DE1181834B - Electron image intensifier screen - Google Patents

Electron image intensifier screen

Info

Publication number
DE1181834B
DE1181834B DEN16201A DEN0016201A DE1181834B DE 1181834 B DE1181834 B DE 1181834B DE N16201 A DEN16201 A DE N16201A DE N0016201 A DEN0016201 A DE N0016201A DE 1181834 B DE1181834 B DE 1181834B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
layer
fluorescent
carrier
electron
film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DEN16201A
Other languages
German (de)
Inventor
James Dwyer Mcgee
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
National Research Development Corp UK
Original Assignee
National Research Development Corp UK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by National Research Development Corp UK filed Critical National Research Development Corp UK
Publication of DE1181834B publication Critical patent/DE1181834B/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J31/00Cathode ray tubes; Electron beam tubes
    • H01J31/08Cathode ray tubes; Electron beam tubes having a screen on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted, or stored
    • H01J31/50Image-conversion or image-amplification tubes, i.e. having optical, X-ray, or analogous input, and optical output
    • H01J31/508Multistage converters
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J29/00Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
    • H01J29/02Electrodes; Screens; Mounting, supporting, spacing or insulating thereof
    • H01J29/10Screens on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted or stored
    • H01J29/36Photoelectric screens; Charge-storage screens
    • H01J29/38Photoelectric screens; Charge-storage screens not using charge storage, e.g. photo-emissive screen, extended cathode
    • H01J29/385Photocathodes comprising a layer which modified the wave length of impinging radiation
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/12Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10S428/917Electroluminescent
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24942Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including components having same physical characteristic in differing degree
    • Y10T428/2495Thickness [relative or absolute]
    • Y10T428/24967Absolute thicknesses specified
    • Y10T428/24975No layer or component greater than 5 mils thick

Landscapes

  • Conversion Of X-Rays Into Visible Images (AREA)
  • Image-Pickup Tubes, Image-Amplification Tubes, And Storage Tubes (AREA)

Description

BUNDESREPUBLIK DEUTSCHLAND DEUTSCHES SjfflmS® PATENTAMT FEDERAL REPUBLIC OF GERMANY GERMAN SjfflmS® PATENT OFFICE

AUSLEGESCHRIFTEDITORIAL

Internat. Kl.: HOIjBoarding school Kl .: HOIj

Deutsche KL: 21g-29/40 German KL: 21g-29/40

Nummer;
Aktenzeichen:
Anmeldetag:
Auslegetag:
Number;
File number:
Registration date:
Display day:

N 16201 VIII c/21g
3. Februar 1959
19. November. 1964
N 16201 VIII c / 21g
3rd February 1959
November 19th. 1964

Die Erfindung betrifft einen Elektronenbilder verstärkenden Schirm, bestehend aus einer Schichtenfolge aus einem elektronendurchlässigen MetallfiLm, einer fluoreszierenden Leuchtschicht und einer Trägerschicht aus Metalloxyd und einer Schicht mit äußerem lichtelektrischem Effekt, sowie ein Verfahren zu seiner Herstellung. Eine derartige elektronenotpische Vorrichtung-umfaßt Mittel zur Erzeugung eines Elektronenbildes, dessen Elektronen Lichtphotonen frei machen. Dieses Licht fällt dann auf eine Photokathode, aus der Elektronen befreit werden, deren Zahl größer ist als die der auf die fluoreszierende Schicht fallenden Elektronen.The invention relates to an electron image intensifying screen, consisting of a sequence of layers made of an electron-permeable metal film, a fluorescent luminescent layer and a Carrier layer made of metal oxide and a layer with an external photoelectric effect, as well as a method for its manufacture. Such an electronic device comprises means for generating an electron image, the electrons of which release light photons. This light is then noticed a photocathode from which electrons are released, the number of which is greater than that on the fluorescent one Layer falling electrons.

Man hat lange Zeit hindurch aktiviertes Zinksulfid als Phosphor in Form eines Kristallpulvers verwendet. Neuerdings ist bekanntgeworden, daß eine durchscheinende amorphe Schicht von Zinksulfid formiert werden kann. Durch Aktivieren kann man ihr eine fluoreszierende Wirksamkeit geben, die mit der von pulverisiertem Phosphor vergleichbar ist. Ein Verfahren zum Aufdampfen von Zinksulfid zwecks Herstellung einer durchscheinenden amorphen Schicht auf einen Träger, wie z. B. Glas, und die darauffolgende Aktivierung der Zinksulfidschicht durch Erhitzen und Backen bei einer Temperatur von ungefähr 1000° C ist von C. Feldmann und M. O1Hara in dem »Journal of the Optical Society of America«, 47, No. 4, April 1957, beschrieben.Activated zinc sulfide has long been used as phosphorus in the form of crystal powder. It has recently become known that a translucent amorphous layer of zinc sulfide can be formed. By activating it, you can give it a fluorescent effect that is comparable to that of powdered phosphorus. A process for the vapor deposition of zinc sulfide to produce a translucent amorphous layer on a support such as e.g. B. glass, and the subsequent activation of the zinc sulfide layer by heating and baking at a temperature of about 1000 ° C is by C. Feldmann and M. O 1 Hara in the "Journal of the Optical Society of America", 47, no. 4, April 1957.

Es ist bereits eine elektrische Entladungsröhre mit einer Fluoreszenz-Photokathode vorgeschlagen worden, die aus einer elektronendurchlässigen Aluminiumsehicht, einer anschließenden Fluoreszenzschicht, einer weiteren Trägerschicht aus Aluminiumoxyd und schließlich einer Schicht mit äußerem Photoeffekt aufgebaut ist. Diese bekannte Photokathode hat wie andere bekannte Photokathoden den Nachteil, daß sie auf einer relativ dicken Trägerplatte aufgebracht werden muß, die der Kathode eine ausreichende mechanische Festigkeit verleiht. Ein dicker Träger bedeutet jedoch eine Verminderung der Bildgüte. An electric discharge tube with a fluorescent photocathode has already been proposed, consisting of an electron-permeable aluminum layer, followed by a fluorescent layer, a further carrier layer made of aluminum oxide and finally a layer with an external photo effect is constructed. This known photocathode, like other known photocathodes, has the disadvantage that it must be applied to a relatively thick carrier plate which is sufficient for the cathode gives mechanical strength. However, a thick base means a decrease in image quality.

Dieser Nachteil wird gemäß der vorhegenden Erfindung dadurch vermieden, daß die fluoreszierende Leuchtschicht aus einem Leuchtstoff in amorphem Zustand besteht und daß der Schirm teilweise von der amorphen fluoreszierenden Leuchtschicht, deren Dicke größer als 1 μ, aber kleiner als 10· μ ist, getragen wird, wobei die Trägersehichtdicke etwa 1 μ beträgt. Diese amorphe fluoreszierende Leuchtschrift hat eine ausreichende Eigensteifigkeit, so daß die eigentliche Trägerschicht aus Metaüoxyd weseotiieh dünner als bei den bekannten Photokathoden ausge-Elektronenbildverstärkerschirin This disadvantage is avoided according to the present invention in that the fluorescent Luminous layer consists of a phosphor in an amorphous state and that the screen is partially of the amorphous fluorescent luminescent layer, the thickness of which is greater than 1 μ but smaller than 10 μ, is carried is, the carrier layer thickness about 1 μ amounts to. This amorphous fluorescent neon sign has sufficient inherent rigidity so that the actual carrier layer of metal oxide weseotiieh Electron image intensifier shield made thinner than the known photocathodes

Anmelder:Applicant:

National Research Development Corporation,National Research Development Corporation,

LondonLondon

Vertreter:Representative:

Dr. B. Quarder, Patentanwalt,Dr. B. Quarder, patent attorney,

Stuttgart O, Richard-Wagner-Str. 16Stuttgart O, Richard-Wagner-Str. 16

Als Erfinder benannt:Named as inventor:

James Dwyer McGee, LondonJames Dwyer McGee, London

Beanspruchte Priorität:Claimed priority:

Großbritannien vom 3. Februar 1958 (3453)Great Britain 3 February 1958 (3453)

führt werden kann, wodurch eine wesentlich bessere Bildschärfe erzielt werden kann.can be performed, whereby a much better image sharpness can be achieved.

Ein Verfahren gemäß der vorliegenden Erfindung zum Herstellen eines Elektronenbilder verstärkenden Schirmes umfaßt folgende Schritte:A method according to the present invention for making an electron imaging device The screen comprises the following steps:

1. Herstellen einer durchscheinenden Schicht fluoreszierenden Materials und einer Trägerschicht,1.Preparation of a translucent layer of fluorescent material and a carrier layer,

2. das gegebenenfalls erforderliche Reaktivieren der Schicht zwecks Erzeugens einer fluoreszierenden Schicht,2. the reactivation of the layer, if necessary, for the purpose of producing a fluorescent one Layer,

3. das Überziehen der einen Seite dieser Schicht mit einer elektronendurchlässigen Metallschicht und schließlich3. Coating one side of this layer with an electron-permeable metal layer and finally

4. zwecks Herstellens einer Photokathode das Aufbringen einer geeigneten Schicht auf der anderen Seite.4. To make one photocathode, apply a suitable layer on top of the other Page.

Üblicherweise kann die durchscheinende Schicht des fluoreszierenden Materials durch Niederschlagen auf einem löslichen Fihn hergestellt werden, der sich auf einer Glasplatte oder einem Drahtgitter befindet; dieser lösliche «Farn wird anschließend aufgelöst, wobei die auf ihn aufgebrachte nichtlösliche Schicht frei wird> die dann aiuf einen geeigneten Träger aufgebracht wird.Usually the translucent layer of the fluorescent material can be deposited by deposition be prepared on a soluble film placed on a glass plate or wire mesh; this soluble "fern is then dissolved, whereby the insoluble layer applied to it becomes free> which is then applied to a suitable carrier.

Die durchscheinend© fluoreszierende Schicht kann aus ,Züiksidfid, Wäkkanif,: G^kiumwalfrainat oder anderen, bekanntem fluoreszierenden Stoffen bestehen.The translucent © fluorescent layer can consist of, Züiksidfid, Wäkkanif,: G ^ kiumwalfrainat or other known fluorescent substances.

409 728/329409 728/329

Der Träger, auf den die fluoreszenzfähige Schicht aufgebracht wird, muß dünn sein, wenn eine gute Bildschärfe erhalten werden soll. Er kann aus Aluminiumoxyd, Magnesiumoxyd, einem Drahtgitter oder anderen geeigneten inerten, hitzebeständigen Stoffen bestehen. Aluminiumoxyd ist besonders geeignet für die Verwendung als Träger, da aus ihm Filme von ungefähr 0,1 μ Dicke hergestellt werden können, die die erforderliche Hitzebeständigkeit und mechanische Festigkeit besitzen.The support to which the fluorescent layer is applied must be thin, if a good one Image sharpness should be preserved. It can be made of aluminum oxide, magnesium oxide, a wire mesh or other suitable inert, heat-resistant substances. Aluminum oxide is particularly suitable for use as a carrier, since it is used to produce films with a thickness of approximately 0.1 μ that have the required heat resistance and mechanical strength.

Die Photokathode kann durch Niederschlagen einer Antimonschicht und anschließendes Aktivieren des Antimons mit Caesiumdampf zwecks Hersteilens einer Photokathodenschicht erzeugt werden.The photocathode can be activated by depositing an antimony layer and then activating it of the antimony can be produced with cesium vapor for the purpose of producing a photocathode layer.

Die Aluminium- und Caesiumschichten schützen die aktivierte Zinksulfidschicht gegen Angriffe durch den Caesiumdampf und gestatten auf diese Weise die Herstellung eines dünnen Verstärkungsschirmes, ohne daß ein Glasträger erforderlich wäre.The aluminum and cesium layers protect the activated zinc sulfide layer against attacks the cesium vapor and in this way allow the production of a thin reinforcing screen, without the need for a glass slide.

An Stelle einer Antimon-Caesium-Photokathode kann eine drei Alkalimetalle aufweisende Photokathode verwendet werden, bei der das Antimon abwechselnd mit jedem der drei Alkalimetalle Natrium, Kalium und Caesium aktiviert werden kann.Instead of an antimony-cesium photocathode, a photocathode comprising three alkali metals can be used be used in which the antimony alternates with each of the three alkali metals sodium, Potassium and Cesium can be activated.

Zwecks näherer Erläuterung der Erfindung sollen als Beispiele mehrere Ausführungsformen ausführlich in Verbindung mit der Zeichnung beschrieben werden. Im einzelnen ^ejgtFor the purpose of a more detailed explanation of the invention, several embodiments are given as examples to be described in conjunction with the drawing. In detail ^ ejgt

F i g. 1 einen Teilschritt durch einen Elektronenbildverstärkerschirm in wesentlich vergrößertem Maßstab,F i g. 1 shows a partial step through an electron image intensifier screen on a much larger scale,

F i g. 2 eine elektronenoptische Vorrichtung, teilweise im Schnitt, welche einen Elektronenbildverstärkerschirm etwa nach Art der F i g. 1 enthält.F i g. Figure 2 shows an electron optical device, partly in section, incorporating an electron image intensifier screen roughly in the manner of FIG. 1 contains.

Gemäß F i g. 1 besteht ein Elektronenbildverstärkerschirm 10 aus einer durchscheinenden Schicht 1 von Zinksulfid, das mit Mangan aktiviert ist und auf einen Träger 30 aufgebracht ist. Auf der Vorderseite der Schicht 1 ist eine elektronendurchlässige Aluminiumschicht 2 aufgebracht. Auf der Rückseite des Trägers 30 ist eine photoelektrische Schicht 3 aus durch Caesium aktiviertem Antimon aufgebracht.According to FIG. 1, an electron image intensifier screen 10 consists of a translucent layer 1 of zinc sulfide activated with manganese and applied to a carrier 30. On the front side an electron-permeable aluminum layer 2 is applied to the layer 1. On the back of the A photoelectric layer 3 made of antimony activated by cesium is applied to the carrier 30.

Zwecks Herstellens des Schirmes 10 kann eine Glasplatte mit einem sehr dünnen Film eines z. B. polyacryl- und polymethacrylhaltigen Harzes verwendet werden. Die so beschichtete Glasplatte wird in eine Vakuumkammer gebracht und zwecks Bildung einer kristallinen Schicht auf der den Film tragenden Seite der Glasplatte Zinksulfid aufgedampft. Man kann auch die an sich bekannte Technik verwenden, gemäß der Zinksulfid aus einer Molybdänschale verdampft wird, wobei die entstehende Schicht eine Dicke zwischen 1 und 10 μ aufweist.In order to produce the screen 10, a glass plate with a very thin film of e.g. B. polyacrylic and polymethacrylic resin can be used. The glass plate coated in this way is placed in a vacuum chamber and placed on top of the film to form a crystalline layer Zinc sulfide vapor-deposited on the supporting side of the glass plate. One can also use the technique known per se use, according to the zinc sulfide is evaporated from a molybdenum shell, the resulting Layer has a thickness between 1 and 10 μ.

Die beschichtete Glasplatte wird alsdann in Xylon zwecks Auflösens des acrylhaltigen Films eingetaucht, bis sich die Zinksulfidschicht von der Oberfläche der Glasplatte abgelöst hat. Die Zinksulfidschicht wird nunmehr auf einen Träger 30 aufgebracht, der aus einem in einem Drahtrahmen gehaltenen Drahtnetz besteht. Die Zinksulfidschicht auf dem Träger wird dann bei einer Temperatur von ungefähr 1000° C zwecks Reaktivierung des Zinksulfides gebacken, wobei sich eine durchscheinende Fluoreszenzschicht von guter Wirksamkeit bildet.The coated glass plate is then immersed in Xylon in order to dissolve the acrylic-containing film, until the zinc sulfide layer has peeled off the surface of the glass plate. The zinc sulfide layer is now applied to a carrier 30, which consists of a held in a wire frame Wire mesh. The zinc sulfide layer on the support is then at a temperature of about 1000 ° C to reactivate the zinc sulfide, whereby a translucent Forms fluorescent layer of good effectiveness.

An Stelle eines acrylhaltigen Harzes gemäß dem vorstehend beschriebenen Verfahren kann auch gewöhnliches Salz auf eine Glasplatte aufgedampft werden. Nach dem Aufdampfen der Zinksulfidschicht — wie vorstehend beschrieben — wird die Salzschicht durch Eintauchen der Platte in Wasser aufgelöst.In place of an acrylic-containing resin according to the above-described method, ordinary ones can also be used Salt to be evaporated on a glass plate. After the zinc sulphide layer has been vapor deposited - as described above - the salt layer is made by immersing the plate in water dissolved.

" Zwecks Herstellens des Schirmes 10 in F)g.vl wird die Zinksulfidphosphorschicht auf der eine» Seite mit einer dünnen, fast undurchsichtigen Alumiumschicht bedeckt. Diese Schicht kann vor oder nach dem Montieren der Schicht in einer elektronenoptischen Röhre, in welcher sie benutzt wird, angebracht werden. In F i g. 1 ist die Zinksulfidphosphorschicht mit 1 und diese Aluminiumschicht mit 2 bezeichnet. Die Rückseite der Zinksulfidschicht auf dem Träger 30 wird mit einer dünnen Schicht Antimon bedeckt, wie dies zwecks Aktivierung als Antimon-Caesium-Photokathode erforderlich ist.In order to produce the screen 10 in F) g. V 1, the zinc sulfide phosphor layer is covered on one side with a thin, almost opaque aluminum layer. This layer can be used before or after the layer is mounted in an electron-optical tube in which it is used In Fig. 1, the zinc sulfide phosphor layer is labeled 1 and this aluminum layer is labeled 2. The back of the zinc sulfide layer on the support 30 is covered with a thin layer of antimony, as required for activation as an antimony-cesium photocathode .

Der Schirm wird nunmehr in einer elektronenoptischen Röhre montiert, wenn dies nicht schon vorher erfolgt ist. Nach dem Evakuieren und Entgasen — Operationen, welche in üblicher Weise ausgeführt werden — wird der Antimonfilm dadurch aktiviert, daß er einem Caesiumdampf ausgesetzt wird, wobei sich die photoelektrische Verbindung SbCs3 bildet.The screen is now mounted in an electron-optical tube, if this has not already been done. After evacuation and degassing - operations which are carried out in the usual way - the antimony film is activated by exposure to cesium vapor, the photoelectric compound SbCs 3 being formed.

a5 Es ist wichtig, zu wissen, daß der Zinksulfidphosphor angegriffen würde, wenn er dem Caesiumdampf ausgesetzt wäre, und daß der Caesiumdampf den Phosphor zersetzen und seine Fluoreszenzfähigkeit zerstören würde. Daher wird gemäß dem vorstehend beschriebenen Verfahren die Zinksulfid-■ schicht an einer Seite mit einer Aluminiumschicht versehen und auf der anderen Seite mit einer Antimonschicht. Der Caesiumdampf kann keine dieser Schichten durchdringen und daher auch nicht die Zinksulfidschicht angreifen. a 5 It is important to know that the zinc sulphide phosphorus would be attacked if it were exposed to the cesium vapor and that the cesium vapor would decompose the phosphorus and destroy its ability to fluoresce. Therefore, according to the method described above, the zinc sulfide layer is provided on one side with an aluminum layer and on the other side with an antimony layer. The cesium vapor cannot penetrate any of these layers and therefore cannot attack the zinc sulfide layer.

Ein anderes Verfahren zum Herstellen des Elektronenbildverstärkerschirmes 10 besteht darin, daß zunächst als Träger ein Film aus Aluminiumoxyd hergestellt wird. Dieser Film kann auf einen Drahtrahmen aufgebracht werden und dient dann als Träger an Stelle der vorstehend beschriebenen beschichteten Glasplatte, auf welcher die Zinksulfidschicht niedergeschlagen werden kann. Die Zinksulfidschicht wird alsdann durch Backen aktiviert.Another method of making the electron image intensifier screen 10 consists in that a film of aluminum oxide is first produced as a carrier. This film can be on a wire frame are applied and then serves as a carrier in place of the coated ones described above Glass plate on which the zinc sulfide layer can be deposited. The zinc sulfide layer is then activated by baking.

Die Aluminiumoxydschicht ist elektronendurchlässig, so daß die Aluminiumschicht auf der Vorderseite des Aluminiumoxydfilms niedergeschlagen werden kann. Wahlweise kann der Aluminiumoxydfilm auch auf einem Rahmen aus Hartglas oder Quarz befestigt werden, was ebenfalls ein Erhitzen auf die hohen Temperaturen ermöglicht. Er hat zweckmäßigerweise eine Dicke von ungefähr 1000 Angström-Einheiten (entsprechend 0,1 μ). Derartige Filme sind sehr durchsichtig und widerstandsfähig. Nach dem Aufdampfen der Leuchtphosphorschicht auf die eine Seite eines derartigen Aluminiumoxydfilms wird die Leuchtphosphorschicht durch Backen bei einer hohen Temperatur von ungefähr 1000° C reaktiviert.The aluminum oxide layer is electron permeable, so that the aluminum layer is on the front of the alumina film can be deposited. Optionally, the aluminum oxide film can also on a frame made of tempered glass or quartz, which also causes heating on the high Temperatures. It is conveniently about 1000 Angstrom units thick (corresponding to 0.1 μ). Such films are very transparent and tough. After evaporation of the phosphor layer on one side of such an aluminum oxide film becomes the Luminous phosphor layer reactivated by baking at a high temperature of about 1000 ° C.

Vor oder nach dem Montieren des Aluminiumoxyd-Leuchtphosphorschirmes (Schichten 30 und 1) in der Röhre, in welcher er benutzt werden soll, wird eine Schicht Aluminium auf die Phosphoroberfläche und eine Schicht von Antimon auf die Aluminiumoxydschicht aufgedampft, wobei die Antimonschicht anschließend in bekannter Weise mit Calciumdampf aktiviert wird.Before or after mounting the aluminum oxide phosphor screen (Layers 30 and 1) in the tube in which it is to be used a layer of aluminum on the phosphor surface and a layer of antimony on the aluminum oxide layer vapor-deposited, the antimony layer then in a known manner with calcium vapor is activated.

Diese Anordnung ist vorteilhafter als die vorstehend beschriebene, da die einfallenden ElektronenThis arrangement is more advantageous than that described above because of the incident electrons

nicht· den Aluminiumoxydfilm zu durchdringen haben, wobei unerwünschte Energieverluste eintreten.do not have to penetrate the aluminum oxide film, with undesired energy losses occurring.

Die Arbeitsweise des Elektronenbildverstärkerschirmes soll jetzt unter Bezugnahme auf Fig. 1 des Näheren erläutert werden: In der elektronenoptischen Vorrichtung, in welcher dieser Schirm verwendet werden soll, wird der Schirm 10 mit seiner Fluoreszenzschicht 1 in der Bildebene eines Elektronenbildes montiert.The operation of the electron image intensifier screen will now be described with reference to FIG. 1 of the To be explained in detail: In the electron optical device in which this screen is used is to be, the screen 10 with its fluorescent layer 1 is in the image plane of an electron image assembled.

Die Aluminiumschicht 2 ist den auftreffenden ι ο energiereichen Elektronen, die das Elektronenbild erzeugen, zugewandt. Der Weg des derartigen einfallenden energiereichen Elektrons ist durch die strichpunktierte Linie 4 dargestellt. Das Elektron geht durch die elektronendurchlässige Aluminiumschicht 2 hindurch, löst an irgendeinem Punkt 5 innerhalb der fluoreszierenden Schicht 1 Photonen aus, welche von dem Punkt 5 aus nach allen Richtungen ausgehen können. Mögliche Wege derartiger Photonen sind in Fig. 1 durch die gestrichelten Linien 6 und 8 dargestellt. Man sieht ohne weiteres, daß die Linien 6 direkt zu dem Träger 30 verlaufen und zu der photoelektrischen Schicht 3, wobei die einfallenden Photonen Elektronen in der Schicht 3 frei machen. Mittels eines geeigneten elektrischen Feldes werden diese Elektronen aus der Oberfläche der Photokathode 3 herausgezogen und bewegen sich längs der strichpunktierten Linien9 der Fig. 1.The aluminum layer 2 is the impinging ι ο facing high-energy electrons that generate the electron image. The way of such an incident High-energy electron is shown by the dash-dotted line 4. The electron passes through the electron-permeable aluminum layer 2, dissolves at some point 5 within the fluorescent layer 1 from photons, which from the point 5 in all directions can go out. Possible paths of such photons are shown in FIG. 1 by the dashed lines Lines 6 and 8 shown. It can readily be seen that the lines 6 run directly to the carrier 30 and to the photoelectric layer 3, the incident photons electrons in the layer 3 make free. These electrons are removed from the surface by means of a suitable electric field of the photocathode 3 are pulled out and move along the dash-dotted lines 9 of FIG. 1.

Andere an dem Punkt 5 frei gemachte Photonen laufen von der Schicht 3 weg. Diese Photonen werden an der Fläche 7 der Aluminiumschicht 2 reflektiert, so daß sie den durch die gestrichelten Linien 8 bezeichneten Wegen folgen. Diese Photonen dringen nach der Reflexion ebenfalls in die Photokathode 3 ein und befreien in ihr — in ähnlicher Weise wie die längs der Wege 6 kommenden Photonen — Elektronen. Die Elektronen verlassen in ähnlicher Weise die Photokathode 3 längs der strichpunktierten Linien 9.Other photons released at point 5 run away from layer 3. These photons will reflected on the surface 7 of the aluminum layer 2, so that they are the by the dashed lines 8 follow the designated paths. After reflection, these photons also penetrate the photocathode 3 and free electrons in it - in a similar way to the photons coming along the paths 6. The electrons leave the photocathode 3 in a similar manner along the dash-dotted line Lines 9.

Photoelektronen werden von der Oberfläche der Photokathode 3 innerhalb einer Fläche befreit, deren Durchmesser annähernd doppelt so groß ist wie die Dicke der Zinksulfidschicht 1. Zwecks Erhaltens eines scharfen Elektronenbildes, das durch die längs des Weges 4 einfallenden Elektronen erzeugt wird, ist es wünschenswert, daß die Zinksulfidschicht so dünn wie irgend möglich ist.Photoelectrons are freed from the surface of the photocathode 3 within an area whose Diameter is approximately twice the thickness of the zinc sulfide layer 1. For the purpose of preservation a sharp electron image generated by the electrons incident along path 4, it is desirable that the zinc sulfide layer be as thin as possible.

Gemäß Fig. 2 enthält die elektronenoptische Röhre 20 einen Verstärkungsschirm 10, wie er vorstehend mit Bezugnahme auf Fig. 1 beschrieben worden ist. In F i g. 2 entsprechen die Schichten 1, 2, 3 und 30 des Schirmes 10 bzw. der Fluoreszenzschicht, der Aluminiumschicht, der Photokathode und dem Träger, wie dies in F i g. 1 dargestellt ist. Die Röhre 20 ist ein evakuiertes Gefäß 21 mit durchsichtigen Endflächen 22. Zusätzlich zu dem Schirm 10 befinden sich in der Röhre 20 noch eine Photokathode 11, die an der Vorderseite, und ein Fluoreszenzschirm 17, der am entgegengesetzten Ende der Röhre angeordnet ist. Weitere Elektronen des Rohres 20 sind nicht dargestellt. Ein axial zwischen der Photokathode 11 und dem Schirm 10 verlaufendes Magnetfeld wird durch ein Solenoid 12 aufrechterhalten. Durch eine Spannungsquelle 13 ist der Schirm 10 relativ zu der Photokathode 11 positiv geladen. Ähnlich, wie vorbeschrieben, erzeugt das Solenoid 18 ein axial verlaufendes Magnetfeld zwischen dem Schirm 10 und dem FluoreszenzschirmReferring to FIG. 2, the electron optical tube 20 includes an intensifying screen 10 as described above with reference to FIG. In Fig. 2 correspond to the layers 1, 2, 3 and 30 of the screen 10 or the fluorescent layer, the aluminum layer, the photocathode and the carrier, as shown in FIG. 1 is shown. The tube 20 is an evacuated vessel 21 with transparent end faces 22. In addition to the screen 10, the tube 20 also contains a photocathode 11, which is arranged on the front side, and a fluorescent screen 17, which is arranged at the opposite end of the tube. Further electrons of the tube 20 are not shown. A magnetic field extending axially between the photocathode 11 and the screen 10 is maintained by a solenoid 12. The screen 10 is positively charged relative to the photocathode 11 by a voltage source 13. Similarly, as described above, the solenoid 18 generates an axially extending magnetic field between the screen 10 and the fluorescent screen

17. Durch eine Spannungsquelle 19 ist der Schirm 17 auf einem ppsitiven Niveau relativ zu dem Schirm 10. gehalten. ■....-, 17. The screen 17 is kept at a positive level relative to the screen 10 by a voltage source 19. ■ ....-,

Ein abzubildendes Objekt wird durch ein Linsensystem 16 auf der Oberfläche der photoelektrischen Kathode 11 abgebildet. Zwischen der Photokathode und dem ,Schirm 10 enthält das Rohr 20 einen einstufigen Bildverstärker, wobei das entstandene Elektronenbild auf den Schirm 10 abgebildet wird. Die einfallenden, dieses Elektronenbild erzeugenden Elektronen lösen Photonen in der Fluoreszenzschicht 1 aus. Diese ihrerseits befreien Elektronen in der weiter oben beschriebenen Weise aus der Photokathodenschicht 3. Die Zahl der Elektronen, welche aus der Photokathode 3 austreten, ist größer als die Zahl der einfallenden Elektronen. Sie werden beschleunigt und auf den Fluoreszenzschirm 17 geworfen, auf dem ein optisches Bild entsteht, welches eine verstärkte Wiedergabe des Bildes ist, das durch das Linsensystem 17 auf der Oberfläche der Photokathode 11 erzeugt wird.An object to be imaged is through a lens system 16 on the surface of the photoelectric Cathode 11 shown. Between the photocathode and the screen 10, the tube 20 contains a single-stage image intensifier, the resulting electron image being mapped onto the screen 10. The incident electrons that generate this electron image release photons in the fluorescent layer 1 off. These in turn liberate electrons from the photocathode layer in the manner described above 3. The number of electrons emerging from the photocathode 3 is greater than that Number of incident electrons. They are accelerated and thrown onto the fluorescent screen 17, on which an optical image is created, which is an intensified reproduction of the image that is transmitted through the lens system 17 is generated on the surface of the photocathode 11.

Die Anordnung eines derartigen Elektronenbilder verstärkenden Schirmes ist nicht auf eine ein optisches Bild verstärkende Vorrichtung beschränkt; ein derartiger Schirm kann auch dazu verwendet werden, beispielsweise um das in einer Fernsehkameraröhre erzeugte Elektronenbild zu verstärken.The arrangement of such an electron image intensifying screen is not an optical one Image enhancing device limited; Such a screen can also be used to for example to enhance the electron image generated in a television camera tube.

Claims (7)

Patentansprä-ehe:Patent claims marriage: 1. Elektronenbildverstärkerschirm, bestehend aus einer Schichtenfolge aus einem elektronendurchlässigen Metallfilm, einer fluoreszierenden Leuchtschicht und einer Trägerschicht aus Metalloxyd und einer Schicht mit äußerem lichtelektrischem Effekt, dadurch gekennzeichnet, daß die fluoreszierende Leuchtschicht (1) aus einem Leuchtstoff in amorphem Zustand besteht und daß der Schirm teilweise von der amorphen fluoreszierenden Leuchtschicht, deren Dicke größer als 1 μ, aber kleiner als 10 μ ist, getragen wird, wobei die Trägerschichtdicke etwa 0,1 μ beträgt.1. Electron image intensifier screen, consisting of a layer sequence of an electron-permeable Metal film, a fluorescent luminescent layer and a carrier layer made of metal oxide and a layer with an external photoelectric effect, characterized in that, that the fluorescent luminescent layer (1) consists of a phosphor in an amorphous state and that the screen partially from the amorphous fluorescent luminous layer, their Thickness greater than 1 μ, but less than 10 μ, is worn, the carrier layer thickness being approximately Is 0.1 μ. 2. Verstärkerschirm nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Trägerschicht ein Film aus Aluminiumoxyd ist.2. intensifying screen according to claim 1, characterized in that the carrier layer is a film is made of aluminum oxide. 3. Verstärkerschirm nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Trägerschicht ein Film aus Magnesiumoxyd ist.3. intensifying screen according to claim 1, characterized in that the carrier layer is a film is made of magnesium oxide. 4. Verstärkerschirm nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Trägerschicht unmittelbar an der fluoreszierenden Schicht anliegt. 4. intensifying screen according to claim 2 or 3, characterized in that the carrier layer is in direct contact with the fluorescent layer. 5. Verstärkerschirm nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß statt der Trägerschicht ein in einem Rahmen gehaltenes Drahtnetz angeordnet ist.5. intensifying screen according to claim 1, characterized in that instead of the carrier layer a is arranged in a frame held wire mesh. 6. Verfahren zum Herstellen eines Verstärkerschirmes nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß eine durchscheinende Schicht (1) fluoreszierenden Materials auf einem Träger (30) erzeugt wird, daß die Schicht (1) erforderlichenfalls reaktiviert wird zur Bildung einer fluoreszierenden Schicht, daß die fluoreszierende Schicht auf einer Seite mit einer elektronendurchlässigen Metallschicht (2) versehen wird und auf der anderen Seite zwecks Bildung einer Photokathode beschichtet wird.6. A method for producing an intensifying screen according to one or more of the claims 1 to 5, characterized in that a translucent layer (1) is fluorescent Material is generated on a carrier (30) that the layer (1) reactivates if necessary is used to form a fluorescent layer that the fluorescent layer is on one side is provided with an electron-permeable metal layer (2) and on the other side is coated to form a photocathode. 7. Verfahren nach- Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die durchscheinende· fraores^ zierende Schicht auf einem löslichen Film erzeugt wird; der zuvor auf einer Glasplktte oder einem Drahtgewebeträger hergestellt' wird- daß; der lösliche Film- aufgelöst wird und dabei die fluoreszierende Schicht' von der Trägerfläche abgelöst und auf einen hitzebeständigen inertem Träger übertragen wird.7. The method according to claim 6, characterized in that the translucent · fraores ^ decorative layer is produced on a soluble film; which is produced beforehand on a glass plate or a wire mesh carrier - that ; the soluble film is dissolved and the fluorescent layer is detached from the support surface and transferred to a heat-resistant inert support. In Btetrachü gezogene Druckschriften: Bratsche Patentschrift Nr. 965 706'·; britische Patentschrift· Nr. 694487; USA.-Patentschrift Nr. 2'555 424.Printed publications drawn in Btetrachü: Viola Patent No. 965 706 '; British Patent No. 694487; U.S. Patent No. 2,555,424. Hierzu 1 Blatt Zeichnungen:1 sheet of drawings: 409 728/329 11.64409 728/329 11.64 ι Bundesdruckerd BaUaι Bundesdruckerd BaUa
DEN16201A 1958-02-03 1959-02-03 Electron image intensifier screen Pending DE1181834B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GB3453/58A GB859597A (en) 1958-02-03 1958-02-03 Improvements in or relating to electron image intensifying devices

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1181834B true DE1181834B (en) 1964-11-19

Family

ID=9758612

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DEN16201A Pending DE1181834B (en) 1958-02-03 1959-02-03 Electron image intensifier screen

Country Status (5)

Country Link
US (1) US3232781A (en)
DE (1) DE1181834B (en)
FR (1) FR1221941A (en)
GB (1) GB859597A (en)
NL (1) NL235656A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4695762A (en) * 1985-06-28 1987-09-22 American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories Electron beam pumped rod-like light emitters

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL168991C (en) * 1971-04-16 1982-05-17 Philips Nv IMAGE AMPLIFIER TUBE WITH A REDUCED TRANSMISSION COVER OF THE ELECTRON COLLECTION SCREEN.
US5244750A (en) * 1988-06-10 1993-09-14 Gte Products Corporation Coated electroluminescent phosphor

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2555424A (en) * 1948-03-09 1951-06-05 Sheldon Edward Emanuel Apparatus for fluoroscopy and radiography
GB694487A (en) * 1949-09-07 1953-07-22 Emi Ltd Improvements relating to the production of visible pictures in response to electrical signals
DE965706C (en) * 1951-01-17 1957-07-11 Philips Nv Electric discharge tubes for amplifying X-ray images

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2527981A (en) * 1945-08-23 1950-10-31 Bramley Jenny Secondary-electron emission
US2700116A (en) * 1950-02-11 1955-01-18 Edward E Sheldon Device for intensification of X-ray images
BE501742A (en) * 1950-03-11
US3054917A (en) * 1956-12-03 1962-09-18 Itt Heat imaging device
US3148297A (en) * 1959-11-27 1964-09-08 Westinghouse Electric Corp Electron device with storage capabilities

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2555424A (en) * 1948-03-09 1951-06-05 Sheldon Edward Emanuel Apparatus for fluoroscopy and radiography
GB694487A (en) * 1949-09-07 1953-07-22 Emi Ltd Improvements relating to the production of visible pictures in response to electrical signals
DE965706C (en) * 1951-01-17 1957-07-11 Philips Nv Electric discharge tubes for amplifying X-ray images

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4695762A (en) * 1985-06-28 1987-09-22 American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories Electron beam pumped rod-like light emitters

Also Published As

Publication number Publication date
US3232781A (en) 1966-02-01
NL235656A (en)
FR1221941A (en) 1960-06-07
GB859597A (en) 1961-01-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE930467C (en) Image amplification tubes for X-rays using a defocused electron beam
DE896396C (en) Image amplifier tubes
DE69300429T2 (en) Microchannel plate image intensifier tube, particularly suitable for radiological images.
DE1614986B2 (en) Use of a vacuum-evaporated, polycrystalline alkali metal halide layer in image converter tubes and a method for producing such a layer
DE1138482B (en) Emission electrode
DE1295614B (en) Storage screen for an image pick-up tube
DE2624781B2 (en) Electron-emitting electrode and process for its manufacture
DE2064466A1 (en) X-ray or gamma-ray scintillator, as well as detector screens and image intensifier tubes manufactured using such a scintillator
DE1181834B (en) Electron image intensifier screen
DE1269253B (en) See-through photocathode
DE2049127C3 (en) Image intensifier
DE2247524A1 (en) METHOD OF MANUFACTURING SUPPORT-FREE LUMINOUS SCREENS
CH221477A (en) Photoelectric cathode and process for its manufacture.
DE934358C (en) Electric discharge tubes for reinforcing fluoroscopic images produced by means of X-rays
EP0033894B1 (en) Plural-stage vacuum x-ray image amplifier
DE2442491C3 (en) Input screen for an X-ray image intensifier tube
DE1289587B (en) Electron discharge device for image amplifiers, image pickup tubes and photomultiplier
DE864133C (en) Electron-optical image intensifier
DE1462101B1 (en) METHOD OF MANUFACTURING A PHOTOCONDUCTIVE IMAGE ELECTRODE FOR IMAGE RECORDING TUBES
DE2321869A1 (en) X-RAY IMAGE ENHANCER
DE2209533A1 (en) Light amplifier
DE1564532B2 (en) Photoelectric tubes and methods of making the same
DE2327253C2 (en) Image intensifier tube
DE2028921B2 (en) Ray passage window with soldered-in beryllium disc for high-energy rays
DE1447601A1 (en) X-ray primary fluorescent screen for X-ray image converter and process for its manufacture