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TECHNISCHES GEBIET
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Die vorliegende Erfindung betrifft eine Schallwellenvorrichtung, die ein Schallwellenelement enthält, oder betrifft insbesondere eine Technologie zum Verringern einer Verschlechterung von Eigenschaften eines Multiplexers, der mehrere Schallwellenelemente enthält, aufgrund eines Temperaturanstiegs.
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STAND DER TECHNIK
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Die internationale Publikation Nr. 2013/146374 (Patentdokument 1) offenbart eine Struktur, die mehrere Schallwellenelemente enthält, die durch Flip-Chip-Bonden auf einer Montageplatte montiert sind. In der Schallwellenvorrichtung, die in der internationalen Publikation Nr. 2013/146374 (Patentdokument 1) offenbart ist, sind die Schallwellenelemente auf der Montageplatte mit Harz vergossen, und eine Stützplatte, die die Schallwellenelemente bildet, ist in direktem Kontakt mit einem hoch-wärmeleitfähigen Element angeordnet. Diese Struktur kann die durch die Schallwellenelemente erzeugte Wärme sofort über das hoch-wärmeleitfähige Element nach außen dissipieren. Somit kann die Schallwellenvorrichtung die Wärmedissipationsleistung verbessern und eine Verschlechterung der Eigenschaften der Schallwellenvorrichtung reduzieren.
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Zitierungsliste
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Patentdokument
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Patentdokument 1: Internationale Publikation Nr. 2013/ 146374
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KURZDARSTELLUNG DER ERFINDUNG
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Technisches Problem
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In einer solchen Struktur wie der in der internationalen Publikation Nr. 2013/146374 (Patentdokument 1) kann die durch ein Schallwellenelement erzeugte Wärme über das Vergussharz und das hoch-wärmeleitfähige Element zu einem anderen Schallwellenelement übertragen werden.
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Das Material des piezoelektrischen Substrats, das die Schallwellenelemente bildet, kann zwischen den Schallwellenelementen variieren. In diesem Fall können die Schallwellenelemente unterschiedliche Temperatureigenschaften aufweisen. Wenn die durch ein Schallwellenelement erzeugte Wärme über das Vergussharz oder das hoch-wärmeleitfähige Element zur Wärmedissipation zu einem anderen Schallwellenelement übertragen wird, so können die Eigenschaften des anderen Schallwellenelements beeinträchtigt werden.
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Die vorliegende Offenbarung dient dem Zweck, ein solches Problem zu lösen, und hat zur Aufgabe, eine Verschlechterung der Eigenschaften einer Schallwellenvorrichtung, die mehrere Schallwellenelemente enthält, infolge von Wärme zu reduzieren.
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Lösung des Problems
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Eine Schallwellenvorrichtung gemäß einem ersten Aspekt der vorliegenden Offenbarung enthält eine Montageplatte, ein erstes Filter und ein zweites Filter, die auf der Montageplatte angeordnet sind, eine Harzschicht, die das erste Filter und das zweite Filter vergießt, und eine elektrisch leitfähige Schicht, die die Harzschicht bedeckt. Das zweite Filter ist so angeordnet, dass es in einer ersten Richtung neben dem ersten Filter liegt. Das zweite Filter hat ein Durchlassband, das höher ist als das Durchlassband des ersten Filters. Sowohl das erste Filter als auch das zweite Filter enthalten ein piezoelektrisches Substrat und einen Schallwellenresonator, der auf dem piezoelektrischen Substrat angeordnet ist. Das erste Filter steht mit der elektrisch leitfähigen Schicht in Kontakt, und das zweite Filter steht nicht mit der elektrisch leitfähigen Schicht in Kontakt. Das zweite Filter ist entweder ein Abzweig-Schallwellenfilter, das mindestens einen Parallelarmresonator und mindestens einen Reihenarmresonator enthält, oder ein längsgekoppeltes Schallwellenfilter, das mindestens einen längsgekoppelten Resonator enthält. Ein Wärmewiderstandswert des piezoelektrischen Substrats in dem zweiten Filter in der ersten Richtung ist größer als ein Wärmewiderstandswert des piezoelektrischen Substrats in dem ersten Filter in der ersten Richtung. Das zweite Filter hat die Eigenschaft, das Durchlassband in Reaktion auf einen Temperaturanstieg des piezoelektrischen Substrats des zweiten Filters abzusenken. In Bezug auf eine virtuelle Linie, die senkrecht zu der ersten Richtung und durch eine Mitte des piezoelektrischen Substrats des zweiten Filters hindurch verläuft, wird eine Region des piezoelektrischen Substrats, die näher bei dem ersten Filter liegt, als eine erste Region definiert, und eine Region des piezoelektrischen Substrats, die der Region, die näher bei dem ersten Filter liegt, gegenüberliegt, wird als eine zweite Region definiert. Die Gesamtheit des mindestens einen Parallelarmresonators, der in dem Abzweig-Schallwellenfilter enthalten ist, ist als ein Parallelarmschaltkreis definiert, die Gesamtheit des mindestens einen Reihenarmresonators ist als ein Reihenarmschaltkreis definiert, und die Gesamtheit des mindestens einen längsgekoppelten Resonators, der in dem längsgekoppelten Schallwellenfilter enthalten ist, ist als ein längsgekoppelter Schaltkreis definiert. Bereiche in der ersten Region und der zweiten Region, wo der Schallwellenresonator, der in dem Parallelarmschaltkreis oder dem längsgekoppelten Schaltkreis enthalten ist, ausgebildet ist, sind als ein erster Bereich und ein zweiter Bereich definiert. Der zweite Bereich ist größer als der erste Bereich.
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Eine Schallwellenvorrichtung gemäß einem zweiten Aspekt der vorliegenden Offenbarung enthält eine Montageplatte, ein erstes Filter und ein zweites Filter, die auf der Montageplatte angeordnet sind, eine Harzschicht, die das erste Filter und das zweite Filter vergießt, und eine elektrisch leitfähige Schicht, die die Harzschicht bedeckt. Das zweite Filter ist so angeordnet, dass es in einer ersten Richtung neben dem ersten Filter liegt. Das zweite Filter hat ein Durchlassband, das höher ist als das Durchlassband des ersten Filters. Sowohl das erste Filter als auch das zweite Filter enthalten ein piezoelektrisches Substrat und einen Schallwellenresonator, der auf dem piezoelektrischen Substrat angeordnet ist. Das erste Filter steht mit der elektrisch leitfähigen Schicht in Kontakt, und das zweite Filter steht nicht mit der elektrisch leitfähigen Schicht in Kontakt. Das zweite Filter ist entweder ein Abzweig-Schallwellenfilter, das mindestens einen Parallelarmresonator und mindestens einen Reihenarmresonator enthält, oder ein längsgekoppeltes Schallwellenfilter, das mindestens einen längsgekoppelten Resonator enthält. Ein Wärmewiderstandswert des piezoelektrischen Substrats in dem zweiten Filter in der ersten Richtung ist größer als ein Wärmewiderstandswert des piezoelektrischen Substrats in dem ersten Filter in der ersten Richtung. Das zweite Filter hat die Eigenschaft, das Durchlassband in Reaktion auf einen Temperaturanstieg des piezoelektrischen Substrats des zweiten Filters anzuheben. In Bezug auf eine virtuelle Linie, die senkrecht zu der ersten Richtung und durch eine Mitte des piezoelektrischen Substrats des zweiten Filters hindurch verläuft, wird eine Region des piezoelektrischen Substrats, die näher bei dem ersten Filter liegt, als eine erste Region definiert, und eine Region des piezoelektrischen Substrats, die der Region, die näher bei dem ersten Filter liegt, gegenüberliegt, wird als eine zweite Region definiert. Die Gesamtheit des mindestens einen Parallelarmresonators, der in dem Abzweig-Schallwellenfilter enthalten ist, ist als ein Parallelarmschaltkreis definiert, die Gesamtheit des mindestens einen Reihenarmresonators ist als ein Reihenarmschaltkreis definiert, und die Gesamtheit des mindestens einen längsgekoppelten Resonators, der in dem längsgekoppelten Schallwellenfilter enthalten ist, ist als ein längsgekoppelter Schaltkreis definiert. Bereiche in der ersten Region und der zweiten Region, wo der Schallwellenresonator, der in dem Parallelarmschaltkreis oder dem längsgekoppelten Schaltkreis enthalten ist, ausgebildet ist, sind als ein erster Bereich und ein zweiter Bereich definiert. Der erste Bereich ist größer als der zweite Bereich.
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Eine Schallwellenvorrichtung gemäß einem dritten Aspekt der vorliegenden Offenbarung enthält eine Montageplatte, ein erstes Filter und ein zweites Filter, die auf der Montageplatte angeordnet sind, eine Harzschicht, die das erste Filter und das zweite Filter vergießt, und eine elektrisch leitfähige Schicht, die die Harzschicht bedeckt. Das zweite Filter ist so angeordnet, dass es in einer ersten Richtung neben dem ersten Filter liegt. Das zweite Filter hat ein Durchlassband, das niedriger ist als das Durchlassband des ersten Filters. Sowohl das erste Filter als auch das zweite Filter enthalten ein piezoelektrisches Substrat und einen Schallwellenresonator, der auf dem piezoelektrischen Substrat angeordnet ist. Das erste Filter steht mit der elektrisch leitfähigen Schicht in Kontakt, und das zweite Filter steht nicht mit der elektrisch leitfähigen Schicht in Kontakt. Das zweite Filter ist entweder ein Abzweig-Schallwellenfilter, das mindestens einen Parallelarmresonator und mindestens einen Reihenarmresonator enthält, oder ein längsgekoppeltes Schallwellenfilter, das mindestens einen längsgekoppelten Resonator enthält. Ein Wärmewiderstandswert des piezoelektrischen Substrats in dem zweiten Filter in der ersten Richtung ist größer als ein Wärmewiderstandswert des piezoelektrischen Substrats in dem ersten Filter in der ersten Richtung. Das zweite Filter hat die Eigenschaft, das Durchlassband in Reaktion auf einen Temperaturanstieg des piezoelektrischen Substrats des zweiten Filters anzuheben. In Bezug auf eine virtuelle Linie, die senkrecht zu der ersten Richtung und durch eine Mitte des piezoelektrischen Substrats des zweiten Filters hindurch verläuft, wird eine Region des piezoelektrischen Substrats, die näher bei dem ersten Filter liegt, als eine erste Region definiert, und eine Region des piezoelektrischen Substrats, die der Region, die näher bei dem ersten Filter liegt, gegenüberliegt, wird als eine zweite Region definiert. Die Gesamtheit des mindestens einen Parallelarmresonators, der in dem Abzweig-Schallwellenfilter enthalten ist, ist als ein Parallelarmschaltkreis definiert, die Gesamtheit des mindestens einen Reihenarmresonators ist als ein Reihenarmschaltkreis definiert, und die Gesamtheit des mindestens einen längsgekoppelten Resonators, der in dem längsgekoppelten Schallwellenfilter enthalten ist, ist als ein längsgekoppelter Schaltkreis definiert. Bereiche in der ersten Region und der zweiten Region, wo der Schallwellenresonator, der in der Reihenarmschaltkreis oder dem längsgekoppelten Schaltkreis enthalten ist, ausgebildet ist, sind als ein dritter Bereich und ein vierter Bereich definiert. Der vierte Bereich ist größer als der dritte Bereich.
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Eine Schallwellenvorrichtung gemäß einem vierten Aspekt der vorliegenden Offenbarung enthält eine Montageplatte, ein erstes Filter und ein zweites Filter, die auf der Montageplatte angeordnet sind, eine Harzschicht, die das erste Filter und das zweite Filter vergießt, und eine elektrisch leitfähige Schicht, die die Harzschicht bedeckt. Das zweite Filter ist so angeordnet, dass es in einer ersten Richtung neben dem ersten Filter liegt. Das zweite Filter hat ein Durchlassband, das niedriger ist als das Durchlassband des ersten Filters. Sowohl das erste Filter als auch das zweite Filter enthalten ein piezoelektrisches Substrat und einen Schallwellenresonator, der auf dem piezoelektrischen Substrat angeordnet ist. Das erste Filter steht mit der elektrisch leitfähigen Schicht in Kontakt, und das zweite Filter steht nicht mit der elektrisch leitfähigen Schicht in Kontakt. Das zweite Filter ist entweder ein Abzweig-Schallwellenfilter, das mindestens einen Parallelarmresonator und mindestens einen Reihenarmresonator enthält, oder ein längsgekoppeltes Schallwellenfilter, das mindestens einen längsgekoppelten Resonator enthält. Ein Wärmewiderstandswert des piezoelektrischen Substrats in dem zweiten Filter in der ersten Richtung ist größer als ein Wärmewiderstandswert des piezoelektrischen Substrats in dem ersten Filter in der ersten Richtung. Das zweite Filter hat die Eigenschaft, das Durchlassband in Reaktion auf einen Temperaturanstieg des piezoelektrischen Substrats des zweiten Filters abzusenken. In Bezug auf eine virtuelle Linie, die senkrecht zu der ersten Richtung und durch eine Mitte des piezoelektrischen Substrats des zweiten Filters hindurch verläuft, wird eine Region des piezoelektrischen Substrats, die näher bei dem ersten Filter liegt, als eine erste Region definiert, und eine Region des piezoelektrischen Substrats, die der Region, die näher bei dem ersten Filter liegt, gegenüberliegt, wird als eine zweite Region definiert. Die Gesamtheit des mindestens einen Parallelarmresonators, der in dem Abzweig-Schallwellenfilter enthalten ist, ist als ein Parallelarmschaltkreis definiert, die Gesamtheit des mindestens einen Reihenarmresonators ist als ein Reihenarmschaltkreis definiert, und die Gesamtheit des mindestens einen längsgekoppelten Resonators, der in dem längsgekoppelten Schallwellenfilter enthalten ist, ist als ein längsgekoppelter Schaltkreis definiert. Bereiche in der ersten Region und der zweiten Region, wo der Schallwellenresonator, der in der Reihenarmschaltkreis oder dem längsgekoppelten Schaltkreis enthalten ist, ausgebildet ist, sind als ein dritter Bereich und ein vierter Bereich definiert. Der dritte Bereich ist größer als der vierte Bereich.
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Vorteilhafte Auswirkungen der Erfindung
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In der Schallwellenvorrichtung gemäß der vorliegenden Offenbarung ist ein Schallwellenelement (ein erstes Filter), das einen relativ kleinen Wärmewiderstandswert aufweist, so angeordnet, dass es mit einer elektrisch leitfähigen Schicht, die den Außenumfang des Schallwellenelements bedeckt, in Kontakt steht, und ein Schallwellenelement (ein zweites Filter), das einen relativ großen Wärmewiderstandswert aufweist, ist so angeordnet, dass es nicht mit der elektrisch leitfähigen Schicht in Kontakt steht. Gemäß den Temperatureigenschaften der Frequenz des zweiten Filters, das einen relativ großen Wärmewiderstandswert aufweist, wird die Position des in dem zweiten Filter enthaltenen Schallwellenresonators bestimmt. Diese Struktur kann eine Verschlechterung der Eigenschaften der Schallwellenvorrichtung infolge von Wärme reduzieren.
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KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
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- 1 ist ein Schaubild eines Beispiels einer Schaltkreiskonfiguration einer Schallwellenvorrichtung gemäß einer ersten Ausführungsform.
- 2 ist eine Querschnittsansicht eines Multiplexers in 1.
- 3 ist ein Schaubild, das ein piezoelektrisches Substrat im Detail beschreibt.
- 4 ist eine Querschnittsansicht eines Multiplexers gemäß einem Vergleichsbeispiel.
- 5 ist ein Schaubild eines Beispiels einer Temperaturverteilungskarte in dem in 1 veranschaulichten Multiplexer.
- 6 ist ein Diagramm, das die Auswirkungen der Materialien der piezoelektrischen Substrate und des Kontaktzustands zwischen den piezoelektrischen Substraten und einer elektrisch leitfähigen Schicht auf die Filtertemperatur veranschaulicht.
- 7 ist ein Diagramm, das einen Verlust (Parallelanordnungsverlust) beschreibt, der in nebeneinander liegenden Filtern verursacht wird und sich in Reaktion auf einen Temperaturanstieg ändert.
- 8 ist ein Diagramm, das einen Parallelanordnungsverlust im Fall 1 beschreibt.
- 9 ist ein Schaubild, das eine Anordnung von Parallelarmresonatoreinheiten im Fall 1 beschreibt.
- 10 ist ein Schaubild, das Bereiche von Regionen beschreibt, in denen Schallwellenresonatoren ausgebildet werden.
- 11 ist ein Diagramm, das einen Parallelanordnungsverlust im Fall 2 beschreibt.
- 12 ist ein Schaubild, das eine Anordnung von Parallelarmresonatoreinheiten im Fall 2 beschreibt.
- 13 ist ein Diagramm, das einen Parallelanordnungsverlust im Fall 3 beschreibt.
- 14 ist ein Schaubild, das eine Anordnung von Reihenarmresonatoreinheiten im Fall 3 beschreibt.
- 15 ist ein Diagramm, das einen Parallelanordnungsverlust im Fall 4 beschreibt.
- 16 ist ein Schaubild, das eine Anordnung von Reihenarmresonatoreinheiten im Fall 4 beschreibt.
- 17 ist ein Beispiel einer Schaltkreiskonfiguration eines Multiplexers gemäß einer zweiten Ausführungsform.
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BESCHREIBUNG VON AUSFÜHRUNGSFORMEN
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Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung werden unten ausführlich unter Bezug auf die Zeichnungen beschrieben. In allen Zeichnungen werden gleiche oder äquivalente Komponenten mit den gleichen Bezugszeichen bezeichnet, ohne redundant beschrieben zu werden.
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[Erste Ausführungsform]
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(Struktur eines Multiplexers)
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1 ist ein Schaubild einer Schaltkreiskonfiguration eines Multiplexers 10, der als ein Beispiel einer Schallwellenvorrichtung gemäß einer ersten Ausführungsform dient. Der Multiplexer 10 ist ein Filter, das zum Beispiel für einen Sende-/Empfangsschaltkreis in einer Kommunikationsvorrichtung verwendet wird.
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Unter Bezug auf 1 enthält der Multiplexer 10 einen Antennenanschluss T1 sowie ein Sende(TX)-Filter 100 und ein Empfangs(RX)-Filter 200, die elektrisch mit einer Antenne ANT am Antennenanschluss T1 verbunden sind. Ein Beispiel des Multiplexers 10 in 1 ist ein Duplexer, der zwei Filter enthält.
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Das Filter 100 ist ein Abzweigfilter, das zwischen dem Antennenanschluss T1 und einem Sendeanschluss T2 verbunden ist. Das Filter 100 filtert ein an dem Sendeanschluss T2 empfangenes Signal und gibt das Signal von der Antenne ANT aus. Das Filter 100 lässt Signale in einem Durchlassband BW1 (erstes Durchlassband) passieren.
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Das Sendefilter 100 enthält einen Reihenarmschaltkreis, der Reihenarmresonatoreinheiten S1 bis S5 enthält, die zwischen dem Antennenanschluss T1 und dem Sendeanschluss T2 in Reihe geschaltet sind, und einen Parallelarmschaltkreis, der Parallelarmresonatoreinheiten P1 bis P4 enthält, die zwischen dem Reihenarmschaltkreis und einem Erdungspotenzial GND verbunden sind. Jede der Reihenarmresonatoreinheiten S1 bis S5 und der Parallelarmresonatoreinheiten P1 bis P4 enthält mindestens einen Schallwellenresonator. In dem Beispiel in 1 wird jede der Reihenarmresonatoreinheiten S1 und S5 und der Parallelarmresonatoreinheiten P1 bis P4 aus einem Schallwellenresonator gebildet, und jede der Reihenarmresonatoreinheiten S2 bis S4 wird aus zwei Schallwellenresonatoren gebildet. Die Anzahl der in jeder Resonatoreinheit enthaltenen Schallwellenresonatoren ist jedoch nicht auf diesen Fall beschränkt und kann gemäß den Eigenschaften des Filters zweckmäßig ausgewählt werden. Zum Beispiel kann ein Oberflächenschallwellen(Surface Acoustic Wave, SAW)-Resonator oder ein Volumenschallwellen(Bulk Acoustic Wave, BAW)-Resonator als jeder Schallwellenresonator verwendet werden.
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Die Parallelarmresonatoreinheit P1 hat ein erstes Ende, das mit einem Knoten zwischen der Reihenarmresonatoreinheit S1 und der Reihenarmresonatoreinheit S2 verbunden ist, und hat ein zweites Ende, das über eine Induktivität L1 mit dem Erdungspotenzial GND verbunden ist. Die Parallelarmresonatoreinheit P2 hat ein erstes Ende, das mit einem Knoten zwischen der Reihenarmresonatoreinheit S2 und der Reihenarmresonatoreinheit S3 verbunden ist, und hat ein zweites Ende, das wie in der Parallelarmresonatoreinheit P1 über die Induktivität L1 mit dem Erdungspotenzial GND verbunden ist. Die Parallelarmresonatoreinheit P3 hat ein erstes Ende, das mit einem Knoten zwischen der Reihenarmresonatoreinheit S3 und der Reihenarmresonatoreinheit S4 verbunden ist, und hat ein zweites Ende, das über die Induktivität L1 mit dem Erdungspotenzial GND verbunden ist, wie in den Fällen der Pallelarmresonatoreinheiten P1 und P2. Die Parallelarmresonatoreinheit P4 hat ein erstes Ende, das mit einem Knoten zwischen der Reihenarmresonatoreinheit S4 und der Reihenarmresonatoreinheit S5 verbunden ist, und hat ein zweites Ende, das über eine Induktivität L2 mit dem Erdungspotenzial GND verbunden ist.
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Der Empfangsfilter 200 ist ein Abzweigfilter, das zwischen dem Antennenanschluss T1 und einem Empfangsanschluss T3 verbunden ist. Das Filter 200 filtert ein an der Antenne ANT empfangenes Signal und gibt das Signal vom Empfangsanschluss T3 aus. Das Filter 200 lässt Signale in einem Durchlassband BW2 (zweites Durchlassband) passieren. Das Durchlassband BW2 des Filters 200 unterscheidet sich von dem Durchlassband BW1 des Filters 100. Das Filter 200 ist über eine Impedanzanpassungsinduktivität L11 mit dem Antennenanschluss T1 verbunden.
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Das Filter 200 enthält einen Reihenarmschaltkreis, der Reihenarmresonatoreinheiten S11 bis S14 enthält, die zwischen der Induktivität L11 und dem Empfangsanschluss T3 in Reihe geschaltet sind, und einen Reihenarmschaltkreis, der Parallelarmresonatoreinheiten P11 bis P14 enthält, die zwischen dem Reihenarmschaltkreis und dem Erdungspotenzial GND verbunden sind. Jede der Reihenarmresonatoreinheiten S11 bis S14 und der Parallelarmresonatoreinheiten P11 bis P14 enthält mindestens einen Schallwellenresonator. Wie im Fall des Filters 100 ist auch in dem Filter 200 die Anzahl der in jeder Resonatoreinheit enthaltenen Schallwellenresonatoren nicht auf den Fall in 1 beschränkt und kann gemäß den Eigenschaften des Filters zweckmäßig ausgewählt werden. Zum Beispiel kann ein SAW-Resonator oder ein BAW-Resonator als jeder Schallwellenresonator verwendet werden.
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Die Parallelarmresonatoreinheit P11 hat ein erstes Ende, das mit einem Knoten zwischen der Induktivität L11 und der Reihenarmresonatoreinheit S11 verbunden ist, und hat ein zweites Ende, das mit dem Erdungspotenzial GND verbunden ist. Die Parallelarmresonatoreinheit P12 hat ein erstes Ende, das mit einem Knoten zwischen der Reihenarmresonatoreinheit S11 und der Reihenarmresonatoreinheit S12 verbunden ist, und hat ein zweites Ende, das mit dem Erdungspotenzial GND verbunden ist. Die Parallelarmresonatoreinheit P13 hat ein erstes Ende, das mit einem Knoten zwischen der Reihenarmresonatoreinheit S12 und der Reihenarmresonatoreinheit S13 verbunden ist, und hat ein zweites Ende, das mit dem Erdungspotenzial GND verbunden ist. Die Parallelarmresonatoreinheit P14 hat ein erstes Ende, das mit einem Knoten zwischen der Reihenarmresonatoreinheit S13 und der Reihenarmresonatoreinheit S14 verbunden ist, und hat ein zweites Ende, das mit dem Erdungspotenzial GND verbunden ist.
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Das Filter 100 entspricht einem „ersten Filter“ in der vorliegenden Offenbarung, und das Filter 200 entspricht einem „zweiten Filter“ in der vorliegenden Offenbarung.
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2 ist eine Querschnittsansicht des Multiplexers 10 in 1. Unter Bezug auf 2 enthält der Multiplexer 10 zusätzlich zu den Filtern 100 und 200 eine Montageplatte 50, eine Harzschicht 60 und eine elektrisch leitfähige Schicht 70. Ein Beispiel, bei dem die Filter 100 und 200 SAW-Resonatoren enthalten, die als Schallresonatoren verwendet werden, wird unten als ein Beispiel beschrieben.
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Die Filter 100 und 200 haben eine Wafer-Level-Package(WLP)-Struktur und sind auf der Montageplatte 50 montiert, während sie nebeneinander liegen. In der folgenden Beschreibung ist eine Dickenrichtung der Montageplatte 50 als eine Z-Achse definiert, und in einer Einbaulagerichtung der Montageplatte 50 ist eine Richtung, in der die Filter 100 und 200 nebeneinander liegen, als eine X-Achsen-Richtung definiert. In dem Beispiel in 2 ist das Filter 100 von dem Filter 200 in einer positiven X-Achsen-Richtung beabstandet. Eine positive Z-Achsen-Richtung kann als eine Richtung zu einer Oberseite hin bezeichnet werden, und eine negative Z-Achsen-Richtung kann als eine Richtung zu einer Unterseite hin bezeichnet werden.
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Die Montageplatte 50 ist eine einschichtige oder mehrschichtige Platte, die aus Harz wie zum Beispiel Epoxid oder Polyimid gebildet ist. Obgleich nicht veranschaulicht, enthält die Montageplatte 50 Verbindungsanschlüsse, die auf der Oberseite und der Unterseite ausgebildet sind, und eine Verdrahtungsstruktur, die in der Platte und/oder auf der Oberfläche der Platte ausgebildet ist.
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Das Filter 100 enthält ein piezoelektrisches Substrat 110, eine Stützschicht 120, eine Deckschicht 130, eine funktionale Vorrichtung 140, eine säulenförmige Elektrode 150 und eine Verdrahtungsstruktur 160.
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Wie in 3 veranschaulicht, enthält das piezoelektrische Substrat 110 eine Grundplatte 112, eine piezoelektrische Schicht 111, die an der Unterseite der Grundplatte 112 angeordnet ist, und eine Zwischenschicht 113, die zwischen der piezoelektrischen Schicht 111 und der Grundplatte 112 angeordnet ist.
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Die piezoelektrische Schicht 111 wird zum Beispiel aus einem piezoelektrischen Einkristallmaterial wie zum Beispiel Lithiumtantalat (LiTaOs oder LT), Lithiumniobat (LiNbOs oder LN), Aluminiumoxid, Silizium (Si) oder Saphir oder einem piezoelektrischen Schichtmaterial, das aus LiTaOs oder LiNbOs hergestellt ist, gebildet. Die Grundplatte 112 wird zum Beispiel aus Silizium (Si), Lithiumtantalat (LT) oder Lithiumniobat (LN) gebildet.
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Die Zwischenschicht 113 enthält eine Schicht 1131 mit niedriger Geschwindigkeit und eine Schicht 1132 mit hoher Geschwindigkeit. Die Schicht 1131 mit niedriger Geschwindigkeit und die Schicht 1132 mit hoher Geschwindigkeit sind in der Reihenfolge der Schicht 1132 mit hoher Geschwindigkeit und der Schicht 1131 mit niedriger Geschwindigkeit von nahe der Grundplatte 112 in Richtung der piezoelektrischen Schicht 111 angeordnet.
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Die Schicht 1131 mit niedriger Geschwindigkeit wird aus einem Material gebildet, durch das hindurch sich eine Volumenwelle mit einer geringeren Geschwindigkeit ausbreiten kann als eine Volumenwelle, die sich durch die piezoelektrische Schicht 111 hindurch ausbreitet. Die Schicht 1131 mit niedriger Geschwindigkeit wird zum Beispiel aus einem Dielektrikum wie zum Beispiel einem Siliziumdioxid (SiO2), Glas, einem Siliziumoxynitrid oder einem Tantaloxid oder einer Verbindung, die durch Zugabe von Fluor, Kohlenstoff oder Bor zu einem Siliziumdioxid erhalten wird, gebildet.
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Die Schicht 1132 mit hoher Geschwindigkeit wird aus einem Material gebildet, durch das hindurch sich eine Volumenwelle mit einer höheren Geschwindigkeit ausbreiten kann als eine Schallwelle, die sich durch die piezoelektrische Schicht 111 hindurch ausbreitet. Die Schicht 1132 mit hoher Geschwindigkeit wird aus einem Material wie zum Beispiel einem Siliziumnitrid (SiN), einem Aluminiumnitrid, einem Aluminiumoxid (Tonerde), einem Siliziumoxynitrid, einem Siliziumcarbid, diamantähnlichem Kohlenstoff (Diamondlike Carbon, DLC) oder Diamant gebildet.
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Wenn die Schicht 1131 mit niedriger Geschwindigkeit und die Schicht 1132 mit hoher Geschwindigkeit zwischen der piezoelektrischen Schicht 111 und der Grundplatte 112 angeordnet sind, so fungieren die Schicht 1131 mit niedriger Geschwindigkeit und die Schicht 1132 mit hoher Geschwindigkeit als eine reflektierende Schicht (eine Spiegelschicht). Genauer gesagt, wird eine Oberflächenschallwelle, die aus der piezoelektrischen Schicht 111 in Richtung der Grundplatte 112 austritt, infolge der unterschiedlichen Ausbreitungsgeschwindigkeit durch die Schicht 1132 mit hoher Geschwindigkeit reflektiert und in der Schicht 1131 mit niedriger Geschwindigkeit eingegrenzt. Somit reduziert die Zwischenschicht 113 einen Verlust an Schallenergie der ausgebreiteten Oberflächenschallwelle und kann somit die Oberflächenschallwelle effizient ausbreiten.
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Obgleich 3 einen Fall veranschaulicht, in dem die Schicht 1131 mit niedriger Geschwindigkeit und die Schicht 1132 mit hoher Geschwindigkeit in der Zwischenschicht 113 einzelne Schichten sind, kann die Zwischenschicht 113 mehrere Schichten 1131 mit niedriger Geschwindigkeit und mehrere Schichten 1132 mit hoher Geschwindigkeit enthalten, die miteinander abwechselnd angeordnet sind. Die Zwischenschicht 113 kann weggelassen werden, und das piezoelektrische Substrat 110 kann einfach die piezoelektrische Schicht 111 und die Grundplatte 112 enthalten.
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Die mindestens eine funktionale Vorrichtung 140 wird an der Unterseite der piezoelektrischen Schicht 111 des piezoelektrischen Substrats 110 ausgebildet. Die funktionale Vorrichtung 140 enthält ein Paar Interdigitaltransducer(IDT)-Elektroden, die aus einem Elektrodenmaterial gebildet sind, zum Beispiel einem einzelnen Metall, das aus mindestens einem von Aluminium, Kupfer, Silber, Gold, Titan, Wolfram, Platin, Chrom, Nickel und Molybdän gebildet ist, oder einer Legierung, die hauptsächlich aus diesen Metallen gebildet ist. In dem Filter 100 bilden das piezoelektrische Substrat 110 und die IDT-Elektrode einen Oberflächenschallwellen(Surface Acoustic Wave, SAW)-Resonator.
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Die Stützschicht 120 ist an der Unterseite des piezoelektrischen Substrats 110 so angeordnet, dass sie den Umfang der funktionalen Vorrichtung 140 umgibt. Die Stützschicht 120 stützt die Deckschicht 130 in einer zuvor festgelegten Distanz von dem piezoelektrischen Substrat 110 in der Z-Achsen-Richtung. Die Stützschicht 120 und die Deckschicht 130 werden aus einem isolierenden Harz gebildet, das hauptsächlich aus Epoxid, Polyimid, Acryl oder Polyurethan gebildet ist. Das piezoelektrische Substrat 110, die Stützschicht 120 und die Deckschicht 130 definieren einen Hohlraum 180. Die funktionale Vorrichtung 140 ist in dem Hohlraum 180 angeordnet.
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Die Verdrahtungsstruktur 160 wird an der Unterseite des piezoelektrischen Substrats 110 ausgebildet, um die funktionalen Vorrichtungen 140 elektrisch miteinander zu verbinden und um die funktionalen Vorrichtungen 140 und die säulenförmige Elektrode 150 (Durchkontaktierung) elektrisch miteinander zu verbinden.
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Die säulenförmige Elektrode 150 ragt von der Unterseite des piezoelektrischen Substrats 110 nach unten (negative Z-Achsen-Richtung) und erstreckt sich durch die Stützschicht 120 und die Deckschicht 130 hindurch. Die säulenförmige Elektrode 150 ist über einen elektrisch leitfähigen Verbinder, wie zum Beispiel einen Löthöcker 170, mit einem auf der Montageplatte 50 ausgebildeten Verbindungsanschluss verbunden. Die säulenförmige Elektrode 150 kann die funktionale Vorrichtung 140 und andere elektronische Komponenten auf der Montageplatte 50 elektrisch miteinander verbinden. Die säulenförmige Elektrode 150 und die Verdrahtungsstruktur 160 werden zum Beispiel aus einem elektrisch leitfähigen Material wie zum Beispiel Aluminium, Kupfer, Silber oder Gold gebildet.
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Das Filter 200 hat im Wesentlichen die gleiche Struktur wie das Filter 100 und enthält ein piezoelektrisches Substrat 210, eine Stützschicht 220, eine Deckschicht 230, eine funktionale Vorrichtung 240, eine säulenförmige Elektrode 250 und eine Verdrahtungsstruktur 260. Die funktionale Vorrichtung 240 wird in einem Hohlraum 280 ausgebildet, der durch das piezoelektrische Substrat 210, die Stützschicht 220 und die Deckschicht 230 definiert ist. Das Filter 200 ist über einen elektrisch leitfähigen Verbinder, wie zum Beispiel einen Löthöcker 270, mit der Montageplatte 50 verbunden. Das piezoelektrische Substrat 210 des Filters 200 enthält eine piezoelektrische Schicht 211, eine Grundplatte 212 und eine Zwischenschicht 213. Die Komponenten in dem Filter 200 sind die gleichen wie die entsprechenden Komponenten des Filters 100 und werden daher nicht noch einmal im Detail beschrieben.
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Die auf der Montageplatte 50 montierten Filter 100 und 200 werden mit der Harzschicht 60 vergossen. Die Harzschicht 60 wird aus einem Material gebildet, das durch Mischen eines anorganischen Füllmaterials, wie zum Beispiel Metall, in ein Material, wie zum Beispiel eine Silikonverbindung, ein Epoxidharz, ein Silikonharz, ein Fluorharz oder ein Acrylharz, erhalten wird. Die elektrisch leitfähige Schicht 70 ist so angeordnet, dass sie die Harzschicht 60 bedeckt.
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Die elektrisch leitfähige Schicht 70 wird aus einem Metallmaterial gebildet, das elektrische Leitfähigkeit und hohe Wärmeleitfähigkeit besitzt, wie zum Beispiel Aluminium, Kupfer, Silber oder Gold. Die elektrisch leitfähige Schicht 70 ist mit dem Erdungspotenzial der Montageplatte 50 verbunden. Die elektrisch leitfähige Schicht 70 fungiert als eine Abschirmung, um das Austreten von in dem Multiplexer 10 erzeugtem elektromagnetischem Rauschen nach außerhalb der Vorrichtung zu blockieren und das Eindringen von elektromagnetischem Rauschen in den Multiplexer 10 von außerhalb der Vorrichtung zu blockieren.
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Wie in 1 veranschaulicht, wird in dem Multiplexer 10 gemäß der ersten Ausführungsform das Filter 100 als ein Sendefilter verwendet, und das Filter 200 wird als ein Empfangsfilter verwendet. Sendesignale werden allgemein unter Verwendung eines Leistungsverstärkers mit einer Leistung gesendet, die höher ist als die Leistung, die für Empfangssignale verwendet wird, um Funkwellen so weit wie möglich abzustrahlen. Somit verbraucht das Filter 100 mehr Leistung als das Filter 200 und erzeugt mehr Wärme als das Filter 200.
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Somit wird in dem Multiplexer 10 die Oberseite des piezoelektrischen Substrats 110 in dem Filter 100 durch die Harzschicht 60 hindurch freigelegt, um in direktem Kontakt mit der elektrisch leitfähigen Schicht 70 zu stehen. Wie oben beschrieben, wird die elektrisch leitfähige Schicht 70 aus einem Metallmaterial mit hoher Wärmeleitfähigkeit gebildet. Somit fungiert die elektrisch leitfähige Schicht 70 als eine Wärmesenke des Filters 100, und die elektrisch leitfähige Schicht 70 dissipiert und strahlt die am Filter 100 erzeugte Wärme ab.
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Andererseits ist in dem Multiplexer 10 gemäß der ersten Ausführungsform das piezoelektrische Substrat 210 des Filters 200 dünner als das piezoelektrische Substrat 110 des Filters 100 und steht in keinem Kontakt mit der elektrisch leitfähigen Schicht 70. Wie oben beschrieben, fungiert die elektrisch leitfähige Schicht 70 als eine Wärmesenke des Filters 100 und besitzt eine hohe Wärmeleitfähigkeit. Wenn also ein piezoelektrisches Substrat 210# eines Filters 200# so angeordnet ist, dass es mit der elektrisch leitfähigen Schicht 70 in Kontakt steht, so wird, wie in einem Multiplexer 10# gemäß einem Vergleichsbeispiel in 4, Wärme von dem Filter 100 über die elektrisch leitfähige Schicht 70 zu dem Filter 200# übertragen. Somit kann Wärme von dem Filter 100 die Temperatur des Filters 200# erhöhen und kann die Filtereigenschaften des Filters 200# verschlechtern.
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In Abhängigkeit vom Material des piezoelektrischen Substrats kann zum Beispiel ein Temperaturanstieg des Substrats das Durchlassband des Filters verschieben. Wenn der Temperaturkoeffizient der Frequenz (Temperature Coefficient of Frequency, TCF) positiv ist (TCF > 0), so verschiebt ein Temperaturanstieg das Frequenzband zu höheren Frequenzen. Ist der TCF hingegen negativ (TCF < 0), so verschiebt ein Temperaturanstieg das Frequenzband zu niedrigeren Frequenzen.
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In einer Struktur wie zum Beispiel in einem Multiplexer, wo Filter, die unterschiedliche Durchlassbänder haben, nebeneinander angeordnet sind und die beiden Durchlassbänder nahe beieinander liegen, kann eine Verschiebung des Durchlassbandes eines der Filter in Richtung des Durchlassbandes des anderen Filters die Impedanz zwischen den Filtern verringern und die Isolierung verschlechtern. Dies kann den Einfügeverlust des Filters verschlechtern. In der vorliegenden Offenbarung wird eine Erhöhung eines solchen Verlustes, der zwischen benachbarten Filtern auftritt, als ein „Parallelanordnungsverlust“ bezeichnet.
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In dem Multiplexer 10 gemäß der ersten Ausführungsform enthält das Sendefilter 100, das eine relativ große Wärmemenge erzeugt, das piezoelektrische Substrat 110, das dicker ist (eine größere Abmessung in der Z-Achsen-Richtung hat) und in direktem Kontakt mit der elektrisch leitfähigen Schicht 70 steht. Somit verbessert das Filter 100 den Wärmedissipationseffekt und kann die über die Harzschicht 60 übertragene Wärme reduzieren. Darüber hinaus enthält das Empfangsfilter 200, das eine relativ geringe Wärmemenge erzeugt, das piezoelektrische Substrat 210, das dünner ist und in keinem Kontakt mit der elektrisch leitfähigen Schicht 70 steht. Somit reduziert das Filter 200 die über die elektrisch leitfähige Schicht 70 übertragene Wärme. Diese Struktur reduziert Wärme des Filters 100, die zu dem Filter 200 übertragen wird, und kann somit einen Parallelanordnungsverlust reduzieren, der daraus resultiert, dass das Filter 100 und das Filter 200 nebeneinander angeordnet sind.
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5 ist ein Schaubild eines Beispiels einer Temperaturverteilungskarte, wenn der in 1 veranschaulichte Multiplexer 10 arbeitet. In 5 ist der Multiplexer 10 auf einer Hauptplatine 300 angeordnet, und eine Temperaturverteilung ist mit Konturlinien angegeben. In 5 ist die Temperatur am Filter 100 am höchsten, und die Temperatur sinkt allmählich in einer mit dem Pfeil AR0 angegebenen Richtung.
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Wie in 5 veranschaulicht, wird die Temperatur an der dem Filter 200 zugewandten Oberseite der Harzschicht 60 durch die elektrisch leitfähige Schicht 70 weiter erhöht als die Temperatur um das Filter 200 herum. In 5 ist zu erkennen, dass eine Verringerung der Dicke des piezoelektrischen Substrats 210 des Filters 200 die Wärme reduziert, die über die elektrisch leitfähige Schicht 70 zu dem piezoelektrischen Substrat 210 übertragen wird.
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6 ist ein Diagramm, das die Auswirkungen des Unterschieds zwischen dem Material der piezoelektrischen Substrate 110 und 210 und des Unterschieds des Kontaktzustands zwischen den piezoelektrischen Substraten 110 und 210 und der elektrisch leitfähigen Schicht 70 auf die Temperatur des Filters 200 veranschaulicht. In 6 gibt eine durchgezogene Linie LN1 einen Fall an, wo das Material des piezoelektrischen Substrats 110 Silizium (Si) ist, das Material des piezoelektrischen Substrats 210 Lithiumniobat (LN) ist, und das piezoelektrische Substrat 210 in keinem Kontakt mit der elektrisch leitfähigen Schicht 70 steht. Eine durchbrochene Linie LN2 gibt einen Fall an, wo das Material beider piezoelektrischer Substrate 110 und 210 Silizium ist und das piezoelektrische Substrat 210 in keinem Kontakt mit der elektrisch leitfähigen Schicht 70 steht. Eine Strich-Punkt-Strich-Linie LN3 gibt einen Fall an, wo das Material der beiden piezoelektrischen Substrate Silizium ist und das piezoelektrische Substrat 210 in Kontakt mit der elektrisch leitfähigen Schicht 70 steht (das heißt einen Fall eines Vergleichsbeispiels in 4). Eine Strich-Zweipunkt-Strich-Linie LN4 gibt einen Fall an, wo das Material beider piezoelektrischer Substrate 110 und 210 Silizium ist und das piezoelektrische Substrat 210 in keinem Kontakt mit der elektrisch leitfähigen Schicht 70 steht.
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In 6 gibt eine Abszissenachse eine Distanz in der X-Achsen-Richtung von einem äußeren Endabschnitt des Filters 200 an (Koordinatenachse α in 2), und eine Ordinatenachse gibt einen relativen Temperaturunterschied in Bezug auf die Strich-Punkt-Strich-Linie LN3 an.
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Mit Bezug auf 6 ist in den Fällen der ersten Ausführungsform, wo das piezoelektrische Substrat 210 in keinem Kontakt mit der elektrisch leitfähigen Schicht 70 steht (Linien LN1, LN2 und LN4), die Temperatur des piezoelektrischen Substrats 210 niedriger als die in dem Vergleichsbeispiel (Linie LN3). Wenn Lithiumniobat als das Material des piezoelektrischen Substrats 210 verwendet wird, so ist der Temperaturgradient in der X-Achsen-Richtung größer, als wenn Silizium als das Material für das piezoelektrische Substrat 210 verwendet wird. Wenn also ein Material, das einen großen Wärmewiderstandswert besitzt, wie zum Beispiel Lithiumniobat, als das Material des piezoelektrischen Substrats 210 verwendet wird, und wenn die Dicke des piezoelektrischen Substrats 210 klein ist, so können sich die Eigenschaften des piezoelektrischen Substrats 210 auch in Abhängigkeit von den Positionen der Schallwellenresonatoren in dem piezoelektrischen Substrat 210 verschlechtern.
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(Auswirkungen von Wärme auf die Filtereigenschaften)
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Mit Bezug auf 7 wird der Grund dafür beschrieben, warum sich ein in benachbarten Filtern verursachter Verlust (Parallelanordnungsverlust) in Reaktion auf einen Temperaturanstieg ändert. In 6 ist ein Fall, wo das Durchlassband BW1 des Sendefilters 100 (TX) niedriger ist als das Durchlassband BW2 des Empfangsfilters 200 (RX) (BW1 < BW2), als ein Beispiel beschrieben.
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Ein oberer Abschnitt in 7 ist ein Diagramm, das Einfügeverluste (durchbrochene Linien LN11 und LN21) der aus einzelnen Körpern gebildeten Filter 100 und 200 und Einfügeverluste (durchgezogene Linien LN10 und LN20) der in dem Multiplexer 10 gebildeten Filter 100 und 200 vergleicht. Wie im oberen Abschnitt in 7 veranschaulicht, erhöhen sich die Einfügeverluste (Parallelanordnungsverluste) beider Filter (Pfeil AR1), wenn die Filter 100 und 200 mit dem gemeinsamen Anschluss als ein Multiplexer verbunden sind. Die Parallelanordnungsverluste werden dadurch verursacht, dass die Impedanz des benachbarten Filters - von dem gemeinsamen Anschluss aus gesehen - nicht gänzlich unendlich sein kann und daher eine Teilmenge von Sendesignalen zu dem Empfangsfilter 200 hin entweicht oder eine Teilmenge von Empfangssignalen zu dem Sendefilter 100 hin entweicht.
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In diesem Zustand kann, wenn die Temperatur des Filters 200 steigt, sich das Durchlassband BW2 des Filters 200 infolge der Temperatureigenschaften des Filters 200 ändern. Wenn sich zum Beispiel das Durchlassband BW2 des Filters 200 in Reaktion auf einen Temperaturanstieg (TCF < 0) absenkt (Strich-Punkt-Strich-Linie LN22), so nähert sich das Durchlassband des Filters 200 dem Durchlassband BW1 des Filters 100. Somit verschlechtert sich die Isolierung zwischen dem Filter 100 und dem Filter 200, und der Einfügeverlust des Filters 100 bei den höheren Frequenzen nimmt zu, wie durch den Pfeil AR2 (Strich-Punkt-Strich-Linie LN12) angegeben. Genauer gesagt, erhöht der Temperaturanstieg des Filters 200 den Parallelanordnungsverlust.
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Wenn hingegen das Durchlassband BW2 des Filters 200 in Reaktion auf einen Temperaturanstieg (TCF > 0) steigt (Strich-Punkt-Strich-Linie LN23), so wird das Durchlassband BW2 des Filters 200 weiter von dem Durchlassband BW1 des Filters 100 beabstandet. In diesem Fall wird die Isolierung zwischen dem Filter 100 und dem Filter 200 verbessert, wodurch der Einfügeverlust des Filters 100 bei den höheren Frequenzen abnimmt, wie mit einem Pfeil AR3 (durchbrochene Linie LN13) angegeben. Genauer gesagt, wenn TCF > 0, so nimmt der Parallelanordnungsverlust in Reaktion auf einen Temperaturanstieg ab.
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Wenn umgekehrt das Durchlassband BW1 des Filters 100 höher ist als das Durchlassband BW2 des Filters 200 (BW1 > BW2), so nimmt der Parallelanordnungsverlust in Reaktion auf einen Temperaturanstieg ab, wenn TCF < 0, und der Parallelanordnungsverlust nimmt in Reaktion auf einen Temperaturanstieg zu, wenn TCF > 0.
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Im Folgenden werden vier Fälle, die sich im Breitenverhältnis und beim TCF zwischen den Durchlassbändern der Filter 100 und 200 unterscheiden, in Bezug auf eine Änderung eines Parallelanordnungsverlustes in Reaktion auf einen Temperaturanstieg und eine Anordnung der entsprechenden Schallwellenresonatoren detailliert beschrieben.
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(Fall 1)
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8 ist ein Diagramm, das einen Parallelanordnungsverlust im Fall 1 beschreibt. Fall 1 ist ein Fall, wo das Durchlassband BW1 des Filters 100 niedriger ist als das Durchlassband BW2 des Filters 200 (BW1 < BW2) und das Durchlassband BW2 des Filters 200 sich in Reaktion auf einen Temperaturanstieg (TCF < 0) zusammen absenkt.
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In diesem Fall verschiebt sich das Durchlassband BW2 des Filters 200 zu niedrigeren Frequenzen von einer durchgezogenen Linie LN40 zu einer durchbrochenen Linie LN41 (Pfeil AR20), wie im oberen Abschnitt in 8 veranschaulicht. Somit erhöht sich der Einfügeverlust des Filters 100 bei höheren Frequenzen von einer durchgezogenen Linie LN30 zu einer durchbrochenen Linie LN31 (Pfeil AR10).
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Wie in 1 veranschaulicht, ist das Filter 200 ein Abzweigfilter. Somit werden allgemein durch die Parallelarmresonatoreinheiten P1 bis P4 Dämpfungspole bei niedrigeren Frequenzen gebildet. Um also im Fall 1 einen Anstieg des Parallelanordnungsverlustes in Reaktion auf einen Temperaturanstieg zu reduzieren, werden Temperaturanstiege der Parallelarmresonatoreinheiten zweckmäßigerweise so weit wie möglich reduziert, und Dämpfungspole des Durchlassbandes BW2 bei niedrigeren Frequenzen werden zweckmäßigerweise zu höheren Frequenzen verschoben. Somit sind im Fall 1, wie in 9 veranschaulicht, in dem Filter 200 die Parallelarmresonatoreinheiten P1 bis P4 von dem Filter 100 entfernt angeordnet, um Temperaturanstiege der Parallelarmresonatoreinheiten P1 bis P4 zu reduzieren.
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Wie in 9 veranschaulicht, ist in dem Filter 200 in Bezug auf eine virtuelle Linie CL1, die senkrecht zu einer Richtung verläuft, in der die Filter 100 und 200 angeordnet sind, das heißt senkrecht zu der X-Achsen-Richtung (ersten Richtung), und die durch die Mitte des piezoelektrischen Substrats 210 des Filters 200 verläuft, eine Region, die näher bei dem Filter 100 liegt, als eine Region RG1 definiert, und eine Region, die der Region, die näher bei dem Filter 100 liegt, gegenüberliegt, ist als eine Region RG2 definiert. Zu diesem Zeitpunkt sind die Parallelarmresonatoreinheiten P1 bis P4 so angeordnet, dass eine Gesamtsumme SM2 der Bereiche innerhalb der Region RG2, wo die in den Parallelarmresonatoreinheiten P1 bis P4 enthaltenen Schallwellenresonatoren ausgebildet sind, größer sein kann als eine Gesamtsumme SM1 der Bereiche innerhalb der Region RG1, wo die in den Parallelarmresonatoreinheiten P1 bis P4 enthaltenen Schallwellenresonatoren ausgebildet sind (SM1 < SM2).
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Wenn die Parallelarmresonatoreinheiten P1 bis P4 auf diese Weise angeordnet sind, wie in dem unteren Abschnitt in 8 veranschaulicht, so verschieben sich niedrigere Frequenzen in dem Durchlassband BW2 des Filters 200 zu höheren Frequenzen, wie mit einer Strich-Punkt-Strich-Linie LN42 (Pfeil AR21) angegeben. Somit wird die Isolierung zwischen dem Filter 100 und dem Filter 200 verbessert, und ein Einfügeverlust des Durchlassbandes BW1 des Filters 100 bei höheren Frequenzen kann verringert werden, wie mit einer Strich-Punkt-Strich-Linie LN32 (Pfeil AR11) angegeben.
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In der obigen und der folgenden Beschreibung, wie in 10(A) veranschaulicht, bezeichnet „der Bereich einer Region, wo jeder Schallwellenresonator ausgebildet ist“ den Bereich einer Kreuzungsregion SQ1 von Elektrodenfingern in der IDT-Elektrode IDT, die in dem Schallwellenresonator enthalten ist. Hier bezieht sich die Kreuzungsregion auf einen Bereich, wo sich die in der IDT-Elektrode enthaltenen mehreren Elektrodenfinger überlappen, wenn die IDT-Elektrode aus einer Ausbreitungsrichtung der Schallwelle aus betrachtet wird. Zum Beispiel wird in 10(A), wenn die IDT-Elektrode in der Ausbreitungsrichtung der Schallwelle betrachtet wird, der Bereich der Kreuzungsregion durch ein Produkt aus L1 und L2 ausgedrückt, wobei L1 die Länge bezeichnet, über die sich die Elektrodenfinger erstrecken, und L2 die Distanz zwischen den äußersten Elektrodenfingern in der IDT-Elektrode in dem Bereich, wo sich die mehreren Elektrodenfinger überlappen, bezeichnet.
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Im Fall eines längsgekoppelten Resonators bezieht sich der Bereich der Kreuzungsregion auf den Bereich der Kreuzungsregion SQ2 in 10(B). Die Kreuzungsregion bezeichnet in diesem Fall einen Bereich, wo sich mehrere Elektrodenfinger überlappen, die in den IDT-Elektroden IDT1 bis IDT3 enthalten sind, die den längsgekoppelten Resonator bilden. Zum Beispiel wird in 10(B), wenn die IDT-Elektroden IDT1 bis IDT3 in der Ausbreitungsrichtung der Schallwellen betrachtet werden, der Bereich der Kreuzungsregion durch ein Produkt aus L3 und L4 ausgedrückt, wobei L3 die Länge bezeichnet, über die sich die Elektrodenfinger erstrecken, und L4 die Distanz zwischen den äußersten Elektrodenfingern in den IDT-Elektroden bezeichnet, die den längsgekoppelten Resonator in dem Bereich bilden, wo sich die mehreren Elektrodenfinger überlappen.
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(Fall 2)
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11 ist ein Diagramm, das einen Parallelanordnungsverlust im Fall 2 beschreibt. Fall 2 ist ein Fall, wo das Durchlassband BW1 des Filters 100 niedriger ist als das Durchlassband BW2 des Filters 200 (BW1 < BW2) und das Durchlassband BW2 des Filters 200 sich in Reaktion auf einen Temperaturanstieg (TCF > 0) zusammen nach oben verschiebt. Genauer gesagt, vergrößert im Fall 2 ein Temperaturanstieg des Filters 200 eine Lücke zwischen dem Durchlassband des Filters 100 und dem Durchlassband des Filters 200 und verbessert somit die Isolierung.
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In diesem Fall verschiebt sich das Durchlassband BW2 des Filters 200 zu höheren Frequenzen von einer durchgezogenen Linie LN60 zu einer durchbrochenen Linie LN61 (Pfeil AR40), wie im oberen Abschnitt in 11 veranschaulicht. Somit verringert sich der Einfügeverlust des Filters 100 bei höheren Frequenzen von einer durchgezogenen Linie LN50 zu einer durchbrochenen Linie LN51 (Pfeil AR30).
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Wie ebenfalls im Fall 1 beschrieben, werden in dem Abzweigfilter 200 die Dämpfungspole der unteren Frequenzen durch die Parallelarmresonatoreinheiten P1 bis P4 gebildet. Im Fall 2 verringert ein Temperaturanstieg des Filters 200 den Parallelanordnungsverlust. Somit werden die Temperaturen der Parallelarmresonatoreinheiten bevorzugt so weit wie möglich erhöht, um die Dämpfungspole der niedrigeren Frequenzen in dem Durchlassband BW2 zu weiter höheren Frequenzen zu verschieben. Somit sind im Fall 2, wie in 12 veranschaulicht, die Parallelarmresonatoreinheiten P1 bis P4 in dem Filter 200 in der Nähe des Filters 100 angeordnet, um den Temperaturanstieg der Parallelarmresonatoreinheiten P1 bis P4 zu unterstützen.
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Genauer gesagt, sind, wie in 12, in dem Filter 200 die Parallelarmresonatoreinheiten P1 bis P4 so angeordnet, dass eine Gesamtsumme SM 1 der Bereiche innerhalb der Region RG1, wo die in den Parallelarmresonatoreinheiten P1 bis P4 enthaltenen Schallwellenresonatoren ausgebildet sind, größer sein kann als eine Gesamtsumme SM2 der Bereiche innerhalb der Region RG2, wo die in den Parallelarmresonatoreinheiten P1 bis P4 enthaltenen Schallwellenresonatoren ausgebildet sind (SM1 > SM2).
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Wie im unteren Abschnitt in 11 veranschaulicht, verschieben sich, wenn die Parallelarmresonatoreinheiten P1 bis P4 auf diese Weise angeordnet sind, die unteren Frequenzen in dem Durchlassband BW2 des Filters 200 zu weiter höheren Frequenzen, wie mit einer Strich-Punkt-Strich-Linie LN62 (Pfeil AR41) angegeben. Somit wird die Isolierung zwischen dem Filter 100 und dem Filter 200 weiter verbessert, und der Einfügeverlust des Durchlassbandes BW1 des Filters 100 bei höheren Frequenzen kann weiter verbessert werden, wie mit einer Strich-Punkt-Strich-Linie LN52 (Pfeil AR31) angegeben.
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(Fall 3)
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13 ist ein Diagramm, das einen Parallelanordnungsverlust im Fall 3 beschreibt. Fall 3 ist ein Fall, wo das Durchlassband BW1 des Filters 100 höher ist als das Durchlassband BW2 des Filters 200 (BW1 > BW2) und das Durchlassband BW2 des Filters 200 sich mit einem Temperaturanstieg (TCF > 0) zusammen nach oben verschiebt. Genauer gesagt, verringert im Fall 3 ein Temperaturanstieg des Filters 200 eine Lücke zwischen dem Durchlassband des Filters 100 und dem Durchlassband des Filters 200 und verschlechtert somit die Isolierung.
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In diesem Fall verschiebt sich das Durchlassband BW2 des Filters 200 zu höheren Frequenzen von einer durchgezogenen Linie LN80 zu einer durchbrochenen Linie LN81 (Pfeil AR60), wie in dem oberen Abschnitt in 13 veranschaulicht. Somit erhöht sich ein Einfügeverlust des Filters 100 bei niedrigeren Frequenzen von einer durchgezogenen Linie LN70 zu einer durchbrochenen Linie LN71 (Pfeil AR50).
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In dem Abzweigfilter 200 werden Dämpfungspole der höheren Frequenzen allgemein durch die Reihenarmresonatoreinheiten S1 bis S5 gebildet. Im Fall 3 erhöht ein Temperaturanstieg des Filters 200 den Parallelanordnungsverlust. Somit werden Temperaturanstiege der Reihenarmresonatoreinheiten bevorzugt so weit wie möglich reduziert, und die Dämpfungspole der höheren Frequenzen in dem Durchlassband BW2 werden bevorzugt zu niedrigeren Frequenzen verschoben. Somit sind im Fall 3, wie in 14 veranschaulicht, die Reihenarmresonatoreinheiten S1 bis S5 in dem Filter 200 von dem Filter 100 entfernt angeordnet, um Temperaturanstiege der Reihenarmresonatoreinheiten S1 bis S5 zu reduzieren.
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Genauer gesagt, sind, wie in 14 veranschaulicht, in dem Filter 200 die Reihenarmresonatoreinheiten S1 bis S5 so angeordnet, dass eine Gesamtsumme SM4 der Bereiche innerhalb der Region RG2, wo die in den Reihenarmresonatoreinheiten S1 bis S5 enthaltenen Schallwellenresonatoren ausgebildet sind, größer sein kann als eine Gesamtsumme SM3 der Bereiche innerhalb der Region RG1, wo die in den Reihenarmresonatoreinheiten S1 bis S5 enthaltenen Schallwellenresonatoren ausgebildet sind (SM3 < SM4).
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Wenn die Reihenarmresonatoreinheiten S1 bis S5 auf diese Weise angeordnet sind, wie in dem unteren Abschnitt in 13 veranschaulicht, so verschieben sich höhere Frequenzen in dem Durchlassband BW2 des Filters 200 zu niedrigeren Frequenzen, wie mit einer Strich-Punkt-Strich-Linie LN82 (Pfeil AR61) angegeben. Somit wird die Isolierung zwischen dem Filter 100 und dem Filter 200 verbessert, und der Einfügeverlust des Durchlassbandes BW1 des Filters 100 bei niedrigeren Frequenzen kann verbessert werden, wie mit einer Strich-Punkt-Strich-Linie LN72 (Pfeil AR51) angegeben.
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(Fall 4)
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15 ist ein Diagramm, das einen Parallelanordnungsverlust im Fall 4 beschreibt. Fall 4 ist ein Fall, wo das Durchlassband BW1 des Filters 100 höher ist als das Durchlassband BW2 des Filters 200 (BW1 > BW2) und das Durchlassband BW2 des Filters 200 sich mit einem Temperaturanstieg (TCF < 0) zusammen absenkt. Genauer gesagt, vergrößert im Fall 4 ein Temperaturanstieg des Filters 200 eine Lücke zwischen dem Durchlassband des Filters 100 und dem Durchlassband des Filters 200 und verbessert somit die Isolierung.
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In diesem Fall verschiebt sich das Durchlassband BW2 des Filters 200 zu niedrigeren Frequenzen von einer durchgezogenen Linie LN100 zu einer durchbrochenen Linie LN 101 (Pfeil AR80), wie im oberen Abschnitt in 15 veranschaulicht. Somit verringert sich der Einfügeverlust des Filters 100 bei niedrigeren Frequenzen von einer durchgezogenen Linie LN90 zu einer durchbrochenen Linie LN91 (Pfeil AR70).
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Wie ebenfalls im Fall 3 beschrieben, werden in dem Abzweigfilter 200 Dämpfungspole der höheren Frequenzen durch die Reihenarmresonatoreinheiten S1 bis S5 gebildet. Im Fall 4 verringert ein Temperaturanstieg des Filters 200 den Parallelanordnungsverlust. Somit werden die Temperaturen der Reihenarmresonatoreinheiten bevorzugt so weit wie möglich erhöht, um die Dämpfungspole der höheren Frequenzen in dem Durchlassband BW2 zu weiter niedrigeren Frequenzen zu verschieben. Somit sind im Fall 4, wie in 16 veranschaulicht, die Reihenarmresonatoreinheiten S1 bis S5 in dem Filter 200 in der Nähe des Filters 100 angeordnet, um den Temperaturanstieg der Reihenarmresonatoreinheiten S1 bis S5 zu unterstützen.
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Genauer gesagt, sind, wie in 16 veranschaulicht, in dem Filter 200 die Reihenarmresonatoreinheiten S1 bis S5 so angeordnet, dass eine Gesamtsumme SM3 der Bereiche innerhalb der Region RG1, wo die in den Reihenarmresonatoreinheiten S1 bis S5 enthaltenen Schallwellenresonatoren ausgebildet sind, größer sein kann als eine Gesamtsumme SM4 der Bereiche innerhalb der Region RG2, wo die in den Reihenarmresonatoreinheiten S1 bis S5 enthaltenen Schallwellenresonatoren ausgebildet sind (SM3 > SM4).
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Wie im unteren Abschnitt in 15 veranschaulicht, verschieben sich, wenn die Reihenarmresonatoreinheiten S1 bis S5 auf diese Weise angeordnet sind, die höheren Frequenzen in dem Durchlassband BW2 des Filters 200 zu weiter niedrigeren Frequenzen, wie mit einer Strich-Punkt-Strich-Linie LN102 (Pfeil AR81) angegeben. Somit wird die Isolierung zwischen dem Filter 100 und dem Filter 200 weiter verbessert, und der Einfügeverlust des Durchlassbandes BW1 des Filters 100 bei höheren Frequenzen kann weiter verbessert werden, wie mit einer Strich-Punkt-Strich-Linie LN92 (Pfeil AR71) angegeben.
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Wie oben beschrieben, wird in dem Multiplexer gemäß der ersten Ausführungsform eines (ein erstes Filter) der beiden nebeneinander angeordneten Filter mit einem relativ kleinen Wärmewiderstandswert in Kontakt mit der elektrisch leitfähigen Schicht gebracht, und das andere (das zweite Filter) der beiden nebeneinander angeordneten Filter mit einem relativ großen Wärmewiderstandswert steht mit der elektrisch leitfähigen Schicht in keinem Kontakt, um die Wärmeübertragung zwischen den benachbarten Filtern zu reduzieren. Außerdem sind in dem zweiten Filter, auf der Grundlage des Temperaturkoeffizienten der Frequenz (TCF), die Schallwellenresonatoren so angeordnet, dass die Dämpfungspole in dem zweiten Filter, die sich in der Nähe des Durchlassbandes des ersten Filters befinden, von dem Durchlassband des ersten Filters beabstandet sind. Somit kann der in dem ersten Filter verursachte Parallelanordnungsverlust unter Verwendung des Temperaturgradienten, der in dem piezoelektrischen Substrat durch den Wärmewiderstand gebildet wird, reduziert werden. Somit kann die Verschlechterung der Eigenschaften des Multiplexers (Schallwellenvorrichtung) infolge von Wärme verringert werden.
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Die erste Ausführungsform hat einen Fall beschrieben, wo das Sendefilter, das eine relativ große Wärmemenge erzeugt, mit der elektrisch leitfähigen Schicht in Kontakt gebracht wird. Wenn jedoch der Wärmewiderstandswert des Sendefilters größer ist als der Wärmewiderstandswert des Empfangsfilters, so kann das Empfangsfilter in Kontakt mit der elektrisch leitfähigen Schicht gebracht werden, und das Sendefilter braucht in keinem Kontakt mit der elektrisch leitfähigen Schicht zu stehen.
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Die piezoelektrischen Substrate in den beiden Filtern können aus unterschiedlichen Materialien oder aus dem gleichen Material (zum Beispiel Silizium) gebildet werden. In diesem Fall wird der Wärmewiderstandswert durch Variieren der Dicken der piezoelektrischen Substrate eingestellt.
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Anstelle einer Kombination aus dem Sendefilter und dem Empfangsfilter können auch beide der zwei Filter Sendefilter oder Empfangsfilter sein, solange sie unterschiedliche Durchlassbänder haben. Eine Kombination aus einem Sendefilter und einem Empfangsfilter kann als Filter für einen Multiplexer verwendet werden, wie zum Beispiel ein Durchlassbandfilter zum Senden von Signalen zwischen 1710 und 1785 MHz und ein weiteres Durchlassbandfilter zum Empfangen von Signalen zwischen 1805 und 1880 MHz oder ein Durchlassbandfilter zum Senden von Signalen zwischen 2500 und 2570 MHz und ein weiteres Durchlassbandfilter zum Empfangen von Signalen zwischen 2620 und 2690 MHz. Zwei Filter, die aus Sendefiltern gebildet sind, können als Filter für einen Multiplexer verwendet werden, wie zum Beispiel ein Durchlassbandfilter zum Senden von Signalen zwischen 1710 und 1785 MHz und ein weiteres Durchlassbandfilter zum Senden von Signalen zwischen 1850 und 1915 MHz.
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[Zweite Ausführungsform]
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In der ersten Ausführungsform sind die beiden in dem Multiplexer enthaltenen Filter Abzweig-Schallwellenfilter. Eine zweite Ausführungsform beschreibt einen Fall, wo ein Empfangsfilter ein längsgekoppeltes Schallwellenfilter ist, das längsgekoppelte Resonatoren enthält.
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17 ist eine Schaltkreiskonfiguration eines Multiplexers 10A, der als ein Beispiel einer Schallwellenvorrichtung gemäß einer zweiten Ausführungsform dient. Unter Bezug auf 17 enthält der Multiplexer 10A einen Antennenanschluss T1 sowie ein Sendefilter 100A und ein Empfangsfilter 200A, die elektrisch mit einer Antenne ANT am Antennenanschluss T1 verbunden sind.
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Das Sendefilter 100A ist ein Abzweig-Schallwellenfilter, das einen Reihenarmschaltkreis enthält, der Reihenarmresonatoreinheiten S21 bis S25 enthält, die zwischen dem Antennenanschluss T1 und dem Sendeanschluss T2 in Reihe geschaltet sind, und einen Parallelarmschaltkreis enthält, der Parallelarmresonatoreinheiten P21 bis P24 enthält, die zwischen dem Reihenarmschaltkreis und dem Erdungspotenzial GND verbunden sind. Jede der Reihenarmresonatoreinheiten S21 bis S25 und der Parallelarmresonatoreinheiten P21 bis P24 enthält mindestens einen Schallwellenresonator. In dem Beispiel in 17 wird jede der Reihenarmresonatoreinheiten S21 und S25 und der Parallelarmresonatoreinheiten P21 bis P24 aus einem Schallwellenresonator gebildet, und jede der Reihenarmresonatoreinheiten S22 bis S24 wird aus zwei Schallwellenresonatoren gebildet. Die Anzahl der in jeder Resonatoreinheit enthaltenen Schallwellenresonatoren ist nicht auf diesen Fall beschränkt und kann gemäß den Eigenschaften des Filters zweckmäßig ausgewählt werden. Zum Beispiel kann ein SAW-Resonator oder ein BAW-Resonator als der Schallwellenresonator verwendet werden.
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Die Parallelarmresonatoreinheit P21 hat ein erstes Ende, das mit einem Knoten zwischen der Reihenarmresonatoreinheit S21 und der Reihenarmresonatoreinheit S22 verbunden ist, und hat ein zweites Ende, das mit dem Erdungspotenzial GND verbunden ist. Die Parallelarmresonatoreinheit P22 hat ein erstes Ende, das mit einem Knoten zwischen der Reihenarmresonatoreinheit S22 und der Reihenarmresonatoreinheit S23 verbunden ist, und hat ein zweites Ende, das mit dem Erdungspotenzial GND verbunden ist. Die Parallelarmresonatoreinheit P23 hat ein erstes Ende, das mit einem Knoten zwischen der Reihenarmresonatoreinheit S23 und der Reihenarmresonatoreinheit S24 verbunden ist, und hat ein zweites Ende, das mit dem Erdungspotenzial GND verbunden ist. Die Parallelarmresonatoreinheit P24 hat ein erstes Ende, das mit einem Knoten zwischen der Reihenarmresonatoreinheit S24 und der Reihenarmresonatoreinheit S25 verbunden ist, und hat ein zweites Ende, das mit dem Erdungspotenzial GND verbunden ist.
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Das Empfangsfilter 200A enthält Reihenarmresonatoreinheiten S30 und S31 und eine Induktivität L31. Die Reihenarmresonatoreinheit S30 und die Reihenarmresonatoreinheit S31 sind zwischen dem Antennenanschluss T1 und dem Empfangsanschluss T3 in Reihe geschaltet.
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Die Reihenarmresonatoreinheit S30 enthält zum Beispiel einen einzelnen Schallwellenresonator. Die Reihenarmresonatoreinheit S31 ist ein längsgekoppelter Schaltkreis, der mindestens einen längsgekoppelten Schallwellenresonator vom Resonator-Typ enthält. Die Reihenarmresonatoreinheit S31 enthält drei IDT-Elektroden IDT1 bis IDT3 und zwei Reflektoren REF.
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Die Reihenarmresonatoreinheit S30 hat ein erstes Ende, das mit einem Antennenanschluss T1 verbunden ist, der als ein gemeinsamer Anschluss dient, der zusammen mit dem Filter 100A verwendet wird. Die IDT-Elektrode IDT2 der Reihenarmresonatoreinheit S31 ist zwischen dem zweiten Ende der Reihenarmresonatoreinheit S30 und dem Erdungspotenzial GND verbunden.
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Die IDT-Elektrode IDT1 ist so angeordnet, dass sie dem ersten Ende der IDT-Elektrode IDT2 in der Erregungsrichtung zugewandt ist, und die IDT-Elektrode IDT3 ist so angeordnet, dass sie dem zweiten Ende der IDT-Elektrode IDT2 in der Erregungsrichtung zugewandt ist. Die IDT-Elektrode IDT1 und die IDT-Elektrode IDT3 sind zwischen dem Empfangsanschluss T3 und dem Erdungspotenzial GND parallel geschaltet. Reflektoren REF sind so angeordnet, dass sie den IDT-Elektroden IDT1 und IDT3 in der Erregungsrichtung zugewandt sind, die der Richtung der IDT-Elektrode IDT2 entgegengesetzt ist.
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Die Induktivität L1 wird zwischen dem Antennenanschluss T1 und dem Erdungspotenzial GND verbunden. Die Induktivität L1 fungiert als eine Impedanzanpassungsinduktivität. Der Induktivitätswert der Induktivität L1 wird so eingestellt, dass die Impedanz für hochfrequente Signale in dem Durchlassband des Filters 100A offen wird, wenn das Filter 200A vom Antennenanschluss T1 aus betrachtet wird. Diese Struktur kann hochfrequente Signale in dem Durchlassband des Filters 100A reduzieren, die in Richtung des Empfangsanschlusses T3 durchgelassen werden.
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Die Querschnittsansicht des Multiplexers 10A gemäß der zweiten Ausführungsform ist im Grunde die gleiche wie 2. Die funktionale Vorrichtung 240 in 2 dient als ein längsgekoppelter Resonator.
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Außerdem enthält in dem Multiplexer 10A das Sendefilter 100A, das eine relativ große Wärmemenge erzeugt, ein piezoelektrisches Substrat, das dicker ist und in direktem Kontakt mit der elektrisch leitfähigen Schicht steht. Somit verbessert das Filter 100A den Wärmedissipationseffekt und kann die über die Harzschicht übertragene Wärme reduzieren. Darüber hinaus enthält das Empfangsfilter 200A, das eine relativ geringe Wärmemenge erzeugt, ein piezoelektrisches Substrat, das dünner ist und in keinem Kontakt mit der elektrisch leitfähigen Schicht steht. Somit reduziert das Filter 200A die über die elektrisch leitfähige Schicht übertragene Wärme. Diese Struktur reduziert Wärme des Filters 100A, die zu dem Filter 200A übertragen wird, und kann somit einen Parallelanordnungsverlust reduzieren, der daraus resultiert, dass das Filter 100A und das Filter 200A nebeneinander angeordnet sind.
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In dem Filter 200A werden die Dämpfungspole der höheren Frequenzen in dem Durchlassband und die Dämpfungspole der niedrigeren Frequenzen in dem Durchlassband beide durch die längsgekoppelten Resonatoren bestimmt. Somit kann der Parallelanordnungsverlust in den Fällen 1 und 3 in der ersten Ausführungsform verringert werden, und der Einfügeverlust in den Fällen 2 und 4 in der ersten Ausführungsform kann weiter verbessert werden, indem die in dem längsgekoppelten Schaltkreis enthaltenen Schallwellenresonatoren in der in jedem Fall spezifizierten Weise angeordnet werden.
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Genauer gesagt, wenn die Gesamtsumme der Bereiche innerhalb der Region RG1 in 9, wo die in dem längsgekoppelten Schaltkreis in dem Filter 200A enthaltenen Schallwellenresonatoren ausgebildet sind, als SM5 definiert ist und die Gesamtsumme der Bereiche innerhalb der Region RG2 in 9, wo die in dem längsgekoppelten Schaltkreis in dem Filter 200A enthaltenen Schallwellenresonatoren ausgebildet sind, als eine SM6 definiert ist, so sind die längsgekoppelten Resonatoren so angeordnet, dass die Gesamtsumme SM6 der Bereiche innerhalb der Region RG2 größer sein kann als die Gesamtsumme SM5 der Bereiche innerhalb der Region RG1 in den Fällen 1 und 3 (SM5 < SM6). In den Fällen 2 und 4 sind die längsgekoppelten Resonatoren so angeordnet, dass die Gesamtsumme SM5 der Bereiche innerhalb der Region RG1 größer sein kann als die Gesamtsumme SM6 der Bereiche innerhalb der Region RG2 (SM5 > SM6).
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Die oben offenbarten Ausführungsformen sind in jeder Hinsicht lediglich Beispiele und sind als nicht-einschränkend zu verstehen. Der Geltungsbereich der vorliegenden Offenbarung wird vielmehr durch den Schutzumfang der Ansprüche als durch die Beschreibung der obigen Ausführungsform definiert und ist so zu auszulegen, dass alle Änderungen, die in Geltungsbereich und Bedeutung den Ansprüchen äquivalent sind, darin enthalten sind.
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BEZUGSZEICHENLISTE
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- 10, 10A
- Multiplexer
- 50
- Montageplatte
- 60
- Harzschicht
- 70
- elektrisch leitfähige Schicht
- 100, 100A, 200, 200A
- Filter
- 110, 210
- piezoelektrisches Substrat
- 111, 211
- piezoelektrische Schicht
- 112, 212
- Grundplatte
- 113,213
- Zwischenschicht
- 120, 220
- Stützschicht
- 130, 230
- Deckschicht
- 140, 240
- funktionale Vorrichtung
- 150, 250
- säulenförmige Elektrode
- 160, 260
- Verdrahtungsstruktur
- 170, 270
- Löthöcker
- 180, 280
- Hohlraum
- 300
- Hauptplatine
- 1131
- Schicht mit niedriger Geschwindigkeit
- 1132
- Schicht mit hoher Geschwindigkeit
- ANT
- Antenne
- GND
- Erdungspotenzial
- IDT, IDT1 bis IDT3
- IDT-Elektrode
- L1, L2, L11, L31
- Induktivität
- P1 bis P4, P11 bis P14, P21 bis P24
- Parallelarmresonatoreinheit
- REF
- Reflektor
- S1 bis S5, S11 bis S14, S21 bis S25, S30, S31
- Reihenarmresonatoreinheit
- T1
- Antennenanschluss
- T2
- Sendeanschluss
- T3
- Empfangsanschluss
