DE112022002463T5 - Verfahren und system zum positionieren des mittelpunkts der v-typ-kerbe eines wafers, und computerspeichermedium - Google Patents

Verfahren und system zum positionieren des mittelpunkts der v-typ-kerbe eines wafers, und computerspeichermedium Download PDF

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Xun Lan
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Xian Eswin Material Technology Co Ltd
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Xian Eswin Silicon Wafer Technology Co Ltd
Xian Eswin Material Technology Co Ltd
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Abstract

Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung offenbaren ein Verfahren und ein System zum Positionieren eines Mittelpunktes einer V-Typ-Kerbe eines Wafers und ein Computerspeichermedium. Das Verfahren umfasst: Bestimmen, basierend auf gesammelten Randdaten der V-Typ-Kerbe des Wafers, eines Mittelpunkts eines konzentrischen Kreises, der den Rändern der V-Typ-Kerbe entspricht; Beurteilen, basierend auf einer Positionsbeziehung zwischen dem Mittelpunkt und einer eingestellten Referenzskalenlinie, ob sich die V-Typ-Kerbe an einer vorgegebenen Zielposition im Mittelpunkt befindet; Bestimmen, basierend auf der Positionsbeziehung zwischen dem Mittelpunkt und der eingestellten Referenzskalenlinie, einer Drehrichtung und eines Drehwinkels des Wafers W, wenn sich die V-Typ-Kerbe nicht in der vorgegebenen Zielposition befindet; Betreiben, entsprechend der Drehrichtung und des Drehwinkels des Wafers, des Wafers zum Drehen, bis die V-Typ-Kerbe in die vorgegebene Zielposition im Mittelpunkt gedreht ist.

Description

  • QUERVERWEIS ZU BEZOGENER ANMELDUNG
  • Die vorliegende Anmeldung beansprucht eine Priorität der chinesischen Patentanmeldung Nr. 202111228898.4 , die am 21. Oktober 2021 in China eingereicht wurde und deren Offenbarung hierin durch Bezugnahme in vollem Umfang aufgenommen ist.
  • STAND DER TECHNIK
  • Die vorliegende Offenbarung betrifft das Gebiet der Halbleitertechnologien, insbesondere ein Verfahren und ein System zum Positionieren eines Mittelpunkts einer V-Typ-Kerbe eines Wafers sowie ein Computerspeichermedium.
  • HINTERGRUND
  • In der Halbleiterindustrie wird nach dem Ziehen eines monokristallinen Siliziumblocks und dem Schleifen seiner Oberfläche von den Technikern entsprechend den Produktanforderungen ein flacher Rand oder eine V-Typ-Kerbe an einer bestimmten Kristallorientierung (nachfolgend als „Orientierung“ bezeichnet) des monokristallinen Siliziumblocks angebracht. Dies wird verwendet, um die spezifische Kristallorientierung eines aus einem monokristallinen Siliziumblock hergestellten Wafers zu bestimmen, damit eine Fabrik für integrierte Schaltungen (IC) die spezifische Kristallorientierung des Wafers identifizieren und sich darin befinden kann. Die Bearbeitung des flachen Randes an einem Rand des Wafers kann sich jedoch auf die Auslastung des Wafers auswirken, so dass derzeit bei Wafern mit einem Durchmesser von mehr als 200 mm nicht mehr der flache Rand verwendet wird, um sich in der spezifischen Kristallorientierung zu befinden, sondern eine V-Typ-Kerbe mit einer Tiefe von 1,0 mm bis 1,05 mm und einem Winkel von 90 Grad am Rand des Wafers bearbeitet wird. Diese V-Typ-Kerbe wird auch als V-Kerbe bezeichnet.
  • Da jedoch die spezifische Kristallorientierung des monokristallinen Siliziumblocks derzeit mit Hilfe eines Röntgendiffraktometers gemessen wird, kommt es zu Fehlern bei der Positionierung der V-Typ-Kerbe und bei der Bearbeitung der V-Typ-Kerbe. Daher gibt es Abweichungen zwischen der Kristallorientierung des monokristallinen Siliziumblocks oder Wafers und einem Mittelpunkt der bearbeiteten V-Typ-Kerbe. Im eigentlichen Messprozess wird eine Kristallorientierungsabweichung der V-Typ-Kerbe verwendet, um einen Abweichungsgrad zwischen der Mittelpunktsposition der V-Typ-Kerbe und der Kristallorientierung des monokristallinen Siliziumblocks oder Wafers zu beschreiben. Die Abweichung der Kristallorientierung der V-Typ-Kerbe spielt eine entscheidende Rolle für die Ausbeute und die Produktleistung des späteren Produkts. Daher ist es sehr wichtig, die Abweichung der Kristallorientierung der V-Typ-Kerbe im Herstellungsverfahren des Wafers genau zu messen. Wenn die Abweichung der Kristallorientierung der V-Typ-Kerbe nicht genau gemessen wird, stimmt das Bearbeitungsmuster am Rand des Wafers verständlicherweise nicht mit der Kristallorientierung des Wafers überein, was letztendlich die elektrische Leistung des Produkts beeinträchtigt und sogar zur Verschrottung des Produkts führt.
  • Derzeit wird die Kristallorientierungsabweichung der V-Typ-Kerbe in der herkömmlichen technischen Lösung durch Positionieren des Mittelpunkts der V-Typ-Kerbe gemessen, insbesondere durch Verwendung des Verfahrens der Röntgenbeugung zur Messung des Grads der Kristallorientierungsabweichung an einer vertikalen Position der V-Typ-Kerbe, um die Kristallorientierungsabweichung der V-Typ-Kerbe darzustellen. Beim Prozess des Positionierens des Mittelpunkts der V-Typ-Kerbe kommt es jedoch aufgrund der geringen Breite und geringen Tiefe der V-Typ-Kerbe und der Notwendigkeit, dass Techniker eine Positionierungsrückplatte und einen Wafer manuell installieren und beobachten und beurteilen, ob der Mittelpunkt der V-Typ-Kerbe des Wafers mit einer Referenzskalenlinie der Positionierungsrückplatte ausgerichtet ist, zu einem großen Positionierungsfehler der V-Typ-Kerbe, und eine gemessene Abweichung der Kristallorientierung der V-Typ-Kerbe ist nicht genau.
  • ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • In Anbetracht dessen ist es das Ziel der vorliegenden Offenbarung, ein Verfahren und ein System zum Positionieren eines Mittelpunkts einer V-Typ-Kerbe eines Wafers sowie ein Computerspeichermedium bereitzustellen, das in der Lage ist, den Positionierungsfehler der V-Typ-Kerbe zu verringern, die Genauigkeit der Messung der Abweichung der Kristallorientierung der V-Typ-Kerbe zu verbessern und gleichzeitig die Effizienz der Messung zu steigern und Arbeitskosten zu sparen.
  • Die technische Lösung der vorliegenden Offenbarung wird wie folgt ausgeführt.
  • In einem ersten Aspekt stellt eine Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ein Verfahren zum Positionieren des Mittelpunkts einer V-Typ-Kerbe eines Wafers bereit, umfassend:
    • Bestimmen, basierend auf gesammelten Randdaten der V-Typ-Kerbe des Wafers, eines Mittelpunkts eines konzentrischen Kreises, der den Rändern der V-Typ-Kerbe entspricht;
    • Beurteilen, basierend auf einer Positionsbeziehung zwischen dem Mittelpunkt und einer vorgegebenen Referenzskalenlinie, ob sich die V-Typ-Kerbe an einer vorgegebenen Zielposition im Mittelpunkt befindet;
    • Bestimmen, basierend auf der Positionsbeziehung zwischen dem Mittelpunkt und der eingestellten Referenzskalenlinie, einer Drehrichtung und eines Drehwinkels des Wafers, wenn sich die V-Typ-Kerbe nicht in der vorgegebenen Zielposition befindet;
    • Betreiben, entsprechend der Drehrichtung und des Drehwinkels des Wafers, des Wafers zum Drehen, bis die V-Typ-Kerbe in die vorgegebene Zielposition im Mittelpunkt gedreht ist.
  • In einem zweiten Aspekt stellt eine Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ein Positionierungssystem für einen Mittelpunkt einer V-Typ-Kerbe eines Wafers bereit, das Folgendes umfasst: einen ersten Bestimmungsabschnitt, einen Beurteilungsabschnitt, einen zweiten Bestimmungsabschnitt und einen Drehabschnitt; wobei
    der erste Bestimmungsabschnitt eingerichtet ist, um basierend auf gesammelten Randdaten der V-Typ-Kerbe des Wafers einen Mittelpunkt eines konzentrischen Kreises zu bestimmen, der den Rändern der V-Typ-Kerbe entspricht;
    der Beurteilungsabschnitt eingerichtet ist, um basierend auf einer Positionsbeziehung zwischen dem Mittelpunkt und einer eingestellten Referenzskalenlinie zu beurteilen, ob sich die V-Typ-Kerbe an einer vorgegebenen Zielposition befindet;
    der zweite Bestimmungsabschnitt eingerichtet ist, um basierend auf der Positionsbeziehung zwischen dem Mittelpunkt und der eingestellten Referenzskalenlinie eine Drehrichtung und einen Drehwinkel des Wafers zu bestimmen, wenn sich die V-Typ-Kerbe außerhalb der vorgegebenen Zielposition des Mittelpunkts befindet;
    der Drehabschnitt eingerichtet ist, um entsprechend der Drehrichtung und des Drehwinkels des Wafers den Wafer zu drehen, bis die V-Typ-Kerbe in die vorgegebene Zielposition im Mittelpunkt gedreht ist.
  • In einem dritten Aspekt stellt eine Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ein System zum Positionieren eines Mittelpunkts einer V-Typ-Kerbe eines Wafers bereit, mit: einer Positionierungsrückplatte zum Positionieren eines Wafers mit dem Mittelpunkt der V-Typ-Kerbe, einem Saugnapf, einem Linienlaser-Konturerkennungssensor, einer Datenverarbeitungsvorrichtung und einem Servomotor; wobei
    die Positionierungsrückplatte ist mit einem kreisförmigen Loch bereitgestellt, das mit dem Saugnapf zusammenwirkt, und der Saugnapf ist in das kreisförmige Loch eingelassen;
    der Saugnapf wird zum Aufnehmen des Wafers verwendet, wobei die Rückseite des Wafers fest an der Positionierungsrückplatte befestigt ist;
    der Linienlaser-Konturerkennungssensor wird verwendet, um Randdaten der V-Typ-Kerbe zu sammeln;
    die Datenverarbeitungsvorrichtung ist eingerichtet, um:
    • Bestimmen, basierend auf gesammelten Randdaten der V-Typ-Kerbe des Wafers, eines Mittelpunkts eines konzentrischen Kreises, der den Rändern der V-Typ-Kerbe entspricht;
    • Beurteilen, basierend auf einer Positionsbeziehung zwischen dem Mittelpunkt und einer vorgegebenen Referenzskalenlinie, ob sich die V-Typ-Kerbe an einer vorgegebenen Zielposition im Mittelpunkt befindet;
    • Bestimmen, basierend auf der Positionsbeziehung zwischen dem Mittelpunkt und der eingestellten Referenzskalenlinie, einer Drehrichtung und eines Drehwinkels des Wafers, wenn sich die V-Typ-Kerbe nicht in der vorgegebenen Zielposition befindet; und
    • Ausgeben eines Steuersignals, entsprechend der Drehrichtung und des Drehwinkels des Wafers;
    der Servomotor eingerichtet ist, den Wafer so zu betreiben, dass er sich im Uhrzeigersinn oder gegen den Uhrzeigersinn dreht, bis sich die V-Typ-Kerbe unterhalb des Linienlaser-Konturerkennungssensors befindet; und basierend auf dem Steuersignal den Wafer so zu betreiben, dass er sich entsprechend der Drehrichtung und des Drehwinkels des Wafers dreht, bis die V-Typ-Kerbe in die vorgegebene Zielposition im Mittelpunkt gedreht ist.
  • In einem vierten Aspekt stellt eine Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ein Computerspeichermedium bereit, auf dem ein Computerprogramm zur Positionierung eines Mittelpunkts einer V-Typ-Kerbe eines Wafers gespeichert ist, wobei das Computerprogramm so eingerichtet ist, dass es von mindestens einem Prozessor ausgeführt wird, um die Schritte in dem Verfahren entsprechend dem ersten Aspekt zu implementieren.
  • Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung stellen ein Verfahren und ein System zum Positionieren eines Mittelpunktes einer V-Typ-Kerbe eines Wafers sowie ein Computerspeichermedium bereit. Dieses Verfahren bestimmt basierend auf den gesammelten Randdaten der V-Typ-Kerbe den Mittelpunkt eines konzentrischen Kreises, der den Rändern der V-Typ-Kerbe entspricht, und beurteilt anhand der Positionsbeziehung zwischen dem Mittelpunkt und der eingestellten Referenzskalenlinie, ob sich die V-Typ-Kerbe an der vorgegebenen Zielposition befindet. Wenn sich die V-Typ-Kerbe außerhalb der vorgegebenen Zielposition befindet, werden die Drehrichtung und der Drehwinkel des Wafers basierend auf der Positionsbeziehung zwischen dem Mittelpunkt und der eingestellten Referenzskalenlinie bestimmt, und der Wafer wird entsprechend der Drehrichtung und dem Drehwinkel des Wafers gedreht, bis die V-Typ-Kerbe in die vorgegebene Zielposition des Mittelpunkts gedreht ist. Mit diesem Verfahren lassen sich Positionierungsfehler reduzieren, die Genauigkeit der Messergebnisse verbessern, Arbeitskosten sparen und die Produktionseffizienz steigern.
  • KURZE BESCHREIBUNG DER FIGUREN
    • 1 ist eine schematische Ansicht eines Systems zum Positionieren des Mittelpunkts einer V-Typ-Kerbe eines Wafers entsprechend einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung;
    • 2 ist eine weitere schematische Ansicht eines Systems zum Positionieren des Mittelpunkts einer V-Typ-Kerbe eines Wafers entsprechend einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung;
    • 3 ist ein schematisches Flussdiagramm eines Verfahrens zum Positionieren des Mittelpunkts einer V-Typ-Kerbe eines Wafers entsprechend einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung;
    • 4 ist eine schematische Ansicht der Form einer V-Typ-Kerbe eines Wafers entsprechend einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung;
    • 5 ist eine schematische Ansicht einer anderen Form einer V-Typ-Kerbe eines Wafers entsprechend einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung;
    • 6 ist eine schematische Ansicht, die den Vergleich der Mittelpunktspositionen einer V-Typ-Kerbe vor und nach dem Drehen eines Wafers entsprechend einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung veranschaulicht; und
    • 7 ist eine schematische Ansicht eines anderen Positionierungssystems für den Mittelpunkt einer V-Typ-Kerbe eines Wafers entsprechend einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
  • DETAILLIERTE BESCHREIBUNG
  • Die technischen Lösungen in den Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung werden nachfolgend unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen in den Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung klar und vollständig beschrieben.
  • Bezugnehemend auf die 1 und 2 veranschaulichen 1 und 2 ein System zum Positionieren eines Mittelpunkts einer V-Typ-Kerbe eines Wafers W entsprechend einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung. Durch die Zusammenschau von den 1 und 2 umfasst das System 1: eine Positionierungsrückplatte 10 zum Positionieren des Wafers W mit dem Mittelpunkt der V-Typ-Kerbe, einen Saugnapf 20, einen Linienlaser-Konturerkennungssensor 30, eine Datenverarbeitungsvorrichtung 40, und einen Servomotor 50; wobei
    die Positionierungsrückplatte 10 ist mit einem kreisförmigen Loch 101 bereitgestellt, das mit dem Saugnapf 20 zusammenwirkt, so dass der Saugnapf 20 in das kreisförmige Loch 101 eingelassen werden kann;
    der Saugnapf 20 wird zur Aufnahme des Wafers W verwendet, so dass eine Rückseite des Wafers W fest mit der Positionierungsrückplatte 10 verbunden ist;
    der Linienlaser-Konturerkennungssensor 30 wird verwendet, um Randdaten der V-Typ-Kerbe des Wafers W zu sammeln;
    die Datenverarbeitungsvorrichtung 40 ist eingerichtet zum:
    • Bestimmen, basierend auf gesammelten Randdaten der V-Typ-Kerbe des Wafers W, eines Mittelpunkts eines konzentrischen Kreises, der den Rändern der V-Typ-Kerbe entspricht;
    • Beurteilen, basierend auf einer Positionsbeziehung zwischen dem Mittelpunkt und einer eingestellten Referenzskalenlinie, ob sich die V-Typ-Kerbe an einer vorgegebenen Zielposition im Mittelpunkt befindet;
    • Bestimmen, basierend auf der Positionsbeziehung zwischen dem Mittelpunkt und der eingestellten Referenzskalenlinie, einer Drehrichtung und eines Drehwinkels des Wafers W, wenn sich die V-Typ-Kerbe nicht in der vorgegebenen Zielposition befindet;
    • Ausgeben eines Steuersignals entsprechend der Drehrichtung und des Drehwinkels des Wafers W; und
    • der Servomotor 50 ist eingerichtet, den Wafer W so zu betreiben, dass er sich im Uhrzeigersinn oder gegen den Uhrzeigersinn dreht, so dass sich die V-Typ-Kerbe unterhalb des Linienlaser-Konturerkennungssensors 30 befindet; und basierend auf dem Steuersignal den Wafer W so zu betreiben, dass er sich entsprechend der Drehrichtung und dem Drehwinkel des Wafers W dreht, so dass sich die V-Typ-Kerbe in die vorgegebene Zielposition im Mittelpunkt dreht.
  • Wie in 2 veranschaulicht, ist die eingestellte Referenzskalenlinie auf der Positionierungsrückplatte 10 angeordnet, damit leichter beurteilt werden kann, ob der Mittelpunkt der V-Typ-Kerbe mit der Referenzskalenlinie übereinstimmt.
  • Darüber hinaus kann in der spezifischen Ausführung, wie in 1 und 2 veranschaulicht, die Datenverarbeitungsvorrichtung 40, die in der Lage ist, Daten zu verarbeiten, mit dem Linienlaser-Konturerkennungssensor 30 verbunden werden, so dass andere Schritte oder Aufgaben als das Sammeln von Randdaten und das Betreiben des Wafers W zum Drehen durch die Datenverarbeitungsvorrichtung 40 implementiert werden können. Zum Beispiel kann die Datenverarbeitungsvorrichtung 40 insbesondere ein drahtloses Gerät, ein Mobil- oder Mobiltelefon (einschließlich so genannter Smartphones), ein persönlicher digitaler Assistent (PDA), eine Videospielkonsole (einschließlich Videodisplay, mobiles Videospielgerät, mobile Videokonferenzeinheit), ein Laptop, ein Desktop-Computer, eine TV-Set-Top-Box, ein Tablet-Computer, ein E-Book-Reader, ein stationärer oder mobiler Media-Player usw. sein.
  • Optional ist mindestens ein Paar von Nockenfolgern 60 an der Unterseite der Positionierungsrückplatte 10 eingestellt, um den Wafer W so zu betreiben, dass er sich im oder gegen den Uhrzeigersinn dreht.
  • Es ist zu beachten, dass in den Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung die Drehrichtung des Wafers W im Uhrzeigersinn durch eine gestrichelte Pfeilrichtung in 2 angegeben ist und die Drehrichtung des Wafers W gegen den Uhrzeigersinn eine der Drehrichtung im Uhrzeigersinn entgegengesetzte Richtung ist.
  • Wird bei dem in 1 und 2 veranschaulichten System 1 ein Röntgendiffraktometer zur Messung der Abweichung der Kristallorientierung der V-Typ-Kerbe des W-Wafers verwendet, muss sich der Mittelpunkt der V-Typ-Kerbe zunächst im Besitz von Technikern befinden. Der besondere Vorgang besteht darin, zunächst einen Rand des Wafers W mit einer bearbeiteten V-Typ-Kerbe in Richtung des Linienlaser-Konturerkennungssensors 30 einzubringen, so dass der Linienlaser-Konturerkennungssensor 30 die Randdaten der V-Typ-Kerbe sammeln kann, wenn sich die V-Typ-Kerbe unterhalb des Linienlaser-Konturerkennungssensors 30 befindet. Der Rand ohne prozessierte V-Typ-Kerbe des Wafers W berührt den Nockenfolger 60.
  • Es ist zu verstehen, dass der Saugnapf 20 mit einer Luftleitungsschnittstelle 201 ausgestattet ist, die mit einer Vakuumpumpe (nicht dargestellt) verbunden ist. Nachdem die Installation des Wafers W abgeschlossen ist, wird die Vakuumpumpe gestartet, um eine Vakuumumgebung zwischen dem Saugnapf 20 und dem Wafer W zu bilden, so dass der Saugnapf 20 den Wafer W aufnehmen und fixieren kann. Gleichzeitig ist zu beachten, dass eine Oberfläche des Saugnapfes 20, die mit der Rückseite des Wafers W in Kontakt ist, mit einer Oberfläche der Positionierungsrückplatte 10, die mit der Rückseite des Wafers W in Kontakt ist, bündig ist. Auf diese Weise kann, wenn der Saugnapf 20 den Wafer W aufnimmt und fixiert, die Rückseite des Wafers W fest an der Positionierungsrückplatte 10 befestigt werden, um den Mittelpunkt der V-Typ-Kerbe genau zu positionieren.
  • Basierend auf dem vorgenannten System 1, das sich auf 3 bezieht, veranschaulicht 3 ein Verfahren zum Positionieren eines Mittelpunkts einer V-Typ-Kerbe eines Wafers W entsprechend einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung. Dieses Verfahren kann auf das in den 1 und 2 veranschaulichte System 1 zum Positionieren des Mittelpunkts der V-Typ-Kerbe angewandt werden. Das Verfahren umfasst:
    • S301: Bestimmen, basierend auf gesammelten Randdaten der V-Typ-Kerbe des Wafers W, eines Mittelpunkts eines konzentrischen Kreises, der den Rändern der V-Typ-Kerbe entspricht;
    • S302: Beurteilen, basierend auf einer Positionsbeziehung zwischen dem Mittelpunkt und einer eingestellten Referenzskalenlinie, ob sich die V-Typ-Kerbe an einer vorgegebenen Zielposition im Mittelpunkt befindet;
    • S303: Bestimmen, basierend auf der Positionsbeziehung zwischen dem Mittelpunkt und der eingestellten Referenzskalenlinie, einer Drehrichtung und eines Drehwinkels des Wafers W, wenn sich die V-Typ-Kerbe nicht in der vorgegebenen Zielposition befindet;
    • S304: Betreiben, entsprechend der Drehrichtung und des Drehwinkels des Wafers, des Wafers zum Drehen, bis die V-Typ-Kerbe in die vorgegebene Zielposition im Mittelpunkt gedreht ist.
  • Es ist zu beachten, dass in den Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung ein kartesisches Koordinatensystem, wie in 2 veranschaulicht, mit einem Mittelpunkt O1 des Wafers W als Ursprung eingerichtet wird. Die in den Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung genannten Koordinaten basieren daher alle auf dem gängigen kartesischen Koordinatensystem.
  • Bei der in 3 dargestellten technischen Lösung wird der Mittelpunkt des konzentrischen Kreises, der den Rändern der V-Typ-Kerbe entspricht, basierend auf den gesammelten Randdaten der V-Typ-Kerbe bestimmt, und ob sich die V-Typ-Kerbe an der vorgegebenen Zielposition befindet, wird anhand der Positionsbeziehung zwischen dem Mittelpunkt und der eingestellten Referenzskalenlinie beurteilt. Wenn sich die V-Typ-Kerbe außerhalb der vorgegebenen Zielposition befindet, werden die Drehrichtung und der Drehwinkel des Wafers W basierend auf der Positionsbeziehung zwischen dem Mittelpunkt und der eingestellten Referenzskalenlinie bestimmt, und der Wafer W wird entsprechend der Drehrichtung und dem Drehwinkel des Wafers W gedreht, so dass die V-Typ-Kerbe in die vorgegebene Zielposition des Mittelpunkts gedreht wird. Mit diesem Verfahren lassen sich Positionierfehler reduzieren, die Genauigkeit der Messergebnisse verbessern, Arbeitskosten sparen und die Produktionseffizienz steigern.
  • Bei der in 3 veranschaulichten technischen Lösung wird in einigen Beispielen basierend auf den gesammelten Randdaten der V-Typ-Kerbe des Wafers W der Mittelpunkt des konzentrischen Kreises bestimmt, der den Rändern der V-Typ-Kerbe entspricht:
    • Drehen des Wafers W, so dass die V-Typ-Kerbe unter einen Linienlaser-Konturerkennungssensor 30 gedreht wird (wie in den 1 und 2 veranschaulicht);
    • Verwenden des Linienlaser-Konturerkennungssensors 30 zum Sammeln der Koordinaten jedes Randpunktes der V-Typ-Kerbe;
    • Verwendung eines Verfahrens der kleinsten Rechtecke, um basierend auf den Koordinaten jedes Randpunktes die Koordinate (XO, YO) des Mittelpunktes O des konzentrischen Kreises zu erhalten, der den Rändern der V-Typ-Kerbe entspricht.
  • Wie in 4 veranschaulicht, ist der den Rändern der V-Typ-Kerbe entsprechende konzentrische Kreis ein konzentrischer Kreis, der dem Bogen am unteren Rand der V-Typ-Kerbe entspricht. Andererseits ist, wie in 5 veranschaulicht, bei einer konischen Kontur der V-Typ-Kerbe der vorangehende konzentrische Kreis, der den Rändern der V-Typ-Kerbe entspricht, ein Tangentialkreis der Ränder der V-Typ-Kerbe.
  • Optional kann in einigen spezifischen Ausführungen das Verfahren der kleinsten Rechtecke verwendet werden, um basierend auf den Koordinaten jedes Randpunktes die Koordinate (XO, YO) des Mittelpunktes O des konzentrischen Kreises zu erhalten, der dem Rand der V-Typ-Kerbe entspricht:
    • Auswählen von drei sich nicht wiederholenden Randpunkten und Verwenden des Verfahrens der kleinsten Rechtecke zum Einpassen und Erhalten, basierend auf den Koordinaten der drei sich nicht wiederholenden Randpunkte, der Koordinate (XO, YO) des Mittelpunkts O, der dem Rand der V-Typ-Kerbe entspricht.
  • Es ist zu verstehen, dass, nachdem die Koordinaten der drei sich nicht wiederholenden Randpunkte erhalten wurden, die Koordinate (XO, YO) des Mittelpunkts des entsprechenden konzentrischen Kreises eingepasst und erhalten werden kann. Im Allgemeinen kann das Verfahren der kleinsten Rechtecke verwendet werden, um die Koordinaten des Mittelpunkts einzupassen, und die zur Anpassung verwendete mathematische Gleichung ist die Kreisgleichung, die in Gleichung (1) veranschaulicht wird: ( X X O ) 2 + ( Y Y O ) 2 = r 2
    Figure DE112022002463T5_0001
    wobei (X, Y) die Koordinate eines Randpunkts der V-Typ-Kerbe, (XO, YO) die Koordinate des Mittelpunkts des einzupassenden konzentrischen Kreises und r der Radius des einzupassenden konzentrischen Kreises ist.
  • Nach der Erweiterung der in Gleichung (1) dargestellten Anpassungsgleichung erhält man eine Gleichung in der Form von Gleichung (2): X 2 2 X × X O + 2 X O 2 + Y 2 2 Y × Y O + 2 Y O 2 = r 2
    Figure DE112022002463T5_0002
  • Gleichung (2) hat drei Unbekannte r, XO und YO. Basierend auf den Koordinaten der drei ermittelten Randpunkte, wie (X1, Y1), (X2, Y2) und (X3, Y3) in 4, können daher die Koordinate des Mittelpunkts O und der Radius des konzentrischen Kreises bestimmt werden.
  • Bei der in 3 dargestellten technischen Lösung wird in einigen Beispielen basierend auf der Positionsbeziehung zwischen dem Mittelpunkt und der eingestellten Referenzskalenlinie beurteilt, ob sich die V-Typ-Kerbe in einer vorgegebenen Zielposition befindet:
    • Erhalten eines Abstandes L zwischen dem Mittelpunkt O und der eingestellten Referenzskalenlinie;
    • Bestimmen, dass sich die V-Typ-Kerbe an der vorgegebenen Zielposition im Mittelpunkt befindet, wenn der Abstand L=0 oder der Abstand L in einem vorgegebenen Bereich liegt;
    • Bestimmen, dass sich die V-Typ-Kerbe außerhalb der vorgegebenen Zielposition befindet und weiteres Positionieren des Mittelpunkts der V-Typ-Kerbe, wenn der Abstand L außerhalb eines vorgegebenen Bereichs liegt;
    • wobei der vorgegebene Bereich der Abstand L=0±0,001mm zwischen dem Mittelpunkt O des konzentrischen Kreises und der eingestellten Referenzskalenlinie ist;
  • In der Zusammenschau von den 2 und 4 ist zu beachten, dass in der XO1Y-Ebene des kartesischen Koordinatensystems die Referenzskalenlinie (in 4 durch die gestrichelte Linie gekennzeichnet) parallel zur Y-Achse verläuft. Daher kann bestimmt werden, dass der Abstand L zwischen dem Mittelpunkt O und der eingestellten Referenzskalenlinie gleich dem Koordinatenwert der X-Achse des Mittelpunkts O ist. Es ist zu verstehen, dass, wenn L gleich 0 ist oder innerhalb eines vorgegebenen Bereichs liegt, davon ausgegangen werden kann, dass sich der Mittelpunkt der V-Typ-Kerbe an der Zielposition befindet, d. h. mit der Referenzskalenlinie übereinstimmt. Zu diesem Zeitpunkt endet die Positionierung des Mittelpunkts der V-Typ-Kerbe und die normale Messung der Kristallorientierung des Wafers W beginnt. Liegt die Größe von L außerhalb des vorgegebenen Bereichs, muss der Wafer W weiter gedreht werden, um den Mittelpunkt der V-Typ-Kerbe zu positionieren, so dass der Mittelpunkt der V-Typ-Kerbe in die Zielposition gedreht wird und mit der Referenzskalenlinie übereinstimmt.
  • Der Abstand L zwischen dem Mittelpunkt O und der eingestellten Referenzskalenlinie kann natürlich auch durch tatsächliche Messung mit einem Lineal erhalten werden.
  • Bei der in 3 dargestellten technischen Lösung umfasst in einigen Beispielen das Bestimmen, basierend auf der Positionsbeziehung zwischen dem Mittelpunkt und der eingestellten Referenzskalenlinie, der Drehrichtung und des Drehwinkels des Wafers W, wenn sich die V-Typ-Kerbe außerhalb der vorgegebenen Zielposition befindet:
    • Bestimmen, entsprechend einer Formel θ = 180L/πD, eines Drehwinkels θ des Wafers basierend auf dem Abstand L zwischen dem Mittelpunkt O und der eingestellten Referenzskalenlinie und einem Abstand D zwischen dem Mittelpunkt O und einem Mittelpunkt O1 des Wafers, wenn sich die V-Typ-Kerbe außerhalb der vorgegebenen Zielposition befindet;
    • Bestimmen, basierend auf der Positionsbeziehung zwischen dem Mittelpunkt O und der eingestellten Referenzskalenlinie, der Drehrichtung des Wafers W.
  • Bei den vorstehenden Beispielen umfasst in einigen spezifischen Ausführungen das Bestimmen der Drehrichtung des Wafers W basierend auf der Positionsbeziehung zwischen dem Mittelpunkt O und der eingestellten Referenzskalenlinie:
    • Einstellen des Abstandes L>0 in einer XO1Y-Ebene eines kartesischen Koordinatensystems, wenn sich der Mittelpunkt O auf der rechten Seite der Referenzskalenlinie befindet, des Abstandes L<0, wenn sich der Mittelpunkt O auf der linken Seite der Referenzskalenlinie befindet:
      • Bestimmen, dass die Drehrichtung des Wafers gegen den Uhrzeigersinn verläuft, wenn der Abstand L>0 ist; oder,
      • Bestimmen, dass die Drehrichtung des Wafers W im Uhrzeigersinn ist, wenn der Abstand L<0.
  • Es ist zu beachten, dass, da der Durchmesser des Wafers W relativ groß ist, in den Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung, wie in 6 veranschaulicht, L ungefähr als die lineare Verschiebung des äußeren Durchmessers des Wafers W angesehen wird. Gleichzeitig ist der Abstand D zwischen dem Mittelpunkt O und dem Mittelpunkt O1 des Wafers W in der XO1Y-Ebene des kartesischen Koordinatensystems der Koordinatenwert der Y-Achse des Mittelpunkts O des konzentrischen Kreises.
  • Darüber hinaus ist zu beachten, dass in den Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung die Position des Mittelpunkts O und der eingestellten Referenzskalenlinie beispielhaft in der XO1Y-Ebene positioniert ist, wie in den 4 und 5 veranschaulicht. Befindet sich der Mittelpunkt O in der Ebene XO1Y auf der rechten Seite der Referenzskalenlinie, so ist L>0; befindet sich der Mittelpunkt O auf der linken Seite der Referenzskalenlinie, so ist L<0.
  • Für die vorstehenden Beispiele, insbesondere bezogen auf 6, wenn sich der Mittelpunkt der V-Typ-Kerbe an einer Position I befindet (angegeben durch den gestrichelten konzentrischen Kreis), kann der Drehwinkel des Wafers W nach der vorstehenden Formel berechnet werden, um den Mittelpunkt der V-Typ-Kerbe zu einer Zielposition II zu drehen (angegeben durch den doppelt gestrichelten konzentrischen Kreis). Es ist zu verstehen, dass, damit der Mittelpunkt der V-Typ-Kerbe mit der Referenzskalenlinie übereinstimmt, in 6, weil L<0, bestimmt werden kann, dass die Drehrichtung des Wafers W im Uhrzeigersinn ist, wie in den Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung definiert. Das heißt, der Servomotor 50 betreibt den Wafer W so, dass er sich um den Drehwinkel im Uhrzeigersinn dreht, so dass der Mittelpunkt der V-Typ-Kerbe in die Zielposition II gedreht wird und schließlich mit der Referenzskalenlinie zusammenfällt.
  • Andererseits können die Randdaten der V-Typ-Kerbe nach dem Betreiben des Wafers W zum Drehen entsprechend dem Drehwinkel und der Drehrichtung des Wafers W erneut gesammelt werden, indem der Linienlaser-Konturerkennungssensor 30 verwendet wird, und die Schritte S301 und S302 können ausgeführt werden, um sicherzustellen, dass der Mittelpunkt der V-Typ-Kerbe mit der Referenzskalenlinie übereinstimmt.
  • Basierend auf der gleichen Konzeption wie die vorstehende technische Lösung, bezugnehmend auf 7, veranschaulicht 7 ein Positionierungssystem 1 zum Positionieren eines Mittelpunkts einer V-Typ-Kerbe eines Wafers W entsprechend einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung. Das System 1 umfasst: einen ersten Bestimmungsabschnitt 701, einen Beurteilungsabschnitt 702, einen zweiten Bestimmungsabschnitt 703 und einen Drehabschnitt 704; wobei
    der erste Bestimmungsabschnitt 701 eingerichtet ist, um basierend auf gesammelten Randdaten einer V-Typ-Kerbe eines Wafers W einen Mittelpunkt eines konzentrischen Kreises zu bestimmen, der den Rändern der V-Typ-Kerbe entspricht;
    der Beurteilungsabschnitt 702 eingerichtet ist, basierend auf einer Positionsbeziehung zwischen dem Mittelpunkt und einer eingestellten Referenzskalenlinie zu beurteilen, ob sich die V-Typ-Kerbe an einer vorgegebenen Zielposition befindet;
    der zweite Bestimmungsabschnitt 703 eingerichtet ist, um basierend auf der Positionsbeziehung zwischen dem Mittelpunkt und der eingestellten Referenzskalenlinie eine Drehrichtung und einen Drehwinkel des Wafers W zu bestimmen, wenn sich die V-Typ-Kerbe außerhalb der vorgegebenen Zielposition befindet;
    der Drehabschnitt 704 eingerichtet ist, um entsprechend der Drehrichtung und dem Drehwinkel des Wafers W den Wafer W so zu drehen, dass die V-Typ-Kerbe in die vorgegebene Zielposition im Mittelpunkt gedreht wird.
  • Bei den vorstehenden Lösungen ist der erste Bestimmungsabschnitt 701 eingerichtet zum:
    • Drehen des Wafers W so, dass die V-Typ-Kerbe unter einen Linienlaser-Konturerkennungssensor 30 gedreht wird (wie in den 1 und 2 veranschaulicht);
    • Verwenden des Linienlaser-Konturerkennungssensors 30 zum Sammeln der Koordinaten jedes Randpunktes der V-Typ-Kerbe;
    • Verwenden eines Verfahrens der kleinsten Rechtecke, um basierend auf den Koordinaten jedes Randpunktes die Koordinate (XO, YO) des Mittelpunktes O des konzentrischen Kreises zu erhalten, der den Rändern der V-Typ-Kerbe entspricht.
  • Bei den vorstehenden Lösungen ist der erste Bestimmungsabschnitt 701 eingerichtet zum:
    • Auswählen von drei sich nicht wiederholenden Randpunkten und Verwenden des Verfahrens der kleinsten Rechtecke zum Einpassen und Erhalten, basierend auf den Koordinaten der drei sich nicht wiederholenden Randpunkte, der Koordinate (XO, YO) des Mittelpunkts O, der dem Rand der V-Typ-Kerbe entspricht.
  • Bei den vorstehenden Lösungen ist der Beurteilungsabschnitt 702 eingerichtet zum:
    • Erhalten eines Abstandes L zwischen dem Mittelpunkt O und der eingestellten Referenzskalenlinie;
    • Bestimmen, dass sich die V-Typ-Kerbe an der vorgegebenen Zielposition im Mittelpunkt befindet, wenn der Abstand L=0 oder der Abstand L in einem vorgegebenen Bereich liegt;
    • Bestimmen, dass sich die V-Typ-Kerbe außerhalb der vorgegebenen Zielposition befindet und weiteres Positionieren des Mittelpunkts der V-Typ-Kerbe, wenn der Abstand L außerhalb eines vorgegebenen Bereichs liegt;
    • wobei der vorgegebene Bereich der Abstand L=0±0,001mm zwischen dem Mittelpunkt O des konzentrischen Kreises und der eingestellten Referenzskalenlinie ist;
  • Bei den vorstehenden Lösungen ist der zweite Bestimmungsabschnitt 703 eingerichtet zum:
    • Bestimmen, entsprechend einer Formel θ = 180L/πD, eines Drehwinkels θ des Wafers basierend auf dem Abstand L zwischen dem Mittelpunkt O und der eingestellten Referenzskalenlinie und einem Abstand D zwischen dem Mittelpunkt O und einem Mittelpunkt O1 des Wafers, wenn sich die V-Typ-Kerbe außerhalb der vorgegebenen Zielposition befindet;
    • Bestimmen, basierend auf der Positionsbeziehung zwischen dem Mittelpunkt O und der eingestellten Referenzskalenlinie, der Drehrichtung des Wafers W.
  • Bei den vorstehenden Lösungen ist der zweite Bestimmungsabschnitt 703 eingerichtet zum:
    • Einstellen des Abstandes L>0 in einer XO1Y-Ebene eines kartesischen Koordinatensystems, wenn sich der Mittelpunkt O auf der rechten Seite der Referenzskalenlinie befindet, des Abstandes L<0, wenn sich der Mittelpunkt O auf der linken Seite der Referenzskalenlinie befindet:
      • Bestimmen, dass die Drehrichtung des Wafers gegen den Uhrzeigersinn verläuft, wenn der Abstand L>0 ist; oder,
      • Bestimmen, dass die Drehrichtung des Wafers W im Uhrzeigersinn ist, wenn der Abstand L<0.
  • Es ist zu verstehen, dass in der Ausführungsform und anderen Ausführungsformen „Abschnitt“ ein Abschnitt einer Schaltung, ein Abschnitt eines Prozessors, ein Abschnitt eines Programms oder einer Software und dergleichen sein kann, natürlich auch eine Einheit sein kann und auch modular und nicht-modular sein kann.
  • Darüber hinaus können in dieser Ausführungsform verschiedene Komponenten in eine einzige Verarbeitungseinheit integriert werden, jede Einheit kann physisch separat existieren, oder zwei oder mehr Einheiten können in eine Einheit integriert werden. Die vorstehend genannten integrierten Einheiten können in einem Hardware-Funktionsmodul oder in einem Software-Funktionsmodul implementiert werden.
  • Werden die integrierten Einheiten in Form von Software-Funktionseinheiten realisiert und nicht als eigenständige Produkte verkauft oder verwendet, können sie auf einem computerlesbaren Speichermedium gespeichert werden. Basierend auf diesem Verständnis kann die Essenz der technischen Lösung der vorliegenden Offenbarung oder der Teil, der zum verwandten Stand der Technik beiträgt, oder der Teil der technischen Lösung in der Form eines Softwareprodukts verkörpert werden. Das Computer-Software-Produkt ist auf einem Speichermedium gespeichert und enthält mehrere Anweisungen, die es einem Computergerät (bei dem es sich um einen Personalcomputer, einen Server oder ein Netzwerkgerät usw. handeln kann) oder einem Prozessor ermöglichen, alle oder einen Teil der Schritte der Verfahren auszuführen, die in verschiedenen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung beschrieben sind. Das Speichermedium umfasst verschiedene Medien, die in der Lage sind, Programmcodes zu speichern, wie z. B. U-Disk, mobile Festplatten, ROM, RAM, Magnetplatten oder optische Platten.
  • Daher stellt eine Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ein Computerspeichermedium bereit, das ein Programm zum Positionieren eines Mittelpunkts einer V-Typ-Kerbe eines Wafers W umfasst. Das Programm zum Positionieren eines Mittelpunkts einer V-Typ-Kerbe eines Wafers W wird von mindestens einem Prozessor ausgeführt, um das Verfahren zum Positionieren eines Mittelpunkts einer V-Typ-Kerbe eines Wafers W in den oben genannten technischen Lösungen durchzuführen.
  • Es ist zu beachten, dass die in den Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung beschriebenen technischen Lösungen beliebig kombiniert werden können, ohne dass es zu Konflikten kommt.
  • Die obigen Ausführungen sind nur eine spezifische Ausführung der Offenbarung, aber der Schutzbereich der vorliegenden Offenbarung ist nicht darauf beschränkt. Der Fachmann kann im Rahmen der Lehre dieser Anmeldung verschiedene Variationen vornehmen, ohne vom Geist dieser Anmeldung und dem Schutzbereich der Ansprüche abzuweichen, und diese Variationen fallen alle in den Schutzbereich dieser Anmeldung. Daher sollte der Schutzumfang der vorliegenden Offenbarung auf dem Schutzumfang der genannten Ansprüche basieren.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • CN 202111228898 [0001]

Claims (7)

  1. Verfahren zum Positionieren des Mittelpunkts einer V-Typ-Kerbe eines Wafers, umfassend: Bestimmen, basierend auf den gesammelten Randdaten der V-Typ-Kerbe des Wafers, eines Mittelpunkts eines konzentrischen Kreises, der den Rändern der V-Typ-Kerbe entspricht; wobei das Bestimmen, basierend auf den gesammelten Randdaten der V-Typ-Kerbe des Wafers, des Mittelpunkts des konzentrischen Kreises, der den Rändern der V-Typ-Kerbe entspricht, umfasst: Drehen des Wafers, bis die V-Typ-Kerbe bis unter einen Linienlaser-Konturerkennungssensor gedreht ist; Verwenden des Linienlaser-Konturerkennungssensors zum Sammeln der Koordinaten jedes Randpunktes der V-Typ-Kerbe; Erhalten, basierend auf den Koordinaten jedes Randpunktes, der Koordinate (XO, YO) eines Mittelpunktes O des konzentrischen Kreises, der den Rändern der V-Typ-Kerbe entspricht, unter Verwendung der kleinsten Rechtecke; Beurteilen, basierend auf einer Positionsbeziehung zwischen dem Mittelpunkt und einer eingestellten Referenzskalenlinie, ob sich die V-Typ-Kerbe an einer vorgegebenen Zielposition befindet; wobei das Beurteilen, basierend auf der Positionsbeziehung zwischen dem Mittelpunkt und der eingestellten Referenzskalenlinie, ob sich die V-Typ-Kerbe an einer vorgegebenen Zielposition befindet, umfasst: Erhalten eines Abstandes L zwischen dem Mittelpunkt O und der eingestellten Referenzskalenlinie; Bestimmen, dass sich die V-Typ-Kerbe an der vorgegebenen Zielposition im Mittelpunkt befindet, wenn der Abstand L=0 oder der Abstand L in einem vorgegebenen Bereich liegt; Bestimmen, dass sich die V-Typ-Kerbe außerhalb der vorgegebenen Zielposition befindet, und weiteres Positionieren des Mittelpunkts der V-Typ-Kerbe, wenn der Abstand L außerhalb eines vorgegebenen Bereichs liegt; wobei der vorgegebene Bereich dem Abstand L=0±0,001mm zwischen dem Mittelpunkt O des konzentrischen Kreises und der eingestellten Referenzskalenlinie entspricht; Bestimmen, basierend auf der Positionsbeziehung zwischen dem Mittelpunkt und der eingestellten Referenzskalenlinie, einer Drehrichtung und eines Drehwinkels des Wafers, wenn sich die V-Typ-Kerbe außerhalb der vorgegebenen Zielposition des Mittelpunkts befindet; und Betreiben, entsprechend der Drehrichtung und des Drehwinkels des Wafers, des Wafers zum Drehen, bis die V-Typ-Kerbe in die vorgegebene Zielposition im Mittelpunkt gedreht ist.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Erhalten von Koordinaten (XO, YO) eines Mittelpunkts O des konzentrischen Kreises, der den Rändern der V-Typ-Kerbe entspricht, basierend auf den Koordinaten jedes Randpunkts unter Verwendung der kleinsten Rechtecke, umfasst: Auswählen von drei sich nicht wiederholenden Randpunkten und Einpassen und Erhalten, basierend auf den Koordinaten der drei sich nicht wiederholenden Randpunkte, der Koordinate (XO, YO) des Mittelpunkts O, die den Rändern der V-Typ-Kerbe entspricht, indem die kleinsten Rechtecke verwendet werden.
  3. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Bestimmen, basierend auf der Positionsbeziehung zwischen dem Mittelpunkt und der eingestellten Referenzskalenlinie, der Drehrichtung und des Drehwinkels des Wafers, wenn sich die V-Typ-Kerbe außerhalb der vorgegebenen Zielposition befindet, umfasst: Bestimmen, entsprechend einer Formel θ = 180L/πD, eines Drehwinkels θ des Wafers basierend auf dem Abstand L zwischen dem Mittelpunkt O und der eingestellten Referenzskalenlinie und einem Abstand D zwischen dem Mittelpunkt O und einem Mittelpunkt O1 des Wafers, wenn sich die V-Typ-Kerbe außerhalb der vorgegebenen Zielposition befindet; Bestimmen, basierend auf der Positionsbeziehung zwischen dem Mittelpunkt O und der vorgegebenen Referenzskalenlinie, der Drehrichtung des Wafers.
  4. Verfahren nach Anspruch 3, wobei das Bestimmen, basierend auf der Positionsbeziehung zwischen dem Mittelpunkt O und der eingestellten Referenzskalenlinie, die Drehrichtung des Wafers umfasst: Einstellen, des Abstandes L>0 in einer XO1Y-Ebene eines kartesischen Koordinatensystems, wenn sich der Mittelpunkt O rechts von der Referenzskalenlinie befindet, des Abstandes L<0 wenn sich der Mittelpunkt O links von der Referenzskalenlinie befindet; Bestimmen, dass die Drehrichtung des Wafers gegen den Uhrzeigersinn verläuft, wenn der Abstand L>0 ist; oder, Bestimmen, dass die Drehrichtung des Wafers im Uhrzeigersinn verläuft, wenn der Abstand L<0 ist.
  5. Positionierungssystem für einen Mittelpunkt einer V-Typ-Kerbe eines Wafers, umfassend: einen ersten Bestimmungsabschnitt, einen Beurteilungsabschnitt, einen zweiten Bestimmungsabschnitt und einen Drehabschnitt; wobei der erste Bestimmungsabschnitt eingerichtet ist, um basierend auf gesammelten Randdaten der V-Typ-Kerbe des Wafers einen Mittelpunkt eines konzentrischen Kreises zu bestimmen, der den Rändern der V-Typ-Kerbe entspricht; wobei das Bestimmen des Mittelpunktes des konzentrischen Kreises, der den Rändern der V-Typ-Kerbe entspricht, basierend auf den gesammelten Randdaten der V-Typ-Kerbe des Wafers umfasst: Drehen des Wafers, bis die V-Typ-Kerbe unter einen Linienlaser-Konturerkennungssensor gedreht ist; Verwenden des Linienlaser-Konturerkennungssensors zum Sammeln der Koordinaten jedes Randpunktes der V-Typ-Kerbe; Erhalten, basierend auf den Koordinaten jedes Randpunktes, der Koordinate (XO, YO) des Mittelpunktes O des konzentrischen Kreises, der dem Rand der V-Typ-Kerbe entspricht, unter Verwendung der kleinsten Rechtecke; der Beurteilungsabschnitt eingerichtet ist, um basierend auf einer Positionsbeziehung zwischen dem Mittelpunkt und einer eingestellten Referenzskalenlinie zu beurteilen, ob sich die V-Typ-Kerbe an einer vorgegebenen Zielposition befindet; wobei das Beurteilen, basierend auf der Positionsbeziehung zwischen dem Mittelpunkt und der eingestellten Referenzskalenlinie, ob sich die V-Typ-Kerbe an einer vorgegebenen Zielposition befindet, umfasst: Erhalten eines Abstandes L zwischen dem Mittelpunkt O und der vorgegebenen Referenzskalenlinie; Bestimmen, dass sich die V-Typ-Kerbe an der vorgegebenen Zielposition im Mittelpunkt befindet, wenn der Abstand L=0 oder der Abstand L in einem vorgegebenen Bereich liegt; Bestimmen, dass sich die V-Typ-Kerbe außerhalb der vorgegebenen Zielposition befindet, und weiteres Positionieren des Mittelpunkts der V-Typ-Kerbe, wenn der Abstand L außerhalb eines vorgegebenen Bereichs liegt; wobei der vorgegebene Bereich dem Abstand L=0±0,001mm zwischen dem Mittelpunkt O des konzentrischen Kreises und der eingestellten Referenzskalenlinie entspricht; der zweite Bestimmungsabschnitt eingerichtet ist, um basierend auf der Positionsbeziehung zwischen dem Mittelpunkt und der eingestellten Referenzskalenlinie eine Drehrichtung und einen Drehwinkel des Wafers zu bestimmen, wenn sich die V-Typ-Kerbe außerhalb der vorgegebenen Zielposition des Mittelpunkts befindet; der Drehabschnitt eingerichtet ist, um entsprechend der Drehrichtung und des Drehwinkels des Wafers den Wafer zu drehen, bis die V-Typ-Kerbe in die vorgegebene Zielposition im Mittelpunkt gedreht ist.
  6. System zum Positionieren eines Mittelpunkts einer V-Typ-Kerbe eines Wafers umfassend: eine Positionierungsrückplatte zum Positionieren eines Wafers mit dem Mittelpunkt der V-Typ-Kerbe, einen Saugnapf, einen Linienlaser-Konturerkennungssensor, eine Datenverarbeitungsvorrichtung, und einen Servomotor; wobei die Positionierungsrückplatte ist mit einem kreisförmigen Loch bereitgestellt, das mit dem Saugnapf zusammenwirkt, und der Saugnapf ist in das kreisförmige Loch eingelassen; der Saugnapf wird zum Aufnehmen des Wafers verwendet, wobei die Rückseite des Wafers fest an der Positionierungsrückplatte befestigt ist; der Linienlaser-Konturerkennungssensor wird verwendet, um Randdaten der V-Typ-Kerbe zu sammeln; die Datenverarbeitungsvorrichtung ist eingerichtet, um: Bestimmen, basierend auf gesammelten Randdaten der V-Typ-Kerbe des Wafers, eines Mittelpunkts eines konzentrischen Kreises, der den Rändern der V-Typ-Kerbe entspricht; wobei das Bestimmen, basierend auf den gesammelten Randdaten der V-Typ-Kerbe des Wafers, des Mittelpunkts des konzentrischen Kreises, der den Rändern der V-Typ-Kerbe entspricht, umfasst: Drehen des Wafers, bis die V-Typ-Kerbe unter einen Linienlaser-Konturerkennungssensor gedreht ist; Verwenden des Linienlaser-Konturerkennungssensors zum Sammeln der Koordinaten jedes Randpunktes der V-Typ-Kerbe; Erhalten, basierend auf den Koordinaten jedes Randpunktes, der Koordinate (XO, YO) des Mittelpunktes O des konzentrischen Kreises, der den Rändern der V-Typ-Kerbe entspricht, unter Verwendung der kleinsten Rechtecke; Beurteilen, basierend auf einer Positionsbeziehung zwischen dem Mittelpunkt und einer eingestellten Referenzskalenlinie, ob sich die V-Typ-Kerbe an einer vorgegebenen Zielposition befindet; wobei das Beurteilen, basierend auf der Positionsbeziehung zwischen dem Mittelpunkt und der eingestellten Referenzskalenlinie, ob sich die V-Typ-Kerbe an einer vorgegebenen Zielposition befindet, umfasst: Erhalten eines Abstandes L zwischen dem Mittelpunkt O und der vorgegebenen Referenzskalenlinie; Bestimmen, dass sich die V-Typ-Kerbe an der vorgegebenen Zielposition im Mittelpunkt befindet, wenn der Abstand L=0 oder der Abstand L in einem vorgegebenen Bereich liegt; Bestimmen, dass sich die V-Typ-Kerbe außerhalb der vorgegebenen Zielposition befindet und weiteres Positionieren des Mittelpunkts der V-Typ-Kerbe, wenn der Abstand L außerhalb eines vorgegebenen Bereichs liegt; wobei der vorgegebene Bereich der Abstand L=0±0,001mm zwischen dem Mittelpunkt O des konzentrischen Kreises und der eingestellten Referenzskalenlinie ist; Bestimmen, basierend auf der Positionsbeziehung zwischen dem Mittelpunkt und der eingestellten Referenzskalenlinie, einer Drehrichtung und eines Drehwinkels des Wafers, wenn sich die V-Typ-Kerbe nicht in der vorgegebenen Zielposition befindet; und, Ausgeben eines Steuersignals, entsprechend der Drehrichtung und des Drehwinkels des Wafers; der Servomotor eingerichtet ist, den Wafer so zu betreiben, dass er sich im Uhrzeigersinn oder gegen den Uhrzeigersinn dreht, bis sich die V-Typ-Kerbe unterhalb des Linienlaser-Konturerkennungssensors befindet; und basierend auf dem Steuersignal den Wafer so zu betreiben, dass er sich entsprechend der Drehrichtung und des Drehwinkels des Wafers dreht, bis die V-Typ-Kerbe in die vorgegebene Zielposition im Mittelpunkt gedreht ist.
  7. Computerspeichermedium mit einem Programm zum Positionieren eines Mittelpunkts einer V-Typ-Kerbe eines Wafers, das darin gespeichert ist; wobei das Programm von mindestens einem Prozessor ausgeführt wird, um das Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4 durchzuführen.
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113658901B (zh) * 2021-10-21 2022-01-21 西安奕斯伟材料科技有限公司 晶圆v型缺口中心的定位方法、系统及计算机存储介质
CN114178931A (zh) * 2021-12-27 2022-03-15 江西兆驰半导体有限公司 蓝宝石晶片v型notch槽的倒角加工定位装置及方法
CN115107179B (zh) * 2022-08-29 2022-12-09 江苏京创先进电子科技有限公司 晶圆定位缺口切割方法及系统
CN117153755B (zh) * 2023-10-26 2024-02-09 迈为技术(珠海)有限公司 一种晶圆对中方法、晶圆洗边方法以及晶圆对中机构
CN117259144B (zh) * 2023-11-20 2024-03-12 常州铭赛机器人科技股份有限公司 晶圆围坝涂胶控制方法、设备及其介质

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100328634B1 (ko) * 1998-12-22 2002-09-26 주식회사 다산 씨.앤드.아이 웨이퍼 프로브 시스템의 웨이퍼 핸들링 장치에서의 사전 정렬장치
CN100355055C (zh) * 2005-10-28 2007-12-12 清华大学 硅晶圆预对准控制方法
JP5190666B2 (ja) * 2007-07-25 2013-04-24 信越半導体株式会社 貼り合わせウェーハの回転角度の測定方法
CN103117207B (zh) * 2011-11-16 2015-08-19 蔡宜兴 首颗晶粒的自动定位方法
CN103199048A (zh) * 2012-01-05 2013-07-10 沈阳新松机器人自动化股份有限公司 晶圆预对准控制方法
CN103199046B (zh) * 2012-01-05 2015-09-09 沈阳新松机器人自动化股份有限公司 晶圆缺口边缘中心预对准方法
CN103206916B (zh) * 2013-03-26 2015-08-05 洛阳轴研科技股份有限公司 一种带v形缺口回转件转动角度的信号采集方法
CN103234991B (zh) * 2013-04-01 2015-11-25 合肥晶桥光电材料有限公司 一种晶体材料晶向的测量方法
CN107393855B (zh) * 2016-05-17 2020-10-09 上海新昇半导体科技有限公司 一种晶圆定位装置及方法
CN109473388B (zh) * 2017-09-07 2020-11-24 上海新昇半导体科技有限公司 一种晶圆寻边装置
CN110712309B (zh) * 2019-11-15 2021-12-17 西安奕斯伟材料科技有限公司 一种晶棒的加工方法及晶片
CN113327863B (zh) * 2020-02-28 2022-06-21 芯恩(青岛)集成电路有限公司 半导体工艺方法
TWM604487U (zh) * 2020-05-08 2020-11-21 特銓股份有限公司 用於無線靜電吸盤之粘脫設備及其自動粘脫系統
TWM605382U (zh) * 2020-07-23 2020-12-11 三和技研股份有限公司 晶圓缺口整平裝置
CN112103201B (zh) * 2020-09-24 2021-03-16 无锡卓海科技有限公司 一种自动校准补偿的透明晶圆表面曲率半径测量方法
CN113658901B (zh) * 2021-10-21 2022-01-21 西安奕斯伟材料科技有限公司 晶圆v型缺口中心的定位方法、系统及计算机存储介质

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