DE112020004892T5

DE112020004892T5 - Nebenschlusswiderstandsmodul

Info

Publication number: DE112020004892T5
Application number: DE112020004892.6T
Authority: DE
Inventors: Kazuhiro Hara; Tamotsu Endo
Original assignee: Koa Corp
Current assignee: Koa Corp
Priority date: 2019-10-11
Filing date: 2020-09-30
Publication date: 2022-06-15
Also published as: JP7341594B2; WO2021070716A1; JP2021063698A; US20230015342A1; CN114556114A; US12019100B2

Abstract

Ziel ist es, ein Shunt-Widerstandsmodul bereitzustellen, das in seiner Größe reduziert ist, einen großen Strom handhaben kann und den Strom genau erfassen kann. Ein Shunt-Widerstandsmodul (1) der vorliegenden Erfindung umfasst: einen Shunt-Widerstand (2), der eine Vielzahl von Widerstandskörpern mit einer säulenartigen Form und Elektroden, die an beiden Enden jedes der Vielzahl von Widerstandskörpern angeordnet sind, umfasst und eine Leiterplatte, die eine Vielzahl von Durchgangslöchern (7) enthält, die die Vielzahl von Widerstandskörpern aufnehmen können, und eine Vielzahl von Spannungserfassungsanschlüssen (8a, 8b), die eine Spannung zwischen den Elektroden des Nebenschlusswiderstandes erfassen, der in die Vielzahl von Durchgangslöchern eingesetzt worden ist, und wobei jeder der Vielzahl von Spannungserfassungsanschlüssen in der Nähe eines Schwerpunkts (01) des Nebenschlusswiderstandes gesammelt ist.

Description

Gebiet der Technik
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Nebenschlusswiderstandsmodul mit einem Nebenschlusswiderstand.
Technischer Hintergrund
Ein Shunt-Widerstand wird z. B. verwendet, um den Strom eines Leistungshalbleiters o. ä. zu erfassen.
Als Shunt-Widerstand ist eine Oberflächenmontage, wie in der Patentliteratur 1 beschrieben, oder eine plattenförmige Struktur bekannt.
Zitierliste
Patentliteratur
Patentliteratur 1: JP 2013-201339 A
Zusammenfassung der Erfindung
Technisches Problem
Für den Hochspannungszweck (Stromerfassung) des Leistungshalbleiterbauelements oder dergleichen ist es erforderlich, dass der Shunt-Widerstand eine Struktur hat, die einen großen Strom bewältigt, und dies führt zu Problemen mit der Vergrößerung des Shunt-Widerstands und der Vergrößerung der Montagefläche im Verhältnis zu einer Leiterplatte.
Dementsprechend wurde die vorliegende Erfindung im Hinblick auf die oben beschriebenen Probleme gemacht, und es ist ein Ziel der vorliegenden Erfindung, ein Shunt-Widerstand-Modul, das in der Größe reduziert wird, kann einen großen Strom zu behandeln, und kann genau erkennen, Strom bereitzustellen.
Lösung des Problems
Ein Shunt-Widerstandsmodul in einem Aspekt der vorliegenden Erfindung umfasst: einen Nebenschlusswiderstand, der eine Vielzahl von Widerstandskörpern mit einer säulenartigen Form und Elektroden, die an beiden Enden jedes der Vielzahl von Widerstandskörpern angeordnet sind, umfasst; und eine Leiterplatte, die eine Vielzahl von Durchgangslöchern, die die Vielzahl von Widerstandskörpern aufnehmen können, und eine Vielzahl von Spannungserfassungsanschlüssen, die eine Spannung zwischen den Elektroden des Nebenschlusswiderstandes, der in die Vielzahl von Durchgangslöchern eingeführt wurde, erfasst, umfasst, wobei jeder der Vielzahl von Spannungserfassungsanschlüssen in der Nähe eines Schwerpunkts des Nebenschlusswiderstandes gesammelt ist.
Vorteilhafte Wirkungen der Erfindung
In einem Shunt-Widerstandsmodul bzw. Nebenschlusswiderstandsmodul gemäß der vorliegenden Erfindung ist eine Vielzahl von Widerstandskörpern, die einen Shunt-Widerstand konfigurieren und eine säulenartige Form haben, in entsprechenden Durchgangslöchern untergebracht, die in einer Leiterplatte installiert wurden, und eine Vielzahl von Spannungserfassungsanschlüssen wird in der Nähe des Schwerpunkts des Shunt-Widerstands gesammelt. Dies ermöglicht eine Struktur, die in der Größe reduziert ist und einen großen Strom verarbeiten kann, und ermöglicht eine Reduzierung des Einflusses eines magnetischen Flusses, der erzeugt wird, wenn Strom durch den Shunt-Widerstand fließt, auf die Spannungserfassungsanschlüsse. So kann der Strom genau erfasst werden.
Figurenliste

1A ist eine Draufsicht auf ein Shunt-Widerstandsmodul gemäß einer ersten Ausführungsform.
1B ist eine Rückansicht des Shunt-Widerstandsmoduls gemäß der ersten Ausführungsform.
2 ist eine Schnittdarstellung des Nebenschlusswiderstandsmoduls, das entlang der Linie A-A von 1A geschnitten wurde, und ist eine Schnittdarstellung in der durch Pfeile angegebenen Richtung.
3A ist eine teilweise vergrößerte Schnittdarstellung eines Nebenschlusswiderstandes, der in eine Leiterplatte eingesetzt wurde.
3B ist eine teilweise vergrößerte Schnittdarstellung eines Nebenschlusswiderstandes, der in eine Leiterplatte eingesetzt wurde.
4 ist ein konzeptionelles Diagramm eines Shunt-Widerstandsmoduls zur Erläuterung eines Effekts der Aufhebung eines magnetischen Flusses.
5 ist eine teilweise vergrößerte Draufsicht, die ein Beispiel für die Anordnung von zwei Shunt-Widerständen und Spannungserfassungsklemmen zeigt.
6 ist eine teilweise vergrößerte Draufsicht, die ein Beispiel für die Anordnung von drei Shunt-Widerständen und Spannungserfassungsklemmen zeigt.
7 ist eine teilweise vergrößerte Draufsicht, die ein Beispiel für die Anordnung von vier Shunt-Widerständen und Spannungserfassungsklemmen zeigt.
8 ist eine teilweise vergrößerte Draufsicht, die ein Beispiel für die Anordnung von acht Shunt-Widerständen und Spannungserfassungsklemmen zeigt.
9A ist ein konzeptionelles Diagramm (eine perspektivische Ansicht) eines Shunt-Widerstandsmoduls zur Erläuterung von Positionen, an denen Signalleitungen von Spannungserfassungsanschlüssen abgenommen werden.
9B ist eine schematische Schnittdarstellung von 9A.
10A ist eine Ansicht der Innenseite der Schicht, die ein Beispiel für herausführende Signalleitungen zeigt.
10B ist eine Ansicht der Innenseite der Schicht, die ein Beispiel für das Herausführen einer GND-Leitung zeigt.
10C ist eine schematische Schnittdarstellung einer laminierten Leiterplatte.
11 ist ein konzeptionelles Diagramm eines Shunt-Widerstandsmoduls, das eine Variante zeigt, bei der die Signalleitungen von der Vorderseite einer Leiterplatte entfernt wurden.
12 ist eine konzeptionelle perspektivische Ansicht eines Shunt-Widerstandsmoduls gemäß einer zweiten Ausführungsform.
13 ist eine perspektivische Explosionsdarstellung eines Shunt-Widerstandsmoduls gemäß einer dritten Ausführungsform.
14A ist eine perspektivische Vorderansicht des Shunt-Widerstandsmoduls gemäß der dritten Ausführungsform.
14B ist eine perspektivische Umkehransicht des Shunt-Widerstandsmoduls gemäß der dritten Ausführungsform.
15 ist eine perspektivische Explosionsdarstellung des Shunt-Widerstandsmoduls gemäß der dritten Ausführungsform, von der Rückseite aus gesehen.

Beschreibung der Ausführungsformen
Ein Shunt-Widerstandsmodul gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird im Folgenden unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen beschrieben.
Als Ergebnis ernsthafter Studien haben die Erfinder der vorliegenden Erfindung eine Änderung von einer Konfiguration, in der ein Shunt-Widerstand in einer Ebene auf einer Leiterplatte angeordnet ist, zu einer Konfiguration vorgenommen, in der der Shunt-Widerstand in die Leiterplatte eingefügt ist, um einen großen Strom zu handhaben, und haben die vorliegende Erfindung entwickelt, um den Einfluss eines magnetischen Flusses, der erzeugt wird, wenn Strom durch den Shunt-Widerstand fließt, auf einen Spannungserfassungsanschluss zu reduzieren.
Mit anderen Worten umfasst ein Shunt-Widerstandsmodul gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung:

(1) einen Nebenschlusswiderstand, der eine Vielzahl von Widerstandskörpern mit einer säulenartigen Form und Elektroden umfasst, die an beiden Enden jedes der Vielzahl von Widerstandskörpern angeordnet sind; und
(2) eine Leiterplatte, die eine Vielzahl von Durchgangslöchern, die die Vielzahl von Widerstandskörpern aufnehmen können, und eine Vielzahl von Spannungserfassungsanschlüssen enthält, die eine Spannung zwischen den Elektroden des Nebenschlusswiderstandes erfassen, der in die Vielzahl von Durchgangslöchern eingeführt wurde, wobei
(3) jeder der mehreren Spannungserfassungsanschlüsse in der Nähe eines Schwerpunkts des Nebenschlusswiderstands angeordnet ist.

Im Folgenden wird der Aufbau eines Shunt-Widerstandsmoduls 1 gemäß einer ersten Ausführungsform beschrieben.
<Nebenschlusswiderstandsmodul 1 gemäß der ersten Ausführungsform>
1A ist eine Draufsicht auf ein Shunt-Widerstandsmodul gemäß der ersten Ausführungsform, und 1B ist eine umgekehrte Oberflächenansicht des Shunt-Widerstandsmoduls gemäß der ersten Ausführungsform. 2 ist eine Schnittansicht des Shunt-Widerstandsmoduls, das entlang der Linie A-A von 1A geschnitten wurde, und ist eine Schnittansicht in der durch Pfeile angegebenen Richtung. 3A und 3B sind teilweise vergrößerte Schnittansichten, die einen Nebenschlusswiderstand zeigen, der in eine Leiterplatte eingesetzt wurde.
Wie in den 1A, 1B und 2 dargestellt, umfasst das Shunt-Widerstandsmodul 1 eine Vielzahl von Shunt-Widerständen 2 und eine Leiterplatte 3, die einen Widerstandskörper 4 des Shunt-Widerstands 2 trägt, um den Widerstandskörper 4 aufnehmen zu können.
(Shunt-Widerstand 2)
Wie in den 3A und 3B dargestellt, ist der Shunt-Widerstand 2 säulenförmig (stabförmig) mit einer Höhe in Höhenrichtung (Z-Richtung), z. B. zylindrisch, ausgebildet.
Der Shunt-Widerstand 2 umfasst einen säulenförmigen Widerstandskörper 4 sowie eine erste Elektrode 5 und eine zweite Elektrode 6, die sowohl an einem oberen als auch an einem unteren Ende des Widerstandskörpers 4 angeordnet sind. Die erste Elektrode 5 und die zweite Elektrode 6 haben einen elektrischen Widerstandswert, der niedriger ist als der elektrische Widerstandswert des Widerstandskörpers 4. Das Material ist nicht beschränkt, aber der Widerstandskörper 4 ist beispielsweise ein Metall wie ein Metall auf Cu-Ni-Basis, ein Metall auf Cu-Mn-Basis oder ein Metall auf Ni-Cr-Basis, und die Elektrode 5 oder 6 ist ein Metall wie Cu. In 3A ist der Durchmesser der ersten Elektrode 5, die sich am oberen Ende des Widerstandskörpers 4 befindet, größer als der Durchmesser des Widerstandskörpers 4 und größer als der Durchmesser eines Durchgangslochs 7, das in der Leiterplatte 3 ausgebildet wurde. Darüber hinaus ist in 3A der Durchmesser der zweiten Elektrode 6, die sich am unteren Ende des Widerstandskörpers 4 befindet, etwa gleich groß wie der Durchmesser des Widerstandskörpers 4. Wie oben beschrieben, ist der Durchmesser der ersten Elektrode 5 größer als der Durchmesser des Durchgangslochs 7 der Leiterplatte 3. Wenn der Shunt-Widerstand 2 in das Durchgangsloch 7 der Leiterplatte 3 eingesetzt wird, bleibt die erste Elektrode 5 daher an einer vorderen Fläche 3a der Leiterplatte 3 hängen und dient als Halterung. Wie in 3A dargestellt, ist die erste Elektrode 5 des Shunt-Widerstands 2 elektrisch mit einem auf der vorderen Oberfläche 3a der Leiterplatte 3 ausgebildeten leitenden Teil 10 verbunden, wobei eine Lötschicht 20 dazwischen angeordnet ist. Darüber hinaus ist die zweite Elektrode 6 des Shunt-Widerstands 2 elektrisch mit einem auf der Rückseite 3b der Leiterplatte 3 ausgebildeten leitenden Teil 11 verbunden, wobei die Lötschicht 20 dazwischen angeordnet ist. Wie in 3A dargestellt, ist der Widerstandskörper 4 in der Durchgangsbohrung 7 untergebracht.
In 3A ist selbst in einem Fall, in dem ein kleiner Spalt zwischen der zweiten Elektrode 6 und der Durchgangsbohrung 7 der Leiterplatte 3 besteht, ein Schutz vorgesehen, um kein Lot auf den in der Durchgangsbohrung 7 untergebrachten Widerstandskörper 4 aufzubringen, und die Widerstandscharakteristik wird nicht beeinflusst.
Die in 3B dargestellte zweite Elektrode 6 des Nebenschlusswiderstandes 2 hat einen Durchmesser, der im Gegensatz zu 3A etwas größer ist als der Durchmesser des Widerstandskörpers 4, aber einen Durchmesser, der kleiner ist als der Durchmesser der ersten Elektrode 5. Der Durchmesser der in 3B dargestellten zweiten Elektrode 6 entspricht beispielsweise in etwa dem Durchmesser des Durchgangslochs 7. Auf diese Weise kann der Shunt-Widerstand 2 von einer Seite der zweiten Elektrode 6 aus in die Durchgangsbohrung 7 eingeführt werden. In 3B befindet sich ein Teil der zweiten Elektrode 6 in der Durchgangsbohrung 7 der Leiterplatte 3, wenn der Shunt-Widerstand 2 in die Durchgangsbohrung 7 eingesetzt wurde. Die zweite Elektrode 6 beseitigt einen Spalt zwischen der zweiten Elektrode 6 und dem Durchgangsloch 7, verhindert wirksam, dass die Lötschicht 20 in den Spalt eindringt, und kann in geeigneter Weise eine leitende Verbindung zwischen der zweiten Elektrode 6 und dem auf der Rückseite befindlichen leitenden Teil 11 mit der dazwischen liegenden Lötschicht 20 herstellen.
(Leiterplatte 3)
Wie in den 1A, 1B und 2 dargestellt, sind in der Leiterplatte 3 eine Vielzahl von Durchgangslöchern 7, die den Widerstandskörper 4 des Nebenschlusswiderstandes 2 aufnehmen können, und eine Vielzahl von Spannungserfassungsanschlüssen 8a und 8b ausgebildet worden. Bei der Leiterplatte 3 handelt es sich beispielsweise um eine gedruckte Leiterplatte, und auf der Vorderseite 3a oder der Rückseite 3b der Leiterplatte 3 sind neben den Shunt-Widerständen 2 verschiedene nicht abgebildete elektronische Bauteile angebracht.
In der in den 1A und 1B dargestellten Ausführungsform werden vier Shunt-Widerstände 2 von der Leiterplatte 3 getragen, und daher sind vier Durchgangslöcher 7 in der Leiterplatte 3 ausgebildet. Jedes der Durchgangslöcher 7 ist von der Vorderseite (einer ersten Fläche) 3a der Leiterplatte 3 bis zur Rückseite (einer zweiten Fläche) 3b, die der Vorderseite 3a gegenüberliegt, ausgebildet. Wie in 2 dargestellt, sind die vordere Fläche 3a und die hintere Fläche 3b vorzugsweise Flächen, die parallel zu einer XY-Ebene liegen.
Auf der Vorderseite 3a der Leiterplatte 3 ist das in 3A dargestellte leitende Vorderteil 10 installiert, und auf der Rückseite 3b der Leiterplatte 3 ist das in 3A dargestellte leitende Rückseitenteil 11 installiert. Das leitende Teil 10 auf der Vorderseite ist mit einem leitenden Installationsteil 12 verbunden, das ein externes Verdrahtungselement 14, wie z. B. eine Stromschiene (siehe 2), elektrisch verbindet, und das leitende Teil 10 auf der Vorderseite ist mit einer Isolierschicht 21 bedeckt, mit Ausnahme eines Umfangsbereichs des Durchgangslochs 7, das mit der ersten Elektrode 5 verlötet ist. Der rückseitige leitende Teil 11 ist ebenfalls mit der Isolierschicht bedeckt, mit Ausnahme eines Bereichs, in dem der rückseitige leitende Teil 11 und die zweite Elektrode 6 leitend gemacht werden, und anderer Bereiche.
Wie in 2 dargestellt, sind in einem Zustand, in dem jeder der Shunt-Widerstände 2 in jedes der Durchgangslöcher 7 der Leiterplatte 3 eingesetzt wurde und der Widerstandskörper 4 in dem Durchgangsloch 7 untergebracht ist, die Elektroden 5 und 6 jedes der Shunt-Widerstände 2 mit dem leitenden Teil 10 auf der Vorderseite und dem leitenden Teil 11 auf der Rückseite verlötet und elektrisch mit dem leitenden Teil 10 auf der Vorderseite und dem leitenden Teil 11 auf der Rückseite verbunden (siehe 3A und 3B).
Wie in 1A dargestellt, ist das leitende Installationsteil 12 an einer von den Durchgangslöchern 7 entfernten Stelle ausgebildet. In dem leitenden Installationsteil 12 ist beispielsweise ein Befestigungsloch 12a ausgebildet, das die Leiterplatte 3 durchdringt. Wie in 2 dargestellt, wird das externe Verdrahtungselement 14, z. B. eine Stromschiene, auf dem leitenden Installationsteil 12 installiert, und das Befestigungselement 15, z. B. eine Schraube, wird durch das Befestigungsloch 12a hindurchgeführt, so dass das externe Verdrahtungselement 14 in geeigneter Weise auf der Leiterplatte 3 befestigt und gehalten werden kann. Ein Strom, der durch das externe Verdrahtungselement 14 zur Leiterplatte 3 fließt, fließt durch einen Strompfad des leitenden Vorderflächenteils 10, des Nebenschlusswiderstands 2 und des leitenden Rückseitenteils 11.
Wie in den 1A und 1B dargestellt, sind in der Leiterplatte 3 zwei Spannungsdetektionsanschlüsse 8a und 8b gebildet worden. Diese Spannungsdetektionsanschlüsse 8a und 8b haben beispielsweise eine Konfiguration, bei der eine leitende Schicht auf einer inneren Wandoberfläche eines Durchgangslochs gebildet wurde, das von der vorderen Oberfläche 3a zur hinteren Oberfläche 3b der Leiterplatte 3 gebildet wurde. Ein erster Spannungserfassungsanschluss 8a ist elektrisch mit dem leitenden Teil 10 der Vorderseite verbunden, jedoch nicht mit dem leitenden Teil 11 der Rückseite. Wie in 1B dargestellt, sind der rückseitig leitende Teil 11 und der erste Spannungserfassungsanschluss 8a elektrisch getrennt. Andererseits ist eine zweite Spannungserfassungsklemme 8b elektrisch mit dem rückseitig leitenden Teil 11 verbunden, aber nicht elektrisch mit dem vorderseitig leitenden Teil 10.
Wie in 1A dargestellt, werden die Signalleitungen 16 und 17 jeweils von den jeweiligen Spannungserfassungsanschlüssen 8a und 8b entlang einer inneren Schichtoberfläche der Leiterplatte 3 herausgeführt, und beispielsweise sind diese Signalleitungen 16 und 17 elektrisch mit einem ersten externen Verbindungsanschluss 23 und einem zweiten externen Verbindungsanschluss 24 auf einer Seite der Rückfläche 3b der Leiterplatte 3 verbunden. Wie in 1B dargestellt, ist auf der Rückseite 3b der Leiterplatte 3 zusätzlich zu der ersten externen Anschlussklemme 23 und der zweiten externen Anschlussklemme 24 eine GND-Klemme 25 installiert. Es ist zu beachten, dass die erste externe Anschlussklemme 23, die zweite externe Anschlussklemme 24 und die GND-Klemme 25 auf der Vorderseite 3a der Leiterplatte 3 ausgebildet sein können oder separat auf der Vorderseite 3a und der Rückseite 3b der Leiterplatte 3 ausgebildet sein können.
Die erste externe Anschlussklemme 23 und die zweite externe Anschlussklemme 24 sind mit einem nicht dargestellten Amperemeter verbunden, und ein Spannungswert zwischen der ersten externen Anschlussklemme 23 und der zweiten externen Anschlussklemme 24, d. h. ein Spannungswert zwischen den Elektroden 5 und 6 des Nebenschlusswiderstands 2, wird gemessen. In der vorliegenden Ausführungsform kann ein kombinierter Spannungswert von vier Shunt-Widerständen 2 gemessen werden. In diesem Fall ist der Widerstandswert des Widerstandskörpers 4 des Shunt-Widerstands 2 bekannt, so dass ein Stromwert gemäß dem Ohmschen Gesetz ermittelt werden kann. Wie oben beschrieben, kann das in 1 dargestellte Shunt-Widerstandsmodul 1 als Strommessgerät verwendet werden.
Wie in 3A o.ä. dargestellt, hat der Widerstandskörper 4 des Nebenschlusswiderstands 2, der am Nebenschlusswiderstandsmodul 1 angebracht ist, in der vorliegenden Ausführungsform eine säulenartige Form. Daher kann die Größe reduziert werden, und es kann eine große Querschnittsfläche im Vergleich zu einer Konfiguration mit einer flachen Plattenform gesichert werden. Ein großer Strom kann ohne eine Vergrößerung der Installationsfläche auf der Leiterplatte 3 verarbeitet werden. Darüber hinaus ist in der vorliegenden Ausführungsform der säulenförmige Widerstandskörper 4 in der Durchgangsbohrung 7 der Leiterplatte 3 untergebracht. Daher kann die Höhe des Shunt-Widerstandsmoduls 1 reduziert werden. Darüber hinaus wird in der vorliegenden Ausführungsform eine Vielzahl von säulenförmigen Widerstandskörpern 4 verwendet, so dass der Widerstandswert weiter reduziert werden kann und ein großer Strom effektiver gehandhabt werden kann.
(Anordnung der Spannungsprüfungsklemmen 8a und 8b)
In der vorliegenden Ausführungsform ist die Anordnung der Spannungserfassungsklemmen 8a und 8b so ausgelegt, dass der Einfluss eines magnetischen Flusses, der zu einem Zeitpunkt erzeugt wird, zu dem Strom durch den Shunt-Widerstand 2 fließt, auf ein Minimum reduziert wird. Ein Effekt der Aufhebung eines magnetischen Flusses wird mit Bezug auf das konzeptionelle Diagramm von 4 beschrieben.
In 4 sind zwei Shunt-Widerstände 2 zwischen der vorderen Fläche 3a und der hinteren Fläche 3b der Leiterplatte 3 angeordnet, die in der Draufsicht voneinander beabstandet sind. Wie in den 3A und 3B beschrieben, ist jeder der Shunt-Widerstände 2 mit einem säulenförmigen Widerstandskörper 4 und den Elektroden 5 und 6 am oberen und unteren Ende des Widerstandskörpers 4 versehen, was in 4 jedoch weggelassen wird. In 4 ist der Shunt-Widerstand 2 in Form eines Balkens dargestellt, in der Praxis hat der Shunt-Widerstand 2 jedoch die in 3A oder 3B dargestellte Struktur. In 4 wird ein Stromweg A von der Rückseite 3b der Leiterplatte 3 durch jeden der Shunt-Widerstände 2 zur Vorderseite 3a der Leiterplatte 3 angenommen. In diesem Fall wird um jeden der Shunt-Widerstände 2 ein magnetischer Fluss (ein Magnetfeld) B erzeugt, wobei jeder der Shunt-Widerstände 2 eine Achse gemäß der Korkenzieherregel bildet. Wenn die Spannungserfassungsklemme 8 durch den magnetischen Fluss beeinflusst wird, ändert sich ein Spannungswert, und ein genauer Stromwert kann nicht gemessen werden. Daher wird gefordert, dass der Einfluss des magnetischen Flusses auf die Spannungserfassungsklemme 8 auf ein Minimum reduziert wird.
Wie der Stromverlauf A in 4 zeigt, fließt der Strom durch jeden der Nebenschlusswiderstände 2 in derselben Richtung, und daher wird um jeden der Nebenschlusswiderstände 2 ein magnetischer Fluss in derselben Richtung erzeugt. Daher sind die Richtungen der magnetischen Flüsse in einer Position zwischen den jeweiligen Nebenschlusswiderständen 2 einander entgegengesetzt, und die magnetischen Flüsse heben sich gegenseitig auf. Daher ist, wie in 4 dargestellt, der Spannungserfassungsanschluss 8 zwischen zwei Nebenwiderständen 2 angeordnet, was eine Verringerung des Einflusses des magnetischen Flusses B auf den Spannungserfassungsanschluss 8 ermöglicht. Vorzugsweise ist die Spannungserfassungsklemme 8 in der Mitte der beiden Shunt-Widerstände 2 angeordnet, so dass der Effekt der Aufhebung des magnetischen Flusses B angemessen zum Tragen kommt und der Einfluss des magnetischen Flusses auf die Spannungserfassungsklemme 8 effektiver reduziert werden kann.
In der vorliegenden Ausführungsform sind, wie in (3) beschrieben, die jeweiligen Spannungserfassungsanschlüsse 8a und 8b in der Nähe des Schwerpunkts der Nebenschlusswiderstände 2 angeordnet. Die spezifische Anordnung der jeweiligen Spannungserfassungsanschlüsse 8a und 8b wird unter Bezugnahme auf die 5 bis 8 beschrieben.
5 zeigt ein Beispiel, bei dem der Widerstandskörper 4 (nicht dargestellt) des Nebenschlusswiderstands 2 in jeder der beiden Durchgangsbohrungen 7 untergebracht ist und zwei Nebenschlusswiderstände 2 angeordnet sind. Wie in 5 dargestellt, sind die jeweiligen Nebenschlusswiderstände 2 so angeordnet, dass sie in Y-Richtung voneinander beabstandet sind. Der Begriff „Schwerpunkt“ umfasst hier sowohl den physikalischen Schwerpunkt als auch den geometrischen Schwerpunkt. Der in 5 dargestellte Schwerpunkt 01 der Nebenschlusswiderstände 2 gibt eine Position an, die sich in gleichem Abstand von den Mittelpunkten 02 der jeweiligen Nebenschlusswiderstände 2 in der Y-Richtung befindet, die als Anordnungsrichtung der jeweiligen Nebenschlusswiderstände 2 dient. Mit anderen Worten, der Schwerpunkt O1 kann durch den Schwerpunkt der jeweiligen Durchgangslöcher 7 ersetzt werden.
Wie in 5 dargestellt, sind die beiden Spannungserfassungsklemmen 8a und 8b in der Nähe des Schwerpunkts O1 der Nebenschlusswiderstände 2 in der Draufsicht angeordnet.
Wie in 5 dargestellt, sind die beiden Spannungserfassungsanschlüsse 8a und 8b in gleichem Abstand vom Schwerpunkt 01 in X-Richtung (einer Richtung orthogonal zur Y-Richtung) angeordnet, wobei der Schwerpunkt 01 dazwischen liegt. Mit anderen Worten, der Schwerpunkt 03 der Spannungserfassungsanschlüsse 8a und 8b entspricht dem Schwerpunkt O1 der Nebenschlusswiderstände 2.
6 zeigt ein Beispiel, bei dem der Widerstandskörper 4 (nicht dargestellt) des Nebenschlusswiderstands 2 in jeder der drei Durchgangsbohrungen 7 untergebracht ist und drei Nebenschlusswiderstände 2 angeordnet sind.
In 6 sind die Mittelpunkte 02 der drei Shunt-Widerstände 2 in Abständen von 120 Grad auf einem konzentrischen Kreis C1 angeordnet. Dann werden die beiden Spannungserfassungsanschlüsse 8a und 8b in der Nähe des Schwerpunkts O1 gesammelt, der sich in gleichem Abstand von den Mittelpunkten 02 der jeweiligen Nebenschlusswiderstände 2 befindet. Die jeweiligen Spannungserfassungsanschlüsse 8a und 8b sind zumindest in dem konzentrischen Kreis C1 angeordnet. Wie in 6 dargestellt, sind die beiden Spannungserfassungsanschlüsse 8a und 8b in gleichem Abstand vom Schwerpunkt 01 in Y-Richtung angeordnet, wobei der Schwerpunkt 01 dazwischen liegt. Mit anderen Worten, der Schwerpunkt 03 der Spannungserfassungsanschlüsse 8a und 8b entspricht dem Schwerpunkt O1 der Nebenschlusswiderstände 2.
7 zeigt ein Beispiel, bei dem der Widerstandskörper 4 (nicht dargestellt) des Nebenschlusswiderstands 2 in jedem der vier Durchgangslöcher 7 untergebracht ist und vier Nebenschlusswiderstände 2 angeordnet sind. In 7 sind die Mittelpunkte 02 der vier Shunt-Widerstände 2 in Abständen von 90 Grad auf einem konzentrischen Kreis C2 angeordnet.
In 7 sind die vier Shunt-Widerstände 2 in einer Matrix in X- und Y-Richtung angeordnet. Dann werden die beiden Spannungserfassungsanschlüsse 8a und 8b in der Nähe des Schwerpunkts 01 gesammelt, der sich in gleichem Abstand von den Mittelpunkten 02 der jeweiligen Nebenschlusswiderstände 2 befindet. Die jeweiligen Spannungserfassungsanschlüsse 8a und 8b sind zumindest in dem konzentrischen Kreis C2 angeordnet. Wie in 7 dargestellt, sind die beiden Spannungserfassungsanschlüsse 8a und 8b in gleichem Abstand vom Schwerpunkt 01 in Y-Richtung angeordnet, wobei der Schwerpunkt 01 dazwischen liegt. Mit anderen Worten, der Schwerpunkt 03 der Spannungserfassungsanschlüsse 8a und 8b entspricht dem Schwerpunkt 01 der Nebenschlusswiderstände 2.
8 zeigt ein Beispiel, bei dem der Widerstandskörper 4 (nicht dargestellt) des Nebenschlusswiderstandes 2 in jedem der acht Durchgangslöcher 7 untergebracht ist und acht Nebenschlusswiderstände 2a und 2b angeordnet sind.
In 8 sind die Mittelpunkte 02 der vier Shunt-Widerstände 2a in Abständen von 90 Grad auf einem konzentrischen Kreis C3 angeordnet und sind in einer Matrix in X- und Y-Richtung angeordnet. Ferner sind auf der Außenseite die Mittelpunkte 02 der vier verbleibenden Nebenschlusswiderstände 2b in Abständen von 90 Grad auf einem konzentrischen Kreis C4 angeordnet, dessen Durchmesser größer ist als der Durchmesser des konzentrischen Kreises C3, und der Nebenschlusswiderstand 2a und der Nebenschlusswiderstand 2b sind so angeordnet, dass sie um 45 Grad gegeneinander verschoben sind. Der physikalische Schwerpunkt der acht Nebenschlusswiderstände 2 ist der Schwerpunkt O1, und zwei Spannungserfassungsanschlüsse 8a und 8b sind in der Nähe des Schwerpunkts 01 angeordnet. Die jeweiligen Spannungserfassungsanschlüsse 8a und 8b sind zumindest in dem konzentrischen Kreis C3 angeordnet. Wie in 8 dargestellt, sind die beiden Spannungserfassungsanschlüsse 8a und 8b in einem gleichen Abstand vom Schwerpunkt 01 in Y-Richtung angeordnet, wobei der Schwerpunkt O1 dazwischen liegt. Mit anderen Worten, der Schwerpunkt 03 der Spannungserfassungsanschlüsse 8a und 8b entspricht dem Schwerpunkt O1 der Nebenschlusswiderstände 2.
In allen oben beschriebenen Anordnungsbeispielen der 5 bis 8 sind die jeweiligen Spannungserfassungsanschlüsse 8a und 8b in der Nähe des Schwerpunkts 01 der Nebenschlusswiderstände 2 angeordnet, was den Einfluss eines magnetischen Flusses auf die jeweiligen Spannungserfassungsanschlüsse 8a und 8b wirksam reduzieren kann.
Darüber hinaus wird, wie oben beschrieben, der Schwerpunkt 03 der jeweiligen Spannungserfassungsanschlüsse 8a und 8b mit dem Schwerpunkt 01 der jeweiligen Shunt-Widerstände 2 abgestimmt. Dies ermöglicht eine effektivere Verbesserung des Effekts der Aufhebung eines magnetischen Flusses, und der Strom kann mit hoher Genauigkeit erfasst werden.
(Positionen der Entnahme der Signalleitungen 16 und 17)
In der vorliegenden Ausführungsform werden zusätzlich zu den Verbesserungen bei der Anordnung der jeweiligen Spannungserfassungsanschlüsse 8a und 8b auch die Positionen verbessert, an denen die jeweiligen Signalleitungen 16 und 17 von den jeweiligen Spannungserfassungsanschlüssen 8a und 8b abgeführt werden.
9A ist ein konzeptionelles Diagramm (eine perspektivische Ansicht) eines Shunt-Widerstandsmoduls zur Erläuterung der Anordnung von Signalleitungen, die von Spannungserfassungsanschlüssen herausgeführt werden, und 9B ist eine schematische Schnittansicht von 9A.
Wie in den 9A und 9B dargestellt, werden die Signalleitungen 16 und 17, die von den jeweiligen Spannungsdetektionsanschlüssen 8a und 8b herausgeführt werden sollen, von der gleichen Höhe in einer Dickenrichtung der Leiterplatte 3 herausgeführt. In der vorliegenden Ausführungsform ist es vorteilhaft, dass die jeweiligen Signalleitungen 16 und 17 immer aus der gleichen Höhe herausgeführt werden. Indem die jeweiligen Signalleitungen 16 und 17 aus derselben Höhe herausgeführt werden, kann die Intensität eines magnetischen Flusses, der von einer Signalleitung von dem Spannungserfassungsanschluss 8a zu der Signalleitung 16 empfangen wird, näher an die Intensität eines magnetischen Flusses gebracht werden, der von einer Signalleitung von dem Spannungserfassungsanschluss 8b zu der Signalleitung 17 empfangen wird, und ein Effekt der Auslöschung eines magnetischen Flusses kann maximal genutzt werden. Darüber hinaus kann durch das Herausführen der jeweiligen Signalleitungen 16 und 17 mit einer Verringerung des Einflusses eines erzeugten magnetischen Flusses eine Differenz im magnetischen Fluss effektiver verringert werden. Dadurch kann der Strom mit höherer Genauigkeit erfasst werden.
Eine spezifische Konfiguration, die sich auf das Herausführen der jeweiligen Signalleitungen 16 und 17 und der GND-Leitung 19 bezieht, wird unter Bezugnahme auf die 10A und 10C beschrieben. 10A ist eine Innenlagenansicht, die ein Beispiel für das Herausführen von Signalleitungen veranschaulicht, 10B ist eine Innenlagenansicht, die ein Beispiel für das Herausführen einer GND-Leitung veranschaulicht, und 10C ist eine schematische Schnittdarstellung einer laminierten Leiterplatte.
Wie in 10C dargestellt, handelt es sich bei der Leiterplatte 3 um eine laminierte Leiterplatte, die durch Laminieren einer Vielzahl von Schichten 30 bis 33 hergestellt wird. Die Signalleitungen 16 und 17, die von den jeweiligen Spannungserfassungsanschlüssen 8a und 8b herausgeführt werden, sind beispielsweise auf der gleichen mittleren inneren Schichtfläche 31a zwischen der Schicht 31 und der Schicht 32 angeordnet, die in 10C dargestellt ist. Wie oben beschrieben, werden die Signalleitungen 16 und 17 aus der gleichen Höhe herausgeführt. In der vorliegenden Ausführungsform befindet sich die mittlere innere Schichtfläche 31a in der Mitte der Dicke der Leiterplatte 3. Wie in 10A dargestellt, werden die Signalleitungen 16 und 17 von den jeweiligen Spannungserfassungsanschlüssen 8a und 8b zu durchkontaktierten leitenden Teilen 22a und 22b geführt, die mit den externen Anschlussklemmen 23 und 24 (siehe 1B) auf der mittleren inneren Schichtfläche 31a verbunden sind. Wie in den 10A und 10B dargestellt, sind die jeweiligen Signalleitungen 16 und 17 in einem Muster ausgebildet, das dünner ist als ein Muster der GND-Leitung 19 und so dünn wie möglich.
Darüber hinaus kann die in 10B gezeigte GND-Leitung 19 auf einer anderen inneren Schichtfläche als der mittleren inneren Schichtfläche 31a gebildet werden und wird beispielsweise auf einer inneren Schichtfläche 30a zwischen der Schicht 30 und der Schicht 31 gebildet. Wie in 10B dargestellt, wird die GND-Leitung 19 von der Spannungserfassungsklemme 8b zu einem durchkontaktierten leitenden Teil 22C geführt, das mit der GND-Klemme 25 verbunden ist (siehe 1B).
In den 9A, 9B und 10A bis 10C sind die jeweiligen Signalleitungen 16 und 17 aus derselben inneren Schichtfläche der Leiterplatte 3 herausgeführt. Wie in 11 dargestellt, können die jeweiligen Signalleitungen 16 und 17 jedoch z. B. entlang der Vorderfläche 3a der Leiterplatte 3 herausgeführt werden. Werden die Signalleitungen 16 und 17 jedoch beispielsweise in einer Richtung (der X-Richtung) herausgeführt, die senkrecht zum aktuellen Weg A verläuft, wird der aktuelle Weg A behindert. Daher ist es vorteilhaft, wenn die Richtung, aus der die jeweiligen Signalleitungen 16 und 17 herausgeführt werden, mit der Richtung der aktuellen Route A übereinstimmt (in 11 die Y-Richtung).
<Nebenschlusswiderstandsmodul gemäß der zweiten Ausführungsform>
In dem Nebenschlusswiderstandsmodul 1 gemäß der oben beschriebenen ersten Ausführungsform ist eine Vielzahl von Spannungserfassungsanschlüssen 8a und 8b so angeordnet, dass sie in einer Draufsicht voneinander beabstandet sind. In diesem Fall sind die jeweiligen Spannungserfassungsanschlüsse 8a und 8b in der Nähe des Schwerpunkts 01 der Nebenschlusswiderstände 2 angeordnet, um es den Spannungserfassungsanschlüssen 8a und 8b zu erschweren, einen Einfluss eines magnetischen Flusses zu erhalten.
Im Gegensatz dazu befinden sich in einer zweiten Ausführungsform, wie in 12 dargestellt, der erste Spannungserfassungsanschluss 8a, der zweite Spannungserfassungsanschluss 8b und der Schwerpunkt 01 der Shunt-Widerstände 2 auf derselben geraden Linie L entlang einer Dickenrichtung (Z-Richtung) der Leiterplatte 3. Eine solche Konfiguration kann durch die Verwendung einer Aufbauverdrahtungsplatte als Leiterplatte 3 erreicht werden. Wie oben beschrieben, können durch die Anordnung des ersten Spannungserfassungsanschlusses 8a, des zweiten Spannungserfassungsanschlusses 8b und des Schwerpunkts 01 der Shunt-Widerstände 2 in der gleichen Position in der Höhenrichtung (der Z-Richtung) der erste Spannungserfassungsanschluss 8a und der zweite Spannungserfassungsanschluss 8b in einer mittleren Position angeordnet werden, die einen magnetischen Fluss am meisten aufheben kann, und Strom kann mit höherer Genauigkeit erfasst werden.
<Nebenschlusswiderstandsmodul nach dritter Ausführungsform>
13 ist eine perspektivische Explosionsansicht eines Shunt-Widerstandsmoduls gemäß einer dritten Ausführungsform. 14A ist eine perspektivische Vorderansicht des Shunt-Widerstandsmoduls gemäß der dritten Ausführungsform, und 14B ist eine perspektivische Rückansicht der Oberfläche. 15 ist eine perspektivische Explosionsdarstellung des Shunt-Widerstandsmoduls gemäß der dritten Ausführungsform, von der Rückseite aus gesehen.
Wie in 13 dargestellt, sind die oberen Enden einer Vielzahl von säulenförmigen Widerstandskörpern 4 mit einer gemeinsamen ersten Elektrode 5 verbunden. Auf der anderen Seite ist eine zweite Elektrode 6 an den unteren Enden der jeweiligen Widerstandskörper 4 vorgesehen. Wie oben beschrieben, ist in 13 ein integrierter Shunt-Widerstand 2 konfiguriert, in dem die Mehrzahl der Widerstandskörper 4 an der gemeinsamen ersten Elektrode 5 befestigt ist. In der Mitte der ersten Elektrode des Nebenschlusswiderstandes ist ein Befestigungsloch 2c ausgebildet, das eine Stromschiene 40 mit Hilfe eines Befestigungselements 41 fixiert. Beachten Sie, dass dieses Befestigungsloch 2c bis zur Mitte der ersten Elektrode 5 ausgebildet ist und die erste Elektrode 5 nicht durchdringt.
Wie in 13 dargestellt, ist die gleiche Anzahl von Durchgangslöchern 7 wie die Anzahl der Widerstandskörper 4 in die Leiterplatte 3 eingearbeitet worden. Jedes der Durchgangslöcher 7 hat einen Durchmesser, der ungefähr dem Durchmesser der zweiten Elektrode 6 entspricht, oder einen Durchmesser, der größer ist als der Durchmesser der zweiten Elektrode 6. In der vorliegenden Ausführungsform ist der Durchmesser des Durchgangslochs 7 in etwa der gleiche wie der Durchmesser der zweiten Elektrode 6.
Wie in 13 dargestellt, ist in der Mitte der Leiterplatte 3 eine Vielzahl von Spannungserfassungsanschlüssen 8a und 8b ausgebildet. Die bevorzugte Anordnung der Spannungsdetektionsanschlüsse 8a und 8b wurde bereits unter Bezugnahme auf 7 beschrieben. Auf der Vorderseite der Leiterplatte 3 ist ein leitfähiger Teil der Vorderseite (10) als Muster ausgebildet. Wenn der Shunt-Widerstand 2 installiert ist, stößt das leitende Teil 10 an der Vorderseite an die erste Elektrode 5 des Shunt-Widerstands 2. Darüber hinaus ist, wie in 15 dargestellt, auf der Rückseite der Leiterplatte 3 ein rückseitiges leitfähiges Teil 11 gebildet worden. Es ist zu beachten, dass der rückseitige leitende Teil 11 mit einer isolierenden Schicht, z. B. einem Resist, bedeckt ist, mit Ausnahme eines Teils der Verbindung zur zweiten Elektrode 6. Darüber hinaus sind, wie in 13 dargestellt, auf einer Seitenfläche der Leiterplatte 3 die Signalleitungen 16 und 17 von den jeweiligen Spannungserfassungsanschlüssen 8a und 8b herausgeführt.
In 13 ist nur ein Teil der Leiterplatte 3 dargestellt, auf dem der Shunt-Widerstand 2 montiert ist. In der Praxis hat die Leiterplatte 3 jedoch eine größere Fläche, und es wurden verschiedene nicht abgebildete elektronische Komponenten montiert.
Die jeweiligen Widerstandskörper 4 und die jeweiligen zweiten Elektroden 6 des in 13 dargestellten Shunt-Widerstands 2 werden in die jeweiligen Durchgangslöcher 7 eingesetzt, und der Shunt-Widerstand 2 wird auf der Vorderseite der Leiterplatte 3 installiert. Ferner wird Lötmittel zwischen der ersten Elektrode 5 und dem leitenden Teil 10 auf der Vorderseite und zwischen der zweiten Elektrode 6 und dem leitenden Teil 11 auf der Rückseite angebracht, so dass das in den 14Aund 14B dargestellte Nebenwiderstandsmodul fertiggestellt ist. Das in den 14Aund 14B dargestellte Bezugszeichen 20 weist auf eine Lötschicht hin.
Darüber hinaus wurden Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung und Varianten beschrieben. Es können jedoch auch andere Ausführungsformen hergestellt werden, indem alle oder einige der oben beschriebenen Ausführungsformen und Varianten kombiniert werden.
Ferner sind die Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung nicht auf die oben beschriebenen Ausführungsformen und Variationen beschränkt, und es können verschiedene Änderungen, Ersetzungen und Abwandlungen vorgenommen werden, ohne vom Geist der technischen Ideen abzuweichen. Wenn die technischen Ideen aufgrund des technologischen Fortschritts oder durch Verwendung einer anderen abgeleiteten Technologie auf andere Weise erreicht werden können, können die technischen Ideen durch Verwendung einer solchen Methode verkörpert werden. Dementsprechend decken die Ansprüche alle Ausführungsformen ab, die in den Anwendungsbereich der technischen Ideen aufgenommen werden können.
Im Folgenden werden die charakteristischen Punkte der oben beschriebenen Ausführungsformen beschrieben.
Ein Shunt-Widerstandsmodul gemäß der oben beschriebenen Ausführungsform umfasst: einen Nebenschlusswiderstand, der eine Vielzahl von Widerstandskörpern mit einer säulenartigen Form und Elektroden, die sich an beiden Enden jedes der Vielzahl von Widerstandskörpern befinden, umfasst; und eine Leiterplatte, die eine Vielzahl von Durchgangslöchern, die die Vielzahl von Widerstandskörpern aufnehmen können, und eine Vielzahl von Spannungserfassungsanschlüssen, die eine Spannung zwischen den Elektroden des Nebenschlusswiderstandes, der in die Vielzahl von Durchgangslöchern eingeführt wurde, erfasst, umfasst, wobei jeder der Vielzahl von Spannungserfassungsanschlüssen in der Nähe eines Schwerpunkts des Nebenschlusswiderstandes gesammelt ist.
Darüber hinaus ist es bei dem Shunt-Widerstandsmodul gemäß der vorliegenden Ausführungsform vorzuziehen, dass der Schwerpunkt des Shunt-Widerstands mit dem Schwerpunkt der mehreren Spannungserfassungsanschlüsse übereinstimmt.
Ferner ist es bei dem Shunt-Widerstandsmodul gemäß der vorliegenden Ausführungsform vorteilhaft, dass von jedem der mehreren Spannungserfassungsanschlüsse eine Signalleitung in einer identischen Höhenposition abgeht.
Darüber hinaus ist es bei dem Shunt-Widerstandsmodul gemäß der vorliegenden Ausführungsform vorteilhaft, dass der Schwerpunkt des Shunt-Widerstands und jeder der mehreren Spannungserfassungsanschlüsse auf einer identischen Linie in einer Höhenrichtung der Leiterplatte liegt.
Gewerbliche Anwendbarkeit
Wie oben beschrieben, ist ein Shunt-Widerstandsmodul gemäß der vorliegenden Erfindung in der Größe reduziert, kann einen großen Strom verarbeiten und kann genau Strom zu erkennen. Das Shunt-Widerstandsmodul kann beispielsweise zur Erfassung eines Stroms für die Steuerung einer Leistungshalbleitervorrichtung oder dergleichen oder für das Energiemanagement einer Batterie eingesetzt werden.
Die vorliegende Anmeldung basiert auf der japanischen Patentanmeldung Nr. 2019-187875 , die am 11. Oktober 2019 eingereicht wurde. Der gesamte Inhalt dieser Anmeldung wird hier durch Bezugnahme aufgenommen.
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur

JP 2013201339 A [0004]
JP 2019187875 [0066]

Claims

Nebenschlusswiderstandsmodul, umfassend: einen Nebenschlusswiderstand, der eine Vielzahl von Widerstandskörpern mit einer säulenartigen Form und Elektroden umfasst, die an beiden Enden jedes der Vielzahl von Widerstandskörpern angeordnet sind; und eine Leiterplatte, die eine Vielzahl von Durchgangslöchern enthält, die die Vielzahl von Widerstandskörpern aufnehmen können, und eine Vielzahl von Spannungserfassungsanschlüssen, die eine Spannung zwischen den Elektroden des Nebenschlusswiderstands erfassen, der in die Vielzahl von Durchgangslöchern eingeführt wurde, wobei jeder der mehreren Spannungserfassungsanschlüsse in der Nähe des Schwerpunkts des Shunt-Widerstands angeordnet ist.
Nebenschlusswiderstandsmodul nach Anspruch 1, wobei der Schwerpunkt des Nebenschlusswiderstands mit einem Schwerpunkt der mehreren Spannungserfassungsklemmen übereinstimmt.
Nebenschlusswiderstandsmodul nach Anspruch 1 oder 2, wobei von jedem der mehreren Spannungserfassungsanschlüsse eine Signalleitung in gleicher Höhenlage abgeführt wird.
Nebenschlusswiderstandsmodul nach Anspruch 1, wobei der Schwerpunkt des Nebenschlusswiderstands und jeder der mehreren Spannungserfassungsanschlüsse auf einer identischen Linie in einer Höhenrichtung der Leiterplatte liegen.