unterseite der Platte 10 Anordnung ist nicht zwingend. Die Verbindung bildet sich eine p-Schicht 18 bzw. 20. Dazwischen zwischen dem Kollektorkontakt 34 und der p-Schicht 20 liegt eine n-Schicht 12. Zwischen der p-Schicht 18 kann auf die Unterseite 28 der p-Schicht 20 be- und der n-Schicht 12 bzw. zwischen der p-Schicht 20 50 schränkt sein. Der feste Emitter 32 ist in die p-Schicht und der n-Schicht 12 liegt je eine pn-Grenzschicht 22 18 längs der Oberseite 26 dieser Schicht einlegiert. bzw. 24. An den Seitenflächen der Platte 10 gebildete Zwischen dem η-leitenden Emitter 32 und der p-Schicht p-Schichten werden durch Abschleifen und/oder Ab- besteht eine pn-Grenzschicht 34. ätzen entfernt. Die Seitenflächen können auch ab- In der F i g. 4 ist eine Aufsicht auf die Anordnung gedeckt und dadurch ein Hineindiffundieren unter- 55 nach der F i g. 3 dargestellt. Wie ersichtlich ist der bunden werden. Es ergibt sich dann ein Aufbau nach feste ringförmige Emitter 32 rings um den ohmschen der F i g. 2. Kontakt 30 der Oberseite 26 der p-Schicht 18 an-
Auf der Oberseite 26 der p-Schicht 18 werden eine gebracht.
ohmsche Basiselektrode 30 und eine Emitterschicht 32 In der F i g. 5 ist auf der Oberfläche des Emitters 32
angebracht. Auf der Unterseite 28 der p-Schicht 20 60 eine Abdeckschicht 40, beispielsweise aus organischem
wird eine ohmsche Kollektorelektrode 34 angebracht. Wachs oder aus Harz, in bestimmter Verteilung derart
Der ohmsche Basiskontakt 30, der auf der Ober- angebracht, daß der Emitter in eine Anzahl von
sehe 26 der p-Schicht 18 angebracht ist, besteht zu- symmetrisch angeordneten Bereichen aufgeteilt ist,
mindest teilweise aus mindestens einem Element der die voneinander durch nicht abgedeckte Bereiche 42
Gruppe III des Periodischen Systems, beispielsweise 65 getrennt sind. Anschließend wird die Oberseite des
Bor, Aluminium, Gallium und Indium, mit p-Do- Emitters 32 vorzugsweise mit einem geeigneten Ätz-
tierungseigenschaften. Der gegebenenfalls vorhandene mittel geätzt. Das Ätzmittel kann beispielsweise aus
restliche Anteil besteht aus einem neutralen Metall. Salpetersäure, Fluorwasserstoffsäure und Azetyl-
säure bestehen. Dadurch werden die nicht abgedeckten Bereiche 42 des Emitters 32 abgeätzt. Der sich nach dem Ätzprozeß ergebende Aufbau ist in der F i g. 6 dargestellt. Der Emitter besteht nunmehr aus einer Mehrzahl von untereinander gleichen, einzelnen Segmenten. Jedes Segment ist von allen anderen Segmenten baulich, physikalisch und elektrisch isoliert.
Selbstverständlich können außer dem oben beschriebenen Verfahren zur Herstellung eines Emitteraufbaues 32 auf der Oberfläche 26 ebensogut andere Verfahren angewendet werden. So kann beispielsweise eine Mehrzahl von getrennten Emittersegmenten in bestimmter Verteilung auf der Oberfläche 26 der Schicht 18 angeordnet und zur Erzeugung einer pn-Grenzschicht zwischen jedem Emittersegment und der Schicht 18 einzeln mit dieser legiert werden. Weiterhin könnte ein festes, ringförmiges Emittersystem in der oben beschriebenen Weise auf der Oberfläche 26 angebracht und durch Elektronenbestrahlung, die zum Schmelzen und zur Rekristallisation führen würde, in bestimmter Verteilung mit der Schicht 18 verschmolzen werden. Vorzugsweise könnte der nicht mit Elektronen bestrahlte Bereich nach dem Ätzvorgang entfernt werden.
Außerdem könnten die im wesentlichen als keilförmig dargestellten Emittersegmente selbstverständlich auch kreisförmig, elliptisch, rechteckig oder ähnlich ausgebildet sein. Eine derartige Variante ist in der F i g. 7 dargestellt.
Wie aus der F i g. 8 ersichtlich ist, werden Metallkontakte 44, beispielsweise aus Kupfer, Silber und anderen Metallen, mit der Oberseite jedes einzelnen Emitterteilstücks verschmolzen. Anschließend werden elektrische Zuleitungen 46, 48 und 50 an die verschiedenen Emitterkontakte 44, den Basiskontakt 48 und den Kollektorkontakt 34 angelötet, angeschweißt oder auf eine andere geeignete Weise mit ihnen verbunden. Dieses Halbleiterbauelement mit einer Mehrzahl von Elektroden gemäß der Erfindung kann als »Oder«-Schaltung mit einer Mehrzahl von Anschlüssen verwendet werden.
Die Anordnung nach der F i g. 8 ist derart ausgebildet, daß die einzelnen getrennten Emitter bezüglich der Spannung zwischen dem Kollektor und jedem der anderen Emitter unabhängig voneinander sind. Die Anordnung besteht also in Wirklichkeit aus einer Mehrzahl von Halbleiterbauelementen mit vier Schichten. Falls eine beliebige dieser Vierschichtenanordnungen durchgesteuert wird, so werden infolge der gemeinsamen Schichten unterhalb der Emitter alle anderen Anordnungen in den »Ein«-Zustand übergeführt.
Da jedes Segment der Anordnung gemäß der vorliegenden Erfindung eine Anordnung mit drei Elektroden darstellt, ist es möglich, die Spannung zum Durchsteuern durch eine Emitter-Basis-Spannung zu erzeugen. Die Anordnung kann mit geeigneter Basisvorspannung für jedes Emitterelement ausgebildet werden. Auf diese Weise kann die Durchsteuerspannung für jedes Emitterelement auf einen bestimmten Wert eingestellt werden. Das Halbleiterbauelement mit einer Mehrzahl von Elektroden nach der F i g. 8 stellt also eine auf nur einem Halbleiterstück angeordnete »Oder«-Schaltung mit einer Mehrzahl von Anschlüssen dar.
Das Halbleiterbauelement mit einer Mehrzahl von Elektroden gemäß der Erfindung kann in verschiedener Weise abgewandelt werden. Beispielsweise wäre es möglich, die Emitter bezüglich Fläche, Dicke oder Dotierungsgrad unterschiedlich auszubilden. In diesem Fall könnte die Anordnung durch verschiedene Signale in der Weise beeinflußt werden, daß die gesamte Anordnung nacheinander oder zusammen über einen beliebigen der einzelnen Emitter umgesteuert wird.
In der F i g. 9 ist eine herkömmliche, zum Stand der Technik gehörige »Oder«-Schaltung 70 schematisch dargestellt. Dieser bekannte »Oder«-Schaltkreis besteht aus einer Strom- oder Spannungsquelle 72 und einer Last 74, die elektrisch über vierzehn Schalteinrichtungen A bis JV und über vierzehn einzelne und getrennte, auf einem gemeinsamen Träger 82 angebrachte Dioden α bis η mittels der elektrischen Leitungen 76,78 und 80 verbunden sind. Die Wirkungsweise einer derartigen Schaltung ist dem Fachmann bekannt und braucht an dieser Stelle im einzelnen nicht erläutert zu werden. Sie ist kurz folgende: Ein beliebiges, entsprechend der durch den Strom über einen bestimmten, zugeordneten Schalter A bis JV ausgelösten Schalteinrichtung mit A bis JV bezeichnetes Eingangssignal gelangt über eine bestimmte, zugeordnete Diode über die Leitung 80 an die Last 74. Diese Wirkungsweise wird in der Schaltung nach der F i g. 9 durch einen Ausdruck der Boolschen Algebra A + B+C+...+N ausgedrückt. Das Bauteil 82 besteht aus vierzehn einzelnen, getrennten Dioden, d. h. aus vierzehn einzelnen, getrennten Halbleiteranordnungen.
In der in der Fig. 10 dargestellten schematischen Schaltung ist das in der F i g. 8 dargestellte Halbleiterbauelement mit einer Mehrzahl von Elektroden gemäß der vorliegenden Erfindung dargestellt. Das Bauteil 90 besteht aus einem einzigen Halbleiterbauelement und kann an Stelle des Bauteils 82 in der F i g. 9 verwendet werden. Hierdurch ergibt sich ein einfacherer und wesentlich kleinerer Aufbau. An die Stelle der vierzehn einzelnen, getrennten Dioden nach der F i g. 9 tritt ein einziges Halbleiterbauelement mit einer Mehrzahl von Elektroden. Die F i g. 9 und 10 sind an Hand von vierzehn getrennten Dioden und einem Halbleiterbauelement mit einer Mehrzahl von Elektroden, das diese vierzehn Dioden ersetzen kann, beschrieben worden. Selbstverständlich kann das Halbleiterbauelement mit einer Mehrzahl von Elektroden gemäß der Erfindung eine beliebige Anzahl von Emittern aufweisen und eine entsprechende Anzahl von einzelnen, getrennten Dioden ersetzen.
Das nachfolgende Beispiel erläutert die praktische Anwendung der Lehre gemäß vorliegender Erfindung.
Ausführungs bei spiel
Eine flache, kreisförmige Platte aus n-leitendem Silizium mit einem spezifischen elektrischen Widerstand von 50 bis 100 Ohm ■ cm, einem Durchmesser von etwa 1 cm und einer Dicke von 0,125 mm wurde in einen Diffusionsofen gebracht. In dem Diffusionsofen herrschte eine Atmosphäre aus Galliumdampf, die höchste Temperatur betrug 12000C. Das Gallium konnte durch die flachen, parallelen Stirnflächen der Platte bis in eine Tiefe von ungefähr 0,0375 mm hineindiffundieren. Anschließend wurde die Platte aus dem Diffusionsofen genommen.
Danach wurde die Platte mit ihrer Unterseite auf der Oberseite einer 0,0375 mm dicken, auf einer Metallscheibe aus Molybdän angeordneten Gold-Bor-Folie angebracht. Die Molybdänfolie hatte einen Durch-
messer von etwa 1 cm und eine Dicke von 0,75 mm und bildete zusammen mit der Gold-Bor-Folie den Kollek torkontakt. Ein folienartiger Basiskontakt aus Gold mit einem geringen Prozentanteil Bor, einem Durch messer von 1,25 mm und einer Dicke von 0,025 mm wurde im Mittelpunkt der Oberseite der Platte angeordnet.
Rings um den Basiskontakt wurde auf der Oberseite der Platte eine feste, ringförmige Folie aus 99,5 Ge wichtsprozent Gold und 0,5 Gewichtsprozent Antimon mit einem äußeren Durchmesser von etwas weniger als etwa 1 cm und einem inneren Durchmesser von 1,5 mm angebracht.
Anschließend wurde die gesamte Baugruppe in einen Schmelzofen gebracht und während einer Zeit von 15 Minuten auf eine Temperatur von ungefähr 7500C erhitzt. Dadurch verschmolzen der Kollektorkontakt bzw. der Basiskontakt mit der Unterseite bzw. Ober seite der Platte. Die Emitterfolie schmolz ein und bildete mit der Oberseite der Platte eine pn-Grenzschicht.
Auf der Oberseite der Emitterfolie wurde eine Ab deckschicht aus organischem Wachs in bestimmter Verteilung, wie in der F i g. 6 dargestellt ist, aufge bracht. Die Oberseite der Emitterfolie wurde dann vor- zugsweise zunächst mit Königswasser zur Entfernung des Goldes und anschließend mit einer Mischung aus Salpetersäure, Fluorwasserstoffsäure und Azetylsäure geätzt. Nach dem Ätzprozeß wurde die Abdeck schicht aus organischem Wachs von dem nicht ge- ätzten Bereich entfernt. Die Baugruppe entsprach nun mehr der in der F i g. 7 dargestellten Baugruppe.
Anschließend wurden elektrische Zuleitungen oder Kontakte, beispielsweise aus Kupferdraht, mit jedem einzelnen Emitterkontakt sowie mit dem Basis- und Kollektorkontakt verlötet. Diese Baugruppe entspricht dem in der F i g. 8 dargestellten Halbleiterbau element mit einer Mehrzahl von Elektroden.
Die auf diese Weise erhaltene Anordnung war für eine Verwendung entsprechend den in den F i g. 9 und 10 dargestellten schaltenden Bauelementen geeignet.
Die Anwendbarkeit der Anordnung gemäß der vor liegenden Erfindung wurde an Hand einer einfachen »Oder«-Schaltung erläutert. Für den Fachmann ist es jedoch selbstverständlich, daß die Anordnung gemäß der Erfindung noch zahlreiche und unterschiedliche andere Funktionen aufweist.
Die Erfindung wurde an Hand von bestimmten Ausführungsformen und Beispielen erläutert. Selbstverständlich können im Rahmen der Erfindung jedoch Abwandlungen, Austauschungen u. ä. vorgenommen werden.

Claims (10)

Patentansprüche:
1. Schaltendes Halbleiterbauelement mit einem Halbleiterkörper mit mehreren Schichten abwechselnden Leitfähigkeitstyps und mit mehreren Emitterelektroden, einer Basis- und einer Kollektor elektrode, dadurch gekennzeichnet, daß auf der einen Oberflächenseite einer Kollektor- schicht eine großflächige Kollektorelektrode, auf der gegenüberliegenden Oberflächenseite eine über die ganze Kollektorschicht sich erstreckende Basisschicht angebracht ist und daß auf der Basisschicht mehrere mit je einer Emitterelektrode versehene und einzeln steuerbare Emitterschichten konzentrisch zur Basiselektrode angebracht sind.
2. Schaltendes Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterkörper aus vier Schichten abwechselnden Leitfähigkeitstyps, z. B. mit einer pnpn- oder npnp-Folge, besteht.
3. Schaltendes Halbleiterbauelement nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterkörper aus einem Stoff der IV. Gruppe des Periodischen Systems, z. B. Germanium oder Silizium, besteht.
4. Schaltendes Halbleiterbauelement nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterkörper aus einem Halbleitermaterial besteht, daß durch die Zusammensetzung aus Stoffen der Gruppe von Silizium, Germanium oder von stöchiometrischen Verbindungen der Elemente der III. und V. Gruppe des Periodischen Systems erhalten wird.
5. Schaltendes Halbleiterbauelement nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterkörper aus Siliziumkarbid besteht.
6. Schaltendes Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Emitterschichten in Form von Kreissegmenten auf der Oberfläche der Basisschicht angeordnet sind.
7. Schaltendes Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Emitterschichten in Form von Ellipsen auf der Oberfläche der Basisschicht angeordnet sind.
8. Schaltendes Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Emitterschichten in Form von Kreisen auf der Oberfläche der Basisschicht angeordnet sind.
9. Schaltendes Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß eine mittlere Schicht mit einem ersten Leitfähigkeitstyp, eine obere und eine untere angrenzende Schicht mit einem zweiten Leitfähigkeitstyp vorgesehen sind, daß auf der freien Oberfläche der unteren Schicht eine Kollektorelektrode und auf der freien Oberfläche der oberen Schicht eine Basiselektrode angebracht ist und daß um die Basiselektrode die Emitterschichten angeordnet sind.
10. Verwendung des schaltenden Halbleiterbauelementes nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß es in einer »Oder«- Schaltung geschaltet ist.
In Betracht gezogene Druckschriften:
Deutsche Auslegeschrift Nr. 1 035 789;
französische Patentschrift Nr. 1 163 963;
britische Patentschrift Nr. 807 582;
USA.-Patentschrift Nr. 2 924 760.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
509 538/320 3.65 © Bundesdruckerei Berlin
DE1960W0028879 1959-11-10 1960-11-10 Schaltendes Halbleiterbauelement Expired DE1190582C2 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US85211559A 1959-11-10 1959-11-10

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE1190582B true DE1190582B (de) 1965-04-08
DE1190582C2 DE1190582C2 (de) 1965-12-09

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